JPH11150440A - フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造 - Google Patents

フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造

Info

Publication number
JPH11150440A
JPH11150440A JP31319197A JP31319197A JPH11150440A JP H11150440 A JPH11150440 A JP H11150440A JP 31319197 A JP31319197 A JP 31319197A JP 31319197 A JP31319197 A JP 31319197A JP H11150440 A JPH11150440 A JP H11150440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
acoustic wave
surface acoustic
substrate
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31319197A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Otake
健一 大竹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP31319197A priority Critical patent/JPH11150440A/ja
Publication of JPH11150440A publication Critical patent/JPH11150440A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大気中の水分が封止樹脂内にある基板の実装
面と表面弾性波素子の機能面との間に形成した気密空間
部へ侵入することがなく、結露した水分が櫛形電極に付
着せず、電気的短絡が生じず、ハロゲンガスが気密空間
部へ侵入することがなく、薄型化できるフリップチップ
実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造を提供する。 【解決手段】 表面弾性波素子をバンプを介して基板に
接続し、表面弾性波素子の機能面上の櫛形電極と基板と
の間に空間部を保った状態で、表面弾性波素子の機能面
と基板が形成する空間部の外周を封止樹脂で覆い、封止
樹脂と表面弾性波素子の側面と裏面、及び基板上の封止
樹脂が塗布された外周部に防水樹脂を塗布したことを特
徴とする。また、封止樹脂は、ハロゲンガスを含有しな
いものから選ばれる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ実
装した表面弾性波素子に関し、特にその樹脂封止構造に
関する。
【0002】
【従来の技術】表面弾性波素子は、特に高周波の帯域通
過フィルタ、遅延素子として利用されている。また、表
面弾性波素子は、LCフィルタよりも小型化できるの
で、携帯電話などの携帯型電子機器で用いられている。
従って、屋外で使用されることを想定しなければなら
ず、耐環境性が要求されている。
【0003】従来の表面弾性波素子の樹脂封止構造につ
いて、図面を参照して詳細に説明する。
【0004】従来の表面弾性波素子の樹脂封止構造の第
1の例として、図2に示す構造がある。この樹脂封止構
造は、アルミニウム配線の櫛形電極3が形成された表面
弾性波素子2の機能面を基板1に対向させ、基板側パッ
ド5bと表面弾性波素子側パッド5a間をバンプ(bum
p;突起物)4を介して接合することにより、表面弾性波
素子2と基板1を電気的に接続し、さらに封止樹脂6で
表面弾性波素子2の裏面全体と表面弾性波素子2の周囲
から基板1に達するように樹脂6で覆うことで、表面弾
性波素子2の櫛形電極3部分に空間を形成している。
【0005】従来の樹脂封止構造に関する第2の例とし
て、特開平6−151977号公報に示される樹脂封止
構造がある。この樹脂封止構造では、凹部が形成された
樹脂基板に光学素子が搭載され、Au線のワイヤボンド
により、樹脂基板と光学素子とが電気的に接続され、凹
部が透光性樹脂で充填され、光学素子とワイヤを保護さ
れ、さらに透光性樹脂の表面、及び樹脂基板と保護用透
光性樹脂の界面が防湿用樹脂で覆われている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の図2に示す構造
の問題点は、信頼性が低いことである。
【0007】それは、封止樹脂6が吸った水分が基板1
の実装面と表面弾性波素子2の機能面との間の空間に侵
入し、櫛形電極に付着することで、電気的短絡が生じた
り、水分中に含まれるイオン等により電極の腐食が発生
するからである。
【0008】また、特開平6−151977号公報に示
す樹脂封止構造の問題点は薄型化が困難なことである。
【0009】それは、防水樹脂封止を高さ方向に2重構
造としなければならないからである。
【0010】そこで本発明は、大気中の水分が封止樹脂
内にある基板の実装面と表面弾性波素子の機能面との間
に形成した気密空間部へ侵入することがなく、結露した
水分が櫛形電極に付着せず、電気的短絡が生じないフリ
ップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造を提供
することを目的とする。
【0011】また本発明は、ハロゲンイオンによる櫛形
電極腐食が生じないフリップチップ実装型表面弾性波素
子の樹脂封止構造を提供することを目的とする。
【0012】更に本発明は、表面弾性波素子実装品の薄
型化が実現できるフリップチップ実装型表面弾性波素子
の樹脂封止構造を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によるフリップチ
ップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造は、表面弾性
波素子をバンプを介して基板に接続し、前記表面弾性波
素子の機能面上の櫛形電極と前記基板との間に空間部を
保った状態で、前記表面弾性波素子の前記機能面と前記
基板が形成する前記空間部の外周を封止樹脂で覆い、前
記封止樹脂と前記表面弾性波素子の側面と裏面、及び前
記基板上の前記封止樹脂が塗布された外周部に防水樹脂
を塗布したことを特徴とする。
【0014】また、本発明によるフリップチップ実装型
表面弾性波素子の樹脂封止構造は、上記のフリップチッ
プ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造において、前記
封止樹脂はエポキシ樹脂又はシリコン樹脂から選ばれる
ことを特徴とする。
【0015】更に、本発明によるフリップチップ実装型
表面弾性波素子の樹脂封止構造は、上記のフリップチッ
プ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造において、前記
封止樹脂はハロゲンイオンを含有しないことを特徴とす
る。
【0016】更に、本発明によるフリップチップ実装型
表面弾性波素子の樹脂封止構造は、上記のフリップチッ
プ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造において、前記
防水樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリルから選ばれるこ
とを特徴とする。
【0017】更に、本発明によるフリップチップ実装型
表面弾性波素子の樹脂封止構造は、上記のフリップチッ
プ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造において、前記
基板と前記表面弾性波素子との距離は、前記封止樹脂を
覆うときに、前記封止樹脂が前記櫛形電極に接触しない
程度に短いことを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の
フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造を
示している。表面弾性波素子2の機能面上の素子側パッ
ド5aと基板1上の基板側パッド5bはバンプ4を介し
て接続されている。表面弾性波素子2と基板1が形成す
る空間部の外周は、封止樹脂6の量を調整することによ
り櫛形電極3に接しないように覆われている。さらに、
防水樹脂7が、封止樹脂6と表面弾性波素子2の側面と
裏面全体、及び基板1上の封止樹脂6が塗布された部分
の周縁部を覆う構造となっている。
【0019】
【実施例】次に本発明のフリップチップ実装型表面弾性
波素子の樹脂封止構造に関し、実施例を図面を参照して
詳細に説明する。
【0020】表面弾性波素子2の機能面には、素子側パ
ッド5a、及び櫛形電極3が形成されている。櫛形電極
3は、表面弾性素子2に表面弾性波を発生させる部分で
あり、この櫛形電極3上に空間部分が形成されることが
表面弾性波の特性を得る上で必要である。
【0021】また、素子側パッド5a上にはバンプ4を
形成し、バンプ4を基板側パッド5bに接続すること
で、表面弾性波素子2は基板1と電気的に接続される。
上面から見るとバンプ4は離散的に配置されている。バ
ンプ4としては金ワイヤを溶融し、ボール状にした後、
熱と超音波により形成するスタッドバンプ、または微細
な半田ボールを素子側パッド5aに搭載し、溶融して形
成する半田バンプがある。次に表面弾性波素子2を反転
し、基板1の基板側パッド5bが形成された実装面と表
面弾性波素子2の機能面を対向させ、実装するバンプ4
がスタッドバンプの場合は、熱、または熱と超音波を併
用して、金めっきが施された基板側パッド5bに加圧す
る。バンプ4が半田バンプの場合は、窒素雰囲気中でフ
ラックスレスで半田を溶融することでバンプ4を基板側
パッド5bに接続する。この際、基板1と表面弾性波素
子2間の空間部の高さが低くなるようにバンプ4の高さ
を低くすることで、樹脂封止時に、空間部に樹脂の入り
込む量を抑えることができる。こうすることにより封止
樹脂6が櫛形電極3に接触することを防止することがで
きる。
【0022】次に封止樹脂6を表面弾性波素子2の外周
部へ塗布する。上面から見ると封止樹脂6はバンプのあ
る部分のみならず無い部分も含めてそれらの周縁部、す
なわち、表面弾性波素子2の周縁部の下側に連続的に形
成される。封止樹脂6としてはエポキシ樹脂やシリコン
樹脂などを使用する。但し、ハロゲンイオンを含有しな
いエポキシ樹脂やシリコン樹脂を選択する。塗布方法と
しては、実装された表面弾性波素子2の側面に封止樹脂
6が接するようにディスペンサで定量塗布するか、印刷
で塗布する方法をとる。封止樹脂6の塗布する量を制御
することにより、櫛形電極3に封止樹脂6が接触しない
ようにする。
【0023】さらに防水樹脂7を封止樹脂6の外周、表
面弾性波素子2の側面と裏面全体、及び基板1上の封止
樹脂6が塗布された部分の周縁を覆うようにディスペン
サー、もしくは印刷で塗布する。防水樹脂7は、大気中
の水分が基板1の実装面と表面弾性波素子2の機能面が
対向して形成する空間部分へ侵入することを防止するも
ので、防水効果が高いエポキシ樹脂やアクリル樹脂であ
り、さらに硬化時にボイド発生しにくい無溶剤タイプで
封止樹脂6との密着が良い特徴を有する。防水樹脂7は
ハロゲンイオンを含有していてもよい。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
封止樹脂の表面は防水樹脂で覆われているため、大気中
の水分が封止樹脂内にある基板の実装面と表面弾性波素
子の機能面との間に形成した気密空間部へ侵入すること
がなく、結露した水分が櫛形電極に付着せず、電気的短
絡が生じない。また、封止樹脂はハロゲンイオンを含有
しないタイプであり、ハロゲンイオンによる櫛形電極腐
食が生じない。従って、本発明によるフリップチップ実
装型表面弾性波素子の樹脂封止構造は、信頼性が高い。
【0025】また、本発明によれば、表面弾性波素子の
裏面に、防水樹脂が塗布された構造になっているため表
面弾性波素子実装品の薄型化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態によるフリップチップ実装型
表面弾性波素子の樹脂封止構造を示す断面図である。
【図2】従来例によるフリップチップ実装型表面弾性波
素子の樹脂封止構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 表面弾性波素子 3 櫛形電極 4 バンプ 5a 素子側パッド 5b 基板側パッド 6 封止樹脂 7 防水樹脂

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面弾性波素子をバンプを介して基板に
    接続し、前記表面弾性波素子の機能面上の櫛形電極と前
    記基板との間に空間部を保った状態で、前記表面弾性波
    素子の前記機能面と前記基板が形成する前記空間部の外
    周を封止樹脂で覆い、前記封止樹脂と前記表面弾性波素
    子の側面と裏面、及び前記基板上の前記封止樹脂が塗布
    された外周部に防水樹脂を塗布したことを特徴とするフ
    リップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のフリップチップ実装型
    表面弾性波素子の樹脂封止構造において、前記封止樹脂
    はエポキシ樹脂又はシリコン樹脂から選ばれることを特
    徴とするフリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封
    止構造。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載のフリップチップ
    実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造において、前記封
    止樹脂はハロゲンイオンを含有しないことを特徴とする
    フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の
    フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造に
    おいて、前記防水樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリルか
    ら選ばれることを特徴とするフリップチップ実装型表面
    弾性波素子の樹脂封止構造。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の
    フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造に
    おいて、前記基板と前記表面弾性波素子との距離は、前
    記封止樹脂を覆うときに、前記封止樹脂が前記櫛形電極
    に接触しない程度に短いことを特徴とするフリップチッ
    プ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造。
JP31319197A 1997-11-14 1997-11-14 フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造 Pending JPH11150440A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31319197A JPH11150440A (ja) 1997-11-14 1997-11-14 フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31319197A JPH11150440A (ja) 1997-11-14 1997-11-14 フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11150440A true JPH11150440A (ja) 1999-06-02

Family

ID=18038205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31319197A Pending JPH11150440A (ja) 1997-11-14 1997-11-14 フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11150440A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003084061A1 (fr) * 2002-03-29 2003-10-09 Fujitsu Media Devices Limited Procede de montage d'un element a onde acoustique de surface, dispositif a onde acoustique de surface et element a onde acoustique de surface sous enveloppe de resine
KR20040015688A (ko) * 2002-08-13 2004-02-19 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성파 장치 및 그 제조 방법
KR100431181B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
KR100431180B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
KR100431182B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법
JP2006311183A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007104458A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Ube Ind Ltd 薄膜圧電共振子デバイスおよびその製造方法
US7348263B2 (en) 2005-03-01 2008-03-25 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for electronic component, electronic component, and electronic equipment
KR100957404B1 (ko) 2007-10-12 2010-05-11 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법
CN109939875A (zh) * 2019-03-11 2019-06-28 哈尔滨工业大学(深圳) 一种声表面波雾化芯片、制作方法及装置
US11244876B2 (en) 2019-10-09 2022-02-08 Microchip Technology Inc. Packaged semiconductor die with micro-cavity

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431182B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법
US6928719B2 (en) 2001-12-07 2005-08-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for fabricating surface acoustic wave filter package
KR100431181B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
KR100431180B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
US7239068B2 (en) * 2002-03-29 2007-07-03 Fujitsu Media Devices Limited Method for mounting surface acoustic wave element and surface acoustic wave device having resin-sealed surface acoustic wave element
WO2003084061A1 (fr) * 2002-03-29 2003-10-09 Fujitsu Media Devices Limited Procede de montage d'un element a onde acoustique de surface, dispositif a onde acoustique de surface et element a onde acoustique de surface sous enveloppe de resine
KR20040015688A (ko) * 2002-08-13 2004-02-19 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성파 장치 및 그 제조 방법
US7348263B2 (en) 2005-03-01 2008-03-25 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for electronic component, electronic component, and electronic equipment
CN100444312C (zh) * 2005-03-01 2008-12-17 精工爱普生株式会社 电子元件的制造方法、电子元件以及电子仪器
US7867830B2 (en) 2005-03-01 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for electronic component with sealing film
US8664730B2 (en) 2005-03-01 2014-03-04 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for electronic component, electronic component, and electronic equipment
JP2006311183A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007104458A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Ube Ind Ltd 薄膜圧電共振子デバイスおよびその製造方法
KR100957404B1 (ko) 2007-10-12 2010-05-11 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법
CN109939875A (zh) * 2019-03-11 2019-06-28 哈尔滨工业大学(深圳) 一种声表面波雾化芯片、制作方法及装置
US11244876B2 (en) 2019-10-09 2022-02-08 Microchip Technology Inc. Packaged semiconductor die with micro-cavity
US11538726B2 (en) 2019-10-09 2022-12-27 Microchip Technology Inc. Method for forming packaged semiconductor die with micro-cavity

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3196693B2 (ja) 表面弾性波装置およびその製造方法
US5869886A (en) Flip chip semiconductor mounting structure with electrically conductive resin
JP2001516957A (ja) フリップチップ光集積回路装置用の接着材固着手段を備えたアパーチャカバーを有する実装具
JP2002510929A (ja) 表面弾性波装置パッケージおよび方法
JPH09246321A (ja) 半導体ユニット及びその形成方法
US6467139B1 (en) Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element
JPH07111438A (ja) 弾性表面波装置、及びその製造方法
JPH11150440A (ja) フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造
JP2001094390A (ja) 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2895920B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH08204497A (ja) 弾性表面波装置
JPH06204291A (ja) 半導体装置
JP4131149B2 (ja) 表面実装型sawデバイスの製造方法
JP2002343827A (ja) 電子部品およびその製造方法
JPH1140601A (ja) 半導体装置の構造
JPH06204293A (ja) 半導体装置
JPH10335366A (ja) 半導体装置
JP2000124767A (ja) Sawフィルタチップの基板実装方法及びsawフィルタチップ
JPH0249460A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0969591A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH06241889A (ja) 半導体装置
JPH0846121A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0846120A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH04150405A (ja) 表面弾性波フィルタ及びその製造方法
JPH0685524U (ja) 弾性表面波装置