JPH11251496A - Icの冷却構造 - Google Patents
Icの冷却構造Info
- Publication number
- JPH11251496A JPH11251496A JP6448898A JP6448898A JPH11251496A JP H11251496 A JPH11251496 A JP H11251496A JP 6448898 A JP6448898 A JP 6448898A JP 6448898 A JP6448898 A JP 6448898A JP H11251496 A JPH11251496 A JP H11251496A
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- JP
- Japan
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- heat
- heat sink
- nut
- bolt
- package
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- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートシンクを使用するICの冷却構造にお
いて、 交換容易であり、放熱効率が良く、実装高の低
いICの冷却構造を提供する。 【解決手段】 IC1のパッケージ部1Aに接着剤5を
塗布し、頭部2Aと連結させる。熱伝導剤6をパッケー
ジ部1Aに塗布する。ナット4でヒートシンク3とねじ
つきICを連結する。
いて、 交換容易であり、放熱効率が良く、実装高の低
いICの冷却構造を提供する。 【解決手段】 IC1のパッケージ部1Aに接着剤5を
塗布し、頭部2Aと連結させる。熱伝導剤6をパッケー
ジ部1Aに塗布する。ナット4でヒートシンク3とねじ
つきICを連結する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ICの冷却構造
についてのものである。特に、ヒートシンクを使用する
ICの冷却構造についてのものである。
についてのものである。特に、ヒートシンクを使用する
ICの冷却構造についてのものである。
【0002】
【従来の技術】ICの外形とほぼ同形のヒートシンクを
ICに接着し、ICを冷却する。しかし、ICの発熱量
が大きい場合は、ICの外形より大きいヒートシンクを
取りつける必要がある。また、ICが破損した場合に交
換容易な構造が要求される。次に、従来のICの冷却構
造を図4と図5により説明する。図4は斜視分解組立
図、図5は図4の実装状態での断面図である。
ICに接着し、ICを冷却する。しかし、ICの発熱量
が大きい場合は、ICの外形より大きいヒートシンクを
取りつける必要がある。また、ICが破損した場合に交
換容易な構造が要求される。次に、従来のICの冷却構
造を図4と図5により説明する。図4は斜視分解組立
図、図5は図4の実装状態での断面図である。
【0003】図4の1はIC、3はヒートシンク、5は
接着剤、6は熱伝導剤、7は板ナット、8は雄ねじであ
る。
接着剤、6は熱伝導剤、7は板ナット、8は雄ねじであ
る。
【0004】IC1のパッケージ部1Aに接着剤5を塗
布し、板ナット7と結合させる。熱伝導剤6を板ナット
7の表面に塗布する。雄ねじ8でヒートシンク3と板ナ
ットつきICを連結する。
布し、板ナット7と結合させる。熱伝導剤6を板ナット
7の表面に塗布する。雄ねじ8でヒートシンク3と板ナ
ットつきICを連結する。
【0005】IC1を交換するときは、雄ねじ8による
連結を解除する。IC1と板ナット7は分離できないの
で、前記板ナットつきICにして交換する。ヒートシン
ク3は再利用できる構造である。
連結を解除する。IC1と板ナット7は分離できないの
で、前記板ナットつきICにして交換する。ヒートシン
ク3は再利用できる構造である。
【0006】図5において、IC1の発生熱は、接着剤
5、板ナット7、熱伝導剤6、ヒートシンク3の順に伝
導し、放熱される。
5、板ナット7、熱伝導剤6、ヒートシンク3の順に伝
導し、放熱される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のICの冷却構造
には次のような問題点がある。 (1)IC1とヒートシンク3に板ナット7が介在する
ので実装高が必要であす。 (2)IC1の発生熱は、接着剤5、ブロック7、熱伝
導剤6、ヒートシンク3の順で伝導する。そのため、放
熱効率が悪いので、形状が大きいヒートシンク3を必要
とする。
には次のような問題点がある。 (1)IC1とヒートシンク3に板ナット7が介在する
ので実装高が必要であす。 (2)IC1の発生熱は、接着剤5、ブロック7、熱伝
導剤6、ヒートシンク3の順で伝導する。そのため、放
熱効率が悪いので、形状が大きいヒートシンク3を必要
とする。
【0008】この発明は、交換容易であり、放熱効率が
良く、実装高の低いICの冷却構造を提供することを目
的とする。
良く、実装高の低いICの冷却構造を提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、請求項1に係わる発明は、IC1のパッケージ部1
Aにボルト2の頭部2Aを接着し、前記ボルト2つきI
C1がヒートシンク3とナット4で結合する。
め、請求項1に係わる発明は、IC1のパッケージ部1
Aにボルト2の頭部2Aを接着し、前記ボルト2つきI
C1がヒートシンク3とナット4で結合する。
【0010】請求項2に係わる発明は、請求項1記載の
発明において、ボルト2の頭部2Aが埋まる穴3Aをヒ
ートシンク3に形成し、IC1のパッケージ部1Aが熱
伝導剤6でヒートシンク3と密接する。
発明において、ボルト2の頭部2Aが埋まる穴3Aをヒ
ートシンク3に形成し、IC1のパッケージ部1Aが熱
伝導剤6でヒートシンク3と密接する。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図1から図3は、この発明によ
るICの冷却構造の一実施の形態を示す図面である。
面を参照して説明する。図1から図3は、この発明によ
るICの冷却構造の一実施の形態を示す図面である。
【0012】図1はこの発明の斜視分解組立図である。
図1において、1はIC、2はボルト、3はヒートシン
クである。ボルト2は頭部2Aとねじ部2Bから形成さ
れている。
図1において、1はIC、2はボルト、3はヒートシン
クである。ボルト2は頭部2Aとねじ部2Bから形成さ
れている。
【0013】図2は図1の実装状態での断面図である。
ヒートシンク3はフィン3Bが形成されている。
ヒートシンク3はフィン3Bが形成されている。
【0014】図1において、IC1のパッケージ部1A
に接着剤5を塗布し、頭部2Aと連結させる。熱伝導剤
6をパッケージ部1Aに塗布する。ナット4でヒートシ
ンク3とねじつきICを連結する。
に接着剤5を塗布し、頭部2Aと連結させる。熱伝導剤
6をパッケージ部1Aに塗布する。ナット4でヒートシ
ンク3とねじつきICを連結する。
【0015】また、図3は図1の実装状態での断面図で
あり、ヒートシンク3がICと連結する状態を表した説
明図である。図3において、ヒートシンク3は頭部2A
が埋まる穴3Aを形成しているため、パッケージ部1A
が熱伝導剤6でヒートシンク3と密接する。
あり、ヒートシンク3がICと連結する状態を表した説
明図である。図3において、ヒートシンク3は頭部2A
が埋まる穴3Aを形成しているため、パッケージ部1A
が熱伝導剤6でヒートシンク3と密接する。
【0016】IC1を交換するときは、ナット4による
連結を解除する。IC1とボルト2は分離できないの
で、前記ボルトつきICにして交換する。ヒートシンク
3は再利用できる構造である。
連結を解除する。IC1とボルト2は分離できないの
で、前記ボルトつきICにして交換する。ヒートシンク
3は再利用できる構造である。
【0017】図2において、IC1の発生熱は、熱伝導
剤6を介してヒートシンク3に直ちに伝導し、放熱され
る。
剤6を介してヒートシンク3に直ちに伝導し、放熱され
る。
【0018】
【発明の効果】この発明は、ボルトの頭部が埋まる穴を
ヒートシンクに形成し、ICのパッケージ部が熱伝導剤
でヒートシンクと密接するため、放熱効率が良く、実装
高が低くなる。
ヒートシンクに形成し、ICのパッケージ部が熱伝導剤
でヒートシンクと密接するため、放熱効率が良く、実装
高が低くなる。
【0019】さらに、ナットによる連結を解除し、ボル
トつきICにして交換するため、交換容易である。
トつきICにして交換するため、交換容易である。
【0020】
【図1】この発明の一実施形態によるICの冷却構造の
斜視分解組立図である。
斜視分解組立図である。
【図2】図1の実装状態での断面図である。
【図3】図1の実装状態での断面図であり、ヒートシン
クがICと連結する状態を表した説明図である。
クがICと連結する状態を表した説明図である。
【図4】従来技術によるICの冷却構造の斜視分解組立
図である。
図である。
【図5】図4の実装状態での断面図である。
1 IC 2 ボルト 2A 頭部 2B ねじ部 3 ヒートシンク 3A 穴 4 ナット 5 接着剤 6 熱伝導剤
Claims (2)
- 【請求項1】 IC(1) のパッケージ部(1A)にボルト
(2) の頭部(2A)を接着し、 前記ボルト(2) つきIC(1) がヒートシンク(3) とナッ
ト(4) で結合することを特徴とするICの冷却構造。 - 【請求項2】 ボルト(2) の頭部(2A)が埋まる穴(3A)を
ヒートシンク(3) に形成し、 IC(1) のパッケージ部(1A)が熱伝導剤(6) でヒートシ
ンク(3) と密接することを特徴とする請求項1記載のI
Cの冷却構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6448898A JPH11251496A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Icの冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6448898A JPH11251496A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Icの冷却構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11251496A true JPH11251496A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13259658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6448898A Pending JPH11251496A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Icの冷却構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11251496A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006191962A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Pentax Corp | 内視鏡用光源装置 |
US7990716B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-02 | Advantest Corporation | Heat sink structure and test head with same |
US11852919B1 (en) | 2022-07-12 | 2023-12-26 | Sharp Display Technology Corporation | Backlight unit and display device |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP6448898A patent/JPH11251496A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006191962A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Pentax Corp | 内視鏡用光源装置 |
US7990716B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-02 | Advantest Corporation | Heat sink structure and test head with same |
US11852919B1 (en) | 2022-07-12 | 2023-12-26 | Sharp Display Technology Corporation | Backlight unit and display device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20041001 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041001 |