JPH11186766A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH11186766A JPH11186766A JP35577597A JP35577597A JPH11186766A JP H11186766 A JPH11186766 A JP H11186766A JP 35577597 A JP35577597 A JP 35577597A JP 35577597 A JP35577597 A JP 35577597A JP H11186766 A JPH11186766 A JP H11186766A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電子部品を
実装する基板をマザーボードに実装してなる半導体装置
に関するもので、特に、パワー素子からの熱を効率良く
放熱できる半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a substrate on which a plurality of electronic components are mounted is mounted on a motherboard, and more particularly to a semiconductor device capable of efficiently radiating heat from a power element. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置に関連する先行技術文
献としては、特開平８−１１１５７５号公報にて開示さ
れたものが知られている。このものでは、金属基板上に
半導体チップそのものを直接実装する所謂、ベアチップ
実装し、その基板に設けられた位置決めピンをマザーボ
ード上の穴に挿入して組付けると共に、パワー素子から
の熱を放熱するための技術が示されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a prior art document relating to a semiconductor device, one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 8-111575 is known. In this device, a semiconductor chip itself is directly mounted on a metal substrate, so-called bare chip mounting, and positioning pins provided on the substrate are inserted into holes on the motherboard and assembled, and heat from the power elements is radiated. The technique for is shown.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のもの
では、複数の電子部品が実装された基板は金属基板であ
るため、基板自身が放熱フィン（ヒートシンク）の機能
を備えてはいるが、自ずと基板の大きさには限界があ
り、基板に実装されたパワー素子からの熱を効率良く吸
収・発散させるに十分な熱容量が得られないという不具
合があった。By the way, in the above-mentioned device, since the substrate on which a plurality of electronic components are mounted is a metal substrate, the substrate itself has a function of a heat radiating fin (heat sink). There is a limit in the size of the substrate, and there is a problem that a heat capacity sufficient to efficiently absorb and diffuse heat from the power element mounted on the substrate cannot be obtained.
【０００４】そこで、この発明はかかる不具合を解決す
るためになされたもので、複数の電子部品が実装された
基板をマザーボード上に実装し筐体に収容した半導体装
置であって、複数の電子部品のうちのパワー素子からの
発熱を効率良く吸収・発散させることが可能な半導体装
置の提供を課題としている。In view of the above, the present invention has been made in order to solve such a problem, and is a semiconductor device in which a board on which a plurality of electronic components are mounted is mounted on a motherboard and housed in a housing. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of efficiently absorbing and radiating heat generated from a power element.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置に
よれば、複数の電子部品が実装された基板がマザーボー
ドに実装され、筐体に突設された壁部によってマザーボ
ード上の基板の少なくとも電子部品の実装領域の一部が
包囲されるため、基板に実装されている複数の電子部品
から筐体側への熱伝導性を向上することができる。ま
た、筐体に突設された壁部が電子部品等の周囲を覆った
構成であるため耐ノイズ性を向上することができる。According to the semiconductor device of the present invention, a board on which a plurality of electronic components are mounted is mounted on a motherboard, and at least the board on the motherboard is formed by a wall protruding from a housing. Since a part of the mounting area of the electronic component is surrounded, the thermal conductivity from the plurality of electronic components mounted on the substrate to the housing can be improved. Further, since the wall protruding from the housing covers the periphery of the electronic component or the like, noise resistance can be improved.
【０００６】請求項２の半導体装置では、基板に実装さ
れた電子部品からの熱が実装されている基板側やその反
対方向に熱伝導性樹脂、壁部を介して熱容量の大きな筐
体側へ熱伝導されるため放熱性を向上することができ
る。また、基板等と筐体とが直接、固定されないため、
組付、冷熱サイクルや振動等の際における基板のリード
端子やマザーボード側への応力を緩和することができ
る。In the semiconductor device according to the second aspect, heat from the electronic components mounted on the substrate is transferred to the side of the substrate on which the electronic components are mounted or in the opposite direction to the housing having a large heat capacity through the heat conductive resin and the wall. Since heat is conducted, heat dissipation can be improved. In addition, since the substrate and the housing are not directly fixed,
The stress applied to the lead terminals of the board and the motherboard during assembly, cooling / heating cycles, vibrations, and the like can be reduced.
【０００７】請求項３の半導体装置では、基板側に熱伝
導された電子部品からの熱が弾性部材の熱伝導性を利用
して筐体に突設された壁部側に効率良く伝えることがで
きる。また、弾性部材の弾性変形を利用して基板等が壁
部に接触・保持されることで組付、冷熱サイクルや振動
等の際における基板のリード端子やマザーボード側への
応力を緩和することができる。In the semiconductor device according to the third aspect, the heat from the electronic component thermally conducted to the substrate side can be efficiently transmitted to the wall protruding from the housing by utilizing the thermal conductivity of the elastic member. it can. Also, by using the elastic deformation of the elastic member to contact and hold the board and the like to the wall, it is possible to reduce stress on the lead terminals and the motherboard side of the board during assembly and cooling / heating cycles or vibrations. it can.
【０００８】請求項４の半導体装置では、壁部がコネク
タ部材の近傍に配置されることで、基板に実装された電
子部品とコネクタ部材との距離を最短の長さにできる。
このため、電子部品からの大電流を効率良くコネクタ部
材側に流すことができる。また、筐体に突設された壁部
がコネクタ部材の近傍に配置されることで、コネクタ部
材部分から内部に侵入しようとする電磁波等の外部ノイ
ズを遮断することができる。In the semiconductor device according to the fourth aspect, since the wall portion is arranged near the connector member, the distance between the electronic component mounted on the board and the connector member can be minimized.
For this reason, a large current from the electronic component can efficiently flow to the connector member side. In addition, since the wall protruding from the housing is arranged near the connector member, external noise such as electromagnetic waves that may enter the inside from the connector member portion can be cut off.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below based on examples.
【００１０】図１は本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置の全体構成を示す斜視図であり、図２は
図１における要部構成を示す部分断面図である。なお、
以下の図中、同様の構成または相当部分からなるものに
ついては同一符号及び同一記号を付し、その詳細な説明
を省略する。FIG. 1 is a perspective view showing an entire configuration of a semiconductor device according to an example of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a main part configuration in FIG. In addition,
In the following drawings, the same reference numerals and symbols are given to components having the same configuration or corresponding parts, and detailed description thereof will be omitted.
【００１１】図１及び図２において、本実施例の半導体
装置１００では、厚膜用基板として放熱性が高い複数の
セラミック基板１０が用いられている。これら複数のセ
ラミック基板１０には、発熱性を有するパワー素子とし
ての駆動トランジスタ（パワートランジスタ）２１やそ
の他の電子部品２２が実装されている。このセラミック
基板１０は、更に駆動トランジスタ２１で発生する熱を
吸収・発散させるためアルミニウム材料等で形成された
１つの放熱フィン４０に熱伝導性が高い接合剤としての
塗布剤４５を介して接合されている。1 and 2, in a semiconductor device 100 of this embodiment, a plurality of ceramic substrates 10 having high heat dissipation are used as a thick film substrate. A drive transistor (power transistor) 21 as a power element having heat generation properties and other electronic components 22 are mounted on the plurality of ceramic substrates 10. The ceramic substrate 10 is further joined to one radiating fin 40 formed of an aluminum material or the like via a coating agent 45 having a high thermal conductivity in order to absorb and dissipate heat generated in the driving transistor 21. ing.
【００１２】セラミック基板１０からのリード端子３１
は、絶縁性を有する１つの端子整列板３５を介してマザ
ーボード６０に穿設された所定の穴６０ａに挿入され、
はんだ付けされる。この端子整列板３５には、セラミッ
ク基板１０に配設されたリード端子３１の配列位置に対
応した複数のテーパ状の穴３５ａが設けられている。こ
のため、セラミック基板１０のリード端子３１が端子整
列板３５の穴３５ａに挿入されることで、この後におけ
るリード端子３１の整列・保持状態が補償される。これ
により、セラミック基板１０が複数あっても、それらの
リード端子３１の配列位置とマザーボード６０側の実装
用の穴６０ａ位置との位置関係が補償され、セラミック
基板１０のリード端子３１がマザーボード６０の穴６０
ａに実装し易くなる。Lead terminal 31 from ceramic substrate 10
Is inserted into a predetermined hole 60a drilled in the motherboard 60 via one terminal alignment plate 35 having an insulating property,
Soldered. The terminal alignment plate 35 is provided with a plurality of tapered holes 35a corresponding to the arrangement positions of the lead terminals 31 arranged on the ceramic substrate 10. Therefore, by inserting the lead terminals 31 of the ceramic substrate 10 into the holes 35a of the terminal alignment plate 35, the subsequent alignment / holding state of the lead terminals 31 is compensated. Thereby, even if there are a plurality of ceramic substrates 10, the positional relationship between the arrangement positions of the lead terminals 31 and the positions of the mounting holes 60 a on the motherboard 60 side is compensated, and the lead terminals 31 of the ceramic substrate 10 Hole 60
a.
【００１３】また、セラミック基板１０の複数が所望の
位置に熱伝導性の高い例えば、シリコン系の塗布剤４５
によってそれぞれ接合された１つの放熱フィン４０は、
マザーボード６０にビス４９を用いて固定されている。
更に、マザーボード６０の１辺の周縁近傍には、コネク
タ５０がビス５９を用いて固定されると共に、コネクタ
５０のリード端子５１がはんだ付けされて電気的に接続
されている。このように構成されたマザーボード６０
は、図１に示すような、熱伝導性が高い例えば、アルミ
ニウム材料等で形成されたケース７０内に収容されたの
ち、図示しないアルミニウム材料等で形成されたカバー
が被せられビス止めされることで半導体装置１００が構
成される。A plurality of ceramic substrates 10 are placed at desired positions at desired positions, for example, a silicon-based coating material 45.
One radiating fin 40 respectively joined by
It is fixed to the motherboard 60 using screws 49.
Further, near the periphery of one side of the motherboard 60, the connector 50 is fixed using screws 59, and the lead terminals 51 of the connector 50 are soldered and electrically connected. The motherboard 60 thus configured
Is housed in a case 70 made of, for example, an aluminum material having high thermal conductivity as shown in FIG. 1 and then covered with a cover made of an aluminum material (not shown) and screwed. Thus, the semiconductor device 100 is configured.
【００１４】このとき、半導体装置１００のマザーボー
ド６０上で略垂直方向となるように実装されたセラミッ
ク基板１０及びそれらが接合された放熱フィン４０の側
周面でセラミック基板１０の駆動トランジスタ２１やそ
の他の電子部品２２の実装領域を包囲するように、ケー
ス７０内側の上面からマザーボード６０へ対向面を開口
してロの字形状に壁部７２が突設されている。そして、
ケース７０の壁部７２の内面とセラミック基板１０上の
電子部品２１，２２の実装領域及びそれらが接合された
放熱フィン４０との隙間には例えば、シリコン系の熱伝
導性樹脂７３が充填されている。At this time, the drive transistor 21 of the ceramic substrate 10 and other components are mounted on the side peripheral surface of the ceramic substrate 10 mounted on the mother board 60 of the semiconductor device 100 so as to be substantially vertical and the radiation fin 40 to which the ceramic substrate 10 is bonded. In order to surround the mounting area of the electronic component 22, a wall 72 is formed to protrude in a square shape with an opening facing the mother board 60 from the upper surface inside the case 70. And
The gap between the inner surface of the wall portion 72 of the case 70 and the mounting areas of the electronic components 21 and 22 on the ceramic substrate 10 and the radiation fin 40 to which they are joined is filled with, for example, a silicon-based heat conductive resin 73. I have.
【００１５】ここで、熱伝導性樹脂７３は最初、流動性
を有するゲル状であるためケース７０のロの字形状の壁
部７２に所定量だけ注入されたのち、セラミック基板１
０が壁部７２の隙間に挿入されることで図２に示すよう
に、電子部品２１，２２、セラミック基板１０及び放熱
フィン４０等の周囲に充填状態で熱硬化される。このた
め、駆動トランジスタ２１からの熱がセラミック基板１
０及び放熱フィン４０から熱伝導性樹脂７３を介し、ま
たは直接、熱伝導性樹脂７３を介して壁部７２から熱容
量の大きなケース７０側へ吸収・発散される。Here, since the heat conductive resin 73 is initially a gel having fluidity, it is injected into the square-shaped wall 72 of the case 70 by a predetermined amount, and then the ceramic substrate 1
As shown in FIG. 2, by inserting 0 into the gap of the wall portion 72, the periphery of the electronic components 21 and 22, the ceramic substrate 10, the radiation fins 40, and the like is thermoset in a filled state. Therefore, heat from the driving transistor 21 is
The heat is absorbed and diffused from the wall portion 72 to the case 70 having a large heat capacity from the wall portion 72 via the heat conductive resin 73 or directly via the heat conductive resin 73 from the heat radiating fins 40.
【００１６】また、半導体装置１００のケース７０内に
収容されたマザーボード６０に固定されたコネクタ５０
の接続端子側のみがケース７０の開口部７１から外部に
臨むこととなる。このため、本実施例の構成における半
導体装置１００では、ケース７０内部にコネクタ５０に
略平行に並べて衝立状に放熱フィン４０が配置され、そ
れを包囲して壁部７２が配置されることとなる。つま
り、アルミニウム材料等からなるケース７０及びカバー
（図示略）、更には開口部７１側も同じ材料からなる壁
部７２及び放熱フィン４０で囲まれることで、半導体装
置１００内部は電磁的に遮蔽されることとなる。The connector 50 fixed to the motherboard 60 housed in the case 70 of the semiconductor device 100
Only the connection terminal side faces the outside from the opening 71 of the case 70. For this reason, in the semiconductor device 100 having the configuration of the present embodiment, the radiation fins 40 are arranged in the case 70 in a screen shape in a manner substantially parallel to the connector 50, and the wall portion 72 is arranged so as to surround the fins 40. . That is, the inside of the semiconductor device 100 is electromagnetically shielded by being surrounded by the case 70 and the cover (not shown) made of an aluminum material or the like, and the wall 71 and the radiation fins 40 made of the same material on the opening 71 side. The Rukoto.
【００１７】このように、本実施例の半導体装置１００
は、発熱性を有する電子部品としての駆動トランジスタ
２１を含む複数の電子部品２１，２２を実装するセラミ
ック基板１０と、セラミック基板１０を略垂直方向に電
気的に接続するマザーボード６０と、マザーボード６０
を収容する筐体としてのケース７０と、ケース７０から
マザーボード６０への対向面を開口して突設され、マザ
ーボード６０上のセラミック基板１０の少なくとも電子
部品２１，２２の実装領域の一部を包囲する壁部７２と
を具備するものである。As described above, the semiconductor device 100 of this embodiment
Are a ceramic substrate 10 on which a plurality of electronic components 21 and 22 including a drive transistor 21 as an electronic component having heat generation are mounted; a mother board 60 for electrically connecting the ceramic substrates 10 in a substantially vertical direction;
70 as a housing for accommodating the electronic component 21, and a portion of the ceramic substrate 10 on the mother board 60 at least partially mounted with the electronic components 21 and 22. And a wall portion 72.
【００１８】つまり、複数の電子部品２１，２２が実装
されたセラミック基板１０がマザーボード６０に実装さ
れる。そして、ケース７０にロの字形状に突設された壁
部７２によってマザーボード６０上のセラミック基板１
０の少なくとも電子部品２１，２２の実装領域が包囲さ
れる。このため、セラミック基板１０に実装されている
複数の電子部品２１，２２からケース７０側への熱伝導
性を向上させることができる。また、ケース７０に突設
された壁部７２が駆動トランジスタ２１等のパワー素子
の周囲を覆った構成であるため耐ノイズ性に優れたもの
となる。That is, the ceramic substrate 10 on which the plurality of electronic components 21 and 22 are mounted is mounted on the motherboard 60. The ceramic substrate 1 on the motherboard 60 is formed by a wall 72 protruding in a square shape from the case 70.
0 at least the mounting area of the electronic components 21 and 22 is enclosed. Therefore, the thermal conductivity from the plurality of electronic components 21 and 22 mounted on the ceramic substrate 10 to the case 70 can be improved. Further, since the wall portion 72 protruding from the case 70 covers the periphery of the power element such as the drive transistor 21, the noise resistance is excellent.
【００１９】また、本実施例の半導体装置１００は、セ
ラミック基板１０と壁部７２との隙間に熱伝導性樹脂７
３を介在させるものである。これにより、セラミック基
板１０に実装された駆動トランジスタ２１等からの熱
が、実装されているセラミック基板１０側やその反対方
向に熱伝導性樹脂７３等から壁部７２を介して熱容量の
大きなケース７０側へ熱伝導されるため放熱性を向上さ
せることができる。また、セラミック基板１０とケース
７０とが直接、固定されることがないため、組付、冷熱
サイクルや振動等の際におけるセラミック基板１０のリ
ード端子３１及びマザーボード６０側への応力を緩和さ
せることができる。Further, the semiconductor device 100 of this embodiment has a heat conductive resin 7 in the gap between the ceramic substrate 10 and the wall 72.
3 is interposed. As a result, heat from the drive transistor 21 and the like mounted on the ceramic substrate 10 is transferred from the thermally conductive resin 73 and the like via the wall 72 to the case 70 with a large heat capacity on the mounted ceramic substrate 10 side or in the opposite direction. Since heat is conducted to the side, heat dissipation can be improved. In addition, since the ceramic substrate 10 and the case 70 are not directly fixed, stress on the lead terminals 31 and the mother board 60 of the ceramic substrate 10 during assembly, cooling / heating cycle, vibration, or the like can be reduced. it can.
【００２０】そして、本実施例の半導体装置１００は、
更に、マザーボード６０が外部配線と電気的に接続する
コネクタ部材としてのコネクタ５０を具備し、壁部７２
をコネクタ５０の近傍で略平行に並べて配置するもので
ある。つまり、壁部７２がコネクタ５０の近傍に配置さ
れることで、セラミック基板１０の駆動トランジスタ２
１とコネクタ５０との距離を最短の長さにできる。この
ため、駆動トランジスタ２１等のパワー素子からの大電
流を効率良くコネクタ５０側に流すことができる。ま
た、ケース７０に突設された壁部７２がコネクタ５０の
近傍に配置されることで、コネクタ５０部分から半導体
装置１００の内部に侵入しようとする電磁波等の外部ノ
イズを遮断することができる。The semiconductor device 100 of this embodiment is
Further, the motherboard 60 includes a connector 50 as a connector member that is electrically connected to external wiring.
Are arranged substantially in parallel near the connector 50. That is, since the wall portion 72 is disposed near the connector 50, the drive transistor 2 of the ceramic substrate 10
The distance between the connector 1 and the connector 50 can be minimized. For this reason, a large current from a power element such as the drive transistor 21 can efficiently flow to the connector 50 side. In addition, since the wall portion 72 protruding from the case 70 is arranged near the connector 50, external noise such as electromagnetic waves that may enter the semiconductor device 100 from the connector 50 can be blocked.
【００２１】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置の要部構成における変形例を示す図３を
参照して説明する。Next, a description will be given, with reference to FIG. 3, showing a modification of the main part of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
【００２２】図３では、放熱フィン４０を伴うセラミッ
ク基板１０が２列配置されている。上述のように、１つ
の放熱フィン４０にセラミック基板１０を複数接合すれ
ば、マザーボード６０への実装工数は削減される。ここ
で、セラミック基板１０が多いときにはコネクタ５０の
近傍に配置された１つの放熱フィン４０では面積が不足
するため放熱フィン４０も複数必要となるのである。な
お、放熱フィン４０に接合されるセラミック基板１０の
個数を規定するものではなく、制御内容毎に分割・分類
されていてもよく、実装工程や放熱性能等を考慮しつつ
設定される。そして、ケース７０の壁部７２は、放熱フ
ィン４０を伴うセラミック基板１０に対応させた位置に
必要数だけ突設される。これらの隙間にも同様に、熱伝
導性樹脂７３が予め充填されており、電子部品２１，２
２が実装されたセラミック基板１０が接合された放熱フ
ィン４０が挿入されることで組付完了される。In FIG. 3, the ceramic substrates 10 with the heat radiation fins 40 are arranged in two rows. As described above, if a plurality of ceramic substrates 10 are bonded to one heat radiation fin 40, the number of steps for mounting the ceramic substrate 10 on the motherboard 60 is reduced. Here, when the number of the ceramic substrates 10 is large, the area of one radiating fin 40 arranged near the connector 50 is insufficient, so that a plurality of radiating fins 40 are required. It should be noted that the number of the ceramic substrates 10 to be joined to the radiation fins 40 is not limited, and may be divided and classified for each control content, and is set in consideration of a mounting process, heat radiation performance, and the like. The required number of wall portions 72 of the case 70 are provided at positions corresponding to the ceramic substrate 10 with the radiation fins 40. These gaps are similarly filled with the heat conductive resin 73 in advance, and the electronic components 21 and
The assembly is completed by inserting the radiation fins 40 to which the ceramic substrate 10 on which the ceramic substrate 2 is mounted is joined.
【００２３】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置の要部構成における他の変形例を示す図
４を参照して説明する。Next, a description will be given, with reference to FIG. 4, showing another modification of the configuration of the main part of the semiconductor device according to one example of the embodiment of the present invention.
【００２４】図４では、上述の実施例において、セラミ
ック基板１０を放熱フィン４０に接合することなく、即
ち、電子部品２１，２２が実装されたセラミック基板１
０のみをケース７０に突設された壁部７２の隙間に挿入
し、その隙間に予め充填されている熱伝導性樹脂７３に
よって固定するものである。これにより、放熱フィン４
０が不要となるため組付工数が削減され、部品点数が減
少されることでコスト低減を図ることができる。In FIG. 4, in the above-described embodiment, the ceramic substrate 10 is not joined to the heat radiation fins 40, that is, the ceramic substrate 1 on which the electronic components 21 and 22 are mounted.
Only 0 is inserted into the gap of the wall portion 72 protruding from the case 70 and is fixed by the heat conductive resin 73 previously filled in the gap. Thereby, the radiation fins 4
Since 0 is unnecessary, the number of assembling steps is reduced, and the number of parts is reduced, so that cost can be reduced.
【００２５】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置の要部構成における更に他の変形例を示
す図５を参照して説明する。Next, a description will be given, with reference to FIG. 5, showing still another modification of the configuration of the main part of the semiconductor device according to one example of the embodiment of the present invention.
【００２６】図５では、上述の実施例において、ケース
７０に突設された壁部７２に充填された熱伝導性樹脂７
３に代えてセラミック基板１０が接合された放熱フィン
４０と壁部７２との隙間にばね材７４を介在させたもの
である。このばね材７４は予めケース７０に突設された
壁部７２の内面側に所定幅で櫛歯状に挿設されている。
そして、セラミック基板１０が接合された放熱フィン４
０が壁部７２の隙間に挿入されることで、ばね材７４の
櫛歯状部分が弾性変形され放熱フィン４０等が接触され
つつ保持される。In FIG. 5, the heat conductive resin 7 filled in the wall 72 protruding from the case 70 in the above-described embodiment is shown.
Instead of 3, a spring member 74 is interposed in a gap between the heat radiation fin 40 to which the ceramic substrate 10 is joined and the wall 72. The spring member 74 is inserted in a comb-like shape with a predetermined width on the inner surface side of the wall portion 72 protruding from the case 70 in advance.
Then, the radiation fin 4 to which the ceramic substrate 10 is bonded
By inserting 0 into the gap of the wall portion 72, the comb-like portion of the spring member 74 is elastically deformed, and the radiation fins 40 and the like are held while being in contact with each other.
【００２７】このように、本実施例の半導体装置１００
は、セラミック基板１０と壁部７２との隙間に熱伝導性
を有する弾性部材としてのばね材７４を介在させるもの
である。これにより、セラミック基板１０及び放熱フィ
ン４０に熱伝導された電子部品２１，２２からの熱をば
ね材７４を介してケース７０に突設された壁部７２側に
効率良く伝えることができる。また、ばね材７４の弾性
変形を利用して放熱フィン４０等が壁部７２に接触・保
持されることで組付、冷熱サイクルや振動等の際におけ
るセラミック基板１０のリード端子３１及びマザーボー
ド６０側への応力を緩和することができる。As described above, the semiconductor device 100 of this embodiment is
The spring member 74 as an elastic member having thermal conductivity is interposed in the gap between the ceramic substrate 10 and the wall 72. Thereby, heat from the electronic components 21 and 22 thermally conducted to the ceramic substrate 10 and the radiation fins 40 can be efficiently transmitted to the wall portion 72 protruding from the case 70 via the spring member 74. Further, the radiating fins 40 and the like are brought into contact with and held by the wall portion 72 by utilizing the elastic deformation of the spring material 74, so that the fins 40 and the mother board 60 are connected to the lead terminals 31 and the motherboard 60 of the ceramic substrate 10 at the time of assembly and cooling / heating cycling or vibration. Stress on the substrate can be reduced.
【００２８】ところで、上記実施例では、複数の電子部
品を実装する基板として厚膜用基板の主流である放熱性
に優れたセラミック基板を用いているが、本発明を実施
する場合には、これに限定されるものではなく、金属基
板やエポキシ系のプリント基板等を用いて構成すること
もできる。In the above embodiment, a ceramic substrate having excellent heat dissipation, which is a mainstream of a thick film substrate, is used as a substrate on which a plurality of electronic components are mounted. However, the present invention is not limited to this, and may be configured using a metal substrate, an epoxy-based printed circuit board, or the like.
【図１】 図１は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置の概略構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to an example of an embodiment of the present invention.
【図２】 図２は図１における要部構成を示す部分断面
図である。FIG. 2 is a partial sectional view showing a configuration of a main part in FIG.
【図３】 図３は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置の要部構成における変形例を示す部分断面
図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a modification of a main part configuration of a semiconductor device according to one example of an embodiment of the present invention.
【図４】 図４は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置の要部構成における他の変形例を示す部分
断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing another modification of the main part configuration of the semiconductor device according to one example of the embodiment of the present invention;
【図５】 図５は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置の要部構成における更に他の変形例を示す
部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing still another modification of the main part configuration of the semiconductor device according to one example of the embodiment of the present invention;
１０ セラミック基板 ２１ 駆動トランジスタ（発熱性を有する電子部品） ５０ コネクタ（コネクタ部材） ６０ マザーボード ７０ ケース（筐体） ７２ 壁部 ７３ 熱伝導性樹脂 ７４ ばね材（弾性部材） １００ 半導体装置 Reference Signs List 10 ceramic substrate 21 drive transistor (electronic component having heat generation property) 50 connector (connector member) 60 motherboard 70 case (housing) 72 wall 73 thermal conductive resin 74 spring material (elastic member) 100 semiconductor device
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１０年１月３０日[Submission date] January 30, 1998
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項３[Correction target item name] Claim 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
Claims (4)
子部品を実装する基板と、 前記基板を略垂直方向に電気的に接続するマザーボード
と、 前記マザーボードを収容する筐体と、 前記筐体から前記マザーボードへ対向面を開口して突設
され、前記マザーボード上の前記基板の少なくとも前記
電子部品の実装領域の一部を包囲する壁部とを具備する
ことを特徴とする半導体装置。1. A board on which a plurality of electronic components including heat-generating electronic components are mounted, a motherboard electrically connecting the boards in a substantially vertical direction, a housing for housing the motherboard, and the housing And a wall portion protruding from the substrate to the motherboard with an opposing surface opened, and surrounding at least a part of a mounting area of the electronic component on the substrate on the motherboard.
樹脂を介在させることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a heat conductive resin is interposed in a gap between the substrate and the wall.
を有する弾性部材を介在させることをことを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein an elastic member having thermal conductivity is interposed in a gap between the substrate and the wall.
気的に接続するコネクタ部材を具備し、 前記壁部は前記コネクタ部材の近傍で略平行に並べて配
置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。4. The device according to claim 1, wherein the motherboard further includes a connector member electrically connected to an external wiring, and the wall portion is arranged substantially in parallel near the connector member. Semiconductor device.
Priority Applications (9)
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1997
- 1997-12-24 JP JP35577597A patent/JPH11186766A/en active Pending
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