JPH11251496A - Ｉｃの冷却構造 - Google Patents
Ｉｃの冷却構造Info
- Publication number
- JPH11251496A JPH11251496A JP6448898A JP6448898A JPH11251496A JP H11251496 A JPH11251496 A JP H11251496A JP 6448898 A JP6448898 A JP 6448898A JP 6448898 A JP6448898 A JP 6448898A JP H11251496 A JPH11251496 A JP H11251496A
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- JP
- Japan
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- heat
- heat sink
- nut
- bolt
- package
- Prior art date
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- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートシンクを使用するＩＣの冷却構造にお
いて、 交換容易であり、放熱効率が良く、実装高の低
いＩＣの冷却構造を提供する。 【解決手段】 ＩＣ１のパッケージ部１Ａに接着剤５を
塗布し、頭部２Ａと連結させる。熱伝導剤６をパッケー
ジ部１Ａに塗布する。ナット４でヒートシンク３とねじ
つきＩＣを連結する。
いて、 交換容易であり、放熱効率が良く、実装高の低
いＩＣの冷却構造を提供する。 【解決手段】 ＩＣ１のパッケージ部１Ａに接着剤５を
塗布し、頭部２Ａと連結させる。熱伝導剤６をパッケー
ジ部１Ａに塗布する。ナット４でヒートシンク３とねじ
つきＩＣを連結する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣの冷却構造
についてのものである。特に、ヒートシンクを使用する
ＩＣの冷却構造についてのものである。
についてのものである。特に、ヒートシンクを使用する
ＩＣの冷却構造についてのものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣの外形とほぼ同形のヒートシンクを
ＩＣに接着し、ＩＣを冷却する。しかし、ＩＣの発熱量
が大きい場合は、ＩＣの外形より大きいヒートシンクを
取りつける必要がある。また、ＩＣが破損した場合に交
換容易な構造が要求される。次に、従来のＩＣの冷却構
造を図４と図５により説明する。図４は斜視分解組立
図、図５は図４の実装状態での断面図である。
ＩＣに接着し、ＩＣを冷却する。しかし、ＩＣの発熱量
が大きい場合は、ＩＣの外形より大きいヒートシンクを
取りつける必要がある。また、ＩＣが破損した場合に交
換容易な構造が要求される。次に、従来のＩＣの冷却構
造を図４と図５により説明する。図４は斜視分解組立
図、図５は図４の実装状態での断面図である。
【０００３】図４の１はＩＣ、３はヒートシンク、５は
接着剤、６は熱伝導剤、７は板ナット、８は雄ねじであ
る。
接着剤、６は熱伝導剤、７は板ナット、８は雄ねじであ
る。
【０００４】ＩＣ１のパッケージ部１Ａに接着剤５を塗
布し、板ナット７と結合させる。熱伝導剤６を板ナット
７の表面に塗布する。雄ねじ８でヒートシンク３と板ナ
ットつきＩＣを連結する。
布し、板ナット７と結合させる。熱伝導剤６を板ナット
７の表面に塗布する。雄ねじ８でヒートシンク３と板ナ
ットつきＩＣを連結する。
【０００５】ＩＣ１を交換するときは、雄ねじ８による
連結を解除する。ＩＣ１と板ナット７は分離できないの
で、前記板ナットつきＩＣにして交換する。ヒートシン
ク３は再利用できる構造である。
連結を解除する。ＩＣ１と板ナット７は分離できないの
で、前記板ナットつきＩＣにして交換する。ヒートシン
ク３は再利用できる構造である。
【０００６】図５において、ＩＣ１の発生熱は、接着剤
５、板ナット７、熱伝導剤６、ヒートシンク３の順に伝
導し、放熱される。
５、板ナット７、熱伝導剤６、ヒートシンク３の順に伝
導し、放熱される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩＣの冷却構造
には次のような問題点がある。 （１）ＩＣ１とヒートシンク３に板ナット７が介在する
ので実装高が必要であす。 （２）ＩＣ１の発生熱は、接着剤５、ブロック７、熱伝
導剤６、ヒートシンク３の順で伝導する。そのため、放
熱効率が悪いので、形状が大きいヒートシンク３を必要
とする。
には次のような問題点がある。 （１）ＩＣ１とヒートシンク３に板ナット７が介在する
ので実装高が必要であす。 （２）ＩＣ１の発生熱は、接着剤５、ブロック７、熱伝
導剤６、ヒートシンク３の順で伝導する。そのため、放
熱効率が悪いので、形状が大きいヒートシンク３を必要
とする。
【０００８】この発明は、交換容易であり、放熱効率が
良く、実装高の低いＩＣの冷却構造を提供することを目
的とする。
良く、実装高の低いＩＣの冷却構造を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、請求項１に係わる発明は、ＩＣ１のパッケージ部１
Ａにボルト２の頭部２Ａを接着し、前記ボルト２つきＩ
Ｃ１がヒートシンク３とナット４で結合する。
め、請求項１に係わる発明は、ＩＣ１のパッケージ部１
Ａにボルト２の頭部２Ａを接着し、前記ボルト２つきＩ
Ｃ１がヒートシンク３とナット４で結合する。
【００１０】請求項２に係わる発明は、請求項１記載の
発明において、ボルト２の頭部２Ａが埋まる穴３Ａをヒ
ートシンク３に形成し、ＩＣ１のパッケージ部１Ａが熱
伝導剤６でヒートシンク３と密接する。
発明において、ボルト２の頭部２Ａが埋まる穴３Ａをヒ
ートシンク３に形成し、ＩＣ１のパッケージ部１Ａが熱
伝導剤６でヒートシンク３と密接する。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図１から図３は、この発明によ
るＩＣの冷却構造の一実施の形態を示す図面である。
面を参照して説明する。図１から図３は、この発明によ
るＩＣの冷却構造の一実施の形態を示す図面である。
【００１２】図１はこの発明の斜視分解組立図である。
図１において、１はＩＣ、２はボルト、３はヒートシン
クである。ボルト２は頭部２Ａとねじ部２Ｂから形成さ
れている。
図１において、１はＩＣ、２はボルト、３はヒートシン
クである。ボルト２は頭部２Ａとねじ部２Ｂから形成さ
れている。
【００１３】図２は図１の実装状態での断面図である。
ヒートシンク３はフィン３Ｂが形成されている。
ヒートシンク３はフィン３Ｂが形成されている。
【００１４】図１において、ＩＣ１のパッケージ部１Ａ
に接着剤５を塗布し、頭部２Ａと連結させる。熱伝導剤
６をパッケージ部１Ａに塗布する。ナット４でヒートシ
ンク３とねじつきＩＣを連結する。
に接着剤５を塗布し、頭部２Ａと連結させる。熱伝導剤
６をパッケージ部１Ａに塗布する。ナット４でヒートシ
ンク３とねじつきＩＣを連結する。
【００１５】また、図３は図１の実装状態での断面図で
あり、ヒートシンク３がＩＣと連結する状態を表した説
明図である。図３において、ヒートシンク３は頭部２Ａ
が埋まる穴３Ａを形成しているため、パッケージ部１Ａ
が熱伝導剤６でヒートシンク３と密接する。
あり、ヒートシンク３がＩＣと連結する状態を表した説
明図である。図３において、ヒートシンク３は頭部２Ａ
が埋まる穴３Ａを形成しているため、パッケージ部１Ａ
が熱伝導剤６でヒートシンク３と密接する。
【００１６】ＩＣ１を交換するときは、ナット４による
連結を解除する。ＩＣ１とボルト２は分離できないの
で、前記ボルトつきＩＣにして交換する。ヒートシンク
３は再利用できる構造である。
連結を解除する。ＩＣ１とボルト２は分離できないの
で、前記ボルトつきＩＣにして交換する。ヒートシンク
３は再利用できる構造である。
【００１７】図２において、ＩＣ１の発生熱は、熱伝導
剤６を介してヒートシンク３に直ちに伝導し、放熱され
る。
剤６を介してヒートシンク３に直ちに伝導し、放熱され
る。
【００１８】
【発明の効果】この発明は、ボルトの頭部が埋まる穴を
ヒートシンクに形成し、ＩＣのパッケージ部が熱伝導剤
でヒートシンクと密接するため、放熱効率が良く、実装
高が低くなる。
ヒートシンクに形成し、ＩＣのパッケージ部が熱伝導剤
でヒートシンクと密接するため、放熱効率が良く、実装
高が低くなる。
【００１９】さらに、ナットによる連結を解除し、ボル
トつきＩＣにして交換するため、交換容易である。
トつきＩＣにして交換するため、交換容易である。
【００２０】
【図１】この発明の一実施形態によるＩＣの冷却構造の
斜視分解組立図である。
斜視分解組立図である。
【図２】図１の実装状態での断面図である。
【図３】図１の実装状態での断面図であり、ヒートシン
クがＩＣと連結する状態を表した説明図である。
クがＩＣと連結する状態を表した説明図である。
【図４】従来技術によるＩＣの冷却構造の斜視分解組立
図である。
図である。
【図５】図４の実装状態での断面図である。
１ ＩＣ ２ ボルト ２Ａ 頭部 ２Ｂ ねじ部 ３ ヒートシンク ３Ａ 穴 ４ ナット ５ 接着剤 ６ 熱伝導剤
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩＣ(1) のパッケージ部(1A)にボルト
(2) の頭部(2A)を接着し、 前記ボルト(2) つきＩＣ(1) がヒートシンク(3) とナッ
ト(4) で結合することを特徴とするＩＣの冷却構造。 - 【請求項２】 ボルト(2) の頭部(2A)が埋まる穴(3A)を
ヒートシンク(3) に形成し、 ＩＣ(1) のパッケージ部(1A)が熱伝導剤(6) でヒートシ
ンク(3) と密接することを特徴とする請求項１記載のＩ
Ｃの冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6448898A JPH11251496A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Ｉｃの冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6448898A JPH11251496A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Ｉｃの冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251496A true JPH11251496A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13259658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6448898A Pending JPH11251496A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Ｉｃの冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251496A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006191962A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Pentax Corp | 内視鏡用光源装置 |
| US7990716B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-02 | Advantest Corporation | Heat sink structure and test head with same |
| US11852919B1 (en) | 2022-07-12 | 2023-12-26 | Sharp Display Technology Corporation | Backlight unit and display device |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP6448898A patent/JPH11251496A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006191962A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Pentax Corp | 内視鏡用光源装置 |
| US7990716B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-02 | Advantest Corporation | Heat sink structure and test head with same |
| US11852919B1 (en) | 2022-07-12 | 2023-12-26 | Sharp Display Technology Corporation | Backlight unit and display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20041001 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041001 |