JPH11186590A - Chip-type led - Google Patents
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- JPH11186590A JPH11186590A JP35644197A JP35644197A JPH11186590A JP H11186590 A JPH11186590 A JP H11186590A JP 35644197 A JP35644197 A JP 35644197A JP 35644197 A JP35644197 A JP 35644197A JP H11186590 A JPH11186590 A JP H11186590A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本願発明は、ＬＥＤ表示装
置、特に両面発光が要求されるメッセージ表示器等に組
み込まれるチップ型ＬＥＤに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LED display device, and more particularly, to a chip type LED incorporated in a message display or the like which requires double-sided light emission.
【０００２】[0002]
【従来の技術】チップ型ＬＥＤは、プリント配線基板上
のＬＥＤ発光素子が透明性樹脂で封止されたものであ
る。図６に示されるチップ型ＬＥＤ６０では、ＬＥＤ発
光素子１の表面に形成された電極５，６が導電材（図示
略）を介して、プリント配線基板１２上の配線パターン
９に電気的に接続されている。ＬＥＤ発光素子１は、い
わゆるフェースダウンの状態でプリント配線基板１２に
実装され、エポキシ樹脂１１で封止される。2. Description of the Related Art A chip type LED is one in which an LED light emitting element on a printed wiring board is sealed with a transparent resin. In the chip type LED 60 shown in FIG. 6, the electrodes 5 and 6 formed on the surface of the LED light emitting element 1 are electrically connected to the wiring pattern 9 on the printed wiring board 12 via a conductive material (not shown). ing. The LED light emitting element 1 is mounted on a printed wiring board 12 in a so-called face-down state, and is sealed with an epoxy resin 11.
【０００３】ＬＥＤ発光素子１が青色発光素子のように
透明基板（サファイア基板）を含む場合、図６に示され
るように、ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐから上方向
に放出された光７は、サファイア基板（図示略）を透過
してからエポキシ樹脂１１を透過していく。一方、発光
点Ｐから下方向に放出された光７は、プリント配線基板
１２に到達する。プリント配線基板１２が透光性がなく
て反射率の高い材質からなる場合には、光７はプリント
配線基板１２で上方向に反射する。従って、チップ型Ｌ
ＥＤ６０は、片面（上方向）のみが発光するものとな
る。When the LED 1 includes a transparent substrate (sapphire substrate) like a blue light emitting element, as shown in FIG. 6, light 7 emitted upward from a light emitting point P inside the LED 1 is used. Transmits through the sapphire substrate (not shown) and then through the epoxy resin 11. On the other hand, the light 7 emitted downward from the light emitting point P reaches the printed wiring board 12. When the printed wiring board 12 is made of a material having no translucency and high reflectance, the light 7 is reflected upward by the printed wiring board 12. Therefore, chip type L
The ED 60 emits light only on one side (upward).
【０００４】上記チップ型ＬＥＤ６０は、キャリアテー
プで包装されて出荷される。キャリアテープは、図７に
示されるように、複数のキャビティ７１が等間隔に形成
されたテープ本体７２を備えている。通常、チップ型Ｌ
ＥＤ６０は、図７（ｂ）に示されるように発光面８４が
上になった状態でキャビティ７１内に装着され、キャリ
アテープは、キャビティ７１の開口がトップテープ７３
で封止されてロール状に巻かれてユーザーのもとへ送ら
れる。ユーザーは、トップテープ７３を剥がし、キャビ
ティ７１内のチップ型ＬＥＤ６０を一つずつピックアッ
プして所定の実装基板に実装する。[0004] The chip-type LED 60 is packaged with a carrier tape and shipped. As shown in FIG. 7, the carrier tape has a tape main body 72 in which a plurality of cavities 71 are formed at equal intervals. Normally, chip type L
The ED 60 is mounted in the cavity 71 with the light emitting surface 84 facing upward as shown in FIG.
Sealed in a roll and sent to the user. The user peels off the top tape 73, picks up the chip-type LEDs 60 in the cavity 71 one by one, and mounts them on a predetermined mounting board.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】チップ型ＬＥＤ６０は
実装基板８１に実装されＬＥＤ表示装置内に組み込まれ
ることになるが、ＬＥＤ表示装置のなかには駅のメッセ
ージ表示器等のように両面の発光が要求されるものがあ
る。両面発光が要求されるメッセージ表示器を製造する
場合には、チップ型ＬＥＤ６０が実装基板８１に実装さ
れた片面発光のユニットを二つ製造しておき、各ユニッ
トの実装基板８１同士を接合することによって、ＬＥＤ
表示装置を両面発光としている。従って、両面の発光が
要求されるメッセージ表示器等のＬＥＤ表示装置は、同
一ユニットが二つ必要となり、厚いものになってしま
う。The chip type LED 60 is mounted on the mounting board 81 and incorporated in the LED display device. Some of the LED display devices require light emission on both sides such as a message display at a station. There are things to be done. When manufacturing a message display that requires double-sided light emission, it is necessary to manufacture two single-sided light emitting units in which the chip-type LEDs 60 are mounted on the mounting substrate 81 and join the mounting substrates 81 of each unit together. By LED
The display device emits light on both sides. Therefore, an LED display device such as a message display device that requires light emission on both sides requires two identical units, and is thick.
【０００６】ユーザーによっては、少しでもＬＥＤ表示
装置を薄くするためや発光面を考慮して、図８（ａ）に
示されるように、実装基板８１に加工された穴８２にチ
ップ型ＬＥＤ６０の発光面８４を組み込みような実装形
態をとることがある。ユーザーがこのような実装形態を
とる場合、チップ型ＬＥＤ６０は、図７（ａ）に示され
るように、キャリアテープのキャビティ７１内で発光面
８４（図８参照）を下にして包装されることになる。こ
のように、片面発光のチップ型ＬＥＤ６０をキャリアテ
ープで包装するときには、ユーザーの実装形態によっ
て、図７（ａ）または図７（ｂ）に示される２種類の包
装形態が必要であった。In order to make the LED display device as thin as possible or to consider the light emitting surface, as shown in FIG. 8A, the light emitted from the chip type LED 60 is formed in a hole 82 formed in the mounting substrate 81. There may be a mounting form in which the surface 84 is incorporated. When the user adopts such a mounting form, the chip type LED 60 is packaged with the light emitting surface 84 (see FIG. 8) facing down in the cavity 71 of the carrier tape as shown in FIG. 7A. become. As described above, when the single-sided light emitting chip-type LED 60 is packaged with the carrier tape, two types of packaging forms shown in FIG. 7A or FIG. 7B are required depending on the mounting form of the user.
【０００７】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、チップ型ＬＥＤが組み込まれる
表示装置の薄型化およびチップ型ＬＥＤの包装形態を１
種類にすることをその課題としている。The present invention has been conceived in view of such circumstances, and it has been proposed to reduce the thickness of a display device in which a chip-type LED is incorporated and to package the chip-type LED.
The challenge is to make it a kind.
【０００８】[0008]
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.
【０００９】すなわち、本願発明は、プリント配線基板
にＬＥＤ発光素子がボンディングされているチップ型Ｌ
ＥＤにおいて、上記プリント配線基板は透光性材料から
なるものであり、上記ＬＥＤ発光素子は、透明基板上
に、発光層を含んだ半導体層が積層された発光素子であ
ることを特徴とするものである。That is, the present invention relates to a chip type L in which an LED light emitting element is bonded to a printed wiring board.
In the ED, the printed wiring board is made of a translucent material, and the LED light emitting element is a light emitting element in which a semiconductor layer including a light emitting layer is stacked on a transparent substrate. It is.
【００１０】本願発明では、プリント配線基板上に、半
導体層が透明基板上に積層されたＬＥＤ発光素子をボン
ディングしている。ＬＥＤ発光素子内の発光点から上方
向に発せられた光は、ＬＥＤ発光素子を覆っている封止
体を透過して空気中に放出される。下方向に発せられた
光は、プリント配線基板に達する。本願発明では、プリ
ント配線基板が透光性材料からなるものなので、下方向
に発せられた光はプリント配線基板内を透過し、空気中
に放出される。このように、ＬＥＤ発光素子から発せら
れた光は、プリント配線基板で反射されて方向が一つに
定められるようなことはなく、双方向（上下方向）に放
出されることになる。従って、本願発明に係るチップ型
ＬＥＤは、上下両面が発光するものとなる。According to the present invention, an LED light emitting element in which a semiconductor layer is laminated on a transparent substrate is bonded on a printed wiring board. Light emitted upward from the light emitting point in the LED light emitting element passes through the sealing body covering the LED light emitting element and is emitted into the air. The light emitted downward reaches the printed wiring board. In the present invention, since the printed wiring board is made of a translucent material, light emitted downward passes through the printed wiring board and is emitted into the air. As described above, the light emitted from the LED light emitting element is not reflected by the printed wiring board and the direction is determined as one, and is emitted in two directions (up and down directions). Therefore, the chip-type LED according to the present invention emits light on both upper and lower surfaces.
【００１１】本願発明の実施形態として、上記プリント
配線基板は、ガラスからなるものとしている。具体的に
はガラス基板の表面に配線パターンが形成されたもので
ある。ガラスは透光性が高いので、プリント配線基板が
ガラス基板の場合には、ＬＥＤ発光素子から下方向に発
せられた光がプリント配線基板内を透過して、空気中に
放出されやすくなる。このように、ガラス基板は、チッ
プ型ＬＥＤを両面発光させるには有効な材料となる。In one embodiment of the present invention, the printed wiring board is made of glass. Specifically, a wiring pattern is formed on the surface of a glass substrate. Since glass has a high light-transmitting property, when the printed wiring board is a glass substrate, light emitted downward from the LED light-emitting element is transmitted through the printed wiring board and easily emitted into the air. Thus, the glass substrate is an effective material for causing the chip type LED to emit light on both sides.
【００１２】本願発明の好ましい実施形態として、上記
プリント配線基板には凹部が設けられており、この凹部
に上記ＬＥＤ発光素子がボンディングされている構成に
することができる。ＬＥＤ発光素子が凹部内に設けられ
ている分、チップ型ＬＥＤの厚さが薄くなるので、この
ＬＥＤ発光素子が組み込まれたＬＥＤ表示装置の厚さも
薄くなる。なお、ＬＥＤ発光素子から発せられる光は、
既に述べたように上下方向に放出されるので、このチッ
プ型ＬＥＤも両面発光である。As a preferred embodiment of the present invention, the printed wiring board may be provided with a concave portion, and the LED light emitting element may be bonded to the concave portion. Since the LED light emitting element is provided in the concave portion, the thickness of the chip type LED is reduced, so that the LED display device incorporating the LED light emitting element is also reduced in thickness. The light emitted from the LED light emitting element is
Since the light is emitted in the vertical direction as described above, this chip-type LED also emits light on both sides.
【００１３】このように、本願発明に係るチップ型ＬＥ
Ｄは、上下両面が発光するものである。両面発光のチッ
プ型ＬＥＤを実装基板に実装すれば、ＬＥＤ表示装置は
両面が発光するものとなる。これまでのように、片面発
光の従来のチップ型ＬＥＤを実装基板に実装し、片面発
光のユニットを二つ製造しておき、各ユニットの実装基
板同士を接合して、ＬＥＤ表示装置を両面発光にする必
要がなくなる。このため、本願発明に係るチップ型ＬＥ
Ｄが組み込まれた表示装置は、従来のものよりも薄くな
り、設置の際にスペースを大きくとる必要もない。As described above, the chip type LE according to the present invention is provided.
D indicates that both upper and lower surfaces emit light. If a chip-type LED that emits light on both sides is mounted on a mounting substrate, the LED display device emits light on both sides. As before, a conventional single-sided chip type LED is mounted on a mounting board, two single-sided light emitting units are manufactured, and the mounting boards of each unit are joined to each other to make the LED display device emit light on both sides. There is no need to Therefore, the chip type LE according to the present invention is
The display device in which D is incorporated is thinner than the conventional display device, and it is not necessary to take up a large space at the time of installation.
【００１４】本願発明によってＬＥＤ表示装置の厚みが
薄くなり、さらにＬＥＤ表示装置が両面発光体になるの
で、ユーザーは、チップ型ＬＥＤを裏返してモールド樹
脂の部分を実装基板の穴に組み込という無理な実装形態
をとる必要がなくなる。従って、本願発明のチップ型Ｌ
ＥＤの包装形態は、キャリアテープ内でプリント配線基
板が下になるような形態１種類に限定することができ
る。ユーザーがさらにＬＥＤ表示装置を薄くしたい場合
には、プリント配線基板の凹部内にＬＥＤ発光素子が配
置された本願発明のチップ型ＬＥＤを使用すればよい。
このチップ型ＬＥＤの包装形態もキャリアテープ内でプ
リント配線基板が下になるような形態１種類に限定する
ことができる。According to the present invention, the thickness of the LED display device is reduced, and furthermore, the LED display device becomes a double-sided light emitter. Therefore, the user cannot turn over the chip type LED and incorporate the mold resin into the hole of the mounting board. It is not necessary to take a simple mounting form. Therefore, the chip type L of the present invention
The packaging form of the ED can be limited to one type in which the printed wiring board is placed below in the carrier tape. If the user wants to further reduce the thickness of the LED display device, the chip type LED of the present invention in which the LED light emitting elements are arranged in the recesses of the printed wiring board may be used.
The packaging form of the chip type LED can also be limited to one type in which the printed wiring board is placed down in the carrier tape.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて、添付図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１６】図１は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
一実施例を示す要部断面図である。同図に示されるチッ
プ型ＬＥＤ１０は、主として透光性材料からなるプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成されてい
る。ＬＥＤ発光素子１表面の電極５，６が導電材（図示
略）によってプリント配線基板２上の配線パターン９に
接続され、ＬＥＤ発光素子１がプリント配線基板２にフ
ェースダウンの状態で実装される。ＬＥＤ発光素子１は
透明なエポキシ樹脂１１で封止されている。FIG. 1 is a sectional view of an essential part showing an embodiment of a chip type LED according to the present invention. The chip-type LED 10 shown in FIG. 1 includes a printed wiring board 2 mainly made of a translucent material, and an LED light emitting element 1. Electrodes 5 and 6 on the surface of LED light emitting element 1 are connected to wiring pattern 9 on printed wiring board 2 by a conductive material (not shown), and LED light emitting element 1 is mounted face-down on printed wiring board 2. The LED element 1 is sealed with a transparent epoxy resin 11.
【００１７】プリント配線基板２は、ガラス基板に配線
パターン９が形成されたものである。ガラス基板の表面
に導電被膜を形成した後、この導電被膜に所定のパター
ンエッチング処理を施すことによって、配線パターン９
が形成される。ガラス基板の材質については特に問われ
ることはないが、ソーダガラス等のアルカリを含む材質
の場合には、アルカリイオンの析出を防ぐためにガラス
基板と導電被膜との間にＳｉＯ2 （二酸化珪素被膜）が
設けられる。The printed wiring board 2 has a wiring pattern 9 formed on a glass substrate. After a conductive film is formed on the surface of the glass substrate, the conductive film is subjected to a predetermined pattern etching process so that the wiring pattern 9 is formed.
Is formed. There is no particular limitation on the material of the glass substrate, but in the case of a material containing alkali such as soda glass, SiO 2 (silicon dioxide film) is placed between the glass substrate and the conductive film in order to prevent precipitation of alkali ions. Is provided.
【００１８】上記チップ型ＬＥＤ１０におけるＬＥＤ発
光素子１は、青色発光素子として構成されたものであ
る。図２は、ＬＥＤ発光素子１の一例を示す縦断面図で
ある。このＬＥＤ発光素子１は、同図に示されるように
ＭＩＳ構造になっており、裏返されて電極５，６が配線
パターン９に導通されることになる。サファイア基板２
１上にはバッファ層２２が形成されており、バッファ層
２２上には順に高キャリア濃度ｎ+ 層２３と低キャリア
濃度ｎ層２４が形成されており、更に低キャリア濃度ｎ
層２４上にはｉ層２５が形成されている。ｉ層２５には
電極６が接続しており、高キャリア濃度ｎ+ 層２３には
電極５が接続している。このＬＥＤ発光素子１は、有機
金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）によりサ
ファイア基板２１の上に各層２２〜２５を成長させ、そ
の後、電極５，６を形成することによって得られる。The LED light emitting element 1 in the above-mentioned chip type LED 10 is configured as a blue light emitting element. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an example of the LED light emitting element 1. This LED light emitting element 1 has a MIS structure as shown in the figure, and the electrodes 5 and 6 are turned upside down so that conduction to the wiring pattern 9 is achieved. Sapphire substrate 2
1, a buffer layer 22 is formed, a high carrier concentration n + layer 23 and a low carrier concentration n layer 24 are sequentially formed on the buffer layer 22, and a low carrier concentration n
An i-layer 25 is formed on the layer 24. The electrode 6 is connected to the i layer 25, and the electrode 5 is connected to the high carrier concentration n + layer 23. This LED light-emitting element 1 is obtained by growing each of the layers 22 to 25 on a sapphire substrate 21 by a metalorganic compound vapor deposition method (hereinafter, MOCVD method), and then forming electrodes 5 and 6.
【００１９】ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐから上方
向に放出された光７は、図１に示されるように、サファ
イア基板２１（図２参照）を透過してからエポキシ樹脂
１１を一方向に無駄なく透過する。発光点Ｐから下方向
に放出された光１７は、プリント配線基板２を透過して
いく。従って、チップ型ＬＥＤ１０は、両面発光とな
る。As shown in FIG. 1, the light 7 emitted upward from the light emitting point P inside the LED light emitting element 1 passes through the sapphire substrate 21 (see FIG. 2) and then passes through the epoxy resin 11 in one direction. It passes through without waste. Light 17 emitted downward from the light emitting point P passes through the printed wiring board 2. Therefore, the chip type LED 10 emits light from both sides.
【００２０】チップ型ＬＥＤ１０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成したガラス基板に複数の溝をほり、溝の内
面にも導電被膜を形成する。次に、ＬＥＤ発光素子１表
面の電極５，６と配線パターン９とを電気的に接続し、
ＬＥＤ発光素子１をいわゆるフェースダウンの状態でガ
ラス基板に実装する。実装工程終了後、金型を被せてＬ
ＥＤ発光素子１を覆う。金型には、封止体注入用の穴が
開いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を金型
内に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めてガラス基板に
接合する。接合が終了してから金型を取り外し、ガラス
基板の棒状部分を溝に対して垂直方向にカットすると、
チップ型ＬＥＤ１０を複数得ることができる。An example of a manufacturing process of the chip type LED 10 will be described below. First, a plurality of grooves are formed on a glass substrate on which a wiring pattern 9 has been previously formed on appropriate portions on the front surface and the back surface, and a conductive film is also formed on the inner surfaces of the grooves. Next, the electrodes 5, 6 on the surface of the LED light emitting element 1 and the wiring pattern 9 are electrically connected,
The LED element 1 is mounted on a glass substrate in a so-called face-down state. After the completion of the mounting process, cover the mold and
The ED light emitting element 1 is covered. The mold has a hole for sealing body injection. The liquid epoxy resin 11 is poured into the mold through the hole, and the epoxy resin 11 is solidified and joined to the glass substrate. After the joining is completed, remove the mold and cut the rod-shaped part of the glass substrate vertically to the groove,
A plurality of chip type LEDs 10 can be obtained.
【００２１】図３は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
他の実施例を示す要部断面図である。このチップ型ＬＥ
Ｄ３０は、図１に示されるチップ型ＬＥＤ１０における
プリント配線基板２に凹部３１が設けられ、上記凹部３
１にＬＥＤ発光素子１が実装されたものである。ＬＥＤ
発光素子１が凹部３１にボンディングされる分、チップ
型ＬＥＤ３０の厚さは薄くなる。FIG. 3 is a sectional view showing a main part of another embodiment of the chip type LED according to the present invention. This chip type LE
D30 is provided with a recess 31 in the printed wiring board 2 of the chip type LED 10 shown in FIG.
The LED light emitting device 1 is mounted on the LED light emitting device 1. LED
Since the light emitting element 1 is bonded to the concave portion 31, the thickness of the chip type LED 30 is reduced.
【００２２】ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐから上方
向に放出された光７は、図３に示されるように、エポキ
シ樹脂１１を透過していく。発光点Ｐから下方向に放出
された光１７は、プリント配線基板２を透過していく。
従って、チップ型ＬＥＤ３０も両面発光となる。Light 7 emitted upward from the light emitting point P inside the LED light emitting element 1 passes through the epoxy resin 11 as shown in FIG. Light 17 emitted downward from the light emitting point P passes through the printed wiring board 2.
Therefore, the chip type LED 30 also emits light on both sides.
【００２３】チップ型ＬＥＤ３０の製造工程はチップ型
ＬＥＤ１０の製造工程と基本的に同じであるが、ＬＥＤ
発光素子１をガラス基板にボンディングする前に予め凹
部３１をガラス基板に形成しておく。その後の製造工程
は、チップ型ＬＥＤ１０の場合と同様である。The manufacturing process of the chip type LED 30 is basically the same as the manufacturing process of the chip type LED 10,
Before bonding the light emitting element 1 to the glass substrate, the concave portion 31 is formed in the glass substrate in advance. Subsequent manufacturing steps are the same as in the case of the chip LED 10.
【００２４】図４は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
他の実施例を示す要部断面図である。同図に示されるよ
うに、チップ型ＬＥＤ５０は、主として透光性材料から
なるプリント配線基板２、ＬＥＤ発光素子５１、ワイヤ
Ｗから構成されている。ＬＥＤ発光素子５１の表面に形
成されている電極５，６は、ワイヤＷによってプリント
配線基板２上の配線パターン９と電気的に接合してい
る。プリント配線基板２上にボンディングされたＬＥＤ
発光素子５１は、透明なエポキシ樹脂１１で封止されて
いる。FIG. 4 is a sectional view showing a main part of another embodiment of the chip type LED according to the present invention. As shown in the figure, the chip-type LED 50 mainly includes a printed wiring board 2 made of a translucent material, an LED light emitting element 51, and wires W. The electrodes 5 and 6 formed on the surface of the LED light emitting element 51 are electrically connected to the wiring patterns 9 on the printed wiring board 2 by wires W. LED bonded on printed wiring board 2
The light emitting element 51 is sealed with a transparent epoxy resin 11.
【００２５】図４に示されるように、ＬＥＤ発光素子１
内部の発光点Ｐから上方向に放出された光７はエポキシ
樹脂１１を透過していき、下方向に放出された光１７は
プリント配線基板２を透過していく。従って、チップ型
ＬＥＤ５０も両面発光となる。As shown in FIG. 4, the LED 1
The light 7 emitted upward from the internal light emitting point P passes through the epoxy resin 11, and the light 17 emitted downward passes through the printed wiring board 2. Therefore, the chip type LED 50 also emits light on both sides.
【００２６】図５は、上記チップ型ＬＥＤ５０における
ＬＥＤ発光素子５１の一例を示す縦断面図である。ＬＥ
Ｄ発光素子５１は、青色発光素子として構成されてい
る。このＬＥＤ発光素子５１は、ｐ型半導体とｎ型半導
体とを有するものである。同図に示されるように、配線
パターン９にボンディングされるサファイア基板６１上
にはバッファ層６２が形成されており、バッファ層６２
上にはｎ型半導体層６３、発光層６４、ｐ型半導体層６
５からなる積層部７０が形成されている。ｎ型半導体層
６３の表面にはワイヤボンディング用の電極６が設けら
れ、ｐ型半導体層６５の表面にもワイヤボンディング用
の電極５が設けられている。このＬＥＤ発光素子５１
は、ＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板６１の上に各層
６２〜６５を成長させ、その後、電極５，６を形成する
ことによって得られる。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an example of the LED light emitting element 51 in the chip type LED 50. LE
The D light emitting element 51 is configured as a blue light emitting element. This LED light emitting element 51 has a p-type semiconductor and an n-type semiconductor. As shown in the figure, a buffer layer 62 is formed on a sapphire substrate 61 bonded to the wiring pattern 9.
The n-type semiconductor layer 63, the light-emitting layer 64, and the p-type semiconductor layer 6
5 are formed. The electrode 6 for wire bonding is provided on the surface of the n-type semiconductor layer 63, and the electrode 5 for wire bonding is also provided on the surface of the p-type semiconductor layer 65. This LED light emitting element 51
Is obtained by growing the layers 62 to 65 on the sapphire substrate 61 by MOCVD, and then forming the electrodes 5 and 6.
【００２７】チップ型ＬＥＤ５０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成したガラス基板に複数の溝をほり、溝の内
面にも導電被膜を形成する。次に、ＬＥＤ発光素子５１
におけるサファイア基板６１をガラス基板にボンディン
グする。ＬＥＤ発光素子５１表面に形成されている電極
５，６にワイヤＷをボンディングし、ワイヤＷの他端部
を配線パターン９にボンディングする。ワイヤボンディ
ング終了後、金型を被せてガラス基板上のＬＥＤ発光素
子１およびワイヤＷを覆う。金型には、封止体注入用の
穴が開いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を
金型内に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めてガラス基
板に接合する。接合が終了してから金型を取り外し、ガ
ラス基板の棒状部分を溝に対して垂直方向にカットする
と、チップ型ＬＥＤ５０を複数得ることができる。An example of a manufacturing process of the chip type LED 50 will be described below. First, a plurality of grooves are formed on a glass substrate on which a wiring pattern 9 has been previously formed on appropriate portions on the front surface and the back surface, and a conductive film is also formed on the inner surfaces of the grooves. Next, the LED light emitting element 51
Is bonded to a glass substrate. The wire W is bonded to the electrodes 5 and 6 formed on the surface of the LED light emitting element 51, and the other end of the wire W is bonded to the wiring pattern 9. After the wire bonding is completed, the LED light emitting element 1 and the wire W on the glass substrate are covered with a mold. The mold has a hole for sealing body injection. The liquid epoxy resin 11 is poured into the mold through the hole, and the epoxy resin 11 is solidified and joined to the glass substrate. After the joining is completed, the mold is removed, and the bar-shaped portion of the glass substrate is cut in a direction perpendicular to the groove, whereby a plurality of chip-type LEDs 50 can be obtained.
【００２８】上記チップ型ＬＥＤ１０，３０，５０は、
何れも両面（上下方向）が発光するものである。これら
のチップ型ＬＥＤ１０，３０，５０を実装基板に実装し
てやれば両面発光のＬＥＤ表示装置が得られる。これま
でのように、片面発光のチップ型ＬＥＤが実装基板に実
装されている発光ユニットを二つ造る必要がないので、
ＬＥＤ表示装置の厚さは薄いものとなる。The chip type LEDs 10, 30, 50 are as follows:
In both cases, light is emitted from both sides (up and down directions). If these chip-type LEDs 10, 30, and 50 are mounted on a mounting substrate, a double-sided light emitting LED display device can be obtained. As before, there is no need to build two light-emitting units in which a single-sided chip-type LED is mounted on a mounting board.
The thickness of the LED display device is thin.
【００２９】ＬＥＤ表示装置は両面発光体で厚みが薄く
なるので、ユーザーは、チップ型ＬＥＤ１０，３０，５
０を裏返してモールド樹脂の部分を実装基板の穴に組み
込という無理な実装形態をとる必要はない。従って、チ
ップ型ＬＥＤ１０，３０，５０を包装する場合、キャリ
アテープ内でプリント配線基板２が下になるような形態
１種類に限定できる。Since the thickness of the LED display device is reduced by using a double-sided light-emitting body, the user can select the chip-type LEDs 10, 30, 5
It is not necessary to take an unreasonable mounting form of turning over 0 and incorporating the mold resin portion into the hole of the mounting board. Therefore, when packaging the chip-type LEDs 10, 30, and 50, the type can be limited to one type in which the printed wiring board 2 faces down in the carrier tape.
【００３０】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤ１
０，３０，５０の一実施例を説明したが、本願発明は、
これらに限定されず、下記のように種々変形することが
可能である。As described above, the chip type LED 1 according to the present invention
One embodiment of 0, 30, 50 has been described.
The present invention is not limited to these, and can be variously modified as described below.
【００３１】上記実施形態では、プリント配線基板２の
材質をガラスとしているが、プリント配線基板２は透光
性材料からなるものであれば特にガラスに限定されるこ
とはない。In the above embodiment, the material of the printed wiring board 2 is glass, but the printed wiring board 2 is not particularly limited to glass as long as it is made of a translucent material.
【００３２】上記実施形態におけるＬＥＤ発光素子１，
５１は青色発光素子であるが、本願発明は、ＬＥＤ発光
素子１，５１が赤色発光素子や緑色発光素子であるもの
にも適用可能である。従って、バッファ層、ｎ型半導体
層、発光層、ｐ型半導体層等の各部の具体的な材質は限
定されることはなく、各層の具体的な構成は種々に設計
変更が可能である。The LED light emitting elements 1 and 2 in the above embodiment
Reference numeral 51 denotes a blue light emitting element. However, the present invention is also applicable to a case where the LED light emitting elements 1 and 51 are red or green light emitting elements. Therefore, the specific material of each part such as the buffer layer, the n-type semiconductor layer, the light emitting layer, and the p-type semiconductor layer is not limited, and the specific configuration of each layer can be variously changed.
【００３３】ＬＥＤ発光素子１，５１に含まれる透明基
板の材質はサファイアに限定されることはなく、ＬＥＤ
発光素子１，５１から放出される光１７を透過させるこ
とができるものであればよい。The material of the transparent substrate included in the LED light emitting elements 1 and 51 is not limited to sapphire,
Any device that can transmit the light 17 emitted from the light emitting elements 1 and 51 may be used.
【００３４】上記実施形態では、ＬＥＤ発光素子１，５
１の封止体としてエポキシ樹脂１１を使用しているが、
低融点ガラスを封止体とすることもできる。ＬＥＤ発光
素子１，５１は、低融点ガラスの融点である４００℃前
後の温度にも耐えられるので、液状の低融点ガラスに浸
されても品質が低下することがない。In the above embodiment, the LED light emitting elements 1, 5
Although the epoxy resin 11 is used as the sealing body 1,
Low-melting glass may be used as the sealing body. Since the LED light-emitting elements 1 and 51 can withstand a temperature of about 400 ° C., which is the melting point of low-melting glass, the quality does not deteriorate even when immersed in liquid low-melting glass.
【００３５】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの実
施例を説明したが、本願発明は、これらに限定されず、
特許請求の範囲に含まれる範囲内で様々な変形を施すこ
とも可能であり、その中には各構成要素を均等物で置換
したものも含まれる。Although the embodiments of the chip type LED according to the present invention have been described above, the present invention is not limited to these.
Various modifications can be made within the scope of the claims, including those in which each component is replaced with an equivalent.
【図１】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの一実施例を示
す要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing one embodiment of a chip type LED according to the present invention.
【図２】図１に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。FIG. 2 shows an LED in the chip type LED shown in FIG.
It is a longitudinal section of a light emitting element.
【図３】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの他の実施例を
示す要部断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a main part showing another embodiment of the chip type LED according to the present invention.
【図４】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの他の実施例を
示す要部断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a main part showing another embodiment of the chip type LED according to the present invention.
【図５】図４に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。5 is an LED in the chip-type LED shown in FIG.
It is a longitudinal section of a light emitting element.
【図６】従来のチップ型ＬＥＤの一例を示す要部断面図
である。FIG. 6 is a sectional view of a main part showing an example of a conventional chip type LED.
【図７】チップ型ＬＥＤを包装しているキャリアテープ
の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a carrier tape wrapping the chip-type LED.
【図８】チップ型ＬＥＤを実装基板に実装した状態を示
す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state where the chip-type LED is mounted on a mounting board.
１ ＬＥＤ発光素子 ２ プリント配線基板 ５，６ 電極 ７，１７ 光 ９ 配線パターン １０ チップ型ＬＥＤ １１ エポキシ樹脂 １２ プリント配線基板 ５１ ＬＥＤ発光素子 Ｗ ワイヤ REFERENCE SIGNS LIST 1 LED light emitting element 2 printed wiring board 5, 6 electrode 7, 17 light 9 wiring pattern 10 chip type LED 11 epoxy resin 12 printed wiring board 51 LED light emitting element W wire
Claims (3)
ンディングされているチップ型ＬＥＤにおいて、 上記プリント配線基板は、透光性材料からなるものであ
り、 上記ＬＥＤ発光素子は、透明基板上に、発光層を含んだ
半導体層が積層された発光素子であることを特徴とす
る、チップ型ＬＥＤ。1. A chip-type LED having an LED light emitting element bonded to a printed wiring board, wherein the printed wiring board is made of a translucent material, and the LED light emitting element emits light on a transparent substrate. A chip-type LED, which is a light-emitting element in which semiconductor layers including layers are stacked.
るものであることを特徴とする、請求項１に記載のチッ
プ型ＬＥＤ。2. The chip type LED according to claim 1, wherein said printed wiring board is made of glass.
れており、この凹部に上記ＬＥＤ発光素子がボンディン
グされていることを特徴とする、請求項１または２に記
載のチップ型ＬＥＤ。3. The chip-type LED according to claim 1, wherein the printed wiring board has a concave portion, and the LED light emitting element is bonded to the concave portion.
Priority Applications (1)
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| JP35644197A JPH11186590A (en) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | Chip-type led |
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|---|---|
| JP (1) | JPH11186590A (en) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001009963A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| WO2001069693A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device |
| KR100454777B1 (en) * | 2000-09-13 | 2004-11-05 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof |
| WO2005004246A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-13 | Kenichiro Miyahara | Substrate for mounting luminous element and luminous element |
| KR100567550B1 (en) * | 2002-05-29 | 2006-04-05 | 서울반도체 주식회사 | Pink Light Emitting Diode and Methode for Manufacturing the same |
| JP2007311626A (en) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujikura Ltd | Light source device |
| JP2010506624A (en) * | 2006-10-11 | 2010-03-04 | ライト、サイエンシーズ、オンコロジー、インコーポレイテッド | Light delivery system |
| JP2010056488A (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Oki Data Corp | Display device |
| JP2010232210A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Denso Corp | Light emitting diode, and method of mounting the same |
| JP2010232211A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Denso Corp | Led light source unit |
| JP2011221405A (en) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Kyocera Mita Corp | Image-forming apparatus |
| WO2013083528A3 (en) * | 2011-12-07 | 2013-08-01 | Osram Gmbh | Semiconductor luminaire |
| KR101301516B1 (en) * | 2006-11-22 | 2013-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | White LED Package and Liquid Crystal Display using the same |
| KR101370417B1 (en) * | 2013-07-15 | 2014-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | White LED Package and Liquid Crystal Display using the same |
| TWI485393B (en) * | 2010-06-30 | 2015-05-21 | Daiichi Jitsugyo Viswill Co Ltd | Chip led inspection apparatus |
| JP2015524999A (en) * | 2012-07-18 | 2015-08-27 | ジースマット カンパニー リミテッドＧ−Ｓｍａｔｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Transparent lightning plate and manufacturing method thereof |
| WO2016163101A1 (en) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fluidic assembly top-contact led disk |
| US9491812B2 (en) | 2005-12-16 | 2016-11-08 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9627437B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-04-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Patterned phosphors in through hole via (THV) glass |
| US9755110B1 (en) | 2016-07-27 | 2017-09-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Substrate with topological features for steering fluidic assembly LED disks |
| US9837390B1 (en) | 2016-11-07 | 2017-12-05 | Corning Incorporated | Systems and methods for creating fluidic assembly structures on a substrate |
| US9892944B2 (en) | 2016-06-23 | 2018-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly |
| US9917226B1 (en) | 2016-09-15 | 2018-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices |
| US9985190B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-05-29 | eLux Inc. | Formation and structure of post enhanced diodes for orientation control |
| US10115862B2 (en) | 2011-12-27 | 2018-10-30 | eLux Inc. | Fluidic assembly top-contact LED disk |
| US10243097B2 (en) | 2016-09-09 | 2019-03-26 | eLux Inc. | Fluidic assembly using tunable suspension flow |
| US10249599B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-04-02 | eLux, Inc. | Laminated printed color conversion phosphor sheets |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35644197A patent/JPH11186590A/en active Pending
Cited By (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396082B1 (en) | 1999-07-29 | 2002-05-28 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| KR100463653B1 (en) * | 1999-07-29 | 2004-12-29 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | Light-emitting diode |
| WO2001009963A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| KR100708511B1 (en) * | 2000-03-17 | 2007-04-16 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device |
| WO2001069693A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device |
| US6597018B2 (en) | 2000-03-17 | 2003-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitter and flat panel display lighting system |
| KR100454777B1 (en) * | 2000-09-13 | 2004-11-05 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof |
| KR100567550B1 (en) * | 2002-05-29 | 2006-04-05 | 서울반도체 주식회사 | Pink Light Emitting Diode and Methode for Manufacturing the same |
| WO2005004246A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-13 | Kenichiro Miyahara | Substrate for mounting luminous element and luminous element |
| US10801676B2 (en) | 2005-12-16 | 2020-10-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US10598317B2 (en) | 2005-12-16 | 2020-03-24 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9491813B2 (en) | 2005-12-16 | 2016-11-08 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9491812B2 (en) | 2005-12-16 | 2016-11-08 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9752734B2 (en) | 2005-12-16 | 2017-09-05 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US11421829B2 (en) | 2005-12-16 | 2022-08-23 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US10180213B2 (en) | 2005-12-16 | 2019-01-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US11187385B2 (en) | 2005-12-16 | 2021-11-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US11692677B2 (en) | 2005-12-16 | 2023-07-04 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2007311626A (en) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujikura Ltd | Light source device |
| US8685005B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-04-01 | Purdue Pharmaceutical Products L.P. | Light delivery system |
| JP2010506624A (en) * | 2006-10-11 | 2010-03-04 | ライト、サイエンシーズ、オンコロジー、インコーポレイテッド | Light delivery system |
| USRE46504E1 (en) | 2006-10-11 | 2017-08-08 | Purdue Pharmaceutical Products L.P. | Light delivery system |
| KR101301516B1 (en) * | 2006-11-22 | 2013-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | White LED Package and Liquid Crystal Display using the same |
| US8796703B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-08-05 | Oki Data Corporation | Display device capable of emitting light from opposite sides |
| JP2010056488A (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Oki Data Corp | Display device |
| JP2010232210A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Denso Corp | Light emitting diode, and method of mounting the same |
| JP2010232211A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Denso Corp | Led light source unit |
| JP2011221405A (en) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Kyocera Mita Corp | Image-forming apparatus |
| TWI485393B (en) * | 2010-06-30 | 2015-05-21 | Daiichi Jitsugyo Viswill Co Ltd | Chip led inspection apparatus |
| WO2013083528A3 (en) * | 2011-12-07 | 2013-08-01 | Osram Gmbh | Semiconductor luminaire |
| US10475958B2 (en) | 2011-12-27 | 2019-11-12 | eLux Inc. | Fluidic assembly top-contact LED disk |
| US10115862B2 (en) | 2011-12-27 | 2018-10-30 | eLux Inc. | Fluidic assembly top-contact LED disk |
| JP2015524999A (en) * | 2012-07-18 | 2015-08-27 | ジースマット カンパニー リミテッドＧ−Ｓｍａｔｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Transparent lightning plate and manufacturing method thereof |
| KR101370417B1 (en) * | 2013-07-15 | 2014-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | White LED Package and Liquid Crystal Display using the same |
| WO2016163101A1 (en) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fluidic assembly top-contact led disk |
| US9985190B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-05-29 | eLux Inc. | Formation and structure of post enhanced diodes for orientation control |
| US10347513B2 (en) | 2016-06-23 | 2019-07-09 | eLux Inc. | Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly |
| US9892944B2 (en) | 2016-06-23 | 2018-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly |
| US10643870B2 (en) | 2016-06-23 | 2020-05-05 | eLux Inc. | Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly |
| US10249599B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-04-02 | eLux, Inc. | Laminated printed color conversion phosphor sheets |
| US9627437B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-04-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Patterned phosphors in through hole via (THV) glass |
| US9755110B1 (en) | 2016-07-27 | 2017-09-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Substrate with topological features for steering fluidic assembly LED disks |
| US10243097B2 (en) | 2016-09-09 | 2019-03-26 | eLux Inc. | Fluidic assembly using tunable suspension flow |
| US11211520B2 (en) | 2016-09-09 | 2021-12-28 | eLux Inc. | Fluidic assembly using tunable suspension flow |
| US9917226B1 (en) | 2016-09-15 | 2018-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices |
| US10243098B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-03-26 | eLux Inc. | Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices |
| US9837390B1 (en) | 2016-11-07 | 2017-12-05 | Corning Incorporated | Systems and methods for creating fluidic assembly structures on a substrate |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11796163B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-10-24 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
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Legal Events
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