DE10208756A1

DE10208756A1 - Halbtonphasenmaske und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number: DE10208756A1
Application number: DE10208756A
Authority: DE
Inventors: Christoph Noelscher; Christof Schilz; Joerg Thiele
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2002-02-28
Filing date: 2002-02-28
Publication date: 2003-10-02

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Halbtonphasenmaske zur Belichtung lichtempfindlicher Schichten, insbesondere bei der Herstellung integrierter Schaltungen mit mindestens zwei räumlich getrennten Bereichen (A, B) auf der Maske (1; 1a; 1b; 3a, 3b; 4a; 4b), von denen der erste Bereich (A) ein Halbtonbereich ist, der für ein ihn durchsetzendes Lichtbündel eine stark reduzierte Transmission und eine phasendrehende Eigenschaft, bezogen auf einen benachbarten zweiten Bereich (b), aufweist, der weitgehend lichttransparent ist. Der erste Bereich (A) bewirkt gegenüber einem ungeätzten Bereich (B) einen Phasenunterschied um einen Winkel, der um eine Winkeldifferenz DELTAPHI von 180 DEG abweicht, und durch Ätzung im benachbarten zweiten Bereich (B) wird ein weiterer Phasenunterschied realisiert, der die Winkeldifferenz zu 180 DEG gegenüber dem ersten Bereich (A) komplementiert.

Description

Die Erfindung betrifft allgemein die Fotolithografie zur Belichtung lichtempfindlicher Schichten, wie sie bei der Herstellung integrierter Schaltungen verwendet wird, und besonders eine Halbtonphasenmaske mit mindestens zwei räumlich getrennten Bereichen auf der Maske, von denen der erste Bereich ein Halbtonbereich ist, der für ein ihn durchsetzendes Lichtbündel eine stark reduzierte Transmission und eine phasendrehende Eigenschaft bezogen auf einen benachbarten zweiten Bereich aufweist, der weitgehend lichttransparent ist, und Verfahren zu deren Herstellung.

In der Fotolithografie insbesondere zur Herstellung von integrierten Schaltungen wird durch Anwendung von Halbtonphasenmasken anstelle von binären ("Crome on Glass")-Masken die nutzbare Auflösung bei der Projektionsabbildung theoretisch um ca. 10% erhöht. Bei den Halbtonphasenmasken handelt es sich um Masken mit gleichmäßig teildurchlässigen Absorbern, wobei Licht, das die volltransparenten Bereiche durchstrahlt, im Stand der Technik mit einer um 180° anderen Phase aus der Maske austritt als Licht, das die teiltransparenten Bereiche durchquert. Eine Abbildung wird bei der Halbtonphasenmaske dadurch erzielt, dass die Halbtonbereiche so viel Licht absorbieren, dass im nachfolgenden Fotolackbelichtungsprozess das Abbild der Halbtonbereiche nicht entwickelt wird. Der Phasensprung erzwingt einen Nulldurchgang der Lichtamplitude und destruktive Interferenz unscharf abgebildeten Lichts im Kantenbereich (C. Nölscher, VDI-Berichte 935 (1991) Seiten 61-80). Dadurch können schnellere und/oder höher integrierte Schaltungen mit wirtschaftlichem Vorteil hergestellt werden. In der Praxis stößt dies bei einem im nahe Ultraviolett (z. B. 157 nm) ausgeführten Fotolithografieprozess auf Schwierigkeiten, da die Maskenabsorber in diesem Wellenlängenbereich bislang noch nicht zur Zufriedenheit hergestellt werden konnten und weil bei der Strukturierung der Schichten entweder das aus Quarz bestehende Maskensubstrat angegriffen wird oder aber zusätzliche Schichten ("etch-stop"-Schichten) eingeführt werden müssen. Diese haben jedoch den bedeutenden Nachteil einer wesentlich komplexeren und daher fehleranfälligen Prozessführung (C. Ykoyama, 2^nd International Symposium on 157 nm Lithography; Mai 2001, Dana Point, USA).

Bei der bisher ausgeführten Fotolithografie im nahen Ultraviolettbereich werden für die Halbtonphasenmasken Mehrfachschichtsysteme verwendet, bei denen die Schichtdicke mindestens einer Schicht mit sehr hoher Genauigkeit hergestellt werden muss. Keine Abhilfe ist gegen die Empfindlichkeiten der Schichten insbesondere beim Trockenätzen und nachfolgenden Reinigungsprozessen bekannt. Deshalb muss entweder mit technisch und damit wirtschaftlich weniger vorteilhaften binären Masken oder mit alternierenden Phasenmasken gearbeitet werden, die in einigen lithografischen Ebenen eine Doppelbelichtung erfordern, die zu einem Durchsatzverlust der teuren Belichtungsgeräte und damit zu wirtschaftlichen Nachteilen führen.

Es ist somit Aufgabe der Erfindung, die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und eine für die Fotolithografie, zum Beispiel im sehr tiefen Ultraviolettwellenlängenbereich, geeignete und kostengünstig herstellbare Halbtonphasenmaske sowie eine alternierende Phasenmaske mit Halbtonabsorber und Herstellungsverfahren dafür anzugeben. Die obige Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst.

Bei erfindungsgemäßen Halbtonphasenmasken und auch bei erfindungsgemäßen alternierenden Phasenmasken wird das bislang geltende Paradigma aufgehoben, wonach die absorbierenden Bereiche sowohl die Phase um ca. 180° gegenüber den volltransparenten Bereichen drehen als auch die Transmission auf den gewünschten Wert bringen müssen.

Demnach sind erfindungsgemäße Halbtonphasenmasken dadurch gekennzeichnet, dass die lichtabsorbierenden Bereiche die Phase gegenüber den volltransparenten Bereichen über die Weglänge der Absorberdicke um einen Winkel drehen, der um eine bestimmte Winkeldifferenz von 180° abweicht und gleichzeitig die Transmission auf den gewünschten Wert bringen. Die fehlende Phasendrehung wird durch eine Phasenverschiebung in den weitgehend transparenten Bereichen auf 180° gebracht.

Für eine alternierende Phasenmaske ist wenigstens ein transparenter Bereich vorgesehen, der eine Phasendrehung um etwa 180° gegenüber einem benachbarten, absorbierenden Halbtonbereich realisiert. Mindestens ein weiterer transparenter Bereich weist eine Phasendrehung um weitere 180° gegenüber dem ebengenannten transparenten Bereich auf. In der Praxis wird der reale Phasenunterschied durch Streueffekte an den Maskenkanten um eine kleine Winkeldifferenz von exakt 180° abweichen, für fotolithografische Prozesse im nahen Ultraviolettwellenlängenbereich (z. B. 157 nm) etwa 5°-10°.

Für erfindungsgemäße Halbtonphasenmasken als auch für erfindungsgemäß hergestellte alternierende Phasenmasken können Maskenblanks verwendet wurden, die entweder aus einem Quarzsubstrat und einer darüber liegenden MoSi-Absorberschicht oder aus einem Quarzsubstrat und einer darüber liegenden Absorberschicht aus Cr + CrOx bestehen.

Vorteilhafterweise können bei einer erfindungsgemäßen Halbtonphasenmaske und der alternierenden Phasenmaske bekannte und beherrschte Materialien und Verfahren verwendet werden. Dabei wird das bisher für Halbtonphasenmasken geltende Paradigma durchbrochen, nachdem der Absorber exakt sowohl die Phasendrehung als auch die Transmission der Halbtonphasenmaske erreichen muss.

Die obigen und weitere vorteilhafte Merkmale werden in der nachstehenden mehrere Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßer Halbtonphasenmasken und alternierender Phasenmasken erläuternden Beschreibung noch deutlicher, die sich auf die beiliegenden Zeichnungsfiguren bezieht. Die Figuren zeigen im Einzelnen:

Fig. 1 einen schematischen Schnitt durch eine erfindungsgemäße Halbtonphasenmaske, an der die erfindungsgemäßen Prinzipien erläutert werden;

Fig. 2A, 2B jeweils schematische Querschnitte zur Erläuterung aufeinander folgender Schritte eines ersten Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für die in Fig. 1 gezeigte Halbtonphasenmaske;

Fig. 3A, 3B schematische Querschnitte durch eine Halbtonphasenmaske, die aufeinander folgende Schritte eines zweiten Ausführungsbeispiels zur Herstellung der in Fig. 1 gezeigten Halbtonphasenmaske erläutern;

Fig. 4A, 4B schematische Querschnitte durch eine Halbtonphasenmaske zur Erläuterung einzelner Schritte eines dritten Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für die in Fig. 1 gezeigte erfindungsgemäße Halbtonphasenmaske;

Fig. 5 schematische Querschnittsdarstellungen, die die aufeinander folgenden Schritte eines ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels eines Herstellverfahrens für eine alternierende Phasenmaske veranschaulichen und

Fig. 6 schematische Querschnittsdarstellungen, die aufeinander folgende Schritte eines einem zweiten Ausführungsbeispiel entsprechenden Herstellverfahrens für eine alternierende Phasenmaske darstellen.

Fig. 1 zeigt eine mit 1 bezeichnete erfindungsgemäße Halbtonphasenmaske in einem schematischen Querschnitt. Erfindungsgemäß weist diese Halbtonphasenmaske 1 wenigstens zwei Bereiche A und B auf. Der erste Bereich A hat für ein hindurchgehendes Lichtbündel eine stark reduzierte Transmission (zum Beispiel < 51%) und dreht die Phase um ca. 180° verglichen mit einem benachbarten zweiten Bereich B, der weitgehend transparent ist (Transmission > 70%).
Die in Fig. 1 schematisch dargestellte Halbtonphasenmaske weist zwei Schichten auf, nämlich ein weitgehend transparentes Substrat 10 und eine darüber liegende Absorberschicht 11. Dem Fachmann ist deutlich, dass eine Halbtonphasenmaske im Allgemeinen nicht nur einen ersten Bereich A und einen zweiten Bereich B hat sondern jeweils eine Vielzahl davon. Zur Bildung der zweiten (weitgehend transparenten) Bereiche B sind Öffnungen 13 durch die Absorberschicht 11 bis in das Substrat 10 hinein geätzt.
Beim Durchgang von Licht durch den Bereich A über die Strecke d_a + d_s ändert sich die Phase des Lichtes um

Δφ = (2π/λ).(n_a.d_a + n_s.d_s).
Beim Durchgang eines Lichtbündels durch den zweiten Bereich B beträgt die Änderung der Phase des Lichts

Δφ = (2π/λ).n_u.(d_a + d_s),

worin n_u den Realteil des Brechungsindex des umgebenden Mediums, n_a den des Materials der Absorberschicht 11 und n_s den Brechungsindex des Substrats 10 angeben.
Der Gangunterschied zwischen den Wegen des Lichtbündels durch den ersten Bereich A und durch den zweiten Bereich B beträgt

Δφ_A,B = (2π/λ).((n_a - n_u).d_a + (n_s - n_u).d_s).
Analoges gilt bei der Berücksichtigung der Imaginärteile der Brechungsindizes, die die Unterschiede in den Absorptionskonstanten bestimmen:
Δα_A,B = i.Δφ_A,B = i.(2π/λ).((ik_a - ik_u).d_a + (ik_s - ik_u ).d_s) = -(2π/λ).((k_a - k_u).d_a + (k_s - k_u)d_s).
Durch Wahl der Dicken d_a und d_s sowie der Materialien des Substrats 10 und der Absorberschicht 11 mit n_a + ik_a und n_s + ik_s wird der gewünschte Transmissionsgrad (6% oder zum Beispiel 25%) sowie die Phasendifferenz (in der Regel π) eingestellt.
Die Fig. 2A und 2B zeigen anhand schematischer Schnittansichten ein erstes Herstellverfahren für eine erfindungsgemäße Halbtonphasenmaske gemäß Fig. 1, wobei Fig. 2A eine erste Alternative mit einer anisotropen Substratätzung im Schritt II und Fig. 2B eine zweite Alternative mit einer isotropen Substratätzung zum Beispiel durch eine Nassätzung im Schritt II veranschaulicht.
Ausgangspunkt ist für beide Alternativen ein Maskenblank 2, welches aus einem Quarzsubstrat 10, einer darüber liegenden Absorberschicht 11, z. B. aus MoSi und einer Resistschicht 12 besteht. Gemäß dem ersten Schritt I wird die Resistschicht 12 entsprechend einem gewünschten Muster strukturiert und die Absorberschicht 11 bis zur Oberfläche des Substrats 10 unter Bildung von Öffnungen 13 geätzt. Im zweiten Schritt II wird die Resistschicht 12 abgelöst und das Substrat 10 unter Bildung der die zweiten Bereiche B definierenden Vertiefungen 13' in Fig. 2A anisotrop mit Trockenätzen und in Fig. 2B isotrop z. B. mit Nassätzen geätzt. Dabei bilden sich mit den Pfeilen 14 veranschaulichte Unterschneidungen der Substratkanten, die bei ideal anisotropen Ätzungen i. A. nicht auftreten. Die schließlich mit dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren hergestellte Halbtonphasenmaske ist in Fig. 2A mit 1a und in Fig. 2B mit 1b bezeichnet.
Die Fig. 3A und 3B zeigen in schematischen Schnittdarstellungen ein zweites Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Halbtonphasenmaske. In einer ersten Alternative, die in Fig. 3A gezeigt ist, wird in Schritt III das Substrat 10 isotrop und im Schritt III gemäß Fig. 3B das Substrat 10 anisotrop geätzt. Ausgangspunkt für das in den Fig. 3A und 3B gezeigte Herstellungsverfahren ist ein Maskenblank 2', das aus einem Substrat 10, einer darüber liegenden Absorberschicht 11, einer über der Absorberschicht 11 liegenden Chromhartmaskenschicht (Cr + CrOx) und einer Resistschicht 12 besteht. In einem ersten Schritt I wird die Resistschicht 12 gemustert, und entsprechend diesem Muster werden mittels anisotroper Ätzung Öffnungen 13 durch die Cr- Schicht 15 und die Absorberschicht 11 bis zur Oberfläche des Substrats, 10 geätzt. In einem zweiten Schritt II werden die so entstandenen Öffnungen 13 inspiziert und die Resistschicht 12 entfernt. In einem dritten Schritt III werden die im Schritt I gebildeten Öffnungen 13 durch Substratätzung mit der Cr-Schicht 15 als Hartmaske unter Bildung der zweiten Bereiche B vertieft. Dabei treten bei der im Schritt III der Fig. 3A dargestellten isotropen Substratätzung Unterschneidungen 14 auf. Schließlich wird die bei der Ätzung des Schritts III als Hartmaske fungierende Cr-Schicht 15 abgelöst, und das Endprodukt ist jeweils eine Halbtonphasenmaske 1a bzw. 1b, die im Wesentlichen jeweils mit den Halbtonphasenmasken 1b und 1a der Fig. 2B und 2A übereinstimmen.
Die Fig. 4A und 4B veranschaulichen in Form schematischer Schnittansichten ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbtonphasenmaske 3a und 3b, wobei die Absorberschicht eine gleichzeitig als Hartmaske dienende Cr + CrOx-Schicht ist. Ausgangspunkt ist dafür ein Maskenblank 2' bestehend aus einem transparenten Quarzsubstrat 10, einer darüber liegenden Absorberschicht 21 aus Cr + CrOx und einer darüber liegenden Resistschicht 12. In einem ersten Prozessschritt I wird die Resistschicht 12 gemustert, und gemäß diesem Muster werden zum Beispiel anisotrop Öffnungen 13 durch die Absorberschicht 21 hindurch bis auf die Oberfläche des Substrats 10 geätzt. In einem dem ersten Schritt I folgenden Schritt Ia wird die Resistschicht 12 entfernt und die Oberfläche der Absorberschicht 21a aus Cr + CrOx zur Erzielung einer geeigneten Transmission angeätzt. Schließlich werden die im Schritt I gebildeten Öffnungen 13 im Schritt II unter Bildung der zweiten Bereiche B in Fig. 4A isotrop und in Fig. 4B anisotrop soweit geätzt, dass die Bereiche B die gewünschte Phasendrehung erzielen. Wieder entstehen durch die isotrope Substratätzung im Schritt II Unterschneidungen 14 des Substrats 10. Das Anätzen des Cr kann ganz oder teilweise auch im Zuge der Ätzung des Quarzsubstrats erfolgen.
Die Fig. 5 und 6 zeigen in Form schematischer Querschnitte Prozessschritte zweier Ausführungsbeispiele von Herstellungsverfahren für alternierende Phasenmasken, bei denen das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip ebenfalls verwendet ist. Ausgangspunkt ist in den Herstellverfahren der Fig. 5 und 6 ein Maskenblank 2 wie es auch den in den Fig. 2A und 2B beschriebenen Herstellverfahren zugrunde lag, das heißt dass auf einem transparenten Quarzsubstrat 10 eine zum Beispiel aus MoSi bestehende Absorberschicht 11 und über dieser Absorberschicht 11 eine Resistschicht 12 liegt. Zunächst wird in einem Schritt I der Fig. 5 die Resistschicht 12 gemustert. Anschließend werden unter Verwendung dieses Musters durch anisotrope Absorberätzung Öffnungen 13 in die Absorberschicht 11 bis zur Oberfläche des Substrats 10 gebildet. Im Schritt II wird die erste Resistschicht 12 abgelöst und ganzflächig eine zweite Resistschicht 12' aufgebracht, die anschließend gemustert wird. In einem zweiten Lithografieschritt und einem Ätzschritt III werden dann an denjenigen Öffnungen 13, die die dritten transparenten Bereiche C bilden sollen, anisotrop Vertiefungen 13' in das Substrat 10 geätzt. Im Schritt IV wird die Resistschicht 12' abgelöst und es erfolgt ein Substratätzschritt V, der die dritten Bereiche C und die zweiten Bereiche D unter Realisierung der gewünschten Transparenz und Phasendrehung in das Substrat 10 hinein vertieft (Öffnungen 13"). Die so entstandene alternierende Phasenmaske 4a weist die absorbierenden ersten Bereiche A, die teiltransparenten zweiten Bereiche B und die dritten Bereiche C auf. Bei dem in Fig. 6 gezeigten zweiten Herstellverfahren einer alternierenden Phasenmaske werden im Schritt I Vertiefungen 13' bis in das Substrat hinein geätzt und zwar soweit, dass die für die zweiten Bereiche B gewünschte Transparenz und Phasendrehung realisiert ist. Dann wird in einem zweiten Schritt II die erste Resistschicht 12 abgelöst und eine zweite Resistschicht 12' aufgebracht, gemustert und belichtet, so dass Öffnungen 13' für die dritten Bereiche C geöffnet werden. Im Schritt III wird das Substrat 10 in den die dritten Bereiche C definierenden Öffnungen weiter geätzt, bis die dadurch gebildeten Vertiefungen 13" die für die dritten Bereiche C gewünschte Transparenz und Phasendrehung haben. Schließlich wird im Schritt IV die zweite Resistschicht 12 abgelöst. Das Endprodukt ist eine alternierende Phasenmaske 4b, die die ersten (absorbierenden) Bereiche A, die zweiten teiltransparenten Bereiche B und die dritten Bereiche C aufweist.
Bei dem in den Fig. 2A und 2B dargestellten ersten Ausführungsbeispiel handelt es sich um eine Halbtonphasenmaske für die 157 nm Lithographie. Die Umgebung besteht aus Stickstoff mit n_u + ik_u = 1. Das Substrat aus Quarz hat n_s + ik_s = 1,6591. Der Absorber (in den Bereichen (A) besteht aus kommerziell erhältlichem MoSi mit n_a + ik_a = 2,52 + 10,50 und der Schichtdicke d_a = 71 nm. Daraus ergibt sich eine Absorption von 94,2% und eine Phasendrehung um 360° + 50,3° gegenüber Luft. Zur Erzielung einer Phasendrehung um 180° ist im Quarz eine Stufe von 193 nm realisiert. In dem in den Fig. 4A und 4B dargestellten Ausführungsbeispiel wurde eine High Transmission Halbtonphasenmaske für die Lithografie bei der Wellenlänge 157 nm hergestellt. Die Umgebung besteht aus Stickstoff mit n_u + ik_u = 1. Das Substrat besteht aus Quarz mit n_s + ik_s = 1,6591. Der Absorber besteht aus kommerziell erhältlichem Chrom mit n_a + ik_a = 1,2 + i1,2. Erfindungsgemäß wurde in den Schritten 1a die Schichtdicke der Absorberschicht auf d_a = 46,8 nm reduziert. Daraus ergibt sich eine Absorption von 80% und eine Phasendrehung um 128,8°. Zur Erzielung einer Phasendrehung um 180° ist im Quarzsubstrat 10 eine Stufe von 99,5 nm realisiert. Bezugszeichenliste 1, 1a, 1b, 3a, 3b Halbtonphasenmasken
4a, 4b alternierende Phasenmasken
2, 2' Maskenblank
10 Quarzsubstrat
11 Absorberschicht
12 Fotoresist
13, 13', 13" Vertiefungen
14 Unterschneidungen des Substrats
d_a, d_s Dicken
A, B, C erster, zweiter, dritter Bereich

Claims

1. Halbtonphasenmaske zur Projektionsbelichtung lichtempfindlicher Schichten, insbesondere bei der Herstellung integrierter Schaltungen mit mindestens zwei räumlich getrennten Bereichen (A, B) auf der Maske (1; 1a, 1b; 3a, 3b; 4a; 4b), von denen der erste Bereich (A) ein Halbtonbereich ist, der für ein ihn durchsetzendes Lichtbündel eine stark reduzierte Transmission und eine phasendrehende Eigenschaft bezogen auf einen benachbarten zweiten Bereich (B) aufweist, der weitgehend lichttransparent ist, dadurch gekennzeichnet, beim Lichtdurchgang durch die Wegstrecke der Absorberdicke im ersten Bereich (A) eine Phasendrehung gegenüber einem Lichtdurchgang durch die entsprechende gleiche Wegstrecke im benachbarten transparenten Bereich (B) auftritt, die um eine Winkeldifferenz Δφ von 180° abweicht, die durch Gangunterschied im Substratbereich von -Δφ modulo Vielfachen von 360° zu 180° komplementiert wird.

2. Halbtonphasenmaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für eine alternierende Phasenmaske mit Halbtonabsorber wenigstens ein transparenter dritter Bereich (C) vorgesehen ist, der eine Phasendrehung um etwa 180° gegenüber dem zweiten Bereich (B) realisiert.

3. Halbtonphasenmaske nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Belichtung im nahen UV-Bereich, die Winkeldifferenz Δφ mindestens 5° beträgt.

4. Verfahren zur Herstellung einer Halbtonphasenmaske in Übereinstimmung mit Anspruch 1, gekennzeichnet durch die nachstehenden aufeinander folgenden Schritte:

A) in ein aus einem transparenten Substrat (10) und einer darüber liegenden Absorberschicht (11; 21) bestehendes unbearbeitetes Maskenblank (2; 2') werden maskenlithografisch und maskenätztechnisch Öffnungen (13) durch die Absorberschicht (11) bis zur Oberfläche des Substrats (10) erzeugt, und

B) anschließend werden diese Öffnungen (13') in das Substrat (10) bis zu einer die erforderliche Phasendrehung des zweiten Bereichs (B) realisierende Tiefe vertieft.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Maskenblank (2) aus einem Quarzsubstrat und aus einer Absorberschicht (11) aus MoSi besteht.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Maskenblank (2') über der Absorberschicht (11) eine im zweiten Schritt (II) als Hartmaske fungierende Schicht, zum Beispiel Chromschicht (15), aufweist, die in einem dem zweiten Schritt (II) folgenden dritten Schritt (III) entfernt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Maskenblank (2') aus einem transparenten Quarzsubstrat (10) und einer, zum Beispiel aus Cr + CrOx bestehenden Absorberschicht (21, 21a) besteht und dass im ersten Schritt (I) unmittelbar ein Verdünnungsschritt (Ia) folgt, durch den die Absorberschicht (21, 21a) bis zur Realisierung des gewünschten Transmissionsgrads des ersten Bereichs (A) verdünnt wird.

8. Verfahren zur Herstellung einer alternierenden Phasenmaske in Übereinstimmung mit Anspruch 2, gekennzeichnet durch die nachstehenden aufeinander folgenden Schritte:

A) in ein aus einem Substrat (10) und einer darüber liegenden Schicht (11) aus Absorbermaterial bestehendes unbearbeitetes Maskenblank (2) werden maskenlithografisch und maskenätztechnisch Öffnungen durch die Absorberschicht (11) bis zur Oberfläche des Substrats (10) erzeugt und dann der Resist und Ätzreste entfernt;

B) Bereiche auf dem Maskenblank, die die später zu bildenden ersten und zweiten Bereiche (A, B) definieren, werden abgedeckt;

C) die nicht abgedeckten Öffnungen werden zur Bildung der dritten Bereiche (C) in das Substrat (10) hinein vertieft;

D) die im zweiten Schritt (II) angebrachte Abdeckung (12') wird entfernt; und

E) alle Öffnungen werden weiter in das Substrat (10) hinein vertieft, um die geforderte Transparenz und die Phasendrehung der zweiten und dritten Bereiche (B, C) zu realisieren.

9. Verfahren zur Herstellung einer alternierenden Phasenmaske in Übereinstimmung mit Anspruch 2, gekennzeichnet durch die nachstehenden aufeinander folgenden Schritte:

A) in ein aus einem Substrat (10) und einer darüber liegenden Absorberschicht (11) bestehendes Maskenblank (2) werden durch Lithografie und Ätzung Öffnungen (13') durch die Absorberschicht (11) und in die Substratoberfläche bis zu einer die geforderte Phasendrehung der zweiten Bereiche (B) realisierende Tiefe erzeugt;

B) auf dem so bearbeiteten Maskenwerkstück werden Bereiche, die später die ersten Bereiche (A) und die zweiten Bereiche (B) definieren, abgedeckt;

C) die im zweiten Schritt (II) nicht abgedeckten freiliegenden Öffnungen (13") werden in das Substrat (10) hinein so weit vertieft, dass sie die für die transparenten dritten Bereiche (C) geforderte Transparenz und Phasendrehung haben, und

D) die im zweiten Schritt (II) aufgebrachte Abdeckung (12') wird entfernt.

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) aus Quarz und die Absorberschicht (11) aus MoSi besteht.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass über dem Halbtonabsorber eine Hartmaske verwendet wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Hartmaske aus Cr + CrOx besteht.