JPH11190765A - 半導体試験装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】キャリブレーションデータ又はイニシャライズ
データの保存データを再利用することにより、キャリブ
レーション実行時間又はオンライン・イニシャライズ実
行時間に係るスループットの向上をはかった半導体試験
装置を提供する。 【解決手段】設定時間毎、又は所定時間毎に温度を測定
して、所定の温度以上の変化があったときに、タイミン
グのキャリブレーションを実行する半導体試験装置にお
いて、所定の温度以上に変化したとき、温度におけるキ
ャリブレーションデータの保存ファイルがない場合は、
キャリブレーションを実行してファイル管理台帳を備え
て登録し、温度における以前に取得したキャリブレーシ
ョンデータのファイルがある場合は、温度によるキャリ
ブレーションデータの保存ファイルを再使用する半導体
試験装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、温度変化に伴う測
定系の精度を維持するタイミング、その他のキャリブレ
ーション機能を備える半導体試験装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術の例について、図３〜図５を参
照して説明する。最初に一般的な半導体試験装置のハー
ドウェアについて説明する。図３に示すように、半導体
試験装置のキャリブレーション部分は、各ユニットをバ
スを介して制御するテスタプロセッサ（ＴＰ）７０と、
オペレータとのインタフェースとなるワークステーショ
ン（ＷＳ）８０と、記憶媒体等の記憶手段であるメモリ
９０と、タイミングジェネレータ１０（ＴＧ；Timing G
enerator）と波形整形器２０（ＦＣ：Format Cotrol)
と、パターンジェネレータ５０（ＰＧ：Pattern Genera
tor)と、可変遅延器３１〜３ｎと、ドライバ４１〜４ｎ
と、マルチプレクサ６０とで構成している。

【０００３】以下、各ユニットの動作と、ドライバの出
力ピンにおけるタイミングをキャリブレーションする動
作例について説明する。

【０００４】タイミングジェネレータ１０は、基本クロ
ックから試験周期や試験信号の基準タイミング信号を発
生する。

【０００５】パターンジェネレータ５０は、基本クロッ
クに同期してあらかじめプログラムされた論理データを
発生する。

【０００６】波形整形器２０は、パターンジェネレータ
５０からの論理データを受けて、タイミングジェネレー
タ１０で発生した基準タイミング信号で所望の試験パタ
ーン波形に整形する。

【０００７】可変遅延器３１〜３ｎは、ドライバ４１〜
４ｎの出力端子における試験信号の伝搬遅延差を調整す
る微調整遅延素子である。そして、図４に示すように、
同一のタイミングを設定した場合、各ドライバ４１〜４
ｎの出力端における各ピン間のスキュー( skew) がほぼ
ゼロとなるように可変遅延器３１〜３ｎにより調整す
る。

【０００８】さらに、周囲温度の変化があっても各ドラ
イバ４１〜４ｎの出力端における各ピン間のスキューが
発生しないようにする必要がある。その為、半導体試験
装置内部の温度を測定して、所定時間または任意の設定
時間経過毎に温度が規定以上に変化したときに自動的に
キャリブレーションを実施している。

【０００９】また、半導体試験装置内部の温度測定は、
たとえば図３にしめすタイミングジェネレータ１０内の
ゲート１２の伝搬遅延の変化を温度センサとして使用す
る。すなわち、タイミングジェネレータ１０内にあるス
イッチＳＷ１をＳ側に切り換えてシステムループを形成
させ、そのシステムループ発振によるループ周波数Ｆｓ
をカウンタ１３で計数し、前回測定したときの値との変
化分を演算回路１４で演算して温度変化量として求めて
いる。

【００１０】また、ピン間スキューは、タイミングジェ
ネレータ１０内のスイッチＳＷ１をＴ側に切り換えて、
各ピンの出力信号をマルチプレクサ６０で順次選択し、
発振ループを形成し、このループ周波数Ｆｔをカウンタ
１３で計数し、基準ピンとの差分を演算回路１４で演算
して遅延時間誤差のデータとして求めている。そして、
ピン間スキューの補正回路の一例としては、ピン数ｎに
対応する数のＤ／Ａコンバータ１５と、可変遅延器３１
〜３ｎとで構成し、各ドライバの遅延時間の誤差のデー
タを対応するＤ／Ａコンバータ１５に設定してアナログ
電圧に変換し、対応する可変遅延器３１〜３ｎに供給す
ることにより、ピン間のスキューをほぼゼロにしてい
る。尚、上記可変遅延器３１〜３ｎがアナログ制御型の
可変遅延手段でなく、デジタル制御型の可変遅延手段の
場合にはＤ／Ａコンバータ１５は無く、直接対応する可
変遅延器３１〜３ｎへ設定される。

【００１１】一般に、半導体試験装置のピン数は数百〜
数千ピンと多いので、キャリブレーションに要する時間
も数十秒〜数分を要する。尚、タイミングのキャリブレ
ーション項目としては、上述したドライバ・ピン間スキ
ュー以外にも、例えばコンパレータ・ピン間スキュー、
ストローブ間スキュー、ドライバＩ／Ｏ切換タイミン
グ、ドライバ・コンパレータ間スキュー等があり、キャ
リブレーションの実行により所定の精度を維持するよう
にしている。

【００１２】次に、従来のタイミングのキャリブレーシ
ョン実行方法の一例について図５のフローチャートを参
照して箇条書きで以下説明する。

【００１３】１．キャリブレーションは試験プログラム
中のＣＡＬＬ文によって呼び出して実行する（ＣＡＬＬ
ＣＡＬＢ）。

【００１４】２．キャリブレーションファイル（ＣＡＬ
ＦＩＬＥ）が有るかどうかチェックする（ステップ１
００）。そして、キャリブレーションファイルが有れ
ば、ステップ２００へすすむ。また、キャリブレーショ
ンファイルが無ければ、ステップ１１０へすすむ。

【００１５】３．半導体試験装置内部の温度を計測する
（ステップ２００）。

【００１６】４．前回のキャリブレーション実行時から
所定の時間たとえば１０分経過したかどうかチェックす
る（ステップ３００）。そして、１０分経過していれ
ば、ステップ３１０へすすむ。また、１０分経過してい
なければ、ステップ４００へすすむ。

【００１７】５．キャリブレーションファイルの時刻デ
ータを書き換える（ステップ４００）。

【００１８】６．キャリブレーションファイルのデータ
を遅延時間の補正回路にセットする（ステップ６０
０）。そして、キャリブレーションプログラムを終了し
て、呼び出したもとのプログラムにもどる（ＲＥＴＵＲ
Ｎ）。

【００１９】７．半導体試験装置内部の温度が所定の温
度たとえば２°Ｃ以上変化したかどうかチェックする
（ステップ３１０）。そして、２°Ｃ以上変化していれ
ば、ステップ１２０へすすむ。また、２°Ｃ以上変化し
ていなければ、ステップ４００へすすむ。

【００２０】８．キャリブレーションファイルが無けれ
ば、システム温度を計測する（ステップ１１０）。

【００２１】９．新規にキャリブレーションを実行する
（ステップ１２０）。

【００２２】１０．新規にキャリブレーションファイル
を作成する（ステップ１３０）。

【００２３】１１．キャリブレーションプログラムを終
了して、呼び出したもとの試験プログラムにもどる（Ｒ
ＥＴＵＲＮ）。

【００２４】以上のステップ説明からわかるように、所
定の時間が経過して、設定温度以上の変化があった場
合、その都度キャリブレーションを実行している。従っ
て、キャリブレーションの時間がその都度数十秒から数
分必要であり、その間は半導体の試験ができないので、
半導体試験装置のスループットの低下となる難点があ
る。

【００２５】ところで、上述したタイミングのキャリブ
レーションの例としては、ドライバのピン間スキューで
おこなう場合について説明したが、コンパレータピン間
スキューやドライバＩ／Ｏタイミング誤差などについて
も同様に実行される。

【００２６】次に、オンライン・イニシャライズについ
て、図６を参照して説明する。尚、オンライン・イニシ
ャライズは、システムが備える基準となる電圧や電流及
びオフセットレベルの校正を行うものである。このイニ
シャライズの実行は電源投入時と、温度が規定温度、例
えば±５°Ｃ以上となったときデバイス試験の開始に先
立って行われる。このオンライン・イニシャライズの実
行時間も数十分程度かかる。このイニシャライズ項目と
しては、例えば、ドライバ出力レベルのオフセット、コ
ンパレータのオフセット、内蔵電圧基準、抵抗基準の校
正、デバイス電源の電圧、電流のオフセット及びゲイン
等があり、オンライン・イニシャライズの実行により所
定の測定精度を維持するようにしている。

【００２７】従来のオンライン・イニシャライズのフロ
ーチャートを図６に示して、箇条書きで実行手順を説明
する。

【００２８】１．デバイス試験プログラムが起動された
かをチェックし、起動が検出されるまでループ待ちをす
る。もし起動されたならば、このデバイス試験プログラ
ム実行に先立って以降の処理ステップを行う（ステップ
７１０）。 ２．前回のイニシャライズから規定時間、例えば１時間
が経過したかをチェックし、未だ経過していないときは
ステップ７５０へ進み、もし規定時間が経過していれば
ステップ２００へ進む（ステップ７２０）。 ３．半導体試験装置内部の温度を計測する（ステップ２
００）。 ４．前回イニシャライズ実施時点における計測温度に対
して今回の計測温度が規定温度、例えば±５°Ｃ以上変
化していなければステップ７５０へ進み、もし規定温度
以上変化していればステップ７４０へ進む（ステップ７
３０）。 ５．新規にオンライン・イニシャライズを実行して現温
度における電圧・電流及びオフセットレベル等の校正を
行ったイニシャライズデータをテスタ・ハードウエア資
源（設定レジスタやメモリ等）へ更新設定することで、
現温度における所定の測定精度が維持される。このとき
の温度値Ｔｘと時刻情報は次回のステップ７２０、７３
０で比較チェックの為に保存しておく（ステップ７４
０）。 ６．所定の測定精度が維持されている状態で、デバイス
試験プログラムは実行開始する（ステップ７５０）。

【００２９】以上のステップ説明からわかるように、オ
ンライン・イニシャライズ実行の都度数十分の時間を消
費している。従って、その実行中の時間は、デバイス試
験ができない。結果として、半導体試験装置のスループ
ットの低下要因となっている。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、半
導体試験装置はキャリブレーションの実行時間が数十秒
から数分必要であり、又オンライン・イニシャライズの
実行時間は数十分程度かかる。その間は半導体の試験が
できないので、半導体試験装置のスループットが低下す
る実用上の難点があった。そこで、本発明が解決しよう
とする課題は、キャリブレーションデータ又はイニシャ
ライズデータの保存データを再利用することにより、キ
ャリブレーション実行時間又はオンライン・イニシャラ
イズ実行時間に係るスループットの向上をはかった半導
体試験装置を提供することを目的とする。

【００３１】

【課題を解決するための手段】第１図と第２図は、本発
明に係る解決手段を示している。第１に、上記課題を解
決するために、本発明の構成では、設定時間毎、又は所
定時間毎に装置内の温度を測定して、前回のキャリブレ
ーション更新時の温度と比較して所定の温度以上の変化
があったときに、タイミングのキャリブレーションを実
行する半導体試験装置において、所定の温度以上に変化
したとき、当該温度におけるキャリブレーションデータ
の保存ファイルがファイル管理台帳上に登録されていな
い場合は、実際にキャリブレーションを実行してファイ
ル管理台帳を備えて登録し、当該温度における以前に取
得したキャリブレーションデータのファイルがファイル
管理台帳にある場合は、当該温度によるキャリブレーシ
ョンデータの当該保存ファイルを再使用して実際のキャ
リブレーションを実行しないことを特徴とした半導体試
験装置である。

【００３２】上記発明によれば、格納されているキャリ
ブレーションデータの保存データを再利用することによ
り、当該測定温度と同一温度のときにキャリブレーショ
ン実行時間を削減可能とした半導体試験装置が実現でき
る。

【００３３】第７図は、本発明に係る解決手段を示して
いる。第２に、上記課題を解決するために、本発明の構
成では、デバイス試験に先立ち装置内の温度を測定し、
前回のオンライン・イニシャライズ更新時の温度と比較
して所定の温度以上の変化があったときに、オンライン
・イニシャライズを実行する半導体試験装置において、
所定以上の温度変化の検出を受けて、測定した当該温度
値Ｔｘが既登録の温度値か否かをファイル管理台帳（例
えば参照テーブル２５０）を備えてチェックし、第１に
当該温度値Ｔｘが未登録の場合には実際にオンライン・
イニシャライズの測定を実施し、得たイニシャライズデ
ータをテスタ・ハードウエア資源（設定レジスタやメモ
リ等）へ更新設定し、かつ以後再利用できるように、得
たイニシャライズデータを当該温度値Ｔｘと共に記憶媒
体２８０へ登録格納し、第２に当該温度値Ｔｘが既登録
の場合には当該温度値Ｔｘに対応するイニシャライズ保
存データＳ２９０を記憶媒体２８０から読み出してテス
タ・ハードウエア資源へ更新転送することを特徴とした
半導体試験装置がある。

【００３４】上記発明によれば、格納されているイニシ
ャライズデータの保存データを再利用することにより、
当該測定温度と同一温度のときにオンライン・イニシャ
ライズ実行時間を削減可能とした半導体試験装置が実現
できる。

【００３５】また、ファイル管理台帳に登録された各温
度値毎の登録情報の消去形態としては、電源ＯＦＦによ
り登録情報を消去する形態、電源ＯＦＦでも登録情報を
保持する形態、あるいはオペレータ若しくは自動で特定
の登録情報（例えば所望時間以上経過した登録情報）を
消去する消去形態を備えることを特徴とした上述半導体
試験装置がある。

【００３６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、下記の実
施例において説明する。

【００３７】

【実施例】本発明のタイミングのキャリブレーションに
ついて、図１〜図３を参照して説明する。半導体試験装
置のハードウェア構成は、図３に示す従来と同じである
ので動作の説明は省略する。次に、本発明のキャリブレ
ーションの実行方法の一例について図１と図２のフロー
チャートを参照して箇条書きで以下説明する。

【００３８】１．キャリブレーションは試験プログラム
中のＣＡＬＬ文によって呼び出して実行する（ＣＡＬＬ
ＣＡＬＢ）。

【００３９】２．キャリブレーションファイル（ＣＡＬ
ＦＩＬＥ）が有るかどうかチェックする（ステップ１
００）。そして、キャリブレーションファイルがあれ
ば、ステップ２００へすすむ。また、キャリブレーショ
ンファイルが無ければ、ステップ１１０へすすむ。

【００４０】３．半導体試験装置内部の温度を計測する
（ステップ２００）。

【００４１】４．前回のキャリブレーション実行時から
所定の時間たとえば１０分経過したかどうかチェックす
る（ステップ３００）。そして、１０分経過していれ
ば、ステップ３１０へすすむ。また、１０分経過してい
なければ、ステップ４００へすすむ。

【００４２】５．キャリブレーションファイルの時刻デ
ータを書き換える（ステップ４００）。

【００４３】６．ファイル管理台帳のファイルを書き換
えた時刻データに変更する（ステップ５００）。

【００４４】７．キャリブレーションファイルのデータ
を遅延時間の補正回路にセットする（ステップ６０
０）。そして、キャリブレーションプログラムを終了し
て、呼び出したもとのプログラムにもどる（ＲＥＴＵＲ
Ｎ）。

【００４５】８．半導体試験装置内部の温度が所定の温
度たとえば２°Ｃ以上変化したかどうかチェックする
（ステップ３１０）。そして、２°Ｃ以上変化していれ
ば、ステップ３２０へすすむ。また、２°Ｃ以上変化し
ていなければ、ステップ４００へすすむ。

【００４６】９．キャリブレーションファイルが無けれ
ば、システム温度を計測する（ステップ１１０）。

【００４７】１０．新規にキャリブレーションを実行す
る（ステップ１２０）。

【００４８】１１．新規にキャリブレーションファイル
を作成する（ステップ１３０）。

【００４９】１２．新規にキャリブレーションファイル
をファイル管理台帳に登録する（ステップ１４０）。そ
して、キャリブレーションプログラムを終了して、呼び
出したもとのプログラムにもどる（ＲＥＴＵＲＮ）。

【００５０】１３．キャリブレーションファイルをファ
イル管理台帳から読みだ出す（ステップ３２０）。

【００５１】１４．ファイル管理台帳に同じ温度のキャ
リブレーションデータのファイルが登録されているかど
うかチェックする（ステップ３３０）。同じ温度のキャ
リブレーションデータのファイルが無ければ、ステップ
３３１にすすむ。同じ温度のキャリブレーションデータ
のファイルが有れば、ステップ３４０にすすむ。

【００５２】１５．同じその温度のキャリブレーション
データを遅延時間の補正回路にセットする（ステップ３
４０）。そして、キャリブレーションプログラムを終了
して、呼び出したもとのプログラムにもどる（ＲＥＴＵ
ＲＮ）。

【００５３】１６．２°Ｃ以上変化したときの温度にお
けるキャリブレーションを実行する（ステップ３３
１）。

【００５４】１７．２°Ｃ以上変化したときの温度にお
けるキャリブレーションファイルを作成する（ステップ
３３２）。

【００５５】１８．２°Ｃ以上変化したときの温度にお
けるキャリブレーションファイルをファイル管理台帳に
登録する（ステップ３３３）。

【００５６】１９．キャリブレーションプログラムを終
了して、呼び出したもとのプログラムにもどる（ＲＥＴ
ＵＲＮ）。

【００５７】以上のステップ説明からわかるように、所
定の時間が経過して、設定温度以上の変化があった場
合、同じ温度のキャリブレーションデータのファイルが
あればそのデータファイルを再利用して、そのデータを
補正回路にセットすることによりキャリブレーションの
実行時間を不要にしている。従って、この場合数十秒か
ら数分のキャリブレーション実行時間が不要となり、直
ちに半導体の試験が実行できるので、半導体試験装置の
スループットが向上できる。

【００５８】次に、本発明のオンライン・イニシャライ
ズを説明する。オンライン・イニシャライズの実行方法
の一例について、図７のフローチャートを参照して箇条
書きで以下説明する。尚、ステップ７１０、７２０、２
００、７３０、７５０は従来と同様であるので説明を略
す。

【００５９】１．同一温度の保存データが登録されてい
るかをチェックするステップである（ステップ８１
０）。即ち、ステップ２００で測定した温度値Ｔｘを受
けて、図８に示す参照テーブル２５０内にある過去の温
度値Ｔ１、Ｔ２〜Ｔｎと比較して、同一温度値のものが
登録されているかをチェックし、登録されていなければ
ステップ８２０へ進む。もし登録されていればステップ
８３０へ進む。

【００６０】２．オンライン・イニシャライズの実行と
保存登録のステップである（ステップ８２０）。即ち、
上記同様にして新規にオンライン・イニシャライズを実
行して電圧・電流及びオフセットレベル等の校正用イニ
シャライズデータを取得し、得たイニシャライズデータ
をテスタ・ハードウエア資源へ更新設定する。更に、以
後再利用できるように登録する。この登録は、参照テー
ブル２５０末尾の追加位置２５５へ当該温度値Ｔｘを格
納し、これに対応させて記憶媒体２８０のイニシャライ
ズ保存データＳ２９０の新たな領域２９５へ取得したイ
ニシャライズデータを保存格納する。尚、従来同様に、
このときの温度値Ｔｘと時刻情報もステップ７２０、７
３０で比較チェックの為に保存しておくことは言うまで
もない。

【００６１】３．既存のイニシャライズ保存データＳ２
９０を再利用するステップである（ステップ８３０）。
即ち、当該温度値Ｔｘに対応するイニシャライズ保存デ
ータを記憶媒体２８０の対応する格納領域から読み出
し、読み出したイニシャライズ保存データをテスタ・ハ
ードウエア資源へ更新転送する。この結果、従来のよう
に、同一温度値にも拘わらずその都度イニシャライズす
る数十分にも及ぶ時間が解消される大きな利点が得られ
る。量産ラインでの昼夜連続運転においては、通常、周
期的な環境温度の変化であるから、日数の経過と共に効
果を奏してくる。

【００６２】尚、本発明は、上述実施の形態に限るもの
ではない。例えば、上述したキャリブレーションデータ
の登録保持形態や、イニシャライズデータの登録保持形
態としては、第１に、電源ＯＦＦにより全ての登録情報
をリセット（消去）する形態と、第２に、オペレータ又
は自動でが特定のもの、例えば所望時間以上経過した登
録情報を手動リセット、あるいは個別任意の登録情報を
手動リセットする形態と、第３に、電源ＯＦＦでも保持
する形態とがある。通常は、電源ＯＦＦにより自動的に
全ての登録情報がリセットされるが、所望によりオペレ
ータが手動リセットする迄、あるいは電源ＯＦＦ以前の
保存データを保持しても良い。

【００６３】

【発明の効果】本発明は、上述の説明内容から、下記に
記載される効果を奏する。即ち、所定の時間が経過し
て、設定温度以上の変化があった場合、同じ温度におけ
るタイミングのキャリブレーションデータやオンライン
・イニシャライズデータのファイルが既に登録されてい
れば、そのデータファイルを再利用することによりタイ
ミングのキャリブレーションやオンライン・イニシャラ
イズの実行回数を削減できる効果がある。従って、この
場合キャリブレーションの実行時間の数十秒から数分、
オンライン・イニシャライズの数十分が不要となり、す
ぐに半導体の試験が実行できるので、半導体試験装置の
スループット向上の効果が大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のタイミングのキャリブレーションの第
１のフローチャートである。

【図２】本発明のタイミングのキャリブレーションの第
２のフローチャートである。

【図３】半導体試験装置のタイミングのキャリブレーシ
ョンをおこなうブロック図である。

【図４】半導体試験装置のドライバ出力のピン間スキュ
ーを示す図である。

【図５】従来のタイミングのキャリブレーションのフロ
ーチャートである。

【図６】従来の、オンライン・イニシャライズのフロー
チャートである。

【図７】本発明の、オンライン・イニシャライズのフロ
ーチャートである。

【図８】本発明の、参照テーブルと記憶媒体とを説明す
る図である。

【符号の説明】

ＳＷ１ スイッチ １０ タイミングジェネレータ（ＴＧ；Timing Gen
erator） １２ ゲート １３ カウンタ １４ 演算回路 １５ Ｄ／Ａコンバータ ２０ 波形整形器（ＦＣ：Format Cotrol） ３１〜３ｎ 可変遅延器 ４１〜４ｎ ドライバ ５０ パターンジェネレータ（ＰＧ：Pattern Gene
rator） ６０ マルチプレクサ ７０ テスタプロセッサ（ＴＰ） ８０ ワークステーション（ＷＳ） ９０ メモリ ２５０ 参照テーブル ２８０ 記憶媒体 Ｓ２９０ イニシャライズ保存データ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 設定時間毎、又は所定時間毎に温度を測
   定して、所定の温度以上の変化があったときに、タイミ
   ングのキャリブレーションを実行する半導体試験装置に
   おいて、 所定の温度以上に変化したとき、当該温度におけるキャ
   リブレーションデータの保存ファイルがない場合は、キ
   ャリブレーションを実行してファイル管理台帳を備えて
   登録し、 当該温度における以前に取得したキャリブレーションデ
   ータのファイルがある場合は、当該温度によるキャリブ
   レーションデータの当該保存ファイルを再使用すること
   を特徴とした半導体試験装置。
2. 【請求項２】 デバイス試験に先立ち装置内の温度を測
   定し、所定の温度以上の変化があったときに、オンライ
   ン・イニシャライズを実行する半導体試験装置におい
   て、 所定以上の温度変化の検出を受けて、測定した当該温度
   値が既登録の温度値か否かをファイル管理台帳を備えて
   チェックし、第１に当該温度値が未登録の場合には実際
   にオンライン・イニシャライズの測定を実施し、得たイ
   ニシャライズデータをテスタ・ハードウエア資源へ更新
   設定し、かつ得たイニシャライズデータを記憶媒体へ登
   録格納し、第２に当該温度値が既登録の場合には当該温
   度値に対応するイニシャライズ保存データを記憶媒体か
   ら読み出してテスタ・ハードウエア資源へ更新転送する
   ことを特徴とした半導体試験装置。
3. 【請求項３】 ファイル管理台帳に登録された各温度値
   毎の登録情報の消去形態は、電源ＯＦＦにより登録情報
   を消去する形態、電源ＯＦＦでも登録情報を保持する形
   態、あるいはオペレータ若しくは自動で特定の登録情報
   を消去する消去形態を備えることを特徴とした請求項１
   又は２記載の半導体試験装置。