JP6695166B2 - リードフレーム、及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、リードフレーム、及び半導体パッケージの製造方法に関する。

半導体パッケージは、リードフレームと、その上に搭載された半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを備える。ＭＡＰ（Ｍｏｌｄｅｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）タイプのリードフレームの場合、各端子（リード）はタイバーで接続されている。このようなリードフレームを用いて半導体パッケージを製造する場合、リードフレームとその上に搭載された半導体チップとを樹脂で封止して樹脂封止体を得た後、これをダイシングソーで切削して個片化する。このようにして、半導体パッケージが製造される。

特許文献１では、金属のカットバリの発生とダイシングソーの磨耗を抑制するために、ダイシング部をハーフエッチングにより形成した溝部により薄肉とすることが提案されている。そして、この溝部の幅を、ダイシングソーの幅より大きくするか小さくして切断がスムーズに行えるようにすることが提案されている。

特開２００１−３２０００７号公報

ダイシングソーの幅よりも大きい溝部を有するリードフレームを用いて半導体パッケージを製造すると、溝部に由来する端子の薄肉部には、厚みの小さい薄肉樹脂部が形成される。このような薄肉樹脂部は、半導体チップの上を覆っている厚みの大きい樹脂部に比べると、リードフレームの表面から剥離し易いことから、密着性に優れる必要がある。近年、リードフレームを薄くして半導体パッケージを小型化する傾向にあるため、薄肉樹脂部は一層密着性を向上することが求められている。

本発明では、一つの側面において、半導体パッケージを製造する際に、封止樹脂の剥離を抑制することが可能なリードフレームを提供することを目的とする。本発明は、別の側面において、封止樹脂の剥離を抑制することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、一つの側面において、一対の端子と、その間に設けられ、端子が基端部において連結されるタイバーと、を備えるリードフレームであって、端子の基端部は先端部よりも薄く、基端部は、厚さ方向に貫通する貫通孔、及び先端部よりも幅を狭くする切欠部の少なくとも一方を有するリードフレームを提供する。

このリードフレームは、樹脂で封止すると、基端部の一方面上に形成される封止樹脂と、他方面上に設けられる封止樹脂とを、貫通孔内の封止樹脂又は切欠部内における封止樹脂で接続することができる。このため、ダイシングを行って半導体パッケージを作製する際に、基端部の一方面又は他方面上に形成される封止樹脂の厚みが薄くても、当該封止樹脂の剥離を抑制することできる。

上記基端部が貫通孔を有する場合、貫通孔は、タイバーに延在しており、一対の端子のそれぞれの基端部とその間のタイバーとにおいて連通していることが好ましい。このように一対の端子の基端部とその間のタイバーにおいて一体となる貫通孔を設けることによって、ダイシング時における切削部の体積を十分に小さくすることができる。これによって、リードフレームの厚みを大きくしても切削を円滑に行うことができる。また、ダイシングソーの負荷を低減するとともにリードフレームの構成材料を低減することができる。

上記リードフレームは、上面側に半導体チップが搭載されるパッドと、タイバーに連結され、パッドを支持するサポートバーを備えており、端子の先端部の下面よりも、端子の基端部の下面の方が上方に位置していてもよい。このようなリードフレームを樹脂封止すると、端子の基端部の下面側に厚みの薄い封止樹脂（薄肉樹脂部）が形成される。この薄肉樹脂部は、基端部を貫通する貫通孔内の封止樹脂によって、端子の基端部の上面側の封止樹脂と接続される。このため、ダイシングを行って半導体パッケージを作製する際に、薄肉樹脂部における封止樹脂の剥離を抑制することできる。また、得られた半導体パッケージからの封止樹脂の剥離を抑制することができる。

上記基端部が切欠部を有する場合、切欠部は、基端部の幅方向に対向するように対をなして設けられることが好ましい。このようなリードフレームを樹脂で封止すると、隣接する端子間に介在する封止樹脂を大きくすることができる。これによって、基端部の一方面上に形成される封止樹脂と、他方面上に設けられる封止樹脂とを強固に接続することができる。このため、ダイシングを行って半導体パッケージを作製する際に、基端部の一方面又は他方面上に形成される封止樹脂の厚みが薄くても、当該封止樹脂の剥離を抑制することできる。

本発明は、別の側面において、リードフレームの上に半導体チップを搭載する搭載工程と、半導体チップを封止し、リードフレームの一対の主面の少なくとも一部を覆うとともに貫通孔内に封止樹脂を設ける封止工程と、タイバーに沿って、タイバー、並びに貫通孔内及び／又は切欠部内の封止樹脂の一部を切削し、当該封止樹脂が一方の主面上の封止樹脂と他方の主面上の封止樹脂とを接続している半導体パッケージを得るダイシング工程と、を有する、半導体パッケージの製造方法を提供する。

上記半導体パッケージの製造方法では、貫通孔内及び／又は切欠部内の封止樹脂が、両方の主面上に形成されたそれぞれの封止樹脂を接続している。このため、半導体パッケージを製造する際に、一方（又は他方）の主面上に形成される封止樹脂の厚みが薄くても、当該封止樹脂の剥離を抑制することできる。また、得られた半導体パッケージからの封止樹脂の剥離も抑制することできる。

本発明では、一つの側面において、半導体パッケージを製造する際に、封止樹脂の剥離を抑制することが可能なリードフレームを提供することができる。本発明は、別の側面において、封止樹脂の剥離を抑制することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供することができる。

図１は、一実施形態に係るリードフレームの平面図である。 図２（Ａ）は、図１における領域ＩＩを拡大して示す平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。 図３（Ａ）は、一実施形態の変形例に係るリードフレームの一部を拡大して示す平面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。 図４（Ａ）は、別の実施形態に係るリードフレームの一部を拡大して示す平面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。 図５は、図１のリードフレームを備える樹脂封止体の断面図である。 図６は、一実施形態に係る半導体パッケージの断面図である。 図７は、図６の半導体パッケージの側面図である。 図８は、別の実施形態に係る半導体パッケージの側面図である。

以下、場合により図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。ただし、以下の実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用い、場合により重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

図１は、リードフレーム２００の平面図である。リードフレーム２００は、単位フレーム１００の集合体である。図１には、９個（３個×３個）の単位フレーム１００が示されているが、単位フレーム１００の数は特に限定されない。単位フレーム１００は、タイバー１６を介して隣接する単位フレーム１００と連結されている。

リードフレーム２００は、それぞれの単位フレーム１００において中央部に配置されるパッド１０と、パッド１０の周囲に配置され、インナーリードともいわれる複数の端子１２と、パッド１０を支持するサポートバー１４とを備える。サポートバー１４の先端はパッド１０に連結され、サポートバー１４の後端は端子１２の周囲に配置されるタイバー１６に連結されている。サポートバー１４は、略矩形状のパッド１０の四隅から放射状に延在してタイバー１６に連結されることによって、パッド１０を支持している。

リードフレーム２００は、一方の主面２００ａ側（上面）において、パッド１０上に半導体チップが搭載される。パッド１０の各辺に対して４本の端子１２が並んで配設されており、その先端部１２Ａは、所定の間隔を介してパッド１０の各辺に対向している。端子１２の基端部１２Ｂは、タイバー１６に連結されている。

図２（Ａ）は、図１における領域ＩＩを拡大して示す平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。タイバー１６を挟むようにして、一対の端子１２が対向するように設けられている。一対の端子１２のそれぞれは、図１に示すように互いに隣接する単位フレーム１００にそれぞれ含まれる。

図２（Ａ）に戻り、一対の端子１２及びタイバー１６には、厚さ方向に貫通する貫通孔１７が形成されている。貫通孔１７は、一対の端子１２のそれぞれの基端部１２Ｂとその間に挟まれるタイバー１６に延在している。すなわち、貫通孔１７は、一対の端子１２のそれぞれの基端部１２Ｂとその間に挟まれるタイバー１６とにおいて連通し、一体となっている。

図２（Ａ）のような構造にすることによって、貫通孔１７のサイズを十分に大きくすることができる。したがって、貫通孔１７内に樹脂組成物を充填し易くすることができる。また、貫通孔１７のサイズが大きいと、貫通孔１７をエッチングによって容易に形成することができる。

図２（Ｂ）に示すように、端子１２の先端部１２Ａの厚みよりも、基端部１２Ｂ及びタイバー１６の厚みの方が薄くなっている。図２（Ｂ）に示すように、一対の端子１２及びタイバー１６を通り、一対の端子１２が対向する方向に平行で且つ主面２００ｂに垂直な断面において、一対の端子１２の基端部１２Ｂとその間のタイバー１６には、主面２００ｂ側（下面側）に凹部１９が形成されている。

基端部１２Ｂ及びタイバー１６の厚みを薄くすることによって、ダイシング時におけるリードフレーム２００の切削を円滑に行うことができる。また、ダイシングソーの負荷を軽減することができる。端子１２の基端部１２Ｂは、例えばハーフエッチングによって先端部１２Ａよりも薄くすることができる。

端子１２の基端部１２Ｂの主面２００ｂ側には、半導体パッケージの製造の際、封止工程において、薄肉樹脂部が形成される。この薄肉樹脂部は、貫通孔１７内の封止樹脂によって、主面２００ａ側の封止樹脂と接続される。その後、ダイシング工程で切削される切削部４０は、図２（Ｂ）中、点線で挟まれる領域である。一対の端子１２の対向方向に沿う切削部４０の長さは、該対向方向に沿う凹部１９の長さよりも短くなっている。切削部４０に対する凹部１９の長さの比は、例えば、１．１〜１．５である。

ダイシング工程で切削された後、端子１２の基端部１２Ｂの残存部分の下面（主面２００ｂ）側には、薄肉樹脂部が残存する。この薄肉樹脂部は、貫通孔１７内の封止樹脂の残存部分によって上面（主面２００ａ）側の封止樹脂と接続される。これによって、薄肉樹脂部からの封止樹脂の剥離を抑制することができる。

貫通孔１７のサイズに特に限定はないが、その幅（図２（Ａ）中の上下方向の長さ）は、例えば、端子１２の先端部１２Ａの厚みを基準として８０〜１２０％であることが好ましい。これによって、エッチングによる貫通孔１７の形成を十分容易に行うことができる。端子１２の基端部１２Ｂ及びタイバー１６の厚みは同一である必要はなく、タイバー１６の厚みは、端子１２の先端部１２Ａと同じであってもよい。

図３（Ａ）は、上記実施形態の変形例に係るリードフレームの一部を拡大して示す平面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）と同様の位置を拡大して示している。本変形例では、貫通孔１８の形状が上記実施形態と相違している。その他の構成は、上記実施形態と同様である。

本変形例では、タイバー１６に貫通孔が形成されていない。そして、一対の端子１２の基端部１２Ｂのそれぞれに貫通孔１８が隔離して形成されている。したがって、一対の端子１２の基端部１２Ｂにおける貫通孔１８は連通しておらず、それぞれ独立している。

図３（Ｂ）に示すように、端子１２の先端部１２Ａの厚みよりも、基端部１２Ｂ及びタイバー１６の厚みの方が薄くなっている。このように、基端部１２Ｂ及びタイバー１６の厚みを薄くすることによって、リードフレーム２００のダイシングを円滑に行うことができる。また、ダイシングソーの負荷を軽減することができる。この変形例の場合も、薄肉樹脂部からの封止樹脂の剥離を抑制することができる。

図４（Ａ）は、別の実施形態に係るリードフレームの一部を拡大して示す平面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）と同様の位置を拡大して示している。本実施形態では、端子１２の基端部１２Ｂに貫通孔が形成されていない代わりに、端子１２の基端部１２Ｄは、先端部１２Ａの幅よりも基端部１２Ｄの幅の方を狭くする一対の切欠部１５をそれぞれ有する。一対の切欠部１５は、基端部１２Ｄの側部に設けられ、基端部１２Ｄの幅方向に対向している。基端部１２Ｄは切欠部１５を有することによって、基端部１２Ｄの幅（図４（Ａ）中の上下方向に沿う長さ）が、端子１２の先端部１２Ａの幅よりも小さくなっている。

切欠部１５の大きさ及び形状は特に限定されない。例えば、切欠部１５を対をなすように両側部に設けることに代えて、基端部１２Ｄの一方の側部のみに設けていてもよい。端子１２の先端部１２Ａよりも、基端部１２Ｄの厚みを薄くするとともにその幅を小さくすることによって、リードフレームのダイシングを円滑に行うことができる。また、ダイシングソーの負荷を軽減することができる。

端子１２の基端部１２Ｄの主面２００ｂ側には、半導体パッケージの製造の際、封止工程において、薄肉樹脂部が形成される。この薄肉樹脂部は、隣り合う端子１２，１２間に介在する封止樹脂によって、主面２００ａ側の封止樹脂と接続される。ダイシング工程で切削部４０が切削された後、端子１２の基端部１２Ｄの残存部分の下面（主面２００ｂ）側には、薄肉樹脂部が残存する。この薄肉樹脂部は、隣り合う端子１２，１２間に介在する封止樹脂によって上面（主面２００ａ）側の封止樹脂と接続される。基端部１２Ｄが切欠部１５を有することによって、隣り合う端子１２，１２間に介在する封止樹脂の体積を大きくすることができる。これによって、薄肉樹脂部からの封止樹脂の剥離を抑制することができる。

端子１２の基端部１２Ｄにおける幅のサイズに特に限定はないが、例えば、端子１２の先端部１２Ａの厚みを基準として８０〜１２０％であることが好ましい。これによって、エッチングによる基端部１２Ｄの形成を十分容易に行うことができる。端子１２の基端部１２Ｄ及びタイバー１６の厚みは同一である必要はなく、タイバー１６の厚みは、端子１２の先端部１２Ａと同じであってもよい。

次に、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を説明する。本実施形態の製造方法は、リードフレームの上に半導体チップを搭載する搭載工程と、半導体チップを封止し、リードフレームの一対の主面の少なくとも一部を覆うとともに貫通孔内に封止樹脂を設ける封止工程と、タイバーに沿って、タイバー、端子の基端部の一部及び貫通孔内の封止樹脂の一部を切削し、当該封止樹脂が一方の主面上の封止樹脂と他方の主面上の封止樹脂とを接続している半導体パッケージを得るダイシング工程、を有する。以下、リードフレーム２００を用いた場合の半導体パッケージの製造方法を以下に説明する。

図１のリードフレーム２００は、例えば次の手順で形成される。まず、母材となる帯状の金属板のエッチング又はスタンピングを行うことによって、パッドと、パッドの周囲に配置される端子と、パッドを支持するサポートバーを有する単位フレームがタイバーで接続されているリードフレームを形成する。このとき、図２又は図３に示すように、貫通孔１７（１８）を設けるとともに、端子１２の基端部１２Ｂ及びタイバー１６の厚みを他の部分よりも薄くする。その後、リードフレームの表面処理を行い、必要に応じて曲げ加工を行う。このようにして、図１に示すようなリードフレーム２００が得られる

搭載工程では、リードフレーム２００に含まれる単位フレーム１００のパッド１０に、半導体チップを例えば銀ペースト等の金属ペーストを用いて固定する。次に、半導体チップの電極パッドと端子１２とをボンディングワイヤで接続する。このようにして、リードフレーム２００の一方の主面２００ａ上に半導体チップを搭載する。

封止工程では、半導体チップが搭載されたリードフレーム２００をモールド金型内に配置する。そして、樹脂組成物（例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂組成物）をモールド金型内に供給する。このとき、樹脂組成物は、半導体チップを有する一方の主面２００ａの少なくとも一部を覆うとともに、リードフレーム２００の他方の主面の少なくとも一部も覆うように注入される。このとき、図２又は図３に示す貫通孔１７又は貫通孔１８には樹脂組成物が充填される。その後、加熱して、モールド金型内で樹脂組成物を硬化させて封止樹脂を形成し、樹脂封止体を得る。

図５は、リードフレーム２００の一方の主面２００ａ上において、封止樹脂８０によって半導体チップ７０が封止されている樹脂封止体１１０の断面図である。封止樹脂８０は、一方の主面２００ａ側において、半導体チップ７０を覆うとともに、パッド１０及び端子１２を覆っている。図５に示すように、端子１２は先端部１２Ａよりも基端部１２Ｂ側の方が薄くなっている。すなわち、先端部１２Ａの下面よりも、基端部１２Ｂの下面の方が上方に位置している。これによって、リードフレームの主面２００ｂに凹部１９が形成されている。

凹部１９には、封止樹脂８０が充填されており、凹部１９において薄肉樹脂部８２を形成している。リードフレームの主面２００ｂは、凹部１９に封止樹脂８０すなわち薄肉樹脂部８２が設けられている。主面２００ｂ上に設けられている薄肉樹脂部８２は、図５に示されていない貫通孔内の封止樹脂によって、主面２００ａ上に設けられている封止樹脂８０と接続されている。このため、ダイシング工程時に切削部４０が切削されても、薄肉樹脂部８２が凹部１９（端子１２）から剥離することを抑制できる。

ダイシング工程では、図５のような樹脂封止体１１０をタイバー１６に沿って切削する。単位フレーム１００が縦横方向に連なるリードフレーム２００をタイバー１６に沿って切削することによって、単位フレーム１００に個片化される。このとき、タイバー１６、一対の端子１２の基端部１２Ｂの一部、及び貫通孔内の封止樹脂の一部が切削される。これによって、図１の単位フレーム１００毎に個片化され、半導体パッケージが得られる。

半導体パッケージの製造方法は上述の方法に限定されない。例えば、上記実施形態では、図２の構造を有するリードフレーム１００を用いたが、これに代えて図３又は図４の構造を有するリードフレームを用いてもよい。図３の構造を有するリードフレームを用いた場合も、貫通孔１８に充填された封止樹脂８０によって主面２００ａ側の封止樹脂８０と薄肉樹脂部８２とが接続される。これによって、薄肉樹脂部８２から封止樹脂が剥離することを抑制できる。図４の構造を有するリードフレームを用いた場合、切欠部１５に設けられた封止樹脂８０によって主面２００ａ側の封止樹脂８０と薄肉樹脂部８２とが接続される。これによって、薄肉樹脂部８２から封止樹脂が剥離することを抑制できる。

上述の製造方法で製造される半導体パッケージの一例を説明する。図６は、半導体パッケージ１５０の断面図である。半導体パッケージ１５０は、単位フレームであるリードフレーム１００と、リードフレーム１００の一方の主面１００ａ上に搭載された半導体チップ７０と、半導体チップ７０と端子１２を接続するボンディングワイヤ７２と、半導体チップ７０及びボンディングワイヤ７２を封止し、リードフレーム１００の一対の主面１００ａ，１００ｂの少なくとも一部を覆う封止樹脂８０とを備える。

封止樹脂８０は、リードフレーム１００の主面１００ａ側において、半導体チップ７０を覆うとともに、端子１２を覆うように設けられている。封止樹脂８０は、リードフレーム１００の主面１００ｂ側において、端子１２の基端部１２Ｂを覆うように設けられている。この端子１２の基端部１２Ｂの下側に設けられている封止樹脂８０は、薄肉樹脂部８２をなしている。薄肉樹脂部８２は、貫通孔１７に充填されていた封止樹脂８０によって、主面１００ａ上に設けられている封止樹脂８０と接続されている。このため、薄肉樹脂部８２が端子１２の基端部１２Ｂから剥離することを抑制できる。

図７は、半導体パッケージ１５０の側面図である。端子１２（基端部１２Ｂ）は、封止樹脂８０に囲まれており、半導体パッケージ１５０の側面において、その端面が露出している。端子１２の基端部１２Ｂの下方、すなわち、主面１００ｂ側には薄肉樹脂部８２が形成されている。薄肉樹脂部８２は、貫通孔１７内に形成されていた封止樹脂８６によって、主面１００ａ側の封止樹脂８０と接続されている。これによって、薄肉樹脂部８２が端子１２から剥離することを抑制できる。

図８は、別の例の半導体パッケージの側面図である。この半導体パッケージは、図４に示すような切欠部１５を有する基端部１２Ｄを有するリードフレームを用いて製造される。端子１２（基端部１２Ｄ）は、封止樹脂８０に囲まれており、この半導体パッケージの側面において、その端面が露出している。端子１２の基端部１２Ｄの下方、つまり、主面１００ｂ側には薄肉樹脂部８２が形成されている。薄肉樹脂部８２は、切欠部１５内に形成されていた封止樹脂８６によって、主面１００ａ側の封止樹脂８０と接続されている。すなわち、基端部１２Ｄが切欠部１５を有するため、先端部１２Ａよりも幅（図８の横方向の長さ）が小さくなっている。このため、隣接する端子１２間（基端部１２Ｄ間）に介在する封止樹脂８４のサイズを大きくすることができる。

薄肉樹脂部８２は、隣接する端子１２間（基端部１２Ｄ間）に介在する封止樹脂８４によって、主面１００ａ側の封止樹脂８０と接続されている。これによって、薄肉樹脂部８２が端子１２から剥離することを抑制できる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、図６において、主面１００ｂ側においてパッド１０と端子１２の先端部１２Ａが露出しているが、このようなパッド露出タイプのリードフレームに限定されない。例えば、主面１００ｂ側においてパッド１０を覆うように封止樹脂が設けられていてもよい。端子の基端部に貫通孔を有するリードフレームの実施形態と、端子の基端部に切欠部を有するリードフレームの実施形態を別々に説明したが、これらに限定されない。すなわち、端子の基端部に貫通孔と切欠部の両方を設けてもよい。

上記実施形態では、先端部１２Ａ及び基端部１２Ｂ，１２Ｄのそれぞれの厚みが均一であったが、これに限定されない。すなわち、先端部１２Ａが基端部１２Ｂ，１２Ｄよりも厚みの大きい部分を有していれば、先端部１２Ａ及び基端部１２Ｂ，１２Ｄのそれぞれの厚みは均一でなくてもよい。例えば、先端部１２Ａは、外縁部の少なくとも一部が該外縁部の内側の本体部の厚みよりも薄くなっていてもよい。

半導体パッケージを製造する際に、封止樹脂の剥離を抑制することが可能なリードフレームが提供される。封止樹脂の剥離を抑制することが可能な半導体パッケージ及びその製造方法が提供される。

１０…パッド、１２…端子、１２Ａ…先端部、１２Ｂ，１２Ｄ…基端部、１４…サポートバー、１５…切欠部、１６…タイバー、１７，１８…貫通孔、１９…凹部、４０…切削部、７０…半導体チップ、７２…ボンディングワイヤ、８０，８４，８６…封止樹脂、８２…薄肉樹脂部、１００…単位フレーム（リードフレーム）、１００ａ，１００ｂ，２００ａ，２００ｂ…主面、１１０…樹脂封止体、１５０…半導体パッケージ、２００…リードフレーム。

Claims (4)

1. 一対の端子と、その間に設けられ、前記端子が基端部において連結されるタイバーと、を備えるリードフレームであって、
   前記端子の前記基端部は先端部よりも薄く、
   前記基端部の幅は前記先端部の幅と同一であり、
   前記基端部は、厚さ方向に貫通する貫通孔を有するリードフレーム。
2. 前記基端部における前記貫通孔は、前記タイバーに延在しており、前記一対の端子のそれぞれの前記基端部とその間の前記タイバーとにおいて連通している、請求項１に記載のリードフレーム。
3. 上面側に半導体チップが搭載されるパッドと、前記タイバーに連結され、前記パッドを支持するサポートバーと、を備えており、
   前記端子の先端部の下面よりも、前記端子の基端部の下面の方が上方に位置している、請求項１又は２に記載のリードフレーム。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のリードフレームの上に半導体チップを搭載する搭載工程と、
   前記半導体チップを封止し、前記リードフレームの一対の主面の少なくとも一部を覆うとともに前記貫通孔内に封止樹脂を設ける封止工程と、
   前記タイバーに沿って、前記タイバー及び前記貫通孔内の封止樹脂の一部を切削し、当該封止樹脂が一方の主面上の前記封止樹脂と他方の主面上の前記封止樹脂とを接続している半導体パッケージを得るダイシング工程と、を有する、半導体パッケージの製造方法。

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