JPH11132398A - 不活性ガス供給設備 - Google Patents
不活性ガス供給設備Info
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- JPH11132398A JPH11132398A JP29536497A JP29536497A JPH11132398A JP H11132398 A JPH11132398 A JP H11132398A JP 29536497 A JP29536497 A JP 29536497A JP 29536497 A JP29536497 A JP 29536497A JP H11132398 A JPH11132398 A JP H11132398A
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Abstract
り、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低下
することを防止する。 【解決手段】 クリーンルーム1内に設置されたバッフ
ァタンク10へ窒素ガスN2を供給する窒素ガス供給管
14に高圧側減圧弁15、遮断弁16、低圧側減圧弁1
7を接続し、窒素ガスN2をクリーンストッカ2へ供給
する窒素ガス供給主管11をバッファタンク10に接続
し、クリーンルーム1内の酸素濃度が所定の値よりも低
くなったら遮断弁16に弁閉止指令V2を与える酸素濃
度指示調節計19と、バッファタンク10の圧力が所定
の値よりも高くなったら遮断弁16に弁閉止指令V1を
与える圧力指示調節計18と、バッファタンク10から
窒素ガスN2を屋外へ放出するために、安全弁20を備
えた窒素ガス排出管21を設ける。
Description
設けた所定の対象箇所に不活性ガスを供給するようにし
た不活性ガス供給設備に関するものである。
造装置は、クリーンルーム内に設置されると共に、半導
体ウェハや液晶パネルのケミカルフリー、空気中の酸素
による自然酸化膜成長の防止等を目的として、前記半導
体製造装置や液晶パネル製造装置には、窒素ガス等の不
活性ガスを供給することが行われている。
装置は一般に密封度が高いものが大部分であり特に問題
はないが、製造装置が半導体ウェハや液晶パネルの洗浄
装置の場合は密封容器が大きくなるために密封度が低い
のが通常である。
給すると、その一部はクリーンルーム内へ漏洩するが、
それが従来特に問題とならなかったのは、クリーンルー
ム内への外気の取入れ量に比較して前記装置へ供給され
る不活性ガスの量が対外気比で0.1%以下と少く、且
つ不活性ガスの装置への供給が断続的であり、しかも不
活性ガスを送給する配管の径が小径であるため、配管に
接続された弁が異常により全開となっても不活性ガスの
供給に上限があり、クリーンルーム内の酸素濃度は問題
になるほど低下することはなかった。
ハや液晶パネルの数時間ないし数日間に亘る一時的な保
管のために、クリーンストッカが使用され、クリーンス
トッカに対しても半導体ウェハや液晶パネルのケミカル
フリー、自然酸化膜の成長防止を目的として、窒素ガス
等の不活性ガスを供給することが要求されるようになっ
て来た。
置に比較して大型であるため、不活性ガスの供給量が多
いうえ、不活性ガスを連続的に供給する必要がある。
の一例は、図2に示され、図中、aは窒素ガス等の不活
性ガスを供給するための不活性ガス供給装置、bはクリ
ーンルームc内に設置された密閉度の低いクリーンスト
ッカであり、不活性ガス供給装置aとクリーンストッカ
bとは、不活性ガス供給装置aからクリーンストッカb
へ不活性ガスdを供給するために管路eにより接続され
ている。
は高圧側減圧弁fが接続され、管路eのクリーンルーム
c内の部分には低圧側減圧弁gが接続されている。
ては、低圧側減圧弁gよりも不活性ガス流れ方向上流側
から管路hが分岐しており、管路hは他の複数の装置i
へ接続されている。
ガス等の不活性ガスdは管路eを通り、高圧側減圧弁f
及び低圧側減圧弁gで夫々減圧され、所定の圧力となっ
て半導体ウェハ等が保管されるクリーンストッカbへ供
給される。
れている半導体ウェハ等のケミカルフリーが実現でき、
空気中の酸素による自然酸化膜の成長が防止される。
設備においては、 i)他の装置iでの制御弁のオン−オフに伴い、管路e
を流れる不活性ガスdに一次圧力変動が生じると、クリ
ーンストッカbへの不活性ガスの供給が不安定となり好
ましくない、 ii)低圧側減圧弁gが何等かの原因で制御できなくな
り全開となった場合、管路eが25〜40mmφと太い
ため、管路eからクリーンストッカbへ供給される不活
性ガスの量が増加し、従ってクリーンストッカbからク
リーンルームc内へ漏洩する不活性ガスが増える結果、
クリーンストッカb周辺の酸素濃度が低下して、作業員
がクリーンルームc内で作業できなくなる、等の問題が
ある。
ム内に設けたクリーンストッカ等の所定の対象箇所への
不活性ガスの供給を安定して行い得るようにすると共
に、不活性ガスを供給する系統に異常が生じて所定の対
象箇所からのクリーンルーム内への不活性ガスの漏れ量
が増加したような場合にも、クリーンルーム内の酸素濃
度が所定の値よりも低下しないようにすることを目的と
してなしたものである。
設備は、クリーンルーム内に設けた所定の対象箇所へ不
活性ガスを供給し得るようにした管路の中途部に、不活
性ガスを一時的に蓄えるバッファタンクを設け、前記管
路のバッファタンクよりも不活性ガス流れ方向上流側の
部分に、不活性ガス流れ方向上流側から下流側へ向け
て、順次高圧側減圧弁及び遮断弁並に低圧側減圧弁を接
続し、前記クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値より
も低くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力する酸素
濃度指示調節計或いは前記バッファタンク内の不活性ガ
ス圧力が所定の値よりも高くなったら前記遮断弁へ弁閉
止指令を出力する圧力指示調節計のうち少くとも何れか
一方を設けたものである。
て所定の対象箇所へ供給できると共に不活性ガスのクリ
ーンルーム内への漏洩量を常に最小限に保持することが
でき、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低
下することを防止できるため、作業員がクリーンルーム
内で作業を行う場合に作業に支障が生じることはない。
れている不活性ガスの圧力が所定の値よりも高くなった
ら、バッファタンクから屋外へ不活性ガスを放出し得る
よう、安全弁を備えた管路を設けているため、バッファ
タンク内の不活性ガスは屋外へ放出され、従ってクリー
ンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも下降することを
より一層確実に防止することができる。
濃度指示調節計により検出した酸素濃度が18%以下に
なった場合には、弁閉止指令により遮断弁を閉鎖して不
活性ガスの供給を停止し、作業員が支障なく作業をする
ことを可能とする。
図面を参照しつつ説明する。
活性ガスとして窒素ガスを使用し、該窒素ガスをクリー
ンルーム内に設置したクリーンストッカへ供給する場合
について説明する。
リーンルーム1内には6面を壁で包囲された箱体状のク
リーンストッカ2が収納されている。
紙面に直交する方向へ走行し得るようにしたスタッカク
レーン3が配置されると共に、スタッカクレーン3の左
右両側に多段、多列に配置したラック4が収納されてお
り、ラック4の各保管部にはウェハカセット5を格納し
得るようになっている。
ルタ6が設置されると共に、各フィルタ6の後面には、
クリーンストッカ2内の窒素ガスN2をフィルタ6を通
して各保管部に保管されているウェハカセット5側へ送
給するためファン7が設置されている。
ーン3が走行する空間8を通って下降して来た窒素ガス
N2が循環し得るよう、孔の穿設された仕切板9が設置
されている。
置には、図示してないがウェハカセット5を入出庫する
ための入出庫部が設けられている。
レーン3、ラック4、フィルタ6、ファン7によりウェ
ハカセット保管設備が構成されている。
留するバッファタンク10が収納され、バッファタンク
10の上部に接続した窒素ガス供給主管11は、先端側
で窒素ガス供給枝管11aに分岐し、クリーンストッカ
2内に挿入されて空間12内に窒素ガスN2を送出し得
るようになっている。
ス供給装置13には窒素ガス供給管14が接続されてい
る。而して、窒素ガス供給管14はクリーンルーム1内
に挿入されてその先端は、バッファタンク10の上部に
接続されている。
1内において、窒素ガス流れ方向上流側から下流側へ向
け、順次、高圧側減圧弁15、遮断弁16、低圧側減圧
弁17が接続されている。
8が接続されると共にクリーンルーム1内には酸素濃度
指示調節計19が配置されており、圧力指示調節計18
で検出したバッファタンク10内の窒素ガスの圧力が所
定の値よりも高い場合(例えば100mmAq以上)、
或いは酸素濃度指示調節計19で検出したクリーンルー
ム1内の酸素濃度が所定の値よりも低い場合(例えば1
8%以下)には、圧力指示調節計18或いは酸素濃度指
示調節計19から遮断弁16へ弁閉止指令V1或いはV
2を与え得るようになっている。
0を備えた窒素ガス排出管21が接続されており、バッ
ファタンク10に蓄えられている窒素ガスN2の圧力が
所定の値(例えば70mmAq以上)よりも高い場合に
は、窒素ガスN2を屋外へ放出するよう、窒素ガス排出
管21はクリーンルーム1から屋外22へ導出されてそ
の先端は屋外22に開放されている。
に接続した圧力検出器、24,25は各管に接続した開
閉弁、26はバッファタンク10から低圧側減圧弁17
に接続された導管である。
説明する。
給する場合には遮断弁16及び各開閉弁24,25は全
開状態になっており、安全弁20は全閉状態になってい
る。
れた窒素ガスN2は窒素ガス供給管14を流通しつつ高
圧側減圧弁15において所定の圧力に減圧され(例えば
7kg/cm2Gから4kg/cm2G)、遮断弁16を
流通して低圧側減圧弁17へ送給され、低圧側減圧弁1
7において所定の圧力に減圧され(例えば4kg/cm
2Gから50mmAq)、更に窒素ガス供給管14を流
通してバッファタンク10へ導入される。
えば50mmAq)は導管26を経由したバッファタン
ク10内の圧力により制御することにより、バッファタ
ンク10へ安定した圧力で窒素ガスN2を供給すること
が可能となる。
N2は、窒素ガス供給主管11から窒素ガス供給枝管1
1aを流通してクリーンストッカ2内の空間12に吹込
まれ、各ファン7の後面へ上昇する。
窒素ガス供給主管11、窒素ガス供給枝管11aを送給
される際の圧力損失により減圧され、従って、クリーン
ストッカ2内の空間12の窒素ガスN2の圧力はクリー
ンルーム1内の圧力よりも僅かに高い数mmAq程度で
ある。
スN2は、ファン7で加圧されたうえフィルタ6を通り
清浄化され、各ラック4の部分を通過して空間8へ送り
込まれ、空間8を下降して仕切板9の孔を通り、窒素ガ
ス供給枝管11aからクリーンルーム1の空間12内下
部に吹込まれた窒素ガスN2と合流し、循環、上昇し、
再びファン7から、フィルタ6、ラック4を経て空間8
側へ送られる。
まれた窒素ガスN2を空間12,8を通し循環させるこ
とにより、ラック4にウェハカセット5として保管され
ているウェハの表面に塵埃が付着することを防止すると
共に、ケミカルフリーを達成でき、しかもウェハ表面に
自然酸化膜が形成されることが防止される。
ではないため、クリーンストッカ2内の窒素ガスN2は
クリーンルーム1内との差圧により僅かにクリーンルー
ム1内へ漏洩するが、窒素ガスN2を送給する系統に異
常がない場合には、クリーンルーム1の空気調節系によ
りクリーンルーム1内の空気の交替が行われるため、特
に問題はない。
常が生じ、クリーンストッカ2内に供給される窒素ガス
N2の圧力が数mmAqよりも高くなると、クリーンル
ーム1内の窒素ガス濃度が上昇し、その結果、クリーン
ルーム1内の酸素濃度が低下する。
たクリーンルーム1内の酸素濃度が予め設定した所定の
値よりも低くなった場合には、酸素濃度指示調節計19
から遮断弁16に弁閉止指令V2が与えられて遮断弁1
6が閉止する。このため、バッファタンク10内へは窒
素ガスN2が導入されず、従ってバッファタンク10内
の圧力が下降してクリーンストッカ2への窒素ガスN2
の供給は停止される。
御不能となる等により故障してバッファタンク10に導
入される窒素ガスN2の圧力が所定の値よりも高くなる
と、先ず安全弁20が開き、バッファタンク10の圧力
上昇を押えようとする。而して、安全弁20が全て開放
してもなおもバッファタンク10内の圧力が上昇し、所
定の値よりも高くなると、圧力指示調節計18から遮断
弁16に弁閉止指令V1が与えられて遮断弁16が閉止
する。このため、バッファタンク10内へは窒素ガスN
2は導入されず、バッファタンク10内の圧力が下降し
てクリーンストッカ2への窒素ガスN2の供給は減少
し、最終的には停止される。
が故障したような場合、或いは遮断弁16と低圧側減圧
弁17が故障したような場合には、バッファタンク10
へ導入される窒素ガスN2の圧力は所定の圧力よりも高
圧となる。
ンク10内の窒素ガスN2は、バッファタンク10の内
圧によりすでに開いている安全弁20から窒素ガス排出
管21を流通して屋外22へ放出される。このため、バ
ッファタンク10からクリーンストッカ2への窒素ガス
N2の供給が継続されても、一定量を越えることはな
い。
した圧力の窒素ガスN2をクリーンストッカ2へ供給で
き、又窒素ガスN2を供給する系統において何等かの異
常が生じ、その結果、窒素ガスN2がクリーンストッカ
2からクリーンルーム1内へ漏洩してクリーンルーム1
内の酸素濃度が所定の値よりも低くなった場合、或いは
バッファタンク10へ導入される窒素ガスN2の圧力が
所定の値よりも高くなった場合には、クリーンストッカ
2への窒素ガスN2の供給を直ちに停止するか、或いは
その供給量に上限を設けるため、窒素ガスN2の供給に
暴走が生じることはない。
度が上昇して酸素濃度が所定の値よりも低くなることが
なく、このため、クリーンルーム1内で作業員が作業を
する場合にも作業に支障が生じることはない。
活性ガスとして窒素ガスを使用する場合について説明し
たが、窒素ガス以外にもヘリウムガス、アルゴンガス等
種々の不活性ガスの使用が可能なこと、クリーンストッ
カ内にはウェハカセットを保管する場合について説明し
たが、液晶パネルを保管する場合にも適用可能なこと、
半導体ウェハの表面に対する成膜工程の装置に対しても
適用できること、半導体ウェハや液晶パネルを洗浄した
後の乾燥に適用することもできること、その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を加え得ること、
等は勿論である。
請求項1、2の何れにおいても所定箇所への不活性ガス
の供給を安定して行うことができると共に、クリーンル
ーム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることを防止
できるため、作業員がクリーンルーム内で作業を行う場
合に作業に支障が生じることはなく、又請求項2の場合
には不活性ガスを屋外へ放出できるため、クリーンルー
ム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることをより一
層確実に防止することができる。
例を示す概要図である。
である。
Claims (2)
- 【請求項1】 クリーンルーム内に設けた所定の対象箇
所へ不活性ガスを供給し得るようにした管路の中途部
に、不活性ガスを一時的に蓄えるバッファタンクを設
け、前記管路のバッファタンクよりも不活性ガス流れ方
向上流側の部分に、不活性ガス流れ方向上流側から下流
側へ向けて、順次高圧側減圧弁及び遮断弁並に低圧側減
圧弁を接続し、前記クリーンルーム内の酸素濃度が所定
の値よりも低くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力
する酸素濃度指示調節計或いは前記バッファタンク内の
不活性ガス圧力が所定の値よりも高くなったら前記遮断
弁へ弁閉止指令を出力する圧力指示調節計のうち少くと
も何れか一方を設けたことを特徴とする不活性ガス供給
設備。 - 【請求項2】 バッファタンクに蓄えられている不活性
ガスの圧力が所定の値よりも高くなったら、バッファタ
ンクから屋外へ不活性ガスを放出し得るよう、安全弁を
備えた管路を設けた請求項1に記載の不活性ガス供給設
備。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP29536497A JP3866840B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 不活性ガス供給設備 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP29536497A JP3866840B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 不活性ガス供給設備 |
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JPH11132398A true JPH11132398A (ja) | 1999-05-21 |
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Family
ID=17819677
Family Applications (1)
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JP29536497A Expired - Lifetime JP3866840B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 不活性ガス供給設備 |
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-
1997
- 1997-10-28 JP JP29536497A patent/JP3866840B2/ja not_active Expired - Lifetime
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