JPH04254855A - ホトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
ホトマスクおよびその製造方法Info
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- JPH04254855A JPH04254855A JP3016345A JP1634591A JPH04254855A JP H04254855 A JPH04254855 A JP H04254855A JP 3016345 A JP3016345 A JP 3016345A JP 1634591 A JP1634591 A JP 1634591A JP H04254855 A JPH04254855 A JP H04254855A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 abstract 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に用
いるホトマスク、特に照明光の位相を変える処理を施し
たホトマスク、およびその製造方法に関する。
いるホトマスク、特に照明光の位相を変える処理を施し
たホトマスク、およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】マスクパタンを転写する露光装置の解像
力を向上させる従来技術の一つとして、マスク透過光に
位相差を導入する方法が有る。例えば特公昭62−50
811 号では、不透明部をはさむ両側の光透過部の少
なくとも一方に位相を変える透明膜(以後シフタとよぶ
)を形成している。この方法によれば従来と同一のレン
ズで解像度を格段に高めることができる。しかし、この
方法は隣接する開口部が互いに分離しているときにのみ
有効であり、隣接する開口部がある部分で接続している
場合は、上記接続部分にシフタ端ができてしまい、この
部分で光強度はほぼ0になり、パタンが分離してしまう
。この欠点を解決する方法として、特開平2−3485
4号では、上記シフタ端部での0°から180°までの
位相変化を連続または段階的に変化させ、急激な位相変
化による光強度低下を防止している。また、連続または
段階的な位相変化を実現する方法として、シフタまたは
マスク基板を連続または段階的にエッチングする方法を
開示している。 この実施例においては、ホトレジストをマスクとしてシ
フタあるいはマスク基板をエッチングする工程を何回か
繰り返して行なう方法、シフタの被着とエッチングを繰
り返しながらシフタの膜厚を徐々に厚くする方法などが
開示されている。
力を向上させる従来技術の一つとして、マスク透過光に
位相差を導入する方法が有る。例えば特公昭62−50
811 号では、不透明部をはさむ両側の光透過部の少
なくとも一方に位相を変える透明膜(以後シフタとよぶ
)を形成している。この方法によれば従来と同一のレン
ズで解像度を格段に高めることができる。しかし、この
方法は隣接する開口部が互いに分離しているときにのみ
有効であり、隣接する開口部がある部分で接続している
場合は、上記接続部分にシフタ端ができてしまい、この
部分で光強度はほぼ0になり、パタンが分離してしまう
。この欠点を解決する方法として、特開平2−3485
4号では、上記シフタ端部での0°から180°までの
位相変化を連続または段階的に変化させ、急激な位相変
化による光強度低下を防止している。また、連続または
段階的な位相変化を実現する方法として、シフタまたは
マスク基板を連続または段階的にエッチングする方法を
開示している。 この実施例においては、ホトレジストをマスクとしてシ
フタあるいはマスク基板をエッチングする工程を何回か
繰り返して行なう方法、シフタの被着とエッチングを繰
り返しながらシフタの膜厚を徐々に厚くする方法などが
開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、同一透過部内で位相反転をしてもその境界部で光強
度が低下しないようにして、複雑なパタンへのシフタ配
置の制限を緩和している。しかし、上記従来法による連
続または段階的な位相の変化方法は、リソグラフィー工
程あるいはエッチング工程、またはシフタの被着工程等
を何回も繰返し行なう必要が有り、マスク作製工程が複
雑となり、欠陥の発生や異物の付着により、工業的に使
用できるマスクの作製が極めて困難で有った。
は、同一透過部内で位相反転をしてもその境界部で光強
度が低下しないようにして、複雑なパタンへのシフタ配
置の制限を緩和している。しかし、上記従来法による連
続または段階的な位相の変化方法は、リソグラフィー工
程あるいはエッチング工程、またはシフタの被着工程等
を何回も繰返し行なう必要が有り、マスク作製工程が複
雑となり、欠陥の発生や異物の付着により、工業的に使
用できるマスクの作製が極めて困難で有った。
【0004】本発明の課題は、簡単な方法で連続または
段階的に位相を変化させる手段を提供することにある。
段階的に位相を変化させる手段を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題は、シフタの境
界部分を収束イオンビームを用いて加工することにより
達成できる。シフタのエッチング深さの制御は、イオン
ビームの走査回数を変えることで行なう。シフタの境界
部からシフタ側にイオンビームの走査回数を徐々に減ら
しながらエッチングを実行することにより、ほぼ連続的
にシフタ膜厚を変えることができる。
界部分を収束イオンビームを用いて加工することにより
達成できる。シフタのエッチング深さの制御は、イオン
ビームの走査回数を変えることで行なう。シフタの境界
部からシフタ側にイオンビームの走査回数を徐々に減ら
しながらエッチングを実行することにより、ほぼ連続的
にシフタ膜厚を変えることができる。
【0006】
【作用】収束イオンビームを部分的なシフタの膜厚制御
に適用することにより、リソグラフィー工程が不要とな
る。更に1工程で連続的な位相変化の処理が終了するた
め、従来法に比べ大幅な工程の簡略化が達成できる。従
来法で連続的な位相変化を実現するには、リソグラフィ
ー工程を膨大な回数で繰り返す必要があり、実用は困難
である。
に適用することにより、リソグラフィー工程が不要とな
る。更に1工程で連続的な位相変化の処理が終了するた
め、従来法に比べ大幅な工程の簡略化が達成できる。従
来法で連続的な位相変化を実現するには、リソグラフィ
ー工程を膨大な回数で繰り返す必要があり、実用は困難
である。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
図1は本発明を適用したマスク内の開口パタンを示す図
である。図1(a)はシフタ被着前のマスクを示す図。 1,2,3は光透過部。図1(b)はシフタ配置後のマ
スクを示す図である。隣合う光透過部の位相が互いに反
転するように、光透過部1の一部と、光透過部3にそれ
ぞれシフタ4,5を配置した。このようにシフタを配置
すると、光透過部1内にシフタの境界部6ができてしま
う。シフタの境界部6は光透過部にも係らず、位相の反
転により光強度は0となる。したがって、このマスクを
用いパタンを転写すると6の部分でパタンが分離してし
まう。
である。図1(a)はシフタ被着前のマスクを示す図。 1,2,3は光透過部。図1(b)はシフタ配置後のマ
スクを示す図である。隣合う光透過部の位相が互いに反
転するように、光透過部1の一部と、光透過部3にそれ
ぞれシフタ4,5を配置した。このようにシフタを配置
すると、光透過部1内にシフタの境界部6ができてしま
う。シフタの境界部6は光透過部にも係らず、位相の反
転により光強度は0となる。したがって、このマスクを
用いパタンを転写すると6の部分でパタンが分離してし
まう。
【0008】図1(c)に本発明のマスクを示す。シフ
タ4の7の領域に収束イオンビームを照射し、8の部分
から6の部分にかけてシフタの膜厚を徐々に薄くし、6
の部分でシフタの膜厚を0にした。このマスクを用いパ
タンを転写した結果、パタン1内でのパタンの分離は発
生しなかった。
タ4の7の領域に収束イオンビームを照射し、8の部分
から6の部分にかけてシフタの膜厚を徐々に薄くし、6
の部分でシフタの膜厚を0にした。このマスクを用いパ
タンを転写した結果、パタン1内でのパタンの分離は発
生しなかった。
【0009】図1(c)A−A´部分の断面図を示す図
2を用いて本発明の実施例を詳しく説明する。9がガラ
ス基板、10が収束イオンビームでシフタを加工する際
に基板の削れを防止するためのストッパ膜。ここでは、
ITO(Indium Tin Oxide)を用いた
。このストッパ膜は収束イオンビームでのエッチングの
終点判定に利用することも可能である。ストッパ膜9は
ITO膜に限らず、本発明の目的に合った材料であれば
良い。たとえば、Mo,Ta,Nb,Ti,V,W,Z
n,Au,ネサ膜等のような透明導電薄膜や、Si3N
4,Al2O3,CaO,MgO,SiO2,CeO2
,TiO2等も用いることができる。またガラス基板が
エッチングストッパの役目をする場合は、特に必要はな
い。11は遮光膜、12はシフタである。
2を用いて本発明の実施例を詳しく説明する。9がガラ
ス基板、10が収束イオンビームでシフタを加工する際
に基板の削れを防止するためのストッパ膜。ここでは、
ITO(Indium Tin Oxide)を用いた
。このストッパ膜は収束イオンビームでのエッチングの
終点判定に利用することも可能である。ストッパ膜9は
ITO膜に限らず、本発明の目的に合った材料であれば
良い。たとえば、Mo,Ta,Nb,Ti,V,W,Z
n,Au,ネサ膜等のような透明導電薄膜や、Si3N
4,Al2O3,CaO,MgO,SiO2,CeO2
,TiO2等も用いることができる。またガラス基板が
エッチングストッパの役目をする場合は、特に必要はな
い。11は遮光膜、12はシフタである。
【0010】ここでシフタ12は塗布珪素化合物を用い
たがこれに限らない。たとえば、酸化シリコン膜,窒化
シリコン膜,感光性樹脂などの有機膜など、露光光の透
過率が高く、収束イオンビームでエッチング可能な材料
であれば他の材料でも使用できる。
たがこれに限らない。たとえば、酸化シリコン膜,窒化
シリコン膜,感光性樹脂などの有機膜など、露光光の透
過率が高く、収束イオンビームでエッチング可能な材料
であれば他の材料でも使用できる。
【0011】収束イオンビームはビームサイズを0.1
×0.1μmとし、1回のビーム走査で塗布珪素化合物
が約15nmの深さにエッチングできるようにした。塗
布珪素化合物の膜厚は約420nmなので、28回の走
査で除去が終了する。ここでは、シフタの8から6の領
域を28分割し、6に接する分割部分では28回、8に
接する分割部分では1回のイオンビーム走査になるよう
に、6から8にかけて徐々に走査回数を減らした。1つ
の分割部分の幅、すなわち領域7の幅が、パタン転写の
際の領域7の部分の光強度に影響する。
×0.1μmとし、1回のビーム走査で塗布珪素化合物
が約15nmの深さにエッチングできるようにした。塗
布珪素化合物の膜厚は約420nmなので、28回の走
査で除去が終了する。ここでは、シフタの8から6の領
域を28分割し、6に接する分割部分では28回、8に
接する分割部分では1回のイオンビーム走査になるよう
に、6から8にかけて徐々に走査回数を減らした。1つ
の分割部分の幅、すなわち領域7の幅が、パタン転写の
際の領域7の部分の光強度に影響する。
【0012】図3に領域7の幅と、パタン転写の際に得
られる光強度の最小値の関係を示した。この時使用した
1/10縮小投影露光装置のレンズのNAは0.42
で露光光は365nmである。ここで、光強度は光透過
部の強度を1とし相対値で示した。また、領域7の幅は
10倍マスク上での寸法とした。したがって、1/5縮
小投影露光装置用5倍マスクの場合は、1/2の寸法と
なる。
られる光強度の最小値の関係を示した。この時使用した
1/10縮小投影露光装置のレンズのNAは0.42
で露光光は365nmである。ここで、光強度は光透過
部の強度を1とし相対値で示した。また、領域7の幅は
10倍マスク上での寸法とした。したがって、1/5縮
小投影露光装置用5倍マスクの場合は、1/2の寸法と
なる。
【0013】図から明らかなように、領域7の幅が6μ
mでは相対光強度が0.5 となり、光強度が低下して
いることがわかる。領域7の幅14μm以上で相対光強
度がほぼ1となり光強度の低下が防止できることがわか
る。すなわち1つの分割部分の幅を0.5μm とし、
28段階に8から6まで徐々にシフタを薄くし、位相を
徐々に変化させることにより、位相反転に伴う光強度低
下を防止することができる。なお、本実施例で用いた収
束イオンビームの条件を変えて同様のエッチングを行な
った結果、同様に領域7の幅が約14μm以上で光強度
の低下を防止できた。例えば1回のイオンビームの走査
での塗布珪素化合物のエッチング深さを20nmに調整
したときは、21分割とし1分割の幅を約0.67μm
に設定した。
mでは相対光強度が0.5 となり、光強度が低下して
いることがわかる。領域7の幅14μm以上で相対光強
度がほぼ1となり光強度の低下が防止できることがわか
る。すなわち1つの分割部分の幅を0.5μm とし、
28段階に8から6まで徐々にシフタを薄くし、位相を
徐々に変化させることにより、位相反転に伴う光強度低
下を防止することができる。なお、本実施例で用いた収
束イオンビームの条件を変えて同様のエッチングを行な
った結果、同様に領域7の幅が約14μm以上で光強度
の低下を防止できた。例えば1回のイオンビームの走査
での塗布珪素化合物のエッチング深さを20nmに調整
したときは、21分割とし1分割の幅を約0.67μm
に設定した。
【0014】
【発明の効果】本発明により、光透過部内でのシフタ境
界の配置が可能となり、複雑なパタンに位相シフト法を
適用する際に問題になっていた、シフタ配置の不都合を
一部回避することが可能となり、位相シフト法の適用範
囲を大幅に広げることができる。これにより、超LSI
の製造を光リソグラフィーを用い実現することが可能と
なり、工業的に極めて有益である。
界の配置が可能となり、複雑なパタンに位相シフト法を
適用する際に問題になっていた、シフタ配置の不都合を
一部回避することが可能となり、位相シフト法の適用範
囲を大幅に広げることができる。これにより、超LSI
の製造を光リソグラフィーを用い実現することが可能と
なり、工業的に極めて有益である。
【図1】従来法および本発明のマスクの平面図。
【図2】本発明のマスクの断面図。
【図3】本発明の条件を示すグラフ。
1,2,3…光透過部、4,5,12……シフタ、6…
…シフタ境界部、11……遮光膜、10……エッチング
ストッパ、
…シフタ境界部、11……遮光膜、10……エッチング
ストッパ、
Claims (4)
- 【請求項1】ホトマスクの光透過部の一部に透過光の位
相をおよそ180°反転させる位相シフタを配置したい
わゆる位相シフトマスクに於いて、収束イオンビームを
用いて同一透過部内で位相差を連続または段階的に変化
させる部分の形成のための加工を行なうことを特徴とす
るホトマスクの製造方法。 - 【請求項2】同一透過部内で位相差を連続または段階的
に変化させる位相差の範囲がおよそ0°から180°の
範囲であることを特徴とする請求項1のホトマスクの製
造方法。 - 【請求項3】位相差を連続または段階的に変化させる部
分の加工工程が、収束イオンビームの走査回数を場所に
よって変える工程から成ることを特徴とする請求項1の
ホトマスクの製造方法。 - 【請求項4】請求項1、あるいは請求項2の方法で作ら
れたホトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3016345A JPH04254855A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | ホトマスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3016345A JPH04254855A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | ホトマスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04254855A true JPH04254855A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11913799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3016345A Pending JPH04254855A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | ホトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04254855A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06222547A (ja) * | 1991-05-09 | 1994-08-12 | Gold Star Electron Co Ltd | 位相反転マスクの製造方法 |
US5415951A (en) * | 1992-04-27 | 1995-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask comprising a phase shifter with a stepped edge |
US5487962A (en) * | 1994-05-11 | 1996-01-30 | Rolfson; J. Brett | Method of chromeless phase shift mask fabrication suitable for auto-cad layout |
US5672450A (en) * | 1994-05-11 | 1997-09-30 | Micron Technology, Inc. | Method of phase shift mask fabrication comprising a tapered edge and phase conflict resolution |
US5759724A (en) * | 1997-03-31 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Method for making multi-phase, phase shifting masks |
WO2014171510A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、及び位相シフトマスクの製造装置 |
WO2014171512A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3016345A patent/JPH04254855A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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