JPH1116675A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPH1116675A JPH1116675A JP16692197A JP16692197A JPH1116675A JP H1116675 A JPH1116675 A JP H1116675A JP 16692197 A JP16692197 A JP 16692197A JP 16692197 A JP16692197 A JP 16692197A JP H1116675 A JPH1116675 A JP H1116675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- magnetron
- waveguide
- heating chamber
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波加熱装置の加熱室内にマイクロ波エネ
ルギ−強度の一定な回転電界を生成することができるよ
うにするとともに、被加熱物をより均一に加熱すること
ができるようにする。 【解決手段】 H面壁9に第1のマグネトロン1を取り
付けた第1の導波管3と、H面壁10に第2のマグネトロ
ン2を取り付けるとともに、同他端を第1の導波管の第
1のマグネトロンの設けられた側とは反対側の端部にお
いて互いのH面が直交するように接続した第2の導波管
4と、それぞれの導波管の接続部に形成された加熱室5
と、それぞれの導波管の接続部の管壁に開設された開口
7と、加熱室内において被加熱物を電界のE面に対して
直角な方向に往復移動させるための被加熱物移動装置19
で高周波加熱装置を構成し、加熱室内にマイクロ波エネ
ルギ−強度の一定な回転電界を生成するとともに、被加
熱物をより均一に加熱する。
ルギ−強度の一定な回転電界を生成することができるよ
うにするとともに、被加熱物をより均一に加熱すること
ができるようにする。 【解決手段】 H面壁9に第1のマグネトロン1を取り
付けた第1の導波管3と、H面壁10に第2のマグネトロ
ン2を取り付けるとともに、同他端を第1の導波管の第
1のマグネトロンの設けられた側とは反対側の端部にお
いて互いのH面が直交するように接続した第2の導波管
4と、それぞれの導波管の接続部に形成された加熱室5
と、それぞれの導波管の接続部の管壁に開設された開口
7と、加熱室内において被加熱物を電界のE面に対して
直角な方向に往復移動させるための被加熱物移動装置19
で高周波加熱装置を構成し、加熱室内にマイクロ波エネ
ルギ−強度の一定な回転電界を生成するとともに、被加
熱物をより均一に加熱する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被加熱物を加熱するの
に2個のマグネトロンを使用する高周波加熱装置に関す
るものである。
に2個のマグネトロンを使用する高周波加熱装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】被加熱物を良好に加熱するための加熱手
法が進歩し、従来困難とされていた最適加熱が可能とな
りつつある。
法が進歩し、従来困難とされていた最適加熱が可能とな
りつつある。
【0003】こうした状況において、加熱室内のマイク
ロ波電界の強度を増大させるために2個のマグネトロン
を使用した高周波加熱装置の例が見られる。たとえば実
開昭59−136194号公報のように、それぞれに1
個ずつマグネトロンを装着した2本の導波管を互いに直
交させて接続したものを加熱室内の天井部に取り付け
て、マイクロ波を加熱室の上部から被加熱物に対して放
射する高周波加熱装置が提案されている。
ロ波電界の強度を増大させるために2個のマグネトロン
を使用した高周波加熱装置の例が見られる。たとえば実
開昭59−136194号公報のように、それぞれに1
個ずつマグネトロンを装着した2本の導波管を互いに直
交させて接続したものを加熱室内の天井部に取り付け
て、マイクロ波を加熱室の上部から被加熱物に対して放
射する高周波加熱装置が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述例の2個のマグネ
トロンを使用した高周波加熱装置では、加熱室内に大出
力のマイクロ波エネルギ−を供給することは出来るもの
の、被加熱物は概して外側部分だけが急激に加熱されて
しまい、内側の加熱が十分に出来ないという問題があっ
た。つまり、加熱室内に生成された電界の向きが一定で
あり回転していないために、その電界のマイクロ波エネ
ルギ−強度が加熱室内において均一でないという問題が
あった。さらに、各導波管がそれぞれのE面が直交する
ように接続するいわゆるHベンド接続されているため、
それらマグネトロンのそれぞれから放射されるマイクロ
波は導波管内を電播して合流する際に、それぞれのマイ
クロ波に位相ずれが生じていると、時として加熱出力が
低下してしまう場合があるという問題があった。
トロンを使用した高周波加熱装置では、加熱室内に大出
力のマイクロ波エネルギ−を供給することは出来るもの
の、被加熱物は概して外側部分だけが急激に加熱されて
しまい、内側の加熱が十分に出来ないという問題があっ
た。つまり、加熱室内に生成された電界の向きが一定で
あり回転していないために、その電界のマイクロ波エネ
ルギ−強度が加熱室内において均一でないという問題が
あった。さらに、各導波管がそれぞれのE面が直交する
ように接続するいわゆるHベンド接続されているため、
それらマグネトロンのそれぞれから放射されるマイクロ
波は導波管内を電播して合流する際に、それぞれのマイ
クロ波に位相ずれが生じていると、時として加熱出力が
低下してしまう場合があるという問題があった。
【0005】また、導波管内を伝播するマイクロ波によ
る電界の強度は、導波管内の管壁に接触する箇所ではゼ
ロであり、その箇所から管壁に対して垂直方向に離れて
いく程強くなる特性があるため、加熱室に設置された被
加熱物は、加熱室の内壁付近と加熱室の中央付近とで、
均一な加熱がされにくいという問題があった。
る電界の強度は、導波管内の管壁に接触する箇所ではゼ
ロであり、その箇所から管壁に対して垂直方向に離れて
いく程強くなる特性があるため、加熱室に設置された被
加熱物は、加熱室の内壁付近と加熱室の中央付近とで、
均一な加熱がされにくいという問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点を
解決するために、2個のマグネトロンから加熱室内に供
給されるマイクロ波の電界の向きに着目する。
解決するために、2個のマグネトロンから加熱室内に供
給されるマイクロ波の電界の向きに着目する。
【0007】まず、マイクロ波を加熱室に対して90度
異なる方向から均一に電播させる必要がある。そのため
に、第1のマグネトロンを加熱室のたとえば縦方向部
に、第2のマグネトロンを加熱室の前述の縦方向とは異
なる横方向部に設置する。より詳しくいうと、第1のマ
グネトロンを第1の導波管の一端のH面壁に取り付け、
第2のマグネトロンを第2の導波管の一端のH面壁に取
り付けるとともに、その第2の導波管の他の一端を第1
の導波管における第1のマグネトロンが設置されていな
い端部においてお互いのH面が直交するようにいわゆる
Eベンド接続をさせる。そして、この接続部の各導波管
によって形成された空間を、被加熱物が収納される加熱
室とする。
異なる方向から均一に電播させる必要がある。そのため
に、第1のマグネトロンを加熱室のたとえば縦方向部
に、第2のマグネトロンを加熱室の前述の縦方向とは異
なる横方向部に設置する。より詳しくいうと、第1のマ
グネトロンを第1の導波管の一端のH面壁に取り付け、
第2のマグネトロンを第2の導波管の一端のH面壁に取
り付けるとともに、その第2の導波管の他の一端を第1
の導波管における第1のマグネトロンが設置されていな
い端部においてお互いのH面が直交するようにいわゆる
Eベンド接続をさせる。そして、この接続部の各導波管
によって形成された空間を、被加熱物が収納される加熱
室とする。
【0008】その際、加熱室内につくられる電界の向き
を単に一定方向ではなく、時間的に変化させて回転させ
る必要がある。そのために、第1の導波管の管長と第2
の導波管の管長の差をλg/4とする。
を単に一定方向ではなく、時間的に変化させて回転させ
る必要がある。そのために、第1の導波管の管長と第2
の導波管の管長の差をλg/4とする。
【0009】また、加熱室に設置される被加熱物がその
全体を均一に加熱が行われるようにするために、被加熱
物を電界のE面に直角な方向に対して前後に往復移動さ
せる被加熱物移動装置を加熱室内に装備することとす
る。
全体を均一に加熱が行われるようにするために、被加熱
物を電界のE面に直角な方向に対して前後に往復移動さ
せる被加熱物移動装置を加熱室内に装備することとす
る。
【0010】
【発明の実施形態】第1のマグネトロンからマイクロ波
が放射され、第1の導波管内から加熱室内にかけて、第
1の導波管のH面と垂直な方向に第1の電界をつくる。
また、同じように第2のマグネトロンからマイクロ波が
放射され、第2の導波管内から加熱室内にかけて、第2
の導波管のH面と垂直な方向すなわち第1の導波管のH
面と平行な方向に電界をつくる。ここで、第1のマグネ
トロンのマイクロ波と第2のマグネトロンのマイクロ波
は出力が同じで位相が90度異なっており、その状況の
もとで、第1のマグネトロンの電界ベクトルと第2のマ
グネトロンの電界ベクトルの直交合成によって生成され
る電界ベクトルが向きを時間的に変化させることによ
り、回転電界となる。
が放射され、第1の導波管内から加熱室内にかけて、第
1の導波管のH面と垂直な方向に第1の電界をつくる。
また、同じように第2のマグネトロンからマイクロ波が
放射され、第2の導波管内から加熱室内にかけて、第2
の導波管のH面と垂直な方向すなわち第1の導波管のH
面と平行な方向に電界をつくる。ここで、第1のマグネ
トロンのマイクロ波と第2のマグネトロンのマイクロ波
は出力が同じで位相が90度異なっており、その状況の
もとで、第1のマグネトロンの電界ベクトルと第2のマ
グネトロンの電界ベクトルの直交合成によって生成され
る電界ベクトルが向きを時間的に変化させることによ
り、回転電界となる。
【0011】加熱室内における回転電界の強度は、各導
波管のH面に対しては一定であるが、各導波管のH面と
直角にあたるいわゆるE面に対しては加熱室内のE面壁
側を最小にして、そのE面壁側から垂直方向に離れるに
したがい強くなり加熱室中央部付近で最大となる。そこ
で、加熱室内に設置される被加熱物を加熱室内のE面壁
側に向けて往復移動させることの出来る移動装置を加熱
室底部に設けることで、被加熱物は一定な強度の電界内
に設置された状態と同様の作用を得て均一に加熱される
ようになる。
波管のH面に対しては一定であるが、各導波管のH面と
直角にあたるいわゆるE面に対しては加熱室内のE面壁
側を最小にして、そのE面壁側から垂直方向に離れるに
したがい強くなり加熱室中央部付近で最大となる。そこ
で、加熱室内に設置される被加熱物を加熱室内のE面壁
側に向けて往復移動させることの出来る移動装置を加熱
室底部に設けることで、被加熱物は一定な強度の電界内
に設置された状態と同様の作用を得て均一に加熱される
ようになる。
【0012】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【0013】図1は本発明の高周波発生装置の概念構成
図であり、図2、図3は本発明の高周波発生装置の断面
図である。これらの図において1は被加熱物にマイクロ
波を放射する第1のマグネトロンであり、2は第1のマ
グネトロン1と同じ出力のマイクロ波を放射する第2の
マグネトロンである。3は長手方向の一端のH面壁にこ
の第1のマグネトロン1を取り付けた第1の導波管であ
り、4は長手方向の一端のH面壁に第2のマグネトロン
を取り付け、もう一方の一端を第1の導波管3の第1の
マグネトロン1が装着されていない一端において直交さ
せいわゆるEベンド接続をした第2の導波管である。5
は第1の導波管3と第2の導波管4とのEベンド接続部
に設けられた、被加熱物を設置するための加熱室であ
る。6は電源制御装置であり、7はこの加熱室に被加熱
物を出し入れするための開口、8はこの開口7を開閉自
在に塞ぐためのドアである。9は第1のマグネトロン1
が装着される第1の導波管3のH面壁であり、10は第2
のマグネトロン2が装着される第2の導波管4のH面壁
である。11は加熱室5内に設置される被加熱物であり、
12は第1のマグネトロン1によるマイクロ波で、13は第
2のマグネトロン2によるマイクロ波である。14は第1
のマグネトロン1のマイクロ波12による電界であり、15
は第2のマグネトロン2のマイクロ波13による電界であ
る。16は第1のマグネトロン1のマイクロ波12による電
界14のベクトルであり、17は第2のマグネトロン2のマ
イクロ波13による電界15のベクトルである。18はそれら
電界ベクトル16、17による合成電界ベクトルである。
図であり、図2、図3は本発明の高周波発生装置の断面
図である。これらの図において1は被加熱物にマイクロ
波を放射する第1のマグネトロンであり、2は第1のマ
グネトロン1と同じ出力のマイクロ波を放射する第2の
マグネトロンである。3は長手方向の一端のH面壁にこ
の第1のマグネトロン1を取り付けた第1の導波管であ
り、4は長手方向の一端のH面壁に第2のマグネトロン
を取り付け、もう一方の一端を第1の導波管3の第1の
マグネトロン1が装着されていない一端において直交さ
せいわゆるEベンド接続をした第2の導波管である。5
は第1の導波管3と第2の導波管4とのEベンド接続部
に設けられた、被加熱物を設置するための加熱室であ
る。6は電源制御装置であり、7はこの加熱室に被加熱
物を出し入れするための開口、8はこの開口7を開閉自
在に塞ぐためのドアである。9は第1のマグネトロン1
が装着される第1の導波管3のH面壁であり、10は第2
のマグネトロン2が装着される第2の導波管4のH面壁
である。11は加熱室5内に設置される被加熱物であり、
12は第1のマグネトロン1によるマイクロ波で、13は第
2のマグネトロン2によるマイクロ波である。14は第1
のマグネトロン1のマイクロ波12による電界であり、15
は第2のマグネトロン2のマイクロ波13による電界であ
る。16は第1のマグネトロン1のマイクロ波12による電
界14のベクトルであり、17は第2のマグネトロン2のマ
イクロ波13による電界15のベクトルである。18はそれら
電界ベクトル16、17による合成電界ベクトルである。
【0014】図4は本発明の概念構成図である図1のA
−A′線における断面図であり、19は加熱室5内におい
て被加熱物11を開口7に対して前後に往復移動させるた
めの被加熱物移動装置である。
−A′線における断面図であり、19は加熱室5内におい
て被加熱物11を開口7に対して前後に往復移動させるた
めの被加熱物移動装置である。
【0015】次にこのように構成された実施例の動作を
説明する。図2において、まず、電源制御装置6を作動
させるとマグネトロン1に通電されてマイクロ波12を放
射し、また同じようにマグネトロン2もマイクロ波13を
放射する。マイクロ波12は加熱室5に向けてH面壁9と
垂直な向きに電界14をつくりながら電播し、マイクロ波
13も加熱室5に向けてH面壁10と垂直な向きに電界15を
つくりながら電播する。つまり電界14と電界15はお互い
の向きが直角になるようにつくられるわけである。電界
14のマイクロ波エネルギ−の強度は電界ベクトル16の矢
印の長さであり、この電界ベクトル16は加熱室5内にH
面壁9と垂直な方向で進入する。同じように電界15のマ
イクロ波エネルギ−の強度は電界ベクトル17の矢印の長
さであり、この電界ベクトル17はH面壁10と垂直な方
向、つまりH面壁9と平行な方向で加熱室5内に進入す
る。加熱室5内に電播したマイクロ波12およびマイクロ
波13は加熱室5内でお互いに合流し、電界ベクトル16と
電界ベクトル17がベクトル合成される。ここで合成され
た電界のマイクロ波エネルギ−の強度は、電界ベクトル
16がH面壁9に対して平行であり、また電界ベクトル17
がH面壁9に対して垂直であるのでそれぞれの電界ベク
トル16(垂直電界ベクトル)と電界ベクトル17(水平電
界ベクトル)との和になる。また、導波管3と導波管4
の管長差をλg/4としているので、加熱室5内のマイ
クロ波12とマイクロ波13はそれぞれの位相が異なる。そ
のため、図3に示すように加熱室5内の電界ベクトル16
(垂直電界ベクトル)と電界ベクトル17(水平電界ベク
トル)はお互いに向きが時々刻々と変化するため、合成
される電界ベクトル18に回転が生じる。したがって、加
熱室5内の合成電界は回転電界として、電界の強度を一
定に保持したままで回転するのである。それにより、加
熱室5内全体における電界の強度は回転電界の効果で導
波管3のH面壁9側に対して常に均一となり、加熱室5
内における導波管3のH面壁9側に対して被加熱物11を
均一に加熱することができる。
説明する。図2において、まず、電源制御装置6を作動
させるとマグネトロン1に通電されてマイクロ波12を放
射し、また同じようにマグネトロン2もマイクロ波13を
放射する。マイクロ波12は加熱室5に向けてH面壁9と
垂直な向きに電界14をつくりながら電播し、マイクロ波
13も加熱室5に向けてH面壁10と垂直な向きに電界15を
つくりながら電播する。つまり電界14と電界15はお互い
の向きが直角になるようにつくられるわけである。電界
14のマイクロ波エネルギ−の強度は電界ベクトル16の矢
印の長さであり、この電界ベクトル16は加熱室5内にH
面壁9と垂直な方向で進入する。同じように電界15のマ
イクロ波エネルギ−の強度は電界ベクトル17の矢印の長
さであり、この電界ベクトル17はH面壁10と垂直な方
向、つまりH面壁9と平行な方向で加熱室5内に進入す
る。加熱室5内に電播したマイクロ波12およびマイクロ
波13は加熱室5内でお互いに合流し、電界ベクトル16と
電界ベクトル17がベクトル合成される。ここで合成され
た電界のマイクロ波エネルギ−の強度は、電界ベクトル
16がH面壁9に対して平行であり、また電界ベクトル17
がH面壁9に対して垂直であるのでそれぞれの電界ベク
トル16(垂直電界ベクトル)と電界ベクトル17(水平電
界ベクトル)との和になる。また、導波管3と導波管4
の管長差をλg/4としているので、加熱室5内のマイ
クロ波12とマイクロ波13はそれぞれの位相が異なる。そ
のため、図3に示すように加熱室5内の電界ベクトル16
(垂直電界ベクトル)と電界ベクトル17(水平電界ベク
トル)はお互いに向きが時々刻々と変化するため、合成
される電界ベクトル18に回転が生じる。したがって、加
熱室5内の合成電界は回転電界として、電界の強度を一
定に保持したままで回転するのである。それにより、加
熱室5内全体における電界の強度は回転電界の効果で導
波管3のH面壁9側に対して常に均一となり、加熱室5
内における導波管3のH面壁9側に対して被加熱物11を
均一に加熱することができる。
【0016】また、マイクロ波の特性により、加熱室5
内において導波管3のH面壁9側と直角なE面壁20に対
しては電界の強度が、E面壁20側を最小にしてE面壁側
から離れるにしたがい強くなり加熱室中央部付近で最大
になることから、加熱室内底部に設けた被加熱物移動装
置が被加熱物を各導波管のE面に対してすなわち開口に
向かって接近離反するよう往復移動させることにより、
被加熱物を均一に加熱することができるようになる。そ
の結果、加熱室5内に設置された被加熱物11は、その内
側、外側を一定なエネルギ−のマイクロ波で均一に加熱
されるわけである。さらにドア8が開かれた時には、被
加熱物11が加熱室5内のいかなる位置にあっても、ドア
8の手前つまり開口7際まで被加熱物は自動的に移動し
てくる。
内において導波管3のH面壁9側と直角なE面壁20に対
しては電界の強度が、E面壁20側を最小にしてE面壁側
から離れるにしたがい強くなり加熱室中央部付近で最大
になることから、加熱室内底部に設けた被加熱物移動装
置が被加熱物を各導波管のE面に対してすなわち開口に
向かって接近離反するよう往復移動させることにより、
被加熱物を均一に加熱することができるようになる。そ
の結果、加熱室5内に設置された被加熱物11は、その内
側、外側を一定なエネルギ−のマイクロ波で均一に加熱
されるわけである。さらにドア8が開かれた時には、被
加熱物11が加熱室5内のいかなる位置にあっても、ドア
8の手前つまり開口7際まで被加熱物は自動的に移動し
てくる。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、出力が同
じで位相のことなるそれぞれのマイクロ波を、両者の電
界ベクトルが直角に合成されるように加熱室内へ電播さ
せることにより、加熱室内に強度の一定なマイクロ波エ
ネルギ−の回転電界を発生させることができるととも
に、電界強度の小さい加熱室の内壁側に対して被加熱物
を往復移動させることができるので、被加熱物の均一な
加熱ができ、たとえばブロック状の冷凍食品を内側まで
均一な温度で解凍できるようになった。
じで位相のことなるそれぞれのマイクロ波を、両者の電
界ベクトルが直角に合成されるように加熱室内へ電播さ
せることにより、加熱室内に強度の一定なマイクロ波エ
ネルギ−の回転電界を発生させることができるととも
に、電界強度の小さい加熱室の内壁側に対して被加熱物
を往復移動させることができるので、被加熱物の均一な
加熱ができ、たとえばブロック状の冷凍食品を内側まで
均一な温度で解凍できるようになった。
【図1】本発明の一実施例の概念構成図である。
【図2】本発明の一実施例の断面図である。
【図3】本発明の一実施例の断面図である。
【図4】本発明の一実施例の図1のA−A′断面図であ
る。
る。
1 第1のマグネトロン 2 第2のマグネトロン 3 第1の導波管 4 第2の導波管 5 加熱室 6 電源制御装置 7 開口 8 ドア 9 第1の導波管のH面壁 10 第2の導波管のH面壁 11 被加熱物 12 第1のマグネトロンによるマイクロ波 13 第2のマグネトロンによるマイクロ波 14 第1のマグネトロンのマイクロ波による電界 15 第2のマグネトロンのマイクロ波による電界 16 第1のマグネトロンのマイクロ波による電界ベク
トル 17 第2のマグネトロンのマイクロ波による電界ベク
トル 18 第1のマグネトロンのマイクロ波と第2のマグネ
トロンのマイクロ波とによる合成電界ベクトル 19 被加熱物移動装置 20 第1の導波管のE面壁
トル 17 第2のマグネトロンのマイクロ波による電界ベク
トル 18 第1のマグネトロンのマイクロ波と第2のマグネ
トロンのマイクロ波とによる合成電界ベクトル 19 被加熱物移動装置 20 第1の導波管のE面壁
Claims (1)
- 【請求項1】 第1のマグネトロン(1)と、長手方向
の一端のH面壁にこの第1のマグネトロンを取り付けた
第1の導波管(3)と、第2のマグネトロン(2)と、
長手方向の一端のH面壁にこの第2のマグネトロンを取
り付けるとともに同他端を前記第1の導波管の前記第1
のマグネトロンの設けられた側とは反対側の端部におい
て互いのH面が直交するように接続した第2の導波管
(4)と、前記第1の導波管と前記第2の導波管の接続
部に形成された加熱室(5)と、この加熱室の内外に被
加熱物を出し入れするために前記第1の導波管と前記第
2の導波管の接続部の管壁に開設された開口(7)と、
前記加熱室内において被加熱物を電界のE面に対して直
角な方向に往復移動させるための被加熱物移動装置(1
9)とで構成されていることを特徴とする高周波加熱装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16692197A JPH1116675A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16692197A JPH1116675A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116675A true JPH1116675A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15840131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16692197A Pending JPH1116675A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1116675A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010090120A3 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-09-30 | 株式会社サタケ | マイクロ波加熱装置 |
JP2010540216A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-12-24 | アールエフ サミン テクノロジーズ,インコーポレイテッド | 複数共振構造のプロセス・反応室のための方法および装置 |
US9295968B2 (en) | 2010-03-17 | 2016-03-29 | Rf Thummim Technologies, Inc. | Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16692197A patent/JPH1116675A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010540216A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-12-24 | アールエフ サミン テクノロジーズ,インコーポレイテッド | 複数共振構造のプロセス・反応室のための方法および装置 |
WO2010090120A3 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-09-30 | 株式会社サタケ | マイクロ波加熱装置 |
US9295968B2 (en) | 2010-03-17 | 2016-03-29 | Rf Thummim Technologies, Inc. | Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2215380C2 (ru) | Микроволновая печь и волновод для устройства, использующего высокую частоту излучения | |
KR101495378B1 (ko) | 마이크로파 가열 장치 | |
KR19980017873A (ko) | 전자렌지의 도파관 구조 | |
US9204500B2 (en) | Microwave heating apparatus and processing method | |
JP2000048946A (ja) | 電子レンジ | |
JPWO2016006249A1 (ja) | マイクロ波加熱装置 | |
CN103650637B (zh) | 微波加热装置 | |
JP3064875B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
JPH1116675A (ja) | 高周波加熱装置 | |
WO2013005438A1 (ja) | マイクロ波加熱装置 | |
JP2014044944A (ja) | マイクロ波加熱装置 | |
JPH113774A (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP2004327293A (ja) | 高周波加熱装置 | |
EP3852496A1 (en) | Microwave processing apparatus | |
JPH11135251A (ja) | 電子レンジ | |
JPH113775A (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP4186279B2 (ja) | マイクロ波加熱装置 | |
JP2015162321A (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP4524857B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP3690094B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
JPH07142165A (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP2001153370A (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP5102791B2 (ja) | マイクロ波加熱装置、及びt型導波管 | |
JP2000150137A5 (ja) | ||
JP2000164341A (ja) | 高周波加熱装置 |