JPH11124309A

JPH11124309A - 化粧料

Info

Publication number: JPH11124309A
Application number: JP9289840A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Nishisaka; 崇宏西坂; Seiji Yamazaki; 誠司山▲崎▼
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1997-10-22
Filing date: 1997-10-22
Publication date: 1999-05-11

Abstract

(57)【要約】【解決手段】（Ａ）角質層の細胞間脂質の融点を３〜
１５℃低下させ、かつ角質層に存在するケラチン蛋白質
のカルボニル基の運動性を５ms以上向上させる角質成分
高親和性剤、及び（Ｂ）保湿剤を含有する化粧料を含有
する化粧料。【効果】皮膚刺激性が低く、使用感が良好で、しかも
保湿効果が高く、肌荒れ改善効果に優れたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、保湿剤の経皮吸収
性が向上し、肌荒れ改善効果に優れた化粧料に関する。

【０００２】

【従来の技術】荒れ肌、乾燥肌、老化肌等の皮膚トラブ
ルは、角質層の水分量が低下することが原因と考えられ
ており、これらのトラブルを改善するためには、各種の
保湿剤が有効であることが知られている。そこで、これ
らの保湿剤を化粧料等に配合して、角質層の水分保持機
能を高め、肌荒れを改善又は予防することが図られてい
る。しかし、皮膚の最外層である角質層は本来、体外か
らの異物の侵入を防御する障壁としての生理的機能を有
するものであるため、単にかかる保湿剤を外用剤に配合
するのみでは、十分な経皮吸収性が得られず、その成分
本来の作用を示し得ない。

【０００３】このため、近年、各種物質の経皮吸収性を
改善する目的で、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、メチルデシルスルホ
キシド、ラウロカプラム、ラウリル硫酸ナトリウム等の
経皮吸収促進剤が用いられている。これら経皮吸収促進
剤の作用機構は明らかにされていないものが多いが、例
えばラウロカプラム（Azon: J. Pharm. Pharmacol., 3
7, 80(1985))やラウリル硫酸ナトリウム（SDS: Pharmac
eutical Research, 11(10), 1414(1994)）は、角質層に
存在して皮膚の重要なバリア機能を有している細胞間脂
質の構造を壊すことで、経皮吸収性を向上させている。
しかしこれでは、経皮吸収促進効果は得られるものの皮
膚刺激性が強く、医薬品、化粧品で汎用されるには至っ
ていない。また他の経皮吸収促進剤においても同様であ
った。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、皮膚刺激性が低く、使用感が良好で、しかも保湿効
果が高く、肌荒れ改善効果に優れた化粧料を提供するこ
とにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者らは鋭意研究を行った結果、保湿剤と、特定の細
胞間脂質との相互作用及びケラチン蛋白質との相互作用
を有する角質成分高親和性剤とを組合わせて用いれば、
皮膚刺激性が低く、使用感が良好で、しかも保湿剤の経
皮吸収性が向上して、肌荒れ改善効果に優れた化粧料が
得られることを見出し、本発明を完成した。

【０００６】すなわち、本発明は、次の成分（Ａ）及び
（Ｂ）：（Ａ）角質層の細胞間脂質の融点を３〜１５℃低下さ
せ、かつ角質層に存在するケラチン蛋白質のカルボニル
基の運動性を５ms以上向上させる角質成分高親和性剤、
（Ｂ）保湿剤を含有することを特徴とする化粧料を提供
するものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明で用いられる成分（Ａ）の
角質成分高親和性剤は、まず角質層の細胞間脂質の融点
を３〜１５℃、好ましくは５〜１２℃低下させるもので
ある。融点を３℃未満しか低下させないものでは十分な
経皮吸収促進効果が得られず、又１５℃を超えて低下さ
せるものでは皮膚刺激性が高くなる傾向があり、化粧料
に使用するのは困難である。ここで、角質層の細胞間脂
質の融点の測定は、J. Toxicol.-Cut. and OcularToxic
ol., 11(1), 77-92(1992)及びJ. Invest. Dermatol. 6
5, 404-408(1975)に準じてDSCで行い、角質層は家豚の
ものを用い、Arch. Dermatol. Res., 208, 424-429(198
8)に準じて調製した。

【０００８】すなわち、角質層の調製は、家豚を毛刈り
後、６０℃のお湯に１分間浸漬し、スパーテルによって
角質層を剥離した。剥離した角質層には、表皮部もつい
ているため、ディスパーゼ（三光純薬社製）を６０００
単位／mlになるように、pH７．０のリン酸緩衝液中に分
散し、これに剥離した角質層を１昼夜浸漬した。これを
乾燥させて、角質層を得た。

【０００９】融点の測定は、乾燥した豚角質層（８〜１
０mg）を、デシケーター中、２２±１℃で２４時間、飽
和リン酸カリウム水溶液で水和させ、次いで、各角質成
分高親和性剤に３時間浸した。豚角質層を取り出し、余
分な溶液を除去し、アセトンで３０秒間洗浄した。次
に、この豚角質層を秤量したステンレス製カプセルに充
填し、再び秤量した後、SEIKO DSC 100を用いて、２℃
／分で、３０〜１４０℃まで加熱した。なお、この測定
法では、未処理角質層の細胞間脂質の融点は、６７℃付
近に検出される。

【００１０】また、成分（Ａ）の角質成分高親和性剤
は、角質層に存在するケラチン蛋白質のカルボニル基の
運動性を５ms以上、好ましくは５〜１５ms向上させるこ
とが必要である。５ms未満しか向上させることができな
いものでは、十分な経皮吸収促進効果が得られない。こ
こで、ケラチン蛋白質のカルボニル基の運動性の測定
は、J. Invest. Dermatol., 104(5), 806(1995) に記載
の方法に準じ、ＮＭＲにより行った。

【００１１】すなわち、ケラチン蛋白質のカルボニル基
の運動性は、前記と同様にして角質成分高親和性剤で処
理した豚角質層を用い、ＪＮＭ−ＥＸ２７０ＮＭＲ
（６７．８ＭＨｚ）（ＪＥＯＬ）により¹³Ｃ−ＣＰ／Ｍ
ＡＳ法で測定した。ＭＡＳの回転速度は４３ＫＨｚ、待
ち時間は５ｓで、ＣＰのコンタクトタイムは２msから４
００msで測定を行った。なお、ケラチン蛋白質のカルボ
ニル基は、約１８０ppm 付近に検出されることが、上記
文献により確認されている。また、未処理角質層の場
合、ケラチン蛋白質のカルボニル基のＴ₁は４０ms付近
の値で観測される。

【００１２】このような細胞間脂質との相互作用及びケ
ラチン蛋白質との相互作用を有する角質成分高親和性剤
としては、例えばモノエーテル、モノエステル、ジエー
テル、ジエステル、トリエーテル、トリエステル類が挙
げられる。また、これらは極性基として分子内に水酸
基、アミド基、チオニル基、アミノ基、グアニジル基、
カルボキシル基を有していても良い。特に分子量が１５
０〜１２００程度、更に、分子量が１８０〜８００程度
のものが好ましい。具体的には、例えばアラキドン酸エ
チル、ステアリン酸イソセチル、ピバリン酸イソステア
リル、ペラルゴン酸オクチル、ラウリン酸メチル、プロ
ピル−１，３−ジメチルブタノエート、オクチル−１，
３，５−トリメチルオクタノエート、１，３−ジメチル
ペンチル−１，３−ジメチルブタノエート、イソオクチ
ルオクタノエート、イソブタン酸プロピル、オクタン酸
−２−メチルペンタン、イソノナン酸イソトリデシル、
カプリン酸−１，３−ジメチルブタン等が挙げられる。

【００１３】成分（Ａ）の角質成分高親和性剤は、１種
又は２種以上を組合わせて用いることができ、全組成中
に０．０１〜２０重量％配合するのが好ましく、特に
０．０１〜１５重量％、更に０．１〜１０重量％配合す
るのが、使用感及び安全性の点でより好ましい。

【００１４】本発明で用いられる成分（Ｂ）の保湿剤と
しては、通常の化粧料に用いられるものであれば特に制
限されず、例えば糖類、ポリオール類、アミド化合物、
セラミド類等が挙げられる。具体的には、糖類、ポリオ
ール類としては、例えばグリコール、グリセリン、グル
コース、マルトース、マルチトール、ショ糖、フラクト
ース、キシリトール、ソルビトール、マルトトリオー
ス、スレイトール、エリスリトール、デンプン分解糖還
元アルコール、ソルビトール、エチレングリコール、
１，４−ブチレングリコール、ジグリセリン、トリグリ
セリン、テトラグリセリン、１，３−ブチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、
ポリエチレングリコール、１，３−プロパンジオール等
が挙げられる。

【００１５】また、アミド化合物としては、融点が０〜
５０℃、好ましくは１０〜４０℃のものが挙げられる。
この範囲外のものでは、組成物中に安定に配合するのが
困難である。なお、本発明において、融点は、ＪＩＳ−
Ｋ７１２１−１９８７−９−９．１（２）に従って測定
した補外融点開始温度で示した。

【００１６】このようなアミド化合物としては、例えば
イソステアリン酸アミド、イソパルミチン酸アミド、イ
ソミリスチン酸アミド等の酸アミドや、次の一般式
（１）〜（３）

【００１７】

【化４】

【００１８】（式中、Ｒ¹及びＲ²は同一又は異なって
炭素数１〜４０のヒドロキシル化されていてもよい炭化
水素基を示し、Ｒ³は炭素数１〜６の直鎖若しくは分岐
鎖のアルキレン基又は単結合を示し、Ｒ⁴は水素原子、
炭素数１〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又
は２，３−ジヒドロキシプロピルオキシ基を示す。ただ
し、Ｒ³が単結合のときはＲ⁴は水素原子である。）

【００１９】

【化５】

【００２０】（式中、Ｒ¹及びＲ²は前記と同じ意味を
示し、Ｒ^3aは炭素数３〜６の直鎖若しくは分岐鎖のアル
キレン基を示し、Ｒ^4aは炭素数１〜１２の直鎖又は分岐
鎖のアルコキシ基を示す。）

【００２１】

【化６】

【００２２】（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は前記と同じ
意味を示し、Ｒ^4bは水素原子、炭素数１〜１２の直鎖若
しくは分岐鎖のアルコキシ基又は２，３−エポキシプロ
ピルオキシ基を示す。ただし、Ｒ³が単結合のときＲ^4b
は水素原子である。）で表わされるアミド誘導体などが
挙げられる。

【００２３】これらのうち、アミド誘導体（１）におい
て、Ｒ¹及びＲ²は同一又は異なって炭素数１〜４０の
直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のヒドロキシル化され
ていてもよい炭化水素基を示す。Ｒ¹及びＲ²として
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデ
シル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノ
ナデシル、ヘンエイコシル、ドコシル、ノナコシル、ト
リアコンチル、イソステアリル、イソヘプタデシル、２
−エチルヘキシル、１−エチルヘプチル、８−ヘプタデ
シル、８−ヘプタデセニル、８，１１−ヘプタデカジエ
ニル、２−ヘプチルウンデシル、９−オクタデセニル、
１−ヒドロキシノニル、１−ヒドロキシペンタデシル、
２−ヒドロキシペンタデシル、１５−ヒドロキシペンタ
デシル、１１−ヒドロキシヘプタデシル及び１１−ヒド
ロキシ−８−ヘプタデセニル等が挙げられる。

【００２４】Ｒ¹としては炭素数８〜２６の直鎖又は分
岐鎖のアルキル又はアルケニル基が好ましく、例えばオ
クチル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、ドコシル、トリアコンチル、イソス
テアリル、２−エチルヘキシル、２−ヘプチルウンデシ
ル及び９−オクタデセニル等が挙げられる。Ｒ¹として
特に好ましい炭化水素基は炭素数１２〜２２の直鎖又は
分岐鎖のアルキル基であり、例えばドデシル、テトラデ
シル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコシル及びメチ
ル分岐イソステアリル基等が挙げられる。

【００２５】Ｒ²としては炭素数９〜２５の直鎖又は分
岐鎖のアルキル又はアルケニル基が好ましく、例えばノ
ニル、ウンデシル、トリデシル、ペンタデシル、ヘプタ
デシル、ヘンエイコシル、ノナコシル、イソヘプタデシ
ル、１−エチルヘプチル、８−ヘプタデシル、８−ヘプ
タデセニル、８，１１−ヘプタデカジエニル、１−ヒド
ロキシノニル、１−ヒドロキシペンタデシル、２−ヒド
ロキシペンタデシル、１５−ヒドロキシペンタデシル、
１１−ヒドロキシヘプタデシル及び１１−ヒドロキシ−
８−ヘプタデセニル等が挙げられる。Ｒ²として特に好
ましい炭化水素基は炭素数１１〜２１の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、例えばウンデシル、トリデシル、
ペンタデシル、ヘプタデシル、ヘンエイコシル及びメチ
ル分岐イソヘプタデシル基等が挙げられる。

【００２６】Ｒ³は炭素数１〜６の直鎖若しくは分岐鎖
のアルキレン基又は単結合を示し、アルキレン基として
は例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメ
チレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、１−メチル
エチレン、１−メチルトリメチレン、２−メチルトリメ
チレン、１，１−ジメチルエチレン、１−エチルエチレ
ン、１−メチルテトラメチレン、２−エチルトリメチレ
ン等が挙げられる。Ｒ ³としては炭素数１〜６の直鎖の
アルキレン基が好ましく、このうちメチレン、エチレン
及びトリメチレンが特に好ましい。

【００２７】Ｒ⁴は水素原子、炭素数１〜１２の直鎖若
しくは分岐鎖のアルコキシ基又は２，３−ジヒドロキシ
プロピルオキシ基を示し、アルコキシ基としては例えば
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ヘキシル
オキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ、１−メチルエ
トキシ及び２−エチルヘキシルオキシ等が挙げられる。
Ｒ⁴としては水素原子、炭素数１〜８のアルコキシ基及
び２，３−ジヒドロキシプロピルオキシ基が好ましく、
このうち水素原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシ、１−メチルエトキシ、２−エチルヘキシルオ
キシ及び２，３−ジヒドロキシプロピルオキシ基が特に
好ましい。

【００２８】アミド誘導体（１）としては、特に一般式
中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴がそれぞれ上述の特に好
ましい範囲の基である場合を組合わせた化合物が好まし
い。

【００２９】また、アミド誘導体（２）において、Ｒ¹
及びＲ²は上記と同様の意味を示し、同様の基が好まし
い。また、Ｒ^3aとしてはアミド誘導体（１）のＲ³にお
いて例示したアルキレン基からメチレン及びエチレンを
除いた基が挙げられる。Ｒ^3aとしては炭素数３〜６の直
鎖のアルキレン基が好ましく、このうちトリメチレンが
特に好ましい。Ｒ^4aのアルコキシ基としては、アミド誘
導体（１）のＲ⁴と同様の基が挙げられ、同様の基が好
ましい。

【００３０】アミド誘導体（３）において、Ｒ¹、Ｒ²
及びＲ³は上記と同様の意味を示し、Ｒ^4bは水素原子、
炭素数１〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又
は２，３−エポキシプロピルオキシ基を示す。Ｒ¹、Ｒ
²及びＲ³として具体的には、アミド誘導体（１）と同
様の基が挙げられ、同様の基が好ましい。Ｒ^4bの炭素数
１〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基として
は、アミド誘導体（１）のＲ⁴と同様の基が挙げられ、
水素原子、Ｒ⁴と同様のアルコキシ基及び２，３−エポ
キシプロピルオキシ基が好ましい。

【００３１】また、これらのアミド誘導体（１）〜
（３）には、水和物に代表される溶媒和物も含まれる。
これらのアミド誘導体（１）〜（３）のうち、特に、一
般式（１）で表わされるものが好ましい。

【００３２】アミド誘導体（１）は、例えば特開平８−
３１９２６３号公報に記載の方法に従って製造すること
ができる。また、アミド誘導体（１）は、純度１００％
に精製した精製物でも、特に精製を行わずに中間体や反
応副生成物を含んだ純度７０〜１００％の混合物でも、
効果、性能に優れ、かつ安全性にも問題がないものであ
る。

【００３３】アミド誘導体（１）のうち、好適なものの
具体例としては、以下のものが挙げられる。

【００３４】

【化７】

【００３５】

【化８】

【００３６】

【化９】

【００３７】また、アミド化合物としては、特に総炭素
数３０以上のＮ−置換アミド化合物が好ましい。また、
アミド化合物は、結合水を１重量％以上、特に５重量％
以上保持できるものがより好ましい。ここで結合水の含
有率は、まず、室温で試料に水を添加し、均一相を維持
できる最大添加量を測定して結合水量とし、次に試料の
総重量に対する結合水の総重量を百分率で示した値と
し、次式に従って求めることができる。

【００３８】

【数１】

【００３９】また、成分（Ｂ）の保湿剤のうち、セラミ
ド類としては、次の一般式（４）で表わされる公知化合
物のほか、一般式（５）で表わされるセラミド類似構造
物質が挙げられる。

【００４０】

【化１０】

【００４１】〔式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一又は異なって
炭素数８〜２６の直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭
化水素基を示す〕

【００４２】一般式（４）式中、Ｒ⁵及びＲ⁶で表され
る炭化水素基は、炭素数８〜２６の直鎖又は分岐鎖のも
ので、飽和でも不飽和のものでもよく、具体例として
は、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ウンデシ
ル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサ
デシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エ
イコデシル、ヘネイコシル、ドコシル、トリコシル、テ
トラコシル、ペンタコシル、ヘキサコシル、ノネニル、
デセニル、ドデセニル、ウンデセニル、トリデセニル、
テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘ
プタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、エイコ
セニル、ヘンエイコセニル、ドコセニル、トリコセニ
ル、テトラコセニル、ペンタコセニル、ヘキサコセニ
ル、ノナジエニル、デカジエニル、ドデカジエニル、ウ
ンデカジエニル、トリデカジエニル、テトラデカジエニ
ル、ペンタデカジエニル、ヘキサデカジエニル、ヘプタ
デカジエニル、オクタデカジエニル、ノナデカジエチ
ル、エイコサジエニル、ヘンエイコサジエニル、ドコサ
ジエニル、トリコサジエニル、テトラコサジエニル、ペ
ンタコサジエニル、ヘキサコサジエニル、２−ヘキシル
デシル、２−オクチルウンデシル、２−デシルテトラデ
シル、イソステアリル基等が挙げられる。これらの炭化
水素基は、１個以上の水酸基が置換していてもよい。

【００４３】Ｒ⁵としては炭素数１５〜２３の直鎖アル
キル基が、特にペンタデシル、ヘプタデシル及びトリコ
シル基が好ましく、Ｒ⁶としては炭素数１５〜２３の直
鎖の飽和又は不飽和のアルキル又はアルケニル基が、特
にペンタデシル、ヘプタデシル及びペンタデセニル基が
好ましい。一般式（４）で表されるセラミドのうち、特
に好ましい化合物は一般式（４）中のＲ⁵及びＲ⁶がそ
れぞれ上述の特に好ましい範囲の基である場合を組合わ
せた化合物である。

【００４４】

【化１１】

【００４５】〔式中、Ｒ⁷は炭素数１０〜２６の直鎖又
は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素基を示し、Ｒ⁸は
炭素数９〜２５の直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭
化水素基を示し、Ｙ¹及びＺ¹は水素原子又は水酸基を
示し、ａは０又は１の数を示し、ｃは０〜４の整数を示
し、ｂ及びｄは０〜３の整数を示す〕

【００４６】これらのセラミド類似構造物質は公知の方
法〔例えば、ポリッシュ・ジャーナル・オブ・ケミスト
リー（Ｐｏ．．Ｊ．Ｃｈｅｍ．）５２，１０５９（１９
７８）；同５２，１２８３（１９７８）；特開昭５４−
１１７４２１号公報、同５４−１４４３０８号公報、同
５４−１４７９３７号公報、同６２−２２８０４８号公
報、同６３−２１６８５２号公報〕に準じて製造するこ
とができる。

【００４７】一般式（５）中、Ｒ⁷で示される炭素数１
０〜２６の直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素
基としては、前記のＲ⁵及びＲ⁶中の炭素数１０〜２６
のものが挙げられ、Ｒ⁸で示される９〜２５の直鎖又は
分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素基としては、前記の
Ｒ⁵及びＲ⁶中の炭素数１０〜２６のものが挙げられ
る。Ｒ⁷としては炭素数１２〜１８の直鎖の飽和アルキ
ル基が、特にテトラデシル、ヘキサデシル基びオクタデ
シル基が好ましく、Ｒ⁸としては炭素数９〜１８の直鎖
の飽和アルキル基が、特にノニル、ペンタデシル及びヘ
プタデシル基が好ましい。一般式（５）で表されるセラ
ミド類似構造物質のうち、特に好ましい化合物は一般式
（５）の中でＲ⁷及びＲ⁸がそれぞれ上述の特に好まし
い範囲の基である場合を組合わせた化合物である。

【００４８】成分（Ｂ）の保湿剤は、１種又は２種以上
を組合せて用いることができ、全組成中に０．０００１
〜１５重量％配合するのが好ましく、特に０．０００１
〜１０重量％、更に０．０００１〜５重量％配合する
と、使用感の点でより好ましい。

【００４９】本発明の化粧料には、上記成分の他、通常
の医薬品、医薬部外品、化粧料等に用いられる成分、例
えば前記以外の油分、有機酸類、アルカリ類、界面活性
剤、紫外線吸収剤、粉体、顔料、染料、防腐・防かび
剤、酸化防止剤、キレート剤、増粘剤、香料、水等を、
本発明の効果を損なわない範囲で適宜配合することがで
きる。

【００５０】具体的には、油分としては、例えば流動パ
ラフィン、高級脂肪酸、高級アルコール等が挙げられ；
有機酸類としては、例えばクエン酸、乳酸等が挙げら
れ；アルカリ類としては、例えば苛性ソーダ、トリエタ
ノールアミン等が挙げられる。

【００５１】また、界面活性剤のうち、非イオン性界面
活性剤としては、例えばポリオキシエチレンヒマシ油、
ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油等のポリオキシエチレ
ンヒマシ油又は硬化ヒマシ油誘導体；ポリオキシエチレ
ンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソ
ルビタンテトラオレエート等のポリオキシエチレンソル
ビタン脂肪酸エステル；ポリオキシエチレングリセリル
モノステアレート、ポリオキシエチレングリセリルトリ
イソステアレート等のポリオキシエチレングリコールの
脂肪酸エステル；ポリオキシエチレンオクチルドデシル
エーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリ
オキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンス
テアリルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニル
エーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテルなど
のポリオキシエチレン付加型界面活性剤のほか、ポリグ
リセリンアルキルエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エス
テル、ショ糖脂肪酸エステルなどが挙げられる。

【００５２】陰イオン性界面活性剤としては、例えばポ
リオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル硫酸トリエタノール
アミン等のポリオキシエチレンアルキル硫酸塩系界面活
性剤；ラウロイルサルコシンナトリウム、ラウロイルメ
チルアラニンナトリウム等のＮ−アシルアミノ酸塩系界
面活性剤；ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸
ナトリウム、ポリオキシエチレンセチルエーテルリン酸
ナトリウム、ジポリオキシエチレンアルキルエーテルリ
ン酸、トリポリオキシエチレンアルキルエーテルリン
酸、ジポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルリン
酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸ナトリ
ウム、ジポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸ナ
トリウム等のポリオキシエチレンアルキルエーテルリン
酸塩系界面活性剤、アルキル硫酸塩系界面活性剤、アル
キルリン酸塩系界面活性剤、脂肪酸塩系界面活性剤など
が挙げられる。両性界面活性剤としては、例えばアルキ
ルベタイン、アルキルアミドベタイン等が挙げられる。
陽イオン界面活性剤としては、例えばジ長鎖アルキル四
級アンモニウム塩、モノ長鎖アルキル四級アンモニウム
塩、ジ長鎖アルキルポリオキシエチレン四級アンモニウ
ム塩、ビス（ヒドロキシアルキル）四級アンモニウム
塩、アミド／エステル結合を有する四級アンモニウム塩
等が挙げられる。

【００５３】紫外線吸収剤としては、例えばベンゾフェ
ノン、４−ｔ−ブチル−４′−メトキシ−ジベンゾイル
メタン、ジメトキシケイ皮酸エチルヘキサン酸グリセリ
ル、２−エチルヘキシル−４−メトキシケイ皮酸、ｐ−
アミノ安息香酸エステル、サリチル酸フェニル等が挙げ
られる。

【００５４】本発明の化粧料は、通常の方法に従って製
造することができ、例えば液状、油中水型又は水中油型
乳化状、ジェル状、ペースト状、固形状などのいずれの
形態にもすることができる。特に、化粧水、乳液、クリ
ーム、美容液等の皮膚化粧料として好適である。

【００５５】

【発明の効果】本発明の化粧料は、皮膚に対し低刺激性
で、使用感が良好であり、しかもその有効成分である保
湿剤の経皮吸収性が向上し、低用量で優れた肌荒れ改善
効果を示す。

【００５６】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００５７】実施例１表１に示す組成の化粧料を常法により製造し、保湿剤と
して用いるアミド化合物の皮膚浸透性及び肌荒れ改善効
果を評価した。結果を表１に示す。

【００５８】（評価方法）（１）皮膚浸透性：化粧料の一定量を洗浄したユカタン
マイクロブタの皮膚表面に塗布し、恒温室（温度：３７
℃、湿度：飽和）に放置する。一定時間経過後、皮膚表
面に残存する未浸透成分を除去した後、浸透成分を抽出
回収し、ＨＰＬＣにてアミド化合物の経皮吸収量を測定
した。経皮吸収量は単位面積当たりの値（μg／cm²）で
表わした。

【００５９】（２）肌荒れ改善効果：冬期に頬部に肌荒
れを起こしている２０〜５０才の女性１０名を被験者と
し、左右の頬に異なる皮膚外用剤を２週間塗布する。２
週間の塗布が終了した翌日に肌荒れを肉眼で観測し、下
記基準により判定した。スコアは平均値で示した。

【００６０】０：肌荒れを認めない１：かすかな肌荒れを認める２：肌荒れを認める３：ややひどい肌荒れを認める４：ひどい肌荒れを認める

【００６１】

【表１】

【００６２】

【化１２】

【００６３】表１の結果から明らかなように、本発明の
化粧料はいずれも、アミド誘導体の皮膚浸透量が高く、
肌荒れ改善効果に優れたものであった。また、皮膚刺激
性が低く、使用感も良好であった。

【００６４】実施例２表２に示す組成の化粧料を常法により製造し、実施例１
と同様にして皮膚浸透性及び肌荒れ改善効果を評価し
た。結果を表２に示す。

【００６５】

【表２】

【００６６】

【化１３】

【００６７】表２の結果から明らかなように、本発明の
化粧料はいずれも、アミド誘導体の皮膚浸透量が高く、
肌荒れ改善効果に優れたものであった。また、皮膚刺激
性が低く、使用感も良好であった。

【００６８】実施例３表３に示す組成の化粧料を常法により製造し、実施例１
と同様にして肌荒れ改善効果を評価した。結果を表３に
示す。

【００６９】

【表３】

【００７０】表３の結果から明らかなように、本発明の
化粧料はいずれも、肌荒れ改善効果に優れたものであっ
た。また、皮膚刺激性が低く、使用感も良好であった。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】次の成分（Ａ）及び（Ｂ）：（Ａ）角質層の細胞間脂質の融点を３〜１５℃低下さ
せ、かつ角質層に存在するケラチン蛋白質のカルボニル
基の運動性を５ms以上向上させる角質成分高親和性剤、
（Ｂ）保湿剤を含有することを特徴とする化粧料。
【請求項２】成分（Ｂ）が、セラミド類である請求項
１記載の化粧料。
【請求項３】成分（Ｂ）が、融点０〜５０℃のアミド
化合物である請求項１又は２記載の化粧料。
【請求項４】成分（Ｂ）が、総炭素数３０以上のＮ−
置換アミド化合物である請求項１〜３のいずれか１項記
載の化粧料。
【請求項５】成分（Ｂ）が、次の一般式（１）〜
（３）【化１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は同一又は異なって炭素数１〜４
０のヒドロキシル化されていてもよい炭化水素基を示
し、Ｒ³は炭素数１〜６の直鎖若しくは分岐鎖のアルキ
レン基又は単結合を示し、Ｒ⁴は水素原子、炭素数１〜
１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は２，３−
ジヒドロキシプロピルオキシ基を示す。ただし、Ｒ³が
単結合のときはＲ⁴は水素原子である。）【化２】（式中、Ｒ¹及びＲ²は前記と同じ意味を示し、Ｒ^3aは
炭素数３〜６の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基を示
し、Ｒ^4aは炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のアルコキ
シ基を示す。）【化３】（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は前記と同じ意味を示し、
Ｒ^4bは水素原子、炭素数１〜１２の直鎖若しくは分岐鎖
のアルコキシ基又は２，３−エポキシプロピルオキシ基
を示す。ただし、Ｒ³が単結合のときＲ^4bは水素原子で
ある。）で表わされるアミド誘導体から選ばれるもので
ある請求項１〜４のいずれか１項記載の化粧料。