JPH11220057A - Ｂｇａパッケージ、及びパッケージ内半導体チップの温度測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板上の任意の部位の電位測定等の電気
的測定を可能にするＢＧＡパッケージを提供する。 【解決手段】 外部回路と接続するために取り付けられ
た半田ボールと該半田ボールの取り付け面の反対側に載
置された半導体チップとを電気的に接続する回路基板
と、前記回路基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記
回路基板を固定する固定用板部材と、前記半導体チップ
及び前記固定用板部材の面に絶縁性接着剤で接着された
カバープレートとを有し、前記カバープレートの反対側
で前記半導体チップを樹脂封止したＢＧＡパッケージに
おいて、前記カバープレートから前記固定用板部材を介
して前記回路基板の導電部に達する貫通孔を１つまたは
複数設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半田ボールを介し
てＰＣＢ基板等に接続されるＢＧＡパッケージ、及びＩ
Ｃパッケージ内のチップ温度を測定するパッケージ内半
導体チップの温度測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、代表的な表面実装型パッケー
ジとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）等があり、近年の低価格化、小型・薄型化、多ピ
ン化、高放熱化の要求により、パッケージのリードのフ
ァインピッチ化が進められてきた。しかし、ファインピ
ッチＱＦＰの実装は難しく、そのため実装性の容易なＢ
ＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージの
要求が高まっている。

【０００３】ＢＧＡパッケージの実装のし易さは、パッ
ケージとＰＣＢ基板が多少ずれた状態にあっても、実装
時に熱を加えて半田ボールが溶けると正しい位置へ自動
的に移動する（セルフ・アライメント：Ｓｅｌｆ Ａｌ
ｉｇｎｍｅｎｔ）点にある。

【０００４】このＢＧＡパッケージは、その構造や材質
の違いにより、ＰＢＧＡ（プラスチックＢＧＡ）、ＣＢ
ＧＡ（セラミックＢＧＡ）、及びＴＢＧＡ（テープＢＧ
Ａ）等に分類されている。このうち、ＰＢＧＡやＣＢＧ
Ａは、ワイヤボンディグ技術を用いてＩＣチップとＰＣ
Ｂ基板またはセラミック基板を接続するのに対し、ＴＢ
ＧＡは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）技術を使用している。ＴＢＧＡは、ＴＡＢ
技術を使用することにより、チップから引き出す配線間
隔を狭くすることができ、小チップサイズ／多ピンパッ
ケージを実現することができ、小チップ化によるコスト
メリットを受ける。

【０００５】図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は、従来のＴ
ＢＧＡパッケージの構造を示す図であり、同図（ａ）は
その断面図、同図（ｂ）及び同図（ｃ）はその要部上面
図である。

【０００６】図８（ａ）に示すように、ポリイミドテー
プ１１０は、両面に銅箔１１４がパターン形成されたテ
ープ本体１１１と、レジスト１１２，１１３とから成
り、ポリイミドテープ１１０の底面には半田ボール１１
５が取り付けられている。ポリイミドテープ１１０の上
面中央部には半導体チップ１１６が搭載されている。さ
らに、半導体チップ１１６がポリイミドテープ１１０の
底面側において樹脂１１７でモールドされている。

【０００７】また、半導体チップ１１６の周囲部のポリ
イミドテープ１１０上面には接着剤１１８によってステ
ィフナ１１９が接着され、さらにスティフナ１１９と半
導体チップ１１６の上面に接着剤１２０によってカバー
プレート１２１が接着されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のＢＧＡパッ
ケージには次のような問題点があった。

【０００９】（１）ＴＢＧＡパッケージの構造は、それ
ぞれ１つのカバープレート１２１、スティフナ１１９が
絶縁性の接着剤１２０，１１８で接続されているだけな
ので、このカバープレート１２１及びスティフナ１１９
はフローティングの状態となっている。そのため、シー
ルド効果やパッケージの特性インピーダンスの調整など
が困難である。

【００１０】（２）ＩＣチップ１１６と電気的に接続さ
れている部位にパッケージ上方より接触を図ることがで
きないため、電気的な測定が困難である。

【００１１】（３）半田ボール１１５がすべてパッケー
ジ底面に配置されているため、実装後ＱＦＰの様にパッ
ケージのピンに接触することができず電位の測定が困難
である。

【００１２】また、ＢＧＡパッケージを含めた従来のＩ
Ｃパッケージでは、パッケージ内のチップ温度を直接測
定する有効な方法は存在しなかった。

【００１３】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、回路基板上の
任意の部位の電気的測定を可能にするＢＧＡパッケージ
を提供することである。またその他の目的は、パッケー
ジ上方より回路基板上の任意の部位に接触して、シール
ド効果や特性インピーダンスの調整等を容易に行えるＢ
ＧＡパッケージを提供することである。さらにその他の
目的は、ＩＣパッケージ内の半導体チップの温度を実装
後でも簡単に測定することできるパッケージ内半導体チ
ップの温度測定方法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明であるＢＧＡパッケージの特徴は、外部
回路と接続するために取り付けられた半田ボールと該半
田ボールの取り付け面の反対側に載置された半導体チッ
プとを電気的に接続する回路基板と、前記回路基板上に
絶縁性の接着剤で接着されて前記回路基板を固定する固
定用板部材と、前記半導体チップ及び前記固定用板部材
の面に絶縁性接着剤で接着されたカバープレートとを有
し、前記カバープレートの反対側で前記半導体チップを
樹脂封止したＢＧＡパッケージにおいて、前記カバープ
レートから前記固定用板部材を介して前記回路基板の導
電部に達する貫通孔を１つまたは複数設けたことにあ
る。

【００１５】この第１の発明によれば、半導体チップと
電気的に接続された回路基板上の導電部にパッケージ上
方より貫通孔を通して接触を図ることができる。

【００１６】第２の発明であるＢＧＡパッケージの特徴
は、外部回路と接続するために取り付けられた半田ボー
ルと該半田ボールの取り付け面の反対側に載置された半
導体チップとを電気的に接続する回路基板と、前記回路
基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記回路基板を固
定する導電性の固定用板部材と、前記半導体チップ及び
前記固定用板部材の面に絶縁性接着剤で接着されたカバ
ープレートとを有し、前記カバープレートの反対側で前
記半導体チップを樹脂封止したＢＧＡパッケージにおい
て、前記カバープレートに前記固定用板部材まで達する
穴を設けると共に、前記固定用板部材には前記回路基板
の導電部に当接する凸部を設けたことにある。

【００１７】この第２の発明によれば、回路基板上の導
電部と電気的に接続された固定用板部材を独立した電極
として機能させ、パッケージ上方より固定用板部材に接
触を図ることができる。

【００１８】第３の発明であるＢＧＡパッケージの特徴
は、外部回路と接続するために取り付けられた半田ボー
ルと該半田ボールの取り付け面の反対側に載置された半
導体チップとを電気的に接続する回路基板と、前記回路
基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記回路基板を固
定する導電性の固定用板部材と、前記半導体チップ及び
前記固定用板部材の面に絶縁性接着剤で接着された導電
性のカバープレートとを有し、前記カバープレートの反
対側で前記半導体チップを樹脂封止したＢＧＡパッケー
ジにおいて、前記カバープレートには前記固定用板に当
接する凸部を設けると共に、前記固定用板には前記回路
基板の導電部に当接する凸部を設けたことにある。

【００１９】この第３の発明によれば、回路基板上の導
電部と電気的に接続されたカバープレートを独立した電
極として機能させ、パッケージ上方よりカバープレート
に接触を図ることができる。

【００２０】第４の発明であるＢＧＡパッケージの特徴
は、外部回路と接続するために取り付けられた半田ボー
ルと該半田ボールの取り付け面の反対側に載置された半
導体チップとを電気的に接続する回路基板と、前記回路
基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記回路基板を固
定する固定用板部材と、前記半導体チップ及び前記固定
用板部材の面に絶縁性接着剤で接着された導電性のカバ
ープレートとを有し、前記カバープレートの反対側で前
記半導体チップを樹脂封止したＢＧＡパッケージにおい
て、前記固定用板部材には貫通孔を設けると共に、前記
カバープレートには前記貫通孔を通り抜けて前記回路基
板の導電部に直接当接する凸部を設けたことにある。

【００２１】この第４の発明によれば、回路基板上の導
電部と電気的に接続されたカバープレートを独立した電
極として機能させ、パッケージ上方よりカバープレート
に接触を図ることができる。

【００２２】第５の発明であるパッケージ内半導体チッ
プの温度測定方法の特徴は、回路基板上の半導体チップ
を封止するＩＣパッケージに対し、前記半導体チップに
温度測定用の半導体素子を組み込むと共に、ＩＣパッケ
ージの上方から前記回路基板上の導電部に電気的に接続
するための接続手段を２つ以上設け、さらに周囲温度と
前記半導体素子の電気抵抗値の関係を設定しておき、前
記半導体チップを動作させた状態で前記接続手段を介し
て前記半導体素子の電気抵抗値を測定することにある。

【００２３】この第５の発明によれば、ＩＣパッケージ
の上方から接続手段を介して回路基板上の導電部に電気
的に接続して、温度測定用の半導体素子の電気抵抗値を
測定することにより、信号用ピンや半田ボールを使用せ
ずに、ＩＣパッケージ内の半導体チップの温度を的確に
測定することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本
発明の第１実施形態に係るＴＢＧＡパッケージの構造図
であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）及び（ｃ）は
その要部上面図である。

【００２５】図１（ａ）に示すように、ポリイミドテー
プ１０は、両面に銅箔１４がパターン形成されたテープ
本体１１と、このテープ本体１１及び銅箔１４を覆うレ
ジスト１２，１３とから成り、ポリイミドテープ１０の
底面には半田ボール１５が取り付けられている。このポ
リイミドテープ１０の上面中央部には半導体チップ１６
がフェースダウンで搭載され、所定電気回路を構成すべ
く半導体チップ１６の各電極がテープ本体１１に接続さ
れている。さらに半導体チップ１６がポリイミドテープ
１０の底面側において樹脂１７でモールドされている。

【００２６】また、半導体チップ１６の周囲部のポリイ
ミドテープ１０上面には絶縁性接着剤１８によってステ
ィフナ１９が接着され、さらにスティフナ１９と半導体
チップ１６の上面に絶縁性接着剤２０によってカバープ
レート２１が接着されている。なお、図中１６Ａは、半
導体チップ１６、スティフナ１９及びカバープレート２
１によって形成された空隙である。そして、半導体チッ
プ１６からスティフナ１９を介してスティフナ１９の銅
箔１４に達する貫通孔２２，２３が半導体チップ１６の
両サイドに形成されている。

【００２７】このような構造のＴＢＧＡパッケージの組
み立て工程を図２（ａ）〜（ｅ）に示す。

【００２８】予め、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、
スティフナ１９とカバープレート２１の同位置に同サイ
ズの孔２２，２３を設けておく。

【００２９】まず、フェースダウンの半導体チップ１６
をポリイミドテープ１０に圧着した後（図２（ａ））、
半導体チップ１６をポリイミドテープ１０の底面側にお
いて樹脂１７でモールドする（図２（ｂ））。次いで、
孔２２，２３が設けられたスティフナ１９を接着剤１８
でポリイミドテープ１０上面に接着し（図２（ｃ））、
さらに孔２２，２３が設けられたカバープレート２１を
接着剤２０によってスティフナ１９の上面に接着する
（図２（ｄ））。このとき、スティフナ１９とカバープ
レート２１の孔２２，２３が重なるように位置合わせす
る。

【００３０】最後に、ポリイミドテープ１０の底面に半
田ボール１５を取り付ければ、図１に示す構造のＴＢＧ
Ａパッケージが得られる（図２（ｅ））。

【００３１】上記構造のＴＢＧＡパッケージによれば、
半導体チップ１６と電気的に接続されたポリイミドテー
プ１０の銅箔１４の部位Ｐ１，Ｐ２に対し、貫通孔２
２，２３を通して、針状の測定用端子でパッケージ上方
より接触を図ることができる。これにより、本実施形態
では次のような利点がある。

【００３２】（１）ポリイミドテープ１０上の任意の銅
箔１４の電位測定等の電気的測定が可能である。これ
は、パッケージをＰＣＢ基板等に実装した後も可能であ
る。

【００３３】（２）信号ピンに接触する必要がないの
で、半導体チップ１６上の信号ピンに接続していない端
子の電位をポリイミドテープ１０、スティフナ１９及び
カバープレート２１上で測定することができ、ＩＣに本
来要求されている機能以外の要素に関する測定用あるい
はテスト用端子を、信号ピンを使用せずに複数個設ける
ことができる。

【００３４】（３）電極が少なくとも２つあれば、半導
体チップ１６上の素子を利用して実装後でも半導体チッ
プ１６の温度を簡単に測定することが可能である。

【００３５】この（３）の利点について具体例（Ａ），
（Ｂ）を説明する。

【００３６】（Ａ）温度測定に使用する目的で半導体チ
ップ１６上にダイオード等の半導体素子を作り込んでお
く。さらに、周囲温度とその半導体素子の電気抵抗値の
関係を予め記録しておくこのとき、周囲温度を変化させ
た時は電気抵抗値を記録するまでに十分時間をおき、チ
ップ温度＝周囲温度になるようにしてから、電気抵抗値
を記録するように注意する。実際に、そのＩＣを動作さ
せた状態で当該半導体素子の電気抵抗を測定すれば、半
導体チップ１６の温度を知ることができる。

【００３７】（Ｂ）半導体チップ１６上に予め熱電対素
子を作り込んでおき、温度を測定する。

【００３８】いずれの場合にも、温度を電気的に測定す
るためにパッケージ外部に２つ以上の測定用端子を必要
とする。

【００３９】ＩＣパッケージのボールやピンを温度測定
用端子に使用すると、数ボール／リードを無駄にするこ
とになる。また、ＩＣパッケージの実装後において、そ
のボール／リードに針状の測定用端子で接触を図ること
は困難（ＱＦＰのリードは細く、リードピッチも狭
い）、あるいは不可能（ＢＧＡのボールはパッケージと
ＰＣＢ基板間に存在する）であるため、ＩＣパッケージ
を実装する基板上に温度測定用配線や端子等を用意する
必要がある。

【００４０】本発明では、パッケージ上方から測定用端
子に接触することができるので、ボール（ＢＧＡ）や信
号用ピン（ＱＦＰ）を使用せずに、この種の温度測定を
容易に行うことができる。

【００４１】次に、本発明の第２実施形態を説明する。

【００４２】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の
第２実施形態に係るＴＢＧＡパッケージの構造図であ
り、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）はスティフナの上
面図、同図（ｃ）はカバープレートの上面図であり、図
１と共通の要素には同一の符号を付してその説明を省略
する。

【００４３】本実施形態では、複数個に分割させたステ
ィフナ１９Ａの形状にそれぞれ凸型部１９ａ，１９ｂを
設け、カバープレート２１には予めスティフナ１９Ａの
凸型部１９ａ，１９ｂの上部に当たる位置に孔２２，２
３を設ける。

【００４４】圧着による組み立ての際に、スティフナ１
９Ａの凸型部１９ａ，１９ｂがポリイミドテープ１０と
スティフナ１９とを接続する接着剤１８を突き破り、半
導体チップ１６と電気的に接続されたポリイミドテープ
１０の部位Ｐ１，Ｐ２に接触する。これにより、ポリイ
ミドテープ１０の部位Ｐ１に電気的に接続されたスティ
フナ１９Ａを独立した複数個の電極として機能させ、パ
ッケージ上方よりスティフナ１９Ａに接触を図ることが
できる。

【００４５】本実施形態でも、上記第１実施形態と同様
の利点を有するほか、シールド効果やパッケージの特性
インピーダンスの調整なども容易に可能になる。

【００４６】次に、本発明の第３実施形態を説明する。

【００４７】図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の
第３実施形態に係るＴＢＧＡパッケージの構造図であ
り、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）はスティフナの上
面図、同図（ｃ）はカバープレートの上面図であり、図
１と共通の要素には同一の符号を付してその説明を省略
する。

【００４８】本実施形態では、複数個に分割されたステ
ィフナ１９Ａ及び複数個に分割されたカバープレート２
１Ａの形状にそれぞれ凸型部１９ａ，１９ｂ、２１ａ，
２１ｂを設ける。

【００４９】圧着による組み立ての際に、カバープレー
ト２１Ａの凸型部２１ａ，２１ｂがスティフナ１９Ａと
カバープレート２１Ａとを接続する接着剤２０を突き破
りスティフナ１９Ａに接触し、同様にスティフナ１９Ａ
の凸型部１９ａ，１９ｂがポリイミドテープ１０とステ
ィフナ１９Ａとを接続する接着剤１８を突き破り、半導
体チップ１６と電気的に接続されたポリイミドテープ１
０上の導電部に接触する。これにより、ポリイミドテー
プ１０の導電部と電気的に接続されたカバープレート２
１Ａを独立した複数個の電極として機能させ、パッケー
ジ上方よりカバープレート２１Ａに接触を図ることがで
きる。

【００５０】本実施形態でも、上記第２実施形態と同様
の利点を有する。

【００５１】次に、本発明の第４実施形態を説明する。

【００５２】図５は、本発明の第４実施形態に係るＴＢ
ＧＡパッケージの構造図であり、図１と共通の要素には
同一の符号を付してその説明を省略する。

【００５３】本実施形態では、上記第３実施形態と同様
に、複数個に分割されたスティフナ１９Ａ及び複数個に
分割されたカバープレート２１Ｂの形状にそれぞれ凸型
部１９ａ，１９ｂ、２１ｃ，２１ｄを設ける。組み立て
後のカバープレート２１Ｂの形状は、上記第３実施形態
のカバープレートとは異なり、凸型部２１ｃ，２１ｄ
に、それぞれスティフナ１９Ａまで達する孔２１ｅ，２
１ｆが形成されている。

【００５４】圧着による組み立ての際に、カバープレー
ト２１Ｂの凸型部２１ｃ，２１ｄがスティフナ１９Ａと
カバープレート２１Ｂとを接続する接着剤２０を突き破
りスティフナ１９Ａに接触し、同様にスティフナ１９Ａ
の凸型部１９ａ，１９ｂがポリイミドテープ１０とステ
ィフナ１９Ａとを接続する接着剤１８を突き破り、半導
体チップ１６と電気的に接続されたポリイミドテープ１
０上の導電部に接触する。これにより、半導体チップ１
６と電気的に接続されたカバープレート２１Ｂを独立し
た複数個の電極として機能させ、パッケージ上方よりカ
バープレート２１Ｂに接触を図ることができる。

【００５５】本実施形態でも、上記第１実施形態と同様
の利点を有する。

【００５６】次に、本発明の第５実施形態を説明する。

【００５７】図６は、本発明の第５実施形態に係るＴＢ
ＧＡパッケージの構造図であり、図１と共通の要素には
同一の符号を付してその説明を省略する。

【００５８】本実施形態では、複数個に分割されたカバ
ープレート２１Ｃの形状にそれぞれ凸型部２１ｇ，２１
ｈを設け、スティフナ１９Ａには予めカバープレート２
１Ｃの凸型部２１ｇ，２１ｈが通り抜けるように孔１９
ｃ，１９ｄを設ける。

【００５９】圧着による組み立ての際に、カバープレー
ト２１Ｃの凸型部２１ｇ，２１ｈがスティフナ１９Ａの
孔１９ｃ，１９ｄを通り抜け、半導体チップ１６と電気
的に接続されたポリイミドテープ１０上の導電部に接触
する。これにより、カバープレート２１Ｃを独立した複
数個の電極として機能させ、パッケージ上方よりカバー
プレート２１Ｃに接触を図ることができる。

【００６０】本実施形態でも、上記第２実施形態と同様
の利点を有する。

【００６１】次に、本発明の第６実施形態を説明する。

【００６２】図７は、本発明の第６実施形態に係るＴＢ
ＧＡパッケージの構造図であり、図１と共通の要素には
同一の符号を付してその説明を省略する。

【００６３】本実施形態では、上記第５実施形態と同様
に、複数個に分割されたカバープレート２１Ｃの形状に
それぞれ凸型部２１ｇ，２１ｈを設け、スティフナ１９
Ａには予めカバープレート２１Ｃの凸型部２１ｇ，２１
ｈが通り抜けるように孔１９ｃ，１９ｄを設ける。組み
立て後のカバープレート２１Ｃの形状は、上記第５実施
形態のカバープレートとは異なり、凸型部２１ｇ，２１
ｈに、それぞれスティフナ１９Ａまで達する孔が形成さ
れている。

【００６４】圧着による組み立ての際に、カバープレー
ト２１Ｃの凸型部がスティフナ１９Ａの孔１９ｃ，１９
ｄを通り抜け、半導体チップ１６に電気的に接続された
ポリイミドテープ１０上の導電部に接触する。これによ
り、カバープレート２１Ｃを独立した複数個の電極とし
て機能させ、パッケージ上方よりカバープレート２１Ｃ
に接触を図ることができる。

【００６５】本実施形態でも、上記第２実施形態と同様
の利点を有する。

【００６６】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
であるＢＧＡパッケージによれば、カバープレートから
固定用板部材を介して回路基板の導電部に達する貫通孔
を１つまたは複数設けたので、次のような効果を得るこ
とができる。

【００６７】（１）半導体チップと電気的に接続されて
いる回路基板上の任意の導電部に、パッケージ上方より
接触を図ることができるため、回路基板上の任意の導電
部の電位測定等の電気的測定が可能である。これは、パ
ッケージの実装後も可能な効果である。

【００６８】（２）信号ピンに接触する必要がないの
で、半導体チップ上の信号ピンに接続していない端子の
電位を回路基板、固定用板部材及びカバープレート上で
測定することができ、半導体チップに本来要求されてい
る機能以外の、測定用あるいはテスト用端子を信号ピン
を使用せずに複数個設けることができる。

【００６９】第２の発明であるＢＧＡパッケージによれ
ば、カバープレートに固定用板部材まで達する穴を設け
ると共に、固定用板部材には回路基板の導電部に当接す
る凸部を設けたので、上記第１の発明と同等の効果を奏
するほか、パッケージ上方より接触を図ることができる
独立した複数個の電極を設けることができ、この電極の
電位測定等の電気的測定が可能になる。また、シールド
効果やパッケージの特性インピーダンスの調整なども容
易に可能となる。

【００７０】第３の発明であるＢＧＡパッケージによれ
ば、カバープレートには固定用板に当接する凸部を設け
ると共に、固定用板には回路基板の導電部に当接する凸
部を設けたので、上記第１及び第２の発明と同等の効果
を奏する。

【００７１】第４の発明であるＢＧＡパッケージによれ
ば、固定用板部材には貫通孔を設けると共に、カバープ
レートには貫通孔を通り抜けて回路基板の導電部に直接
当接する凸部を設けたので、上記第１及び第２の発明と
同等の効果を奏する。

【００７２】第５の発明であるパッケージ内半導体チッ
プの温度測定方法によれば、半導体チップに温度測定用
の半導体素子を組み込むと共に、ＩＣパッケージの上方
から回路基板上の導電部に電気的に接続するための接続
手段を設け、さらに周囲温度と前記半導体素子の電気抵
抗値の関係を設定しておき、前記半導体チップを動作さ
せた状態で前記接続手段を介して半導体素子の電気抵抗
値を測定するようにしたので、半導体チップ上の半導体
素子を利用して、ＩＣパッケージ内の該半導体チップの
温度を実装後でも簡単に測定することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係るＴＢＧＡパッケー
ジの構造図である。

【図２】図１に示したＴＢＧＡパッケージの組み立て工
程図である。

【図３】本発明の第２実施形態に係るＴＢＧＡパッケー
ジの構造図である。

【図４】本発明の第３実施形態に係るＴＢＧＡパッケー
ジの構造図である。

【図５】本発明の第４実施形態に係るＴＢＧＡパッケー
ジの構造図である。

【図６】本発明の第５実施形態に係るＴＢＧＡパッケー
ジの構造図である。

【図７】本発明の第６実施形態に係るＴＢＧＡパッケー
ジの構造図である。

【図８】従来のＴＢＧＡパッケージの構造を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０ ポリイミドテープ １１ テープ本体 １２，１３ レジスト １４ 銅箔 １５ 半田ボール １６ 半導体チップ １７ 樹脂 １８ 接着剤 １９ スティフナ １９Ａ スティフナ １９ａ，１９ｂ スティフナの凸型部 ２０ 接着剤 ２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ カバープレート ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｇ，２１ｈ カ
バープレートの凸型部 ２２，２３ 貫通孔

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部回路と接続するために取り付けられ
   た半田ボールと該半田ボールの取り付け面の反対側に載
   置された半導体チップとを電気的に接続する回路基板
   と、前記回路基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記
   回路基板を固定する固定用板部材と、前記半導体チップ
   及び前記固定用板部材の面に絶縁性接着剤で接着された
   カバープレートとを有し、前記カバープレートの反対側
   で前記半導体チップを樹脂封止したＢＧＡパッケージに
   おいて、 前記カバープレートから前記固定用板部材を介して前記
   回路基板の導電部に達する貫通孔を１つまたは複数設け
   たことを特徴とするＢＧＡパッケージ。
2. 【請求項２】 外部回路と接続するために取り付けられ
   た半田ボールと該半田ボールの取り付け面の反対側に載
   置された半導体チップとを電気的に接続する回路基板
   と、前記回路基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記
   回路基板を固定する導電性の固定用板部材と、前記半導
   体チップ及び前記固定用板部材の面に絶縁性接着剤で接
   着されたカバープレートとを有し、前記カバープレート
   の反対側で前記半導体チップを樹脂封止したＢＧＡパッ
   ケージにおいて、 前記カバープレートに前記固定用板部材まで達する穴を
   設けると共に、前記固定用板部材には前記回路基板の導
   電部に当接する凸部を設けたことを特徴とするＢＧＡパ
   ッケージ。
3. 【請求項３】 外部回路と接続するために取り付けられ
   た半田ボールと該半田ボールの取り付け面の反対側に載
   置された半導体チップとを電気的に接続する回路基板
   と、前記回路基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記
   回路基板を固定する導電性の固定用板部材と、前記半導
   体チップ及び前記固定用板部材の面に絶縁性接着剤で接
   着された導電性のカバープレートとを有し、前記カバー
   プレートの反対側で前記半導体チップを樹脂封止したＢ
   ＧＡパッケージにおいて、 前記カバープレートには前記固定用板に当接する凸部を
   設けると共に、前記固定用板には前記回路基板の導電部
   に当接する凸部を設けたことを特徴するＢＧＡパッケー
   ジ。
4. 【請求項４】 外部回路と接続するために取り付けられ
   た半田ボールと該半田ボールの取り付け面の反対側に載
   置された半導体チップとを電気的に接続する回路基板
   と、前記回路基板上に絶縁性の接着剤で接着されて前記
   回路基板を固定する固定用板部材と、前記半導体チップ
   及び前記固定用板部材の面に絶縁性接着剤で接着された
   導電性のカバープレートとを有し、前記カバープレート
   の反対側で前記半導体チップを樹脂封止したＢＧＡパッ
   ケージにおいて、 前記固定用板部材には貫通孔を設けると共に、前記カバ
   ープレートには前記貫通孔を通り抜けて前記回路基板の
   導電部に直接当接する凸部を設けたことを特徴するＢＧ
   Ａパッケージ。
5. 【請求項５】 回路基板上の半導体チップを封止するＩ
   Ｃパッケージに対し、 前記半導体チップに温度測定用
   の半導体素子を組み込むと共に、ＩＣパッケージの上方
   から前記回路基板上の導電部に電気的に接続するための
   接続手段を２つ以上設け、さらに周囲温度と前記半導体
   素子の電気抵抗値の関係を設定しておき、 前記半導体
   チップを動作させた状態で前記接続手段を介して前記半
   導体素子の電気抵抗値を測定することを特徴とすること
   を特徴とするパッケージ内半導体チップの温度測定方
   法。