JP3663338B2 - 高周波リレーの実装方法および高周波リレーの実装に用いるケース - Google Patents
高周波リレーの実装方法および高周波リレーの実装に用いるケース Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波リレーの実装方法および高周波リレーの実装に用いるケースに関し、さらに詳細には、電気通信分野におけるマイクロ波通信機器などに組み込まれるリード端子型の高周波リレーを実装する際に用いて好適な高周波リレーの実装方法および高周波リレーの実装に用いるケースに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、高周波リレーに係る技術分野においては、リード端子型の高周波リレーをプリント基板に実装し、当該プリント基板に実装されたリード端子型の高周波リレーがマイクロ波通信機器などに組み込まれて、信号の伝達や電力のスイッチングなどに使用されるようになされている。
【0003】
ここで、図1(a)には、リード端子型の高周波リレーの一例を示す概略構成側面図が示されており、図1(b)には図1(a)における上面図が示されている。
【0004】
このリード端子型の高周波リレー100は、接点と当該接点に接触力および復旧力を与える接点バネと電磁石とからなるリレー本体(図示せず)を内部に収納するケース102と、ケース102の上面102aに形成されたアース用導体130a,130b(図1(b)斜線領域参照)と、リレー本体(図示せず)に接続されるとともにケース102の上面102aに形成されたアース用導体130a,130b(図1(b)斜線領域参照)から突出された複数のリード端子とを有して構成されている。
【0005】
より詳細には、複数のリード端子は,14本の高周波端子と2本の制御端子とよりなる。具体的には、高周波端子たる4本の高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106と、アース用導体130a,130bと電気的に接続されている8本のアース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118と,2本のコモン用リード端子120,122ならびに制御端子たる2本のリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126とである。
【0006】
これら14本の高周波端子は、7本ずつ2列にわたって配設されており、高周波信号用切り換えリード端子103、アース用リード端子111,112、コモン用リード端子120、アース用リード端子113,114、高周波信号用切り換えリード端子104が順次列状に並んでいる周囲にはアース用導体130aが形成されており、高周波信号用切り換えリード端子105、アース用リード端子115,116、コモン用リード端子122、アース用リード端子117,118、高周波信号用切り換えリード端子106が順次列状に並んでいる周囲にはアース用導体130bが形成されている。
【0007】
ただし、高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106ならびにコモン用リード端子120,122は、アース用導体130a,130bとは所定の間隙を有して配設されていて、アース用導体130a,130bとは電気的に接続されておらず、アース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118のみがアース用導体130a,130bと電気的に接続されているものである。
【0008】
一方、図2(a)には、リード端子型の高周波リレー100が実装されるプリント基板の表面の一例を示す概略構成説明図が示されており、図2(b)には、リード端子型の高周波リレー100が実装されるプリント基板の裏面の一例を示す概略構成説明図が示されている。
【0009】
このリード端子型の高周波リレー100を実装するプリント基板200には、リード端子型の高周波リレー100の16本のリード端子、即ち,4本の高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106と、8本のアース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118と,2本のコモン用リード端子120,122と,2本のリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126とのそれぞれが貫通する孔203,204,205,206,211,212,213,214,215,216,218,220,222,224,226が穿設されている。
【0010】
そして、プリント基板200の表面200aにおいては、金属などの導体からなる面状アース部230a(図2(a)斜線領域参照)が形成されている。
【0011】
ただし、高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106が貫通する孔203,204,205,206,2本のコモン用リード端子120,122が貫通する孔220,222ならびに2本のリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126が貫通する孔224,226の外周と、面状アース部230a(図2(a)斜線領域参照)とは所定の間隙を有しているものである。
【0012】
一方、プリント基板200の裏面200bにおいては、高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106が貫通する孔203,204,205,206の周囲の導体部203b,204b,205b,206bと,2本のコモン用リード端子120,122が貫通する孔220,222の周囲の導体部220b,222bと、2本のリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126が貫通する孔224,226の周囲の導体部224b,226bと、金属などの導体からなる面状アース部230b(図2(b)斜線領域参照)とが形成されている。
【0013】
ただし、プリント基板200の裏面200bの導体部203b,204b,205b,206b,220b,222b,224b,226bの外周と、面状アース部230b(図2(b)斜線領域参照)とは所定の間隙を有しているものである。
【0014】
次に、図3には、プリント基板に実装されたリード端子型の高周波リレーを示す概略構成斜視図が示されており、図4には、図3におけるA−A断面図が示されており、図3ならびに図4を参照しながら、上記したリード端子型の高周波リレー100(図1(a)(b)参照)のプリント基板200(図2(a)(b)参照)への実装について説明することとする。
【0015】
まず、リード端子型の高周波リレー100のケース102の上面102aとプリント基板200の表面200aとが対向するようにして、リード端子型の高周波リレー100の4本の高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106と、8本のアース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118と,2本のコモン用リード端子120,122と,2本のリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126とのそれぞれを、プリント基板200の孔203,204,205,206,211,212,213,214,215,216,218,220,222,224,226に差し込む。
【0016】
この際、リード端子型の高周波リレー100のケース102の上面102aのアース用導体130a,130b(図1(b)斜線領域参照)と、プリント基板200の表面200aと面状アース部230a(図2(a)斜線領域参照)とが接触するようにする。
【0017】
そして、プリント基板200の裏面200bにおいては,4本の高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106を導体部203b,204b,205b,206bと,2本のコモン用リード端子120,122を導体部220b,222bと2本のリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126を導体部224b,226bとそれぞれはんだ付けする(図3ならびに図4参照)。
【0018】
このようにしてプリント基板200に実装されたリード端子型の高周波リレー100(図3参照)のリレー本体(図示せず)に、制御端子たるリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126を介して電圧が印加されることとなる。
【0019】
その結果、リレー本体(図示せず)の電磁石によって接点バネが駆動されて接点の接触力が変化し、高周波端子間、即ち、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子103との間、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子104との間、コモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子105との間ならびにコモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子106との間の開閉状態が変化して、高周波信号など信号のオン/オフの制御が行なわれる。
【0020】
ここで、リード端子型の高周波リレー100が実装されたプリント基板200の表面200aにおいては、面状アース部230a(図2(a)斜線領域参照)が形成されており、また、プリント基板200の裏面200bにおいては、面状アース部230b(図2(b)斜線領域参照)が形成されているので、こうした信号用の導体部間に配設されたアース用導体部により、プリント基板200上の回路間の信号の漏れ込みの防止が図られている。
【0021】
しかしながら、従来よりリード端子型の高周波リレー100の実装方法として周知のように、リード端子型の高周波リレー100をプリント基板200に実装した場合には、電気通信分野において信号の漏れ込みの防止の方法として周知の方法によりプリント基板200の表面200aならびに裏面200bに面状アース部230a,230bが形成されているにもかかわらず、図4に示すように、プリント基板200の絶縁体部200cにおいて、高周波端子間に高周波信号などの信号が漏れ込むこととなっていた(図4の破線矢印は絶縁体部200cにおける信号の漏れ込みを示す)。
【0022】
さらに、プリント基板200の裏面200b側の空気中においても、高周波端子間に高周波信号などの信号が漏れ込むこととなっていた(図4の一点鎖線矢印は空気中における信号の漏れ込みを示す)。
【0023】
より詳細には、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子103との間、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子104との間、コモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子105との間ならびにコモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子106との間のプリント基板200の絶縁体部200c(図4破線矢印参照)ならびに空気中(図4一点鎖線矢印参照)において、高周波信号などの信号が漏れ込むこととなっていた。
【0024】
さらにまた、こうしたプリント基板200の絶縁体部200c(図4破線矢印参照)ならびに空気中(図4一点鎖線矢印参照)における高周波信号などの信号の漏れ込みは、当該信号の周波数が低い周波数帯の場合に比べて当該信号の周波数がマイクロ波帯の場合に顕著であるという問題点があった。
【0025】
このため、従来の高周波リレーの実装方法、即ち、リード端子型の高周波リレー100をプリント基板200に実装する方法によると、従来の信号の漏れ込みの防止の方法を用いているにもかかわらず、コモン用リード端子120,122と高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106との間、即ち、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができないという問題点があった。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記したような従来の技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、リード端子型の高周波リレーを実装する際に、高周波端子間の信号の漏れ込みを防止するようにして、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができるようにした高周波リレーの実装方法および高周波リレーの実装に用いるケースを提供しようとするものである。
【0027】
また、本発明の目的とするところは、リード端子型の高周波リレーにより制御される信号の周波数がマイクロ波帯の場合においても、高周波端子間の信号の漏れ込みを防止するようにして、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができるようにした高周波リレーの実装方法および高周波リレーの実装に用いるケースを提供しようとするものである。
【0028】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項1に記載の発明は、複数の高周波端子とアース用リード端子とを有するリード端子型の高周波リレーを実装する高周波リレーの実装方法において、導体によって形成される板状体の底蓋と、導体によって形成される板状体の上蓋と、導体によって形成される中実の略直方体であり、下面において開口する箱状凹部と、上記箱状凹部から延設された棒状凹部と、上記箱状凹部ならびに上面において開口する上方筒部と、上記上方筒部と連通し側面において開口する側方筒部とを有する本体部とからなるケースの上記本体部の下面において、上記箱状凹部が開口する開口部から、リード端子型の高周波リレーを差し込んで、上記リード端子型の高周波リレーの高周波端子を上記ケースの本体部の上方筒部内に位置させるとともに、上記リード端子型の高周波リレーのアース用リード端子を上記ケースの本体部の棒状凹部内に位置させかつ接触させ、上記リード端子型の高周波リレーに形成されたアース用導体部を上記ケースの本体部に接触させて、上記リード端子型の高周波リレーを上記ケースの本体部内に配設し、上記リード端子型の高周波リレーが配設された上記ケースの本体部の下面において箱状凹部が開口する開口部を塞ぐようにして上記ケースの底蓋を配設し、上記リード端子型の高周波リレーの高周波端子が位置する上記ケースの本体部の上方筒部が上記ケースの本体部の上面において開口する開口部を塞ぐようにして上記ケースの上蓋を配設し、上記ケースの本体部の上方筒部に位置する上記リード端子型の高周波リレーの高周波端子と電気的に短絡して接続するようにして上記ケースの本体部の側方筒部に中心導体を位置させて外部信号取り出し用同軸ケーブルを配線するようにしたものである。
【0029】
従って、本発明のうちの請求項1に記載の発明によれば、リード端子型の高周波リレーの高周波端子がケースの本体部の上方筒部内に位置するとともに、リード端子型の高周波リレーのアース用リード端子がケースの本体部の棒状凹部内に位置しかつ接触し、リード端子型の高周波リレーに形成されたアース用導体部がケースの本体部に接触して、リード端子型の高周波リレーがケースの本体部内に配設され、当該リード端子型の高周波リレーが配設されたケースの本体部の下面において箱状凹部が開口する開口部を塞ぐようにしてケースの底蓋が配設され、リード端子型の高周波リレーの高周波端子が位置するケースの本体部の上方筒部がケースの本体部の上面において開口する開口部を塞ぐようにしてケースの上蓋が配設され、ケースの本体部の上方筒部に位置するリード端子型の高周波リレーの高周波端子と電気的に短絡して接続するようにしてケースの本体部の側方筒部に中心導体を位置させて外部信号取り出し用同軸ケーブルが配線されるので、リード端子型の高周波リレーのアース用導体部ならびにアース用リード端子と電気的に短絡状態となるケースの本体部と上蓋とを形成する導体により高周波端子が取り囲まれ、高周波端子間の高周波信号などの信号の漏れ込みをケースを形成する導体によって遮蔽することができ、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができる。
【0030】
また、本発明のうち請求項2に記載の発明は、複数の高周波端子とアース用リード端子とを有するリード端子型の高周波リレーの実装に用いるケースにおいて、導体によって形成される板状体の底蓋と、導体によって形成される板状体の上蓋と、導体によって形成される中実の略直方体であり、下面において開口する箱状凹部と、上記箱状凹部から延設された棒状凹部と、上記箱状凹部ならびに上面において開口する上方筒部と、上記上方筒部と連通し側面において開口する側方筒部とを有する本体部とを有し、上記リード端子型の高周波リレーの高周波端子が上記ケースの本体部の上方筒部内に位置するとともに、上記リード端子型の高周波リレーのアース用リード端子が上記ケースの本体部の棒状凹部内に位置してかつ接触し、上記リード端子型の高周波リレーに形成されたアース用導体部が上記ケースの本体部に接触するようにしたものである。
【0031】
従って、本発明のうちの請求項2に記載の発明によれば、リード端子型の高周波リレーを導体により形成されるケース内に配設すると、リード端子型の高周波リレーの高周波端子がケースの本体部の上方筒部内に位置し、リード端子型の高周波リレーのアース用リード端子がケースの本体部の棒状凹部内に位置してかつ接触し、リード端子型の高周波リレーに形成されたアース用導体部がケースの本体部に接触するので、リード端子型の高周波リレーのアース用導体部ならびにアース用リード端子と電気的に短絡状態となるケースの本体部と上蓋とを形成する導体により高周波端子が取り囲まれ、高周波端子間の高周波信号などの信号の漏れ込みをケースを形成する導体によって遮蔽することができ、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができる。
【0034】
さらにまた、本発明のうちの請求項1、請求項2または請求項3のいずれか1項に記載の発明によれば、高周波信号などの信号の周波数がマイクロ波帯の場合においても、高周波端子間の当該マイクロ波帯の信号の漏れ込みをケースを形成する導体によって遮蔽することができ、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができる。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて、本発明による高周波リレーの実装方法および高周波リレーの実装に用いるケースの実施の形態の一例について詳細に説明するものとする。
【0036】
なお、図5乃至図7の説明においては、図1乃至図4における各構成と同一または相当する構成に関しては、図1乃至図4において用いた符号と同一の符号を用いて示すことにより、その詳細な説明は省略する。
【0037】
また、本発明による高周波リレーの実装方法の実施の形態において用いられる高周波リレー100は、上記した「従来の技術」の項における高周波リレー100と同一のものでよい。
【0038】
ここで本発明による高周波リレーの実装方法と、「従来の技術」の項で説明した従来の高周波リレーの実装方法とを比較すると、従来の高周波リレーの実装方法によれば高周波リレー100はプリント基板200に実装されるのに対して、本発明による高周波リレーの実装方法によると高周波リレー100は導体により形成されるケース10に実装される点において、従来の高周波リレーの実装方法と異なっている。
【0039】
図5には、本発明による高周波リレーの実装方法によりリード端子型の高周波リレーが実装されるケースの一例を示す概略構成分解斜視図が示されており、図6には、本発明による高周波リレーの実装方法によりリード端子型の高周波リレーが実装された状態のケースの一例を示す概略構成斜視図が示されており、図7(a)には、図6におけるB−B断面図が示されており、図7(b)には、図6におけるC−C断面図が示されており、図8には、図6におけるD−D断面図が示されている。
【0040】
本発明による高周波リレーの実装方法によりリード端子型の高周波リレー100が実装されるケース10は、底蓋30と本体部34と上蓋32とを有して構成されており、当該底蓋30と本体部34と上蓋32とはそれぞれ導体、例えば、金属により形成されているものである。
【0041】
ここで、底蓋30と上蓋32とはともに、矩形の板状体であり、当該矩形の板状体の角にはそれぞれネジ孔30a,30b,30c,30d,32a,32b,32c,32dが穿設されている。
【0042】
一方、中実の略直方体状の本体部34には、本体部34の下面34b側の箱状凹部2と、箱状凹部2から延設された棒状凹部11,12,13,14,15,16,17,18と、箱状凹部2ならびに本体部34の上面34aにおいて開口する上方筒部3,4,5,6,20,22,24と、上方筒部3,4,5,6,20,22,24と連通するとともに本体部34の側面34cにおいて開口する側方筒部3a,4a,5a,6a,20a,22a,24aとが形成されているものである。
【0043】
また、本体部34の上面34a、下面34bならびに側面34cの所定の位置には複数のネジ孔が穿設されている。
【0044】
より詳細には、箱状凹部2は下面34bにおいて開口部2aで開口し、リード端子型の高周波リレー100のケース102の外形に適合する形状を備えるものである。
【0045】
棒状凹部11,12,13,14,15,16,17,18はそれぞれ、箱状凹部2において開口部11a,12a,13a,14a,15a,16a,17a,18aで開口し、アース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118が位置するものである。
【0046】
なお、棒状凹部11,12,13,14,15,16,17,18の開口部11a,12a,13a,14a,15a,16a,17a,18aから天井部11b,12b,13b,14b,15b,16b,17b,18bまでの高さは、アース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118の長さと一致するようにして寸法設定されているものである。
【0047】
上方筒部3,4,5,6,20,22,24はそれぞれ、箱状凹部2において開口部3b,4b,5b,6b,20b,22b,24bで開口するとともに、本体部34の上面34aにおいて開口部3c,4c,5c,6c,20c,22c,24cで開口し、高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106、コモン用リード端子120,122ならびにリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126が位置するものである。
【0048】
側方筒部3a,4a,5a,6a,20a,22a,24aはそれぞれ、本体部34の側面34cにおいて開口部3d,4d,5d,6d,20d,22d,24dで開口するものである。
【0049】
次に、図5乃至図7を参照しながら、上記したケース10へのリード端子型の高周波リレー100(図1(a)(b)参照)の実装について説明することとする。
【0050】
まず、リード端子型の高周波リレー100のケース102の上面102aとケース10の本体部34の下面34b側の箱状凹部2とが対向するようにして、ケース10の本体部34の下面34bの開口部2aからリード端子型の高周波リレー100を差し込む。
【0051】
この際、ケース10の本体部34の箱状凹部2はリード端子型の高周波リレー100のケース102の外形に適合する形状を成しているので、リード端子型の高周波リレー100をケース10の本体部34に配置する際の位置決めが容易に行える。
【0052】
つまり、リード端子型の高周波リレー100は、ケース10の本体部34の上方筒部3,4,5,6内に高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106それぞれが、棒状凹部11,12,13,14,15,16,17,18内にアース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118それぞれが、上方筒部20,22内にコモン用リード端子120,122それぞれが、上方筒部24内にリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126が位置するようにして、ケース10の本体部34において位置決めされる。
【0053】
その結果、ケース10の本体部34の箱状凹部2の開口部3b,4b,5b,6b,11a,12a,13a,14a,15a,16a,17a,18a,20b,22b近傍において、リード端子型の高周波リレー100のケース102の上面102aのアース用導体130a,130b(図1(b)ならびに図5斜線領域参照)とケース10の本体部34とが接触するようになる。
【0054】
これにより、ケース10の本体部34を形成する導体とリード端子型の高周波リレー100のアース用導体130a,130b(図1(b)ならびに図5斜線領域参照)とが電気的に短絡状態となって接続される。
【0055】
また、リード端子型の高周波リレー100の高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106はそれぞれ上方筒部3,4,5,6内に位置するようになり、アース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118はそれぞれ棒状凹部11,12,13,14,15,16,17,18内に位置するようになり、コモン用リード端子120,122はそれぞれ上方筒部20,22内に位置するようになり、リレー切り換え駆動信号用リード端子124,126はともに上方筒部24内に位置するようになる。
【0056】
この際、アース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118それぞれは、棒状凹部11,12,13,14,15,16,17,18の天井部11b,12b,13b,14b,15b,16b,17b,18bに接触するので、ケース10の本体部34を形成する導体と、リード端子型の高周波リレー100のアース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118とが電気的に短絡状態となって接続される。
【0057】
そして、リード端子型の高周波リレー100が箱状凹部2に配設されたケース10の本体部34の下面34bに、ケース10の本体部34の下面34bにおいて箱状凹部2が開口する開口部2aを塞ぐようにして、ネジ孔30a,30b,30c,30dにネジ41,42,43,44をネジ込んで底蓋30を固定的に配設する。
【0058】
続いて、ケース10の本体部34の側面34cにおいて開口する開口部、即ち、側方筒部3a,4a,5a,6a,20a,22a,24aの開口部3d,4d,5d,6d,20d,22d,24d近傍に外部信号取り出し用同軸ケーブル51,52,53,54,55,56,57をネジ止めして固定的に配置する。
【0059】
この際、外部信号取り出し用同軸ケーブル51,52,53,54,55,56,57の中心導体51a,52a,53a,54a,55a,56a,57a,58aが、側方筒部3a,4a,5a,6a,20a,22a,24a内に位置するようにする。
【0060】
そして、側方筒部3a,4a,5a,6a,20a,22a,24a内それぞれに位置する外部信号取り出し用同軸ケーブル51,52,53,54,55,56,57の中心導体51a,52a,53a,54a,55a,56a,57a,58aと、上方筒部3,4,5,6,20,22,24それぞれに位置する高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106、コモン用リード端子120,122ならびにリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126とをそれぞれはんだ付けにより接続する(図7(a)ならびに図8接合部参照)。
【0061】
こうして、リード端子型の高周波リレー100は、この外部信号取り出し用同軸ケーブル51,52,53,54,55,56,57を介して、外部回路、例えば、マイクロストリップ回路(図示せず)などと接続される。
【0062】
それから、外部信号取り出し用同軸ケーブル51,52,53,54,55,56,57が配設されたケース10の本体部34の上面34aに、ケース10の本体部34の上方筒部3,4,5,6,20,22,24がケース10の本体部34の上面34aにおいて開口する開口部3c,4c,5c,6c,20c,22c,24cを塞ぐようにして、ネジ孔32a,32b,32c,32dにネジ45,46,47,48をネジ込んで上蓋32を固定的に配設する(図6参照)。
【0063】
これにより、リード端子型の高周波リレー100のコモン用リード端子120,122ならびに高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106が、ケース10の本体部34と上蓋32とにより取り囲まれ、つまり、リード端子型の高周波リレー100の高周波端子が接地された導体により取り囲まれることになる。
【0064】
このようにしてケース10に実装されたリード端子型の高周波リレー100(図6参照)のリレー本体(図示せず)に、制御端子たるリレー切り換え駆動信号用リード端子124,126を介して電圧が印加されることとなる。
【0065】
その結果、リレー本体(図示せず)の電磁石によって接点バネが駆動されて接点の接触力が変化し、高周波端子間、即ち、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子103との間、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子104との間、コモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子105との間ならびにコモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子106との間の開閉状態が変化して、高周波信号など信号のオン/オフの制御が行なわれる。
【0066】
この際、高周波端子間の高周波信号などの信号の漏れ込みは、当該高周波端子、即ち、高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106とコモン用リード端子120,122とを取り囲むようにして配設されたケース10の本体部34と上蓋32とによって遮蔽される。
【0067】
より詳細には、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子103との間、コモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子105との間、コモン用リード端子120と高周波信号用切り換えリード端子104との間、コモン用リード端子122と高周波信号用切り換えリード端子106との間においては、ケース10の本体部34を形成する導体により、さらに、高周波端子間の空気中においては、ケース10の上蓋32を形成する導体により高周波信号などの信号の電波が遮蔽される。
【0068】
このため、この本発明による高周波リレーの実装方法においては、リード端子型の高周波リレー100を導体により形成されるケース10に実装するようにし、当該リード端子型の高周波リレー100のアース用導体130a、130b(図1(b)ならびに図5斜線領域参照)ならびにアース用リード端子111,112,113,114,115,116,117,118と電気的に短絡状態となるケース10の本体部34と上蓋32とを形成する導体により、コモン用リード端子120,122ならびに高周波信号用切り換えリード端子103,104,105,106、即ち、高周波端子が取り囲まれるので、高周波端子間の高周波信号などの信号の漏れ込みをケース10の導体によって遮蔽することができる。
【0069】
さらにまた、本発明による高周波リレーの実装方法によれば、高周波信号などの信号の周波数が低い周波数帯の場合に、高周波端子間の当該低い周波数帯の信号の漏れ込みをケース10の導体によって遮蔽することができるとともに、高周波信号などの信号の周波数がマイクロ波帯の場合においても、高周波端子間の当該マイクロ波帯の信号の漏れ込みをケース10の導体によって遮蔽することができる。
【0070】
従って、本発明による高周波リレーの実装方法によれば、従来の高周波リレーの実装方法を用いて、リード端子型の高周波リレー100をプリント基板200に実装した場合と比較すると、高周波端子間の高周波信号などの信号が漏れ込む量が減少して、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができるものである。
【0071】
具体的には、図8に示すように、本発明による高周波リレーの実装方法によれば、従来の信号の漏れ込みの防止の方法を用いて、リード端子型の高周波リレー100をプリント基板200に実装した場合と比較すると、高周波端子間のアイソレーションを約20dB改善することができる。
【0072】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成されているので、リード端子型の高周波リレーを実装する際に、高周波端子間の信号の漏れ込みを防止するようにして、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができるようになるという優れた効果を奏する。
【0073】
また、リード端子型の高周波リレーにより制御される信号の周波数がマイクロ波帯の場合においても、高周波端子間の信号の漏れ込みを防止するようにして、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができるようになるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、リード端子型の高周波リレーの一例を示す概略構成側面図であり、(b)は、(a)における上面図である。
【図2】(a)は、リード端子型の高周波リレーが実装されるプリント基板の表面の一例を示す概略構成説明図であり、(b)は、リード端子型の高周波リレーが実装されるプリント基板の裏面の一例を示す概略構成説明図である。
【図3】従来の方法によりプリント基板に実装されたリード端子型の高周波リレーを示す概略構成斜視図である。
【図4】図3におけるA−A断面図である。
【図5】本発明による高周波リレーの実装方法によりリード端子型の高周波リレーが実装されるケースの一例を示す概略構成分解斜視図である。
【図6】本発明による高周波リレーの実装方法によりリード端子型の高周波リレーが実装された状態のケースの一例を示す概略構成斜視図である。
【図7】(a)は、図6におけるB−B断面図であり、(b)は、図6におけるC−C断面図であり、
【図8】図6におけるD−D断面図である。
【図9】従来の方法によりリード端子型の高周波リレーをプリント基板に実装した場合のアイソレーションと、本発明による高周波リレーの実装方法によりリード端子型の高周波リレーをケースに実装した場合のアイソレーションとを示すグラフである。
【符号の説明】
2 箱状凹部
3,4,5,6,20,22,24 上方筒部
3b,4b,5b,6b,20b,22b,24b 開口部
3c,4c,5c,6c,20c,22c,24c 開口部
3a,4a,5a,6a,20a,22a,24a 側方筒部
3d,4d,5d,6d,20d,22d,24d 開口部
10 ケース
11,12,13,14,15,16,17,18 棒状凹部
11a,12a,13a,14a,15a,16a,17a,18a 開口部
11b,12b,13b,14b,15b,16b,17b,18b 天井部
30 底蓋
32 上蓋
30a,30b,30c,30d,32a,32b,32c,32d ネジ孔
34 本体部
34a 上面
34b 下面
34c 側面
41,42,43,44,45,46,47,48 ネジ
51,52,53,54,55,56,57 外部信号取り出し用同軸ケーブル
51a,52a,53a,54a,55a,56a,57a,58a 中心導体
100 リード端子型の高周波リレー
102 ケース
102a 上面
103,104,105,106 高周波信号用切り換えリード端子
111,112,113,114,115,116,117,118 アース用リード端子
120,122 コモン用リード端子
124,126 リレー切り換え駆動信号用リード端子
130a,130b アース用導体
200 プリント基板
200a 表面
200b 裏面
200c 絶縁体部
203,204,205,206,211,212,213,214,215,216,218,220,222,224,226 孔
203b,204b,205b,206b,220b,222b,224b,226b 導体部
230a、230b 面状アース部
Claims (2)
- 複数の高周波端子とアース用リード端子とを有するリード端子型の高周波リレーを実装する高周波リレーの実装方法において、
導体によって形成される板状体の底蓋と、導体によって形成される板状体の上蓋と、導体によって形成される中実の略直方体であり、下面において開口する箱状凹部と、前記箱状凹部から延設された棒状凹部と、前記箱状凹部ならびに上面において開口する上方筒部と、前記上方筒部と連通し側面において開口する側方筒部とを有する本体部とからなるケースの前記本体部の下面において、前記箱状凹部が開口する開口部から、リード端子型の高周波リレーを差し込んで、前記リード端子型の高周波リレーの高周波端子を前記ケースの本体部の上方筒部内に位置させるとともに、前記リード端子型の高周波リレーのアース用リード端子を前記ケースの本体部の棒状凹部内に位置させかつ接触させ、前記リード端子型の高周波リレーに形成されたアース用導体部を前記ケースの本体部に接触させて、前記リード端子型の高周波リレーを前記ケースの本体部内に配設し、
前記リード端子型の高周波リレーが配設された前記ケースの本体部の下面において箱状凹部が開口する開口部を塞ぐようにして前記ケースの底蓋を配設し、
前記リード端子型の高周波リレーの高周波端子が位置する前記ケースの本体部の上方筒部が前記ケースの本体部の上面において開口する開口部を塞ぐようにして前記ケースの上蓋を配設し、
前記ケースの本体部の上方筒部に位置する前記リード端子型の高周波リレーの高周波端子と電気的に短絡して接続するようにして前記ケースの本体部の側方筒部に中心導体を位置させて外部信号取り出し用同軸ケーブルを配線する
ものである高周波リレーの実装方法。 - 複数の高周波端子とアース用リード端子とを有するリード端子型の高周波リレーの実装に用いるケースにおいて、
導体によって形成される板状体の底蓋と、
導体によって形成される板状体の上蓋と、
導体によって形成される中実の略直方体であり、下面において開口する箱状凹部と、前記箱状凹部から延設された棒状凹部と、前記箱状凹部ならびに上面において開口する上方筒部と、前記上方筒部と連通し側面において開口する側方筒部とを有する本体部とを有し、
前記リード端子型の高周波リレーの高周波端子が前記ケースの本体部の上方筒部内に位置するとともに、前記リード端子型の高周波リレーのアース用リード端子が前記ケースの本体部の棒状凹部内に位置してかつ接触し、前記リード端子型の高周波リレーに形成されたアース用導体部が前記ケースの本体部に接触する
ものである高周波リレーの実装に用いるケース。
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