JPH11214414A - 半導体ｉｃの製造方法 - Google Patents
半導体ｉｃの製造方法Info
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- JPH11214414A JPH11214414A JP1093298A JP1093298A JPH11214414A JP H11214414 A JPH11214414 A JP H11214414A JP 1093298 A JP1093298 A JP 1093298A JP 1093298 A JP1093298 A JP 1093298A JP H11214414 A JPH11214414 A JP H11214414A
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- JP
- Japan
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- solder
- island
- semiconductor chip
- semiconductor
- lead frame
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ＩＣの歩留りを向上させる製造方法を
提供すること。 【解決手段】 リードフレーム(4) のアイランド(5) の
上面に所要個数の半田ボール(1) を載置した後、同半田
ボール(1) の上部に半導体チップ(7) を載置し、半田ボ
ール(1) を溶融することによりアイランド(5) に半導体
チップ(7) を固着することとした。
提供すること。 【解決手段】 リードフレーム(4) のアイランド(5) の
上面に所要個数の半田ボール(1) を載置した後、同半田
ボール(1) の上部に半導体チップ(7) を載置し、半田ボ
ール(1) を溶融することによりアイランド(5) に半導体
チップ(7) を固着することとした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣの製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ＩＣの製造方法において
は、リードフレームのアイランドの上面で所定長さの棒
状の半田を溶融させて、アイランドの上面に半田を付着
させたり、或いは、リードフレームのアイランドの上面
に、所定長さに切断したテープ状の半田を載置し、その
後、同半田の上部に半導体チップを載置し、半田を溶融
させることにより、アイランドに半導体チップを固着さ
せていた。
は、リードフレームのアイランドの上面で所定長さの棒
状の半田を溶融させて、アイランドの上面に半田を付着
させたり、或いは、リードフレームのアイランドの上面
に、所定長さに切断したテープ状の半田を載置し、その
後、同半田の上部に半導体チップを載置し、半田を溶融
させることにより、アイランドに半導体チップを固着さ
せていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
半導体ＩＣの製造方法にあっては、リードフレームのア
イランドの上面に載置した半田の量や位置が定まらず、
半田を溶融してアイランドに半導体チップを固着する際
に様々な不具合が生じていた。
半導体ＩＣの製造方法にあっては、リードフレームのア
イランドの上面に載置した半田の量や位置が定まらず、
半田を溶融してアイランドに半導体チップを固着する際
に様々な不具合が生じていた。
【０００４】すなわち、半田の量が少なすぎる場合に
は、アイランドと半導体チップとの接着強度が低く、製
造工程の中途で半導体チップがリードフレームから脱落
してしまうおそれがあった。
は、アイランドと半導体チップとの接着強度が低く、製
造工程の中途で半導体チップがリードフレームから脱落
してしまうおそれがあった。
【０００５】また、半田の量が多すぎる場合には、半田
溶融時に半田が半導体チップの上面にまで這い上がり、
半導体チップの損傷を招くおそれがあった。
溶融時に半田が半導体チップの上面にまで這い上がり、
半導体チップの損傷を招くおそれがあった。
【０００６】更には、アイランドに載置した半田の位置
によっては、アイランド上で半田が均等に拡散せずに、
半田溶融時に半導体チップがアイランド上で移動してし
まい、ワイヤーボンディングが正確に行えないことがあ
った。
によっては、アイランド上で半田が均等に拡散せずに、
半田溶融時に半導体チップがアイランド上で移動してし
まい、ワイヤーボンディングが正確に行えないことがあ
った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、リ
ードフレームのアイランドの上面に所要個数の半田ボー
ルを載置した後、同半田ボールの上部に半導体チップを
載置し、半田ボールを溶融することによりアイランドに
半導体チップを固着することとした。
ードフレームのアイランドの上面に所要個数の半田ボー
ルを載置した後、同半田ボールの上部に半導体チップを
載置し、半田ボールを溶融することによりアイランドに
半導体チップを固着することとした。
【０００８】また、前記アイランドの上面には、所要個
数のくぼみを形成し、同くぼみに前記半田ボールを載置
することとした。
数のくぼみを形成し、同くぼみに前記半田ボールを載置
することとした。
【０００９】また、前記アイランドの上面には、溝を形
成し、同溝の上部に前記半田ボールを載置することとし
た。
成し、同溝の上部に前記半田ボールを載置することとし
た。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体ＩＣの製造方
法は次の工程からなる。
法は次の工程からなる。
【００１１】(1) まず、予め所定形状に形成した複数の
半田ボールを吸引ノズルによって吸引する。
半田ボールを吸引ノズルによって吸引する。
【００１２】(2) 次に、吸引ノズルを、半田ボールを吸
引保持した状態のまま、リードフレームのアイランドの
上部に移動させ、アイランドの上面に半田ボールを載置
する。
引保持した状態のまま、リードフレームのアイランドの
上部に移動させ、アイランドの上面に半田ボールを載置
する。
【００１３】(3) 次に、半田ボールの上部に半導体チッ
プを載置し、半田ボールを溶融させることにより、アイ
ランドに半導体チップを固着する。
プを載置し、半田ボールを溶融させることにより、アイ
ランドに半導体チップを固着する。
【００１４】(4) その後、リードフレームのリードと半
導体チップの電極とをワイヤーボンディングで接続し、
リードフレームの上下面を樹脂で封止し、リードフレー
ムのリードを加工する。
導体チップの電極とをワイヤーボンディングで接続し、
リードフレームの上下面を樹脂で封止し、リードフレー
ムのリードを加工する。
【００１５】従って、本発明では、リードフレームのア
イランドの上面に所要個数の半田ボールを載置した後、
同半田ボールの上部に半導体チップを載置し、半田ボー
ルを溶融することによりアイランドに半導体チップを固
着しているため、半田量を半田ボールの個数で正確に管
理することができ、アイランドと半導体チップとの接着
強度を良好に保持しながら、溶融半田が半導体チップの
上面に這い上がることによる半導体チップの損傷を防止
することができる。
イランドの上面に所要個数の半田ボールを載置した後、
同半田ボールの上部に半導体チップを載置し、半田ボー
ルを溶融することによりアイランドに半導体チップを固
着しているため、半田量を半田ボールの個数で正確に管
理することができ、アイランドと半導体チップとの接着
強度を良好に保持しながら、溶融半田が半導体チップの
上面に這い上がることによる半導体チップの損傷を防止
することができる。
【００１６】また、半田ボールの載置位置を適宜設定す
ることにより、半田溶融時にアイランドの上面で半田を
略均等に拡散させることができ、これにより、半導体チ
ップがアイランドの上面で移動するのを防止でき、半導
体チップとリードフレームのリードとのワイヤーボンデ
ィングを良好に行うことができ、従って、半導体ＩＣの
歩留りを向上させることができる。
ることにより、半田溶融時にアイランドの上面で半田を
略均等に拡散させることができ、これにより、半導体チ
ップがアイランドの上面で移動するのを防止でき、半導
体チップとリードフレームのリードとのワイヤーボンデ
ィングを良好に行うことができ、従って、半導体ＩＣの
歩留りを向上させることができる。
【００１７】しかも、前記アイランドの上面に所要個数
のくぼみを形成しておくことにより、半田ボールが、く
ぼみの段差によって、くぼみの内部に載置されることと
なり、半田ボールをアイランドの上面の正確な位置に載
置することができる。
のくぼみを形成しておくことにより、半田ボールが、く
ぼみの段差によって、くぼみの内部に載置されることと
なり、半田ボールをアイランドの上面の正確な位置に載
置することができる。
【００１８】また、前記アイランドの上面に溝を形成し
ておくことにより、半田溶融時に半田が溝に沿って流動
することとなり、アイランドの上面で半田を略均等に拡
散させることができる。
ておくことにより、半田溶融時に半田が溝に沿って流動
することとなり、アイランドの上面で半田を略均等に拡
散させることができる。
【００１９】しかも、溝に沿って線状に流動した半田に
よってアイランドと半導体チップとを接着させることが
できるため、接着面積を良好に確保でき、接着強度を向
上させることができる。
よってアイランドと半導体チップとを接着させることが
できるため、接着面積を良好に確保でき、接着強度を向
上させることができる。
【００２０】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００２１】図１は、本発明に係る半導体ＩＣの製造工
程を示した図であり、まず、予め所定形状に形成した複
数の半田ボール１を収容した収容ケース２を用意し、同
収容ケース２の内部から吸引ノズル３によって所要個数
の半田ボール１を取り出す。
程を示した図であり、まず、予め所定形状に形成した複
数の半田ボール１を収容した収容ケース２を用意し、同
収容ケース２の内部から吸引ノズル３によって所要個数
の半田ボール１を取り出す。
【００２２】吸引ノズル３の下面には、後述する図２に
示すリードフレーム４のアイランド５の上面に格子状に
形成したくぼみ６に対応した複数の吸引口3aを形成して
いる。
示すリードフレーム４のアイランド５の上面に格子状に
形成したくぼみ６に対応した複数の吸引口3aを形成して
いる。
【００２３】次に、吸引ノズル３を、半田ボール１を吸
引保持した状態のまま、リードフレーム４のアイランド
５の上部に移動させ、アイランド５の上面に半田ボール
１を載置する。
引保持した状態のまま、リードフレーム４のアイランド
５の上部に移動させ、アイランド５の上面に半田ボール
１を載置する。
【００２４】リードフレーム４のアイランド５の上面に
は、図２に示すように、下方へ向けて湾曲状のくぼみ６
が格子状に所要個数形成されており、アイランド５の上
面に載置した半田ボール１は、図３に示すように、くぼ
み６の内部に載置される。
は、図２に示すように、下方へ向けて湾曲状のくぼみ６
が格子状に所要個数形成されており、アイランド５の上
面に載置した半田ボール１は、図３に示すように、くぼ
み６の内部に載置される。
【００２５】このように、アイランド５の上面にくぼみ
６を形成しているため、吸引ノズル３の位置が多少ずれ
ても、半田ボール１は、くぼみ６の段差によって、くぼ
み６の内部に載置されることとなり、半田ボール１をア
イランド５の上面の正確な位置に載置することができ
る。
６を形成しているため、吸引ノズル３の位置が多少ずれ
ても、半田ボール１は、くぼみ６の段差によって、くぼ
み６の内部に載置されることとなり、半田ボール１をア
イランド５の上面の正確な位置に載置することができ
る。
【００２６】次に、図１に示すように、半田ボール１の
上部に半導体チップ７を載置し、半田ボール１を溶融さ
せることにより、アイランド５に半導体チップ７を固着
する。
上部に半導体チップ７を載置し、半田ボール１を溶融さ
せることにより、アイランド５に半導体チップ７を固着
する。
【００２７】その後、リードフレーム４のリードと半導
体チップ７の電極とをワイヤーボンディングで接続し、
リードフレーム４の上下面を樹脂で封止し、リードフレ
ーム４のリードを加工して、半導体ＩＣを製造する。
尚、かかる工程は、周知なものであり、ここでは説明を
省略する。
体チップ７の電極とをワイヤーボンディングで接続し、
リードフレーム４の上下面を樹脂で封止し、リードフレ
ーム４のリードを加工して、半導体ＩＣを製造する。
尚、かかる工程は、周知なものであり、ここでは説明を
省略する。
【００２８】このように、アイランド５に半導体チップ
７を固着するために、半田ボール１を用いているため、
半田量を半田ボール１の個数で正確に管理することがで
き、これによって、アイランド５と半導体チップ７との
接着強度を良好に保持しながら、溶融半田が半導体チッ
プ７の上面に這い上がることによる半導体チップ７の損
傷を防止することができる。
７を固着するために、半田ボール１を用いているため、
半田量を半田ボール１の個数で正確に管理することがで
き、これによって、アイランド５と半導体チップ７との
接着強度を良好に保持しながら、溶融半田が半導体チッ
プ７の上面に這い上がることによる半導体チップ７の損
傷を防止することができる。
【００２９】また、半田ボール１の載置位置を適宜設定
することにより、半田溶融時にアイランド５の上面で半
田を略均等に拡散させることができ、これにより、半導
体チップ７がアイランド５の上面で移動するのを防止で
き、半導体チップ７とリードフレーム４のリードとのワ
イヤーボンディングを良好に行うことができ、従って、
半導体ＩＣの歩留りを向上させることができる。
することにより、半田溶融時にアイランド５の上面で半
田を略均等に拡散させることができ、これにより、半導
体チップ７がアイランド５の上面で移動するのを防止で
き、半導体チップ７とリードフレーム４のリードとのワ
イヤーボンディングを良好に行うことができ、従って、
半導体ＩＣの歩留りを向上させることができる。
【００３０】しかも、アイランド５と半導体チップ７と
の固着にペースト状の半田を用いた場合には、アイラン
ド５にペースト状の半田を塗布する際の温度や湿度によ
り、半田の粘性や密度が異なり、塗布量が一定にならな
いため、製造工程における温度や湿度の管理が必要とな
るのに対し、本発明では、半田ボール１を用いているた
め、半田の品質管理が容易であり、製造工程を簡略化す
ることができる。
の固着にペースト状の半田を用いた場合には、アイラン
ド５にペースト状の半田を塗布する際の温度や湿度によ
り、半田の粘性や密度が異なり、塗布量が一定にならな
いため、製造工程における温度や湿度の管理が必要とな
るのに対し、本発明では、半田ボール１を用いているた
め、半田の品質管理が容易であり、製造工程を簡略化す
ることができる。
【００３１】また、ペースト状の半田では、内部に含有
された空気が、半田溶融時に膨張して破裂してしまい、
接着不良が生じることがあるが、半田ボール１ではかか
る不具合が生じることはない。
された空気が、半田溶融時に膨張して破裂してしまい、
接着不良が生じることがあるが、半田ボール１ではかか
る不具合が生じることはない。
【００３２】図４及び図５は、他実施例としてのリード
フレーム４のアイランド５を示した図であり、アイラン
ド５の上面の略中央から周縁に向けて均等に広がる溝８
を形成している。すなわち、図４に示すアイランド５で
は、上面に放心線状の溝８を刻設し、図５に示すアイラ
ンド５では、上面に同心枠状の溝８を刻設している。
フレーム４のアイランド５を示した図であり、アイラン
ド５の上面の略中央から周縁に向けて均等に広がる溝８
を形成している。すなわち、図４に示すアイランド５で
は、上面に放心線状の溝８を刻設し、図５に示すアイラ
ンド５では、上面に同心枠状の溝８を刻設している。
【００３３】そして、溝８の上部に半田ボール１を載置
した後、半田ボール１の上部に半導体チップ７を載置
し、半田ボール１を溶融させることにより、アイランド
５に半導体チップ７を固着させている。
した後、半田ボール１の上部に半導体チップ７を載置
し、半田ボール１を溶融させることにより、アイランド
５に半導体チップ７を固着させている。
【００３４】このように、アイランド５の上面の略中央
から周縁に均等に広がる溝８を形成しているため、半田
溶融時に半田が溝８に沿って流動することとなり、アイ
ランド５の上面で半田を略均等に拡散させることができ
る。
から周縁に均等に広がる溝８を形成しているため、半田
溶融時に半田が溝８に沿って流動することとなり、アイ
ランド５の上面で半田を略均等に拡散させることができ
る。
【００３５】しかも、溝８に沿って線状に流動した半田
によってアイランド５と半導体チップ７とを接着させる
ことができるため、接着面積を良好に確保でき、接着強
度を向上させることができる。
によってアイランド５と半導体チップ７とを接着させる
ことができるため、接着面積を良好に確保でき、接着強
度を向上させることができる。
【００３６】図６は、他実施例としての半導体ＩＣの製
造工程を示した図であり、本実施例においては、リード
フレーム４のアイランド５の上面は平坦に形成してい
る。
造工程を示した図であり、本実施例においては、リード
フレーム４のアイランド５の上面は平坦に形成してい
る。
【００３７】まず、予め所定形状に形成した半田ボール
１を吸引ノズル３で吸引し、その後、半田ボール１の下
部にフラックス９を付着させる。図中、10はフラックス
収容ケースである。
１を吸引ノズル３で吸引し、その後、半田ボール１の下
部にフラックス９を付着させる。図中、10はフラックス
収容ケースである。
【００３８】次に、リードフレーム４のアイランド５の
上面に半田ボール１を載置し、同半田ボール１の上部に
半導体チップ７を載置し、半田ボール１を溶融させるこ
とにより、アイランド５に半導体チップ７を固着する。
上面に半田ボール１を載置し、同半田ボール１の上部に
半導体チップ７を載置し、半田ボール１を溶融させるこ
とにより、アイランド５に半導体チップ７を固着する。
【００３９】本実施例では、半田ボール１の下部にフラ
ックス９を付着させているため、アイランド５の上面が
平坦であっても、半田ボール１がアイランド５の上面で
転がって移動してしまうことがなく、しかも、半田溶融
時にアイランド５と半導体チップ７との固着を円滑に行
うことができる。
ックス９を付着させているため、アイランド５の上面が
平坦であっても、半田ボール１がアイランド５の上面で
転がって移動してしまうことがなく、しかも、半田溶融
時にアイランド５と半導体チップ７との固着を円滑に行
うことができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００４１】(1) 請求項１記載の本発明では、リードフ
レームのアイランドの上面に所要個数の半田ボールを載
置した後、同半田ボールの上部に半導体チップを載置
し、半田ボールを溶融することによりアイランドに半導
体チップを固着しているため、半田量を半田ボールの個
数で正確に管理することができ、アイランドと半導体チ
ップとの接着強度を良好に保持しながら、溶融半田が半
導体チップの上面に這い上がることによる半導体チップ
の損傷を防止することができる。
レームのアイランドの上面に所要個数の半田ボールを載
置した後、同半田ボールの上部に半導体チップを載置
し、半田ボールを溶融することによりアイランドに半導
体チップを固着しているため、半田量を半田ボールの個
数で正確に管理することができ、アイランドと半導体チ
ップとの接着強度を良好に保持しながら、溶融半田が半
導体チップの上面に這い上がることによる半導体チップ
の損傷を防止することができる。
【００４２】また、半田ボールの載置位置を適宜設定す
ることにより、半田溶融時にアイランドの上面で半田を
略均等に拡散させることができ、これにより、半導体チ
ップがアイランドの上面で移動するのを防止でき、半導
体チップとリードフレームのリードとのワイヤーボンデ
ィングを良好に行うことができ、従って、半導体ＩＣの
歩留りを向上させることができる。
ることにより、半田溶融時にアイランドの上面で半田を
略均等に拡散させることができ、これにより、半導体チ
ップがアイランドの上面で移動するのを防止でき、半導
体チップとリードフレームのリードとのワイヤーボンデ
ィングを良好に行うことができ、従って、半導体ＩＣの
歩留りを向上させることができる。
【００４３】(2) 請求項２記載の本発明では、前記アイ
ランドの上面に所要個数のくぼみを形成し、同くぼみに
前記半田ボールを載置しているため、半田ボールが、く
ぼみの段差によって、くぼみの内部に載置されることと
なり、半田ボールをアイランドの上面の正確な位置に載
置することができる。
ランドの上面に所要個数のくぼみを形成し、同くぼみに
前記半田ボールを載置しているため、半田ボールが、く
ぼみの段差によって、くぼみの内部に載置されることと
なり、半田ボールをアイランドの上面の正確な位置に載
置することができる。
【００４４】(3) 請求項３記載の本発明では、前記アイ
ランドの上面に溝を形成し、同溝の上部に前記半田ボー
ルを載置しているため、半田溶融時に半田が溝に沿って
流動することとなり、アイランドの上面で半田を略均等
に拡散させることができる。
ランドの上面に溝を形成し、同溝の上部に前記半田ボー
ルを載置しているため、半田溶融時に半田が溝に沿って
流動することとなり、アイランドの上面で半田を略均等
に拡散させることができる。
【００４５】しかも、溝に沿って線状に流動した半田に
よってアイランドと半導体チップとを接着させることが
できるため、接着面積を良好に確保でき、接着強度を向
上させることができる。
よってアイランドと半導体チップとを接着させることが
できるため、接着面積を良好に確保でき、接着強度を向
上させることができる。
【図１】本発明に係る半導体ＩＣの製造工程を示す説明
図。
図。
【図２】アイランドを示す斜視図。
【図３】同断面図。
【図４】他実施例としてのアイランドを示す斜視図。
【図５】他実施例としてのアイランドを示す斜視図。
【図６】他実施例としての半導体ＩＣの製造工程を示す
説明図。
説明図。
１ 半田ボール ３ 吸引ノズル 3a 吸引口 ４ リードフレーム ５ アイランド ６ くぼみ ７ 半導体チップ ８ 溝
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレーム(4) のアイランド(5) の
上面に所要個数の半田ボール(1) を載置した後、同半田
ボール(1) の上部に半導体チップ(7) を載置し、半田ボ
ール(1) を溶融することによりアイランド(5) に半導体
チップ(7) を固着することを特徴とする半導体ＩＣの製
造方法。 - 【請求項２】 前記アイランド(5) の上面には、所要個
数のくぼみ(6) を形成し、同くぼみ(6) に前記半田ボー
ル(1) を載置することを特徴とする請求項１記載の半導
体ＩＣの製造方法。 - 【請求項３】 前記アイランド(5) の上面には、溝(8)
を形成し、同溝(8)の上部に前記半田ボール(1) を載置
することを特徴とする請求項１記載の半導体ＩＣの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093298A JPH11214414A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半導体ｉｃの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093298A JPH11214414A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半導体ｉｃの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214414A true JPH11214414A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11764014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1093298A Pending JPH11214414A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半導体ｉｃの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214414A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134394A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015005559A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2015153877A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2018029138A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | トレックス・セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
| WO2020153366A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
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1998
- 1998-01-23 JP JP1093298A patent/JPH11214414A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134394A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015005559A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2015153877A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2018029138A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | トレックス・セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
| WO2020153366A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
| JPWO2020153366A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2021-09-30 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
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