JPH11142602A - 反射防止構造 - Google Patents
反射防止構造Info
- Publication number
- JPH11142602A JPH11142602A JP9322082A JP32208297A JPH11142602A JP H11142602 A JPH11142602 A JP H11142602A JP 9322082 A JP9322082 A JP 9322082A JP 32208297 A JP32208297 A JP 32208297A JP H11142602 A JPH11142602 A JP H11142602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- refractive index
- metal thin
- reflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造で高い反射防止効果が得られる反
射防止構造を提供する。 【解決手段】 透明基板10の裏面10bに屈折率が
2.0から4.0で、吸収係数が2.0から4.0の複
素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜22を成膜
する。
射防止構造を提供する。 【解決手段】 透明基板10の裏面10bに屈折率が
2.0から4.0で、吸収係数が2.0から4.0の複
素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜22を成膜
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、金属薄膜を用い
て透明ガラス基板や透明プラスチック基板の板面での光
の反射を防止した反射防止構造に関する。
て透明ガラス基板や透明プラスチック基板の板面での光
の反射を防止した反射防止構造に関する。
【0002】
【従来の技術】透明ガラス基板や透明プラスチック基板
の反射防止膜として、誘電体薄膜によるものが知られて
いる。図2はその一例を示したもので、ガラスあるいは
プラスチックによる透明基板10のおもて面10aに、
MgF2 ,SiO2 等の透明誘電体薄膜12による反射
防止膜をλ/4(λは反射防止対象の光の波長)の光学
膜厚に成膜したものである。この反射防止構造による基
板おもて面10a側から入射して基板おもて面10a側
で反射される光の反射率(基板10を透過して基板裏面
10bで反射される光を含まない反射率)R1の特性を
図3に示す。図3によれば反射率R1は波長500〜5
50nmで1.3〜2.8%(MgF2 のときR1=
1.3%、SiO2 のときR1=2.8%)程度にな
る。この場合、誘電体薄膜12の透過率T1は、誘電体
薄膜12での光の吸収がないとすると、T1=97.2
〜98.7%となる。また、全体の透過率Tは、透明基
板10での光の吸収がなくかつ透明基板10の裏面10
bでの反射率を4.2%(ガラス基板の場合)とする
と、T=T1×95.8%=93.1〜94.6%とな
る。
の反射防止膜として、誘電体薄膜によるものが知られて
いる。図2はその一例を示したもので、ガラスあるいは
プラスチックによる透明基板10のおもて面10aに、
MgF2 ,SiO2 等の透明誘電体薄膜12による反射
防止膜をλ/4(λは反射防止対象の光の波長)の光学
膜厚に成膜したものである。この反射防止構造による基
板おもて面10a側から入射して基板おもて面10a側
で反射される光の反射率(基板10を透過して基板裏面
10bで反射される光を含まない反射率)R1の特性を
図3に示す。図3によれば反射率R1は波長500〜5
50nmで1.3〜2.8%(MgF2 のときR1=
1.3%、SiO2 のときR1=2.8%)程度にな
る。この場合、誘電体薄膜12の透過率T1は、誘電体
薄膜12での光の吸収がないとすると、T1=97.2
〜98.7%となる。また、全体の透過率Tは、透明基
板10での光の吸収がなくかつ透明基板10の裏面10
bでの反射率を4.2%(ガラス基板の場合)とする
と、T=T1×95.8%=93.1〜94.6%とな
る。
【0003】図2は反射防止膜を単層の誘電体薄膜12
で構成したが、多層の誘電体薄膜で構成することもでき
る。図4は3層の場合を示したもので、透明基板10の
おもて面10aに屈折率の異なる透明誘電体薄膜として
Al2 O3 膜14をλ/4、ZrO2 膜16をλ/2、
MgF2 膜18をλ/4の光学膜厚に積層して、多層の
誘電体薄膜20からなる反射防止膜を構成したものであ
る。これによれば、この反射防止構造による基板おもて
面10a側から入射して基板おもて面10a側で反射さ
れる光の反射率R2の特性を図5に示す。これによれ
ば、反射率R1は波長500〜550nmの領域では
0.1%程度になる。この場合、誘電体薄膜20の透過
率T2は、誘電体薄膜20での光の吸収がないとする
と、T2=99.9%となる。また、全体の透過率T
は、透明基板10での光の吸収がなくかつ透明基板10
の裏面10bでの反射率を4.2%とすると、T=T2
×95.8%=95.7%となる。なお、積層数は3層
のほかに2層、4層、7層、……等が知られている。
で構成したが、多層の誘電体薄膜で構成することもでき
る。図4は3層の場合を示したもので、透明基板10の
おもて面10aに屈折率の異なる透明誘電体薄膜として
Al2 O3 膜14をλ/4、ZrO2 膜16をλ/2、
MgF2 膜18をλ/4の光学膜厚に積層して、多層の
誘電体薄膜20からなる反射防止膜を構成したものであ
る。これによれば、この反射防止構造による基板おもて
面10a側から入射して基板おもて面10a側で反射さ
れる光の反射率R2の特性を図5に示す。これによれ
ば、反射率R1は波長500〜550nmの領域では
0.1%程度になる。この場合、誘電体薄膜20の透過
率T2は、誘電体薄膜20での光の吸収がないとする
と、T2=99.9%となる。また、全体の透過率T
は、透明基板10での光の吸収がなくかつ透明基板10
の裏面10bでの反射率を4.2%とすると、T=T2
×95.8%=95.7%となる。なお、積層数は3層
のほかに2層、4層、7層、……等が知られている。
【0004】図2、図4の構造では、透明基板10のお
もて面10aに反射防止膜12,20を施したが、透明
基板10の裏面10bからの反射光量も大きいので、通
常は図6、図7のように、透明基板10の両面10a,
10bに反射防止膜12,20が施される。図6の構造
によれば、基板おもて面10aの側から見た反射率Rは
2.6〜5.4%程度となる。図7の構造によれば、基
板おもて面10a側から見た反射率Rは0.2%程度と
なる。
もて面10aに反射防止膜12,20を施したが、透明
基板10の裏面10bからの反射光量も大きいので、通
常は図6、図7のように、透明基板10の両面10a,
10bに反射防止膜12,20が施される。図6の構造
によれば、基板おもて面10aの側から見た反射率Rは
2.6〜5.4%程度となる。図7の構造によれば、基
板おもて面10a側から見た反射率Rは0.2%程度と
なる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図6の単層の反射防止
構造によれば、低価格であるが反射防止効果が小さい欠
点があった。また、図7の多層の反射防止構造によれ
ば、反射防止効果が大きいが工程が複雑であるため高価
格となる欠点があった。また、誘電体薄膜は導電性を有
しないので、薄膜の導電性を利用する用途には用いるこ
とができなかった。
構造によれば、低価格であるが反射防止効果が小さい欠
点があった。また、図7の多層の反射防止構造によれ
ば、反射防止効果が大きいが工程が複雑であるため高価
格となる欠点があった。また、誘電体薄膜は導電性を有
しないので、薄膜の導電性を利用する用途には用いるこ
とができなかった。
【0006】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決することができる新規な構造の反射防止構造を
提供しようとするものである。
点を解決することができる新規な構造の反射防止構造を
提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、屈折率n′
が2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0
の複素屈折率を有する金属薄膜を用いて反射防止膜を構
成したものである。すなわち、金属薄膜が入射面側の最
表面を構成する場合には、反射率が高くなり反射防止効
果は得られないが、金属薄膜の上に透明基板や誘電体薄
膜による反射防止膜が存在すると、入射面側から入射さ
れた光は、透明基板あるいは誘電体薄膜による反射防止
膜と金属薄膜との間で光の干渉を起こし、反射光が弱め
られて反射防止効果が得られる。
が2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0
の複素屈折率を有する金属薄膜を用いて反射防止膜を構
成したものである。すなわち、金属薄膜が入射面側の最
表面を構成する場合には、反射率が高くなり反射防止効
果は得られないが、金属薄膜の上に透明基板や誘電体薄
膜による反射防止膜が存在すると、入射面側から入射さ
れた光は、透明基板あるいは誘電体薄膜による反射防止
膜と金属薄膜との間で光の干渉を起こし、反射光が弱め
られて反射防止効果が得られる。
【0008】この発明の反射防止構造は、具体的には次
のように構成される。
のように構成される。
【0009】(a) 透明基板の裏面に屈折率n′が
2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の
複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜し
てなる反射防止構造。
2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の
複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜し
てなる反射防止構造。
【0010】(b) 透明基板の裏面に屈折率n′が
2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の
複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜
し、該金属薄膜の表面に誘電体薄膜による反射防止膜を
成膜してなる反射防止構造。
2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の
複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜
し、該金属薄膜の表面に誘電体薄膜による反射防止膜を
成膜してなる反射防止構造。
【0011】(c) 透明基板の裏面に誘電体薄膜によ
る反射防止膜を成膜し、該誘電体薄膜の表面に屈折率
n′が2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から
4.0の複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜
を成膜してなる反射防止構造。
る反射防止膜を成膜し、該誘電体薄膜の表面に屈折率
n′が2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から
4.0の複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜
を成膜してなる反射防止構造。
【0012】上記(a),(b),(c)の反射防止構
造によれば、透明基板のおもて面側から見た同裏面の反
射率を低下させることができる。
造によれば、透明基板のおもて面側から見た同裏面の反
射率を低下させることができる。
【0013】(d) 透明基板のおもて面に屈折率n′
が2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0
の複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜
し、該金属薄膜の表面に誘電体薄膜による反射防止膜を
成膜してなる反射防止構造。この反射防止構造によれ
ば、透明基板のおもて面側から見た同おもて面の反射率
を低下させることができる。
が2.0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0
の複素屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜
し、該金属薄膜の表面に誘電体薄膜による反射防止膜を
成膜してなる反射防止構造。この反射防止構造によれ
ば、透明基板のおもて面側から見た同おもて面の反射率
を低下させることができる。
【0014】前記(a),(b),(c)の反射防止構
造において、透明基板のおもて面に単層あるいは多層の
誘電体薄膜にによる反射防止膜を成膜しあるいは上記
(d)による反射防止構造を施すことにより、透明基板
のおもて面側から見た同おもて面および裏面の反射率を
ともに低下させることができる。また、前記(d)の反
射防止構造において、透明基板の裏面に単層あるいは多
層の誘電体薄膜による反射防止膜を成膜することによ
り、透明基板のおもて面側から見た同おもて面および裏
面の反射率をともに低下させることができる。
造において、透明基板のおもて面に単層あるいは多層の
誘電体薄膜にによる反射防止膜を成膜しあるいは上記
(d)による反射防止構造を施すことにより、透明基板
のおもて面側から見た同おもて面および裏面の反射率を
ともに低下させることができる。また、前記(d)の反
射防止構造において、透明基板の裏面に単層あるいは多
層の誘電体薄膜による反射防止膜を成膜することによ
り、透明基板のおもて面側から見た同おもて面および裏
面の反射率をともに低下させることができる。
【0015】尚、金属薄膜は例えばTi,Cr,Ni,
Ni−Cr合金、ステンレス等で構成することができ、
適正な膜厚範囲は20〜30オングストローム(2〜3
nm)である。金属薄膜による基板おもて面側から見た
同おもて面あるいは裏面の反射率は単層の誘電体薄膜に
よる反射率よりも低く抑えることができる。したがっ
て、低価格で反射防止効果の高い反射防止構造が実現さ
れる。
Ni−Cr合金、ステンレス等で構成することができ、
適正な膜厚範囲は20〜30オングストローム(2〜3
nm)である。金属薄膜による基板おもて面側から見た
同おもて面あるいは裏面の反射率は単層の誘電体薄膜に
よる反射率よりも低く抑えることができる。したがっ
て、低価格で反射防止効果の高い反射防止構造が実現さ
れる。
【0016】また、この発明の反射防止構造は、例えば
自分の顔や蛍光灯等が写ってじゃまになる所等に用いる
ことができ、例えば窓ガラス、ショーウィンドウ、のぞ
き窓、CRTディスプレイ用反射防止フィルタ等の用途
に用いることができる。また、金属薄膜の導電性を利用
して、帯電防止用のぞき窓や粉末ケースののぞき窓、電
磁シールド機能付CRTディスプレイ用反射防止フィル
タ等の用途に用いることができる。
自分の顔や蛍光灯等が写ってじゃまになる所等に用いる
ことができ、例えば窓ガラス、ショーウィンドウ、のぞ
き窓、CRTディスプレイ用反射防止フィルタ等の用途
に用いることができる。また、金属薄膜の導電性を利用
して、帯電防止用のぞき窓や粉末ケースののぞき窓、電
磁シールド機能付CRTディスプレイ用反射防止フィル
タ等の用途に用いることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を以下説明
する。はじめに、透明基板の片面について反射防止を行
う場合の各種構造例について説明する。尚、これら各構
造例の反射率および透過率のシミュレーション特性を図
面に示すが、これらシミュレーション特性はいずれも次
の条件による。
する。はじめに、透明基板の片面について反射防止を行
う場合の各種構造例について説明する。尚、これら各構
造例の反射率および透過率のシミュレーション特性を図
面に示すが、これらシミュレーション特性はいずれも次
の条件による。
【0018】(透明基板) 材 料 : 透明ガラス 屈折率 : 1.52 光の吸収率 : 0% (金属薄膜) 材 料 : Ti 複素屈折率 : N=n′−ikの定数:n′=2.7
5,k=3.5 膜 厚 : 光学膜厚n′d=0.01λ。すなわち、
物理膜厚dはd=0.01λ/n′。λ=550nmと
して、d=20オングストローム (誘電体薄膜) 材 料 : SiO2 膜 厚 : λ/4またはλ/2(各構造図中に記載さ
れたとおり) 屈折率 : 1.46 光の吸収率 : 0% 上記シミュレーション条件において光学膜厚n′dを
0.01λに設定する根拠について説明する。透明基板
の裏面に金属薄膜単層を成膜した構造(後述する図1,
10の構造)において、透明基板のおもて面側から入射
した光が透明基板と金属薄膜との境界面で反射する際の
反射率Rm を求める。空気の屈折率をn0(=1)、透
明基板(ガラスまたはプラスチック)の屈折率をng と
すると、単層理論計算式として、
5,k=3.5 膜 厚 : 光学膜厚n′d=0.01λ。すなわち、
物理膜厚dはd=0.01λ/n′。λ=550nmと
して、d=20オングストローム (誘電体薄膜) 材 料 : SiO2 膜 厚 : λ/4またはλ/2(各構造図中に記載さ
れたとおり) 屈折率 : 1.46 光の吸収率 : 0% 上記シミュレーション条件において光学膜厚n′dを
0.01λに設定する根拠について説明する。透明基板
の裏面に金属薄膜単層を成膜した構造(後述する図1,
10の構造)において、透明基板のおもて面側から入射
した光が透明基板と金属薄膜との境界面で反射する際の
反射率Rm を求める。空気の屈折率をn0(=1)、透
明基板(ガラスまたはプラスチック)の屈折率をng と
すると、単層理論計算式として、
【0019】
【数1】 と置くと、反射率Rm は、
【0020】
【数2】 として与えられる。n′,k,n0 ,ng は固有値なの
で、n′dを数2に代入し、Rm が0に最も近くなる
n′dの値を求める。この時のn′dが最適の光学膜厚
であり、例えば0.01λとなる。
で、n′dを数2に代入し、Rm が0に最も近くなる
n′dの値を求める。この時のn′dが最適の光学膜厚
であり、例えば0.01λとなる。
【0021】また、金属薄膜と誘電体薄膜からなる2層
膜については、透明基板の下面に誘電体薄膜し、その下
に金属薄膜を成膜した構造(後述する図13の構造)に
おいて、透明基板側から入射した光が誘電体薄膜と金属
薄膜との境界面で反射する際の反射率Rm あるいは透明
基板のおもて面に金属薄膜を成膜し、その上に誘電体薄
膜を成膜した構造(後述する図16の構造)において、
誘電体薄膜側から入射した光が誘電体薄膜と金属薄膜と
の境界で反射する際の反射率Rは、別途多層理論計算式
からRm またはRが0に最も近い値となる金属薄膜の光
学膜厚n′dの値が求まる。このときの金属薄膜の光学
膜厚n′dは、単層膜時と同じ値となり、誘電体薄膜の
光学膜厚はλ/4またはλ/2となる。
膜については、透明基板の下面に誘電体薄膜し、その下
に金属薄膜を成膜した構造(後述する図13の構造)に
おいて、透明基板側から入射した光が誘電体薄膜と金属
薄膜との境界面で反射する際の反射率Rm あるいは透明
基板のおもて面に金属薄膜を成膜し、その上に誘電体薄
膜を成膜した構造(後述する図16の構造)において、
誘電体薄膜側から入射した光が誘電体薄膜と金属薄膜と
の境界で反射する際の反射率Rは、別途多層理論計算式
からRm またはRが0に最も近い値となる金属薄膜の光
学膜厚n′dの値が求まる。このときの金属薄膜の光学
膜厚n′dは、単層膜時と同じ値となり、誘電体薄膜の
光学膜厚はλ/4またはλ/2となる。
【0022】〔実施の形態1〕:図1 図1は、透明基板10の裏面10bからの反射を防止し
たものである。透明基板10は透明ガラスや透明プラス
チック(アクリル樹脂、ポリカーボネート等)で構成さ
れる。透明基板10の裏面10bには、金属薄膜22が
スパッタ法等で一定の厚さの一様な膜あるいは島状の膜
に成膜されている。
たものである。透明基板10は透明ガラスや透明プラス
チック(アクリル樹脂、ポリカーボネート等)で構成さ
れる。透明基板10の裏面10bには、金属薄膜22が
スパッタ法等で一定の厚さの一様な膜あるいは島状の膜
に成膜されている。
【0023】金属薄膜の光学定数は次式で表される。
【0024】N=n′−ik 但し、N :複系屈折率 n′:位相速度係数(屈折率) k :振幅減衰係数(吸収係数) この発明の金属薄膜22は、屈折率n′が2.0から
4.0、吸収係数kが2.0から4.0の弱い吸収を持
つ金属が適しており、例えばTi,Cr,Ni,Ni−
Cr合金、ステンレス等を用いることができる。金属薄
膜22の膜厚は20〜30オングストローム程度が適当
である。
4.0、吸収係数kが2.0から4.0の弱い吸収を持
つ金属が適しており、例えばTi,Cr,Ni,Ni−
Cr合金、ステンレス等を用いることができる。金属薄
膜22の膜厚は20〜30オングストローム程度が適当
である。
【0025】図1の反射防止構造における透明基板10
のおもて面10a側から見た裏面10bの反射率Rm3
の特性を図8に示す。また、裏面10b側から入射した
光が裏面10bで反射する際の反射率R3の特性および
金属薄膜22の透過率T3の特性を図9に示す。これに
よれば、500nm付近の波長に対して反射率Rm3は
0.3%と低くなる。これに対し、金属薄膜22が最表
面を構成している裏面10b側からの反射率R3は10
%と高くなる。また、全体の透過率Tはおもて面10a
側からでも裏面10b側からでも62.3%となり、実
用上十分な透過率が得られる。また、金属薄膜22の表
面抵抗値は800〜1500Ω/□であり、導電性を有
する。
のおもて面10a側から見た裏面10bの反射率Rm3
の特性を図8に示す。また、裏面10b側から入射した
光が裏面10bで反射する際の反射率R3の特性および
金属薄膜22の透過率T3の特性を図9に示す。これに
よれば、500nm付近の波長に対して反射率Rm3は
0.3%と低くなる。これに対し、金属薄膜22が最表
面を構成している裏面10b側からの反射率R3は10
%と高くなる。また、全体の透過率Tはおもて面10a
側からでも裏面10b側からでも62.3%となり、実
用上十分な透過率が得られる。また、金属薄膜22の表
面抵抗値は800〜1500Ω/□であり、導電性を有
する。
【0026】〔実施の形態2〕:図10 図10の反射防止構造は、図1の反射防止構造におい
て、金属薄膜22の表面に光学膜厚がλ/2のSiO2
等の透明誘電体膜24を成膜したものである。この構造
による基板おもて面10a側から見た裏面10bの反射
率Rm4の特性を図11に示す。また、基板裏面10b
側からの裏面10bの反射率R4の特性および反射防止
膜22+24の透過率T4の特性を図12に示す。これ
によれば、500nm付近の波長に対して裏面の反射率
Rm4は0.01%と低くなっている。このとき、全体
の透過率Tは62.3%となる。
て、金属薄膜22の表面に光学膜厚がλ/2のSiO2
等の透明誘電体膜24を成膜したものである。この構造
による基板おもて面10a側から見た裏面10bの反射
率Rm4の特性を図11に示す。また、基板裏面10b
側からの裏面10bの反射率R4の特性および反射防止
膜22+24の透過率T4の特性を図12に示す。これ
によれば、500nm付近の波長に対して裏面の反射率
Rm4は0.01%と低くなっている。このとき、全体
の透過率Tは62.3%となる。
【0027】〔実施の形態3〕:図13 図13の反射防止構造は、透明基板10の裏面10bに
光学膜厚がλ/4のSiO2 等の透明誘電体膜26を成
膜し、透明誘電体膜26の表面に図1の金属薄膜22と
同じ金属薄膜28を成膜したものである。この構造によ
る基板おもて面10a側から見た裏面10bの反射率R
m5の特性を図14に示す。また、基板裏面10b側か
らの裏面10bの反射率R5の特性および反射防止膜2
6+28の透過率T5の特性を図15に示す。これによ
れば、500nm付近の波長に対して反射率Rm5が
0.25%と低くなる。また、全体の透過率Tは67.
1%となる。
光学膜厚がλ/4のSiO2 等の透明誘電体膜26を成
膜し、透明誘電体膜26の表面に図1の金属薄膜22と
同じ金属薄膜28を成膜したものである。この構造によ
る基板おもて面10a側から見た裏面10bの反射率R
m5の特性を図14に示す。また、基板裏面10b側か
らの裏面10bの反射率R5の特性および反射防止膜2
6+28の透過率T5の特性を図15に示す。これによ
れば、500nm付近の波長に対して反射率Rm5が
0.25%と低くなる。また、全体の透過率Tは67.
1%となる。
【0028】〔実施の形態4〕:図16 図16の反射防止構造は、透明基板10のおもて面10
aに図1の金属薄膜22と同じ金属薄膜30を成膜し、
金属薄膜30の表面に光学膜厚がλ/4のSiO2 等の
透明導電体薄膜32を成膜したものである。この構造に
よる基板おもて面10a側から見たおもて面10aの反
射率R6の特性を図17に示す。また、基板裏面10b
側からのおもて面10aの反射率Rm6の特性および反
射防止膜30+32の透過率T6の特性を図18に示
す。これによれば、530nm付近の波長に対して反射
率R6が0.2%と低くなる。また、全体の透過率Tは
72.8%となる。
aに図1の金属薄膜22と同じ金属薄膜30を成膜し、
金属薄膜30の表面に光学膜厚がλ/4のSiO2 等の
透明導電体薄膜32を成膜したものである。この構造に
よる基板おもて面10a側から見たおもて面10aの反
射率R6の特性を図17に示す。また、基板裏面10b
側からのおもて面10aの反射率Rm6の特性および反
射防止膜30+32の透過率T6の特性を図18に示
す。これによれば、530nm付近の波長に対して反射
率R6が0.2%と低くなる。また、全体の透過率Tは
72.8%となる。
【0029】以上、透明基板の片面に反射防止膜を施し
た場合について説明したが、これらの構造を用いて透明
基板の両面に反射防止膜を施す場合の各種構造例につい
て説明する。
た場合について説明したが、これらの構造を用いて透明
基板の両面に反射防止膜を施す場合の各種構造例につい
て説明する。
【0030】〔実施の形態5〕:図19 図19の反射防止構造は、図1の反射防止構造において
透明基板10のおもて面10aに図2の透明誘電体薄膜
による反射防止膜12を成膜したものである。これによ
れば、反射率Rが1.6〜3.1%で透過率Tが63.
2〜64.2%の反射防止構造が得られる。
透明基板10のおもて面10aに図2の透明誘電体薄膜
による反射防止膜12を成膜したものである。これによ
れば、反射率Rが1.6〜3.1%で透過率Tが63.
2〜64.2%の反射防止構造が得られる。
【0031】〔実施の形態6〕:図20 図20の反射防止構造は、図1の反射防止構造において
透明基板10のおもて面10aに図4の多層透明誘電体
薄膜14,16,18による反射防止膜20を成膜した
ものである。これによれば、反射率Rが0.4%で透過
率Tが64.9%の反射防止構造が得られる。
透明基板10のおもて面10aに図4の多層透明誘電体
薄膜14,16,18による反射防止膜20を成膜した
ものである。これによれば、反射率Rが0.4%で透過
率Tが64.9%の反射防止構造が得られる。
【0032】〔実施の形態7〕:図21 図21の反射防止構造は、図10の反射防止構造におい
て透明基板10のおもて面10aに図2の透明誘電体薄
膜による反射防止膜12を成膜したものである。これに
よれば、反射率Rが1.3〜2.8%で透過率Tが6
3.2〜64.2%の反射防止構造が得られる。
て透明基板10のおもて面10aに図2の透明誘電体薄
膜による反射防止膜12を成膜したものである。これに
よれば、反射率Rが1.3〜2.8%で透過率Tが6
3.2〜64.2%の反射防止構造が得られる。
【0033】〔実施の形態8〕:図22 図22の反射防止構造は、図10の反射防止構造におい
て透明基板10のおもて面10aに図4の多層透明誘電
体薄膜14,16,18による反射防止膜20を成膜し
たものである。これによれば、反射率Rが0.1%で透
過率Tが64.9%の反射防止構造が得られる。
て透明基板10のおもて面10aに図4の多層透明誘電
体薄膜14,16,18による反射防止膜20を成膜し
たものである。これによれば、反射率Rが0.1%で透
過率Tが64.9%の反射防止構造が得られる。
【0034】〔実施の形態9〕:図23 図23の反射防止構造は、図13の反射防止構造におい
て透明基板10のおもて面10aに図2の透明誘電体薄
膜による反射防止膜12を成膜したものである。これに
よれば、反射率Rが1.6〜3.0%で透過率Tが6
8.0〜69.1%の反射防止構造が得られる。
て透明基板10のおもて面10aに図2の透明誘電体薄
膜による反射防止膜12を成膜したものである。これに
よれば、反射率Rが1.6〜3.0%で透過率Tが6
8.0〜69.1%の反射防止構造が得られる。
【0035】〔実施の形態10〕:図24 図24の反射防止構造は、図13の反射防止構造におい
て透明基板10のおもて面10aに図4の多層透明誘電
体薄膜14,16,18による反射防止膜20を成膜し
たものである。これによれば、反射率Rが0.35%で
透過率Tが64.9%の反射防止構造が得られる。
て透明基板10のおもて面10aに図4の多層透明誘電
体薄膜14,16,18による反射防止膜20を成膜し
たものである。これによれば、反射率Rが0.35%で
透過率Tが64.9%の反射防止構造が得られる。
【0036】〔実施の形態11〕:図25 図25の反射防止構造は、図16の反射防止構造におい
て透明基板10の裏面10bに図2の透明誘電体薄膜に
よる反射防止膜12を成膜したものである。これによれ
ば、反射率Rが1.0〜1.8%で透過率Tが73.9
〜75.0%の反射防止構造が得られる。
て透明基板10の裏面10bに図2の透明誘電体薄膜に
よる反射防止膜12を成膜したものである。これによれ
ば、反射率Rが1.0〜1.8%で透過率Tが73.9
〜75.0%の反射防止構造が得られる。
【0037】〔実施の形態12〕:図26 図26の反射防止構造は、図16の反射防止構造におい
て透明基板10の裏面10bに図4の多層透明誘電体薄
膜14,16,18による反射防止膜20を成膜したも
のである。これによれば、反射率Rが0.3%で透過率
Tが75.9%の反射防止構造が得られる。
て透明基板10の裏面10bに図4の多層透明誘電体薄
膜14,16,18による反射防止膜20を成膜したも
のである。これによれば、反射率Rが0.3%で透過率
Tが75.9%の反射防止構造が得られる。
【0038】〔実施の形態13〕:図27 図27の反射防止構造は、図1の反射防止構造において
透明基板10のおもて面10aに図16の反射防止構造
を施したものである。これによれば、反射率Rが0.4
%で透過率Tが49.4%の反射防止構造が得られる。
透明基板10のおもて面10aに図16の反射防止構造
を施したものである。これによれば、反射率Rが0.4
%で透過率Tが49.4%の反射防止構造が得られる。
【0039】〔実施の形態14〕:図28 図28の反射防止構造は、図10の反射防止構造におい
て透明基板10のおもて面10aに図16の反射防止構
造を施したものである。これによれば、反射率Rが0.
2%で透過率Tが49.4%の反射防止構造が得られ
る。
て透明基板10のおもて面10aに図16の反射防止構
造を施したものである。これによれば、反射率Rが0.
2%で透過率Tが49.4%の反射防止構造が得られ
る。
【0040】〔実施の形態15〕:図29 図29の反射防止構造は、図13の反射防止構造におい
て透明基板10のおもて面10aに図16の反射防止構
造を施したものである。これによれば、反射率Rが0.
3%で透過率Tが53.2%の反射防止構造が得られ
る。
て透明基板10のおもて面10aに図16の反射防止構
造を施したものである。これによれば、反射率Rが0.
3%で透過率Tが53.2%の反射防止構造が得られ
る。
【0041】実施の形態13(図27)、14(図2
8)、15(図29)によれば、透過率が50%前後と
なり、透過光の眩しさを半減する効果が得られる。ま
た、透過色が淡いグレーとなり、高級感のある反射防止
構造が得られる。
8)、15(図29)によれば、透過率が50%前後と
なり、透過光の眩しさを半減する効果が得られる。ま
た、透過色が淡いグレーとなり、高級感のある反射防止
構造が得られる。
【図1】 この発明の実施の形態1を示す断面図であ
る。
る。
【図2】 従来の反射防止構造を示す断面図である。
【図3】 図2の反射防止構造の特性図である。
【図4】 従来の反射防止構造を示す断面図である。
【図5】 図4の反射防止構造の特性図である。
【図6】 従来の反射防止構造を示す断面図で、図2の
反射防止膜を両面に成膜したものである。
反射防止膜を両面に成膜したものである。
【図7】 従来の反射防止構造を示す断面図で、図4の
反射防止膜を両面に成膜したものである。
反射防止膜を両面に成膜したものである。
【図8】 図1の反射防止構造の特性図である。
【図9】 図1の反射防止構造の特性図である。
【図10】 この発明の実施の形態2を示す断面図であ
る。
る。
【図11】 図10の反射防止構造の特性図である。
【図12】 図10の反射防止構造の特性図である。
【図13】 この発明の実施の形態3を示す断面図であ
る。
る。
【図14】 図13の反射防止構造の特性図である。
【図15】 図13の反射防止構造の特性図である。
【図16】 この発明の実施の形態4を示す断面図であ
る。
る。
【図17】 図16の反射防止構造の特性図である。
【図18】 図16の反射防止構造の特性図である。
【図19】 この発明の実施の形態5を示す断面図であ
る。
る。
【図20】 この発明の実施の形態6を示す断面図であ
る。
る。
【図21】 この発明の実施の形態7を示す断面図であ
る。
る。
【図22】 この発明の実施の形態8を示す断面図であ
る。
る。
【図23】 この発明の実施の形態9を示す断面図であ
る。
る。
【図24】 この発明の実施の形態10を示す断面図で
ある。
ある。
【図25】 この発明の実施の形態11を示す断面図で
ある。
ある。
【図26】 この発明の実施の形態12を示す断面図で
ある。
ある。
【図27】 この発明の実施の形態13を示す断面図で
ある。
ある。
【図28】 この発明の実施の形態14を示す断面図で
ある。
ある。
【図29】 この発明の実施の形態15を示す断面図で
ある。
ある。
10 透明基板 10a 基板おもて面 10b 基板裏面 12,20,24,26,32 誘電体薄膜(反射防止
膜) 22,28,30 金属薄膜(反射防止膜)
膜) 22,28,30 金属薄膜(反射防止膜)
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年12月5日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】N=n′−ik 但し、N :複素屈折率 n′:位相速度係数(屈折率) k :振幅減衰係数(吸収係数) この発明の金属薄膜22は、屈折率n′が2.0から
4.0、吸収係数kが2.0から4.0の弱い吸収を持
つ金属が適しており、例えばTi,Cr,Ni,Ni−
Cr合金、ステンレス等を用いることができる。金属薄
膜22の膜厚は20〜30オングストローム程度が適当
である。
4.0、吸収係数kが2.0から4.0の弱い吸収を持
つ金属が適しており、例えばTi,Cr,Ni,Ni−
Cr合金、ステンレス等を用いることができる。金属薄
膜22の膜厚は20〜30オングストローム程度が適当
である。
Claims (10)
- 【請求項1】透明基板の裏面に屈折率n′が2.0から
4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の複素屈折率
を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜してなる反射
防止構造。 - 【請求項2】透明基板の裏面に屈折率n′が2.0から
4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の複素屈折率
を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜し、該金属薄
膜の表面に誘電体薄膜による反射防止膜を成膜してなる
反射防止構造。 - 【請求項3】透明基板の裏面に誘電体薄膜による反射防
止膜を成膜し、該誘電体薄膜の表面に屈折率n′が2.
0から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の複素
屈折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜してな
る反射防止構造。 - 【請求項4】前記透明基板のおもて面に誘電体薄膜によ
る反射防止膜を成膜してなる請求項1から3のいずれか
に記載の反射防止構造。 - 【請求項5】透明基板のおもて面に屈折率n′が2.0
から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の複素屈
折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜し、該金
属薄膜の表面に誘電体薄膜による反射防止膜を成膜して
なる反射防止構造。 - 【請求項6】前記透明基板の裏面に誘電体薄膜による反
射防止膜を成膜してなる請求項5記載の反射防止構造。 - 【請求項7】透明基板のおもて面に屈折率n′が2.0
から4.0で、吸収係数kが2.0から4.0の複素屈
折率を有する金属薄膜による反射防止膜を成膜し、該金
属薄膜の表面に誘電体薄膜による反射防止膜を成膜して
なる請求項1から3のいずれかに記載の反射防止構造。 - 【請求項8】前記金属薄膜が20から30オングストロ
ームの膜厚に成膜されている請求項1から7のいずれか
に記載の反射防止構造。 - 【請求項9】前記金属薄膜が、Ti,Cr,Ni,Ni
−Cr合金,ステンレスのいずれかで構成されている請
求項1から8のいずれかに記載の反射防止構造。 - 【請求項10】前記透明基板が、透明ガラス基板または
透明プラスチック基板で構成されている請求項1から9
のいずれかに記載の反射防止構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9322082A JPH11142602A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 反射防止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9322082A JPH11142602A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 反射防止構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11142602A true JPH11142602A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18139721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9322082A Pending JPH11142602A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 反射防止構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11142602A (ja) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6270801A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Mitsubishi Shindo Kk | Crt用フイルタ |
JPS62123402A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Oike Ind Co Ltd | 反射防止フイルム |
JPS62179704U (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-14 | ||
JPH01207701A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Nippon Shinku Kogaku Kk | 中性濃度フィルター |
JPH02113202A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Nippon Shinku Kogaku Kk | 中性濃度フィルター |
JPH041726A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH09156964A (ja) * | 1994-12-13 | 1997-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | 光吸収性反射防止体 |
JPH10187056A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-14 | Sony Corp | 表示装置用フィルター、表示装置及び表示装置用前面板 |
JPH10508263A (ja) * | 1994-11-01 | 1998-08-18 | デポジション・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 低可視光透過率および低可視光反射率を有する光学素子 |
JPH10230558A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-09-02 | Asahi Glass Co Ltd | 光吸収性反射防止膜付き有機基体とその製造方法 |
JPH116901A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Sony Corp | 反射防止膜 |
JPH1173119A (ja) * | 1997-03-24 | 1999-03-16 | Konica Corp | 電磁波シールド効果を有する反射防止コート及び反射防止コートを有する光学部材 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP9322082A patent/JPH11142602A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6270801A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Mitsubishi Shindo Kk | Crt用フイルタ |
JPS62123402A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Oike Ind Co Ltd | 反射防止フイルム |
JPS62179704U (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-14 | ||
JPH01207701A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Nippon Shinku Kogaku Kk | 中性濃度フィルター |
JPH02113202A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Nippon Shinku Kogaku Kk | 中性濃度フィルター |
JPH041726A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH10508263A (ja) * | 1994-11-01 | 1998-08-18 | デポジション・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 低可視光透過率および低可視光反射率を有する光学素子 |
JPH09156964A (ja) * | 1994-12-13 | 1997-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | 光吸収性反射防止体 |
JPH10230558A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-09-02 | Asahi Glass Co Ltd | 光吸収性反射防止膜付き有機基体とその製造方法 |
JPH10187056A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-14 | Sony Corp | 表示装置用フィルター、表示装置及び表示装置用前面板 |
JPH1173119A (ja) * | 1997-03-24 | 1999-03-16 | Konica Corp | 電磁波シールド効果を有する反射防止コート及び反射防止コートを有する光学部材 |
JPH116901A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Sony Corp | 反射防止膜 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5521765A (en) | Electrically-conductive, contrast-selectable, contrast-improving filter | |
US4846551A (en) | Optical filter assembly for enhancement of image contrast and glare reduction of cathode ray display tube | |
US6528142B2 (en) | Antireflection coating | |
JPH05502311A (ja) | 導電性、光減衰反射防止被覆 | |
JP2003094548A (ja) | 反射防止フィルム | |
JPH07151903A (ja) | 反射防止膜 | |
JPH11204065A (ja) | 低反射膜、および、低反射膜を用いた表示パネル | |
JPH11142602A (ja) | 反射防止構造 | |
JPH07296672A (ja) | タッチパネル | |
JP2002277608A (ja) | 反射防止膜及びこれを用いた画像表示装置 | |
JP4834939B2 (ja) | 反射防止フィルム | |
JPH01168855A (ja) | 金属膜を含む反射防止膜付着透明板 | |
JPH02113202A (ja) | 中性濃度フィルター | |
JP2525838B2 (ja) | 反射防止膜付着透明板 | |
JPH01198701A (ja) | 着色反射防止膜 | |
JP2531734B2 (ja) | 金属膜を含む反射防止膜付着透明体 | |
JPH01180501A (ja) | 金属膜を有する反射防止膜付着透明板 | |
JPH0756004A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
JPH11281967A (ja) | 液晶表示装置 | |
CN220795513U (zh) | 一种多功能反射层 | |
JP4184498B2 (ja) | 亜鉛/インジウム系bm膜、及びbm膜製造方法 | |
JP2565538B2 (ja) | 金属膜を含む反射防止膜付着透明体 | |
JP2001154001A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
JPH01180333A (ja) | 金属膜を含む反射防止膜付着透明体 | |
JPH01207701A (ja) | 中性濃度フィルター |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |