JPH11176586A - 放電灯点灯装置 - Google Patents
放電灯点灯装置Info
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- JPH11176586A JPH11176586A JP34338697A JP34338697A JPH11176586A JP H11176586 A JPH11176586 A JP H11176586A JP 34338697 A JP34338697 A JP 34338697A JP 34338697 A JP34338697 A JP 34338697A JP H11176586 A JPH11176586 A JP H11176586A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低温時におけるランプ電圧の低下を防止するこ
とができる放電灯点灯装置を提供する。 【解決手段】放電灯LとしてはFL40S/36を用い
ている。平滑コンデンサC1 の両端間には、温度低下に
応じて抵抗値が減少する特性をもつ感温抵抗R 0 と分圧
用の抵抗R1 との直列回路が接続される。スイッチング
素子Q1 ,Q2はドライブ回路ICからの制御信号によ
り交互にオンオフされる。抵抗R1 の両端電圧と基準電
圧Vref とを比較する比較器CPを設け、比較器CPの
出力信号をドライブ回路ICに入力している。周囲温度
が−5℃のときに抵抗R1 の両端電圧と基準電圧Vref
とが等しくなるように設定してある。ドライブ回路IC
は比較器CPからの信号がハイレベルになると、インバ
ータ回路の発振周波数を共振周波数に近づけるようにス
イッチング素子Q1 ,Q2 を制御する。
とができる放電灯点灯装置を提供する。 【解決手段】放電灯LとしてはFL40S/36を用い
ている。平滑コンデンサC1 の両端間には、温度低下に
応じて抵抗値が減少する特性をもつ感温抵抗R 0 と分圧
用の抵抗R1 との直列回路が接続される。スイッチング
素子Q1 ,Q2はドライブ回路ICからの制御信号によ
り交互にオンオフされる。抵抗R1 の両端電圧と基準電
圧Vref とを比較する比較器CPを設け、比較器CPの
出力信号をドライブ回路ICに入力している。周囲温度
が−5℃のときに抵抗R1 の両端電圧と基準電圧Vref
とが等しくなるように設定してある。ドライブ回路IC
は比較器CPからの信号がハイレベルになると、インバ
ータ回路の発振周波数を共振周波数に近づけるようにス
イッチング素子Q1 ,Q2 を制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、直流電圧を高周波
電圧に変換して放電灯を点灯させる放電灯点灯装置に関
するものである。
電圧に変換して放電灯を点灯させる放電灯点灯装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、商用電源のような交流電源に
より電力が供給され、負荷である放電灯を高周波出力で
点灯させるようにした放電灯点灯装置が提供されてい
る。この種の放電灯点灯装置で用いられる一般的な蛍光
ランプ(例えば、FL40SやFLR40Sなど)は、
ガラス管内に水銀とアルゴンなどの希ガスが封入されて
いる。このため、これら蛍光ランプの諸特性は、主にガ
ラス管内の水銀の蒸気圧で決まり、該水銀の蒸気圧は周
囲温度依存性が大きいので、通常は周囲温度が25℃の
ときに適正な特性が得られるように設計されている。
より電力が供給され、負荷である放電灯を高周波出力で
点灯させるようにした放電灯点灯装置が提供されてい
る。この種の放電灯点灯装置で用いられる一般的な蛍光
ランプ(例えば、FL40SやFLR40Sなど)は、
ガラス管内に水銀とアルゴンなどの希ガスが封入されて
いる。このため、これら蛍光ランプの諸特性は、主にガ
ラス管内の水銀の蒸気圧で決まり、該水銀の蒸気圧は周
囲温度依存性が大きいので、通常は周囲温度が25℃の
ときに適正な特性が得られるように設計されている。
【0003】例えば、FL40Sでは、通常は6mgの
水銀が封入されており、水銀の蒸気圧は25℃のときの
0.0012hPaであるのに対して、0℃のときに
0.00018hPaであり、温度が25℃から0℃に
変化したときに蒸気圧が約10分の1に低下してしま
う。したがって、蛍光ランプの周囲温度が低下すると、
アルゴンに対する水銀蒸気の分圧が減少するので、紫外
線の発光効率が低下しランプ電圧が低下してしまう。図
12に一例としてFL40S/36の特性の温度依存性
を示す。図12の横軸は周囲温度であり、縦軸はランプ
電流、ランプ電圧、ランプ電力、光束それぞれについて
周囲温度25℃の時の値を100%とした相対値であ
る。ここで、図12中のイ(●)がランプ電流を、ロ
(○)がランプ電圧を、ハ(□)がランプ電力を、ニ
(△)が光束を、それぞれ示す。図12より、FL40
SS/36では、周囲温度が25℃から−10℃に低下
したときに、ランプ電圧が60%の値まで低下してしま
うことがわかる。
水銀が封入されており、水銀の蒸気圧は25℃のときの
0.0012hPaであるのに対して、0℃のときに
0.00018hPaであり、温度が25℃から0℃に
変化したときに蒸気圧が約10分の1に低下してしま
う。したがって、蛍光ランプの周囲温度が低下すると、
アルゴンに対する水銀蒸気の分圧が減少するので、紫外
線の発光効率が低下しランプ電圧が低下してしまう。図
12に一例としてFL40S/36の特性の温度依存性
を示す。図12の横軸は周囲温度であり、縦軸はランプ
電流、ランプ電圧、ランプ電力、光束それぞれについて
周囲温度25℃の時の値を100%とした相対値であ
る。ここで、図12中のイ(●)がランプ電流を、ロ
(○)がランプ電圧を、ハ(□)がランプ電力を、ニ
(△)が光束を、それぞれ示す。図12より、FL40
SS/36では、周囲温度が25℃から−10℃に低下
したときに、ランプ電圧が60%の値まで低下してしま
うことがわかる。
【0004】このような傾向は、ガラス管内に封入され
る希ガスとしてアルゴンよりも重い希ガス(例えば、ク
リプトンなど)が含まれている場合に、混合ガスの組成
に大きく左右される。例えば、節電型の蛍光ランプFL
40SS/36(松下電器産業社製)、TLD36W/
54(フィリップス社製)ではガラス管内に混合ガスが
封入されており、混合ガス中にクリプトンが50%以上
含まれており、低温時にランプ電圧が低下する低下率が
大きい。
る希ガスとしてアルゴンよりも重い希ガス(例えば、ク
リプトンなど)が含まれている場合に、混合ガスの組成
に大きく左右される。例えば、節電型の蛍光ランプFL
40SS/36(松下電器産業社製)、TLD36W/
54(フィリップス社製)ではガラス管内に混合ガスが
封入されており、混合ガス中にクリプトンが50%以上
含まれており、低温時にランプ電圧が低下する低下率が
大きい。
【0005】図13にFLR40Sと、FLR40S/
36とを同じ放電灯点灯装置で点灯した場合の特性比較
図を示す。ここで、FLR40Sは希ガスとしてアルゴ
ンがガラス管内に封入され、FLR40S/36は希ガ
スとしてアルゴンとクリプトンとの混合ガスがガラス管
内に封入されている。なお、図13中の横軸は周囲温度
であり、縦軸はランプ電圧、ランプ電流それぞれについ
て周囲温度が25℃のときの値を100%とした相対値
である。ここで、図13中のイがFLR40Sのランプ
電圧を、ロがFLR40S/36のランプ電圧を、ハが
FLR40Sのランプ電流を、ニがFLR40S/36
のランプ電流を、それぞれ示す。図13より、FLR4
0S,FLR40S/36両方ともランプ電流の周囲温
度依存性は比較的小さいが、ランプ電圧についてはFL
R40S/36の方がFLR40Sに比べて低温時のラ
ンプ電圧の低下が顕著になることがわかる。つまり、ア
ルゴンとクリプトンとの混合ガスを封入してある蛍光ラ
ンプの方がアルゴンを封入してある蛍光ランプに比べて
低温時のランプ電圧の低下率が大きいことがわかる。
36とを同じ放電灯点灯装置で点灯した場合の特性比較
図を示す。ここで、FLR40Sは希ガスとしてアルゴ
ンがガラス管内に封入され、FLR40S/36は希ガ
スとしてアルゴンとクリプトンとの混合ガスがガラス管
内に封入されている。なお、図13中の横軸は周囲温度
であり、縦軸はランプ電圧、ランプ電流それぞれについ
て周囲温度が25℃のときの値を100%とした相対値
である。ここで、図13中のイがFLR40Sのランプ
電圧を、ロがFLR40S/36のランプ電圧を、ハが
FLR40Sのランプ電流を、ニがFLR40S/36
のランプ電流を、それぞれ示す。図13より、FLR4
0S,FLR40S/36両方ともランプ電流の周囲温
度依存性は比較的小さいが、ランプ電圧についてはFL
R40S/36の方がFLR40Sに比べて低温時のラ
ンプ電圧の低下が顕著になることがわかる。つまり、ア
ルゴンとクリプトンとの混合ガスを封入してある蛍光ラ
ンプの方がアルゴンを封入してある蛍光ランプに比べて
低温時のランプ電圧の低下率が大きいことがわかる。
【0006】要するに、FLR40S/36のようにガ
ラス管内に50%以上のクリプトンを含む混合ガスが封
入された一般照明用の蛍光ランプを周囲温度が−10℃
になるような環境下で点灯させた場合、ランプ電圧は2
5℃の時と比較して約60%程度まで低下する。すなわ
ち、ランプ出力が低下する。ところで、低温時における
蛍光ランプのランプ出力の低下を抑制する発明は、特開
平5−144417号公報、特開平8−171995号
公報、特開平5−89989号公報、特開平4−296
496号公報、特開平7−94288号公報などに開示
されている。
ラス管内に50%以上のクリプトンを含む混合ガスが封
入された一般照明用の蛍光ランプを周囲温度が−10℃
になるような環境下で点灯させた場合、ランプ電圧は2
5℃の時と比較して約60%程度まで低下する。すなわ
ち、ランプ出力が低下する。ところで、低温時における
蛍光ランプのランプ出力の低下を抑制する発明は、特開
平5−144417号公報、特開平8−171995号
公報、特開平5−89989号公報、特開平4−296
496号公報、特開平7−94288号公報などに開示
されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
5−144417号公報に記載された発明は、複写機、
イメージリーダ等の照明用光源として用いられる蛍光ラ
ンプに関し、しかも管内にフィラメントとは別に通電に
より発熱する発熱体を設ける必要があり、一般照明用の
蛍光ランプの低温時におけるランプ電圧の低下を抑制す
るという技術的課題は存在せず、その解決手段について
も記載されていない。
5−144417号公報に記載された発明は、複写機、
イメージリーダ等の照明用光源として用いられる蛍光ラ
ンプに関し、しかも管内にフィラメントとは別に通電に
より発熱する発熱体を設ける必要があり、一般照明用の
蛍光ランプの低温時におけるランプ電圧の低下を抑制す
るという技術的課題は存在せず、その解決手段について
も記載されていない。
【0008】また、特開平8−171995号公報に記
載された発明は、液晶表示装置のバックライトとして用
いられる蛍光ランプを対象としたものであって、直流電
源の出力を直流の矩形波に変換してインバータ回路へ供
給する電源コントロール部を備え、インバータ回路の出
力電圧の変化を電源コントロール部へフィードバックし
て電源コントロール部の出力のデューティ比を変化させ
ることを特徴とするが、一般照明用の蛍光ランプの低温
時におけるランプ電圧の低下を抑制するという技術的課
題は存在せず、その解決手段についても記載されていな
い。
載された発明は、液晶表示装置のバックライトとして用
いられる蛍光ランプを対象としたものであって、直流電
源の出力を直流の矩形波に変換してインバータ回路へ供
給する電源コントロール部を備え、インバータ回路の出
力電圧の変化を電源コントロール部へフィードバックし
て電源コントロール部の出力のデューティ比を変化させ
ることを特徴とするが、一般照明用の蛍光ランプの低温
時におけるランプ電圧の低下を抑制するという技術的課
題は存在せず、その解決手段についても記載されていな
い。
【0009】また、特開平5−89989号公報に記載
された発明は、液晶表示装置のバックライトとして用い
られる冷陰極管を対象のランプとした冷陰極管点灯装置
に関し、インバータ回路として電圧共振型ロイヤー回路
(プッシュプル型インバータ)を用い、低温時における
インバータ回路の出力電圧を入力電圧で制御するもので
あり、一般照明用の蛍光ランプの低温時におけるランプ
電圧の低下を抑制するという技術的課題は存在せず、そ
の解決手段についても記載されていない。
された発明は、液晶表示装置のバックライトとして用い
られる冷陰極管を対象のランプとした冷陰極管点灯装置
に関し、インバータ回路として電圧共振型ロイヤー回路
(プッシュプル型インバータ)を用い、低温時における
インバータ回路の出力電圧を入力電圧で制御するもので
あり、一般照明用の蛍光ランプの低温時におけるランプ
電圧の低下を抑制するという技術的課題は存在せず、そ
の解決手段についても記載されていない。
【0010】また、特開平4−296496号公報に記
載された発明は、蛍光ランプの管壁の温度を検出し、管
壁温度に応じてインバータ回路から蛍光ランプへの供給
電力を変化させることが記載されているが、具体的には
温度が低くなるほどランプ電流が大きくなるようにイン
バータ回路を制御するものであって、蛍光ランプの低温
時におけるランプ電圧の低下を抑制するという技術的課
題は存在せず、その解決手段についても記載されていな
い。
載された発明は、蛍光ランプの管壁の温度を検出し、管
壁温度に応じてインバータ回路から蛍光ランプへの供給
電力を変化させることが記載されているが、具体的には
温度が低くなるほどランプ電流が大きくなるようにイン
バータ回路を制御するものであって、蛍光ランプの低温
時におけるランプ電圧の低下を抑制するという技術的課
題は存在せず、その解決手段についても記載されていな
い。
【0011】また、特開平7−94288号公報に記載
された発明は、調光制御を行うコントローラを有する照
明システムに周囲温度を検出する温度検出手段を付加
し、温度検出手段の出力とコントローラの設定状態とに
より調光信号のデューティ比を変化させるものであっ
て、低温時におけるランプ電圧の低下を抑制する手段に
ついては記載されていない。
された発明は、調光制御を行うコントローラを有する照
明システムに周囲温度を検出する温度検出手段を付加
し、温度検出手段の出力とコントローラの設定状態とに
より調光信号のデューティ比を変化させるものであっ
て、低温時におけるランプ電圧の低下を抑制する手段に
ついては記載されていない。
【0012】上記各公報には、希ガスとしてクリプトン
を含んだ蛍光ランプのように低温時における光出力の低
下が著しい蛍光ランプのランプ電圧の低下を抑制する技
術については記載されていない。本発明は上記事由に鑑
みて為されたものであり、その目的は、低温時における
ランプ電圧の低下を防止することができる放電灯点灯装
置を提供することにある。
を含んだ蛍光ランプのように低温時における光出力の低
下が著しい蛍光ランプのランプ電圧の低下を抑制する技
術については記載されていない。本発明は上記事由に鑑
みて為されたものであり、その目的は、低温時における
ランプ電圧の低下を防止することができる放電灯点灯装
置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、上記
目的を達成するために、直流電源と、LC共振回路およ
びスイッチング素子を含みスイッチング素子を高周波で
オンオフすることにより直流電源の直流電圧を高周波電
圧に変換するインバータ回路と、前記LC共振回路を通
してインバータ回路の出力が供給される放電灯とを備
え、放電灯として周囲温度が25℃のときのランプ電圧
に対する周囲温度が−10℃のときのランプ電圧が65
%以下となるものを使用し、放電灯の周囲温度を検出す
る温度検出手段と、温度検出手段により検出した周囲温
度に基づいて低温時におけるランプ電圧の低下を抑制す
る出力補正手段を設けたことを特徴とするものであり、
放電ランプとして周囲温度が25℃のときのランプ電圧
に対する周囲温度が−10℃のときのランプ電圧の値が
65%以下となるものを使用した場合であっても低温時
におけるランプ電圧の低下を抑制することができる。
目的を達成するために、直流電源と、LC共振回路およ
びスイッチング素子を含みスイッチング素子を高周波で
オンオフすることにより直流電源の直流電圧を高周波電
圧に変換するインバータ回路と、前記LC共振回路を通
してインバータ回路の出力が供給される放電灯とを備
え、放電灯として周囲温度が25℃のときのランプ電圧
に対する周囲温度が−10℃のときのランプ電圧が65
%以下となるものを使用し、放電灯の周囲温度を検出す
る温度検出手段と、温度検出手段により検出した周囲温
度に基づいて低温時におけるランプ電圧の低下を抑制す
る出力補正手段を設けたことを特徴とするものであり、
放電ランプとして周囲温度が25℃のときのランプ電圧
に対する周囲温度が−10℃のときのランプ電圧の値が
65%以下となるものを使用した場合であっても低温時
におけるランプ電圧の低下を抑制することができる。
【0014】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、制御信号によってスイッチング素子のオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路を備え、出力補正手段は、温度検出手段の出力に
基づいて低温時にランプ電圧が増加するように制御信号
の周期とオンデューティとのうちの少なくとも一方を変
化させるので、低温時に制御回路の動作が変更されるこ
とによりランプ電圧が増加する。
て、制御信号によってスイッチング素子のオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路を備え、出力補正手段は、温度検出手段の出力に
基づいて低温時にランプ電圧が増加するように制御信号
の周期とオンデューティとのうちの少なくとも一方を変
化させるので、低温時に制御回路の動作が変更されるこ
とによりランプ電圧が増加する。
【0015】請求項3の発明は、請求項1の発明におい
て、制御信号によってスイッチング素子をオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路と、上記制御信号の周期を設定するCR回路とを
備え、CR回路は、周囲温度の低下に応じて上記発振周
波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づくようにC
R時定数が変化する温度特性をもつ部品により形成され
前記温度検出手段及び前記出力補正手段を構成するの
で、周囲温度が低下するにつれて制御信号の周期が変化
し、インバータ回路の発振周波数が前記LC共振回路の
共振周波数に近づくから、低温時にランプ電圧が低下す
るのを抑制することができる。
て、制御信号によってスイッチング素子をオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路と、上記制御信号の周期を設定するCR回路とを
備え、CR回路は、周囲温度の低下に応じて上記発振周
波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づくようにC
R時定数が変化する温度特性をもつ部品により形成され
前記温度検出手段及び前記出力補正手段を構成するの
で、周囲温度が低下するにつれて制御信号の周期が変化
し、インバータ回路の発振周波数が前記LC共振回路の
共振周波数に近づくから、低温時にランプ電圧が低下す
るのを抑制することができる。
【0016】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、前記LC共振回路は、周囲温度の低下に応じてラン
プ電圧が増加するように共振周波数が変化する温度特性
をもつ部品により形成され前記温度検出手段及び前記出
力補正手段を構成するので、周囲温度が低下するにつれ
て前記LC共振回路の共振周波数が変化してランプ電圧
が増加する。
て、前記LC共振回路は、周囲温度の低下に応じてラン
プ電圧が増加するように共振周波数が変化する温度特性
をもつ部品により形成され前記温度検出手段及び前記出
力補正手段を構成するので、周囲温度が低下するにつれ
て前記LC共振回路の共振周波数が変化してランプ電圧
が増加する。
【0017】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て、出力補正手段は、前記LC共振回路の共振周波数を
切り替える切替え手段を備え、温度検出手段により検出
した周囲温度に基づいて低温時にランプ電圧が増加する
ように切替え手段を制御するので、低温時には前記LC
共振回路の共振周波数が切り替わってランプ電圧が増加
する。
て、出力補正手段は、前記LC共振回路の共振周波数を
切り替える切替え手段を備え、温度検出手段により検出
した周囲温度に基づいて低温時にランプ電圧が増加する
ように切替え手段を制御するので、低温時には前記LC
共振回路の共振周波数が切り替わってランプ電圧が増加
する。
【0018】請求項6の発明は、請求項1の発明におい
て、出力補正手段は、放電灯の周囲を加熱する加熱手段
を備え、温度検出手段により検出した周囲温度に基づい
て低温時に加熱手段を動作させるので、低温時には加熱
手段による加熱によって放電灯の周囲温度が上昇し、ラ
ンプ電圧が増加する。請求項7の発明は、請求項1の発
明において、放電灯として50%以上のクリプトンが混
合された希ガスが封入された蛍光ランプを用いているの
で、希ガスとしてアルゴンのみを封入してある蛍光ラン
プに比べて点灯開始電圧を下げることができ、節電を図
ることができる。
て、出力補正手段は、放電灯の周囲を加熱する加熱手段
を備え、温度検出手段により検出した周囲温度に基づい
て低温時に加熱手段を動作させるので、低温時には加熱
手段による加熱によって放電灯の周囲温度が上昇し、ラ
ンプ電圧が増加する。請求項7の発明は、請求項1の発
明において、放電灯として50%以上のクリプトンが混
合された希ガスが封入された蛍光ランプを用いているの
で、希ガスとしてアルゴンのみを封入してある蛍光ラン
プに比べて点灯開始電圧を下げることができ、節電を図
ることができる。
【0019】請求項8の発明は、請求項7の発明におい
て、放電灯として管の長さが1198mmでランプ定格
が36W±4Wの直管形蛍光ランプを用いていることを
特徴とする。請求項9の発明は、請求項1の発明におい
て、スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路を
備え、出力補正手段は、温度検出手段により検出された
温度に基づいて低温時にインバータ回路の発振周波数が
前記LC共振回路の共振周波数に近づくように制御回路
の動作を制御するので、低温時にはインバータ回路の発
振周波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づき、ラ
ンプ電圧が増加する。
て、放電灯として管の長さが1198mmでランプ定格
が36W±4Wの直管形蛍光ランプを用いていることを
特徴とする。請求項9の発明は、請求項1の発明におい
て、スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路を
備え、出力補正手段は、温度検出手段により検出された
温度に基づいて低温時にインバータ回路の発振周波数が
前記LC共振回路の共振周波数に近づくように制御回路
の動作を制御するので、低温時にはインバータ回路の発
振周波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づき、ラ
ンプ電圧が増加する。
【0020】請求項10の発明は、請求項1の発明にお
いて、インバータ回路は、直流電源の出力端間に接続さ
れる一対のスイッチング素子と、一方のスイッチング素
子の両端間に接続されるLC共振回路と、両スイッチン
グ素子を高周波で交互にオンオフする制御回路とで構成
され、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にスイッチング素子のオンデュ
ーティが50%に近づくように制御回路を制御するの
で、低温時にランプ電圧が低下するのを抑制することが
できる。
いて、インバータ回路は、直流電源の出力端間に接続さ
れる一対のスイッチング素子と、一方のスイッチング素
子の両端間に接続されるLC共振回路と、両スイッチン
グ素子を高周波で交互にオンオフする制御回路とで構成
され、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にスイッチング素子のオンデュ
ーティが50%に近づくように制御回路を制御するの
で、低温時にランプ電圧が低下するのを抑制することが
できる。
【0021】請求項11の発明は、請求項1の発明にお
いて、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にインバータ回路の電源電圧を
増加させるので、低温時におけるランプ電圧の低下を抑
制することができる。請求項12の発明は、請求項1の
発明において、出力補正手段は、前記LC共振回路によ
り構成され、前記LC共振回路のコンデンサとして、負
の温度係数をもつ部品を使用し、前記コンデンサが前記
温度検出手段を構成するので、周囲温度が低下するにつ
れて前記LC共振回路の共振周波数が変化してランプ電
圧が増加する。
いて、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にインバータ回路の電源電圧を
増加させるので、低温時におけるランプ電圧の低下を抑
制することができる。請求項12の発明は、請求項1の
発明において、出力補正手段は、前記LC共振回路によ
り構成され、前記LC共振回路のコンデンサとして、負
の温度係数をもつ部品を使用し、前記コンデンサが前記
温度検出手段を構成するので、周囲温度が低下するにつ
れて前記LC共振回路の共振周波数が変化してランプ電
圧が増加する。
【0022】
【発明の実施の形態】(実施形態1)本実施形態では、
図1に示す回路構成を採用しており、交流電源ACにダ
イオードブリッジよりなる整流器DBを接続し、整流器
DBの直流出力端間に平滑コンデンサC1 を接続してあ
る。さらに、平滑コンデンサC1 の両端間には、温度低
下に応じて抵抗値が減少する特性をもつ感温抵抗R0 と
分圧用の抵抗R1 との直列回路が接続され、該直列回路
の両端には一対のスイッチング素子Q1 ,Q2の直列回
路が接続され、一方のスイッチング素子Q1 には、共振
用のインダクタL1 と放電灯Laと直流カット用の結合
コンデンサC2 との直列回路が接続され、放電灯Laの
非電源側端には上記インダクタL1 とともにLC共振回
路を構成する共振用のコンデンサC3 が接続されてい
る。ここで、感温抵抗R0 としては、例えば、図2に示
す温度特性をもつ松下電器産業社製のERS(商品名)
シリーズを用いればよい。なお、スイッチング素子
Q1 ,Q2 には回生電流を流すためのダイオードD1 ,
D2 が逆並列に接続されている。本実施形態では、放電
灯LaとしてFL40SS/36を用いている。ここ
に、FL40SS/36は、管内に希ガスとしてアルゴ
ンとクリプトンとの混合ガスが封入されクリプトンが6
0%含まれており、管の長さが1198mm(4フィー
ト)でランプ定格が36W±4Wの直管形蛍光ランプで
ある。なお、放電灯Laとして使用する蛍光ランプは、
FL40SS/36に限定されるものではなく、管内に
アルゴンよりも質量数の大きな希ガスが50%異常含ま
れている蛍光ランプであればよい。
図1に示す回路構成を採用しており、交流電源ACにダ
イオードブリッジよりなる整流器DBを接続し、整流器
DBの直流出力端間に平滑コンデンサC1 を接続してあ
る。さらに、平滑コンデンサC1 の両端間には、温度低
下に応じて抵抗値が減少する特性をもつ感温抵抗R0 と
分圧用の抵抗R1 との直列回路が接続され、該直列回路
の両端には一対のスイッチング素子Q1 ,Q2の直列回
路が接続され、一方のスイッチング素子Q1 には、共振
用のインダクタL1 と放電灯Laと直流カット用の結合
コンデンサC2 との直列回路が接続され、放電灯Laの
非電源側端には上記インダクタL1 とともにLC共振回
路を構成する共振用のコンデンサC3 が接続されてい
る。ここで、感温抵抗R0 としては、例えば、図2に示
す温度特性をもつ松下電器産業社製のERS(商品名)
シリーズを用いればよい。なお、スイッチング素子
Q1 ,Q2 には回生電流を流すためのダイオードD1 ,
D2 が逆並列に接続されている。本実施形態では、放電
灯LaとしてFL40SS/36を用いている。ここ
に、FL40SS/36は、管内に希ガスとしてアルゴ
ンとクリプトンとの混合ガスが封入されクリプトンが6
0%含まれており、管の長さが1198mm(4フィー
ト)でランプ定格が36W±4Wの直管形蛍光ランプで
ある。なお、放電灯Laとして使用する蛍光ランプは、
FL40SS/36に限定されるものではなく、管内に
アルゴンよりも質量数の大きな希ガスが50%異常含ま
れている蛍光ランプであればよい。
【0023】スイッチング素子Q1 ,Q2 は、ドライブ
回路ICからの制御信号により交互にオンオフされる。
ところで、本実施形態では、抵抗R1 の両端電圧と基準
電圧Vref とを比較する比較器CPが設けられており、
比較器CPの出力信号はドライブ回路IC(制御回路)
に入力されるようになっている。なお、スイッチング素
子Q1 ,Q2 、ドライブ回路IC、インダクタL1 、コ
ンデンサC3 、コンデンサC2 などによりハーフブリッ
ジ型のインバータ回路を構成している。
回路ICからの制御信号により交互にオンオフされる。
ところで、本実施形態では、抵抗R1 の両端電圧と基準
電圧Vref とを比較する比較器CPが設けられており、
比較器CPの出力信号はドライブ回路IC(制御回路)
に入力されるようになっている。なお、スイッチング素
子Q1 ,Q2 、ドライブ回路IC、インダクタL1 、コ
ンデンサC3 、コンデンサC2 などによりハーフブリッ
ジ型のインバータ回路を構成している。
【0024】以下、図1の構成の放電灯点灯装置の定常
動作を説明する。本実施形態の放電灯点灯装置は、スイ
ッチング素子Q1 ,Q2 をドライブ回路ICからの制御
信号により高速で交互にオンオフすることによって放電
灯Laを高周波点灯させるものである。スイッチング素
子Q1 がオフ、スイッチング素子Q2 がオンの状態で
は、平滑平滑コンデンサC1 の電圧を電源として、平滑
コンデンサC1 →インダクタL1→コンデンサC3 →コ
ンデンサC2 →スイッチング素子Q2 →平滑コンデンサ
C 1 の経路で電流が流れ、コンデンサC2 が充電され
る。このとき、コンデンサC 2 の両端電圧が放電灯La
のフィラメント間に印加される。
動作を説明する。本実施形態の放電灯点灯装置は、スイ
ッチング素子Q1 ,Q2 をドライブ回路ICからの制御
信号により高速で交互にオンオフすることによって放電
灯Laを高周波点灯させるものである。スイッチング素
子Q1 がオフ、スイッチング素子Q2 がオンの状態で
は、平滑平滑コンデンサC1 の電圧を電源として、平滑
コンデンサC1 →インダクタL1→コンデンサC3 →コ
ンデンサC2 →スイッチング素子Q2 →平滑コンデンサ
C 1 の経路で電流が流れ、コンデンサC2 が充電され
る。このとき、コンデンサC 2 の両端電圧が放電灯La
のフィラメント間に印加される。
【0025】スイッチング素子Q2 がオフになると、イ
ンダクタL1 の蓄積エネルギによる回生電流が流れる。
このときは、インダクタL1 →コンデンサC3 →コンデ
ンサC2 →スイッチング素子Q1 の回生用のダイオード
D1 →インダクタL1 の経路で回生電流が流れる。な
お、スイッチング素子Q2 がオフになるとスイッチング
素子Q1 はオンになる。
ンダクタL1 の蓄積エネルギによる回生電流が流れる。
このときは、インダクタL1 →コンデンサC3 →コンデ
ンサC2 →スイッチング素子Q1 の回生用のダイオード
D1 →インダクタL1 の経路で回生電流が流れる。な
お、スイッチング素子Q2 がオフになるとスイッチング
素子Q1 はオンになる。
【0026】インダクタL1 による回生電流が流れなく
なると、コンデンサC2 を電源として、コンデンサC2
→コンデンサC3 →インダクタL1 →スイッチング素子
Q1→コンデンサC2 という経路で電流が流れてコンデ
ンサC2 の電荷が放電される。このとき、コンデンサC
2 の両端に発生する電圧の極性が反転し放電灯Laに流
れる電流の向きが反転する。
なると、コンデンサC2 を電源として、コンデンサC2
→コンデンサC3 →インダクタL1 →スイッチング素子
Q1→コンデンサC2 という経路で電流が流れてコンデ
ンサC2 の電荷が放電される。このとき、コンデンサC
2 の両端に発生する電圧の極性が反転し放電灯Laに流
れる電流の向きが反転する。
【0027】その後、スイッチング素子Q1 がオフにな
ると、平滑コンデンサC1 を電源として電流を流す状態
に戻り、定常状態では上述の動作を繰り返すことにな
る。したがって、スイッチング素子Q1 ,Q2 を高周波
で交互にオンオフすることにより放電灯Laに交番した
電流が流れるのである。ところで、本実施形態において
放電灯Laとして用いているFL40SS/36のラン
プ電圧の実効値は、従来例で説明した図23に示すよう
に、周囲温度が25℃の場合の点灯時で約100Vであ
るが周囲温度が−10℃程度になると60V程度まで低
下する。一方、ランプの光出力(光束)は、ランプの消
費電力に略比例し、ランプの消費電力は、ランプ電流と
ランプ電圧との積に略等しい。ここで、上記放電灯La
のランプ電流は周囲温度の変化に対してあまり変化しな
いが、ランプ電圧は周囲温度の変化に対して変化の割合
が大きいので、光出力はランプ電圧の周囲温度依存性に
大きく影響される(図23参照)。
ると、平滑コンデンサC1 を電源として電流を流す状態
に戻り、定常状態では上述の動作を繰り返すことにな
る。したがって、スイッチング素子Q1 ,Q2 を高周波
で交互にオンオフすることにより放電灯Laに交番した
電流が流れるのである。ところで、本実施形態において
放電灯Laとして用いているFL40SS/36のラン
プ電圧の実効値は、従来例で説明した図23に示すよう
に、周囲温度が25℃の場合の点灯時で約100Vであ
るが周囲温度が−10℃程度になると60V程度まで低
下する。一方、ランプの光出力(光束)は、ランプの消
費電力に略比例し、ランプの消費電力は、ランプ電流と
ランプ電圧との積に略等しい。ここで、上記放電灯La
のランプ電流は周囲温度の変化に対してあまり変化しな
いが、ランプ電圧は周囲温度の変化に対して変化の割合
が大きいので、光出力はランプ電圧の周囲温度依存性に
大きく影響される(図23参照)。
【0028】しかしながら、本実施形態では、周囲温度
が低くなるにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と抵
抗R1 との直列回路を備えており、周囲温度が低下する
と、感温抵抗R0 の抵抗値が減少し、抵抗R1 の両端電
圧、つまり、比較器CPの非反転端子に入力される電圧
が上昇する。ここで、抵抗R1 の両端電圧が基準電圧V
ref を越えると、比較器CPの出力信号がローレベルか
らハイレベルに変化する。比較器CPの出力信号はドラ
イブ回路ICに入力されており、ドライブ回路ICは比
較器CPの出力信号がハイレベルに変化したことを検出
すると、インバータ回路の発振周波数を、図3に示すよ
うにfからf−Δfに変化させる(図3の矢印A1 の向
きに発振周波数を変化させる)ので、ランプ電圧が増加
し、周囲温度の低下によるランプ電圧の低下を抑制する
ことができる。また、ランプ電圧の増加にともなってラ
ンプ電圧に比例してランプ出力(照度)も増加するの
で、低温時のランプ出力の低下を抑制することができ
る。ここで、感温抵抗R0 と抵抗R1 との直列回路が温
度検出手段を構成し、比較器CP、基準電圧Vref 、ド
ライブ回路ICにより低温時におけるランプ電圧の低下
を抑制する出力補正手段を構成している。なお、本実施
形態では、周囲温度が−5℃程度のときに抵抗R 1 の両
端電圧と基準電圧Vref とが等しくなるように定数を設
定してある。
が低くなるにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と抵
抗R1 との直列回路を備えており、周囲温度が低下する
と、感温抵抗R0 の抵抗値が減少し、抵抗R1 の両端電
圧、つまり、比較器CPの非反転端子に入力される電圧
が上昇する。ここで、抵抗R1 の両端電圧が基準電圧V
ref を越えると、比較器CPの出力信号がローレベルか
らハイレベルに変化する。比較器CPの出力信号はドラ
イブ回路ICに入力されており、ドライブ回路ICは比
較器CPの出力信号がハイレベルに変化したことを検出
すると、インバータ回路の発振周波数を、図3に示すよ
うにfからf−Δfに変化させる(図3の矢印A1 の向
きに発振周波数を変化させる)ので、ランプ電圧が増加
し、周囲温度の低下によるランプ電圧の低下を抑制する
ことができる。また、ランプ電圧の増加にともなってラ
ンプ電圧に比例してランプ出力(照度)も増加するの
で、低温時のランプ出力の低下を抑制することができ
る。ここで、感温抵抗R0 と抵抗R1 との直列回路が温
度検出手段を構成し、比較器CP、基準電圧Vref 、ド
ライブ回路ICにより低温時におけるランプ電圧の低下
を抑制する出力補正手段を構成している。なお、本実施
形態では、周囲温度が−5℃程度のときに抵抗R 1 の両
端電圧と基準電圧Vref とが等しくなるように定数を設
定してある。
【0029】(実施形態2)本実施形態では、図4に示
す構成を採用しており、基本構成および基本動作は実施
形態1と略同じなので、同様の構成要素には同一の符号
を付し、相違する点について説明する。実施形態1で
は、平滑コンデンサC1 の両端間に周囲温度が低くなる
につれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と抵抗R1 との
直列回路を接続していたが、本実施形態では、平滑コン
デンサC1 の両端間に抵抗R1 と負特性サーミスタTh
との直列回路を接続している。本実施形態の回路構成で
は、放電灯Laの周囲温度が低下すると、負特性サーミ
スタThの抵抗値が増加して比較器CPの非反転端子に
入力される電圧が上昇する。ここで、負特性サーミスタ
Thの両端電圧が基準電圧Vref を越えると、比較器C
Pの出力信号がローレベルからハイレベルに変化する。
したがって、実施形態1で説明した図1の回路構成と同
様の効果が得られる。ここで、抵抗R1 と負特性サーミ
スタThとの直列回路が温度検出手段を構成し、比較器
CP、基準電圧Vref 、ドライブ回路IC(制御回路)
により出力補正手段を構成している。
す構成を採用しており、基本構成および基本動作は実施
形態1と略同じなので、同様の構成要素には同一の符号
を付し、相違する点について説明する。実施形態1で
は、平滑コンデンサC1 の両端間に周囲温度が低くなる
につれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と抵抗R1 との
直列回路を接続していたが、本実施形態では、平滑コン
デンサC1 の両端間に抵抗R1 と負特性サーミスタTh
との直列回路を接続している。本実施形態の回路構成で
は、放電灯Laの周囲温度が低下すると、負特性サーミ
スタThの抵抗値が増加して比較器CPの非反転端子に
入力される電圧が上昇する。ここで、負特性サーミスタ
Thの両端電圧が基準電圧Vref を越えると、比較器C
Pの出力信号がローレベルからハイレベルに変化する。
したがって、実施形態1で説明した図1の回路構成と同
様の効果が得られる。ここで、抵抗R1 と負特性サーミ
スタThとの直列回路が温度検出手段を構成し、比較器
CP、基準電圧Vref 、ドライブ回路IC(制御回路)
により出力補正手段を構成している。
【0030】なお、負特性サーミスタThとしては、例
えば、図5に示す温度特性をもつ松下電器産業社製のN
TCシリーズを用いればよい。ここで、図5中の各直線
に付された1〜16の数字はNTCシリーズの各品番に
対応したものである。 (実施形態3)本実施形態の基本構成および基本動作は
実施形態1で説明した図1と略同じであり、感温抵抗R
0 と抵抗R1 との直列回路、比較器CPを設ける替わり
に、ドライブ回路IC(制御回路)の発振周波数に温度
特性をもたせて、低温時におけるランプ出力の低下を抑
制する点が相違する。本実施形態では、ドライブ回路I
Cとして、例えば、IR社(International Rectifier
Corporation )のIR2155を使用すればよい。この
場合、ドライバ回路ICの発振周波数fは、図6に示す
IR2155の2番ピンと3番ピンとの間に接続されて
いる抵抗RTと、3番ピンと4番ピンとの間に接続され
ているコンデンサCTとにより決まり、f=1/(1.
4×RT×CT)で与えられる。ここで、低温時のラン
プ電圧を増加させるには、上述の図3のように発振周波
数を下げればよく、発振周波数を下げるには抵抗RTの
抵抗値を大きくするか、またはコンデンサCTの容量を
大きくすればよい。したがって、抵抗RTとして上述の
ような負特性サーミスタThを使用するか、あるいは、
図7に示すような低温時に容量が増加する特性を有する
松下電器産業株式会社製のフィルムコンデンサECQP
シリーズを使用することにより、低温時のランプ電圧の
低下を抑制することができ、あわせてランプ出力(照
度)の低下を抑制することができる。なお、本実施形態
では、ドライブ回路IC、抵抗RT、コンデンサCTに
より出力補正手段を構成している。
えば、図5に示す温度特性をもつ松下電器産業社製のN
TCシリーズを用いればよい。ここで、図5中の各直線
に付された1〜16の数字はNTCシリーズの各品番に
対応したものである。 (実施形態3)本実施形態の基本構成および基本動作は
実施形態1で説明した図1と略同じであり、感温抵抗R
0 と抵抗R1 との直列回路、比較器CPを設ける替わり
に、ドライブ回路IC(制御回路)の発振周波数に温度
特性をもたせて、低温時におけるランプ出力の低下を抑
制する点が相違する。本実施形態では、ドライブ回路I
Cとして、例えば、IR社(International Rectifier
Corporation )のIR2155を使用すればよい。この
場合、ドライバ回路ICの発振周波数fは、図6に示す
IR2155の2番ピンと3番ピンとの間に接続されて
いる抵抗RTと、3番ピンと4番ピンとの間に接続され
ているコンデンサCTとにより決まり、f=1/(1.
4×RT×CT)で与えられる。ここで、低温時のラン
プ電圧を増加させるには、上述の図3のように発振周波
数を下げればよく、発振周波数を下げるには抵抗RTの
抵抗値を大きくするか、またはコンデンサCTの容量を
大きくすればよい。したがって、抵抗RTとして上述の
ような負特性サーミスタThを使用するか、あるいは、
図7に示すような低温時に容量が増加する特性を有する
松下電器産業株式会社製のフィルムコンデンサECQP
シリーズを使用することにより、低温時のランプ電圧の
低下を抑制することができ、あわせてランプ出力(照
度)の低下を抑制することができる。なお、本実施形態
では、ドライブ回路IC、抵抗RT、コンデンサCTに
より出力補正手段を構成している。
【0031】(実施形態4)本実施形態では、図8に示
す構成を採用しており、基本構成および基本動作は実施
形態1と略同じなので、同様の構成要素には同一の符号
を付し、相違する点について説明する。実施形態1で
は、平滑コンデンサC1 の両端間に周囲温度が低くなる
につれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と抵抗R1 との
直列回路を接続していたが、本実施形態では、平滑コン
デンサC1 の両端間に抵抗R1 とシリコンダイオードD
3 との直列回路を接続し、シリコンダイオードD3 の両
端電圧を増幅器OPにて増幅して比較器CPの非反転端
子に入力するようになっている。シリコンダイオードの
オン電圧は一般的に−2mV/℃の温度係数を持ってい
るので、周囲温度が25℃から−10℃に低下すると、
順方向電圧は、70mV(=2×35)上昇する。した
がって、例えば、周囲温度が−5℃程度のときに増幅器
OPの出力(シリコンダイオードD3 の両端電圧を増幅
した値)と基準電圧Vref とが等しくなるように基準電
圧Vref を設定しておけば、周囲温度が−5℃よりも低
下したときに、比較器CPの出力信号がハイレベルに変
化する。ドライブ回路ICは、比較器CPから入力され
る信号がハイレベルになると、実施形態1と同様に発振
周波数を下げるので、放電灯Laのランプ電圧及び光出
力が増加し、ランプ電圧及び光出力の低下が抑制され
る。
す構成を採用しており、基本構成および基本動作は実施
形態1と略同じなので、同様の構成要素には同一の符号
を付し、相違する点について説明する。実施形態1で
は、平滑コンデンサC1 の両端間に周囲温度が低くなる
につれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と抵抗R1 との
直列回路を接続していたが、本実施形態では、平滑コン
デンサC1 の両端間に抵抗R1 とシリコンダイオードD
3 との直列回路を接続し、シリコンダイオードD3 の両
端電圧を増幅器OPにて増幅して比較器CPの非反転端
子に入力するようになっている。シリコンダイオードの
オン電圧は一般的に−2mV/℃の温度係数を持ってい
るので、周囲温度が25℃から−10℃に低下すると、
順方向電圧は、70mV(=2×35)上昇する。した
がって、例えば、周囲温度が−5℃程度のときに増幅器
OPの出力(シリコンダイオードD3 の両端電圧を増幅
した値)と基準電圧Vref とが等しくなるように基準電
圧Vref を設定しておけば、周囲温度が−5℃よりも低
下したときに、比較器CPの出力信号がハイレベルに変
化する。ドライブ回路ICは、比較器CPから入力され
る信号がハイレベルになると、実施形態1と同様に発振
周波数を下げるので、放電灯Laのランプ電圧及び光出
力が増加し、ランプ電圧及び光出力の低下が抑制され
る。
【0032】なお、本実施形態では、抵抗R1 とシリコ
ンダイオードD3 との直列回路が温度検出手段を構成
し、増幅器OP、比較器CP、ドライブ回路IC(制御
回路)により出力補正手段を構成している。 (実施形態5)本実施形態では、図9に示す構成を採用
してあり、交流電源ACに高周波阻止用のフィルタNF
を介してダイオードブリッジよりなる整流器DBを接続
し、整流器DBの直流出力端間に高周波バイパス用のコ
ンデンサC4 を接続し、コンデンサC4 の両端に、イン
ダクタL2 、スイッチング素子Q3 、ダイオードD13、
平滑コンデンサC1 よりなる昇圧チョッパ回路を接続し
てある。ここで、スイッチング素子Q3 はチョッパ制御
回路IC2 からの制御信号によってオンオフされる。さ
らに、昇圧チョッパ回路の平滑コンデンサC1 の両端間
には、周囲温度が低くなるにつれて抵抗値が減少する感
温抵抗R0 と分圧用の抵抗R1 との直列回路が接続さ
れ、該直列回路の両端には一対のスイッチング素子
Q1 ,Q2 の直列回路が接続され、一方のスイッチング
素子Q1 には、共振用のインダクタL1 と放電灯Laと
直流カット用の結合コンデンサC2 との直列回路が接続
され、放電灯Laの非電源側端には上記インダクタL1
とともにLC共振回路を構成する共振用のコンデンサC
3 が接続されている。なお、スイッチング素子Q1 ,Q
2 には回生電流を流すためのダイオードD1 ,D2 が逆
並列に接続されている。
ンダイオードD3 との直列回路が温度検出手段を構成
し、増幅器OP、比較器CP、ドライブ回路IC(制御
回路)により出力補正手段を構成している。 (実施形態5)本実施形態では、図9に示す構成を採用
してあり、交流電源ACに高周波阻止用のフィルタNF
を介してダイオードブリッジよりなる整流器DBを接続
し、整流器DBの直流出力端間に高周波バイパス用のコ
ンデンサC4 を接続し、コンデンサC4 の両端に、イン
ダクタL2 、スイッチング素子Q3 、ダイオードD13、
平滑コンデンサC1 よりなる昇圧チョッパ回路を接続し
てある。ここで、スイッチング素子Q3 はチョッパ制御
回路IC2 からの制御信号によってオンオフされる。さ
らに、昇圧チョッパ回路の平滑コンデンサC1 の両端間
には、周囲温度が低くなるにつれて抵抗値が減少する感
温抵抗R0 と分圧用の抵抗R1 との直列回路が接続さ
れ、該直列回路の両端には一対のスイッチング素子
Q1 ,Q2 の直列回路が接続され、一方のスイッチング
素子Q1 には、共振用のインダクタL1 と放電灯Laと
直流カット用の結合コンデンサC2 との直列回路が接続
され、放電灯Laの非電源側端には上記インダクタL1
とともにLC共振回路を構成する共振用のコンデンサC
3 が接続されている。なお、スイッチング素子Q1 ,Q
2 には回生電流を流すためのダイオードD1 ,D2 が逆
並列に接続されている。
【0033】スイッチング素子Q1 ,Q2 は、ドライブ
回路IC(制御回路)からの制御信号により交互にオン
オフされる。また、抵抗R1 の両端電圧と基準電圧Vre
f とを比較する比較器CPが設けられ、チョッパ制御回
路IC2 は比較器CPの出力に基づいてスイッチング素
子Q3 のオン時間を制御できるようになっている。な
お、本実施形態においても、実施形態1と同様に、スイ
ッチング素子Q1 ,Q2、ドライブ回路IC、インダク
タL1 、コンデンサC3 、コンデンサC2 などによりハ
ーフブリッジ型のインバータ回路を構成している。
回路IC(制御回路)からの制御信号により交互にオン
オフされる。また、抵抗R1 の両端電圧と基準電圧Vre
f とを比較する比較器CPが設けられ、チョッパ制御回
路IC2 は比較器CPの出力に基づいてスイッチング素
子Q3 のオン時間を制御できるようになっている。な
お、本実施形態においても、実施形態1と同様に、スイ
ッチング素子Q1 ,Q2、ドライブ回路IC、インダク
タL1 、コンデンサC3 、コンデンサC2 などによりハ
ーフブリッジ型のインバータ回路を構成している。
【0034】インバータ回路の電源電圧となる平滑コン
デンサC1 の両端電圧VC1は、スイッチング素子Q3 の
オン時間をton、スイッチング素子Q3 のオフ時間をt
off、コンデンサC4 の両端電圧をVC4とすると、VC1
={(ton+toff )/toff }×VC4で与えられる。
したがって、スイッチング素子Q3 のオン時間tonを長
くすると、平滑コンデンサC1 の両端電圧VC1、つま
り、インバータ回路の電源電圧が上昇する。本実施形態
では、例えば、周囲温度が−5℃程度のときに抵抗R1
の両端電圧と基準電圧Vref とが等しくなるように基準
電圧Vref を設定しておけば、周囲温度が−5℃よりも
低下したときに、比較器CPの出力信号がハイレベルに
変化する。本実施形態では、チョッパ制御回路IC2 は
比較器CPから入力される信号がハイレベルになると、
スイッチング素子Q3 のオン時間tonを長くするように
してあるので、平滑コンデンサC1 の両端電圧VC1が増
加し、結果として放電灯Laのランプ電圧が図10のイ
の特性からロの特性へ変化して(矢印A2 の向きへ特性
が変化する)、ランプ電圧及び光出力(照度)の低下が
抑制される。
デンサC1 の両端電圧VC1は、スイッチング素子Q3 の
オン時間をton、スイッチング素子Q3 のオフ時間をt
off、コンデンサC4 の両端電圧をVC4とすると、VC1
={(ton+toff )/toff }×VC4で与えられる。
したがって、スイッチング素子Q3 のオン時間tonを長
くすると、平滑コンデンサC1 の両端電圧VC1、つま
り、インバータ回路の電源電圧が上昇する。本実施形態
では、例えば、周囲温度が−5℃程度のときに抵抗R1
の両端電圧と基準電圧Vref とが等しくなるように基準
電圧Vref を設定しておけば、周囲温度が−5℃よりも
低下したときに、比較器CPの出力信号がハイレベルに
変化する。本実施形態では、チョッパ制御回路IC2 は
比較器CPから入力される信号がハイレベルになると、
スイッチング素子Q3 のオン時間tonを長くするように
してあるので、平滑コンデンサC1 の両端電圧VC1が増
加し、結果として放電灯Laのランプ電圧が図10のイ
の特性からロの特性へ変化して(矢印A2 の向きへ特性
が変化する)、ランプ電圧及び光出力(照度)の低下が
抑制される。
【0035】ここで、チョッパ制御回路IC2 として例
えばモトローラ社製の汎用ICであるMC34262を
用いた場合には、図11に示すMC34262内部のマ
ルチプライヤにつながる3番ピンに接続する外付けの抵
抗R30(図12参照)とコンデンサC30(図12参照)
との値で発振周波数が決まるので、抵抗R30、コンデン
サC30の少なくとも一方の値を可変することにより上記
オン時間tonを制御することが可能となる。
えばモトローラ社製の汎用ICであるMC34262を
用いた場合には、図11に示すMC34262内部のマ
ルチプライヤにつながる3番ピンに接続する外付けの抵
抗R30(図12参照)とコンデンサC30(図12参照)
との値で発振周波数が決まるので、抵抗R30、コンデン
サC30の少なくとも一方の値を可変することにより上記
オン時間tonを制御することが可能となる。
【0036】なお、本実施形態では、周囲温度が低くな
るにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と分圧用の抵
抗R1 との直列回路が温度検出手段を構成し、比較器C
P、チョッパ制御回路IC2 により出力補正手段を構成
している。 (実施形態6)本実施形態では、図13に示す構成を採
用しており、交流電源ACを全波整流する整流器DBの
整流器DBの直流出力端と平滑コンデンサC1 との間に
比較的小容量のコンデンサC5 とダイオードD5 との並
列回路を挿入してあり、平滑コンデンサC1 の両端間に
一対のスイッチング素子Q1 ,Q2 の直列回路を接続し
てある。ダイオードD5 は整流器DBから平滑コンデン
サC1 に充電電流を流す向きに挿入され、カソードが整
流器DBの直流出力端の負極に接続されている。また、
両スイッチング素子Q1 ,Q2 の接続点にインダクタL
2 の一端を接続し、インダクタL2 の他端とダイオード
D5 のカソードとの間に放電灯Laと直流カット用の結
合コンデンサC2 との直列回路を接続し、さらに放電灯
LaにはコンデンサC3 を並列接続してある。ここで、
両スイッチング素子Q1 ,Q2 は図示しないドライブ回
路(制御回路)からの制御信号によって交互にオンオフ
される。なお、本実施形態では、スイッチング素子
Q1 ,Q2 、ドライブ回路、インダクタL2 、放電灯L
a、コンデンサC3 、コンデンサC5 、ダイオードD5
などによりいわゆるチャージポンプ式のインバータ回路
を構成している。
るにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と分圧用の抵
抗R1 との直列回路が温度検出手段を構成し、比較器C
P、チョッパ制御回路IC2 により出力補正手段を構成
している。 (実施形態6)本実施形態では、図13に示す構成を採
用しており、交流電源ACを全波整流する整流器DBの
整流器DBの直流出力端と平滑コンデンサC1 との間に
比較的小容量のコンデンサC5 とダイオードD5 との並
列回路を挿入してあり、平滑コンデンサC1 の両端間に
一対のスイッチング素子Q1 ,Q2 の直列回路を接続し
てある。ダイオードD5 は整流器DBから平滑コンデン
サC1 に充電電流を流す向きに挿入され、カソードが整
流器DBの直流出力端の負極に接続されている。また、
両スイッチング素子Q1 ,Q2 の接続点にインダクタL
2 の一端を接続し、インダクタL2 の他端とダイオード
D5 のカソードとの間に放電灯Laと直流カット用の結
合コンデンサC2 との直列回路を接続し、さらに放電灯
LaにはコンデンサC3 を並列接続してある。ここで、
両スイッチング素子Q1 ,Q2 は図示しないドライブ回
路(制御回路)からの制御信号によって交互にオンオフ
される。なお、本実施形態では、スイッチング素子
Q1 ,Q2 、ドライブ回路、インダクタL2 、放電灯L
a、コンデンサC3 、コンデンサC5 、ダイオードD5
などによりいわゆるチャージポンプ式のインバータ回路
を構成している。
【0037】この構成では、両スイッチング素子Q1 ,
Q2 が交互にオンオフするように制御されると、平滑コ
ンデンサC1 の両端電圧と整流器DBの出力電圧とコン
デンナC5 の両端電圧との関係によって、整流器DBか
ら高周波的にパルス電流を流すことができ、交流電源A
Cと整流器DBとの間に高周波阻止用のフィルタを設け
れば、交流電源ACからの入力電流波形を略連続させる
ことができる。つまり、入力電流歪の増加を抑制するこ
とができる。
Q2 が交互にオンオフするように制御されると、平滑コ
ンデンサC1 の両端電圧と整流器DBの出力電圧とコン
デンナC5 の両端電圧との関係によって、整流器DBか
ら高周波的にパルス電流を流すことができ、交流電源A
Cと整流器DBとの間に高周波阻止用のフィルタを設け
れば、交流電源ACからの入力電流波形を略連続させる
ことができる。つまり、入力電流歪の増加を抑制するこ
とができる。
【0038】この回路構成ではコンデンナC5 の充放電
が交流電源ACからの入力電流歪の増加に大きく関与す
るから、この動作についてさらに詳しく説明する。定常
動作では、スイッチング素子Q1 ,Q2 のオンオフの1
周期の間に、以下に示す(1)〜(6)の6通りの動作
状態がある。 (1)スイッチング素子Q1 がオン、スイッチング素子
Q2 がオフの状態では、平滑コンデンサC1 の両端電圧
が整流器DBの出力電圧よりも高く、且つコンデンサC
5 の両端電圧が平滑コンデンサC1 と整流器DBの出力
電圧との間の電圧であると、平滑コンデンサC1 を電源
として、平滑コンデンサC1 →スイッチング素子Q1 →
インダクタL2 →放電灯La,コンデンサC3 →コンデ
ンサC2→コンデンサC5 →平滑コンデンサC1 の経路
で共振電流が流れ、コンデンサC 5 が充電される。
が交流電源ACからの入力電流歪の増加に大きく関与す
るから、この動作についてさらに詳しく説明する。定常
動作では、スイッチング素子Q1 ,Q2 のオンオフの1
周期の間に、以下に示す(1)〜(6)の6通りの動作
状態がある。 (1)スイッチング素子Q1 がオン、スイッチング素子
Q2 がオフの状態では、平滑コンデンサC1 の両端電圧
が整流器DBの出力電圧よりも高く、且つコンデンサC
5 の両端電圧が平滑コンデンサC1 と整流器DBの出力
電圧との間の電圧であると、平滑コンデンサC1 を電源
として、平滑コンデンサC1 →スイッチング素子Q1 →
インダクタL2 →放電灯La,コンデンサC3 →コンデ
ンサC2→コンデンサC5 →平滑コンデンサC1 の経路
で共振電流が流れ、コンデンサC 5 が充電される。
【0039】(2)コンデンサC5 の両端電圧と整流器
DBの出力電圧との和が平滑コンデンサC1 の電圧より
も高くなると、整流器DB→スイッチング素子Q1 →イ
ンダクタL2 →放電灯La,コンデンサC3 →コンデン
サC2 →整流器DBの経路で電流が流れる。この状態は
スイッチング素子Q1 がオフになるまで継続する。 (3)スイッチング素子素子Q1 がオフになると、イン
ダクタL2 の蓄積エネルギによる回生電流が流れる。す
なわち、整流器DB→平滑コンデンサC1 →スイッチン
グ素子Q2 →インダクタL2 →放電灯La,コンデンサ
C3 →コンデンサC2 →整流器DBの経路で回生電流が
流れる。スイッチング素子Q2 に流れる電流は、実際に
はスイッチング素子Q2 に並列に設けた回生用のダイオ
ード(図示せず)を通る。この状態で、交流電源ACか
らの入力電流が流れる。なお、スイッチング素子Q1 が
オフになるとスイッチング素子Q2 はオンになる。
DBの出力電圧との和が平滑コンデンサC1 の電圧より
も高くなると、整流器DB→スイッチング素子Q1 →イ
ンダクタL2 →放電灯La,コンデンサC3 →コンデン
サC2 →整流器DBの経路で電流が流れる。この状態は
スイッチング素子Q1 がオフになるまで継続する。 (3)スイッチング素子素子Q1 がオフになると、イン
ダクタL2 の蓄積エネルギによる回生電流が流れる。す
なわち、整流器DB→平滑コンデンサC1 →スイッチン
グ素子Q2 →インダクタL2 →放電灯La,コンデンサ
C3 →コンデンサC2 →整流器DBの経路で回生電流が
流れる。スイッチング素子Q2 に流れる電流は、実際に
はスイッチング素子Q2 に並列に設けた回生用のダイオ
ード(図示せず)を通る。この状態で、交流電源ACか
らの入力電流が流れる。なお、スイッチング素子Q1 が
オフになるとスイッチング素子Q2 はオンになる。
【0040】(4)インダクタL2 による回生電流が流
れなくなると、コンデンサC3 を電源として、コンデン
サC2 →放電灯La,コンデンサC3 →インダクタL2
→スイッチング素子Q2 →コンデンサC5 →コンデンサ
C2 という経路で電流が流れてコンデンサC5 の充電電
荷が放電される。 (5)コンデンサC5 の放電後にはコンデンサC2 →放
電灯La,コンデンサC3 →インダクタL2 →スイッチ
ング素子Q2 →ダイオードD5 →コンデンサC 2 という
経路で電流が流れる。
れなくなると、コンデンサC3 を電源として、コンデン
サC2 →放電灯La,コンデンサC3 →インダクタL2
→スイッチング素子Q2 →コンデンサC5 →コンデンサ
C2 という経路で電流が流れてコンデンサC5 の充電電
荷が放電される。 (5)コンデンサC5 の放電後にはコンデンサC2 →放
電灯La,コンデンサC3 →インダクタL2 →スイッチ
ング素子Q2 →ダイオードD5 →コンデンサC 2 という
経路で電流が流れる。
【0041】(6)その後、スイッチング素子Q2 がオ
フになると、インダクタL2 の蓄積エネルギによる回生
電流が、コンデンサC2 →放電灯La,コンデンサC3
→インダクタL2 →スイッチング素子Q1 →平滑コンデ
ンサC1 →ダイオードD5 →コンデンサC2 の経路で流
れる。スイッチング素子Q1 に流れる電流は、実際には
スイッチング素子Q1 に並列に設けた回生用のダイオー
ド(図示せず)を通る。なお、スイッチング素子Q2 が
オフになるとスイッチング素子Q1 がオンになる。
フになると、インダクタL2 の蓄積エネルギによる回生
電流が、コンデンサC2 →放電灯La,コンデンサC3
→インダクタL2 →スイッチング素子Q1 →平滑コンデ
ンサC1 →ダイオードD5 →コンデンサC2 の経路で流
れる。スイッチング素子Q1 に流れる電流は、実際には
スイッチング素子Q1 に並列に設けた回生用のダイオー
ド(図示せず)を通る。なお、スイッチング素子Q2 が
オフになるとスイッチング素子Q1 がオンになる。
【0042】インダクタL2 による回生電流が流れなく
なると、平滑コンデンサC1 を電源として電流を流す状
態に戻り、定常状態では上述の動作を繰り返すことにな
るので、放電灯Laには交番した電流が流れ、また、ス
イッチング素子Q1 ,Q2 のオンオフの1周期毎に交流
電源ACから入力電流が流れる期間が生じるから、スイ
ッチング素子Q1 ,Q2 を高周波でオンオフさせること
により、入力電流を高周波的に流すことができるのであ
る。ここで、整流器DBの出力電圧波形の山部(ピーク
値付近)では上述の(1),(4)の動作モードの時間
が短縮されるので、LC共振回路はコンデンサC3とイ
ンダクタL2 のみの共振系(以下、第1の共振系と称
す)となり図14のイに示すような共振特性となる。逆
に、整流器DBの出力電圧波形の谷部(ゼロボルト付
近)では上述の(1),(4)の動作モードの時間が長
くなるので、LC共振回路はコンデンサC3 とコンデン
サC5 とインダクタL2 の共振系(以下、第2の共振系
と称す)となり図14のロに示すような共振特性とな
る。すなわち、整流器DBの出力電圧波形の山部と谷部
とで共振特性が異なる。このため、インバータ回路の発
振周波数をf=一定(図14参照)とした場合には、整
流器DBの出力電圧波形の山部と谷部とで放電灯Laに
流れる電流が異なる。また、第1の共振系と第2の共振
系とはスイッチング素子Q1 ,Q2 のオンオフの1周期
において整流器DBの出力電圧の電圧レベルによってそ
の動作している割合が変化するので、ランプ電流は図1
5に示すような包絡線をもつ高周波電流となる。ここ
で、図15中の「谷部」の部分が整流器DBの出力電圧
波形が谷部の時のランプ電流を示し、同図中の「山部」
の部分が整流器DBの出力電圧波形が山部の時のランプ
電流を示す。すなわち、放電灯Laに流れるランプ電流
は、図15に示すようなリップルを持った波形となる。
なると、平滑コンデンサC1 を電源として電流を流す状
態に戻り、定常状態では上述の動作を繰り返すことにな
るので、放電灯Laには交番した電流が流れ、また、ス
イッチング素子Q1 ,Q2 のオンオフの1周期毎に交流
電源ACから入力電流が流れる期間が生じるから、スイ
ッチング素子Q1 ,Q2 を高周波でオンオフさせること
により、入力電流を高周波的に流すことができるのであ
る。ここで、整流器DBの出力電圧波形の山部(ピーク
値付近)では上述の(1),(4)の動作モードの時間
が短縮されるので、LC共振回路はコンデンサC3とイ
ンダクタL2 のみの共振系(以下、第1の共振系と称
す)となり図14のイに示すような共振特性となる。逆
に、整流器DBの出力電圧波形の谷部(ゼロボルト付
近)では上述の(1),(4)の動作モードの時間が長
くなるので、LC共振回路はコンデンサC3 とコンデン
サC5 とインダクタL2 の共振系(以下、第2の共振系
と称す)となり図14のロに示すような共振特性とな
る。すなわち、整流器DBの出力電圧波形の山部と谷部
とで共振特性が異なる。このため、インバータ回路の発
振周波数をf=一定(図14参照)とした場合には、整
流器DBの出力電圧波形の山部と谷部とで放電灯Laに
流れる電流が異なる。また、第1の共振系と第2の共振
系とはスイッチング素子Q1 ,Q2 のオンオフの1周期
において整流器DBの出力電圧の電圧レベルによってそ
の動作している割合が変化するので、ランプ電流は図1
5に示すような包絡線をもつ高周波電流となる。ここ
で、図15中の「谷部」の部分が整流器DBの出力電圧
波形が谷部の時のランプ電流を示し、同図中の「山部」
の部分が整流器DBの出力電圧波形が山部の時のランプ
電流を示す。すなわち、放電灯Laに流れるランプ電流
は、図15に示すようなリップルを持った波形となる。
【0043】したがって、放電灯Laとして上記各実施
形態における蛍光灯(FL40SS/36)を用いた場
合でも、低温時における移動縞の発生やちらつきを防止
することができる。ところで、本実施形態では、スイッ
チング素子Q1 ,Q2 を交互にオンオフさせるドライブ
回路(制御回路)として、IR社のIR2111を用い
ている。また、IR2111に入力するパルス電圧を発
生させる制御集積回路としては、図16に示す松下電子
工業社製のAN6768Kを使用している。ここで、図
16に示すAN6768Kの5番ピン(Cosc)に外付け
されるコンデンサC15に流れる充放電電流の大きさによ
って上記インバータ回路の発振周波数が決定される。す
なわち、このコンデンサC15の容量が増加すると、AN
6768K内部の抵抗(図示せず)とコンデンサC15で
構成されるCR回路の時定数が長くなり、22番ピン
(PLSOUT)から出力されるパルス電圧の周期が長
くなり、発振周波数が低くなる。したがって、5番ピン
に外付けするコンデンサC15として、例えば、上述の図
7に示すような温度特性を有する松下電器産業社製のE
CQPシリーズのフィルムコンデンサ(例えば、50V
耐圧、470pF)を使用することにより、周囲温度の
低下に応じてコンデンサC15の容量が増加するので、上
記インバータ回路の発振周波数が図3に示すようにラン
プ電圧が増加するように下がり(矢印A1 の向きに下が
り)、低温時におけるランプ出力の低下が抑制される。
形態における蛍光灯(FL40SS/36)を用いた場
合でも、低温時における移動縞の発生やちらつきを防止
することができる。ところで、本実施形態では、スイッ
チング素子Q1 ,Q2 を交互にオンオフさせるドライブ
回路(制御回路)として、IR社のIR2111を用い
ている。また、IR2111に入力するパルス電圧を発
生させる制御集積回路としては、図16に示す松下電子
工業社製のAN6768Kを使用している。ここで、図
16に示すAN6768Kの5番ピン(Cosc)に外付け
されるコンデンサC15に流れる充放電電流の大きさによ
って上記インバータ回路の発振周波数が決定される。す
なわち、このコンデンサC15の容量が増加すると、AN
6768K内部の抵抗(図示せず)とコンデンサC15で
構成されるCR回路の時定数が長くなり、22番ピン
(PLSOUT)から出力されるパルス電圧の周期が長
くなり、発振周波数が低くなる。したがって、5番ピン
に外付けするコンデンサC15として、例えば、上述の図
7に示すような温度特性を有する松下電器産業社製のE
CQPシリーズのフィルムコンデンサ(例えば、50V
耐圧、470pF)を使用することにより、周囲温度の
低下に応じてコンデンサC15の容量が増加するので、上
記インバータ回路の発振周波数が図3に示すようにラン
プ電圧が増加するように下がり(矢印A1 の向きに下が
り)、低温時におけるランプ出力の低下が抑制される。
【0044】なお、本実施形態では、コンデンサC15が
温度検出手段を構成し、制御集積回路、コンデンサC15
により出力補正手段を構成している。 (実施形態7)図17に示す本実施形態の基本構成は実
施形態1と同じであり、本実施形態では、スイッチング
素子Q1 ,Q2 をオンオフさせるためのドライブ回路I
C(制御回路)が、インバータ回路の発振周波数と両ス
イッチング素子Q1 ,Q2 のオンデューティを制御して
いる。なお、実施形態1の図1と同様の構成要素には同
一の符号を付し説明を省略する。
温度検出手段を構成し、制御集積回路、コンデンサC15
により出力補正手段を構成している。 (実施形態7)図17に示す本実施形態の基本構成は実
施形態1と同じであり、本実施形態では、スイッチング
素子Q1 ,Q2 をオンオフさせるためのドライブ回路I
C(制御回路)が、インバータ回路の発振周波数と両ス
イッチング素子Q1 ,Q2 のオンデューティを制御して
いる。なお、実施形態1の図1と同様の構成要素には同
一の符号を付し説明を省略する。
【0045】ところで、両スイッチング素子Q1 ,Q2
のオンデューティが50%の時に放電灯Laの光出力が
100%(定格)になるように回路定数を設定すると、
部品のばらつきにより、光出力が100%以下あるいは
100%以上でるときの微調整ができないので、スイッ
チング素子Q1 ,Q2 のオンデューティをアンバランス
に設計する(例えば、スイッチング素子Q1 のオンデュ
ーティを50%よりも大きくするとともに、スイッチン
グ素子Q2 のオンデューティを50%よりも小さくす
る)場合が多い。また、電源変動特性を良くするため
に、通常点灯時におけるオンデューティをアンバランス
に設定しておき、交流電源ACの出力が90%の時にオ
ンデューティが50%になるように設計する場合があ
る。このように設計すると、交流電源ACの電圧が10
0%から90%に低下した場合でもスイッチング素子Q
2 のオンデューティが大きくなることにより、所望のラ
ンプ出力を確保することが可能となる。
のオンデューティが50%の時に放電灯Laの光出力が
100%(定格)になるように回路定数を設定すると、
部品のばらつきにより、光出力が100%以下あるいは
100%以上でるときの微調整ができないので、スイッ
チング素子Q1 ,Q2 のオンデューティをアンバランス
に設計する(例えば、スイッチング素子Q1 のオンデュ
ーティを50%よりも大きくするとともに、スイッチン
グ素子Q2 のオンデューティを50%よりも小さくす
る)場合が多い。また、電源変動特性を良くするため
に、通常点灯時におけるオンデューティをアンバランス
に設定しておき、交流電源ACの出力が90%の時にオ
ンデューティが50%になるように設計する場合があ
る。このように設計すると、交流電源ACの電圧が10
0%から90%に低下した場合でもスイッチング素子Q
2 のオンデューティが大きくなることにより、所望のラ
ンプ出力を確保することが可能となる。
【0046】本実施形態では、ドライブ回路ICが、比
較器CPの出力信号がハイレベルになったときに、両ス
イッチング素子Q1 ,Q2 のオンデューティが50%に
なるような制御を行う機能を有しているので、低温時の
ランプ電圧の低下を抑制することができる。ここで、本
実施形態では、ドライブ回路ICとして図16に示した
松下電子工業社製のAN6768Kを使用しており、2
0番ピン(Feed3)に印加する電圧を可変すること
により、上記オンデューティを可変できるようになって
いる。
較器CPの出力信号がハイレベルになったときに、両ス
イッチング素子Q1 ,Q2 のオンデューティが50%に
なるような制御を行う機能を有しているので、低温時の
ランプ電圧の低下を抑制することができる。ここで、本
実施形態では、ドライブ回路ICとして図16に示した
松下電子工業社製のAN6768Kを使用しており、2
0番ピン(Feed3)に印加する電圧を可変すること
により、上記オンデューティを可変できるようになって
いる。
【0047】なお、本実施形態では、周囲温度が低くな
るにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と分圧用の抵
抗R1 との直列回路が温度検出手段を構成し、比較器C
P、ドライブ回路ICにより出力補正手段を構成してい
る。 (実施形態8)図18に示す本実施形態の基本構成は実
施形態1と同じであり、本実施形態では、実施形態1で
示した図1の構成における感温抵抗R0 と分圧用の抵抗
R1 との直列回路を設ける替わりに、共振用のコンデン
サC3 として、温度低下に応じて容量が増加するコンデ
ンサ(例えば、図7に示す特性をもつ松下電器産業社製
のフィルムコンデンサECQPあるいはECWH)を使
用している点に特徴がある。なお、実施形態1と同様の
構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
るにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と分圧用の抵
抗R1 との直列回路が温度検出手段を構成し、比較器C
P、ドライブ回路ICにより出力補正手段を構成してい
る。 (実施形態8)図18に示す本実施形態の基本構成は実
施形態1と同じであり、本実施形態では、実施形態1で
示した図1の構成における感温抵抗R0 と分圧用の抵抗
R1 との直列回路を設ける替わりに、共振用のコンデン
サC3 として、温度低下に応じて容量が増加するコンデ
ンサ(例えば、図7に示す特性をもつ松下電器産業社製
のフィルムコンデンサECQPあるいはECWH)を使
用している点に特徴がある。なお、実施形態1と同様の
構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
【0048】しかして、本実施形態では、図19に示す
25℃におけるランプ電圧の共振特性イが周囲温度が低
下したときに、高周波側(図19の矢印A3 の向き)へ
シフトするので、図19中のロを低温(例えば−5℃)
のときの共振特性とすると、発振周波数をf=一定とし
たまま、ランプ電圧が増加し、ランプ出力(照度)の低
下が抑制される。また、共振用のコンデンサC3 の容量
が増加すると、放電灯Laのフィラメントへの予熱電流
も増加するので、放電灯Laのランプ温度の低下を抑制
することができ、ランプ電圧の低下を抑制することがで
きる。
25℃におけるランプ電圧の共振特性イが周囲温度が低
下したときに、高周波側(図19の矢印A3 の向き)へ
シフトするので、図19中のロを低温(例えば−5℃)
のときの共振特性とすると、発振周波数をf=一定とし
たまま、ランプ電圧が増加し、ランプ出力(照度)の低
下が抑制される。また、共振用のコンデンサC3 の容量
が増加すると、放電灯Laのフィラメントへの予熱電流
も増加するので、放電灯Laのランプ温度の低下を抑制
することができ、ランプ電圧の低下を抑制することがで
きる。
【0049】なお、本実施形態では、共振用のコンデン
サC3 が温度検出手段および出力補正手段を構成してい
る。 (実施形態9)図20に示す本実施形態の基本構成は実
施形態1の図1と略同じであって、インバータ回路の共
振用のコンデンサC3 に並列に、スイッチング素子Q4
とコンデンサC7 との直列回路を接続した点が相違す
る。ここに、スイッチング素子Q 4 は比較器CPの出力
信号に基づいてオンオフするようになっており、比較器
CPの出力信号がハイレベルのときにオン、比較器CP
の出力信号がローレベルのときにオフする。なお、実施
形態1と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省
略する。
サC3 が温度検出手段および出力補正手段を構成してい
る。 (実施形態9)図20に示す本実施形態の基本構成は実
施形態1の図1と略同じであって、インバータ回路の共
振用のコンデンサC3 に並列に、スイッチング素子Q4
とコンデンサC7 との直列回路を接続した点が相違す
る。ここに、スイッチング素子Q 4 は比較器CPの出力
信号に基づいてオンオフするようになっており、比較器
CPの出力信号がハイレベルのときにオン、比較器CP
の出力信号がローレベルのときにオフする。なお、実施
形態1と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省
略する。
【0050】しかして、本実施形態では、周囲温度が低
下して感温抵抗R0 の抵抗値が小さくなり比較器CPの
非反転端子に入力される抵抗R1 の両端電圧が基準電圧
Vref よりも大きくなると、比較器CPの出力信号がハ
イレベルになり、スイッチング素子Q4 がオンされるか
ら、コンデンサC3 にコンデンサC7 が並列接続され
る。したがって、放電灯Laの周囲温度が所定温度より
も低下すると、LC共振回路を構成するコンデンサの容
量が増加するから、放電灯Laのランプ電圧の共振特性
が実施形態8と同様に高周波側にシフト(図19参照)
し、同一の発振周波数のままランプ電圧が増加し、放電
灯Laのランプ出力(照度)の低下が抑制される。本実
施形態では、LC共振回路が温度検出手段および出力補
正手段を構成している。
下して感温抵抗R0 の抵抗値が小さくなり比較器CPの
非反転端子に入力される抵抗R1 の両端電圧が基準電圧
Vref よりも大きくなると、比較器CPの出力信号がハ
イレベルになり、スイッチング素子Q4 がオンされるか
ら、コンデンサC3 にコンデンサC7 が並列接続され
る。したがって、放電灯Laの周囲温度が所定温度より
も低下すると、LC共振回路を構成するコンデンサの容
量が増加するから、放電灯Laのランプ電圧の共振特性
が実施形態8と同様に高周波側にシフト(図19参照)
し、同一の発振周波数のままランプ電圧が増加し、放電
灯Laのランプ出力(照度)の低下が抑制される。本実
施形態では、LC共振回路が温度検出手段および出力補
正手段を構成している。
【0051】(実施形態10)図21に示す本実施形態
の基本構成は実施形態1と略同じであって、放電灯La
の周りに放電灯Laの周囲温度を加熱するためのヒータ
H1 (加熱手段)を配設し、比較器CPの出力信号に基
づいてヒータH1 のオンオフ制御を行うようにしたもの
であり、比較器CPの出力信号がハイレベルのときのみ
ヒータH1 による加熱を行う点に特徴がある。なお、実
施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を
省略する。また、ヒータH1 は放電灯Laから放射され
る光を極力遮らないように形状や配置にすることが望ま
しい。
の基本構成は実施形態1と略同じであって、放電灯La
の周りに放電灯Laの周囲温度を加熱するためのヒータ
H1 (加熱手段)を配設し、比較器CPの出力信号に基
づいてヒータH1 のオンオフ制御を行うようにしたもの
であり、比較器CPの出力信号がハイレベルのときのみ
ヒータH1 による加熱を行う点に特徴がある。なお、実
施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を
省略する。また、ヒータH1 は放電灯Laから放射され
る光を極力遮らないように形状や配置にすることが望ま
しい。
【0052】本実施形態では、放電灯Laの周囲温度が
低下して感温抵抗0 の抵抗値が小さくなり比較器CPの
非反転端子に入力される抵抗R1 の両端電圧が基準電圧
Vref よりも大きくなると、比較器CPの出力信号がハ
イレベルになり、ヒータH1による加熱が開始されて放
電灯Laの周囲温度が上昇するので、ランプ電圧が増加
する。したがって、低温時におけるランプ電圧およびラ
ンプ出力(照度)の低下を抑制することができる。
低下して感温抵抗0 の抵抗値が小さくなり比較器CPの
非反転端子に入力される抵抗R1 の両端電圧が基準電圧
Vref よりも大きくなると、比較器CPの出力信号がハ
イレベルになり、ヒータH1による加熱が開始されて放
電灯Laの周囲温度が上昇するので、ランプ電圧が増加
する。したがって、低温時におけるランプ電圧およびラ
ンプ出力(照度)の低下を抑制することができる。
【0053】なお、本実施形態では、周囲温度が低くな
るにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と分圧用の抵
抗R1 との直列回路が温度検出手段を構成し、比較器C
P、ヒータH1 により出力補正手段を構成している。と
ころで、図22に示すように、あらかじめ放電灯Laの
周囲に防寒用のカバーあるいは防寒用の筒よりなる防寒
手段B1 を配設することによって、放電灯La近傍の温
度の低下を抑制するようにしてもよい。図22の構成で
は、防寒手段B1 の外側の温度が低下した場合にもラン
プ電圧の低下を抑制することができる。ここで、防寒手
段B1 としては放電灯Laから放射される光を遮らない
ような形状のものや、透光性の高い材料により形成した
ものを用いる必要がある。
るにつれて抵抗値が減少する感温抵抗R0 と分圧用の抵
抗R1 との直列回路が温度検出手段を構成し、比較器C
P、ヒータH1 により出力補正手段を構成している。と
ころで、図22に示すように、あらかじめ放電灯Laの
周囲に防寒用のカバーあるいは防寒用の筒よりなる防寒
手段B1 を配設することによって、放電灯La近傍の温
度の低下を抑制するようにしてもよい。図22の構成で
は、防寒手段B1 の外側の温度が低下した場合にもラン
プ電圧の低下を抑制することができる。ここで、防寒手
段B1 としては放電灯Laから放射される光を遮らない
ような形状のものや、透光性の高い材料により形成した
ものを用いる必要がある。
【0054】
【発明の効果】請求項1の発明は、直流電源と、LC共
振回路およびスイッチング素子を含みスイッチング素子
を高周波でオンオフすることにより直流電源の直流電圧
を高周波電圧に変換するインバータ回路と、前記LC共
振回路を通してインバータ回路の出力が供給される放電
灯とを備え、放電灯として周囲温度が25℃のときのラ
ンプ電圧に対する周囲温度が−10℃のときのランプ電
圧が65%以下となるものを使用し、放電灯の周囲温度
を検出する温度検出手段と、温度検出手段により検出し
た周囲温度に基づいて低温時におけるランプ電圧の低下
を抑制する出力補正手段を設けたので、放電ランプとし
て周囲温度が25℃のときのランプ電圧に対する周囲温
度が−10℃のときのランプ電圧の値が65%以下とな
るものを使用した場合であっても低温時におけるランプ
電圧の低下を抑制することができるという効果がある。
振回路およびスイッチング素子を含みスイッチング素子
を高周波でオンオフすることにより直流電源の直流電圧
を高周波電圧に変換するインバータ回路と、前記LC共
振回路を通してインバータ回路の出力が供給される放電
灯とを備え、放電灯として周囲温度が25℃のときのラ
ンプ電圧に対する周囲温度が−10℃のときのランプ電
圧が65%以下となるものを使用し、放電灯の周囲温度
を検出する温度検出手段と、温度検出手段により検出し
た周囲温度に基づいて低温時におけるランプ電圧の低下
を抑制する出力補正手段を設けたので、放電ランプとし
て周囲温度が25℃のときのランプ電圧に対する周囲温
度が−10℃のときのランプ電圧の値が65%以下とな
るものを使用した場合であっても低温時におけるランプ
電圧の低下を抑制することができるという効果がある。
【0055】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、制御信号によってスイッチング素子のオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路を備え、出力補正手段は、温度検出手段の出力に
基づいて低温時にランプ電圧が増加するように制御信号
の周期とオンデューティとのうちの少なくとも一方を変
化させるので、低温時に制御回路の動作が変更されるこ
とによりランプ電圧が増加するという効果がある。
て、制御信号によってスイッチング素子のオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路を備え、出力補正手段は、温度検出手段の出力に
基づいて低温時にランプ電圧が増加するように制御信号
の周期とオンデューティとのうちの少なくとも一方を変
化させるので、低温時に制御回路の動作が変更されるこ
とによりランプ電圧が増加するという効果がある。
【0056】請求項3の発明は、請求項1の発明におい
て、制御信号によってスイッチング素子をオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路と、上記制御信号の周期を設定するCR回路とを
備え、CR回路は、周囲温度の低下に応じて上記発振周
波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づくようにC
R時定数が変化する温度特性をもつ部品により形成され
前記温度検出手段及び前記出力補正手段を構成するの
で、周囲温度が低下するにつれて制御信号の周期が変化
し、インバータ回路の発振周波数が前記LC共振回路の
共振周波数に近づくから、低温時にランプ電圧が低下す
るのを抑制することができるという効果がある。
て、制御信号によってスイッチング素子をオンオフさせ
ることによりインバータ回路の発振周波数を制御する制
御回路と、上記制御信号の周期を設定するCR回路とを
備え、CR回路は、周囲温度の低下に応じて上記発振周
波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づくようにC
R時定数が変化する温度特性をもつ部品により形成され
前記温度検出手段及び前記出力補正手段を構成するの
で、周囲温度が低下するにつれて制御信号の周期が変化
し、インバータ回路の発振周波数が前記LC共振回路の
共振周波数に近づくから、低温時にランプ電圧が低下す
るのを抑制することができるという効果がある。
【0057】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、前記LC共振回路は、周囲温度の低下に応じてラン
プ電圧が増加するように共振周波数が変化する温度特性
をもつ部品により形成され前記温度検出手段及び前記出
力補正手段を構成するので、周囲温度が低下するにつれ
て前記LC共振回路の共振周波数が変化してランプ電圧
が増加するという効果がある。
て、前記LC共振回路は、周囲温度の低下に応じてラン
プ電圧が増加するように共振周波数が変化する温度特性
をもつ部品により形成され前記温度検出手段及び前記出
力補正手段を構成するので、周囲温度が低下するにつれ
て前記LC共振回路の共振周波数が変化してランプ電圧
が増加するという効果がある。
【0058】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て、出力補正手段は、前記LC共振回路の共振周波数を
切り替える切替え手段を備え、温度検出手段により検出
した周囲温度に基づいて低温時にランプ電圧が増加する
ように切替え手段を制御するので、低温時には前記LC
共振回路の共振周波数が切り替わってランプ電圧が増加
するという効果がある。
て、出力補正手段は、前記LC共振回路の共振周波数を
切り替える切替え手段を備え、温度検出手段により検出
した周囲温度に基づいて低温時にランプ電圧が増加する
ように切替え手段を制御するので、低温時には前記LC
共振回路の共振周波数が切り替わってランプ電圧が増加
するという効果がある。
【0059】請求項6の発明は、請求項1の発明におい
て、出力補正手段は、放電灯の周囲を加熱する加熱手段
を備え、温度検出手段により検出した周囲温度に基づい
て低温時に加熱手段を動作させるので、低温時には加熱
手段による加熱によって放電灯の周囲温度が上昇し、ラ
ンプ電圧が増加するという効果がある。請求項7の発明
は、請求項1の発明において、放電灯として50%以上
のクリプトンが混合された希ガスが封入された蛍光ラン
プを用いているので、希ガスとしてアルゴンのみを封入
してある蛍光ランプに比べて点灯開始電圧を下げること
ができ、節電を図ることができるという効果がある。
て、出力補正手段は、放電灯の周囲を加熱する加熱手段
を備え、温度検出手段により検出した周囲温度に基づい
て低温時に加熱手段を動作させるので、低温時には加熱
手段による加熱によって放電灯の周囲温度が上昇し、ラ
ンプ電圧が増加するという効果がある。請求項7の発明
は、請求項1の発明において、放電灯として50%以上
のクリプトンが混合された希ガスが封入された蛍光ラン
プを用いているので、希ガスとしてアルゴンのみを封入
してある蛍光ランプに比べて点灯開始電圧を下げること
ができ、節電を図ることができるという効果がある。
【0060】請求項9の発明は、請求項1の発明におい
て、スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路を
備え、出力補正手段は、温度検出手段により検出された
温度に基づいて低温時にインバータ回路の発振周波数が
前記LC共振回路の共振周波数に近づくように制御回路
の動作を制御するので、低温時にはインバータ回路の発
振周波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づき、ラ
ンプ電圧が増加するという効果がある。
て、スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路を
備え、出力補正手段は、温度検出手段により検出された
温度に基づいて低温時にインバータ回路の発振周波数が
前記LC共振回路の共振周波数に近づくように制御回路
の動作を制御するので、低温時にはインバータ回路の発
振周波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づき、ラ
ンプ電圧が増加するという効果がある。
【0061】請求項10の発明は、請求項1の発明にお
いて、インバータ回路は、直流電源の出力端間に接続さ
れる一対のスイッチング素子と、一方のスイッチング素
子の両端間に接続されるLC共振回路と、両スイッチン
グ素子を高周波で交互にオンオフする制御回路とで構成
され、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にスイッチング素子のオンデュ
ーティが50%に近づくように制御回路を制御するの
で、低温時にランプ電圧が低下するのを抑制することが
できるという効果がある。
いて、インバータ回路は、直流電源の出力端間に接続さ
れる一対のスイッチング素子と、一方のスイッチング素
子の両端間に接続されるLC共振回路と、両スイッチン
グ素子を高周波で交互にオンオフする制御回路とで構成
され、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にスイッチング素子のオンデュ
ーティが50%に近づくように制御回路を制御するの
で、低温時にランプ電圧が低下するのを抑制することが
できるという効果がある。
【0062】請求項11の発明は、請求項1の発明にお
いて、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にインバータ回路の電源電圧を
増加させるので、低温時におけるランプ電圧の低下を抑
制することができるという効果がある。請求項12の発
明は、請求項1の発明において、出力補正手段は、前記
LC共振回路により構成され、前記LC共振回路のコン
デンサとして、負の温度係数をもつ部品を使用し、前記
コンデンサが前記温度検出手段を構成するので、周囲温
度が低下するにつれて前記LC共振回路の共振周波数が
変化してランプ電圧が増加するという効果がある。
いて、出力補正手段は、温度検出手段により検出した周
囲温度に基づいて低温時にインバータ回路の電源電圧を
増加させるので、低温時におけるランプ電圧の低下を抑
制することができるという効果がある。請求項12の発
明は、請求項1の発明において、出力補正手段は、前記
LC共振回路により構成され、前記LC共振回路のコン
デンサとして、負の温度係数をもつ部品を使用し、前記
コンデンサが前記温度検出手段を構成するので、周囲温
度が低下するにつれて前記LC共振回路の共振周波数が
変化してランプ電圧が増加するという効果がある。
【図1】実施形態1を示す回路図である。
【図2】同上に用いる感温抵抗の温度特性図である。
【図3】同上の動作説明図である。
【図4】実施形態2を示す回路図である。
【図5】同上に用いる負特性サーミスタの温度特性図で
ある。
ある。
【図6】実施形態3の要部説明図である。
【図7】図6の要部説明図である。
【図8】実施形態4を示す回路図である。
【図9】実施形態5を示す回路図である。
【図10】同上の動作説明図である。
【図11】同上の要部説明図である。
【図12】同上の要部説明図である。
【図13】実施形態6を示す回路図である。
【図14】同上の動作説明図である。
【図15】同上の動作説明図である。
【図16】同上の要部説明図である。
【図17】実施形態7を示す回路図である。
【図18】実施形態8を示す回路図である。
【図19】同上の動作説明図である。
【図20】実施形態9を示す回路図である。
【図21】実施形態10を示す回路図である。
【図22】同上の他の構成例の回路図である。
【図23】蛍光ランプの温度特性図である。
【図24】FL40SとFL40S/36との特性比較
図である。
図である。
【符号の説明】 AC 交流電源 DB 整流器 C1 平滑コンデンサ C2 結合コンデンサ C3 コンデンサ R0 感温抵抗 R1 抵抗 Q1 ,Q2 スイッチング素子 La 放電灯 IC ドライブ回路 CP 比較器
Claims (12)
- 【請求項1】 直流電源と、LC共振回路およびスイッ
チング素子を含みスイッチング素子を高周波でオンオフ
することにより直流電源の直流電圧を高周波電圧に変換
するインバータ回路と、前記LC共振回路を通してイン
バータ回路の出力が供給される放電灯とを備え、放電灯
として周囲温度が25℃のときのランプ電圧に対する周
囲温度が−10℃のときのランプ電圧が65%以下とな
るものを使用し、放電灯の周囲温度を検出する温度検出
手段と、温度検出手段により検出した周囲温度に基づい
て低温時におけるランプ電圧の低下を抑制する出力補正
手段を設けたことを特徴とする放電灯点灯装置。 - 【請求項2】 制御信号によってスイッチング素子のオ
ンオフさせることによりインバータ回路の発振周波数を
制御する制御回路を備え、出力補正手段は、温度検出手
段の出力に基づいて低温時にランプ電圧が増加するよう
に制御信号の周期とオンデューティとのうちの少なくと
も一方を変化させることを特徴とする請求項1記載の放
電灯点灯装置。 - 【請求項3】 制御信号によってスイッチング素子をオ
ンオフさせることによりインバータ回路の発振周波数を
制御する制御回路と、上記制御信号の周期を設定するC
R回路とを備え、CR回路は、周囲温度の低下に応じて
上記発振周波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づ
くようにCR時定数が変化する温度特性をもつ部品によ
り形成され前記温度検出手段及び前記出力補正手段を構
成することを特徴とする請求項1記載の放電灯点灯装
置。 - 【請求項4】 前記LC共振回路は、周囲温度の低下に
応じてランプ電圧が増加するように共振周波数が変化す
る温度特性をもつ部品により形成され前記温度検出手段
及び前記出力補正手段を構成することを特徴とする請求
項1記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項5】 出力補正手段は、前記LC共振回路の共
振周波数を切り替える切替え手段を備え、温度検出手段
により検出した周囲温度に基づいて低温時にランプ電圧
が増加するように切替え手段を制御することを特徴とす
る請求項1記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項6】 出力補正手段は、放電灯の周囲を加熱す
る加熱手段を備え、温度検出手段により検出した周囲温
度に基づいて低温時に加熱手段を動作させることを特徴
とする請求項1記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項7】 放電灯は、50%以上のクリプトンが混
合された希ガスが封入された蛍光ランプであることを特
徴とする請求項1記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項8】 放電灯は、管の長さが1198mmでラ
ンプ定格が36W±4Wの直管形蛍光ランプであること
を特徴とする請求項7記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項9】 スイッチング素子のオンオフを制御する
制御回路を備え、出力補正手段は、温度検出手段により
検出された温度に基づいて低温時にインバータ回路の発
振周波数が前記LC共振回路の共振周波数に近づくよう
に制御回路の動作を制御することを特徴とする請求項1
記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項10】 インバータ回路は、直流電源の出力端
間に接続される一対のスイッチング素子と、一方のスイ
ッチング素子の両端間に接続されるLC共振回路と、両
スイッチング素子を高周波で交互にオンオフする制御回
路とで構成され、出力補正手段は、温度検出手段により
検出した周囲温度に基づいて低温時にスイッチング素子
のオンデューティが50%に近づくように制御回路を制
御することを特徴とする請求項1記載の放電灯点灯装
置。 - 【請求項11】 出力補正手段は、温度検出手段により
検出した周囲温度に基づいて低温時にインバータ回路の
電源電圧を増加させることを特徴とする請求項1記載の
放電灯点灯装置。 - 【請求項12】 出力補正手段は、前記LC共振回路に
より構成され、前記LC共振回路のコンデンサとして、
負の温度係数をもつ部品を使用し、前記コンデンサが前
記温度検出手段を構成することを特徴とする請求項1記
載の放電灯点灯装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34338697A JPH11176586A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | 放電灯点灯装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34338697A JPH11176586A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | 放電灯点灯装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11176586A true JPH11176586A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18361118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34338697A Withdrawn JPH11176586A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | 放電灯点灯装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11176586A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007066596A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Harison Toshiba Lighting Corp | 放電灯点灯装置 |
JP2007087770A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujitsu Ten Ltd | 光源制御装置及び光源制御方法 |
JP2007109471A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置 |
JP2009236484A (ja) * | 2000-01-31 | 2009-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 複合装置、複合装置の運転方法 |
-
1997
- 1997-12-12 JP JP34338697A patent/JPH11176586A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009236484A (ja) * | 2000-01-31 | 2009-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 複合装置、複合装置の運転方法 |
JP2007066596A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Harison Toshiba Lighting Corp | 放電灯点灯装置 |
JP2007087770A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujitsu Ten Ltd | 光源制御装置及び光源制御方法 |
JP2007109471A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置 |
JP4723343B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2011-07-13 | 三菱電機株式会社 | 放電灯点灯装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |