JPH11233553A - Ｉｃチップ - Google Patents

Ｉｃチップ

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JPH11233553A
JPH11233553A JP10028675A JP2867598A JPH11233553A JP H11233553 A JPH11233553 A JP H11233553A JP 10028675 A JP10028675 A JP 10028675A JP 2867598 A JP2867598 A JP 2867598A JP H11233553 A JPH11233553 A JP H11233553A
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JP
Japan
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bonding
bonding pad
gold ball
opening
chip
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Application number
JP10028675A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuharu Ota
泰晴 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 金球のサイズ、位置のばらつきに対して接合
強度の低下を防止し、またボンディングパッドの腐食を
防止する。 【解決手段】 金球４の接合面の外形に対応する開孔部
を有するボンディングパッド２をＩＣチップ１に設け
た。ここで開孔部は円形である。開孔部をこのような形
状としたので、金球４のサイズ、位置のばらつきに対し
て接合強度の低下を防止することが可能となる。また、
ボンディングパッド２の表面をまとまって大きな面積で
露出させるようなコーナ部分をなくしたので、水分等に
よるパッドの腐食を防止することもできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ製造における組
立工程のワイヤボンディングに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ワイヤボンディングはＩＣチッ
プ上の多数の接続電極とパッケージの外部引出し用端子
の間を金線で接続するものである。
【０００３】ここでＩＣチップ側の接続電極の接合部、
即ちボンディングパッド又はその開孔部は正方形又は若
干の長方形の形状をし、Ａｌ−ＳｉやＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
等の金属による平坦な膜構造をしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】金線によるボンディン
グの場合、パッド上で金球が形成されるが、ボンディン
グ技術が正常で、四角形のパッドの開孔部に押しつぶさ
れた金球が入っていれば特に問題はない。
【０００５】しかしながら、この金球に位置ずれが生じ
ると、パッド接合面積が低下し、接合強度の劣化が発生
することにより、１個のＩＣチップの製造において、多
くのワイヤボンディングのうち１個でも不良になると、
このＩＣチップは不良品となってしまう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明はボンディングパッドの開孔部又は外形をワ
イヤボンディングにおける金球の接合面の外形に対応さ
せたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施形態を
示す断面図、図２は金球を除いた第１の実施形態の平面
図である。
【０００８】ＩＣチップ１には図では１個のみ示してい
るが、多数のボンディングパッド２が形成され、ＩＣチ
ップ１の表面にはその保護のため、パッシベーション膜
３と呼ばれるＳｉＯ2 膜などの絶縁膜が形成されてい
る。
【０００９】金球４はパッシベーション膜３に覆われて
いない開孔部５に接合される。
【００１０】開孔部５は金球４の接合面における外形と
対応する外形をしており、円形の場合を図示している。
開孔部５の形成については、従来と同様にボンディング
パッド２を形成し、ＩＣチップ１全体にパッシベーショ
ン膜３を形成した後、開孔工程時のホトリソグラフィ等
のリソグラフィ工程で使用するマスクを変更することに
よって、パッシベーション膜３をエッチングにより除去
して円形の開孔部５を形成している。
【００１１】なお、ボンディングパッド２の外形は正方
形の例を図示したが、これはボンディングパッド２の形
成工程を従来と変更しないで済むからであって、円形で
あっても良いことは勿論である。
【００１２】図３は本発明の第２の実施形態を示す断面
図、図４は金球を除いた第２の実施形態の平面図であ
る。
【００１３】第１の実施形態と異なる点は、ボンディン
グパッド１２の外形が金球４の接合面における外形に対
応して円形に形成されていることであり、開孔部１５が
ボンディングパッド１２の外形と一致して円形になって
いることである。
【００１４】ボンディングパッド１２及び開孔部１５の
形成は上記と同様にリソグラフィ工程におけるマスクの
変更によって実現できる。
【００１５】なお、パッシベーション膜を必要としない
場合は、開孔部が存在しないことは言うまでもない。
【００１６】図５は本発明と従来技術を比較した模式図
で、従来の正方形のボンディングパッドの開孔部２５の
面積と全く同じ面積を有する本発明の円形のボンディン
グパッドの開孔部５，１５と従来のパッド開孔部２５に
内接した金球４の接合部の外形を示している。
【００１７】例えば従来の開孔部２５を一辺が１００μ
ｍの正方形とすると、その面積Ｓ＝１００×１００＝１
０，０００μｍ2 となる。
【００１８】本発明の開孔部５，２５の面積は従来と同
じなので、半径をｒとすると、Ｓ＝πｒ2 ＝１０，００
０μｍ2 となる。
【００１９】従って、ｒ＝５６．４μｍとなり、従来の
正方形の辺よりｄ＝６．４μｍだけ外に広がっているこ
とがわかる。
【００２０】このようにすることによって、本発明の実
施形態においては、金球４の直径１００μｍに対して
６．４μｍ、即ち６．４％までの位置ずれに対して接合
面積の低下は発生しない。
【００２１】また、金球４のサイズにしても半径で６．
４μｍ増大なので直径にして１２．８μｍ、即ち１２．
８％までの増大が可能となる。
【００２２】即ち、金球４のサイズ、位置のばらつきに
対して接合強度の低下を防止することが可能となるので
ある。
【００２３】更に、従来の場合には、金球４で表面がカ
バーされていない四角形のボンディングパッド開孔部２
５のコーナにおいて、パッケージの不具合等の原因によ
りパッドの腐食が発生するという問題があるが、本発明
の実施形態のように開孔部５，１５を金球４の接合面の
外形と対応させることにより、ボンディングパッドの表
面をまとまって大きな面積で露出させるようなコーナ部
分をなくしたので、水分等によるパッドの腐食を防止す
ることができる。
【００２４】
【発明の効果】上記したように、本発明はボンディング
パッドの開孔部あるいはボンディングパッドの外形を金
球の接合面の外形に対応させることによって、金球のサ
イズ、位置のばらつきに対して接合強度の低下を防止す
ることができ、またボンディングパッドの腐食を防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図
【図２】第１の実施形態の平面図
【図３】本発明の第２の実施形態を示す断面図
【図４】第２の実施形態の平面図
【図５】本発明と従来技術を比較した模式図
【符号の説明】
１ ＩＣチップ ２，１２ ボンディングパッド ４ 金球 ５，１５ 開孔部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ボンディングパッドと、前記ボンディン
    グパッド上にワイヤボンディングにおける金球の接合面
    の外形に対応する開孔部を設けたことを特徴とするＩＣ
    チップ。
  2. 【請求項２】 前記開孔部が円形であることを特徴とす
    る請求項１記載のＩＣチップ。
  3. 【請求項３】 ワイヤボンディングにおける金球の接合
    面の外形に対応する外形を有するボンディングパッドを
    設けたことを特徴とするＩＣチップ。
  4. 【請求項４】 前記ボンディングパッドの外形が円形で
    あることを特徴とする請求項３記載のＩＣチップ。
JP10028675A 1998-02-10 1998-02-10 Ｉｃチップ Pending JPH11233553A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897669B2 (en) 2002-08-19 2005-05-24 Denso Corporation Semiconductor device having bonding pads and probe pads

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897669B2 (en) 2002-08-19 2005-05-24 Denso Corporation Semiconductor device having bonding pads and probe pads

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