JP2000124767A - Ｓａｗフィルタチップの基板実装方法及びｓａｗフィルタチップ - Google Patents
Ｓａｗフィルタチップの基板実装方法及びｓａｗフィルタチップInfo
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＳＡＷフィルタチップの封止方法は、
ＳＡＷフィルタチップ全体を封止していたので、封止体
が大きくなり、基板実装密度が低くなり、部品個数及び
製造工程数も増え、製造コストが高くなってしまう。 【解決手段】 ＳＡＷフィルタチップ１上に封止壁８及
び１０を形成し、封止壁８及び１０を基板２０の導体パ
ターン２２に密着させる。その結果、ＳＡＷフィルタが
形成されたチップ表面２４上の空間が、ＳＡＷフィルタ
チップ１と封止壁１０と基板２０とで密閉空間になり、
ＳＡＷフィルタチップ１はフェイスダウンで基板２０に
実装される。基板実装時にＳＡＷフィルタチップ１が占
有する面積はチップの大きさ程度でよいため、基板実装
密度が高くなる。また、ＳＡＷフィルタチップ１と封止
壁１０と基板２０を封止体として用いるので、部品個数
が少なくなり、製造工程数も減り、製造コストを低く抑
えることが可能となる。
ＳＡＷフィルタチップ全体を封止していたので、封止体
が大きくなり、基板実装密度が低くなり、部品個数及び
製造工程数も増え、製造コストが高くなってしまう。 【解決手段】 ＳＡＷフィルタチップ１上に封止壁８及
び１０を形成し、封止壁８及び１０を基板２０の導体パ
ターン２２に密着させる。その結果、ＳＡＷフィルタが
形成されたチップ表面２４上の空間が、ＳＡＷフィルタ
チップ１と封止壁１０と基板２０とで密閉空間になり、
ＳＡＷフィルタチップ１はフェイスダウンで基板２０に
実装される。基板実装時にＳＡＷフィルタチップ１が占
有する面積はチップの大きさ程度でよいため、基板実装
密度が高くなる。また、ＳＡＷフィルタチップ１と封止
壁１０と基板２０を封止体として用いるので、部品個数
が少なくなり、製造工程数も減り、製造コストを低く抑
えることが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＡＷフィルタチ
ップの基板実装方法及びＳＡＷフィルタチップに関す
る。
ップの基板実装方法及びＳＡＷフィルタチップに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷフィルタチップは表面にＳＡＷ
（弾性表面波）フィルタが形成されており、電子通信機
器等に広く使用されている。ＳＡＷフィルタチップは通
常封止体等に封入され、基板に実装される。ＳＡＷフィ
ルタは、ＳＡＷフィルタチップの表面に形成された櫛形
電極間を弾性表面波が伝搬することで電気特性を得るた
め、ＳＡＷフィルタチップを封入する場合、少なくとも
ＳＡＷフィルタが形成されている表面上には空間が必要
である。また、櫛形電極上にゴミや水分等が付着する
と、櫛形電極間に伝搬する弾性表面波の伝搬特性の変化
のために、ＳＡＷフィルタの特性が変化する。そのた
め、ＳＡＷフィルタが形成される表面上の空間は密閉空
間であることが望ましい。
（弾性表面波）フィルタが形成されており、電子通信機
器等に広く使用されている。ＳＡＷフィルタチップは通
常封止体等に封入され、基板に実装される。ＳＡＷフィ
ルタは、ＳＡＷフィルタチップの表面に形成された櫛形
電極間を弾性表面波が伝搬することで電気特性を得るた
め、ＳＡＷフィルタチップを封入する場合、少なくとも
ＳＡＷフィルタが形成されている表面上には空間が必要
である。また、櫛形電極上にゴミや水分等が付着する
と、櫛形電極間に伝搬する弾性表面波の伝搬特性の変化
のために、ＳＡＷフィルタの特性が変化する。そのた
め、ＳＡＷフィルタが形成される表面上の空間は密閉空
間であることが望ましい。
【０００３】図４に、従来使用されていたＳＡＷフィル
タチップの封入方法と基板実装方法が示されている。図
４（ａ）において、ＳＡＷフィルタチップ１は、封止体
４０内に封入されている。そして、封止体４０内から引
き出された下部電極４２が基板２０上の導体パターン２
２に半田４３で接続されることで、ＳＡＷフィルタチッ
プ１が封入された封止体４０が基板２０に実装される。
封止体４０は、セラミック等でできているキャビティ部
４６と、金属又はプラスチック等でできているリッド部
４８から構成される。まず、リッド部４８が無い状態
で、キャビティ部４６の底面５０に、チップ裏面が接着
材等で貼り付けられる。そして、ＳＡＷフィルタチップ
１上の電極４と下部電極４２が、金属細線５４で接続さ
れる。その後、リッド部４８がキャビティ部４６上に電
気溶接される。このようにして、ＳＡＷフィルタチップ
１は、ＳＡＷフィルタの形成された表面２４を上にして
「フェイスアップ」で基板２０に実装される。
タチップの封入方法と基板実装方法が示されている。図
４（ａ）において、ＳＡＷフィルタチップ１は、封止体
４０内に封入されている。そして、封止体４０内から引
き出された下部電極４２が基板２０上の導体パターン２
２に半田４３で接続されることで、ＳＡＷフィルタチッ
プ１が封入された封止体４０が基板２０に実装される。
封止体４０は、セラミック等でできているキャビティ部
４６と、金属又はプラスチック等でできているリッド部
４８から構成される。まず、リッド部４８が無い状態
で、キャビティ部４６の底面５０に、チップ裏面が接着
材等で貼り付けられる。そして、ＳＡＷフィルタチップ
１上の電極４と下部電極４２が、金属細線５４で接続さ
れる。その後、リッド部４８がキャビティ部４６上に電
気溶接される。このようにして、ＳＡＷフィルタチップ
１は、ＳＡＷフィルタの形成された表面２４を上にして
「フェイスアップ」で基板２０に実装される。
【０００４】また、図４（ｂ）には、下部電極４２と電
極４との接続にバンプを使用したＳＡＷフィルタチップ
の封入方法及び基板実装方法が示されている。まず、Ｓ
ＡＷフィルタチップ１の電極４上に、Ａｕ等でできたバ
ンプ６が形成される。そして、ＳＡＷフィルタチップ１
の表面２４を、封止体４０のキャビティ部４６の底面５
０に対向させ、バンプ６と下部電極４２とを超音波溶接
等で溶接し、ＳＡＷフィルタチップ１をキャビティ部４
６に固定すると共に、電極４と下部電極４２とを接続す
る。その後、キャビティ部４６上にリッド部４８が電気
溶接される。このようにして、ＳＡＷフィルタチップ１
は、ＳＡＷフィルタの形成された表面２４を下にして
「フェイスダウン」で基板２０に実装される。
極４との接続にバンプを使用したＳＡＷフィルタチップ
の封入方法及び基板実装方法が示されている。まず、Ｓ
ＡＷフィルタチップ１の電極４上に、Ａｕ等でできたバ
ンプ６が形成される。そして、ＳＡＷフィルタチップ１
の表面２４を、封止体４０のキャビティ部４６の底面５
０に対向させ、バンプ６と下部電極４２とを超音波溶接
等で溶接し、ＳＡＷフィルタチップ１をキャビティ部４
６に固定すると共に、電極４と下部電極４２とを接続す
る。その後、キャビティ部４６上にリッド部４８が電気
溶接される。このようにして、ＳＡＷフィルタチップ１
は、ＳＡＷフィルタの形成された表面２４を下にして
「フェイスダウン」で基板２０に実装される。
【０００５】また、図４（ｃ）には、樹脂コートにＳＡ
Ｗフィルタチップ１を封入し、基板に実装する方法が示
されている。まず、ＳＡＷフィルタチップ１の裏面がリ
ードフレーム６２に接着剤等で貼り付けられ、ＳＡＷフ
ィルタチップ１がリードフレームに固定される。その
後、ＳＡＷフィルタチップ１上の電極４とリードフレー
ム６２が金属細線５４で接続される。そして、リードフ
レームの一部分と共に、表面２４上に空間を持たせたま
ま、ＳＡＷフィルタチップ１が樹脂等で封入される。そ
の後、基板２０上の導体パターン２２とリードフレーム
６２が半田６４で接続されることで、電極４が導体パタ
ーン２２と接続される。
Ｗフィルタチップ１を封入し、基板に実装する方法が示
されている。まず、ＳＡＷフィルタチップ１の裏面がリ
ードフレーム６２に接着剤等で貼り付けられ、ＳＡＷフ
ィルタチップ１がリードフレームに固定される。その
後、ＳＡＷフィルタチップ１上の電極４とリードフレー
ム６２が金属細線５４で接続される。そして、リードフ
レームの一部分と共に、表面２４上に空間を持たせたま
ま、ＳＡＷフィルタチップ１が樹脂等で封入される。そ
の後、基板２０上の導体パターン２２とリードフレーム
６２が半田６４で接続されることで、電極４が導体パタ
ーン２２と接続される。
【０００６】このように、従来は、ＳＡＷフィルタチッ
プ全体をセラミック等の封止体に封入した後、封止体を
基板に実装していた。
プ全体をセラミック等の封止体に封入した後、封止体を
基板に実装していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、封止体でＳＡＷフィルタチップ全体を覆うた
め、封止体の寸法が大きくなってしまい、基板に実装し
たときの実装密度が低くなるという問題点があった。
方法では、封止体でＳＡＷフィルタチップ全体を覆うた
め、封止体の寸法が大きくなってしまい、基板に実装し
たときの実装密度が低くなるという問題点があった。
【０００８】また、従来の方法では、ＳＡＷフィルタチ
ップを封止体内に封入する工程の後に、基板へ実装する
工程があり、工程数が多く、製造コストが高いという問
題点があった。特に、図４（ａ）および図４（ｂ）に示
した基板実装方法では、キャビティ部４６にリッド部４
８を溶接する工程等が必要であるため、更に、製造コス
トが高くなっていた。また、図４（ａ）および図４
（ｂ）に示した基板実装方法では、部品個数も多く、部
品コストが高いという問題があった。
ップを封止体内に封入する工程の後に、基板へ実装する
工程があり、工程数が多く、製造コストが高いという問
題点があった。特に、図４（ａ）および図４（ｂ）に示
した基板実装方法では、キャビティ部４６にリッド部４
８を溶接する工程等が必要であるため、更に、製造コス
トが高くなっていた。また、図４（ａ）および図４
（ｂ）に示した基板実装方法では、部品個数も多く、部
品コストが高いという問題があった。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、基板実装密度が高く、且つ、低コストなＳＡＷフ
ィルタチップの基板実装方法を提供することを目的とす
る。
あり、基板実装密度が高く、且つ、低コストなＳＡＷフ
ィルタチップの基板実装方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＳＡＷフィル
タチップの基板実装方法であって、ＳＡＷフィルタが一
主面に形成されたＳＡＷフィルタチップの前記主面上
に、前記ＳＡＷフィルタを囲む封止壁を形成し、前記封
止壁を基板に密着させ、前記ＳＡＷフィルタチップをフ
ェイスダウンで前記基板に実装することを特徴とする。
タチップの基板実装方法であって、ＳＡＷフィルタが一
主面に形成されたＳＡＷフィルタチップの前記主面上
に、前記ＳＡＷフィルタを囲む封止壁を形成し、前記封
止壁を基板に密着させ、前記ＳＡＷフィルタチップをフ
ェイスダウンで前記基板に実装することを特徴とする。
【００１１】また、本発明のＳＡＷフィルタチップは、
ＳＡＷフィルタが一主面に形成されたＳＡＷフィルタチ
ップであって、前記主面上に前記ＳＡＷフィルタを囲む
封止壁を有することを特徴とする。
ＳＡＷフィルタが一主面に形成されたＳＡＷフィルタチ
ップであって、前記主面上に前記ＳＡＷフィルタを囲む
封止壁を有することを特徴とする。
【００１２】このように、本発明においては、ＳＡＷフ
ィルタチップ上に形成された封止壁を基板に密着させる
ことで、封止壁と基板とＳＡＷフィルタチップとで、Ｓ
ＡＷフィルタ上に密閉空間を形成し、同時に、ＳＡＷフ
ィルタチップを基板に実装する。封止壁は、大きくても
ＳＡＷフィルタチップの大きさ程度で良いため、基板へ
の実装密度を高くすることが可能である。また、ＳＡＷ
フィルタ上に密閉空間を形成する、すなわち、ＳＡＷフ
ィルタを封止すると同時に基板への実装を行うため、製
造工程数を削減することが可能である。また、基板とＳ
ＡＷフィルタチップ自体を封止する部品として利用する
ため、部品個数を削減することが可能である。
ィルタチップ上に形成された封止壁を基板に密着させる
ことで、封止壁と基板とＳＡＷフィルタチップとで、Ｓ
ＡＷフィルタ上に密閉空間を形成し、同時に、ＳＡＷフ
ィルタチップを基板に実装する。封止壁は、大きくても
ＳＡＷフィルタチップの大きさ程度で良いため、基板へ
の実装密度を高くすることが可能である。また、ＳＡＷ
フィルタ上に密閉空間を形成する、すなわち、ＳＡＷフ
ィルタを封止すると同時に基板への実装を行うため、製
造工程数を削減することが可能である。また、基板とＳ
ＡＷフィルタチップ自体を封止する部品として利用する
ため、部品個数を削減することが可能である。
【００１３】また、本発明は、ＳＡＷフィルタチップの
一主面に形成されたＳＡＷフィルタを囲む形状を有する
封止壁を基板上に形成し、前記封止壁を前記ＳＡＷフィ
ルタチップの主面に密着させ、前記ＳＡＷフィルタチッ
プをフェイスダウンで前記基板に実装することを特徴と
する。
一主面に形成されたＳＡＷフィルタを囲む形状を有する
封止壁を基板上に形成し、前記封止壁を前記ＳＡＷフィ
ルタチップの主面に密着させ、前記ＳＡＷフィルタチッ
プをフェイスダウンで前記基板に実装することを特徴と
する。
【００１４】このように、封止壁を基板上に形成し、封
止壁をＳＡＷフィルタチップに密着させることで、封止
壁と基板とＳＡＷフィルタチップとで、ＳＡＷフィルタ
上に密閉空間を形成し、同時に、ＳＡＷフィルタチップ
を基板に実装してもよい。
止壁をＳＡＷフィルタチップに密着させることで、封止
壁と基板とＳＡＷフィルタチップとで、ＳＡＷフィルタ
上に密閉空間を形成し、同時に、ＳＡＷフィルタチップ
を基板に実装してもよい。
【００１５】前記基板実装方法においては、前記ＳＡＷ
フィルタチップと前記基板とをバンプで接続してもよ
い。
フィルタチップと前記基板とをバンプで接続してもよ
い。
【００１６】また、本発明は、ＳＡＷフィルタチップの
基板実装方法であって、ＳＡＷフィルタが一主面に形成
されたＳＡＷフィルタチップの前記主面上に、前記ＳＡ
Ｗフィルタを囲む封止壁を形成し、前記ＳＡＷフィルタ
チップを覆う封止体の内面に前記封止壁を密着させ、前
記ＳＡＷフィルタチップを前記封止体内に封入し、前記
封止体を基板に実装することを特徴とする。
基板実装方法であって、ＳＡＷフィルタが一主面に形成
されたＳＡＷフィルタチップの前記主面上に、前記ＳＡ
Ｗフィルタを囲む封止壁を形成し、前記ＳＡＷフィルタ
チップを覆う封止体の内面に前記封止壁を密着させ、前
記ＳＡＷフィルタチップを前記封止体内に封入し、前記
封止体を基板に実装することを特徴とする。
【００１７】このように、本発明では、ＳＡＷフィルタ
チップを封止体内に封入する場合でも、従来使用されて
いた封止体と比較すると、リッド部が不要であるため、
部品個数を削減することが可能である。
チップを封止体内に封入する場合でも、従来使用されて
いた封止体と比較すると、リッド部が不要であるため、
部品個数を削減することが可能である。
【００１８】前記基板実装方法においては、前記ＳＡＷ
フィルタチップと前記封止体とをバンプで接続してもよ
い。
フィルタチップと前記封止体とをバンプで接続してもよ
い。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以下
実施形態という）を、図面に従って説明する。
実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００２０】図１（ａ）に本実施形態での、表面に封止
壁が形成されたＳＡＷフィルタチップの平面図を示し、
図１（ｂ）にその側面図を示す。ＳＡＷフィルタチップ
１上には、櫛形電極２が形成されている。櫛形電極２か
ら金属配線が引き出され、その先端には、電極４が形成
されている。電極４上には、高さ１００μｍ程度のＡｕ
等でできているバンプが形成されている。本実施形態の
ＳＡＷフィルタは、電極４に信号を入力し、櫛形電極２
間に弾性表面波が伝搬することで電気的特性を得る。
壁が形成されたＳＡＷフィルタチップの平面図を示し、
図１（ｂ）にその側面図を示す。ＳＡＷフィルタチップ
１上には、櫛形電極２が形成されている。櫛形電極２か
ら金属配線が引き出され、その先端には、電極４が形成
されている。電極４上には、高さ１００μｍ程度のＡｕ
等でできているバンプが形成されている。本実施形態の
ＳＡＷフィルタは、電極４に信号を入力し、櫛形電極２
間に弾性表面波が伝搬することで電気的特性を得る。
【００２１】ＳＡＷフィルタチップ１上には封止壁８及
び１０が形成されている。封止壁８及び１０は、紫外線
硬化樹脂をＳＡＷフィルタチップ１上に５０μｍ程度の
厚みで全面に塗布し、その後、フォトリゾグラフィ技術
を用いて、櫛形電極２を囲む形状に形成される。これ
は、後述する工程で櫛形電極２上、つまりＳＡＷフィル
タ上に密閉空間を形成するためである。なお、封止壁８
及び１０は、ＳＡＷフィルタチップ１上に、ディスペン
サ等で櫛形電極２を囲む形状に塗布されたシリコン樹脂
で形成しても良い。
び１０が形成されている。封止壁８及び１０は、紫外線
硬化樹脂をＳＡＷフィルタチップ１上に５０μｍ程度の
厚みで全面に塗布し、その後、フォトリゾグラフィ技術
を用いて、櫛形電極２を囲む形状に形成される。これ
は、後述する工程で櫛形電極２上、つまりＳＡＷフィル
タ上に密閉空間を形成するためである。なお、封止壁８
及び１０は、ＳＡＷフィルタチップ１上に、ディスペン
サ等で櫛形電極２を囲む形状に塗布されたシリコン樹脂
で形成しても良い。
【００２２】なお、バンプの高さｈは、図１（ｂ）に示
されているように、封止壁８及び１０の厚みｔより大き
いことが望ましい。これは、後述する工程で、バンプ６
が封止壁８及び１０より低いと、基板２０上の導体パタ
ーン２２にバンプを超音波溶接できないためである。
されているように、封止壁８及び１０の厚みｔより大き
いことが望ましい。これは、後述する工程で、バンプ６
が封止壁８及び１０より低いと、基板２０上の導体パタ
ーン２２にバンプを超音波溶接できないためである。
【００２３】ＳＡＷフィルタチップ１上に封止壁８及び
１０が形成された後、バンプ６が基板２０上の導体パタ
ーン２２に超音波溶接され、封止壁８及び１０が導体パ
ターン２２に密着させられる。その結果、図２に示され
るように、櫛形電極２上、すなわち、ＳＡＷフィルタ上
に、基板２０と封止壁１０とＳＡＷフィルタチップ１と
で密閉空間が形成され、同時に、ＳＡＷフィルタチップ
１がチップの表面２４を下にして、フェイスダウンで基
板２０に実装される。
１０が形成された後、バンプ６が基板２０上の導体パタ
ーン２２に超音波溶接され、封止壁８及び１０が導体パ
ターン２２に密着させられる。その結果、図２に示され
るように、櫛形電極２上、すなわち、ＳＡＷフィルタ上
に、基板２０と封止壁１０とＳＡＷフィルタチップ１と
で密閉空間が形成され、同時に、ＳＡＷフィルタチップ
１がチップの表面２４を下にして、フェイスダウンで基
板２０に実装される。
【００２４】このように、本実施形態では、基板２０と
封止壁１０とＳＡＷフィルタチップ１とで、ＳＡＷフィ
ルタ上に密閉空間が形成され、同時に、ＳＡＷフィルタ
チップ１が基板２０に実装される。よって、従来の封止
した後実装する方法と比較すると、製造工程数を減らす
ことができ、製造コストを抑えることが可能である。
封止壁１０とＳＡＷフィルタチップ１とで、ＳＡＷフィ
ルタ上に密閉空間が形成され、同時に、ＳＡＷフィルタ
チップ１が基板２０に実装される。よって、従来の封止
した後実装する方法と比較すると、製造工程数を減らす
ことができ、製造コストを抑えることが可能である。
【００２５】また、基板２０と封止壁１０とＳＡＷフィ
ルタチップ１とで密閉空間が形成されるので、従来必要
だった封止体の部品、すなわち、図４（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）の封止体４０のキャビティ部２６とリッド部４
８、及び、封止体６６が不必要となる。そのため、部品
個数を減らすことができ、部品コストを低く抑えること
が可能である。
ルタチップ１とで密閉空間が形成されるので、従来必要
だった封止体の部品、すなわち、図４（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）の封止体４０のキャビティ部２６とリッド部４
８、及び、封止体６６が不必要となる。そのため、部品
個数を減らすことができ、部品コストを低く抑えること
が可能である。
【００２６】また、封止壁８及び１０は、櫛形電極２を
囲む程度の大きさでよいので、大きくてもＳＡＷフィル
タチップ１程度の大きさでよい。そのため、従来のＳＡ
Ｗフィルタチップ全体を封止体で封入する方法と比較す
ると、基板への実装密度を高めることが可能である。
囲む程度の大きさでよいので、大きくてもＳＡＷフィル
タチップ１程度の大きさでよい。そのため、従来のＳＡ
Ｗフィルタチップ全体を封止体で封入する方法と比較す
ると、基板への実装密度を高めることが可能である。
【００２７】なお、本実施形態では、封止壁８及び１０
は基板２０上の導体パターン２２に密着されたが、封止
壁８及び１０は、基板２０上の導体パターンが無い箇所
に密着させてもよい。この場合、バンプの高さｈ及び封
止壁の厚さｔは、バンプを導体パターン２２上に接合す
ることができるように、適宜選択しないければならな
い。
は基板２０上の導体パターン２２に密着されたが、封止
壁８及び１０は、基板２０上の導体パターンが無い箇所
に密着させてもよい。この場合、バンプの高さｈ及び封
止壁の厚さｔは、バンプを導体パターン２２上に接合す
ることができるように、適宜選択しないければならな
い。
【００２８】また、封止壁は、基板２０とＳＡＷフィル
タチップ１と共に、密閉空間を形成できればよいので、
封止壁８又は封止壁１０のどちらか一方だけでもよい。
タチップ１と共に、密閉空間を形成できればよいので、
封止壁８又は封止壁１０のどちらか一方だけでもよい。
【００２９】また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタチ
ップ１に封止壁を形成したが、基板２０上に封止壁を形
成し、ＳＡＷフィルタチップ１に封止壁を密着させても
よい。
ップ１に封止壁を形成したが、基板２０上に封止壁を形
成し、ＳＡＷフィルタチップ１に封止壁を密着させても
よい。
【００３０】また、図３に示すように、バンプ６を封止
体３０の内壁に形成された引き出し電極３２に接合し、
引き出し電極３２と基板２０上の導体パターン２２を半
田３６で接合することにより、ＳＡＷフィルタチップ１
をフェイスアップで基板２０上に実装してもよい。この
とき、バンプ６と引き出し電極３２は超音波溶接で接続
される。この実装方法では、図４（ａ）及び図４（ｂ）
と比較すると、リッド部４８が不要となり、部品個数を
減らし、部品コストを少なくすることが可能である。
体３０の内壁に形成された引き出し電極３２に接合し、
引き出し電極３２と基板２０上の導体パターン２２を半
田３６で接合することにより、ＳＡＷフィルタチップ１
をフェイスアップで基板２０上に実装してもよい。この
とき、バンプ６と引き出し電極３２は超音波溶接で接続
される。この実装方法では、図４（ａ）及び図４（ｂ）
と比較すると、リッド部４８が不要となり、部品個数を
減らし、部品コストを少なくすることが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、封止
壁と基板とＳＡＷフィルタチップとで、ＳＡＷフィルタ
上に密閉空間を形成し、同時に、ＳＡＷフィルタチップ
を基板に実装する。そのため、基板への実装時、ＳＡＷ
フィルタチップの専有面積が小さくなり、実装密度を高
くすることが可能である。また、部品個数が少なくなる
ので、部品コストを低くすることが可能であり、製造コ
ストも低くすることが可能である。
壁と基板とＳＡＷフィルタチップとで、ＳＡＷフィルタ
上に密閉空間を形成し、同時に、ＳＡＷフィルタチップ
を基板に実装する。そのため、基板への実装時、ＳＡＷ
フィルタチップの専有面積が小さくなり、実装密度を高
くすることが可能である。また、部品個数が少なくなる
ので、部品コストを低くすることが可能であり、製造コ
ストも低くすることが可能である。
【図１】 本実施形態のＳＡＷフィルタチップの概略図
である。
である。
【図２】 本実施形態のＳＡＷフィルタチップの基板実
装方法を示した図である。
装方法を示した図である。
【図３】 他の実施形態のＳＡＷフィルタチップの基板
実装方法を示した図である。
実装方法を示した図である。
【図４】 従来のＳＡＷフィルタチップの基板実装方法
を示した図である。
を示した図である。
２ 櫛形電極、４ 電極、６ バンプ、８，１０ 封止
壁、２０ 基板、２２導体パターン、２４ チップ表
面、３０，４０，６６ 封止体、３２ 引き出し電極、
３６，４３，６４ 半田、４２ 下部電極、４６ キャ
ビティ部、４８リッド部、５４ 金属細線、６２ リー
ドフレーム。
壁、２０ 基板、２２導体パターン、２４ チップ表
面、３０，４０，６６ 封止体、３２ 引き出し電極、
３６，４３，６４ 半田、４２ 下部電極、４６ キャ
ビティ部、４８リッド部、５４ 金属細線、６２ リー
ドフレーム。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＳＡＷフィルタが一主面に形成されたＳ
ＡＷフィルタチップの前記主面上に、前記ＳＡＷフィル
タを囲む封止壁を形成し、 前記封止壁を基板に密着させ、 前記ＳＡＷフィルタチップをフェイスダウンで前記基板
に実装することを特徴とするＳＡＷフィルタチップの基
板実装方法。 - 【請求項２】 ＳＡＷフィルタが一主面に形成されたＳ
ＡＷフィルタチップであって、 前記主面上に前記ＳＡＷフィルタを囲む封止壁を有する
ことを特徴とするＳＡＷフィルタチップ。 - 【請求項３】 ＳＡＷフィルタチップの一主面に形成さ
れたＳＡＷフィルタを囲む形状を有する封止壁を基板上
に形成し、 前記封止壁を前記ＳＡＷフィルタチップの主面に密着さ
せ、 前記ＳＡＷフィルタチップをフェイスダウンで前記基板
に実装することを特徴とするＳＡＷフィルタチップの基
板実装方法。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項３に記載のＳＡＷフ
ィルタチップの基板実装方法であって、 前記ＳＡＷフィルタチップと前記基板とをバンプで接続
することを特徴とするＳＡＷフィルタチップの基板実装
方法。 - 【請求項５】 ＳＡＷフィルタが一主面に形成されたＳ
ＡＷフィルタチップの前記主面上に、前記ＳＡＷフィル
タを囲む封止壁を形成し、 前記ＳＡＷフィルタチップを覆う封止体の内面に前記封
止壁を密着させ、前記ＳＡＷフィルタチップを前記封止
体内に封入し、 前記封止体を基板に実装することを特徴とするＳＡＷフ
ィルタチップの基板実装方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載のＳＡＷフィルタチップ
の基板実装方法であって、 前記ＳＡＷフィルタチップと前記封止体とをバンプで接
続することを特徴とするＳＡＷフィルタチップの基板実
装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29192898A JP2000124767A (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | Ｓａｗフィルタチップの基板実装方法及びｓａｗフィルタチップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29192898A JP2000124767A (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | Ｓａｗフィルタチップの基板実装方法及びｓａｗフィルタチップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124767A true JP2000124767A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17775290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29192898A Pending JP2000124767A (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | Ｓａｗフィルタチップの基板実装方法及びｓａｗフィルタチップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124767A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244785A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2002261582A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール |
| WO2003103142A1 (ja) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | 株式会社 村田製作所 | 表面弾性波装置 |
| US6710682B2 (en) | 2000-10-04 | 2004-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same |
| JP2006112886A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサチップパッケージ及びその製造方法 |
| US9543268B2 (en) | 2011-07-25 | 2017-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, method of manufacturing same, composite module including electronic component, and method of manufacturing same |
-
1998
- 1998-10-14 JP JP29192898A patent/JP2000124767A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244785A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
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| US7034434B2 (en) | 2002-06-03 | 2006-04-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| DE10392158B4 (de) * | 2002-06-03 | 2011-10-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenwellenbauelement |
| JP2006112886A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサチップパッケージ及びその製造方法 |
| JP4683897B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-05-18 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサチップパッケージ及びその製造方法 |
| US9543268B2 (en) | 2011-07-25 | 2017-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, method of manufacturing same, composite module including electronic component, and method of manufacturing same |
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