JPH11144415A - 磁気ディスクの突起物検査方法及び突起物検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 突起物の欠陥サイズの大小に関係なく高精度
且つ短時間で所定高さ以上の突起物を検出すること。 【解決手段】 比較的大きなサイズの突起物はスライダ
が突起物と衝突した際に生ずる弾性波をピエゾ素子等の
ＡＥセンサで感知し、ＡＥ波検知では出力レベル及びＳ
／Ｎ的に検出するには不向きな比較的小さな突起物はＴ
ＡセンサのＭＲ素子が接触した際に生ずる抵抗変化を感
知し検出する。これら２つのセンサを搭載した一体型ヘ
ッドアッセンブリで磁気ディスク表面を走査し、これら
の信号を各々個別の検出帯域と増幅器を通し信号レベル
を同一基準にすることにより、磁気ディスク上の所定サ
イズ以上の突起物を漏れなく検査するもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク表面
に存在する所定サイズ以上の突起物の有無を検査する磁
気ディスクの突起物検査方法及び突起物検査装置に係
り、特に突起物の欠陥サイズの大小に関係なく高精度且
つ短時間で所定高さ以上の突起物を検出することができ
る磁気ディスクの突起物検査方法及び突起物検査装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に磁気ディスク装置の記録媒体とし
て用いられる磁気ディスクは、その表面に空気粘性流に
よって浮上する磁気ヘッドスライダを所定量だけ浮上し
ながらデータの記録再生を行い、且つ磁気ディスク停止
時の粘着を防止するため、表面に所定サイズの突起物が
設けられている。しかしながら、前記突起物が所定サイ
ズに形成されない場合、磁気ヘッドスライダと衝突して
該スライダの浮上安定性を阻害するため、製造後の磁気
ディスク上の突起物が所定のサイズ（高さ／断面積）で
あるかどうかを検査する必要がある。また、製造工程に
おいても様々な要因から異物の混入が発生し、これらも
異常突起の原因になり、これらについても同様の検査を
必用とし、この検査装置は突起物検査装置と呼ばれる。

【０００３】従来技術による突起物検査装置としては、
以下に述べるＡＥ法と呼ばれるものとＴＡ法と呼ばれる
ものが実現されている。ＡＥ法を採用した突起物検査装
置は、変位により電流が変位するピエゾ素子を含むＡＥ
センサ（ＡＥ：アコースティクエミッション波）を検査
用の磁気ヘッドスライダ又は該スライダを弾性的に支持
する支持バネ等に搭載し、該スライダにより磁気ディス
ク表面を走査しながらヘッドスライダが突起物と衝突し
た際に発生する衝撃音波（：アコースティクエミッショ
ン波、以下「ＡＥ波」と称す）を検出することにより突
起物の有無を検出するものである。また、ＴＡ法を採用
した突起物検査装置は、接触熱による温度変化によって
抵抗変化が生ずるＴＡ素子（例えば磁気抵抗素子：ＭＲ
素子）を検査用ヘッドスライダ下端の磁気ヘッド素子が
存在する部分（傾斜して浮上するスライダの後端、且つ
磁気ディスクに最接近している部分）近傍に配置し、こ
のスライダにより磁気ディスク表面を走査しながらヘッ
ドスライダのＭＲ素子が突起物と接触／衝突した際の接
触熱による温度変化に起因する抵抗変化分、所謂サーマ
ルアスペリティを検出することにより突起物の有無を検
出するものである。前記突起検出用の素子を搭載したヘ
ッドスライダは、グライドチェックヘッドと呼ばれてい
る。

【０００４】尚、従来技術による磁気ディスクの突起物
検査装置に関する技術が記載された文献としては、例え
ば特開平９−７３２８号公報，特開平８−１７１５６号
公報，特開平８−１６７１２１号公報が挙げられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】発明者らは、前述の従
来技術による突起物検査装置に用いられている検出方法
に各々磁気ディスク表面に存在する突起物の形状によっ
て検出感度に制限があることを発見した。これら検査方
法による検出感度の制限を次に説明する。

【０００６】まず発明者らは、前記ビエゾ素子を用いた
ＡＥ法による検査装置を用い、グライドチェックヘッド
を２８ｎｍ浮上させた条件で検査を合格した磁気ディス
クを光学式検査装置を用い再検査した結果、２８ｎｍを
超えるような高さの突起物が多数存在することを発見し
た。図７は本光学的検査により発見した欠陥の高さ方向
の分布を示す図であり、横軸に示す高さの突起物に対し
て発見された個数を縦軸に表している。本図を参照すれ
ば明らかな如く、ＡＥ法による２８ｎｍを越える突起物
が検出されなかった磁気ディスクであっても、実際には
３０ｎｍ〜５０ｎｍを超える突起物が多数存在すること
が判明した。

【０００７】更に発明者らは、この磁気ディスクに存在
する高さ２８ｎｍ以上の突起物の磁気ディスクの円周
（Ｒ）方向、半径（θ）方向の長さ分布を調査した結
果、断面積の比較的小さい突起物が検査漏れとして多い
ことを発見した。これら検査漏れした突起物は、図８に
示された如く、磁気ディスクの円周（Ｒ）方向の幅が１
０μｍ以下の大きさのが多数である。

【０００８】この幅のサイズが小さくなるにつれてＡＥ
法では突起物を検出しにくくなる理由は、スライダに衝
突した突起物による衝撃音波の検出条件としてノイズ除
去のために所定のスライスレベル（しきい値）以上のも
のを突起物として検出しているため、サイズが小さい突
起物の場合はスライダに対する衝突エネルギが小さく、
前記ノイズとしての検出されないためと考えられる。
尚、従来のＡＥ法でもヘッドの送りピッチや判定のしき
い値等の測定条件を変更することによってある程度解消
することは可能と思われるが、その検出精度には限界が
あり、更に検査時間が冗長になると言う不具合を招くも
のであった。

【０００９】更に発明者らは、前述のＭＲ素子を用いた
ＴＡ法による検査装置を用い、グライドチェックヘッド
を２８ｎｍ浮上させた条件で検査を合格した磁気ディス
クを光学式検査装置を用い再検査した結果、ＴＡ法によ
っても２８ｎｍを超えるような高さの突起物が多数存在
することを発見した。図９は本光学的検査により発見し
た欠陥の高さ方向の分布を示す図であり、横軸に示す高
さの突起物に対して発見された個数を縦軸に表してい
る。

【００１０】本図を参照すれば明らかな如く、ＴＡ法に
よる２８ｎｍを越える突起物が検出されなかった磁気デ
ィスクであっても、実際には４０ｎｍ〜５０ｎｍの突起
物が１１個、５０ｎｍ〜６０ｎｍの突起物が７個、６５
ｎｍを超える突起物が９個と多数存在することが判明し
た。この結果からＴＡセンサを用いた検出ではそのＴＡ
センサの浮上量付近の検出精度は高いものの、ＴＡセン
サの浮上量に対し突起物の高さが極端に低いもの、逆に
極端に高いものの検出精度が低下することが判明した。

【００１１】このＴＡセンサの浮上量に対し突起物の高
さが極端に低いもの及び高い突起物を検出できない理由
は、ＡＥ法では突起物がスライダのどの部分に衝突して
もＡＥ波が発生すればピエゾ素子により感知することは
可能であるのに対し、ＴＡセンサの場合は磁気ディスク
面と向き合っているＴＡセンサの素子部と突起物が直接
接触しない限り抵抗変化を感知することができないため
と考えられる。

【００１２】また衝突した突起物がスライダ後端の空気
流の流出端に形成された素子部と磁気ディスク面の隙間
より極端に高く、しかも断面積が大きい（磁気ディスク
の円周方向及び半径方向の断面積サイズが大きい）場
合、その欠陥はスライダとの衝突が発生してもスライダ
の傾斜した浮上面に衝突して跳ね上げられるものと思わ
れ、この場合抵抗変化は発生しないため、突起物を感知
することができないものと考えられる。

【００１３】この結果により発明者らは、ＴＡ法による
検査では検出素子が形成されている部分と磁気ディスク
面との隙間を中心に素子部が突起物と確実に接触できる
範囲の高さしか感知することができない特性を持つこと
を発見した。また、反面、突起物の断面積サイズには影
響は受けないことも発見した。

【００１４】以上のことから発明者らは、ＡＥ法では突
起物の高さがチェックヘッドのヘッド浮上量以上であっ
ても欠陥の断面積サイズが小さくなるにつれて検出感度
が鈍くなること、及びＴＡ法では検出感度を維持できる
範囲が検出素子部と磁気ディスクの隙間周辺に限定され
ることを発見した。

【００１５】従って従来技術による突起物検査方法及び
装置は、検査手法によって所定サイズ以上の突起物が存
在した場合であっても、個々の検査手法だけではその検
出が困難であると言う不具合を招くものであった。また
従来技術によるＡＥ法による検査方法及び装置は、検出
漏れを低減するためにヘッド送りピッチを細かく設定す
ることや、衝撃音波検出のスライスレベルを低く設定す
ることも考えられるが、この場合は検査時間が冗長にな
ると共にノイズ除去が困難になると言う不具合を招くも
のであった。

【００１６】本発明の目的は、前述の従来技術による不
具合を除去することであり、高精度且つ高速に所定サイ
ズ以上のの突起物を検出することができる磁気ディスク
の突起物検査方法及び突起物検査装置を提供することで
ある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、磁気ディスク表面に突出する突起物を磁気デ
ィスク上を傾斜をもって浮上するスライダにより検査す
る突起物検査方法において、前記スライダの傾斜部分に
突起物が衝突したことを検出する第１の検出部及び前記
スライダの傾斜部分の下端近傍に突起物が衝突したこと
を検出する第２の検出部とを用いて磁気ディスク上の突
起物を検出することを第１の特徴とする。

【００１８】更に本発明は、前記第１の特徴による第１
の検出部として前記スライダ自体に加わる衝撃音波又は
該スライダを弾性的に支持する支持バネに加わる衝撃音
波又は該支持バネを介して伝わる衝撃音波を検出するＡ
Ｅセンサを用い、前記第２の検出部としてスライダ下端
に配置されて突起物との接触熱による温度変化により抵
抗値が変化するＴＡセンサを用いることを第２の特徴と
する。

【００１９】また本発明は、磁気ディスク表面に突出す
る突起物を磁気ディスク上を傾斜をもって浮上するスラ
イダにより検査する突起物検査装置において、前記スラ
イダの傾斜部分に突起物が衝突したことを検出する第１
の検出部と、前記スライダの傾斜部分の下端近傍に突起
物が衝突したことを検出する第２の検出部とを設けたこ
とを第３の特徴とする。

【００２０】更に本発明は、前記第１の特徴による第１
の検出部がスライダ自体に加わる衝撃音波又は該スライ
ダを弾性的に支持する支持バネに加わる衝撃音波又は該
支持バネを介して伝わる衝撃音波を検出するＡＥセンサ
であり、前記第２の検出部がスライダ下端に配置されて
突起物との接触熱による温度変化により抵抗値が変化す
るＴＡセンサであることを第４の特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
磁気ディスクの突起物検査方法及び突起物検査装置を説
明するものであるが、まず本発明の原理を説明する。前
述した様に傾斜して浮上するスライダ下端（空気流の流
出端）に配置したＭＲ素子等のＴＡセンサに接触した突
起物を検出するＴＡ法による検査方法及び装置は、突起
物のサイズ（断面積）に影響されずに突起物の検出を行
うことができるものの、ＴＡセンサの高さを大きく越え
る高さの突起物の検出が困難であると言う特性があり、
一方、突起物が接触したことをスライダ全体に加わる衝
撃音波により検出するＡＥ法による検査方法及び装置
は、突起物の高さに影響されずに検出を行うことができ
るものの、立ち上がりが急崚で断面積が小さい突起物の
検出が困難であると言う特性をもっている。

【００２２】そこで発明者らは、これらＴＡ法及びＡＥ
法の特性に着目し、両検査手法を組み合わせば両手法の
不具合を補うことができる点を発見し、磁気ディスクに
傾斜をもって浮上するスライダ傾斜部分の下端近傍に突
起物が衝突したことを検出するＭＲ素子等のＴＡセンサ
を配置すると共に、スライダに突起物が接触したことを
スライダ全体に加わる衝撃音波により検出するピエゾ素
子等のＡＥセンサをスライダ自体／該スライダを支持す
る支持バネ／該支持バネを支持するヘッドアームに配置
し、且つＡＥサンサ及びＴＡセンサの出力レベルを調整
することによって磁気ディスク上の所定高さ以上の突起
物を漏れを少なく検出することができる突起物検査方法
及び検査装置を発明した。

【００２３】尚、本発明によればＴＡセンサ高さ以下の
高さの突起物を検出することはできないが、これらの突
起物はそもそも検出する必要のないものであり、また極
端に断面積が小さく且つＴＡセンサ高さ以上の突起物の
検出が困難になることが考えられるが、これら突起物は
スライダと接触しても衝突エネルギが小さくスライダ姿
勢に影響を与えないため存在しても実装置上は問題が少
ないと共に、もし存在したとしても検査時及び実装時の
スライダとの衝突により先端部が破損して飛散し、結果
的に低い突起物になり、実装後の装置においては問題が
少ないものである。

【００２４】本発明は、上記の原理に基づいて成された
ものであり、以下実施形態を図面を参照して詳細に説明
する。図１は、本発明の一実施形態による突起物検査用
の磁気ヘッドスライダ１の側面図及び底面図を示すもの
であり、本実施形態によるスライダ１は空気流出端側
（図１中の右側）に磁気ディスク上の突起物と熱接触し
た際に抵抗値が変化するＭＲ素子からなるＴＡセンサ２
を搭載している。該ＴＡセンサ２は、通常の磁気ヘッド
素子幅の約１０倍の２８μｍ（この幅は〜６０μｍ程度
までの検出感度は確認済みであるが、この範囲に限られ
るものではなく、ＴＡセンサの検出感度が有効であれば
スライダ幅まで広げられる）に設定している。このＴＡ
素子幅を通常の磁気ヘッド素子幅より広げている理由
は、該スライダをディスク半径方向に移動する測定ピッ
チを大きく取り、測定時間の短縮を図るためである。

【００２５】本実施形態による突起物測定方法及び装置
に適用するチェックヘッド部は、図２に示す如く前記ス
ライダ１上に直接ピエゾ素子等から成るＡＥセンサ３を
搭載する支持バネ５により支持し、スライダ１に衝突し
た突起物により衝撃音波をスライダ全体から直接的に検
知する構造、又は図３に示す如くスライダ１を弾性的に
支持する支持バネ６に同様のＡＥセンサ３を搭載し、突
起物との接触によるスライダの振動を支持バネ６の振動
により検知する構造、又は図４に示す如く支持バネ６を
保持するヘッドアームにピエゾ素子を含むＡＥセンサ７
をネジ止めし、スライダ１から支持バネ６を介した衝撃
音波による振動をネジを介して検知する構造が好適であ
る。

【００２６】前記図２に示した実施形態のチェックヘッ
ド部２０ａは、スライダ１に直接ＡＥセンサ３を搭載し
たため高感度に突起物による衝撃音波を検出することが
できるものの、スライダ製造時にＡＥセンサ３も一体的
に構成するため、ＡＥセンサ３の障害時には一体的に交
換しなければならない。これに対して図３に示した実施
形態のチェックヘッド部２０ｂは、スライダ１の衝撃音
波（振動）を支持バネ６弾性復元力により増幅して検知
するため高感度且つＡＥセンサ４の保守も容易である。
更に図４に示した実施形態のチェックヘッド部２０ｃ
は、スライダ１からの衝撃音波を支持バネ６及び剛性を
持つヘッドアーム並びにネジを介して検出するため検出
精度にはやや劣るものの、微妙な調整を必要とするスラ
イダ及び該スライダの支持部分から離れているため交換
等の保守が容易である。

【００２７】前記実施形態によるチェックヘッド部を搭
載した突起物検査装置の最も簡便な評価方法を図５を参
照して説明する。本実施形態による検査装置は、前記図
２〜図４に示した何れかのチェックヘッド部２０ａ〜ｃ
を用い、一度の走査行程で生ずる２種類の信号（ＡＥ信
号及びＴＡ信号）を画一的な信号とみなして同時に検査
を実施するものである。従って本実施形態による検査装
置により磁気ディスクの回転数または周速、センサの走
査領域、センサの走査ピッチ、弁別器の設定条件等、評
価および判定に必要な条件はすべて２種類のセンサ共通
の条件となる。

【００２８】本実施形態による検査装置は、図５に示す
如く図２〜図４に示した何れかのチェックヘッド部２０
と、該チェックヘッド部２０のＡＥセンサからのＡＥ信
号に含まれる振動雑音を除去するためのバンドパスフィ
ルター１０ａと、同様にＴＡセンサ２からのＴＡ信号に
含まれる振動雑音を除去するためのバンドパスフィルタ
ー１０ｂと、該フィルターを通した信号を各々増幅する
増幅器１１ａ及び１１ｂと、所定のスライスレベル（し
きい値）を用いて弁別する信号弁別器１２と、該弁別器
１２からの出力を元に突起を判定する突起判定不１３と
を備える。

【００２９】前記ＡＥ信号用のバンドパスフィルター１
０ａは、センサを搭載している設備の機械的振動と空気
膜振動を除去するため１００ＫＨｚ〜２００ＫＨｚ程度
のハイパスフィルターと、使用しているピエゾ素子また
はＡＥセンサの持つ固有振動数に由来するセンサの固有
振動数によって限定されるローパスフィルターとを含む
ものである。またＴＡ信号用のバンドパスフィルター１
０ａは、両増幅器１０ａｂを同一仕様であり、前記ＡＥ
信号用のバンドパスフィルター１０ａと同一の帯域を持
つローパスフィルターを含み、上限はフリーにすること
が望ましい。

【００３０】この様に構成した磁気ディスクの突起物検
査装置は、検査対象である磁気ディスクを一定の回転数
又は周速で回転させ、これら予め決められた回転数又は
周速により定められた浮上量になるように調整されたチ
ェックヘッド部２０を用い、検査用のスライダを磁気デ
ィスク表面の内周から外周へ、又は外周から内周へ向か
って決められた領域内を決められた送りピッチにて走査
する。

【００３１】このとき磁気ディスク表面の突起物とセン
サが衝突したときに発生した衝撃音波（ＡＥ波）はＡＥ
センサによりＡＥ信号として検知され、突起物との接触
熱による温度変化に起因する抵抗値変化がＴＡセンサに
よりＴＡ信号として検知される。これらの信号は、各々
前述のバンドパスフィルター１０ａ又は１０ｂを介して
不要な振動雑音が除去された後に増幅器１１ａ又は１１
ｂにより所定信号レベルに増幅され、弁別器１２に入力
される。弁別器１２に入力された信号は指定されたスラ
イスレベル（しきい値）を超えた信号ならば所定のある
一定の時間軸に区切られた弁別窓が開き、この時間枠内
に発生した信号はスライスレベル（しきい値）を超えた
信号の数によらず一個の信号として処理され、所定サイ
ズ以上の突起物を突起判定部１３により漏れなく検出す
ることができる。

【００３２】この場合問題となるのは検出感度の異なっ
た２種類の信号を同一レベルの信号にあわせ込むための
フィルターと増幅器の条件を設定する必要があり、本実
施形態によるフィルター１０ａ及び１０ｂは前述の条件
が好適である。また増幅器１１ａ及び１１ｂのゲイン設
定は、浮上保証を必要とする浮上保証高さと同じバンプ
ディスクに浮上保証高さで浮かせたセンサを衝突させ、
そこで得られた信号が増幅器の出力として両者同一レベ
ルの出力になるように調整する。本方法によれば設備の
改造を最小限にとどめることが出来ると共に、一度の走
査で検査出来るので工程の追加、それに伴う検査時間の
増加を防止することができる。次に他の実施形態による
チェックヘッド部を搭載した突起物検査装置を図６を参
照して説明する。図６に示した検査装置は、図２〜図４
に示した何れかのチェックヘッド部２０と、該チェック
ヘッド部２０からのＡＥ信号とＴＡ信号を判別して出力
する信号判別回路２１と、該信号判別回路２１からのＡ
Ｅ信号に含まれる振動雑音を除去するための前記同様の
バンドパスフィルター１０ａと、信号判別回路２１から
のＴＡ信号に含まれる振動雑音を除去するための前記同
様のバンドパスフィルター１０ｂと、該フィルターを通
した信号を各々増幅する増幅器１１ａ及び１１ｂと、前
記増幅器１１ａ又は１１ｂからの信号を入力として、所
定のスライスレベル（しきい値）を用いて弁別する信号
弁別器１２ａ及び１２ｂと、該弁別器１２からの出力を
元に突起を判定する突起判定不１３とを備える。

【００３３】この様に構成した磁気ディスクの突起物検
査装置は、検査対象である磁気ディスクを一定の回転数
又は周速で回転させ、これら予め決められた回転数又は
周速により定められた浮上量になるように調整されたチ
ェックヘッド部２０を用い、検査用のスライダを磁気デ
ィスク表面の内周から外周へ、又は外周から内周へ向か
って決められた領域内を決められた送りピッチにて走査
する。

【００３４】このとき磁気ディスク表面の突起物とセン
サが衝突したときに発生した衝撃音波（ＡＥ波）はＡＥ
センサによりＡＥ信号として検知され、突起物との接触
熱による温度変化に起因する抵抗値変化がＴＡセンサに
よりＴＡ信号として検知される。これらの信号は、信号
判別回路２１によって判別され、各々前述のバンドパス
フィルター１０ａ又は１０ｂを介して不要な振動雑音が
除去された後に増幅器１１ａ又は１１ｂにより所定信号
レベルに増幅され、弁別器１２ａ又は１２ｂに入力され
る。個々の弁別器１２ａ及び１２ｂに入力された信号は
指定されたスライスレベル（しきい値）を超えた信号な
らば所定のある一定の時間軸に区切られた弁別窓が開
き、この時間枠内に発生した信号はスライスレベル（し
きい値）を超えた信号の数によらず一個の信号として処
理され、突起判定部１３により所定サイズ以上の突起物
を漏れなく検出することができる。

【００３５】本実施形態による検査装置は、同一仕様の
処理系を２系統用意すること及び測定条件を決定するテ
ーブルを双方のセンサ毎に用意することにより、例えば
測定周速、ヘッド送りピッチを同じ条件と設定するなら
ば一度の走査の中でそれぞれのセンサでの最適条件（フ
ィルター条件、しきい値）での測定が可能となり、双方
のセンサのカウント状況を個別に判定出来る。また、Ｔ
Ａセンサの場合、測定ピッチはセンサ素子部のトラック
幅によって制限されるがＡＥ波検出では使用しているス
ライダのレール幅によって制限を受けるので、測定条件
を決定するテーブルを個別に設定した場合、センサ個別
の測定周速、ヘッド送りピッチでの測定を連続した動作
（一回目の測定でＡＥ法による測定、二回目の測定でＴ
Ａ法による測定）での検査も行うことができる。この様
に前述の各実施形態による磁気ディスクの突起物検査方
法及び装置によれば、検査用のスライダの空気流流出端
に突起物との接触熱による温度変化により抵抗値が変化
するＭＲ素子等のＴＡセンサを搭載し、且つスライダに
／該スライダを支持する支持バネに／該支持バネを保持
するヘッドアームに、該スライダに加わる衝撃音波を検
出するビエゾ素子等のＡＥセンサを搭載し、各センサの
出力を調整することによって、所定サイズ以上の突起物
を漏れを少なく検出することができる。

【００３６】尚、前記実施形態においては、スライダの
空気流出端近傍に設けるセンサの例として接触熱による
温度変化により抵抗値が変化するＭＲ素子等のＴＡセン
サを適用する例を説明したが、本発明はこれに限られる
ものではなく、浮上したスライダ後端近傍の高さの突起
物と直接的に接触して高感度に突起物との接触を検知で
きるセンサであれば良く、更にスライダ全体で突起物と
の接触を検知するセンサの例としてスライダ全体に加わ
る衝撃音波を検知するピエゾ素子等のＡＥセンサを適用
する例を説明したが、本発明はこれに限られるものでは
なく、スライダのどの箇所に突起物が接触しても当該接
触を検出できるセンサであれば良いことは言うまでもな
い。

【００３７】また、本発明は次に述べる実施形態として
も表すことができる。 ＜実施形態１＞ 磁気ディスク表面の突起検出方法に
おいて、検出感度領域の異なる２種類のセンサを搭載し
たチェックヘッドを用い、突起物を高精度に検出するこ
とを特徴とする突起物検出方法。 ＜実施形態２＞ 磁気ディスク表面の突起検出に用い
るチェックヘッドにおいて、検出感度領域の異なる２種
類のセンサを搭載したことを特徴とするチェックヘッ
ド。 ＜実施形態３＞ 前記実施形態２記載のチェックヘッ
ドにおいて、接触熱により抵抗変化を生ずる素子を組み
込んだスライダに直接ピエゾ素子を搭載した状態で支持
バネに取り付けたことを特徴とするチェックヘッド。

【００３８】＜実施形態４＞ 前記実施形態２記載の
チェックヘッドにおいて、接触熱により抵抗変化を生ず
る素子を組み込んだスライダとそのスライダを支持バネ
に取り付けたヘッドアッセンブリの支持バネにピエゾ素
子を搭載したことを特徴とするチェックヘッド。 ＜実施形態５＞ 前記実施形態２記載のチェックヘッ
ドにおいて、接触熱により抵抗変化を生ずる素子を組み
込んだスライダとそのスライダを支持バネに取り付けた
ヘッドアッセンブリをＡＥセンサに直付けしたことを特
徴とするチェックヘッド。 ＜実施形態６＞ 検出感度領域の異なる２種類のセン
サを搭載した前記実施形態２記載のチェックヘッドを用
い磁気ディスク表面を走査し、その２種類のセンサの信
号を個別のフィルター、増幅器を通し同一レベルの出力
信号を作り出すことにより、ひとつの弁別器によって信
号処理を可能とすることで、検査工程の短縮を可能とす
る磁気ディスクの検査装置。

【００３９】

【発明の効果】以上述べた如く本発明による突起物検査
方法及び検査装置は、スライダの傾斜部分に突起物が衝
突したことを検出する第１の検出部及び前記スライダの
傾斜部分の下端近傍に突起物が衝突したことを検出する
第２の検出部とを用いて磁気ディスク上の突起物を検出
することにより、高感度な第２の検出部及び比較的低感
度ではあるがスライダ全体で突起物の検出を行う第１の
検出部とを併用し、磁気ディスク上の所定サイズの突起
物を漏れなく検出することができる。

【００４０】更に本発明は、第１の検出部として前記ス
ライダ自体に加わる衝撃音波又は該スライダを弾性的に
支持する支持バネに加わる衝撃音波又は該支持バネを介
して伝わる衝撃音波を検出するＡＥセンサを用い、前記
第２の検出部としてスライダ下端に配置されて突起物と
の接触熱による温度変化により抵抗値が変化するＴＡセ
ンサを用いることにより、磁気ディスク表面の突起物の
検出についてそれぞれ得意とする検出帯域をもつＡＥセ
ンサとＴＡセンサを一体のヘッドアッセンブリとし、非
常に高精度な突起物の検出を量産設備に対応した最少の
設備投資と検出回路で可能とし、浮上信頼性に優れた磁
気ディスクを提供することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に好適なＴＡセンサを後端
に搭載したスライダの側面及び底面を示す図。

【図２】前記実施形態によるＴＡセンサ搭載のスライダ
の上面にＡＥセンサを配置した実施形態を示す図。

【図３】前記実施形態によるＴＡセンサ搭載のスライダ
を支持する支持バネにＡＥセンサを配置した実施形態を
示す図。

【図４】前記実施形態によるＴＡセンサ搭載のスライダ
を支持する支持バネを保持するヘッドアームにＡＥセン
サを配置した実施形態を示す図。

【図５】本発明によるセンサを用いて突起物を判定する
回路構成の一実施例を示す図。

【図６】本発明によるセンサを用いて突起物を判定する
回路構成の他の実施例を示す図。

【図７】ＡＥ法を使用したグライドチェックヘッドにお
けるすり抜け突起物の高さ分布を示す図。

【図８】ＡＥ法を使用したグライドチェックヘッドにお
けるすり抜け突起物のサイズ分布を示す図。

【図９】ＴＡ法により検出した突起物及び光学式検査装
置により検出した突起物の高さ及び度数を示す図。

【符号の説明】

１・・・・・・・スライダ、２・・・・・・・ＴＡ検出用のＭＲ素子、
３及び４・・ピエゾ素子、５及び６・・支持バネ、７・・・・・・
・ＡＥセンサ、８・・・・・・・磁気ディスク。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 章 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 合田 倫佳 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気ディスク表面に突出する突起物を磁
   気ディスク上を傾斜をもって浮上するスライダにより検
   査する突起物検査方法であって、前記スライダの傾斜部
   分に突起物が衝突したことを検出する第１の検出部及び
   前記スライダ下端近傍に突起物が衝突したことを検出す
   る第２の検出部とを用いて磁気ディスク上の突起物を検
   出することを特徴とする磁気ディスクの突起物検査方
   法。
2. 【請求項２】 前記第１の検出部として前記スライダ自
   体に加わる衝撃音波又は該スライダを弾性的に支持する
   支持バネに加わる衝撃音波又は該支持バネを介して伝わ
   る衝撃音波を検出するＡＥセンサを用い、前記第２の検
   出部としてスライダ下端に配置されて突起物との接触熱
   による温度変化により抵抗値が変化するＴＡセンサを用
   いることを特徴とする突起物検査方法。
3. 【請求項３】 磁気ディスク表面に突出する突起物を磁
   気ディスク上を傾斜をもって浮上するスライダにより検
   査する突起物検査装置において、前記スライダの傾斜部
   分に突起物が衝突したことを検出する第１の検出部と、
   前記スライダの傾斜部分の下端近傍に突起物が衝突した
   ことを検出する第２の検出部とを設けたことを特徴とす
   る磁気ディスクの突起物検査装置。
4. 【請求項４】 前記第１の検出部がスライダ自体に加わ
   る衝撃音波又は該スライダを弾性的に支持する支持バネ
   に加わる衝撃音波又は該支持バネを介して伝わる衝撃音
   波を検出するＡＥセンサであり、前記第２の検出部がス
   ライダ下端に配置されて突起物との接触熱による温度変
   化により抵抗値が変化するＴＡセンサであることを特徴
   とする突起物検査装置。