JP4923922B2 - 極端紫外線露光用マスク、その製造法、およびそれを用いた半導体集積回路製造方法 - Google Patents
極端紫外線露光用マスク、その製造法、およびそれを用いた半導体集積回路製造方法 Download PDFInfo
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Description
反射率R3=多層膜の反射率+緩衝膜の反射率
2・・・・多層膜
3・・・・緩衝膜
4・・・・吸収膜
5・・・・膜薄部
5´・・・修正部
6・・・・欠陥部
10・・・EUV(極端紫外線)露光用マスク
A・・・・吸収領域
N・・・・無修正部
R・・・・高反射領域
Claims (3)
- 基板と、前記基板の片側表面上に形成されたEUV光を反射する多層膜と、前記多層膜上に形成されたEUV光に対する透明性を有する緩衝膜と、前記緩衝膜上に形成されたパターニングされた吸収膜とを有する極端紫外線露光用マスクを準備し、
前記吸収膜をパターニングした後、前記吸収膜がパターニングされずに残存したパターン欠陥部を集束イオンビームにより修正し、
前記緩衝膜の一部であって、前記パターン欠陥部に隣接する前記緩衝膜表面のイオン濃度が、5×10 20 (atoms/cm 3 )以上の部分、または、前記集束イオンビームにより修正された前記緩衝膜の前記修正部の反射率が、前記集束イオンビームにより修正しない前記緩衝膜の無修正部の反射率より5%以上低い部分における前記緩衝膜の前記修正部の膜厚を、前記緩衝膜の前記無修正部より膜薄化することを特徴とする極端紫外線露光用マスクの製造方法。 - 前記緩衝膜の前記修正部のEUV光の反射率と、前記緩衝膜の前記無修正部のEUV光の反射率とはほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載の極端紫外線露光用マスクの製造方法。
- 請求項1または2のいずれか一に記載の極端紫外線露光用マスクの製造方法により製造した極端紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、リソグラフィ法による露光転写を行うことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
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