JP3866840B2 - 不活性ガス供給設備 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はクリーンルーム内に設けた所定の対象箇所に不活性ガスを供給するようにした不活性ガス供給設備に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体製造装置や液晶パネルの製造装置は、クリーンルーム内に設置されると共に、半導体ウェハや液晶パネルのケミカルフリー、空気中の酸素による自然酸化膜成長の防止等を目的として、前記半導体製造装置や液晶パネル製造装置には、窒素ガス等の不活性ガスを供給することが行われている。
【0003】
而して、窒素ガスの供給される従来の製造装置は一般に密封度が高いものが大部分であり特に問題はないが、製造装置が半導体ウェハや液晶パネルの洗浄装置の場合は密封容器が大きくなるために密封度が低いのが通常である。
【0004】
斯かる密封度の低い装置へ不活性ガスを供給すると、その一部はクリーンルーム内へ漏洩するが、それが従来特に問題とならなかったのは、クリーンルーム内への外気の取入れ量に比較して前記装置へ供給される不活性ガスの量が対外気比で0.1%以下と少く、且つ不活性ガスの装置への供給が断続的であり、しかも不活性ガスを送給する配管の径が小径であるため、配管に接続された弁が異常により全開となっても不活性ガスの供給に上限があり、クリーンルーム内の酸素濃度は問題になるほど低下することはなかった。
【0005】
一方、クリーンルーム内には、半導体ウェハや液晶パネルの数時間ないし数日間に亘る一時的な保管のために、クリーンストッカが使用され、クリーンストッカに対しても半導体ウェハや液晶パネルのケミカルフリー、自然酸化膜の成長防止を目的として、窒素ガス等の不活性ガスを供給することが要求されるようになって来た。
【0006】
ところが、クリーンストッカは上記製造装置に比較して大型であるため、不活性ガスの供給量が多いうえ、不活性ガスを連続的に供給する必要がある。
【0007】
而して、斯かる不活性ガス供給設備の従来の一例は、図2に示され、図中、aは窒素ガス等の不活性ガスを供給するための不活性ガス供給装置、bはクリーンルームc内に設置された密閉度の低いクリーンストッカであり、不活性ガス供給装置aとクリーンストッカbとは、不活性ガス供給装置aからクリーンストッカbへ不活性ガスdを供給するために管路eにより接続されている。
【0008】
又、管路eのクリーンルームc外の部分には高圧側減圧弁fが接続され、管路eのクリーンルームc内の部分には低圧側減圧弁gが接続されている。
【0009】
更に、クリーンルームc内の管路eにおいては、低圧側減圧弁gよりも不活性ガス流れ方向上流側から管路hが分岐しており、管路hは他の複数の装置iへ接続されている。
【0010】
不活性ガス供給装置aから送出された窒素ガス等の不活性ガスdは管路eを通り、高圧側減圧弁f及び低圧側減圧弁gで夫々減圧され、所定の圧力となって半導体ウェハ等が保管されるクリーンストッカbへ供給される。
【0011】
このため、クリーンストッカb内に保管されている半導体ウェハ等のケミカルフリーが実現でき、空気中の酸素による自然酸化膜の成長が防止される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上述の不活性ガス供給設備においては、
i)他の装置iでの制御弁のオン−オフに伴い、管路eを流れる不活性ガスdに一次圧力変動が生じると、クリーンストッカbへの不活性ガスの供給が不安定となり好ましくない、
ii)低圧側減圧弁gが何等かの原因で制御できなくなり全開となった場合、管路eが25〜40mmφと太いため、管路eからクリーンストッカbへ供給される不活性ガスの量が増加し、従ってクリーンストッカbからクリーンルームc内へ漏洩する不活性ガスが増える結果、クリーンストッカb周辺の酸素濃度が低下して、作業員がクリーンルームc内で作業できなくなる、
等の問題がある。
【0013】
本発明は上述の実情に鑑み、クリーンルーム内に設けたクリーンストッカ等の所定の対象箇所への不活性ガスの供給を安定して行い得るようにすると共に、不活性ガスを供給する系統に異常が生じて所定の対象箇所からのクリーンルーム内への不活性ガスの漏れ量が増加したような場合にも、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低下しないようにすることを目的としてなしたものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の不活性ガス供給設備は、クリーンルーム内に設けた所定の対象箇所へ不活性ガスを供給し得るようにした管路の中途部に、不活性ガスを一時的に蓄えるバッファタンクを設け、前記管路のバッファタンクよりも不活性ガス流れ方向上流側の部分に、不活性ガス流れ方向上流側から下流側へ向けて、順次高圧側減圧弁及び遮断弁並に低圧側減圧弁を接続し、前記クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力する酸素濃度指示調節計或いは前記バッファタンク内の不活性ガス圧力が所定の値よりも高くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力する圧力指示調節計のうち少くとも何れか一方を設けたものである。
【0015】
従って、本発明では、不活性ガスを安定して所定の対象箇所へ供給できると共に不活性ガスのクリーンルーム内への漏洩量を常に最小限に保持することができ、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低下することを防止できるため、作業員がクリーンルーム内で作業を行う場合に作業に支障が生じることはない。
【0016】
又、本発明では、バッファタンクに蓄えられている不活性ガスの圧力が所定の値よりも高くなったら、バッファタンクから屋外へ不活性ガスを放出し得るよう、安全弁を備えた管路を設けているため、バッファタンク内の不活性ガスは屋外へ放出され、従ってクリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも下降することをより一層確実に防止することができる。
【0017】
更に、万一クリーンルーム内に設けた酸素濃度指示調節計により検出した酸素濃度が18%以下になった場合には、弁閉止指令により遮断弁を閉鎖して不活性ガスの供給を停止し、作業員が支障なく作業をすることを可能とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しつつ説明する。
【0019】
なお、本発明の実施の形態においては、不活性ガスとして窒素ガスを使用し、該窒素ガスをクリーンルーム内に設置したクリーンストッカへ供給する場合について説明する。
【0020】
図1中、1はクリーンルームであり、該クリーンルーム1内には6面を壁で包囲された箱体状のクリーンストッカ2が収納されている。
【0021】
クリーンストッカ2内には、図1において紙面に直交する方向へ走行し得るようにしたスタッカクレーン3が配置されると共に、スタッカクレーン3の左右両側に多段、多列に配置したラック4が収納されており、ラック4の各保管部にはウェハカセット5を格納し得るようになっている。
【0022】
ラック4の各保管部の後面には、夫々フィルタ6が設置されると共に、各フィルタ6の後面には、クリーンストッカ2内の窒素ガスN2をフィルタ6を通して各保管部に保管されているウェハカセット5側へ送給するためファン7が設置されている。
【0023】
左右のラック4の下部には、スタッカクレーン3が走行する空間8を通って下降して来た窒素ガスN2が循環し得るよう、孔の穿設された仕切板9が設置されている。
【0024】
又、スタッカクレーン3の走行方向所定位置には、図示してないがウェハカセット5を入出庫するための入出庫部が設けられている。
【0025】
而して、クリーンストッカ2、スタッカクレーン3、ラック4、フィルタ6、ファン7によりウェハカセット保管設備が構成されている。
【0026】
クリーンルーム1内には窒素ガスN2を貯留するバッファタンク10が収納され、バッファタンク10の上部に接続した窒素ガス供給主管11は、先端側で窒素ガス供給枝管11aに分岐し、クリーンストッカ2内に挿入されて空間12内に窒素ガスN2を送出し得るようになっている。
【0027】
クリーンルーム1の外部に設置した窒素ガス供給装置13には窒素ガス供給管14が接続されている。而して、窒素ガス供給管14はクリーンルーム1内に挿入されてその先端は、バッファタンク10の上部に接続されている。
【0028】
窒素ガス供給管14には、クリーンルーム1内において、窒素ガス流れ方向上流側から下流側へ向け、順次、高圧側減圧弁15、遮断弁16、低圧側減圧弁17が接続されている。
【0029】
バッファタンク10には圧力指示調節計18が接続されると共にクリーンルーム1内には酸素濃度指示調節計19が配置されており、圧力指示調節計18で検出したバッファタンク10内の窒素ガスの圧力が所定の値よりも高い場合(例えば100mmAq以上)、或いは酸素濃度指示調節計19で検出したクリーンルーム1内の酸素濃度が所定の値よりも低い場合(例えば18%以下)には、圧力指示調節計18或いは酸素濃度指示調節計19から遮断弁16へ弁閉止指令V1或いはV2を与え得るようになっている。
【0030】
バッファタンク10の上部には、安全弁20を備えた窒素ガス排出管21が接続されており、バッファタンク10に蓄えられている窒素ガスN2の圧力が所定の値(例えば70mmAq以上)よりも高い場合には、窒素ガスN2を屋外へ放出するよう、窒素ガス排出管21はクリーンルーム1から屋外22へ導出されてその先端は屋外22に開放されている。
【0031】
なお、図中、23は窒素ガス供給主管11に接続した圧力検出器、24,25は各管に接続した開閉弁、26はバッファタンク10から低圧側減圧弁17に接続された導管である。
【0032】
次に本発明の実施の形態例の作動について説明する。
【0033】
クリーンストッカ2内に窒素ガスN2を供給する場合には遮断弁16及び各開閉弁24,25は全開状態になっており、安全弁20は全閉状態になっている。
【0034】
而して、窒素ガス供給装置13から送出された窒素ガスN2は窒素ガス供給管14を流通しつつ高圧側減圧弁15において所定の圧力に減圧され(例えば7kg/cm2Gから4kg/cm2G)、遮断弁16を流通して低圧側減圧弁17へ送給され、低圧側減圧弁17において所定の圧力に減圧され(例えば4kg/cm2Gから50mmAq)、更に窒素ガス供給管14を流通してバッファタンク10へ導入される。
【0035】
なお、低圧側減圧弁17の下流側圧力(例えば50mmAq)は導管26を経由したバッファタンク10内の圧力により制御することにより、バッファタンク10へ安定した圧力で窒素ガスN2を供給することが可能となる。
【0036】
バッファタンク10へ導入された窒素ガスN2は、窒素ガス供給主管11から窒素ガス供給枝管11aを流通してクリーンストッカ2内の空間12に吹込まれ、各ファン7の後面へ上昇する。
【0037】
窒素ガスN2は、バッファタンク10から窒素ガス供給主管11、窒素ガス供給枝管11aを送給される際の圧力損失により減圧され、従って、クリーンストッカ2内の空間12の窒素ガスN2の圧力はクリーンルーム1内の圧力よりも僅かに高い数mmAq程度である。
【0038】
ファン7後面の空間12を上昇した窒素ガスN2は、ファン7で加圧されたうえフィルタ6を通り清浄化され、各ラック4の部分を通過して空間8へ送り込まれ、空間8を下降して仕切板9の孔を通り、窒素ガス供給枝管11aからクリーンルーム1の空間12内下部に吹込まれた窒素ガスN2と合流し、循環、上昇し、再びファン7から、フィルタ6、ラック4を経て空間8側へ送られる。
【0039】
このように、クリーンストッカ2内に吹込まれた窒素ガスN2を空間12,8を通し循環させることにより、ラック4にウェハカセット5として保管されているウェハの表面に塵埃が付着することを防止すると共に、ケミカルフリーを達成でき、しかもウェハ表面に自然酸化膜が形成されることが防止される。
【0040】
クリーンストッカ2は通常十分な密閉構造ではないため、クリーンストッカ2内の窒素ガスN2はクリーンルーム1内との差圧により僅かにクリーンルーム1内へ漏洩するが、窒素ガスN2を送給する系統に異常がない場合には、クリーンルーム1の空気調節系によりクリーンルーム1内の空気の交替が行われるため、特に問題はない。
【0041】
窒素ガスN2を供給する系統に何等かの異常が生じ、クリーンストッカ2内に供給される窒素ガスN2の圧力が数mmAqよりも高くなると、クリーンルーム1内の窒素ガス濃度が上昇し、その結果、クリーンルーム1内の酸素濃度が低下する。
【0042】
而して、酸素濃度指示調節計19で検出したクリーンルーム1内の酸素濃度が予め設定した所定の値よりも低くなった場合には、酸素濃度指示調節計19から遮断弁16に弁閉止指令V2が与えられて遮断弁16が閉止する。このため、バッファタンク10内へは窒素ガスN2が導入されず、従ってバッファタンク10内の圧力が下降してクリーンストッカ2への窒素ガスN2の供給は停止される。
【0043】
高圧側減圧弁15や低圧側減圧弁17が制御不能となる等により故障してバッファタンク10に導入される窒素ガスN2の圧力が所定の値よりも高くなると、先ず安全弁20が開き、バッファタンク10の圧力上昇を押えようとする。而して、安全弁20が全て開放してもなおもバッファタンク10内の圧力が上昇し、所定の値よりも高くなると、圧力指示調節計18から遮断弁16に弁閉止指令V1が与えられて遮断弁16が閉止する。このため、バッファタンク10内へは窒素ガスN2は導入されず、バッファタンク10内の圧力が下降してクリーンストッカ2への窒素ガスN2の供給は減少し、最終的には停止される。
【0044】
又例えば、高圧側減圧弁15と遮断弁16が故障したような場合、或いは遮断弁16と低圧側減圧弁17が故障したような場合には、バッファタンク10へ導入される窒素ガスN2の圧力は所定の圧力よりも高圧となる。
【0045】
而して、このような場合には、バッファタンク10内の窒素ガスN2は、バッファタンク10の内圧によりすでに開いている安全弁20から窒素ガス排出管21を流通して屋外22へ放出される。このため、バッファタンク10からクリーンストッカ2への窒素ガスN2の供給が継続されても、一定量を越えることはない。
【0046】
本発明の実施の形態によれば、通常は安定した圧力の窒素ガスN2をクリーンストッカ2へ供給でき、又窒素ガスN2を供給する系統において何等かの異常が生じ、その結果、窒素ガスN2がクリーンストッカ2からクリーンルーム1内へ漏洩してクリーンルーム1内の酸素濃度が所定の値よりも低くなった場合、或いはバッファタンク10へ導入される窒素ガスN2の圧力が所定の値よりも高くなった場合には、クリーンストッカ2への窒素ガスN2の供給を直ちに停止するか、或いはその供給量に上限を設けるため、窒素ガスN2の供給に暴走が生じることはない。
【0047】
従って、クリーンルーム1内の窒素ガス濃度が上昇して酸素濃度が所定の値よりも低くなることがなく、このため、クリーンルーム1内で作業員が作業をする場合にも作業に支障が生じることはない。
【0048】
なお、本発明の実施の形態においては、不活性ガスとして窒素ガスを使用する場合について説明したが、窒素ガス以外にもヘリウムガス、アルゴンガス等種々の不活性ガスの使用が可能なこと、クリーンストッカ内にはウェハカセットを保管する場合について説明したが、液晶パネルを保管する場合にも適用可能なこと、半導体ウェハの表面に対する成膜工程の装置に対しても適用できること、半導体ウェハや液晶パネルを洗浄した後の乾燥に適用することもできること、その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を加え得ること、等は勿論である。
【0049】
【発明の効果】
本発明の不活性ガス供給設備によれば、請求項1、2の何れにおいても所定箇所への不活性ガスの供給を安定して行うことができると共に、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることを防止できるため、作業員がクリーンルーム内で作業を行う場合に作業に支障が生じることはなく、又請求項2の場合には不活性ガスを屋外へ放出できるため、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることをより一層確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の不活性ガス供給設備の実施の形態の一例を示す概要図である。
【図2】従来の不活性ガス供給設備の一例を示す概要図である。
【符号の説明】
1 クリーンルーム
2 クリーンストッカ
10 バッファタンク
11 窒素ガス供給主管(管路)
11a 窒素ガス供給枝管(管路)
14 窒素ガス供給管(管路)
15 高圧側減圧弁
16 遮断弁
17 低圧側減圧弁
18 圧力指示調節計
19 酸素濃度指示調節計
20 安全弁
21 窒素ガス排出管(管路)
22 屋外
V1,V2 弁閉止指令

Claims (2)

  1. クリーンルーム内に設けた所定の対象箇所へ不活性ガスを供給し得るようにした管路の中途部に、不活性ガスを一時的に蓄えるバッファタンクを設け、前記管路のバッファタンクよりも不活性ガス流れ方向上流側の部分に、不活性ガス流れ方向上流側から下流側へ向けて、順次高圧側減圧弁及び遮断弁並に低圧側減圧弁を接続し、前記クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力する酸素濃度指示調節計或いは前記バッファタンク内の不活性ガス圧力が所定の値よりも高くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力する圧力指示調節計のうち少くとも何れか一方を設けたことを特徴とする不活性ガス供給設備。
  2. バッファタンクに蓄えられている不活性ガスの圧力が所定の値よりも高くなったら、バッファタンクから屋外へ不活性ガスを放出し得るよう、安全弁を備えた管路を設けた請求項1に記載の不活性ガス供給設備。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5059583B2 (ja) * 2007-12-26 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法
NL2009899A (en) 2011-12-20 2013-06-24 Asml Netherlands Bv A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP5527624B2 (ja) * 2012-01-05 2014-06-18 株式会社ダイフク 保管棚用の不活性ガス注入装置
US20160293454A1 (en) * 2013-03-27 2016-10-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing device
JP5776947B2 (ja) * 2013-06-12 2015-09-09 株式会社ダイフク 保管棚用の不活性ガス注入装置
JP5874691B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-02 株式会社ダイフク 不活性気体供給設備
FR3057488B1 (fr) * 2016-10-13 2018-11-09 Addup Atelier mobile et securise de fabrication additive

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