JPH11213835A - 高周波リレー - Google Patents
高周波リレーInfo
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- JPH11213835A JPH11213835A JP1896698A JP1896698A JPH11213835A JP H11213835 A JPH11213835 A JP H11213835A JP 1896698 A JP1896698 A JP 1896698A JP 1896698 A JP1896698 A JP 1896698A JP H11213835 A JPH11213835 A JP H11213835A
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- shield block
- contact
- microstrip line
- relay
- terminal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロストリップラインが一面に、面状ア
ース部が他面にそれぞれ形成されたプリント基板に実装
されたとき、高周波特性を向上できる高周波リレーを提
供する。 【解決手段】 コイルを有した電磁石部によって駆動さ
れて高周波信号を開閉制御する接点部を設けたリレー本
体1と、略有底箱形に形成されて接点部を外囲してシー
ルドする金属製のシールドブロック2と、シールドブロ
ック2の底部2aから導出されて接点部と接続された接
点端子3とを備え、接点端子3がプリント基板5の一面
5aに形成されて高周波信号を伝達するマイクロストリ
ップライン51に、シールドブロック2が他面5bに形
成された面状アース部52にそれぞれ接続される高周波
リレーにおいて、シールドブロック2は、底部2aに対
向したマイクロストリップライン51と絶縁する絶縁ス
ペース21aを有した切り欠き溝21が接点端子3の対
応位置に設けられた構成にしてある。
ース部が他面にそれぞれ形成されたプリント基板に実装
されたとき、高周波特性を向上できる高周波リレーを提
供する。 【解決手段】 コイルを有した電磁石部によって駆動さ
れて高周波信号を開閉制御する接点部を設けたリレー本
体1と、略有底箱形に形成されて接点部を外囲してシー
ルドする金属製のシールドブロック2と、シールドブロ
ック2の底部2aから導出されて接点部と接続された接
点端子3とを備え、接点端子3がプリント基板5の一面
5aに形成されて高周波信号を伝達するマイクロストリ
ップライン51に、シールドブロック2が他面5bに形
成された面状アース部52にそれぞれ接続される高周波
リレーにおいて、シールドブロック2は、底部2aに対
向したマイクロストリップライン51と絶縁する絶縁ス
ペース21aを有した切り欠き溝21が接点端子3の対
応位置に設けられた構成にしてある。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接点部が電磁石部
によって駆動されて高周波信号を開閉する高周波リレー
に関するものである。
によって駆動されて高周波信号を開閉する高周波リレー
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の高周波リレーとして、図
5乃至図8に示す構成のものが存在する。このものは、
コイルを有した電磁石部によって駆動されて高周波信号
を開閉制御する接点部を設けたリレー本体Aと、底部B
1を有した有底箱形に形成されて接点部を外囲してシー
ルドする金属製のシールドブロックBと、接点部及びシ
ールドブロックBとそれぞれ接続された接点端子C及び
アース端子Dとを備えている。そして、シールドブロッ
クBは底部が平面状の底面B1を有して形成されるとと
もに、接点端子C及びアース端子Dがその底面B1から
導出される。
5乃至図8に示す構成のものが存在する。このものは、
コイルを有した電磁石部によって駆動されて高周波信号
を開閉制御する接点部を設けたリレー本体Aと、底部B
1を有した有底箱形に形成されて接点部を外囲してシー
ルドする金属製のシールドブロックBと、接点部及びシ
ールドブロックBとそれぞれ接続された接点端子C及び
アース端子Dとを備えている。そして、シールドブロッ
クBは底部が平面状の底面B1を有して形成されるとと
もに、接点端子C及びアース端子Dがその底面B1から
導出される。
【0003】さらに詳しくは、図8に示すように、プリ
ント基板Eは高周波信号を伝達するマイクロストリップ
ラインが一面E1に、面状アース部が他面E2にそれぞれ
形成される。そして、接点端子Cがプリント基板Eに設
けられた挿入孔に挿入されて一面E1のマイクロストリ
ップラインに、シールドブロックBの底面B1が他面E2
の面状アース部にそれぞれ半田付けによって接続され
る。
ント基板Eは高周波信号を伝達するマイクロストリップ
ラインが一面E1に、面状アース部が他面E2にそれぞれ
形成される。そして、接点端子Cがプリント基板Eに設
けられた挿入孔に挿入されて一面E1のマイクロストリ
ップラインに、シールドブロックBの底面B1が他面E2
の面状アース部にそれぞれ半田付けによって接続され
る。
【0004】このとき、金属製のシールドブロックBは
底面B1がプリント基板Eの他面E2に当接するが、底部
がマイクロストリップラインに隣接するよう一面E1に
当接させると、マイクロストリップライン間を短絡す
る。したがって、シールドブロックBは底面B1がプリ
ント基板Eの他面E2に、すなわち面状アース部に対面
するよう配置される。
底面B1がプリント基板Eの他面E2に当接するが、底部
がマイクロストリップラインに隣接するよう一面E1に
当接させると、マイクロストリップライン間を短絡す
る。したがって、シールドブロックBは底面B1がプリ
ント基板Eの他面E2に、すなわち面状アース部に対面
するよう配置される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の高周波
リレーでは、接点端子Cがプリント基板Eの一面E1に
形成されたマイクロストリップラインに、アース端子D
が他面E2に形成された面状アース部にそれぞれ接続さ
れて、接点部がプリント基板Eから伝達された高周波信
号を開閉できる。
リレーでは、接点端子Cがプリント基板Eの一面E1に
形成されたマイクロストリップラインに、アース端子D
が他面E2に形成された面状アース部にそれぞれ接続さ
れて、接点部がプリント基板Eから伝達された高周波信
号を開閉できる。
【0006】しかしながら、接点端子Cは、シールドブ
ロックBが当接した他面E2の反対面である一面E1に形
成されたマイクロストリップラインに接続される。した
がって、マイクロストリップラインまでの距離がプリン
ト基板Eの板厚分だけ長くなって、リレー本体Aとのイ
ンピーダンスの整合をとりにくく、さらに不整合部分が
長くなるとともに導体抵抗が増加して、オン時に高周波
信号が減衰するインサーションロスが増加して、高周波
特性を劣化させるという問題があった。
ロックBが当接した他面E2の反対面である一面E1に形
成されたマイクロストリップラインに接続される。した
がって、マイクロストリップラインまでの距離がプリン
ト基板Eの板厚分だけ長くなって、リレー本体Aとのイ
ンピーダンスの整合をとりにくく、さらに不整合部分が
長くなるとともに導体抵抗が増加して、オン時に高周波
信号が減衰するインサーションロスが増加して、高周波
特性を劣化させるという問題があった。
【0007】さらに、ケース等の他の部品はプリント基
板Eの一面E1側へ配置されたとき、高周波信号が伝達
されるマイクロストリップラインと隣接するので、オフ
状態で高周波信号が漏洩するアイソレーション特性(絶
縁特性)が劣化するという別の問題があった。
板Eの一面E1側へ配置されたとき、高周波信号が伝達
されるマイクロストリップラインと隣接するので、オフ
状態で高周波信号が漏洩するアイソレーション特性(絶
縁特性)が劣化するという別の問題があった。
【0008】本発明は、上記問題点に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、マイクロストリップライ
ンが一面に、面状アース部が他面にそれぞれ形成された
プリント基板に実装されたとき、高周波特性を向上でき
る高周波リレーを提供することにある。
で、その目的とするところは、マイクロストリップライ
ンが一面に、面状アース部が他面にそれぞれ形成された
プリント基板に実装されたとき、高周波特性を向上でき
る高周波リレーを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項1記載のものは、コイルを有した電磁石
部によって駆動されて高周波信号を開閉制御する接点部
を設けたリレー本体と、底部を有した略有底箱形に形成
されて接点部を外囲してシールドする金属製のシールド
ブロックと、シールドブロックの底部から導出されて接
点部と接続された接点端子とを備え、接点端子がプリン
ト基板の一面に形成されて高周波信号を伝達するマイク
ロストリップラインに、シールドブロックが他面に形成
された面状アース部にそれぞれ接続される高周波リレー
において、前記シールドブロックは、前記底部に隣接し
た前記マイクロストリップラインと絶縁する絶縁スペー
スを有した切り欠き溝が、前記接点端子の対応位置に設
けられたことを特徴とする高周波リレー。構成にしてあ
る。
ために、請求項1記載のものは、コイルを有した電磁石
部によって駆動されて高周波信号を開閉制御する接点部
を設けたリレー本体と、底部を有した略有底箱形に形成
されて接点部を外囲してシールドする金属製のシールド
ブロックと、シールドブロックの底部から導出されて接
点部と接続された接点端子とを備え、接点端子がプリン
ト基板の一面に形成されて高周波信号を伝達するマイク
ロストリップラインに、シールドブロックが他面に形成
された面状アース部にそれぞれ接続される高周波リレー
において、前記シールドブロックは、前記底部に隣接し
た前記マイクロストリップラインと絶縁する絶縁スペー
スを有した切り欠き溝が、前記接点端子の対応位置に設
けられたことを特徴とする高周波リレー。構成にしてあ
る。
【0010】請求項2記載のものは、請求項1記載のも
のにおいて、前記シールドブロックは、前記切り欠き溝
によって形成された凸所から導出された前記アース端子
を介して、前記面状アース部と接続された構成にしてあ
る。
のにおいて、前記シールドブロックは、前記切り欠き溝
によって形成された凸所から導出された前記アース端子
を介して、前記面状アース部と接続された構成にしてあ
る。
【0011】請求項3記載のものは、請求項1記載のも
のにおいて、前記シールドブロックは、前記底部から突
出して底面を有する凸所が前記切り欠き溝によって形成
されるとともに、その底面が前記プリント基板の一面に
形成されて前記面状アース部と接続した別の面状アース
部と接続された構成にしてある。
のにおいて、前記シールドブロックは、前記底部から突
出して底面を有する凸所が前記切り欠き溝によって形成
されるとともに、その底面が前記プリント基板の一面に
形成されて前記面状アース部と接続した別の面状アース
部と接続された構成にしてある。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の第1実施形態を図1乃至
図4に基づいて以下に説明する。
図4に基づいて以下に説明する。
【0013】1はリレー本体で、略直方体状に形成さ
れ、ベース(図示せず)に載置されてコイル(図示せ
ず)を設けた電磁石部(図示せず)、及び固定接点及び
可動接点を設けた接点部(図示せず)がケースに収納さ
れた構成を有する。金属からなり棒状に形成された2個
の制御端子11が、コイルに電気的に接続され、導出さ
れて一側部に並設される。そして、接点部が電磁石部に
よって駆動されて、可動接点が固定接点と接離して負荷
された高周波信号を開閉制御する。
れ、ベース(図示せず)に載置されてコイル(図示せ
ず)を設けた電磁石部(図示せず)、及び固定接点及び
可動接点を設けた接点部(図示せず)がケースに収納さ
れた構成を有する。金属からなり棒状に形成された2個
の制御端子11が、コイルに電気的に接続され、導出さ
れて一側部に並設される。そして、接点部が電磁石部に
よって駆動されて、可動接点が固定接点と接離して負荷
された高周波信号を開閉制御する。
【0014】2はシールドブロックで、板状の金属によ
り、底部2aを有した略有底箱形に形成され、底部2a
を切り欠いた切り欠き溝21が、後述する接点端子3の
対応位置にて、中央部及び両側部に合計3個設けられ
る。その切り欠き溝21が形成されることによって、底
部2aから突出した2個の凸所22が、平面状の底面2
2aを有して形成される。そして、接点部を外囲した状
態でリレー本体1に配設されて、その接点部をシールド
する。
り、底部2aを有した略有底箱形に形成され、底部2a
を切り欠いた切り欠き溝21が、後述する接点端子3の
対応位置にて、中央部及び両側部に合計3個設けられ
る。その切り欠き溝21が形成されることによって、底
部2aから突出した2個の凸所22が、平面状の底面2
2aを有して形成される。そして、接点部を外囲した状
態でリレー本体1に配設されて、その接点部をシールド
する。
【0015】3は接点端子で、金属により、棒状に形成
され、リレー本体1の接点部に電気的に接続され、コモ
ン端子31、常開端子32、及び常閉端子33とで構成
されて、切り欠き溝21が設けられたシールドブロック
2の底部2aから、絶縁リングを介してシールドブロッ
ク2と絶縁された状態で導出される。そして、接点部が
電磁石部によって駆動されて、高周波信号をコモン端子
31と常閉端子33、及びコモン端子31と常開端子3
2との間で開閉する。
され、リレー本体1の接点部に電気的に接続され、コモ
ン端子31、常開端子32、及び常閉端子33とで構成
されて、切り欠き溝21が設けられたシールドブロック
2の底部2aから、絶縁リングを介してシールドブロッ
ク2と絶縁された状態で導出される。そして、接点部が
電磁石部によって駆動されて、高周波信号をコモン端子
31と常閉端子33、及びコモン端子31と常開端子3
2との間で開閉する。
【0016】4はアース端子で、金属により、棒状に形
成され、シールドブロック2に電気的に接続され、2本
で構成されて、シールドブロック2の凸所22から導出
される。
成され、シールドブロック2に電気的に接続され、2本
で構成されて、シールドブロック2の凸所22から導出
される。
【0017】プリント基板5は、一面5a及び他面5b
を有した薄板状に形成され、ガラス繊維にテフロン等の
フッソ樹脂を含浸したガラスフッソ基板により、誘電損
失が小さく高周波特性が良好である。銅からなり線状の
マイクロストリップライン51が一面5aに形成され
て、高周波信号を伝達するとともに、薄膜状の銅箔から
なる面状アース部52が他面5bに形成される。
を有した薄板状に形成され、ガラス繊維にテフロン等の
フッソ樹脂を含浸したガラスフッソ基板により、誘電損
失が小さく高周波特性が良好である。銅からなり線状の
マイクロストリップライン51が一面5aに形成され
て、高周波信号を伝達するとともに、薄膜状の銅箔から
なる面状アース部52が他面5bに形成される。
【0018】このものの取り扱い及び操作を図4に基づ
いて以下に説明する。シールドブロック2は、底部2a
がプリント基板5の一面5aと対面して、マイクロスト
リップライン51と隣接する。ここで、凸所22の底面
22aが、マイクロストリップライン51を形成されて
いない領域における一面5aと当接する。そして、接点
端子3が一面5aに形成されたマイクロストリップライ
ン51に、アース端子4が他面5bに形成された面状ア
ース部52に、それぞれ半田付けされて接続される。
いて以下に説明する。シールドブロック2は、底部2a
がプリント基板5の一面5aと対面して、マイクロスト
リップライン51と隣接する。ここで、凸所22の底面
22aが、マイクロストリップライン51を形成されて
いない領域における一面5aと当接する。そして、接点
端子3が一面5aに形成されたマイクロストリップライ
ン51に、アース端子4が他面5bに形成された面状ア
ース部52に、それぞれ半田付けされて接続される。
【0019】このとき、金属板からなるシールドブロッ
ク2は、切り欠き溝21が接点端子3の対応位置に設け
られて、プリント基板5との間に絶縁スペース21aを
形成するので、マイクロストリップライン51と接触す
ることなく絶縁される。すなわち、プリント基板5の一
面5aと対面した状態で配置されても、マイクロストリ
ップライン51間を短絡させることがない。
ク2は、切り欠き溝21が接点端子3の対応位置に設け
られて、プリント基板5との間に絶縁スペース21aを
形成するので、マイクロストリップライン51と接触す
ることなく絶縁される。すなわち、プリント基板5の一
面5aと対面した状態で配置されても、マイクロストリ
ップライン51間を短絡させることがない。
【0020】このものの動作を説明する。電圧が制御端
子11を介してコイルに印加されると、接点部が励磁さ
れた電磁石部によって駆動されて、コモン端子31及び
常開端子32間を開状態から閉状態に閉成して、高周波
信号をオンさせる。一方、電圧がコイルから除荷される
と、接点部が元の状態に復帰して、コモン端子31及び
常開端子32間を閉状態から開状態に開成して、高周波
信号をオフさせる。このようにして、接点部が高周波信
号を開閉制御する。コモン端子31及び常開端子32に
ついて説明したが、コモン端子31及び常閉端子33に
ついては、開状態及び閉状態、開成及び閉成、並びにオ
ン及びオフが互いに逆になることを除いて同一に動作す
る。
子11を介してコイルに印加されると、接点部が励磁さ
れた電磁石部によって駆動されて、コモン端子31及び
常開端子32間を開状態から閉状態に閉成して、高周波
信号をオンさせる。一方、電圧がコイルから除荷される
と、接点部が元の状態に復帰して、コモン端子31及び
常開端子32間を閉状態から開状態に開成して、高周波
信号をオフさせる。このようにして、接点部が高周波信
号を開閉制御する。コモン端子31及び常開端子32に
ついて説明したが、コモン端子31及び常閉端子33に
ついては、開状態及び閉状態、開成及び閉成、並びにオ
ン及びオフが互いに逆になることを除いて同一に動作す
る。
【0021】ここで、マイクロストリップライン51ま
での接点端子3の距離が従来と比較して短くなるので、
インピーダンスの不整合部及び導体抵抗が減少して、オ
ン時に高周波信号を減衰させるインサーションロスが低
減する。さらに、高周波信号が伝達されるマイクロスト
リップライン51がシールドブロック2の底部2aと対
面するので、ケース等の他の部品がプリント基板5の他
面5b側へ配置されたとき、それらが面状アース部52
と対面する。したがって、他の部品等をプリント基板5
に近接させても、従来と異なってアイソレーションが劣
化することがない。
での接点端子3の距離が従来と比較して短くなるので、
インピーダンスの不整合部及び導体抵抗が減少して、オ
ン時に高周波信号を減衰させるインサーションロスが低
減する。さらに、高周波信号が伝達されるマイクロスト
リップライン51がシールドブロック2の底部2aと対
面するので、ケース等の他の部品がプリント基板5の他
面5b側へ配置されたとき、それらが面状アース部52
と対面する。したがって、他の部品等をプリント基板5
に近接させても、従来と異なってアイソレーションが劣
化することがない。
【0022】かかる第一実施形態の高周波リレーにあっ
ては、上記したように、絶縁スペース21aを有した切
り欠き溝21が、シールドブロック2から導出された接
点端子3の対応位置に設けられて、マイクロストリップ
ライン51とシールドブロック2とを絶縁するから、シ
ールドブロック2がマイクロストリップライン51を短
絡させることなく、プリント基板5の一面5aと対面し
て、隣接したマイクロストリップライン51までの接点
端子3の距離が従来と比較して短くなるので、インピー
ダンスの不整合部及び導体抵抗を減少させて、オン時に
高周波信号が減衰するインサーションロスを減少して、
高周波特性を向上することができる。
ては、上記したように、絶縁スペース21aを有した切
り欠き溝21が、シールドブロック2から導出された接
点端子3の対応位置に設けられて、マイクロストリップ
ライン51とシールドブロック2とを絶縁するから、シ
ールドブロック2がマイクロストリップライン51を短
絡させることなく、プリント基板5の一面5aと対面し
て、隣接したマイクロストリップライン51までの接点
端子3の距離が従来と比較して短くなるので、インピー
ダンスの不整合部及び導体抵抗を減少させて、オン時に
高周波信号が減衰するインサーションロスを減少して、
高周波特性を向上することができる。
【0023】また、凸所22が切り欠き溝21によって
シールドブロック2の底部2aに形成されるとともに、
シールドブロック2がその凸所22から導出されたアー
ス端子4を介して面状アース部52と接続されたから、
面状アース部52がプリント基板5に対してリレー本体
1の反対側へ位置するので、他の部品等がプリント基板
5の他面5b側へ配置されたとき、マイクロストリップ
ライン51と隣接した従来と異なって面状アース部52
と対面して、アイソレーションを確保したうえで、他の
部品を近接させることができる。
シールドブロック2の底部2aに形成されるとともに、
シールドブロック2がその凸所22から導出されたアー
ス端子4を介して面状アース部52と接続されたから、
面状アース部52がプリント基板5に対してリレー本体
1の反対側へ位置するので、他の部品等がプリント基板
5の他面5b側へ配置されたとき、マイクロストリップ
ライン51と隣接した従来と異なって面状アース部52
と対面して、アイソレーションを確保したうえで、他の
部品を近接させることができる。
【0024】本発明の第2実施形態を以下に説明する。
なお、第2実施形態では第1実施形態と異なる機能につ
いて述べることとする。第2実施形態では、プリント基
板5は別の面状アース部(図示せず)が一面5aに形成
されて、他面5bに形成された面状アース部52とスル
ーホールを介して接続されている。そして、シールドブ
ロック2は凸所22の底面22aが別の面状アース部
と、半田付け面積を広くした状態で互いに半田付けされ
接続されて、その別の面状アース部を介して面状アース
部52と接続される。
なお、第2実施形態では第1実施形態と異なる機能につ
いて述べることとする。第2実施形態では、プリント基
板5は別の面状アース部(図示せず)が一面5aに形成
されて、他面5bに形成された面状アース部52とスル
ーホールを介して接続されている。そして、シールドブ
ロック2は凸所22の底面22aが別の面状アース部
と、半田付け面積を広くした状態で互いに半田付けされ
接続されて、その別の面状アース部を介して面状アース
部52と接続される。
【0025】かかる第2実施形態の高周波リレーにあっ
ては、上記したように、凸所22の底面22aがプリン
ト基板5の一面5aに形成された別の面状アース部と接
続されたから、シールドブロック2が別の面状アース部
を介して面状アース部52と接続されて、他の部品等が
プリント基板5の他面5b側へ配置されたとき、マイク
ロストリップライン51ではなく面状アース部52と対
面するので、アイソレーションを確保したうえで、他の
部品等を近接できるとともに、底面22aと別の面状ア
ース部とを半田付け面積を広くした状態で互いに半田付
けし確実にアースして、高周波特性を向上することがで
きる。
ては、上記したように、凸所22の底面22aがプリン
ト基板5の一面5aに形成された別の面状アース部と接
続されたから、シールドブロック2が別の面状アース部
を介して面状アース部52と接続されて、他の部品等が
プリント基板5の他面5b側へ配置されたとき、マイク
ロストリップライン51ではなく面状アース部52と対
面するので、アイソレーションを確保したうえで、他の
部品等を近接できるとともに、底面22aと別の面状ア
ース部とを半田付け面積を広くした状態で互いに半田付
けし確実にアースして、高周波特性を向上することがで
きる。
【0026】
【発明の効果】請求項1記載のものは、絶縁スペースを
有した切り欠き溝が、シールドブロックから導出された
接点端子の対応位置に設けられて、マイクロストリップ
ラインとシールドブロックとを絶縁するから、シールド
ブロックがマイクロストリップラインを短絡させること
なく、プリント基板の一面と対面して、隣接したマイク
ロストリップラインまでの接点端子の距離が従来と比較
して短くなるので、インピーダンスの不整合部及び導体
抵抗を減少させて、オン時に高周波信号が減衰するイン
サーションロスを減少して、高周波特性を向上すること
ができる。
有した切り欠き溝が、シールドブロックから導出された
接点端子の対応位置に設けられて、マイクロストリップ
ラインとシールドブロックとを絶縁するから、シールド
ブロックがマイクロストリップラインを短絡させること
なく、プリント基板の一面と対面して、隣接したマイク
ロストリップラインまでの接点端子の距離が従来と比較
して短くなるので、インピーダンスの不整合部及び導体
抵抗を減少させて、オン時に高周波信号が減衰するイン
サーションロスを減少して、高周波特性を向上すること
ができる。
【0027】請求項2記載のものは、請求項1記載のも
のの効果に加えて、凸所が切り欠き溝によってシールド
ブロックの底部に形成されるとともに、シールドブロッ
クがその凸所から導出されたアース端子を介して面状ア
ース部と固着されたから、シールドブロックをプリント
基板の他面に形成された面状アース部に接続して、他の
部品等がプリント基板の他面側へ配置されたとき、面状
アース部52がプリント基板5に対してリレー本体1の
反対側へ位置するので、アイソレーションを確保したう
えで、他の部品を近接させることができる。
のの効果に加えて、凸所が切り欠き溝によってシールド
ブロックの底部に形成されるとともに、シールドブロッ
クがその凸所から導出されたアース端子を介して面状ア
ース部と固着されたから、シールドブロックをプリント
基板の他面に形成された面状アース部に接続して、他の
部品等がプリント基板の他面側へ配置されたとき、面状
アース部52がプリント基板5に対してリレー本体1の
反対側へ位置するので、アイソレーションを確保したう
えで、他の部品を近接させることができる。
【0028】請求項3記載のものは、請求項1記載のも
のの効果に加えて、凸所の底面がプリント基板の一面に
形成された別の面状アース部と接続されたから、シール
ドブロックが別の面状アース部を介して面状アース部と
接続されて、他の部品等がプリント基板の他面側へ配置
されたとき、マイクロストリップラインではなく面状ア
ース部と対面するので、アイソレーションを確保したう
えで、他の部品等を近接できるとともに、底面と別の面
状アース部とを半田付け面積を広くした状態で互いに半
田付けし確実にアースして、高周波特性を向上すること
ができる。
のの効果に加えて、凸所の底面がプリント基板の一面に
形成された別の面状アース部と接続されたから、シール
ドブロックが別の面状アース部を介して面状アース部と
接続されて、他の部品等がプリント基板の他面側へ配置
されたとき、マイクロストリップラインではなく面状ア
ース部と対面するので、アイソレーションを確保したう
えで、他の部品等を近接できるとともに、底面と別の面
状アース部とを半田付け面積を広くした状態で互いに半
田付けし確実にアースして、高周波特性を向上すること
ができる。
【図1】本発明の一実施形態を示すプリント基板に接続
状態の斜視図である。
状態の斜視図である。
【図2】同上の正面図である。
【図3】同上の側面図である。
【図4】同上の下面図である。
【図5】従来例を示す正面図である。
【図6】同上の側面図である。
【図7】同上の下面図である。
【図8】同上のプリント基板に実装状態の斜視図であ
る。
る。
1 リレー本体 2 シールドブロック 21 切り欠き溝 21a 絶縁スペース 22 凸所 2a 底部 3 接点端子 4 アース端子 5 プリント基板 5a 一面 5b 他面 51 マイクロストリップライン 52 面状アース部
Claims (3)
- 【請求項1】 コイルを有した電磁石部によって駆動さ
れて高周波信号を開閉制御する接点部を設けたリレー本
体と、底部を有した略有底箱形に形成されて接点部を外
囲してシールドする金属製のシールドブロックと、シー
ルドブロックの底部から導出されて接点部と接続された
接点端子とを備え、接点端子がプリント基板の一面に形
成されて高周波信号を伝達するマイクロストリップライ
ンに、シールドブロックが他面に形成された面状アース
部にそれぞれ接続される高周波リレーにおいて、 前記シールドブロックは、前記底部に隣接した前記マイ
クロストリップラインと絶縁する絶縁スペースを有した
切り欠き溝が、前記接点端子の対応位置に設けられたこ
とを特徴とする高周波リレー。 - 【請求項2】 前記シールドブロックは、前記切り欠き
溝によって形成された凸所から導出された前記アース端
子を介して、前記面状アース部と接続されたことを特徴
とする請求項1記載の高周波リレー。 - 【請求項3】 前記シールドブロックは、前記底部から
突出して底面を有する凸所が前記切り欠き溝によって形
成されるとともに、その底面が前記プリント基板の一面
に形成されて前記面状アース部と接続した別の面状アー
ス部と接続されたことを特徴とする請求項1記載の高周
波リレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1896698A JPH11213835A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 高周波リレー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1896698A JPH11213835A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 高周波リレー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11213835A true JPH11213835A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11986407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1896698A Pending JPH11213835A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 高周波リレー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11213835A (ja) |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP1896698A patent/JPH11213835A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060912 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061013 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070327 |