JPH11224827A - 磁器コンデンサ - Google Patents
磁器コンデンサInfo
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- JPH11224827A JPH11224827A JP4114898A JP4114898A JPH11224827A JP H11224827 A JPH11224827 A JP H11224827A JP 4114898 A JP4114898 A JP 4114898A JP 4114898 A JP4114898 A JP 4114898A JP H11224827 A JPH11224827 A JP H11224827A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 誘電体層を薄層化し、積層数を増加させて
も、絶縁破壊が生じなくする。 【解決手段】 主成分と添加成分との混合物を還元性雰
囲気中で焼成後、酸化性雰囲気中で熱処理し、主成分が
（Ｃａ1- x Ｍｅx ）k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 （但し、
ＭｅはＢａ及び／又はＳｒ、ｘ，ｙ及びｋは、０．１≦
ｘ≦０．９、０．９０≦ｋ≦１．１０、０≦ｙ≦０．５
を満足する数値）、添加成分がＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3とＭ
ｎ2 Ｏ3 とＬｎ2 Ｏ3 （但し、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１
種又は２種以上の元素）、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有割
合ｓが０．１ｗｔ％≦ｓ≦５ｗｔ％、Ｍｎ2 Ｏ3 の含有
割合ｔが０．１ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％、Ｌｎ2
Ｏ3 の含有割合ｕが０．０３ａｔｍ％≦ｕ≦１．０ａｔ
ｍ％の範囲にある材料からなる。
も、絶縁破壊が生じなくする。 【解決手段】 主成分と添加成分との混合物を還元性雰
囲気中で焼成後、酸化性雰囲気中で熱処理し、主成分が
（Ｃａ1- x Ｍｅx ）k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 （但し、
ＭｅはＢａ及び／又はＳｒ、ｘ，ｙ及びｋは、０．１≦
ｘ≦０．９、０．９０≦ｋ≦１．１０、０≦ｙ≦０．５
を満足する数値）、添加成分がＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3とＭ
ｎ2 Ｏ3 とＬｎ2 Ｏ3 （但し、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１
種又は２種以上の元素）、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有割
合ｓが０．１ｗｔ％≦ｓ≦５ｗｔ％、Ｍｎ2 Ｏ3 の含有
割合ｔが０．１ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％、Ｌｎ2
Ｏ3 の含有割合ｕが０．０３ａｔｍ％≦ｕ≦１．０ａｔ
ｍ％の範囲にある材料からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は内部電極の主な材
料としてニッケル等の卑金属を使用した磁器コンデンサ
に関する。
料としてニッケル等の卑金属を使用した磁器コンデンサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁器コンデンサ、特に積層磁器コンデン
サは、一般に、ドクターブレード法等によりセラミック
グリーンシートを作成し、このセラミックグリーンシー
ト上に導電ペーストからなる導電パターンを印刷し、こ
のセラミックグリーンシートを複数枚積み重ねて熱圧着
し、これを大気雰囲気中において１３００℃以上の温度
で焼成して焼結させ、得られた焼結体の端面に導電ペー
ストを焼き付けて外部電極を形成する方法で製造されて
いる。
サは、一般に、ドクターブレード法等によりセラミック
グリーンシートを作成し、このセラミックグリーンシー
ト上に導電ペーストからなる導電パターンを印刷し、こ
のセラミックグリーンシートを複数枚積み重ねて熱圧着
し、これを大気雰囲気中において１３００℃以上の温度
で焼成して焼結させ、得られた焼結体の端面に導電ペー
ストを焼き付けて外部電極を形成する方法で製造されて
いる。
【０００３】ここで、導電ペーストの主成分である金属
粉末は上記のような高温でもセラミックと接触して酸化
したり、セラミックと直接反応を起こさないようにする
ため、パラジウム、白金、銀−パラジウム等の貴金属が
使用されていた。しかし、これらの貴金属はきわめて高
価であり、積層磁器コンデンサの製造コストを高めてし
まうという問題があった。
粉末は上記のような高温でもセラミックと接触して酸化
したり、セラミックと直接反応を起こさないようにする
ため、パラジウム、白金、銀−パラジウム等の貴金属が
使用されていた。しかし、これらの貴金属はきわめて高
価であり、積層磁器コンデンサの製造コストを高めてし
まうという問題があった。
【０００４】この場合、内部電極の材料をニッケル等の
卑金属で置き換えて磁器コンデンサを製造することが考
えられる。しかし、内部電極の材料を単にニッケル等の
卑金属で置き換えて磁器コンデンサを製造しようとする
と、焼成の段階で内部電極が酸化し、これがセラミック
と反応してしまうため、内部電極を形成することができ
ない。それでは、内部電極の材料をニッケル等の卑金属
で置き換え、積層体を還元性雰囲気中で焼成して磁器コ
ンデンサを製造してはどうかということになるが、積層
体を還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体磁器組成物が
還元され、所望の電気的特性のものにならなくなってし
まう。
卑金属で置き換えて磁器コンデンサを製造することが考
えられる。しかし、内部電極の材料を単にニッケル等の
卑金属で置き換えて磁器コンデンサを製造しようとする
と、焼成の段階で内部電極が酸化し、これがセラミック
と反応してしまうため、内部電極を形成することができ
ない。それでは、内部電極の材料をニッケル等の卑金属
で置き換え、積層体を還元性雰囲気中で焼成して磁器コ
ンデンサを製造してはどうかということになるが、積層
体を還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体磁器組成物が
還元され、所望の電気的特性のものにならなくなってし
まう。
【０００５】本件特許出願人はこのような問題を解決
し、内部電極の主な材料としてニッケル等の卑金属を使
用した、例えば、特開昭６３−２５４６０２号公報に示
されているような磁器コンデンサを提案した。この提案
は、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ3 と
微量の添加物を加えた組成からなる誘電体磁器組成物を
誘電体層の材料に用いることにより、内部電極の主な材
料としてニッケル等の卑金属を使用した温度補償用の積
層磁器コンデンサを得ることができるというものであ
る。
し、内部電極の主な材料としてニッケル等の卑金属を使
用した、例えば、特開昭６３−２５４６０２号公報に示
されているような磁器コンデンサを提案した。この提案
は、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ3 と
微量の添加物を加えた組成からなる誘電体磁器組成物を
誘電体層の材料に用いることにより、内部電極の主な材
料としてニッケル等の卑金属を使用した温度補償用の積
層磁器コンデンサを得ることができるというものであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
回路の小型化、高密度化にともない積層磁器コンデンサ
も小型、大容量化が強く求められている。積層磁器コン
デンサを小型、大容量化する方法の一つとして、誘電体
層を薄層化し、積層数を増加させることが考えられる。
しかし、誘電体層を薄層化すると、単位厚み当たりの印
加電圧が増加し、絶縁破壊が生じ易くなるという問題が
あった。
回路の小型化、高密度化にともない積層磁器コンデンサ
も小型、大容量化が強く求められている。積層磁器コン
デンサを小型、大容量化する方法の一つとして、誘電体
層を薄層化し、積層数を増加させることが考えられる。
しかし、誘電体層を薄層化すると、単位厚み当たりの印
加電圧が増加し、絶縁破壊が生じ易くなるという問題が
あった。
【０００７】この発明は、所望の電気的特性を有し、且
つ絶縁破壊が生じない磁器コンデンサを提供することに
ある。具体的には、品質係数Ｑが５０００以上、抵抗率
ρが１．０×１０8 ＭΩｃｍ以上、温度係数ＴＣが−１
０００〜＋５０ｐｐｍ／℃、誘電体層の絶縁破壊電圧
（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍ以上と、その電気的諸特性
が従来のものより更に優れた磁器コンデンサを提供する
ことにある。
つ絶縁破壊が生じない磁器コンデンサを提供することに
ある。具体的には、品質係数Ｑが５０００以上、抵抗率
ρが１．０×１０8 ＭΩｃｍ以上、温度係数ＴＣが−１
０００〜＋５０ｐｐｍ／℃、誘電体層の絶縁破壊電圧
（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍ以上と、その電気的諸特性
が従来のものより更に優れた磁器コンデンサを提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するこの
発明は、誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電
体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくと
も２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサにおい
て、前記誘電体磁器組成物が、主成分と添加成分との混
合物を少なくとも還元性雰囲気中で焼成した後、酸化性
雰囲気中で熱処理したものからなり、前記主成分が、 （Ｃａ1-x Ｍｅx ）k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 （但し、ＭｅはＢａ及び／又はＳｒ、ｘ，ｙ及びｋは、 ０．１≦ｘ≦０．９ ０．９０≦ｋ≦１．１０ ０≦ｙ≦０．５ を満足する数値）で表わされる物質からなり、前記添加
成分がＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＭｎ2 Ｏ3 とＬｎ2 Ｏ3
（但し、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元
素）とからなり、前記誘電体磁器組成物中におけるＳｉ
Ｏ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有割合ｓが０．１ｗｔ％≦ｓ≦５ｗ
ｔ％（外）の範囲にあり、前記誘電体磁器組成物中にお
けるＭｎ2 Ｏ3 の含有割合ｔが、０．１ａｔｍ％≦ｔ≦
３．０ａｔｍ％（外）の範囲にあり、前記誘電体磁器組
成物中におけるＬｎ2 Ｏ3 の含有割合ｕが、０．０３ａ
ｔｍ％≦ｕ≦１．０ａｔｍ％（外）の範囲にあり、前記
内部電極が卑金属を主成分とする材料からなるものであ
る。
発明は、誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電
体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくと
も２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサにおい
て、前記誘電体磁器組成物が、主成分と添加成分との混
合物を少なくとも還元性雰囲気中で焼成した後、酸化性
雰囲気中で熱処理したものからなり、前記主成分が、 （Ｃａ1-x Ｍｅx ）k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 （但し、ＭｅはＢａ及び／又はＳｒ、ｘ，ｙ及びｋは、 ０．１≦ｘ≦０．９ ０．９０≦ｋ≦１．１０ ０≦ｙ≦０．５ を満足する数値）で表わされる物質からなり、前記添加
成分がＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＭｎ2 Ｏ3 とＬｎ2 Ｏ3
（但し、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元
素）とからなり、前記誘電体磁器組成物中におけるＳｉ
Ｏ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有割合ｓが０．１ｗｔ％≦ｓ≦５ｗ
ｔ％（外）の範囲にあり、前記誘電体磁器組成物中にお
けるＭｎ2 Ｏ3 の含有割合ｔが、０．１ａｔｍ％≦ｔ≦
３．０ａｔｍ％（外）の範囲にあり、前記誘電体磁器組
成物中におけるＬｎ2 Ｏ3 の含有割合ｕが、０．０３ａ
ｔｍ％≦ｕ≦１．０ａｔｍ％（外）の範囲にあり、前記
内部電極が卑金属を主成分とする材料からなるものであ
る。
【０００９】ここで、主成分の組成式（Ｃａ1-x Ｍｅ
x ）k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 において、ＣａとＭｅの
比であるｘの値は、０．１≦ｘ≦０．９が好ましい。ｘ
の値が０．１未満になったり、０．９を越えると誘電体
層の絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍより低く
なるという不都合を生ずるからである。なお、ＭｅはＢ
ａ及び／又はＳｒを意味し、ＢａとＳｒは、両方の組み
合わせでもよいし、いずれか一方だけでもよい。
x ）k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 において、ＣａとＭｅの
比であるｘの値は、０．１≦ｘ≦０．９が好ましい。ｘ
の値が０．１未満になったり、０．９を越えると誘電体
層の絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍより低く
なるという不都合を生ずるからである。なお、ＭｅはＢ
ａ及び／又はＳｒを意味し、ＢａとＳｒは、両方の組み
合わせでもよいし、いずれか一方だけでもよい。
【００１０】また、主成分の組成式（Ｃａ1-x Ｍｅx ）
k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 において、（Ｃａ1-x Ｍｅ
x ）と（Ｚｒ1-y Ｔｉy ）の比（ａ／ｂ比）を表わすｋ
の値は、０．９０≦ｋ≦１．１０が好ましい。ｋの値が
０．９０未満になったり、１．１０を越えると積層体の
焼結性が悪化し、品質係数Ｑや抵抗率ρが低下するとい
う不都合を生ずるからである。
k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 において、（Ｃａ1-x Ｍｅ
x ）と（Ｚｒ1-y Ｔｉy ）の比（ａ／ｂ比）を表わすｋ
の値は、０．９０≦ｋ≦１．１０が好ましい。ｋの値が
０．９０未満になったり、１．１０を越えると積層体の
焼結性が悪化し、品質係数Ｑや抵抗率ρが低下するとい
う不都合を生ずるからである。
【００１１】また、主成分の組成式（Ｃａ1-x Ｍｅx ）
k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 において、ＴｉとＺｒの比で
あるｙの値は、０≦ｙ≦０．５が好ましい。ｙの値が
０．５未満になると温度係数ＴＣがマイナス側に大きく
なり過ぎ、−１０００ｐｐｍ／℃〜＋５０ｐｐｍ／℃の
範囲を逸脱してしまうという不都合を生ずるからであ
る。
k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 において、ＴｉとＺｒの比で
あるｙの値は、０≦ｙ≦０．５が好ましい。ｙの値が
０．５未満になると温度係数ＴＣがマイナス側に大きく
なり過ぎ、−１０００ｐｐｍ／℃〜＋５０ｐｐｍ／℃の
範囲を逸脱してしまうという不都合を生ずるからであ
る。
【００１２】また、誘電体磁器組成物中におけるＳｉＯ
2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有割合であるｓの値は、０．１ｗｔ％
≦ｓ≦５ｗｔ％（外）が好ましい。ｓが０．１未満にな
ると積層体の焼結性が悪化し、品質係数Ｑや抵抗率ρが
低下し、また、ｓが５．０を越えると誘電体層の絶縁破
壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍより低くなるという
不都合を生ずるからである。
2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有割合であるｓの値は、０．１ｗｔ％
≦ｓ≦５ｗｔ％（外）が好ましい。ｓが０．１未満にな
ると積層体の焼結性が悪化し、品質係数Ｑや抵抗率ρが
低下し、また、ｓが５．０を越えると誘電体層の絶縁破
壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍより低くなるという
不都合を生ずるからである。
【００１３】また、誘電体磁器組成物中におけるＭｎ2
Ｏ3 の含有割合（ｔ）は、０．１ａｔｍ％≦ｔ≦３．０
ａｔｍ％（外）が好ましい。ｔが０．１未満になると誘
電体層の絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍより
低くなり、３．０を越えると品質係数Ｑや抵抗率ρが低
下してしまうからである。
Ｏ3 の含有割合（ｔ）は、０．１ａｔｍ％≦ｔ≦３．０
ａｔｍ％（外）が好ましい。ｔが０．１未満になると誘
電体層の絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍより
低くなり、３．０を越えると品質係数Ｑや抵抗率ρが低
下してしまうからである。
【００１４】また、誘電体磁器組成物中におけるＬｎ2
Ｏ3 び割合（ｕ）は、０．０３ａｔｍ％≦ｕ≦１．０ａ
ｔｍ％（外）が好ましい。ｕが０．０３未満になると効
果がなくなり、１．０を越えると品質係数Ｑや抵抗率ρ
が低下してしまうからである。
Ｏ3 び割合（ｕ）は、０．０３ａｔｍ％≦ｕ≦１．０ａ
ｔｍ％（外）が好ましい。ｕが０．０３未満になると効
果がなくなり、１．０を越えると品質係数Ｑや抵抗率ρ
が低下してしまうからである。
【００１５】内部電極を形成する卑金属としてはニッケ
ルを挙げることができるが、これ以外に、銅その他の卑
金属を使用することもできる。
ルを挙げることができるが、これ以外に、銅その他の卑
金属を使用することもできる。
【００１６】この発明に係る磁器コンデンサは、前記主
成分と前記添加成分とからなる未焼結の磁器粉末からな
る混合物を調製し、この混合物からなる未焼結磁器シー
トを形成し、この未焼結磁器シートを少なくとも２以上
の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成し、この
積層物を非酸化性雰囲気中において焼成し、この焼成を
受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱処理すること
により製造することができる。
成分と前記添加成分とからなる未焼結の磁器粉末からな
る混合物を調製し、この混合物からなる未焼結磁器シー
トを形成し、この未焼結磁器シートを少なくとも２以上
の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成し、この
積層物を非酸化性雰囲気中において焼成し、この焼成を
受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱処理すること
により製造することができる。
【００１７】ここで、非酸化性雰囲気としては、Ｈ2 や
ＣＯ等の還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの中
性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中にお
ける焼成温度は、内部電極の材料を考慮して種々変更す
ることができる。ニッケルを内部電極の材料とする場合
には、１０５０〜１２００℃の範囲であればニッケル粒
子の凝集をほとんど生じさせることなく焼成することが
できる。
ＣＯ等の還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの中
性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中にお
ける焼成温度は、内部電極の材料を考慮して種々変更す
ることができる。ニッケルを内部電極の材料とする場合
には、１０５０〜１２００℃の範囲であればニッケル粒
子の凝集をほとんど生じさせることなく焼成することが
できる。
【００１８】また、酸化性雰囲気中における熱処理温度
は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度で
あればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、内部電極（ニッケル等）の
酸化と誘電体層の酸化とを考慮して種々変更する必要が
ある。後述した実施例ではこの熱処理の温度を６００℃
としたが、この温度に限定されるものではない。
は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度で
あればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、内部電極（ニッケル等）の
酸化と誘電体層の酸化とを考慮して種々変更する必要が
ある。後述した実施例ではこの熱処理の温度を６００℃
としたが、この温度に限定されるものではない。
【００１９】また、後述する実施例では、非酸化性雰囲
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を一つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を一つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。
【００２０】また、誘電体磁器組成物を形成する出発原
料は、後述する実施例で示したもの以外の、酸化物、水
酸化物又はその他の化合物としてもよい。また、外部電
極としてＺｎ電極を使用しているが、電極焼付け条件を
選択することによりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いる
ことができるものはもちろん、Ｎｉ外部電極を未焼結積
層体の端面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼付け
を同時に行うことも可能である。
料は、後述する実施例で示したもの以外の、酸化物、水
酸化物又はその他の化合物としてもよい。また、外部電
極としてＺｎ電極を使用しているが、電極焼付け条件を
選択することによりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いる
ことができるものはもちろん、Ｎｉ外部電極を未焼結積
層体の端面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼付け
を同時に行うことも可能である。
【００２１】なお、この発明は積層タイプの磁器コンデ
ンサ以外の一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用
可能である。
ンサ以外の一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用
可能である。
【００２２】
【実施例】純度９９．９％の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ
3 ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ3 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、酸
化チタン（ＴｉＯ2 ）を主成分の出発原料として用意
し、これらを表１の試料Ｎｏ．４に示された条件を満
足するように、各々秤量した。
3 ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ3 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、酸
化チタン（ＴｉＯ2 ）を主成分の出発原料として用意
し、これらを表１の試料Ｎｏ．４に示された条件を満
足するように、各々秤量した。
【００２３】ここで、表１〜表１のｘの欄は主成分
の組成式におけるＣａとＭｅの比を、ｙの欄は主成分の
組成式におけるＴｉ／Ｚｒ比を、ｋの欄は主成分の組成
式における（Ｃａ1-x Ｍｅx ）／（Ｚｒ1-y Ｔｉy ）比
を示している。なお、ＭｅはＢａ及び／又はＳｒを意味
している。
の組成式におけるＣａとＭｅの比を、ｙの欄は主成分の
組成式におけるＴｉ／Ｚｒ比を、ｋの欄は主成分の組成
式における（Ｃａ1-x Ｍｅx ）／（Ｚｒ1-y Ｔｉy ）比
を示している。なお、ＭｅはＢａ及び／又はＳｒを意味
している。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表１】
【００２７】次に、これら主成分の出発原料１００重量
部とジルコニアボール３００重量部と純水３００重量部
をポットミルに入れ、湿式で１５時間撹拌し、得られた
スラリーをステンレスバットに移し、これを熱風乾燥機
に入れ、１５０℃で４時間乾燥させた。
部とジルコニアボール３００重量部と純水３００重量部
をポットミルに入れ、湿式で１５時間撹拌し、得られた
スラリーをステンレスバットに移し、これを熱風乾燥機
に入れ、１５０℃で４時間乾燥させた。
【００２８】次に、この乾燥によって得られた固形物を
粗粉砕し、得られた粗粉をトンネル炉に入れ、大気雰囲
気中において、１２００℃で、２時間仮焼して主成分材
料を得た。
粗粉砕し、得られた粗粉をトンネル炉に入れ、大気雰囲
気中において、１２００℃で、２時間仮焼して主成分材
料を得た。
【００２９】次に、この主成分材料と添加成分材料を表
１の試料Ｎｏ．４に示された割合で各々秤量した。こ
こで、添加成分材料の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）及び酸化硼
素（Ｂ2 Ｏ3 ）は純度９９％のものを、酸化マンガン
（Ｍｎ2 Ｏ3 ）及び酸化ホルミウム（Ｈｏ2 Ｏ3 ）は純
度９９．９％のものを使用した。
１の試料Ｎｏ．４に示された割合で各々秤量した。こ
こで、添加成分材料の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）及び酸化硼
素（Ｂ2 Ｏ3 ）は純度９９％のものを、酸化マンガン
（Ｍｎ2 Ｏ3 ）及び酸化ホルミウム（Ｈｏ2 Ｏ3 ）は純
度９９．９％のものを使用した。
【００３０】次に、これら主成分材料＋添加成分材料１
００重量部とジルコニアボール３００重量部と純水３０
０重量部をポットミルに入れ、湿式で１５時間撹拌し、
得られたスラリーをステンレスバットに移し、これを熱
風乾燥機に入れ、１５０℃で４時間乾燥させた。
００重量部とジルコニアボール３００重量部と純水３０
０重量部をポットミルに入れ、湿式で１５時間撹拌し、
得られたスラリーをステンレスバットに移し、これを熱
風乾燥機に入れ、１５０℃で４時間乾燥させた。
【００３１】次に、この乾燥によって得られた固形物を
粗粉砕し、得られた粗粉をトンネル炉に入れ、大気雰囲
気中において、１０００℃で、２時間仮焼して試料Ｎ
ｏ．４の組成条件を満足する誘電体材料を得た。
粗粉砕し、得られた粗粉をトンネル炉に入れ、大気雰囲
気中において、１０００℃で、２時間仮焼して試料Ｎ
ｏ．４の組成条件を満足する誘電体材料を得た。
【００３２】次に、この誘電体材料１００重量部に対し
て、有機バインダーとしてポリブチルフタレートを１５
重量部、可塑剤としてジオクチルフタレート（ＤＯＰ）
を４０重量部、溶剤としてトルエンを１５０重量部添加
し、ボールミルを用いて１５時間、撹拌混合し、スラリ
ーを作成した。
て、有機バインダーとしてポリブチルフタレートを１５
重量部、可塑剤としてジオクチルフタレート（ＤＯＰ）
を４０重量部、溶剤としてトルエンを１５０重量部添加
し、ボールミルを用いて１５時間、撹拌混合し、スラリ
ーを作成した。
【００３３】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースコーターによってポリ
エステルフィルム上に薄膜状に塗布し、これを１００℃
で乾燥し、厚さ約６μｍのグリーンシート（未焼結磁器
シート）を得た。
脱泡し、このスラリーをリバースコーターによってポリ
エステルフィルム上に薄膜状に塗布し、これを１００℃
で乾燥し、厚さ約６μｍのグリーンシート（未焼結磁器
シート）を得た。
【００３４】一方、平均粒径０．５μｍのＮｉ粉末と、
エチルセルロースをブチルカルビトールに溶解させたも
のとを撹拌器に入れ、十分に混合、混練して内部電極用
の導電ペーストを得た。そして、この導電ペーストを用
いて、グリーンシート上に、短冊状の導電パターンをス
クリーン印刷した。この時、導電パターンが、長手方向
に約１／３ずれる様、２種類の導電パターンを印刷し
た。
エチルセルロースをブチルカルビトールに溶解させたも
のとを撹拌器に入れ、十分に混合、混練して内部電極用
の導電ペーストを得た。そして、この導電ペーストを用
いて、グリーンシート上に、短冊状の導電パターンをス
クリーン印刷した。この時、導電パターンが、長手方向
に約１／３ずれる様、２種類の導電パターンを印刷し
た。
【００３５】次に、２種類の導電パターンを印刷した２
種類のグリーンシートを交互に５１枚（誘電体５０層）
積層し、この積層によって得られた積層物の上下に、導
電パターンが印刷されていないグリーンシートを積層し
た。そして、この積層体を７０℃の温度の下で５０ＭＰ
ａの圧力を加えて押圧し、これらを圧着した。そして、
その後、この積層体を格子状に切断し、積層体チップを
得た。
種類のグリーンシートを交互に５１枚（誘電体５０層）
積層し、この積層によって得られた積層物の上下に、導
電パターンが印刷されていないグリーンシートを積層し
た。そして、この積層体を７０℃の温度の下で５０ＭＰ
ａの圧力を加えて押圧し、これらを圧着した。そして、
その後、この積層体を格子状に切断し、積層体チップを
得た。
【００３６】次に、この積層体チップを大気雰囲気中に
おいて１００℃／時間の速度で６００℃まで昇温させ、
積層体チップの内部に含まれている有機バインダを燃焼
させた。そして、炉の雰囲気を大気雰囲気からＨ2 （２
体積％）＋Ｎ2 （９８体積％）の混合雰囲気に切り替
え、１００℃／時間の速度で１１８０℃（焼成温度）ま
で昇温させ、２時間保持した後、１００℃／時間の速度
で６００℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲気に切り替
え、６００℃で３０分間保持して酸化処理を行ない、そ
の後、室温まで冷却した。
おいて１００℃／時間の速度で６００℃まで昇温させ、
積層体チップの内部に含まれている有機バインダを燃焼
させた。そして、炉の雰囲気を大気雰囲気からＨ2 （２
体積％）＋Ｎ2 （９８体積％）の混合雰囲気に切り替
え、１００℃／時間の速度で１１８０℃（焼成温度）ま
で昇温させ、２時間保持した後、１００℃／時間の速度
で６００℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲気に切り替
え、６００℃で３０分間保持して酸化処理を行ない、そ
の後、室温まで冷却した。
【００３７】次に、電極が露出する焼結体チップの側面
に、Ｚｎ粉末とガラスフリットとビヒクルからなる導電
ペーストを塗布して乾燥し、大気中５５０℃、１５分間
焼き付けてＺｎ電極層を形成する。更に、この上に無電
解メッキによりＣｕを被着させ、更にこの上に電解メッ
キによりＰｂ−Ｓｎ半田層を被着させて、一対の外部電
極を形成した。
に、Ｚｎ粉末とガラスフリットとビヒクルからなる導電
ペーストを塗布して乾燥し、大気中５５０℃、１５分間
焼き付けてＺｎ電極層を形成する。更に、この上に無電
解メッキによりＣｕを被着させ、更にこの上に電解メッ
キによりＰｂ−Ｓｎ半田層を被着させて、一対の外部電
極を形成した。
【００３８】なお、得られた積層磁器コンデンサは、２
ｍｍ（Ｌ）×１．２５ｍｍ（Ｗ）×１ｍｍ（Ｔ）（２１
２タイプ）であり、内部電極の交差面積は１ｍｍ2 、誘
電体層の１層当たりの厚みは４μｍであった。
ｍｍ（Ｌ）×１．２５ｍｍ（Ｗ）×１ｍｍ（Ｔ）（２１
２タイプ）であり、内部電極の交差面積は１ｍｍ2 、誘
電体層の１層当たりの厚みは４μｍであった。
【００３９】次に、完成した積層磁器コンデンサの比誘
電率εs 、温度係数ＴＣ、品質係数Ｑ、抵抗率ρ、破壊
電圧（ＢＤＶ）を測定したところ、表１の試料Ｎｏ．４
に示すように、比誘電率εs が７０、温度係数ＴＣが−
６００、品質係数Ｑが７８００、抵抗率ρが１．３×１
０8 ＭΩｃｍ（表２〜表２では１．３Ｅ＋８と表示
してある。）、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１５２Ｖ／μ
ｍであった。なお、電気的諸特性は次の要領で測定し
た。
電率εs 、温度係数ＴＣ、品質係数Ｑ、抵抗率ρ、破壊
電圧（ＢＤＶ）を測定したところ、表１の試料Ｎｏ．４
に示すように、比誘電率εs が７０、温度係数ＴＣが−
６００、品質係数Ｑが７８００、抵抗率ρが１．３×１
０8 ＭΩｃｍ（表２〜表２では１．３Ｅ＋８と表示
してある。）、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１５２Ｖ／μ
ｍであった。なお、電気的諸特性は次の要領で測定し
た。
【００４０】（Ａ）比誘電率εs 、品質係数Ｑ ＬＣＲメータを用い、温度２０℃、周波数１ＭＨｚ、交
流電圧０．５Ｖ（実効値）の条件で、静電容量及び品質
係数Ｑを測定した。得られた静電容量と内部電極の交差
面積と誘電体層１層当りの厚みから、比誘電率εs を算
出した。
流電圧０．５Ｖ（実効値）の条件で、静電容量及び品質
係数Ｑを測定した。得られた静電容量と内部電極の交差
面積と誘電体層１層当りの厚みから、比誘電率εs を算
出した。
【００４１】（Ｂ）温度係数ＴＣ ２０℃および８５℃の場合の静電容量を上記のようにし
て測定し、この静電容量から温度変化に対する容量変化
率を算出した。温度係数ＴＣはコンデンサの通常の使用
範囲（−２５℃〜８５℃）でほゞ一定であった。
て測定し、この静電容量から温度変化に対する容量変化
率を算出した。温度係数ＴＣはコンデンサの通常の使用
範囲（−２５℃〜８５℃）でほゞ一定であった。
【００４２】（Ｃ）抵抗率ρ 温度２０℃、測定電圧５０ｋＶの条件から、メガオーム
メータにより抵抗値を測定し、内部電極の交差面積と誘
電体層１層当たりの厚みから算出した。
メータにより抵抗値を測定し、内部電極の交差面積と誘
電体層１層当たりの厚みから算出した。
【００４３】（Ｄ）絶縁破壊電圧（ＢＤＶ） １５０℃に加熱したシリコンオイル中に試料を入れ、５
Ｖ／秒の速度で電圧を増加し、ブレークダウンした際の
電圧を測定した。そして、得られた電圧を単位誘電体厚
みに換算して絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を求めた。
Ｖ／秒の速度で電圧を増加し、ブレークダウンした際の
電圧を測定した。そして、得られた電圧を単位誘電体厚
みに換算して絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を求めた。
【００４４】以上、試料Ｎｏ．４の試料の場合について
述べたが、試料番号１〜３及び５〜６６についても、主
成分及び添加成分の組成及び割合を表１〜表１に示
すように変えた他は、試料Ｎｏ．４の試料の場合と同様
にして積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電気
的特性を測定した。焼成温度及び電気的特性は表２〜
表２に示す通りとなった。
述べたが、試料番号１〜３及び５〜６６についても、主
成分及び添加成分の組成及び割合を表１〜表１に示
すように変えた他は、試料Ｎｏ．４の試料の場合と同様
にして積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電気
的特性を測定した。焼成温度及び電気的特性は表２〜
表２に示す通りとなった。
【００４５】
【表２】
【００４６】
【表２】
【００４７】
【表２】
【００４８】以上の結果から明らかなように、この発明
に従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２０
０℃以下の焼成により、誘電体磁器層の比誘電率εs が
３０以上、温度係数ＴＣが−１０００〜＋５０ｐｐｍ／
℃の範囲、抵抗率ρが１．０×１０8 ＭΩ・ｃｍ以上、
絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍ以上の電気的
諸特性を有する温度補償用の磁器コンデンサを得ること
ができるものである。
に従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２０
０℃以下の焼成により、誘電体磁器層の比誘電率εs が
３０以上、温度係数ＴＣが−１０００〜＋５０ｐｐｍ／
℃の範囲、抵抗率ρが１．０×１０8 ＭΩ・ｃｍ以上、
絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍ以上の電気的
諸特性を有する温度補償用の磁器コンデンサを得ること
ができるものである。
【００４９】これに対し、試料番号１，２，６，３９，
４２，４３，４８，５３，５６，６１，６３，６６の試
料によれば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサ
を得ることができない。従って、これらの試料番号の試
料はこの発明の範囲外のものである。
４２，４３，４８，５３，５６，６１，６３，６６の試
料によれば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサ
を得ることができない。従って、これらの試料番号の試
料はこの発明の範囲外のものである。
【００５０】次に、この発明に係る磁器コンデンサに用
いられている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由に
ついて、表１〜表１及び表２〜表２に示す実験
結果を参照しながら説明する。
いられている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由に
ついて、表１〜表１及び表２〜表２に示す実験
結果を参照しながら説明する。
【００５１】まず、ｘの値は、試料Ｎｏ．５４に示すよ
うに、０．１の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．５３に示すように、０の場合は、絶縁破壊電
圧（ＢＤＶ）が１２３Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満
になってしまう。また、試料Ｎｏ．５５に示すように、
０．９の場合は所望の電気的特性が得られるが、試料Ｎ
ｏ．５６に示すように、１の場合は、絶縁破壊電圧（Ｂ
ＤＶ）が１２０Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満になっ
てしまう。従って、ｘの範囲は、０．１≦ｘ≦０．９で
なければならない。
うに、０．１の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．５３に示すように、０の場合は、絶縁破壊電
圧（ＢＤＶ）が１２３Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満
になってしまう。また、試料Ｎｏ．５５に示すように、
０．９の場合は所望の電気的特性が得られるが、試料Ｎ
ｏ．５６に示すように、１の場合は、絶縁破壊電圧（Ｂ
ＤＶ）が１２０Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満になっ
てしまう。従って、ｘの範囲は、０．１≦ｘ≦０．９で
なければならない。
【００５２】次に、ｋの値は、試料Ｎｏ．６２に示すよ
うに、０．９０の場合は所望の電気的特性が得られる
が、試料Ｎｏ．６１に示すように、０．８５の場合は、
焼成温度が１３００℃と高くなって焼結性が悪化し、品
質係数Ｑが４９００と、５０００未満になり、抵抗率ρ
が８．０×１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8 ＭΩｃｍ
未満になってしまう。また、試料Ｎｏ．４４，４５，４
９，５０に示すように、１．１０の場合は所望の電気特
性が得られるが、試料Ｎｏ．６３に示すように、１．１
６の場合は、焼成温度が１３００℃と高くなって焼結性
が悪化し、品質係数Ｑが４５００と、５０００未満にな
り、抵抗率ρが６．０×１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１
０8 ＭΩｃｍ未満になってしまう。従って、ｋの値は、
０．９０≦ｋ≦１．１０でなければならない。
うに、０．９０の場合は所望の電気的特性が得られる
が、試料Ｎｏ．６１に示すように、０．８５の場合は、
焼成温度が１３００℃と高くなって焼結性が悪化し、品
質係数Ｑが４９００と、５０００未満になり、抵抗率ρ
が８．０×１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8 ＭΩｃｍ
未満になってしまう。また、試料Ｎｏ．４４，４５，４
９，５０に示すように、１．１０の場合は所望の電気特
性が得られるが、試料Ｎｏ．６３に示すように、１．１
６の場合は、焼成温度が１３００℃と高くなって焼結性
が悪化し、品質係数Ｑが４５００と、５０００未満にな
り、抵抗率ρが６．０×１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１
０8 ＭΩｃｍ未満になってしまう。従って、ｋの値は、
０．９０≦ｋ≦１．１０でなければならない。
【００５３】次に、ｙの値は、試料Ｎｏ．６４，６５に
示すように、０及び０．５の場合は所望の電気的特性が
得られるが、試料Ｎｏ．６６に示すように、０．６の場
合は、温度係数ＴＣが−１２５０ｐｐｍ／℃と、−１０
００〜＋５０ｐｐｍ／℃の範囲を逸脱してしまう。従っ
て、ｙの範囲は、０≦ｙ≦０．５でなければならない。
示すように、０及び０．５の場合は所望の電気的特性が
得られるが、試料Ｎｏ．６６に示すように、０．６の場
合は、温度係数ＴＣが−１２５０ｐｐｍ／℃と、−１０
００〜＋５０ｐｐｍ／℃の範囲を逸脱してしまう。従っ
て、ｙの範囲は、０≦ｙ≦０．５でなければならない。
【００５４】次に、ｓの値は、試料Ｎｏ．４４に示すよ
うに、０．１の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．４３に示すように、０の場合は、焼成温度が
１３００℃と高くなって焼結性が悪化し、品質係数Ｑが
３６００と、５０００未満になり、抵抗率ρが６．０×
１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8 ＭΩｃｍ未満になっ
てしまう。また、試料Ｎｏ．４７に示すように、５の場
合は所望の電気的特性が得られるが、試料Ｎｏ．４８に
示すように、１０の場合は、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が
１２０Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満になってしま
う。従って、ｓの値は、０．１ｗｔ％≦ｓ≦５ｗｔ％
（外）でなければならない。
うに、０．１の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．４３に示すように、０の場合は、焼成温度が
１３００℃と高くなって焼結性が悪化し、品質係数Ｑが
３６００と、５０００未満になり、抵抗率ρが６．０×
１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8 ＭΩｃｍ未満になっ
てしまう。また、試料Ｎｏ．４７に示すように、５の場
合は所望の電気的特性が得られるが、試料Ｎｏ．４８に
示すように、１０の場合は、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が
１２０Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満になってしま
う。従って、ｓの値は、０．１ｗｔ％≦ｓ≦５ｗｔ％
（外）でなければならない。
【００５５】また、ｔの値は、試料Ｎｏ．４０に示すよ
うに、０．１の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．３９に示すように、０．０５の場合は絶縁破
壊電圧（ＢＤＶ）が６２Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未
満になってしまう。また、試料Ｎｏ．４１に示すよう
に、３の場合は所望の電気的特性が得られるが、試料Ｎ
ｏ．４２に示すように、４の場合は、品質係数Ｑが３９
００と、５０００未満になり、抵抗率ρが８．０×１０
7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8 ＭΩｃｍ未満になってし
まう。従って、ｔの値は、０．１ａｔｍ％≦ｔ≦３．０
ａｔｍ％（外）でなければならない。
うに、０．１の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．３９に示すように、０．０５の場合は絶縁破
壊電圧（ＢＤＶ）が６２Ｖ／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未
満になってしまう。また、試料Ｎｏ．４１に示すよう
に、３の場合は所望の電気的特性が得られるが、試料Ｎ
ｏ．４２に示すように、４の場合は、品質係数Ｑが３９
００と、５０００未満になり、抵抗率ρが８．０×１０
7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8 ＭΩｃｍ未満になってし
まう。従って、ｔの値は、０．１ａｔｍ％≦ｔ≦３．０
ａｔｍ％（外）でなければならない。
【００５６】また、ｕの値は、試料Ｎｏ．３に示すよう
に、０．０３の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．１，２に示すように、０または０．０２の場
合は絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が８６Ｖ／μｍ、１０９Ｖ
／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満になってしまう。また、
試料Ｎｏ．５に示すように、１の場合は所望の電気的特
性が得られるが、試料Ｎｏ．６に示すように、１．５の
場合は品質係数Ｑが３５００と、５０００未満になり、
抵抗率ρが８．０×１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8
ＭΩｃｍ未満になってしまう。従って、ｕの値は、０．
０３ａｔｍ％≦ｕ≦１．０ａｔｍ％（外）でなければな
らない。
に、０．０３の場合は所望の電気的特性が得られるが、
試料Ｎｏ．１，２に示すように、０または０．０２の場
合は絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が８６Ｖ／μｍ、１０９Ｖ
／μｍと、１２５Ｖ／μｍ未満になってしまう。また、
試料Ｎｏ．５に示すように、１の場合は所望の電気的特
性が得られるが、試料Ｎｏ．６に示すように、１．５の
場合は品質係数Ｑが３５００と、５０００未満になり、
抵抗率ρが８．０×１０7 ＭΩｃｍと、１．０×１０8
ＭΩｃｍ未満になってしまう。従って、ｕの値は、０．
０３ａｔｍ％≦ｕ≦１．０ａｔｍ％（外）でなければな
らない。
【００５７】
【発明の効果】この発明によれば、品質係数Ｑが５００
０以上、抵抗率ρが１．０×１０8 ＭΩｃｍ以上、温度
係数ＴＣが−１０００〜＋５０ｐｐｍ／℃、絶縁破壊電
圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍ以上の磁器コンデンサを
提供することができる。従って、誘電体磁器層を薄膜化
して、小型大容量の磁器コンデンサを提供することがで
きるという効果がある。
０以上、抵抗率ρが１．０×１０8 ＭΩｃｍ以上、温度
係数ＴＣが−１０００〜＋５０ｐｐｍ／℃、絶縁破壊電
圧（ＢＤＶ）が１２５Ｖ／μｍ以上の磁器コンデンサを
提供することができる。従って、誘電体磁器層を薄膜化
して、小型大容量の磁器コンデンサを提供することがで
きるという効果がある。
【表１○１】
【表１○２】
【表１○３】
【表２○１】
【表２○２】
【表２○３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 弘志 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 冨沢 正治 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサに
おいて、 前記誘電体磁器組成物が、主成分と添加成分との混合物
を少なくとも還元性雰囲気中で焼成した後、酸化性雰囲
気中で熱処理したものからなり、 前記主成分が、 （Ｃａ1-x Ｍｅx ）k （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）Ｏ3 （但し、ＭｅはＢａ及び／又はＳｒ、ｘ，ｙ及びｋは、 ０．１≦ｘ≦０．９ ０．９０≦ｋ≦１．１０ ０≦ｙ≦０．５ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＭｎ2 Ｏ3 とＬｎ
2 Ｏ3 （但し、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又は２種以
上の元素）とからなり、 前記誘電体磁器組成物中におけるＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の
含有割合ｓが０．１ｗｔ％≦ｓ≦５ｗｔ％（外）の範囲
にあり、 前記誘電体磁器組成物中におけるＭｎ2 Ｏ3 の含有割合
ｔが、０．１ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％（外）の範
囲にあり、 前記誘電体磁器組成物中におけるＬｎ2 Ｏ3 の含有割合
ｕが、０．０３ａｔｍ％≦ｕ≦１．０ａｔｍ％（外）の
範囲にあり、 前記内部電極が卑金属を主成分とする材料からなること
を特徴とする磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04114898A JP3323801B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04114898A JP3323801B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224827A true JPH11224827A (ja) | 1999-08-17 |
| JP3323801B2 JP3323801B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=12600346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04114898A Expired - Lifetime JP3323801B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3323801B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962888B2 (en) | 2000-06-29 | 2005-11-08 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7157396B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and method of production and electronic device of the same |
| JP2007055835A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| US7265072B2 (en) | 2003-02-17 | 2007-09-04 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| JP2015025196A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-02-05 | Tdk株式会社 | アモルファス誘電体膜および電子部品 |
| US10513464B2 (en) | 2016-03-24 | 2019-12-24 | Tdk Corporation | Dielectric composition, dielectric element, electronic component, and multilayer electronic component |
| US10759709B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-09-01 | Tdk Corporation | Dielectric composition, dielectric element, electronic component, and multilayer electronic component |
| US10777355B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-09-15 | Tdk Corporation | Dielectric composition, dielectric element, electronic component, and multilayer electronic component |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5423785B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2014-02-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
-
1998
- 1998-02-05 JP JP04114898A patent/JP3323801B2/ja not_active Expired - Lifetime
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