JPH11183111A - 膜厚変化の測定方法とその装置 - Google Patents
膜厚変化の測定方法とその装置Info
- Publication number
- JPH11183111A JPH11183111A JP35496697A JP35496697A JPH11183111A JP H11183111 A JPH11183111 A JP H11183111A JP 35496697 A JP35496697 A JP 35496697A JP 35496697 A JP35496697 A JP 35496697A JP H11183111 A JPH11183111 A JP H11183111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- measuring
- measurement
- eddy current
- current sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電体表面に形成された非導電膜の膜厚及び
膜厚むらを、迅速かつ正確に測定する方法とその装置。 【解決手段】 被測定物Ｗの膜厚を測定する渦電流セン
サ７と膜厚の変位量を測定する接触式変位測定器５を同
時に走査して、膜厚データと膜厚むらデータとを同時に
測定位置毎に得られるようにした。
膜厚むらを、迅速かつ正確に測定する方法とその装置。 【解決手段】 被測定物Ｗの膜厚を測定する渦電流セン
サ７と膜厚の変位量を測定する接触式変位測定器５を同
時に走査して、膜厚データと膜厚むらデータとを同時に
測定位置毎に得られるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電体表面に形成
された非導電膜の膜厚、膜厚変化及び膜厚むらを測定す
る方法とその装置に関する。
された非導電膜の膜厚、膜厚変化及び膜厚むらを測定す
る方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属体の表面に非導電膜がコーティング
等で形成された部品は、例えば、電子複写機のローラ等
をはじめ多くの電子機器で広く用いられている。
等で形成された部品は、例えば、電子複写機のローラ等
をはじめ多くの電子機器で広く用いられている。
【０００３】これらの膜厚や膜厚むらは、部品の機能と
密接な関係があるので機能に応じてそれぞれ所定の管理
が行われている。
密接な関係があるので機能に応じてそれぞれ所定の管理
が行われている。
【０００４】例えば、コーティングされた膜厚と膜厚む
らを測定する方法としては、渦電流センサや接触式変位
検出器や寸法測定器が用いられている。
らを測定する方法としては、渦電流センサや接触式変位
検出器や寸法測定器が用いられている。
【０００５】つまり、渦電流センサを使用する場合は、
被測定物の膜の表面に渦電流センサの測定端子を接触さ
せて、その位置から下地である基材面までに距離を膜厚
として測定する。膜厚むらの測定は被測定体の各位置の
膜厚の測定結果から判断する。
被測定物の膜の表面に渦電流センサの測定端子を接触さ
せて、その位置から下地である基材面までに距離を膜厚
として測定する。膜厚むらの測定は被測定体の各位置の
膜厚の測定結果から判断する。
【０００６】接触式変位検出器を使用する場合は、ま
づ、定盤か移動テーブルの上に膜付け前の下地面の状態
の被測定物を載置し、被測定物を動かしたときの変位を
測定する。次に、下地面に膜付け後同様の方法で膜の表
面の変化を測定する。この２つの測定結果から下地面の
形状に対する膜厚の変化を求めることで膜厚むらを測定
している。
づ、定盤か移動テーブルの上に膜付け前の下地面の状態
の被測定物を載置し、被測定物を動かしたときの変位を
測定する。次に、下地面に膜付け後同様の方法で膜の表
面の変化を測定する。この２つの測定結果から下地面の
形状に対する膜厚の変化を求めることで膜厚むらを測定
している。
【０００７】寸法測定器を使用する場合は、同一位置に
ついて下地面の状態と膜付け後の寸法を複数位置で測定
し、膜付け前後の寸法変化を求めることで膜厚むらを測
定している。
ついて下地面の状態と膜付け後の寸法を複数位置で測定
し、膜付け前後の寸法変化を求めることで膜厚むらを測
定している。
【０００８】また、被測定物の変位の測定は、図５に示
すように非接触式の変位検出器が用いられる場合もあ
る。すなわち図５において、基台１″の上に設けられ所
定方向へ移動自在な測定テーブル２″に被測定物Ｗ″を
載置し、基台１″に所定間隔で立設した２本のスタンド
２０、２１には、一方に非接触変位計２２が設けられ、
他方には渦電流センサ８″と反射板２３がばね１５を介
してアーム４″に懸架されている。なお、反射板２３は
非接触センサ２２の下方に位置するように配置されてい
る。
すように非接触式の変位検出器が用いられる場合もあ
る。すなわち図５において、基台１″の上に設けられ所
定方向へ移動自在な測定テーブル２″に被測定物Ｗ″を
載置し、基台１″に所定間隔で立設した２本のスタンド
２０、２１には、一方に非接触変位計２２が設けられ、
他方には渦電流センサ８″と反射板２３がばね１５を介
してアーム４″に懸架されている。なお、反射板２３は
非接触センサ２２の下方に位置するように配置されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のような各測定方
法によると、コーティング膜の膜厚むらの測定では、膜
の下地面と膜厚との関係が同時に測定できない。従っ
て、通常これらの関係を求めるには、膜の下地面の状態
と膜付け後の状態とをそれぞれ測定して双方の測定結果
を照合することによって求めている場合が多い。この場
合は、膜の下地面の測定位置と膜付け後の測定位置を正
確に合せることが困難ななため正しい値を得ることが難
しい。
法によると、コーティング膜の膜厚むらの測定では、膜
の下地面と膜厚との関係が同時に測定できない。従っ
て、通常これらの関係を求めるには、膜の下地面の状態
と膜付け後の状態とをそれぞれ測定して双方の測定結果
を照合することによって求めている場合が多い。この場
合は、膜の下地面の測定位置と膜付け後の測定位置を正
確に合せることが困難ななため正しい値を得ることが難
しい。
【００１０】また、測定を膜厚前後で行う必要があるこ
とや、それぞれの測定に応じて異なった測定器を使用す
る場合も有るので、測定時間や測定コストがかかり好ま
しくない。
とや、それぞれの測定に応じて異なった測定器を使用す
る場合も有るので、測定時間や測定コストがかかり好ま
しくない。
【００１１】非接触式の変位検出器を用いた場合は、接
触式変位検出器に比べて測定範囲が狭く、更に、被測定
物Ｗが曲率面の場合は測定装置が複雑になる。
触式変位検出器に比べて測定範囲が狭く、更に、被測定
物Ｗが曲率面の場合は測定装置が複雑になる。
【００１２】本発明はそれらの事情に基づいてなされて
もので、被測定体の下地面と成膜面とを別々に測定する
ことなく同時に測定することで、迅速で正確な膜厚と膜
厚むらの測定方法と装置を提供するものである。
もので、被測定体の下地面と成膜面とを別々に測定する
ことなく同時に測定することで、迅速で正確な膜厚と膜
厚むらの測定方法と装置を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電体
の表面に形成された非導電膜の膜厚変化の測定方法にお
いて、膜厚は渦電流センサで測定し、膜厚変化は前記渦
電流センサと同時に走査される接触式変位測定器の測定
結果に基づいて算出することを特徴とする膜厚変化の測
定方法にある。
の表面に形成された非導電膜の膜厚変化の測定方法にお
いて、膜厚は渦電流センサで測定し、膜厚変化は前記渦
電流センサと同時に走査される接触式変位測定器の測定
結果に基づいて算出することを特徴とする膜厚変化の測
定方法にある。
【００１４】また本発明によれば、導電体の表面に形成
された非導電膜の膜厚変化の測定方法において、膜厚は
渦電流センサで測定し、膜厚変化はこの渦電流センサと
共通の測定端子を用いて作動する接触式変位測定器の測
定結果に基づいて算出することを特徴とする膜厚変化の
測定方法にある。
された非導電膜の膜厚変化の測定方法において、膜厚は
渦電流センサで測定し、膜厚変化はこの渦電流センサと
共通の測定端子を用いて作動する接触式変位測定器の測
定結果に基づいて算出することを特徴とする膜厚変化の
測定方法にある。
【００１５】また本発明によれば、前記非導電膜はアル
ミローラの表面にコーティングされたテフロン膜である
ことを特徴とする膜厚変化の測定方法にある。また本発
明によれば、導電体の表面に非導電膜が形成された被測
定体を載置する測定テーブルと、この測定テーブルと相
対的に走査自在に設けられた測定部とを具備した膜厚変
化測定装置において、前記測定部は前記非導電膜の表面
に接触して膜厚を測定する渦電流センサとこの渦電流セ
ンサが膜厚を測定している間の渦電流センサの変位量を
検出する接触式変位検出器とを有することを特徴とする
膜厚変化の測定装置にある。
ミローラの表面にコーティングされたテフロン膜である
ことを特徴とする膜厚変化の測定方法にある。また本発
明によれば、導電体の表面に非導電膜が形成された被測
定体を載置する測定テーブルと、この測定テーブルと相
対的に走査自在に設けられた測定部とを具備した膜厚変
化測定装置において、前記測定部は前記非導電膜の表面
に接触して膜厚を測定する渦電流センサとこの渦電流セ
ンサが膜厚を測定している間の渦電流センサの変位量を
検出する接触式変位検出器とを有することを特徴とする
膜厚変化の測定装置にある。
【００１６】また本発明によれば、 前記渦電流センサ
と前記変位検出器は共通の測定端子を用いて作動し、変
位検出器が有するばねによって測定端子に圧力を付与し
ていることを特徴とする膜厚変化の測定装置にある。
と前記変位検出器は共通の測定端子を用いて作動し、変
位検出器が有するばねによって測定端子に圧力を付与し
ていることを特徴とする膜厚変化の測定装置にある。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１８】図１は本発明の実施の形態を示す膜厚及び
膜厚むらの測定装置の斜視図で、図２は本発明の実施の
形態を示す膜厚及び膜厚むら測定装置の動作を示す説明
図である。
膜厚むらの測定装置の斜視図で、図２は本発明の実施の
形態を示す膜厚及び膜厚むら測定装置の動作を示す説明
図である。
【００１９】被測定物Ｗは導電体たる金属で形成された
下地体Ｗ１の表面に被測定膜Ｗ２である非導電性の薄膜
が形成されている。この被測定物Ｗは基台１に設けられ
たに測定テーブル２の上の所定位置に載置され固定され
ている。測定テーブル２は基台１に対して図示しない駆
動装置によって水平方向にスライド自在に設けられてい
る。
下地体Ｗ１の表面に被測定膜Ｗ２である非導電性の薄膜
が形成されている。この被測定物Ｗは基台１に設けられ
たに測定テーブル２の上の所定位置に載置され固定され
ている。測定テーブル２は基台１に対して図示しない駆
動装置によって水平方向にスライド自在に設けられてい
る。
【００２０】また、基台１の一端にはスタンド３が立設
されている。このスタンド３には直角方向に延びたアー
ム４が設けられている。このアーム４は先端部に接触式
変位検出器５を保持している。
されている。このスタンド３には直角方向に延びたアー
ム４が設けられている。このアーム４は先端部に接触式
変位検出器５を保持している。
【００２１】この接触式変位検出器５は、上部に検出器
本体部５ａが設けられ、下部に固定治具６が直線案内構
造で案内され、かつ、所定の張力に調整されたばね１５
で懸架されている。従って、固定治具６は１０ｍｍ程度
のストロークで上下方向へのみ変位が可能な構造を形成
している。
本体部５ａが設けられ、下部に固定治具６が直線案内構
造で案内され、かつ、所定の張力に調整されたばね１５
で懸架されている。従って、固定治具６は１０ｍｍ程度
のストロークで上下方向へのみ変位が可能な構造を形成
している。
【００２２】固定治具６はアルミニウ等の軽量材料製で
一端に渦電流センサ７の測定端子８を保持し、この渦電
流センサ７の測定端子８は固定治具６から下方に垂直に
延在している。これにより測定端子８は常に所定の測定
圧を被測定物Ｗに付与する。
一端に渦電流センサ７の測定端子８を保持し、この渦電
流センサ７の測定端子８は固定治具６から下方に垂直に
延在している。これにより測定端子８は常に所定の測定
圧を被測定物Ｗに付与する。
【００２３】接触式変位検出器５と渦電流センサ７は制
御装置９に接続している。この制御装置９は、装置全体
を制御する制御部１０と、接触式変位検出器５と渦電流
センサ７とのそれぞれの測定データの相互関係を照合す
る測定データ処理部１１とから構成されている。
御装置９に接続している。この制御装置９は、装置全体
を制御する制御部１０と、接触式変位検出器５と渦電流
センサ７とのそれぞれの測定データの相互関係を照合す
る測定データ処理部１１とから構成されている。
【００２４】測定データ処理部１１は接触式変位検出器
５と渦電流センサ７からの測定データを同期させて取り
込む機能と、取り込んだ測定データから接触式変位検出
器５の位置データを基準として、これに対する渦電流セ
ンサ７の測定データを対応させる機能を有している。
５と渦電流センサ７からの測定データを同期させて取り
込む機能と、取り込んだ測定データから接触式変位検出
器５の位置データを基準として、これに対する渦電流セ
ンサ７の測定データを対応させる機能を有している。
【００２５】すなわち、測定端子８を被測定膜Ｗ２の表
面を走査することにより得た測定データを基に、被測定
膜Ｗ２の表面の形状に対する膜厚の変化を計算すること
で膜厚むらを算出している。
面を走査することにより得た測定データを基に、被測定
膜Ｗ２の表面の形状に対する膜厚の変化を計算すること
で膜厚むらを算出している。
【００２６】以下に、上記装置の作用を説明する。
【００２７】まず、被測定物Ｗを基台１上の測定テーブ
ル２の所定位置に載置して図示しないマグネットチャッ
ク等の固定手段によって固定する。次に、被測定物Ｗの
被測定部と測定端子８の位置を一致させる。この一致方
法はＹ方向についてはスタンド３に係合したアーム４を
所定角度回動させて所定位置に設定する。また、Ｘ方向
については基台１上の測定テーブル２を所定量移動させ
て所定位置に設定する。この状態で、接触式変位検出器
５をスタンド３に設けられた図示しない垂直方向駆動機
構により静かに下降させる。この下降により接触式変位
検出器５に一体に装着されている渦電流センサ７の測定
端子８が被測定体の被測定膜Ｗ２の表面に接触する。次
に、Ｘ方向については基台１上の測定テーブル２を所定
量移動させて所定位置に設定し、測定開始位置の位置決
めを行う。
ル２の所定位置に載置して図示しないマグネットチャッ
ク等の固定手段によって固定する。次に、被測定物Ｗの
被測定部と測定端子８の位置を一致させる。この一致方
法はＹ方向についてはスタンド３に係合したアーム４を
所定角度回動させて所定位置に設定する。また、Ｘ方向
については基台１上の測定テーブル２を所定量移動させ
て所定位置に設定する。この状態で、接触式変位検出器
５をスタンド３に設けられた図示しない垂直方向駆動機
構により静かに下降させる。この下降により接触式変位
検出器５に一体に装着されている渦電流センサ７の測定
端子８が被測定体の被測定膜Ｗ２の表面に接触する。次
に、Ｘ方向については基台１上の測定テーブル２を所定
量移動させて所定位置に設定し、測定開始位置の位置決
めを行う。
【００２８】次に、制御部１０からの指令により測定テ
ーブル２が所定速度で走査を開始する。この走査により
逐次渦電流センサ７と接触式変位検出器５から測定デー
タが測定データ処理部１１に入力される。
ーブル２が所定速度で走査を開始する。この走査により
逐次渦電流センサ７と接触式変位検出器５から測定デー
タが測定データ処理部１１に入力される。
【００２９】その際、渦電流センサ７は、測定端子８が
接触式変位検出器５からの測定圧を付与して精密に膜の
表面を追従するので、常に膜厚を正確に測定することが
出来る。
接触式変位検出器５からの測定圧を付与して精密に膜の
表面を追従するので、常に膜厚を正確に測定することが
出来る。
【００３０】また、接触式変位検出器５は測定端子８が
渦電流センサ７の測定端子８と兼用しているので、常に
膜厚表面を所定の測定圧で追従し、膜の表面の正確な変
位量を測定する。
渦電流センサ７の測定端子８と兼用しているので、常に
膜厚表面を所定の測定圧で追従し、膜の表面の正確な変
位量を測定する。
【００３１】測定データ処理部１１に入力された接触式
変位検出器５と渦電流センサ７からの測定データは、接
触式変位検出器５の位置データを基準としてそれぞれの
位置の膜厚は渦電流センサ７から得られ、また、接触式
変位検出器５からの変位量の測定データを渦電流センサ
７からのデータと照合・対応させることによって、下地
面の形状と膜厚の関係を求めることが出来る。
変位検出器５と渦電流センサ７からの測定データは、接
触式変位検出器５の位置データを基準としてそれぞれの
位置の膜厚は渦電流センサ７から得られ、また、接触式
変位検出器５からの変位量の測定データを渦電流センサ
７からのデータと照合・対応させることによって、下地
面の形状と膜厚の関係を求めることが出来る。
【００３２】つまり、図３（ａ）〜（ｄ）で示すよう
に、渦電流センサ７からは膜厚の測定により図３（ｂ）
のデータ（Ａ）得られ、また、接触式変位検出器５から
は図３（ｃ）のデータ（Ｂ）が得られる。従って、図３
（ｄ）のようにこの２つのデータ（Ｂ−Ａ）を重ね合せ
ることにより膜厚むらを正確に検出することが出来る。
に、渦電流センサ７からは膜厚の測定により図３（ｂ）
のデータ（Ａ）得られ、また、接触式変位検出器５から
は図３（ｃ）のデータ（Ｂ）が得られる。従って、図３
（ｄ）のようにこの２つのデータ（Ｂ−Ａ）を重ね合せ
ることにより膜厚むらを正確に検出することが出来る。
【００３３】従って、以上のような膜厚及び膜厚むらの
測定装置による測定方法を行えば、一度の測定で正確か
つ迅速に膜厚と膜厚むらを同時に得ることが出来る。
測定装置による測定方法を行えば、一度の測定で正確か
つ迅速に膜厚と膜厚むらを同時に得ることが出来る。
【００３４】次に、図４に基づいて本発明の他の実施の
形態を説明する。
形態を説明する。
【００３５】上述の実施の形態では、被測定物Ｗが平面
の下地体Ｗ２の表面上に形成された被測定膜Ｗ２で、そ
の膜厚を測定したが、ここでは他の実施の形態として被
測定物Ｗが円筒状の場合について説明する。すなわち、
この実施の形態では被測定膜Ｗ２は円筒状の下地体Ｗ
２′の表面上に円筒状に形成されている。
の下地体Ｗ２の表面上に形成された被測定膜Ｗ２で、そ
の膜厚を測定したが、ここでは他の実施の形態として被
測定物Ｗが円筒状の場合について説明する。すなわち、
この実施の形態では被測定膜Ｗ２は円筒状の下地体Ｗ
２′の表面上に円筒状に形成されている。
【００３６】基本的構成は上述の実施の形態と同様であ
るので、同様部分についての説明は省略する。ただ、上
述の実施の形態の場合は被測定膜Ｗが平面であるため位
置の検出を直線で検出したが、この実施の形態では被測
定膜Ｗ２′が円筒状であるため、円筒体を回転させて回
転毎の位置検出で、膜厚と変位量を同時に測定する。
るので、同様部分についての説明は省略する。ただ、上
述の実施の形態の場合は被測定膜Ｗが平面であるため位
置の検出を直線で検出したが、この実施の形態では被測
定膜Ｗ２′が円筒状であるため、円筒体を回転させて回
転毎の位置検出で、膜厚と変位量を同時に測定する。
【００３７】すなわち、基台１′の上に設けられた測定
テーブル２′は円盤状で回転軸を中心に回転自在に形成
されている。また、この回転軸の半径方向に沿って移動
自在な測定端子８′を有する渦電流センサ７を保持した
接触式変位検出器５′が立設したスタンド３′に設けら
れている。このスタンド３′はＸＹテーブル１２の上に
載置され、測定端子８′の作動方向が常に測定テーブル
２′の回転中心に対して向かうように調整されている。
テーブル２′は円盤状で回転軸を中心に回転自在に形成
されている。また、この回転軸の半径方向に沿って移動
自在な測定端子８′を有する渦電流センサ７を保持した
接触式変位検出器５′が立設したスタンド３′に設けら
れている。このスタンド３′はＸＹテーブル１２の上に
載置され、測定端子８′の作動方向が常に測定テーブル
２′の回転中心に対して向かうように調整されている。
【００３８】この装置により円筒状の被測定膜Ｗ２′に
ついて測定する場合、まづ、測定テーブル２′の回転中
心に、被測定物Ｗである円筒体の回転中心を精密に一致
させる。円筒体の回転中心は、すなわち円筒体を構成す
る導電体の回転中心である。
ついて測定する場合、まづ、測定テーブル２′の回転中
心に、被測定物Ｗである円筒体の回転中心を精密に一致
させる。円筒体の回転中心は、すなわち円筒体を構成す
る導電体の回転中心である。
【００３９】次に、スタンド３′を載置しているＸＹテ
ーブル１２を静かに作動させて測定端子８′が被測定膜
Ｗ２′に接触するように調整する。この状態で測定テー
ブル２′を静かに回転させて測定開始位置に設定する。
以後は上述の実施の形態と同様に制御部１０からの指令
により測定を開始し、それぞれの測定データを測定デー
タ所処理部１１に入力して膜厚と膜厚むらの測定結果を
得る。
ーブル１２を静かに作動させて測定端子８′が被測定膜
Ｗ２′に接触するように調整する。この状態で測定テー
ブル２′を静かに回転させて測定開始位置に設定する。
以後は上述の実施の形態と同様に制御部１０からの指令
により測定を開始し、それぞれの測定データを測定デー
タ所処理部１１に入力して膜厚と膜厚むらの測定結果を
得る。
【００４０】これらの実施の形態では、測定端子８とば
ね１５が同方向に別部位に設けられているが、同一位置
に同軸に設けることにより測定端子８´とばね１５´を
支持している固定治具６の歪みが測定結果に影響を及ぼ
さないものとなっている。
ね１５が同方向に別部位に設けられているが、同一位置
に同軸に設けることにより測定端子８´とばね１５´を
支持している固定治具６の歪みが測定結果に影響を及ぼ
さないものとなっている。
【００４１】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば被
測定物の膜厚を測定する渦電流センサと膜厚の変位量を
測定する接触式変位測定器を同時に走査して、膜厚デー
タと膜厚の変位量データとを同時に測定位置毎に得られ
るようにした。
測定物の膜厚を測定する渦電流センサと膜厚の変位量を
測定する接触式変位測定器を同時に走査して、膜厚デー
タと膜厚の変位量データとを同時に測定位置毎に得られ
るようにした。
【００４２】従って、それらの測定データを比較照合す
ることにより、下地面の変動データと膜表面の変動デー
タとを把握することが出来、一度の測定で迅速・正確に
膜厚と膜厚むらを測定することが出来る。
ることにより、下地面の変動データと膜表面の変動デー
タとを把握することが出来、一度の測定で迅速・正確に
膜厚と膜厚むらを測定することが出来る。
【図１】本発明の一実施の形態を示す装置全体の概要
図。
図。
【図２】本発明の一実施の形態の装置の動作を説明する
説明図。
説明図。
【図３】（ａ）本発明の実施の形態の測定原理の要部を
示す概要図。（ｂ）本発明の実施の形態による渦電流セ
ンサからの出力データを示すグラフ。（ｃ）本発明の実
施の形態による接触式変位検出器からの出力データを示
すグラフ。（ｄ）本発明の実施の形態による渦電流セン
サからの出力データと接触式変位検出器からの出力デー
タを合成したグラフ。
示す概要図。（ｂ）本発明の実施の形態による渦電流セ
ンサからの出力データを示すグラフ。（ｃ）本発明の実
施の形態による接触式変位検出器からの出力データを示
すグラフ。（ｄ）本発明の実施の形態による渦電流セン
サからの出力データと接触式変位検出器からの出力デー
タを合成したグラフ。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す装置全体の概要
図。
図。
【図５】変位検出器に非接触センサを用いた概要図。
１、１′…基台、２、２′…測定テーブル、３、３′…
スタンド、５、５′…接触式変位検出器、７、７′…渦
電流センサ、８、８′…測定端子、９…制御装置、１１
…測定データ処理部、１５…ばね、Ｗ、Ｗ′…被測定
物、Ｗ１、Ｗ１′…下地体、Ｗ２、Ｗ２′…被測定膜
スタンド、５、５′…接触式変位検出器、７、７′…渦
電流センサ、８、８′…測定端子、９…制御装置、１１
…測定データ処理部、１５…ばね、Ｗ、Ｗ′…被測定
物、Ｗ１、Ｗ１′…下地体、Ｗ２、Ｗ２′…被測定膜
Claims (5)
- 【請求項１】 導電体の表面に形成された非導電膜の膜
厚変化の測定方法において、膜厚は渦電流センサで測定
し、膜厚変化は前記渦電流センサと同時に走査される接
触式変位測定器の測定結果に基づいて算出することを特
徴とする膜厚変化の測定方法。 - 【請求項２】 導電体の表面に形成された非導電膜の膜
厚変化の測定方法において、膜厚は渦電流センサで測定
し、膜厚変化はこの渦電流センサと共通の測定端子を用
いて作動する接触式変位測定器の測定結果に基づいて算
出することを特徴とする膜厚変化の測定方法。 - 【請求項３】 前記非導電膜はアルミローラの表面にコ
ーティングされたテフロン膜であることを特徴とする請
求項１記載の膜厚変化の測定方法。 - 【請求項４】 導電体の表面に非導電膜が形成された被
測定体を載置する測定テーブルと、この測定テーブルと
相対的に走査自在に設けられた測定部とを具備した膜厚
変化測定装置において、前記測定部は前記非導電膜の表
面に接触して膜厚を測定する渦電流センサとこの渦電流
センサが膜厚を測定している間の渦電流センサの変位量
を検出する接触式変位検出器とを有することを特徴とす
る膜厚変化の測定装置。 - 【請求項５】 前記渦電流センサと前記変位検出器は共
通の測定端子を用いて作動し、変位検出器が有するばね
によって測定端子に圧力を付与していることを特徴とす
る請求項４記載の膜厚変化の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35496697A JPH11183111A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 膜厚変化の測定方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35496697A JPH11183111A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 膜厚変化の測定方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183111A true JPH11183111A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18441084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35496697A Pending JPH11183111A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 膜厚変化の測定方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11183111A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141339A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| CN102607387A (zh) * | 2011-12-20 | 2012-07-25 | 南京叁迪焊接设备有限公司 | 汽车白车身焊接线孔检测孔、检测面定量测量*** |
| CN103033123A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-10 | 北京必创科技有限公司 | 一种位移测量装置 |
| CN103175458A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 旺宏电子股份有限公司 | 测量装置与测量薄膜的厚度的方法 |
| CN103615964A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-05 | 王贵 | 一种环境可控的薄液膜厚度自动测量装置 |
| CN103791806A (zh) * | 2014-02-25 | 2014-05-14 | 福建宁德核电有限公司 | 一种电涡流位移传感器快速调节安装机构 |
| CN105241413A (zh) * | 2015-09-22 | 2016-01-13 | 苏州工业园区职业技术学院 | 一种多角度膜厚检测装置 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP35496697A patent/JPH11183111A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141339A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| JP4642212B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2011-03-02 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| CN102607387A (zh) * | 2011-12-20 | 2012-07-25 | 南京叁迪焊接设备有限公司 | 汽车白车身焊接线孔检测孔、检测面定量测量*** |
| CN103175458A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 旺宏电子股份有限公司 | 测量装置与测量薄膜的厚度的方法 |
| CN103033123A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-10 | 北京必创科技有限公司 | 一种位移测量装置 |
| CN103615964A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-05 | 王贵 | 一种环境可控的薄液膜厚度自动测量装置 |
| CN103791806A (zh) * | 2014-02-25 | 2014-05-14 | 福建宁德核电有限公司 | 一种电涡流位移传感器快速调节安装机构 |
| CN105241413A (zh) * | 2015-09-22 | 2016-01-13 | 苏州工业园区职业技术学院 | 一种多角度膜厚检测装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4328553A (en) | Method and apparatus for targetless wafer alignment | |
| TWI289195B (en) | Method and apparatus for measuring object thickness | |
| CN108761214B (zh) | 一种自适应表面磁场测量平台及测量方法 | |
| US4638232A (en) | Method and apparatus for calibrating a positioning system | |
| CN112539714A (zh) | 一种偏心检测方法、检测方法、处理方法及检测设备 | |
| JPH11183111A (ja) | 膜厚変化の測定方法とその装置 | |
| US5107132A (en) | Apparatus for the verification of corrected surfaces or in the process of correction | |
| US7967126B2 (en) | Self-centering loading, indexing, and flipping mechanism for coinage and coin analysis | |
| JPH08197381A (ja) | 切削工具の自動計測装置 | |
| US7336087B2 (en) | Circuit board test device comprising contact needles which are driven in diagonally protruding manner | |
| JP2558484B2 (ja) | ウエハの位置決め装置 | |
| CN112908898B (zh) | 控片量测方法及量测装置 | |
| JP2560462B2 (ja) | 膜厚測定装置 | |
| US6242926B1 (en) | Method and apparatus for moving an article relative to and between a pair of thickness measuring probes to develop a thickness map for the article | |
| JP5781397B2 (ja) | 円形状測定方法および装置 | |
| JPS6267404A (ja) | 光学式真円度測定装置 | |
| JP2861494B2 (ja) | 缶内面塗膜検査装置 | |
| JP7011745B1 (ja) | デバイス実装装置及びそれを用いたデバイス実装方法 | |
| JP3966800B2 (ja) | 表面検査装置 | |
| JPS6386540A (ja) | 半導体ウエハのプローブ装置 | |
| JPS6336264Y2 (ja) | ||
| JP2024068395A (ja) | 部品搭載装置、部品搭載方法、及び部品位置決め方法 | |
| JPH0341309A (ja) | 膜厚形状測定装置 | |
| JPH02197144A (ja) | 半導体ウェーハチップの位置合わせ方法 | |
| JPH0566125A (ja) | 傾斜軸の角度測定装置 |