JPH11224970A - 光電子装置コンポーネントの電気的分離 - Google Patents
光電子装置コンポーネントの電気的分離Info
- Publication number
- JPH11224970A JPH11224970A JP10318842A JP31884298A JPH11224970A JP H11224970 A JPH11224970 A JP H11224970A JP 10318842 A JP10318842 A JP 10318842A JP 31884298 A JP31884298 A JP 31884298A JP H11224970 A JPH11224970 A JP H11224970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser diode
- modulator
- contact
- components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
的な手段を提供する。 【解決手段】集積光電子装置(101)は、同じ基板(106)上
に製作された分布帰還型レーサ゛ータ゛イオート゛(102)と電子吸収
変調器(104)から構成される。レーサ゛ータ゛イオート゛と変調器
は、電気的分離領域(118)によって分離され、導波路(11
4)によってこの分離領域を横切って光学的に結合され、
コンホ゜ーネント(102、104)を動作させるようにオーム接点(124、12
8;126、130)が形成される3元キャッフ゜層(116)によって覆わ
れている。このキャッフ゜層(116)は、分離領域(118)内のキャッ
フ゜層(116)を接地させ、これによって、レーサ゛ータ゛イオート゛(10
2)と変調器(104)とを互いに電気的に分離するために、
接地接触(140、142、146)がなされる分離領域(118)まで延
びている。
Description
の活性領域が、例えば、導波路によって光学的に結合さ
れている、集積光電子装置内におけるコンポーネントの
電気的分離に関するものである。本発明は、とりわけ、
光ファイバ遠隔通信リンクのためのモノリシック集積光
電子送信装置における分布帰還形(DFB)レーザーダ
イオードと電子吸収(electro-absorption(EA))変
調器の分離に関するものである。
頼できる、コンパクトなコンポーネント、温度及び機械
的安定性の改善、及び、コンポーネント間の確実なアラ
イメントが可能になる。光ファイバ通信用の送信装置の
分野において、例えば、埋め込みヘテロ構造またはリッ
ジストライプ(ridge stripe)をなす、変調器を備えた
レーザーダイオードの集積化は、何年も前に実現され
た。例えば、GaAsから製作された装置に関連した、
Appl. Phys. Lett., vol. 22, pp242-243, 1986におけ
るS.Tarucha及びH.Okamotoによる論文を参照されたい。
今日では、1.55μmにおける動作を実現するため、
こうした集積光電子送信装置は、通常、p++のGaIn
As三元層(ternary layer)すなわちキャップ層がか
ぶせられたp+のInP活性層を含むいくつかの層が成
長させられる、n++のInP基板から成長したウェーハ
上に製作される。キャップ層は、比較的抵抗が小さく、
従って、電気接触を行うことが可能な接触層の働きをす
る。
ダイオードから出力される光は、安定した波長及び強度
を備えているべきである。しかし、こうした構造の集積
化された性質及びコンポーネントの物理的近接性のた
め、レーザーダイオードと変調器間における電気抵抗
(本明細書では、分離抵抗と呼ぶ)は、p接触材料の導
電率及び接触部の分離距離に応じて、約1〜10kΩに
なる。従って、変調器の変調に用いられる電気信号がレ
ーザーダイオードに悪影響を及ぼして、波長及び/また
は強度のシフトを生じさせる可能性がある。従って、分
離抵抗は、少なくとも数100kΩ、できれば、数MΩ
まで増大させる必要がある。
くつかのアプローチが提案されている。アプローチの1
つは、三元キャップ層にエッチングを施すことである。
これによって、分離抵抗だけが約10〜20kΩに増大
する。こうしたエッチングは、レーザーダイオードと変
調器間の光導波路の妨げにはならないが、これは、不十
分な分離である。
nal of Lightwave Technology,vol.6,pp.779-785におけ
るM.Suzukiらによる論文に開示されている。エッチング
によってキャップ層と活性層の両方を除去することによ
り、分離領域が、DFBレーザーダイオードとEA変調
器の間にストライプ状に形成される。次に、活性層のギ
ャップに、SiNパッシベーション薄膜(passivating
SiN film)及びポリイミドが充填される。2.5MΩの
比較的大きい分離抵抗が得られるが、このアプローチ
は、レーザーダイオードと変調器の間の光導波路に食い
込んで、装置の光学効率に悪影響を及ぼしたり、あるい
は、望ましくない内部反射により、コンポーネント間の
結合を弱めたりする可能性が生じるという欠点がある。
することなく、また、装置の光学性能に悪影響を及ぼす
ことなく、高度の電気的分離を実現するもう1つの方法
は、レーザーダイオードと変調器の間の領域への深いプ
ロトン注入を利用することである。M.Aoki及びH.Sano
が、「OFC' 95 Optical Fiber Communication, Summari
es of Papers Presented at the Conference on Optica
l Fiber Communication,vol. 8,pp25-26, pub. Optical
Society of America 1995」において、この技法によっ
て、1MΩを超える電気的分離を実現することが可能で
あると報告している。このアプローチは、10MΩまで
の分離抵抗を実現することが可能であると信じられてい
る。しかし、こうした集積光電子装置の製作に関連した
他のプロセスステップには、こうしたプロトンまたはイ
オンの注入を必要とするものがなく、従って、このアプ
ローチでは、追加品目となる極めて高価な生産装置に投
資する必要が生じる。
板に製作された少なくとも2つの光電子コンポーネント
からなる集積光電子装置が得られる。コンポーネントの
2つは、電気的分離(絶縁)領域によって分離され、導
波路によって分離領域を横切って光学的に結合され、こ
れらのコンポーネントを動作させるためにオーム接点
(ohmic contact)が形成される接触層によって被われ
ているが、この接触層が、分離領域の接触層を接地(ア
ース)させ、これによって、2つのコンポーネントを電
気的に互いに分離するための、接地接触(grounding cn
tact)がなされる分離領域まで延びていることが特徴で
ある。
コンポーネントの一方から、前記コンポーネントのもう
一方の性能に悪影響を及ぼす可能性のある漂遊電流を排
出することが可能になる。コンポーネントの一方がレー
ザーダイオードであり、もう一方のコンポーネントが、
例えば、EA変調器のような、レーザーダイオードの出
力を変調するための変調器である場合、別の方法で絶え
ずバイアスをかけられているレーザーダイオードの波長
または強度のチャーピング(chirping)を阻止するた
め、変調周波数における漂遊変調電流を接地接触部に排
出することが可能である。
ポーネントに電流が流れないようするのを容易にするた
め、接触層を少なくとも部分的に破壊または切断するこ
とが可能である。しかし、接触層は、前記2つのコンポ
ーネント間の分離領域において連続して延びていること
が望ましい。
環境保護を施すため、パッシベーション層によって、キ
ャップ層が被覆される。パッシベーション層には、それ
を介して接触を行う接触ウィンドウを設けることが可能
である。
は、基板上に成長させられた層といった、接地面を備え
ている。多くの場合、装置は、基板が接地面になるよう
に製作される。これにより、キャップ層からの接地接触
を接地面に対して行うことが可能になる。基板に対して
接触ウィンドウが設けられる場合、好都合なことに、こ
のウィンドウを介して、接地面への接地接触を行うこと
が可能になる。しかし、例えば、ワイヤまたは、他の適
合する何らかの接地点(grounding point)によって、
接地接触を行うことも可能である。接地面は、必ずし
も、大地に対してゼロボルトである必要はなく、1つ以
上のコンポーネントから漂遊電流を排出するのに適し
た、コンポーネントに対する電位になる。しかし、少な
くとも1つのコンポーネントが、接地面によって接地さ
れる場合もあり得る。
る場合も多く、本発明の望ましい実施態様の場合、この
装置のパッシベーション層は、キャップパッシベーショ
ン層と連続している。さらに、基板に対するウィンドウ
は、接地面への便利な経路を設けるため、装置のパッシ
ベーション層を貫いて延びることも可能である。
ことによって、1つ以上の接触部を製作するのが好都合
な場合もあり得る。さらに、この被着された導電層は、
1つ以上のウィンドウをおおうことが可能である。接触
部が接触ウィンドウの全てを完全におおうように、接触
部を被着させるのが望ましい。従って、被着された導電
層は、そうでなければ前述のパッシベーション層によっ
ては保護されないウィンドウ領域において、ある種のパ
ッシベーション層の働きをすることが可能である。
め、あるいは、コンポーネントの電圧降下を回避するた
め、接地接触によって排出される漂遊電流を制限するの
が望ましい場合もある。従って、接地への電流経路に沿
って抵抗を設けることが可能である。この抵抗の少なく
とも一部は、キャップ層によってうまい具合に得られる
ようにすることができ、このキャップ層は、コンポーネ
ントと接地接触部の間に少なくとも1kΩを生じさせ
る、キャップ層の材料によって決まる寸法を備えるよう
に製作することが可能である。
つつ本発明について説明する。
ト、すなわち、1.55μmで動作する高速光ファイバ
リンクにおける送信器として用いるのに適した、DFB
レーザーダイオード2及びEA変調器4からなる従来技
術による集積光電子装置1が、一律の縮尺に従わずに示
されている。現在では、高速リンクは、2.5〜10ギ
ガビット/秒で動作し、実験室では、40ギガビット/
秒までのビット転送速度が実証されている。
された、厚さ2μmのn+のInPバッファ層8がその
上に成長させられた、約1019/ccまでドーピングさ
れたn++のInP基板6から、ウェーハの形をなすよう
に成長させられる。レーザーダイオードは、厚さが約1
00nm〜300nmのInxGa1-xAs1-yPy活性層
10を備えており、これに、p+のInPから形成され
る、本明細書で「クラッディング」層と呼ぶ、もう1つ
のバッファ層12がかぶせられる。n+のInPバッフ
ァ層またはp+のInPキャップ層に、レーザーダイオ
ード用のDFBグレーティングを含めることも可能であ
る。DFBレーザー及びEA変調器の活性領域は、通
常、多重量子井戸(MQW)構造から構成される。MQ
W構造は、電界の印加によって、変調器の吸収端をより
長い波長に向かってシフトさせることが可能な(量子閉
じ込めによるシュタルク効果)、変調器セクションにお
いてとりわけ有利である。
の良好な透過のため、反射防止コーティングを施されて
おり、レーザーダイオードの背面側ファセット11は、
反射コーティングを施すか、または、コーティングを施
さないままとすることが可能である。
12が、約2μmの厚さまで成長させられ、その上に、
100nm〜200nmの厚さのキャップ層が被着させ
られる。キャップ層は、レーザーダイオード2に対する
電気接続に関して良好な低抵抗のオーム接点を形成する
ために、約1019/ccまで多量にドーピングしたp++
のGaInAsから形成される。次に、ウェーハには、
周知の製作技法を利用して、酸化層のコーティング、こ
の場合、プラズマ促進化学蒸着(PECVD)プロセス
によって被着させられるSiO2のコーティング(不図
示)が施される。この酸化層には、フォトリソグラフィ
(写真平版)によるパターン形成、及び、ドライエッチ
ングが施されて、キャップ層16、及び、3μm幅のリ
ッジストライプ14に沿った部分を除く、200nmの
バッファ層以外の全てが除去される。従って、リッジス
トライプ14は、まわりの表面から約2μmほど上に隆
起する。最後に、PECVD酸化層が、リッジストライ
プから除去され、再び、キャップ層16が露出する。
イプ(以下では、ストライプとも記載)14の下の活性
領域17に沿って光学モード15をガイドする効果があ
る。
ード2から、分離領域18を通り、EA変調器4に向か
って延びる。EA変調器は、バイアスのかけられていな
い変調器の吸収端が、レーザーダイオードの利得極大及
び発光波長よりも短い波長(一般に、30nm〜100
nm短い)にあるということを除けば、レーザーダイオ
ードについて説明した構造と同様の構造を備えている。
び、必要があれば、上方p+のInPバッファ層12の
上部を完全に除去するため、上述のプロセスと同様のプ
ロセスでエッチングを施されたギャップ20が設けられ
ている。このギャップ20のエッチングは、ストライプ
14の下を延びる活性領域17によってガイドされる光
を反射して妨害する深さには至らない。リッジ導波路の
光学特性に悪影響を及ぼすことなく、分離抵抗を最大に
する必要があるため、また、コンポーネント2、4間に
おいてフォトリソグラフィックパターンとリッジ14の
アライメントをとる必要もあるため、ギャップの位置決
め及びエッチングは、極めてクリティカルなプロセスで
ある。生産環境において、このアライメントを実現する
のは非常に困難である。こうして形成される分離領域1
8によって、レーザーダイオード2及び変調器4の間の
分離抵抗はほぼ2倍になる。プロトン注入を利用して、
この分離抵抗をさらに1〜10MΩまで増大させること
も可能である。
14の側部、及び、周囲の上方バッファ層10には、P
ECVD酸化層22、この場合、SiO2層のコーティ
ングが施される。これに上述のプロセスと同様のプロセ
スでパターン形成及びエッチングを施すことによって、
リッジストライプ14に2つの接触ウィンドウ、すなわ
ち、レーザーダイオードの上方のウィンドウ24、及
び、変調器の上方のウィンドウ26が開けられる。
金属が真空蒸着される。まず、リフトオフプロセス(li
ft-off process)を用いてTiPt層にパターン形成を
し、次に、TiAu層に最終被着を施し、その後に、フ
ォトリソグラフィによって形成された領域に金属ウェッ
トエッチング(metal wet etch)を施す。残ったTiA
u層によって、接触ウィンドウ24、26を被覆する2
つの接触部28、30を形成して、キャップ層を介して
レーザーダイオード2及び変調器4とに良好にオーム接
点が形成される。電気的には接続しないが、リッジスト
ライプ14を物理的に保護するために、パッド(不図
示)にメッキを施すことが可能な他の6つの金属被覆領
域31〜36も形成される。
り方でヒートシンクにハンダ付けされる。
ち、リッジ14の方向において)約700μmであり、
幅が約300μmである。レーザーダイオード2、ギャ
ップ分離領域18、及び変調器の長さは、それぞれ、約
450μm、50μm、及び、200μmである。
装置101が一律の縮尺に従わずにに示されている。こ
の装置101は、上述の従来技術による装置1と類似し
ており、従って、同様な機能部には100を加えた参照
番号をつけて示している。
域118を備えており、従って、従来技術による分離領
域18よりもわずかに長い。これによって、2つのコン
ポーネント(ここでは、レーザーダイオード102と変
調器104)の間に延びる連続した接触層(ここでは、
キャップ層)116に対して分離接触ウィンドウ140
を形成するのに十分なスペースが得られる。分離接触ウ
ィンドウ140は、コンポーネント102、104のた
めの接触ウィンドウ124、126と同じやり方で、同
時に形成される。これは、上述の分離ギャップの形成よ
りもはるかに便利であり、接触ウィンドウのアライメン
トとは別個のプロセスステップで、分離領域のアライメ
ントをとる必要がなくなる。
チングに先行する、独立したプロセスステップにおい
て、基板に対する接地接触ウィンドウ142が装置に形
成され、バッファ層108、112、活性層110を貫
いて、厚さ100μmの基板106に約2μmだけ食い
込む。この段階で、基板は、コンポーネント102、1
04にとって有効な接地平面になる。さらに、キャップ
層及びリッジの両側表面に対するPEVCD酸化層12
2の被着中に、接地接触ウィンドウ142の側部144
及びベース(不図示)も、この酸化層によって被覆され
る。次に、接地接触ウィンドウ142のベースを被覆す
る酸化物が、接触ウィンドウ124、126、及び、分
離接触ウィンドウ140を開けるのと同じプロセスステ
ップによって除去される。
Au導体146は、コンポーネント導体128、130
の被着と同時に、分離接触ウィンドウ140と接地接触
ウィンドウ142の間に被着させられる。10μmのギ
ャップによって、導体128、130が接地導体146
から分離される。この方法は、追加プロセスステップを
必要としないので、極めて好都合である。しかし、特定
の処理条件下でつくられた装置の場合、TiPtとn++
の基板の間の接合は、ショットキーダイオードのように
作用するということが観測されている。従って、リッジ
ストライプから離れた導体146の一部を、AuGeN
iまたはAuSn合金の単一層とは別個のプロセスステ
ップで形成すれば、それが望ましい。
ィンドウ142まで、導体146を被着させる以外に、
例えば、分離接触ウィンドウに結合された自立型接地ワ
イヤを用いて、接地経路を設けることが可能であるが、
上述の集積構造は、変調によって誘発される極めて周波
数の高い(1〜10GHzのオーダの、あるいは、それ
を超える場合さえある)漂遊電流の伝導を容易にするの
で、とりわけ有利であると考えられる。
ッジの左側の領域によって与えられる十分なスペース
(図示のように)のため、接地接触ウィンドウ142
は、接触ウィンドウ124、126、及び、分離接触ウ
ィンドウ140に比べて比較的大きくすることが可能で
ある。この例の場合、接地接触ウィンドウは、(リッジ
14の方向において)幅が50μmで、長さが100μ
mである。従って、他の機能部に対する接地接触ウィン
ドウのアライメントは、従来技術による装置のキャップ
層のギャップ20のアライメントほどクリティカルでは
ない。さらに、接地接触ウィンドウの深さは、基板(以
下では、接地面となる基板の意味で基板アースとも記
載)106における良好な接地経路を得るためには、ク
リティカルではない。この実施態様の装置は、従って、
生産環境に極めてうまく適合する。
58が、金属被覆領域128にメッキされ、金属保護パ
ッド162、163、165、166が、金属被覆領域
132、133、135、136にメッキされる。接触
パッド158は、レーザーダイオードの初期テストを容
易にするためだけに設けられている。テスト後、装置
は、単一モード光ファイバを球面レンズと共に変調器1
04の出力ファセットに結合し、金の結合ワイヤを金属
被覆領域128及び130にハンダ付けして、工業規格
パッケージ(不図示)に実装することが可能である。
一般的に表すため、上記で用いられているのと同じ参照
番号を使用している。図4には、分離領域118が、変
調器104による電気的妨害から安定したレーザーダイ
オード102を分離するのにどのように役立っているか
が電気的に示されている。
LDによる順バイアスがかけられ、変調器には、10ギガ
ビット/秒まで、または、それ以上で、−0.5V(透
過性)と−2.0V(吸収性)の間で変調される、変調
VMによる逆バイアスがかけられる。分離機能がなけれ
ば、約0.5mA〜0.9mAの間で変動する、レーザ
ーダイオード102から変調器104への漂遊電流によ
って、レーザーの波長または強度のチャーピングが生じ
るだろう。
の間の連続したキャップ層116によって、分離ウィン
ドウへ、さらに、導体146を介して基板アース106
に至る比較的抵抗の小さい経路Riが形成される。抵抗
率が5×10-4(キャップ層よりも約10倍高い)のク
ラッディング層すなわち上方バッファ層112における
漂遊電流が、やはり、コンポーネント102、104間
のキャップ層116に向かって引き出され、そこから基
板アース106に排出される。本例の場合、Ri値は約
2〜3kΩが望ましい。約1kΩ未満のRi値は、レー
ザーダイオードの過度の加熱を起こし、レーザーダイオ
ードの波長シフトにつながる可能性がある。
的に配列したDFBレーザーダイオードの例に関して行
ってきたが、本発明は、1つのコンポーネントからの漂
遊電流をもう1つのコンポーネントから分離する必要の
ある、基板にモノリシックに集積された、任意の対をな
す、または、任意の数の光電子コンポーネントに適用可
能である。例えば、光増幅器または光変調器の場合、例
えば、Y字形接合部において2つの導波路に分割される
光導波路が、「Y」字形をなす2つまたは3つのアーム
部において電気的に駆動または変調される光学的活性領
域を備えている可能性がある。従って、3つのアームの
接合部に、2つまたは3つの光学的活性領域を電気的に
分離する分離領域を設けることが望ましい場合があり得
る。
気的に分離する必要のある光電子装置のもう1つの例
が、同調可能なDFBレーザーダイオードである。これ
らは、同調可能ブラッグ回折格子セクション(Bragg gr
ating section)が定常状態増幅セクションに隣接して
いる、2つまたは3つのインラインセクションから形成
することが可能である。
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
なくとも2つの光電子コンポーネント(102、10
4)からなる集積光電子装置(101)であって、前記
コンポーネントの2つ(102、104)が、電気的分
離領域(118)によって分離され、導波路(114)
によって前記分離領域を横切って光学的に結合され、前
記コンポーネント(102、104)を動作させるため
に、オーム接点(124、128;126、130)が
形成される接触層(116)によって被われていること
からなり、前記分離領域(118)の該接触層(11
6)を接地させて、これによって、前記2つのコンポー
ネント(102、104)を電気的に互いに分離するた
めに、前記接触層(116)が、接地接触(140、1
42、146)がなされる前記分離領域(118)まで
延びていることを特徴とする集積光電子装置。
コンポーネント(102、104)の間を連続して延び
ていることからなる上項1の集積光電子装置(10
1)。
02)がレーザーダイオードであり、前記2つのコンポ
ーネントのもう一方(104)が前記レーザーダイオー
ド(102)の出力を変調する変調器であることからな
る上項1または2の集積光電子装置(101)。
ション層(122)によって被覆されており、このパッ
シベーション層が、接触が行なわれる接触ウィンドウ
(124、126、140)を備えることからなる上項
1〜3のいずれかの集積光電子装置(101)。
該装置が接地面(106)を備えており、前記接触層
(116)からの接地接触(140、142、146)
が前記接地面に対してなされることからなる上項1〜4
のいずれかの集積光電子装置(101)。
前記接地面(106)への前記接地接触のため、該装置
に接触ウィンドウ(142)が設けられていることから
なる上項5の集積光電子装置(101)。
パッシベーション層(122)が、該装置上を延び、前
記ウィンドウが、前記パッシベーション層(122)を
貫いて該装置内へ延びることからなる上項6の集積光電
子装置(101)。
4)の少なくとも一方が、前記接地面(106)によっ
て接地されることからなる上項5〜7のいずれか1つの
集積光電子装置(101)。
130;140、146)が、それぞれ、被着された導
電層(128、130、146)によってなされること
からなる上項1〜8のいずれかの集積光電子装置(10
1)。
30、146)が、1つ以上のウィンドウ(124、1
26、140)を被覆していることからなる上項6また
は7に従属する場合の、上項9の集積光電子装置(10
1)。
ンポーネント(102、104)と前記接地接触部(1
40、142、146)との間に少なくとも1kΩの抵
抗が生じることからなる上項1〜10のいずれかの集積
光電子装置(101)。
プ層であることからなる上項1〜11のいずれかの集積
光電子装置(101)。
光電子コンポーネントを電気的に分離する便利で経済的
な手段が得られる。必要なプロセスステップは、こうし
た装置の製作に利用される他の標準的なステップと同様
なものとすることが可能である。イオンビーム注入装置
のような、他のステップで用いられない高価な処理装置
を追加する必要がない。分離領域と接地接触部またはウ
ィンドウのアライメント許容差は、従来技術による分離
領域の場合に比べて緩和することが可能である。
ーダイオードから構成される従来技術による集積光電子
装置の斜視図である。
よって隔てられた、EA変調器と直線的配列をなすDF
Bレーザーダイオードから構成される本発明による集積
光電子装置の斜視図である。
図2の装置の斜視図である。
するかを示す、図2及び3の装置の回路図である。
Claims (1)
- 【請求項1】同じ基板(106)上に製作された少なく
とも2つの光電子コンポーネント(102、104)か
らなる集積光電子装置(101)であって、前記コンポ
ーネントの2つ(102、104)が、電気的分離領域
(118)によって分離され、導波路(114)によっ
て前記分離領域を横切って光学的に結合され、前記コン
ポーネント(102、104)を動作させるために、オ
ーム接点(124、128;126、130)が形成さ
れる接触層(116)によって被われていることからな
り、前記分離領域(118)の該接触層(116)を接
地させて、これによって、前記2つのコンポーネント
(102、104)を電気的に互いに分離するために、
前記接触層(116)が、接地接触(140、142、
146)がなされる前記分離領域(118)まで延びて
いることを特徴とする集積光電子装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP97309032A EP0917260B1 (en) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | Electrical isolation of opto-electronic device components |
GB97309032.7 | 1997-11-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11224970A true JPH11224970A (ja) | 1999-08-17 |
JP4763867B2 JP4763867B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=8229607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31884298A Expired - Fee Related JP4763867B2 (ja) | 1997-11-11 | 1998-11-10 | 光電子装置コンポーネントの電気的分離 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6191464B1 (ja) |
EP (1) | EP0917260B1 (ja) |
JP (1) | JP4763867B2 (ja) |
CA (1) | CA2247560A1 (ja) |
DE (1) | DE69721272T2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009222965A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Opnext Japan Inc | 電界吸収型変調器 |
JP2015109319A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 日本電信電話株式会社 | 狭線幅レーザ |
JP2017017102A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法及び半導体光素子 |
JP2017527121A (ja) * | 2014-09-08 | 2017-09-14 | オクラロ テクノロジー リミテッド | モノリシック集積された波長可変半導体レーザー |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE520139C2 (sv) * | 2001-11-30 | 2003-06-03 | Optillion Ab | Lasermodulator med elektriskt separerade laser- och modulatorsektioner |
US7095766B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-08-22 | Emcore Corporation | Mechanical protection for semiconductor edge-emitting ridge waveguide lasers |
CN104170298B (zh) * | 2013-03-13 | 2017-05-24 | 索尔思光电(成都)有限公司 | 带绝缘调制器接头和/或输入端的光收发器 |
US9059801B1 (en) | 2013-03-14 | 2015-06-16 | Emcore Corporation | Optical modulator |
US9306672B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Encore Corporation | Method of fabricating and operating an optical modulator |
US9306372B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Emcore Corporation | Method of fabricating and operating an optical modulator |
US9564733B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-02-07 | Emcore Corporation | Method of fabricating and operating an optical modulator |
CN107306009B (zh) * | 2016-04-25 | 2021-04-13 | 住友电工光电子器件创新株式会社 | 在承载体上提供共面线的光发射器 |
US10074959B2 (en) | 2016-08-03 | 2018-09-11 | Emcore Corporation | Modulated laser source and methods of its fabrication and operation |
US10923879B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method for fabricating an elctro-absorption modulated laser and electro-absorption modulated laser |
US11681166B2 (en) * | 2020-10-28 | 2023-06-20 | II-VI Delware, Inc. | Electro-absorption optical modulator including ground shield |
CN113540969B (zh) * | 2021-07-16 | 2022-04-22 | 杰创半导体(苏州)有限公司 | 自带偏置电压电路的电调制激光器及其制作方法 |
CN117394138A (zh) * | 2023-10-07 | 2024-01-12 | 武汉云岭光电股份有限公司 | 电吸收调制器激光器及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
JPH0758310A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
JPH07221400A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Fujitsu Ltd | 光変調器集積化発光装置及びその製造方法 |
JPH08139417A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体光集積装置および製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5067809A (en) * | 1989-06-09 | 1991-11-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Opto-semiconductor device and method of fabrication of the same |
-
1997
- 1997-11-11 EP EP97309032A patent/EP0917260B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-11 DE DE69721272T patent/DE69721272T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-14 US US09/152,577 patent/US6191464B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-16 CA CA002247560A patent/CA2247560A1/en not_active Abandoned
- 1998-11-10 JP JP31884298A patent/JP4763867B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
JPH0758310A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
JPH07221400A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Fujitsu Ltd | 光変調器集積化発光装置及びその製造方法 |
JPH08139417A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体光集積装置および製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009222965A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Opnext Japan Inc | 電界吸収型変調器 |
JP2015109319A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 日本電信電話株式会社 | 狭線幅レーザ |
JP2017527121A (ja) * | 2014-09-08 | 2017-09-14 | オクラロ テクノロジー リミテッド | モノリシック集積された波長可変半導体レーザー |
JP2017017102A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法及び半導体光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0917260A1 (en) | 1999-05-19 |
CA2247560A1 (en) | 1999-05-11 |
JP4763867B2 (ja) | 2011-08-31 |
DE69721272T2 (de) | 2004-02-05 |
DE69721272D1 (de) | 2003-05-28 |
EP0917260B1 (en) | 2003-04-23 |
US6191464B1 (en) | 2001-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5825047A (en) | Optical semiconductor device | |
EP0159258B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif optique intégré monolithique comprenant un laser à semiconducteur et dispositif obtenu par ce procédé | |
JP4763867B2 (ja) | 光電子装置コンポーネントの電気的分離 | |
US7106774B2 (en) | Placing a semiconductor laser electrically in series with a semiconductor optical amplifier | |
JP4828018B2 (ja) | 光変調器およびその製造方法並びに光半導体装置 | |
JP2008010484A (ja) | 半導体光素子及び光送信モジュール | |
US20240170914A1 (en) | Semiconductor sub-assemblies for emitting modulated light | |
US4811352A (en) | Semiconductor integrated light emitting device | |
EP0672932B1 (en) | Semiconductor optical modulator | |
US5179567A (en) | Semiconductor laser device, method of fabricating the same and optical system of utilizing the same | |
US6931041B2 (en) | Integrated semiconductor laser device and method of manufacture thereof | |
JPH0732279B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US6509580B2 (en) | Semiconductor device with current confinement structure | |
US7065300B1 (en) | Optical transmitter including a linear semiconductor optical amplifier | |
US20050185689A1 (en) | Optoelectronic device having a Discrete Bragg Reflector and an electro-absorption modulator | |
JP3254053B2 (ja) | 光集積回路 | |
US6937632B2 (en) | Integrated semiconductor laser and waveguide device | |
CN113454522A (zh) | 用于电光集成磷化铟基相位调制器的改进构建块 | |
JP2605911B2 (ja) | 光変調器及び光検出器 | |
US7606279B1 (en) | Thin INP spacer layer in a high speed laser for reduced lateral current spreading | |
JP2001148542A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法並びに光通信装置 | |
JP2890644B2 (ja) | 集積型光変調器の製造方法 | |
Knodl et al. | 40 GHz monolithic integrated 1.3/spl mu/m InGaAlAs-InP laser-modulator with double-stack MQW layer structure | |
Ramdane et al. | Multiple quantum well distributed feedback laser-electroabsorption modulator light source with 36 GHz bandwidth | |
JPH04345081A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051031 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060629 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080826 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080829 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091104 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100203 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100706 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110610 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |