JPH11218783A - 薄膜素子の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 導電性薄膜を絶縁する感光性樹脂膜にコンタ
クトホールを形成する際の、導電性薄膜のパターン形状
との位置合わせ精度を向上し、コンタクトホールの微細
加工を実現し、高精細・高密度の液晶表示装置の開口率
の向上を図る。 【解決手段】 ソース電極２８領域において、ソース電
極２８のパターンよりも小さい領域［Ｂ］の感光性アク
リル樹脂膜１２を露光後、アルカリ性溶液によって現像
を行う。これによりエッチング除去された露光領域
［Ｂ］をきっかけに感光性アクリル樹脂膜１２とソース
電極２８との間にアルカリ性溶液を浸透し、感光性アク
リル樹脂膜１２とソース電極２８間のアルカリ性溶液に
対する密着性の弱さによりソース電極２８のパターン領
域［Ａ］とほぼ相似形状の感光性アクリル樹脂膜１２を
剥離除去してコンタクトホール３１を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性薄膜を感光
性樹脂膜にて絶縁してなる薄膜素子の導電性薄膜上方に
形成されるコンタクトホール形成方法に関する。また本
発明は、感光性樹脂膜を介しスイッチング素子上方に形
成されるマトリクス状の画素電極を有してなる液晶表示
装置及び液晶表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置の画素の高精細化・
高密度化に伴い、構成材料の微細加工技術が求められて
いる。画素の高精細化は、液晶表示装置の表示領域にお
ける単位面積当たりの画素数を増加することにより達成
されるが、この画素数の増加は単位面積当たりの配線パ
ターンを増加することから、遮光領域の拡大を招く事と
も成り、結果的に画素の開口率を低下していた。

【０００３】このような画素の高精細化を得ようとする
と開口率の低下を来してしまうという相反する関係を改
善する手段のーつとして、特開平９−２３６８２６の様
に、アレイ基板上の画素電極を、厚みを持った絶縁膜を
間に挟んで配線上方に配置し、開口率の向上を図る方法
がある。このような画素電極を配線上方に配置する構造
に使用される絶縁膜には、上記の見かけの開口率の改善
といった役割の他に、配線層の凹凸による液晶表示装置
の表示むらを解消するための平坦化層の役割をも担って
いる。このため従来は、配線及び画素電極間に介在され
る絶縁膜として、厚膜化が容易な感光性有機樹脂膜が一
般に使用されている。

【０００４】そして絶縁膜を介して配線上方に画素電極
を配置してなる構造を有するアレイ基板にあっては、絶
縁膜に画素電極及び配線間を結ぶコンタクトホールと称
される穴を形成し、このコンタクトホールにより、画素
コンタクトと称される配線及び画素電極間の電気的接続
を行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来、絶縁膜を介して
配線上方に画素電極を配置してなるアレイ基板は、絶縁
膜に形成されるコンタクトホールを介し配線及び画素電
極間の電気的接続を行うが、液晶表示装置の高精細化に
伴う構成材料の微細化の要求に従い、コンタクトホール
のパターン形成時、配線とのより高精度な位置合わせ技
術の確立が求められている。

【０００６】しかしながら、絶縁膜である感光性樹脂膜
は、アレイ基板の平坦化を図るために１〜６μｍ程度に
厚膜化される事を要求されるので、コンタクトホールを
パタ−ニングする際のレンズによる露光位置合わせの焦
点深度が深くなり、下層のアライメントマークへの高精
細な位置合わせが困難であるという問題がある。

【０００７】さらに、膜厚が１〜６μｍと厚い感光性樹
脂膜をパタ−ニングするのに必要な露光量、すなわち露
光にかかる時間は、一般的なフォトレジストの数十倍を
要してしまうという問題も生じている。

【０００８】このため、前者の問題を解決するよう、感
光性樹脂膜が塗布された基板を載置するステージの移動
の機械的精度を向上させたり、或いはステージと向き合
うように設置された位置合わせ用のカメラの焦点方向の
レンズ移動の機械的精度を向上させ、オートフォーカス
の信頼度を増して位置精度を向上させている。又後者の
問題に対しては、感光性樹脂膜の露光終了後から現像開
始までの時間を短縮することにより全体としての製造時
間の短縮を図ったり、現像工程において、現像液濃度、
現像時間、シャワー圧力等の調整を行うことにより露光
時間の短縮を図るという方法が検討されている。

【０００９】しかしながら、前者の位置合わせ精度に対
する対策としてのステージ或いはレンズの移動の機械的
精度の向上によるオートフォーカスの信頼性の向上には
限界があり、膜厚が１μｍ以上になると、焦点深度が深
くなり十分な精度を得られないという問題を依然として
残す一方、オートフォーカス時のエラーによる再調整が
発生されると、位置合わせに時間を要するという問題も
生じている。又後者の露光時間短縮を図る対策に関して
は、結果的に現像性能の低下をもたらすおそれを生じて
いた。

【００１０】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、コンタクトホールのパターンの位置合わせに長時間
を要する事無く且つ高い位置合わせ精度を得られると共
に、感光性樹脂膜の膜厚の増大に拘わらず、現像性能を
低下する事無く効率の良いパターニングを行える薄膜素
子のコンタクトホール形成方法、液晶表示装置及び液晶
表示装置の製造方法を提供する事を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する為の手段として、絶縁性基板上に所定パターンの導
電性薄膜をパターン形成する第１の工程と、前記導電性
薄膜を覆って絶縁性の感光性樹脂膜を成膜する第２の工
程と、前記感光性樹脂膜を露光した後現像液に浸すこと
により前記導電性薄膜上にコンタクトホールを形成する
第３の工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電
性薄膜と接続される電極パターンを形成する第４の工程
とを具備し、前記感光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間
の現像液に対する密着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁
性基板との間の現像液に対する密着性よりも弱く、前記
第３の工程において前記導電性薄膜パターンよりも小さ
い領域に露光した後前記感光性樹脂膜を現像液に浸すも
のである。

【００１２】又本発明は上記課題を解決する為の手段と
して、絶縁性基板上に配置される信号線及びこの信号線
と交差するよう配置される走査線との交点に配列される
スイッチング素子の所定パターンを有する導電性薄膜か
らなる接続領域に接続されマトリクス状に配置される画
素電極を有するアレイ基板及び、対向電極を有し前記ア
レイ基板に対向されする対向基板並びに、前記アレイ基
板及び前記対向基板の間に封入される液晶組成物とを有
する液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁性基板
上に前記信号線及び前記走査線並びに前記スイッチング
素子をパターン形成する第１の工程と、前記信号線及び
前記走査線並びに前記スイッチング素子を覆って絶縁性
の感光性樹脂膜を成膜する第２の工程と、前記感光性樹
脂膜を露光した後現像液に浸すことにより前記導電性薄
膜上にコンタクトホールを形成する第３の工程と、前記
コンタクトホールを介して前記導電性薄膜と接続される
電極パターンを形成する第４の工程とを具備し、前記感
光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間の現像液に対する密
着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁性基板との間の現像
液に対する密着性よりも弱く、前記第３の工程において
前記導電性薄膜パターンよりも小さい領域に露光した後
前記感光性樹脂膜を現像液に浸すものである。

【００１３】そしてこの様な構成により本発明は、導電
性薄膜のパターン領域内において導電性薄膜及び感光性
樹脂膜の間に現像液を浸透させ、両膜間の密着性の弱さ
を利用して導電性薄膜のパターン領域内にて導電性薄膜
のパターンとほぼ相似形状の領域の感光性樹脂膜を剥離
除去することにより、感光性樹脂膜の膜厚の増大に拘わ
らず、位置合わせ精度に優れ且つ、現像性を損なう事無
く露光時間の短縮を可能とするコンタクトホールのパタ
−ニングを行うものである。

【００１４】更に本発明は、導電性薄膜及び感光性樹脂
膜の間に現像液を浸透させるきっかけとして、導電性薄
膜のパターンより小さい領域の感光性樹脂膜を露光し、
現像時にはこの露光領域からアルカリ性溶液を浸透さ
せ、導電性薄膜のパターン領域内にて導電性薄膜のパタ
ーンとほぼ相似形状の領域を剥離除去することにより、
感光性樹脂膜の膜厚の増大に拘わらず、位置合わせ精度
に優れたコンタクトホールのパタ−ニングを行うもので
ある。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１乃至図３を参照して説明する。１０は、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置の液晶表示パネルであ
り、スイッチング素子としてゲート上置き型のＴＦＴ１
１を用い、ＴＦＴ１１及び信号線２６、走査線２２上方
に成膜される感光性樹脂膜でありアルカリ可溶性の感光
性アクリル樹脂膜１２を介し画素電極１３がパターン形
成されるアレイ基板１４と、対向基板１６との間に液晶
組成物１７を封入して成っている。

【００１６】アレイ基板１４は、透明絶縁基板１８上に
活性層２０ａ及び、活性層２０ａに不純物をドーピング
して成るドレイン領域２０ｂとソース領域２０ｃとを有
する半導体層２０がパターン形成され、この半導体層２
０上には酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）薄膜からなるゲート
絶縁膜２１を介しモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）
合金薄膜からなり走査線２２と一体のゲート電極２３が
形成されている。

【００１７】更に酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）からなる絶
縁性基板である層間絶縁膜２４を成膜した上には、厚さ
１０００オングストロームのモリブデン−タングステン
（ＭｏＷ）合金薄膜からなり、映像信号が供給される信
号線２６と一体のドレイン電極２７、接続領域であるソ
ース電極２８が所定パターンに形成され、コンタクトホ
ール２７ａ、２８ａを介しそれぞれドレイン領域２０
ｂ、ソース領域２０ｃに接続され、ＴＦＴ１１を形成し
ている。このＴＦＴ１１及び信号線２６を形成した上に
は、厚さ２μｍの感光性アクリル樹脂膜１２を介しイン
ジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと称する。）からなる画素
電極１３がパターン形成され、ソース電極２８領域内に
て、ソース電極２８とほぼ相似形状に形成されるコンタ
クトホール３１を介しソース電極２８に接続されてい
る。ここで層間絶縁膜２４と感光性アクリル樹脂膜１２
との密着力に比し、ソース電極２８と感光性アクリル樹
脂膜１２との密着力の方が弱くされている。尚３２は配
向膜である。

【００１８】又対向基板１６は、透明絶縁基板３３上に
ＩＴＯからなる対向電極３４及び配向膜３６を有してい
る。又３７、３８は、偏光板である。

【００１９】次にアレイ基板１４上にて画素電極１３を
ソース電極２８と電気的に接続するためのコンタクトホ
ール３１の製造方法について述べる。先ず透明絶縁基板
１８上にて、ＴＦＴ１１を形成する。尚ＴＦＴ１１のソ
ース電極２８は、層間絶縁膜２４上に図３（ａ）に示す
ようにモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）合金薄膜２
８´をスパッタ装置を用いて１０００オングストローム
の厚さに成膜した後、図３（ｂ）に示すようにフォトリ
ソグラフィ技術により［ＳＦ６］ガスを用いたＲＩＥ
（リアクティブオンエッチング）装置を用いてエッチン
グする第１の工程を経て所定形状にパターン形成されて
なる。

【００２０】次に図３（ｃ）に示すようにソース電極２
８を有するＴＦＴ１１上に、感光性アクリル樹脂膜１２
をスピンコート法により２μｍの厚さに塗布し第２の工
程を実施する。この後図３（ｄ）に示す様に、ソース電
極２８のパターン領域［Ａ］内において、このパターン
領域［Ａ］よりも小さい領域［Ｂ］の感光性アクリル樹
脂膜１２をフォトマスク４０を用いて露光する。なお、
モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）合金薄膜のパタ−
ニングに使用するフォトマスクと、感光性アクリル樹脂
のパタ−ニングに使用するフォトマスクは、各々別のフ
ォトマスクを用意しても良いが、同じフォトマスクを使
用することもできる。

【００２１】次に、露光された感光性アクリル樹脂膜１
２をアルカリ性溶液によって現像する。この感光性アク
リル樹脂膜１２の現像の際、アルカリ性溶液によってエ
ッチング除去された領域［Ｂ］から、ソース電極２８の
パターン領域［Ａ］内における感光性アクリル樹脂膜１
２とソース電極２８との間にアルカリ性溶液が浸透し、
この浸透したアルカリ性溶液が、領域［Ａ］のソース電
極２８上の感光性アクリル樹脂膜１２に剥離するきっか
けを与える。即ち現像時、ソース電極２８と感光性アク
リル樹脂膜１２との間のアルカリ性溶液に対する密着性
の弱さにより、ソース電極２８上の感光性アクリル樹脂
膜１２が図３（ｅ）に示すように剥離除去され、ソース
電極２８上にはソース電極２８とほぼ相似形状のコンタ
クトホール３１が形成される第３の工程が成される。尚
ここでの密着性とは、現像時間・現像液濃度に対する感
光性アクリル樹脂の剥離耐性を意味する。又層間絶縁膜
２４上にあっては、層間絶縁膜２４と感光性アクリル樹
脂膜１２との間の密着性が高いことから、感光性アクリ
ル樹脂膜１２の剥離を生じることは無い。

【００２２】次いで感光性アクリル樹脂膜１２を焼成し
た後、図３（ｆ）に示すようにスパッタ装置を用いて感
光性アクリル樹脂膜１２上にＩＴＯを推積し、パタ−ニ
ングして画素電極１３を形成し第４の工程を終了する。
更に配向膜３２を塗布してアレイ基板１４を完成する。

【００２３】そしてアレイ基板１４周辺部にシール剤
（図示せず）を塗布すると共に、画素領域にスペーサ
（図示せず）を散布し、配向膜３２、３６が向かい合う
よう、アレイ基板１４と対向基板１６とを一定の間隙を
保持して張り合わせ、両基板１４、１６間の間隙に液晶
組成物１７を注入し、偏光板３７、３８を取着して液晶
表示パネル１０を作製する。更に、図示しない外部駆動
回路もしくは同一基板上に形成された内部駆動回路を接
続し、バックライトもしくは投影装置を配置して液晶表
示装置を完成する。

【００２４】このように構成すれば、良好な絶縁性及び
平坦化性を得るため感光性アクリル樹脂膜１２が厚膜化
されるにも拘わらず、ソース電極２８と感光性アクリル
樹脂膜１２間のアルカリ溶液に対する密着性の弱さを利
用して、ソース電極２８領域内にて、ソース電極２８よ
り小さい領域を露光後、アルカリ性溶液で現像すること
により、ソース電極２８上方の感光性アクリル樹脂膜１
２を、ソース電極２８とほぼ相似形状に剥離除去出来、
ソース電極２８に対する位置合わせ精度の高いコンタク
トホール３１を形成することができる。従って、従来の
ように移動の機械精度が高いステージやカメラを用い時
間をかけて位置合わせ操作をする事無く、ソース電極２
８のパターン形状に合わせてコンタクトホール３１を容
易に微細加工出来、高精細・高密度の液晶表示装置にお
いても高開口率を保持でき、コントラストの良い高品位
の画像を得られる。

【００２５】しかも、コンタクトホール３１形成のため
の露光領域は［Ｂ］は、ソース電極２８と感光性アクリ
ル樹脂膜１２間のアルカリ性溶液に対する密着性の弱さ
により感光性アクリル樹脂膜１２を剥離除去するきっか
けを与える程度の領域で良いことから、狭い領域に集中
して露光照射することにより、従来のようにコンタクト
ホール全域に露光する場合に比し、露光時間の短縮を図
れ、感光性アクリル樹脂膜１２の厚膜化に拘わらず露光
時間の短縮を図れ、生産性を向上できる。

【００２６】次に本発明の第２の実施の形態を図４及び
図５を参照して説明する。本実施の形態は、第１の実施
の形態における層間絶縁膜を２層構造とし、更に上層の
層間絶縁膜をパターン形成して、この層間絶縁膜のパタ
ーン上にソース電極をパターン形成するものであり、他
は第１の実施の形態と同一であることから同一部分につ
いては同一符号を付し、その説明を省略する。

【００２７】本実施の形態においては、図６（ａ）に示
すようにソース電極５１下方にてゲート電極２３上に第
１の層間絶縁膜５２を成膜し、更に窒化珪素（ＳｉＮ）
からなる第２の層間絶縁膜５３をＣＶＤ装置を用いて６
０００オングストロームの厚さに成膜する。次に図６
（ｂ）に示すように第２の層間絶縁膜５３をフォトリソ
グラフィー法で所定の形状にパターン形成し、［ＣＦ
４］ガスを用いたＣＤＥ（ケミカルドライエッチング）
装置を使用して、第２の層間絶縁膜５３にソース電極用
コンタクトホール５４を形成する。

【００２８】次いで第１の実施の形態と同様に、図６
（ｃ）に示すようにコンタクトホール５６ａを介しソー
ス領域２０ｃに接続されるソース電極５６を所定パター
ンに形成しＴＦＴ１１を形成する。但し、ソース電極５
６は第２の層間絶縁膜５３のソース電極用コンタクトホ
ール５４に沿って凹状に形成される。

【００２９】このＴＦＴ１１及び信号線２６を形成した
上に図６（ｄ）に示すように感光性アクリル樹脂膜１２
を塗布し、図６（ｅ）に示すように領域［Ｂ］を露光す
る。次いでアルカリ性溶液により現像を行い、エッチン
グ除去された領域［Ｂ］をきっかけにアルカリ性溶液を
感光性アクリル樹脂膜１２とソース電極５６との間に浸
透し、ソース電極５６と感光性アクリル樹脂膜１２との
間のアルカリ性溶液に対する密着性の弱さにより、ソー
ス電極５６上の感光性アクリル樹脂膜１２を剥離除去
し、図６（ｆ）に示すようにソース電極５６上にソース
電極５６とほぼ相似形状のコンタクトホール５７を形成
する。更に焼成後図６（ｇ）に示すように画素電極５８
をパターン形成してコンタクトホール５７底面にて凹状
の窪みを有するソース電極５６と導通させる。この後第
１の実施の形態と同様にしてアレイ基板５９を作成し、
液晶表示パネル６０を作製し、液晶表示装置を完成す
る。

【００３０】このように構成すれば、第１の実施の形態
と同様絶縁性に優れ且つ平坦化性を得るため感光性アク
リル樹脂膜１２が厚膜化されるにも拘わらず、エッチン
グ除去される領域［Ｂ］をきっかけにソース電極５６上
方の感光性アクリル樹脂膜１２を剥離除去することによ
り、ソース電極５６とほぼ相似形状のコンタクトホール
５７を形成することができる。従って、従来のように移
動の機械的精度の高いステージやカメラを用い時間をか
けて位置合わせ操作する必要が無く、ソース電極５６の
パターン形状に合わせてコンタクトホール５７を容易に
微細加工出来、高精細・高密度の液晶表示装置において
も高開口率を保持でき、コントラストの良い高品位の画
像を得られる。

【００３１】しかも、コンタクトホール５７形成のため
の露光領域は［Ｂ］は、感光性アクリル樹脂膜１２を剥
離除去するきっかけを与える程度の領域で良いことか
ら、その厚膜化に拘わらず従来のようにコンタクトホー
ル全域に露光する場合に比し、露光時間の短縮を図れ、
生産性を向上できる。

【００３２】更に、第１及び第２の２層の層間絶縁膜５
２、５３を設け、第２の層間絶縁膜５３に凹状のソース
電極用コンタクトホール５４を形成して、ソース電極５
６に凹状の窪みを形成することにより、ソース電極５６
及び画素電極５８をテーパを有して接続でき、コンタク
トホール５８にて生じる画素電極の段切れを抑制でき、
製造時の歩留まり向上を図れる。しかもソース電極５６
及び画素電極５８の接続部におけるテーパ角は、第２の
層間絶縁膜５３に形成されるソース電極用コンタクトホ
ール５４の大きさを調整することにより容易に得られ
る。

【００３３】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば導電性薄膜や感光性樹脂膜の材料は任意であ
る。又膜厚も限定されないが、例えば３μｍの導電性薄
膜の段差を平坦化するのに感光性樹脂膜の膜厚は最低限
３．９μｍ必要であり、感光性樹脂膜を用いて導電性薄
膜を被覆する際の凹凸を小さくするには、導電性薄膜の
膜厚を感光性樹脂膜の１／１．３以下とすることが好ま
しい。尚、感光性樹脂膜の膜厚が、焦点深度が深いため
にカメラのオートフォーカスが問題となる１μｍ以上で
あれば、従来のカメラを用いてのパターン位置合わせ精
度に比し、本発明の効果であるパターン位置合わせ精度
の向上をより効果的に発揮することとなる。

【００３４】また絶縁性基板である層間絶縁膜の材質も
酸化窒素珪素（ＳｉＯｘＮｙ）等でも良いし、その膜厚
も限定されないが、第３の実施の形態において、段切れ
等のコンタクト不良や、カップリングによるクロストー
クの発生を抑制するためには、ソース電極用コンタクト
ホールが形成される第２の層間絶縁膜を３０００〜１０
０００オングストロームとする事が好ましい。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、所
定のパターンに形成される導電性薄膜上に感光性樹脂膜
を成膜した後、両膜間にアルカリ性溶液を浸透させるこ
とにより、両膜間のアルカリ性溶液に対する密着性の弱
さを利用して導電性薄膜領域上方の感光性樹脂膜を導電
性薄膜とほぼ相似形状に剥離除去出来、位置合わせ精度
の高いコンタクトホールをパタ−ニングできる事から、
従来のように移動の機械精度の高いステージやカメラを
要する事無く、また位置合わせのための時間も要せず、
コンタクトホールの微細加工性を向上出来、高精細・高
密度の液晶表示装置においても開口率が高く良好なコン
トラストを得られ、表示品位を向上できる。また、コン
タクトホール形成時、露光を行う事無く導電性薄膜及び
感光性樹脂膜間にアルカリ性溶液を浸透させる場合は勿
論の事、露光を行ったとしても導電性薄膜及び感光性樹
脂膜間にアルカリ性溶液を浸透させるきっかけを作るた
め、導電性薄膜領域の一部を露光するのみであり、その
露光時間を従来に比し短縮できる事から感光性樹脂膜の
厚膜化に拘わらず、生産性の低下を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルを
示す一部概略断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態のアレイ基板を示す
一部概略平面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態のコンタクトホール
形成工程を示し、（ａ）はその層間絶縁膜上にモリブデ
ン−タングステン（ＭｏＷ）合金薄膜を成膜した状態を
示し、（ｂ）はそのソース電極をパタ−ニングした状態
を示し、（ｃ）はそのソース電極及び層間絶縁膜上に感
光性アクリル樹脂膜を成膜した状態を示し、（ｄ）はそ
の感光性アクリル樹脂膜の露光状態を示し、（ｅ）はそ
の感光性アクリル樹脂膜にコンタクトホールをパタ−ニ
ングした状態を示し、（ｆ）はその画素電極をパターン
形成した状態を示す概略説明図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の液晶表示パネルを
示す一部概略断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態のコンタクトホール
形成工程を示し、（ａ）はその第１及び第２の層間絶縁
膜を成膜した状態を示し、（ｂ）はその第２の層間絶縁
膜にソース電極用コンタクトホールをパタ−ニングした
状態を示し、（ｃ）はそのソース電極をパタ−ニングし
た状態を示し、（ｄ）はそのソース電極及び層間絶縁膜
上に感光性アクリル樹脂膜を成膜した状態を示し、
（ｅ）はその感光性アクリル樹脂膜の露光状態を示し、
（ｆ）はその感光性アクリル樹脂膜にコンタクトホール
をパタ−ニングした状態を示し、（ｇ）はその画素電極
をパターン形成した状態を示す概略説明図である。

【符号の説明】

１０…液晶表示パネル １１…ＴＦＴ １２…感光性アクリル樹脂膜 １３…画素電極 １４…アレイ基板 １６…対向基板 １７…液晶組成物 ２０…半導体層 ２１…ゲート絶縁膜 ２２…走査線 ２３…ゲート電極 ２４…層間絶縁膜 ２６…信号線 ２７…ドレイン電極 ２８…ソース電極 ３１…コンタクトホール ４０…フォトマスク

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に所定パターンの導電性薄
   膜をパターン形成する第１の工程と、前記導電性薄膜を
   覆って絶縁性の感光性樹脂膜を成膜する第２の工程と、
   前記感光性樹脂膜を露光した後現像液に浸すことにより
   前記導電性薄膜上にコンタクトホールを形成する第３の
   工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電性薄膜
   と接続される電極パターンを形成する第４の工程とを具
   備し、前記感光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間の現像
   液に対する密着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁性基板
   との間の現像液に対する密着性よりも弱く、前記第３の
   工程において前記導電性薄膜パターンよりも小さい領域
   に露光した後前記感光性樹脂膜を現像液に浸す事を特徴
   とする薄膜素子の製造方法。
2. 【請求項２】 感光性樹脂膜の現像をアルカリ性溶液で
   行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜素子の製造
   方法。
3. 【請求項３】 絶縁性基板上に配置される信号線及びこ
   の信号線と交差するよう配置される走査線との交点に配
   列されるスイッチング素子の所定パターンを有する導電
   性薄膜からなる接続領域に接続されマトリクス状に配置
   される画素電極を有するアレイ基板及び、対向電極を有
   し前記アレイ基板に対向されする対向基板並びに、前記
   アレイ基板及び前記対向基板の間に封入される液晶組成
   物とを有する液晶表示装置の製造方法において、 前記絶縁性基板上に前記信号線及び前記走査線並びに前
   記スイッチング素子をパターン形成する第１の工程と、
   前記信号線及び前記走査線並びに前記スイッチング素子
   を覆って絶縁性の感光性樹脂膜を成膜する第２の工程
   と、前記感光性樹脂膜を露光した後現像液に浸すことに
   より前記導電性薄膜上にコンタクトホールを形成する第
   ３の工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電性
   薄膜と接続される電極パターンを形成する第４の工程と
   を具備し、前記感光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間の
   現像液に対する密着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁性
   基板との間の現像液に対する密着性よりも弱く、前記第
   ３の工程において前記導電性薄膜パターンよりも小さい
   領域に露光した後前記感光性樹脂膜を現像液に浸す事を
   特徴とする液晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 感光性樹脂膜の現像をアルカリ性溶液で
   行うことを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置の
   製造方法。