JPH11121779A - Cis compd. semiconductor solar cell - Google Patents
Cis compd. semiconductor solar cellInfo
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- JPH11121779A JPH11121779A JP9280289A JP28028997A JPH11121779A JP H11121779 A JPH11121779 A JP H11121779A JP 9280289 A JP9280289 A JP 9280289A JP 28028997 A JP28028997 A JP 28028997A JP H11121779 A JPH11121779 A JP H11121779A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、裏面電極としてカ
ーボン膜を有するＣＩＳ系化合物半導体太陽電池に関す
る。The present invention relates to a CIS compound semiconductor solar cell having a carbon film as a back electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】化合物半導体太陽電としては、周期律表
のＩＩＩ族の元素（Ｇａ、Ｉｎ等）及びＶ族の元素
（Ｐ、Ａｓ等）から構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体太陽電池、並びに、周期律表のＩＩ族の元素（Ｚｎ、
Ｃｄ等）及びＶＩ族の元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等）から構
成されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池が知られて
いる。最近では、ＣｕＩｎＳｅ2 （ＣＩＳ）等のカルコ
パイライト化合物の薄膜を用いた太陽電池が提案されて
いる。特に、ＣＩＳは、光吸収係数が大きく、また、薄
膜化に適しているので、低コストで大面積の太陽電池を
提供するために、ＣＩＳを用いた太陽電池の開発が期待
されている。2. Description of the Related Art As a compound semiconductor solar cell, a group III-V compound semiconductor solar cell comprising a group III element (Ga, In, etc.) and a group V element (P, As, etc.) in the periodic table, And Group II elements of the periodic table (Zn,
II-VI compound semiconductor solar cells composed of Cd and the like and Group VI elements (S, Se, Te and the like) are known. Recently, a solar cell using a thin film of a chalcopyrite compound such as CuInSe 2 (CIS) has been proposed. In particular, since CIS has a large light absorption coefficient and is suitable for thinning, development of a solar cell using CIS is expected to provide a low-cost, large-area solar cell.
【０００３】図２は、従来のＣＩＳ系化合物半導体太陽
電池の断面説明図である。図２において、２０は、ＣＩ
Ｓ系化合物半導体太陽電池である。ＣＩＳ系化合物半導
体太陽電池２０は、厚さ１〜３ｍｍのガラス板よりなる
基板１１に構造的に支持されている。基板１１の上に
は、裏面電極として、厚さ１〜２μｍのＭｏ薄膜１３が
設けられている。Ｍｏ薄膜１３の上には、太陽電池２０
の光吸収層として、厚さ１〜２μｍのｐ型のＣＩＳ系化
合物半導体薄膜１４が配置されている。そして、ＣＩＳ
系化合物半導体薄膜１４の上には、バッファー層とし
て、厚さ０．１〜０．４μｍのｎ型のＣｄＳ薄膜１５が
配置され、さらに、その上に、透明電極として、厚さ
０．５〜１μｍのＺｎＯ薄膜１６が配置されている。こ
のＣＩＳ系化合物半導体太陽電池２０に光が入射したと
きに生じる起電力よる電圧は、裏面電極であるＭｏ薄膜
１３に設けられた端子１３ａと透明電極であるＺｎＯ薄
膜１６に設けられた端子１６ａとを介して電球Ｌに供給
される。FIG. 2 is an explanatory sectional view of a conventional CIS type compound semiconductor solar cell. In FIG. 2, reference numeral 20 denotes CI
This is an S-based compound semiconductor solar cell. The CIS-based compound semiconductor solar cell 20 is structurally supported on a substrate 11 made of a glass plate having a thickness of 1 to 3 mm. On the substrate 11, a Mo thin film 13 having a thickness of 1 to 2 μm is provided as a back electrode. On the Mo thin film 13, a solar cell 20
A p-type CIS-based compound semiconductor thin film 14 having a thickness of 1 to 2 μm is disposed as a light absorption layer. And CIS
An n-type CdS thin film 15 having a thickness of 0.1 to 0.4 μm is arranged on the base compound semiconductor thin film 14 as a buffer layer, and a transparent electrode having a thickness of 0.5 to 0.4 μm is further formed thereon. A 1 μm ZnO thin film 16 is provided. The voltage due to the electromotive force generated when light is incident on the CIS-based compound semiconductor solar cell 20 is caused by the terminal 13a provided on the Mo thin film 13 as the back electrode and the terminal 16a provided on the ZnO thin film 16 as the transparent electrode. Is supplied to the bulb L via
【０００４】このような従来のＣＩＳ系化合物半導体太
陽電池の製造においては、裏面電極のＭｏ薄膜は、スパ
ッタリング法又は真空蒸着法により形成されている。即
ち、スパッタリング法は、真空中でイオンを加速してＭ
ｏよりなるターゲットに衝突させ、その衝撃ではじき出
されたターゲットのＭｏ原子をガラス基板上に堆積させ
てＭｏ膜を形成する方法である。また、真空蒸着法は、
Ｍｏ金属を真空中で加熱して蒸発させることによりＭｏ
蒸気とし、このＭｏ蒸気をガラス基板に付着させてＭｏ
膜を形成する方法である。[0004] In manufacturing such a conventional CIS-based compound semiconductor solar cell, the Mo thin film of the back electrode is formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method. That is, in the sputtering method, ions are accelerated in a vacuum and M
In this method, a Mo film is formed by colliding with a target made of o and depositing Mo atoms of the target ejected by the impact on a glass substrate. In addition, the vacuum deposition method
By heating and evaporating Mo metal in vacuum, Mo
This Mo vapor is adhered to a glass substrate to form Mo.
This is a method of forming a film.
【０００５】ＣＩＳ系化合物半導体薄膜の形成方法とし
ては、三源同時蒸着法、スパッタ法、二段階セレン化
法、ペーストプリント法等の方法がある。三源同時蒸着
法は、Ｃｕ蒸発源、Ｉｎ蒸発源及びＳｅ蒸発源をそれぞ
れ備えた真空蒸着装置を用いて、ヒータで３５０〜４０
０℃に加熱した基板の上に、別々の蒸発源から同時に蒸
発したＣｕ、Ｉｎ及びＳｅを蒸着させるものである。ス
パッタ法は、ＣｕＩｎＳｅ2 焼結体をターゲットとした
スパッタリングにより２００℃以下の温度の基板上に非
晶質の膜を形成し、これを３５０〜４００℃の温度に加
熱して結晶化するものである。二段階セレン化法は、真
空容器中において、ガラス基板の上にＭｏ膜を蒸着させ
た後、室温でＣｕ膜、Ｉｎ膜及びＳｅ膜を順次蒸着させ
て、Ｃｕ膜、Ｉｎ膜及びＳｅ膜の３層よりなる積層体を
形成し、次に、これを窒素ガス雰囲気中において、３５
０〜５５０℃の温度で熱処理するものである。ペースト
プリント法は、Ｍｏ膜上にＩｎ2Ｓｅ3の粉末、Ｓｅ粉
末、ＣｕＣｌ2 粉末及びバインダーよりなるペーストを
スクリーンを用いてプリントし、これを乾燥後、真空又
は不活性気体雰囲気中において４００〜６００℃に加熱
してセレン化するものである。As a method for forming a CIS-based compound semiconductor thin film, there are a three-source simultaneous vapor deposition method, a sputtering method, a two-stage selenization method, a paste printing method and the like. The three-source simultaneous evaporation method uses a vacuum evaporation apparatus equipped with a Cu evaporation source, an In evaporation source, and a Se evaporation source, and employs a heater at 350 to 40.
On the substrate heated to 0 ° C., Cu, In, and Se, which are simultaneously evaporated from different evaporation sources, are deposited. In the sputtering method, an amorphous film is formed on a substrate at a temperature of 200 ° C. or lower by sputtering using a CuInSe 2 sintered body as a target, and this is heated to a temperature of 350 to 400 ° C. to crystallize. is there. In the two-stage selenization method, after a Mo film is deposited on a glass substrate in a vacuum vessel, a Cu film, an In film, and a Se film are sequentially deposited at room temperature to form a Cu film, an In film, and a Se film. A laminate consisting of three layers is formed, and this is then placed in a nitrogen gas atmosphere for 35 minutes.
The heat treatment is performed at a temperature of 0 to 550 ° C. The paste printing method is to print a paste made of In 2 Se 3 powder, Se powder, CuCl 2 powder and a binder on a Mo film by using a screen, and after drying the paste, dry it in a vacuum or in an inert gas atmosphere. It is heated to 600 ° C. to be selenized.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＩＳ系化合物半導体太陽電池においては、裏面電極
に用いるＭｏ金属の単価が高いこと、Ｍｏ薄膜を成膜
するのに真空蒸着装置及びスパッタリング装置のような
高真空を必要とする高価な設備を用いなければならない
こと、並びに、Ｍｏが真空チャンバー内に付着した
り、真空ポンプ内に吸い込まれたり、その他の低温部に
付着したりすることにより成膜原料の無駄が多いこと、
等により、裏面電極の成膜コストが高くなるという問題
があり、かかる問題がＣＩＳ系化合物半導体太陽電池の
製造コストの増加の要因の一つになっている。However, in the conventional CIS-based compound semiconductor solar cell, the unit price of Mo metal used for the back electrode is high, and a vacuum evaporation apparatus and a sputtering apparatus are used to form a Mo thin film. Expensive equipment that requires a high vacuum, and film deposition due to Mo adhering into the vacuum chamber, being sucked into the vacuum pump, or adhering to other low-temperature parts Raw material waste,
For example, there is a problem that the film formation cost of the back electrode is increased, and such a problem is one of the factors for increasing the manufacturing cost of the CIS-based compound semiconductor solar cell.
【０００７】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、成膜コストを低く抑え
た裏面電極を有するＣＩＳ系化合物半導体太陽電池を提
供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such a problem. That is, an object of the present invention is to provide a CIS-based compound semiconductor solar cell having a back electrode with a low film formation cost.
【０００８】[0008]
【０００９】即ち、本第１発明は、上記目的を達成する
ために、裏面電極としてカーボン膜を有することを特徴
とするＣＩＳ系化合物半導体太陽電池である。That is, the first invention is a CIS-based compound semiconductor solar cell characterized by having a carbon film as a back electrode in order to achieve the above object.
【００１０】本第２発明は、第１発明において、カーボ
ン膜が、結合剤を含有するカーボンブラックあるいはカ
ーボンブラック及びグラファイトの分散体の被覆膜の硬
化により形成された膜であることを特徴としている。The second invention is characterized in that, in the first invention, the carbon film is a film formed by curing a coating film of carbon black containing a binder or a dispersion of carbon black and graphite. I have.
【００１１】本第３発明は、第１又は２発明において、
カーボン膜がガラス基板上に形成されていることを特徴
としている。The third invention is the first or second invention, wherein
It is characterized in that a carbon film is formed on a glass substrate.
【００１２】本第４発明は、第１，２又は３発明におい
て、ＣＩＳ系化合物半導体太陽電池がＣｕＩｎＳｅ2 、
ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2 、ＣｕＩｎ
（Ｓ xＳｅ1-x）2 及びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ
1-y）2（これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１
及び０≦ｙ≦１で示される値である。）から選ばれる少
なくとも１種のカルコパイライト化合物により構成され
るＣＩＳ系化合物半導体薄膜を有することを特徴として
いる。The fourth invention is directed to the first, second or third invention.
CIS-based compound semiconductor solar cell is CuInSeTwo ,
CuInSTwo, Cu (In1-xGax) SeTwo , CuIn
(S xSe1-x)TwoAnd Cu (In1-xGax) (SySe
1-y)Two(In these formulas, x and y are each 0 ≦ x ≦ 1
And 0 ≦ y ≦ 1. )
Composed of at least one chalcopyrite compound
Characterized by having a CIS-based compound semiconductor thin film
I have.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施の形態を
示すＣＩＳ系化合物半導体太陽電池の断面説明図であ
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view of a CIS-based compound semiconductor solar cell according to an embodiment of the present invention.
【００１４】図１において、１０は、本発明のＣＩＳ系
化合物半導体太陽電池である。ＣＩＳ系化合物半導体太
陽電池１０は、厚さ１〜３ｍｍのガラス板よりなる基板
１に構造的に支持されている。基板１の上には、裏面電
極として、厚さ１０〜３０μｍのカーボン膜２が設けら
れている。カーボン膜２は、例えば、結合剤を含有する
カーボンブラックの分散体、又は、結合剤を含有するカ
ーボンブラック及びグラファイトの分散体をスクリーン
プリント法でガラス基板上に被覆し、乾燥した後、これ
を１００〜３００℃の温度で硬化することにより、成膜
される。前記結合剤としては、ポリアクリロニトリルに
少量のポリエチレンオキサイド等の分散剤を配合した高
分子組成物を用いる。In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a CIS compound semiconductor solar cell of the present invention. The CIS-based compound semiconductor solar cell 10 is structurally supported on a substrate 1 made of a glass plate having a thickness of 1 to 3 mm. On the substrate 1, a carbon film 2 having a thickness of 10 to 30 μm is provided as a back electrode. The carbon film 2 is, for example, a dispersion of carbon black containing a binder, or a dispersion of carbon black and graphite containing a binder, coated on a glass substrate by a screen printing method, dried, and then dried. A film is formed by curing at a temperature of 100 to 300 ° C. As the binder, a polymer composition obtained by mixing a small amount of a dispersant such as polyethylene oxide with polyacrylonitrile is used.
【００１５】カーボン膜２の上には、ＣＩＳ系化合物半
導体太陽電池１０の光吸収層として、厚さ１〜２μｍの
ｐ型のＣＩＳ系化合物半導体薄膜４が配置されている。
前記ＣＩＳ系化合物半導体薄膜４を構成するカルコパイ
ライト化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ
ＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ x
Ｓｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-y）2
等（これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び
０≦ｙ≦１で示される値である。）がある。On the carbon film 2, a CIS-based compound
As a light absorbing layer of the conductive solar cell 10, a thickness of 1 to 2 μm
A p-type CIS-based compound semiconductor thin film 4 is provided.
Chalcopie constituting the CIS type compound semiconductor thin film 4
As the light compound, for example, CuInSeTwo , Cu
InSTwo, Cu (In1-xGax) SeTwo, CuIn (S x
Se1-x)Two, Cu (In1-xGax) (SySe1-y)Two
(Where x and y are 0 ≦ x ≦ 1 and
This is a value represented by 0 ≦ y ≦ 1. ).
【００１６】そして、ＣＩＳ系化合物半導体薄膜４の上
には、バッファー層として、厚さ０．１〜０．４μｍの
ｎ型のＣｄＳ薄膜５が配置され、さらに、その上に、透
明電極として、厚さ０．５〜１μｍのＺｎＯ薄膜６が配
置されている。この太陽電池１０に光が入射したときに
生じる起電力よる電圧は、裏面電極であるにカーモン膜
２に設けられた端子２ａと透明電極であるＺｎＯ薄膜６
に設けられた端子６ａと介して電球Ｌに供給される。On the CIS-based compound semiconductor thin film 4, an n-type CdS thin film 5 having a thickness of 0.1 to 0.4 μm is disposed as a buffer layer, and further thereon, a transparent electrode is formed as a transparent electrode. A ZnO thin film 6 having a thickness of 0.5 to 1 μm is provided. The voltage due to the electromotive force generated when light is incident on the solar cell 10 includes a terminal 2a provided on the carmon film 2 as a back electrode and a ZnO thin film 6 as a transparent electrode.
Is supplied to the light bulb L via a terminal 6a provided in the light source L.
【００１７】[0017]
（実施例１）縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ１．１ｍｍ
のソーダガラス基板の上に粒径０．５μｍのアセチレン
ブラック及び粒径１μｍのグラファイト粉末を３対１の
割合で混合したカーボン粉末５５重量部、エチレングリ
コール２０重量部、エタノール１５重量部及びポリエチ
レンオキサイド１０重量部よりなるペーストをスクリー
ンプリント法により被覆し、これを常温で乾燥した後、
１１０℃の温度で１０分間加熱して硬化させることによ
り、厚さ２０μｍのカーボン膜を成膜した。(Example 1) Length 50 mm x width 50 mm x thickness 1.1 mm
55 parts by weight of a carbon powder obtained by mixing acetylene black having a particle diameter of 0.5 μm and graphite powder having a particle diameter of 1 μm in a ratio of 3: 1 on a soda glass substrate of No. 5, 20 parts by weight of ethylene glycol, 15 parts by weight of ethanol and polyethylene oxide A paste consisting of 10 parts by weight was coated by a screen printing method and dried at room temperature.
By heating and curing at 110 ° C. for 10 minutes, a carbon film having a thickness of 20 μm was formed.
【００１８】このようにして形成したカーボン膜上にＣ
ｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜厚のＣｕ層を形成
し、続いて、Ｉｎを真空蒸着させて０．６６μｍの膜厚
のＩｎ層を形成した。これを真空中で固体Ｓｅと共に５
００℃以上で１時間加熱処理を行った。この加熱処理に
より、固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出さ
れ、ＣｕＩｎＳｅ2 よりなるＣＩＳ化合物半導体薄膜が
形成された。On the carbon film thus formed, C
u was vacuum-deposited to form a 0.3 μm-thick Cu layer, and then In was vacuum-deposited to form a 0.66 μm-thick In layer. This is combined with solid Se in vacuum for 5 minutes.
Heat treatment was performed at 00 ° C. or higher for 1 hour. By this heat treatment, solid Se was vaporized to create a Se vapor atmosphere, and a CIS compound semiconductor thin film made of CuInSe 2 was formed.
【００１９】このＣＩＳ化合物半導体薄膜の上に０．４
μｍの膜厚のＣｄＳ薄膜を真空蒸着法で成膜し、続い
て、このＣｄＳ薄膜の上に０．５μｍの膜厚のＺｎＯ薄
膜をスパッタリング法により成膜した後、さらに、０．
７５μｍの膜厚のＡｌをドープしたＺｎＯ薄膜をスパッ
タリング法により成膜して、太陽電池セルを作成した。
このように作成された太陽電池セルのエネルギー変換効
率を測定したところ３回の測定で平均３．５％であっ
た。なお、本実施例においては、「変換効率」は、人工
光源（Solar simulatｏr）を用いて太陽電池に光を照射
して出力した結果により測定した。測定条件は、光の強
度；１００ｍＷ／ｃｍ2 、エアーマス（ＡＭ）；１．
５、及び、温度；２５℃とした。On this CIS compound semiconductor thin film, 0.4
A CdS thin film having a thickness of 0.5 μm is formed by a vacuum evaporation method, and then a ZnO thin film having a thickness of 0.5 μm is formed on the CdS thin film by a sputtering method.
A 75 μm-thick Al-doped ZnO thin film was formed by a sputtering method to form a solar cell.
When the energy conversion efficiency of the solar cell thus produced was measured, the average was 3.5% in three measurements. In this example, "conversion efficiency" was measured based on the result of irradiating a solar cell with light using an artificial light source (Solar simulator) and outputting the light. The measurement conditions were: light intensity; 100 mW / cm 2 , air mass (AM);
5, and temperature; 25 ° C.
【００２０】（実施例２）縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚
さ１．１ｍｍのソーダライムガラス基板上に粒径０．５
μｍのアセチレンブラック及び粒径１μｍのグラファイ
ト粉末を３対１の割合で混合したカーボン粉末５５重量
部、ジメチルホルムアミド１０重量部、エチレングリコ
ール１０重量部、エタノール１０重量部、ポリアクリロ
ニトリル１０重量部及びポリエチレンオキサイド５重量
部よりなるペーストをスクリーンプリント法により成膜
し、これを常温で乾燥した後、２００℃の温度で３０分
間加熱して硬化させることにより、厚さ２０μｍのカー
ボン膜を成膜した。Example 2 A soda lime glass substrate having a length of 50 mm × width 50 mm × thickness 1.1 mm was formed on a soda lime glass substrate.
55 parts by weight of carbon powder obtained by mixing acetylene black having a particle diameter of 1 μm and graphite powder having a particle diameter of 1 μm in a ratio of 3: 1, 10 parts by weight of dimethylformamide, 10 parts by weight of ethylene glycol, 10 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of polyacrylonitrile, and polyethylene A paste composed of 5 parts by weight of oxide was formed by a screen printing method, dried at room temperature, and then heated and cured at a temperature of 200 ° C. for 30 minutes to form a carbon film having a thickness of 20 μm.
【００２１】このようにして形成したカーボン膜上にＣ
ｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜厚のＣｕ層を形成
し、続いて、Ｉｎを真空蒸着させて０．６６μｍの膜厚
のＩｎ層を形成した。これを真空中で固体Ｓｅと共に５
００℃以上で１時間加熱処理を行った。この加熱処理に
より、固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出さ
れ、ＣｕＩｎＳｅ2 よりなるＣＩＳ化合物半導体薄膜が
形成された。On the carbon film thus formed, C
u was vacuum-deposited to form a 0.3 μm-thick Cu layer, and then In was vacuum-deposited to form a 0.66 μm-thick In layer. This is combined with solid Se in vacuum for 5 minutes.
Heat treatment was performed at 00 ° C. or higher for 1 hour. By this heat treatment, solid Se was vaporized to create a Se vapor atmosphere, and a CIS compound semiconductor thin film made of CuInSe 2 was formed.
【００２２】このＣＩＳ化合物半導体薄膜の上に０．４
μｍの膜厚のＣｄＳ薄膜を真空蒸着法で成膜し、続い
て、このＣｄＳ薄膜の上に０．５μｍの膜厚のＺｎＯ薄
膜をスパッタリング法により成膜した後、さらに、０．
７５μｍの膜厚のＡｌをドープしたＺｎＯ薄膜をスパッ
タリング法により成膜して、太陽電池セルを作成した。
このように作成された太陽電池セルのエネルギー変換効
率を測定したところ３回の測定で平均３．２％であっ
た。On this CIS compound semiconductor thin film, 0.4
A CdS thin film having a thickness of 0.5 μm is formed by a vacuum evaporation method, and then a ZnO thin film having a thickness of 0.5 μm is formed on the CdS thin film by a sputtering method.
A 75 μm-thick Al-doped ZnO thin film was formed by a sputtering method to form a solar cell.
When the energy conversion efficiency of the solar cell thus prepared was measured, the average was 3.2% in three measurements.
【００２３】以上説明したように、本発明の構成によれ
ば、次のような利点がある。 裏面電極としてカーボン膜を用いるので、従来のＭｏ
膜を用いるものに比べて、その材料の単価を下げること
ができ、裏面電極のカーボン膜を、従来のような高真
空を必要とする成膜装置を用いなくても、スクリーンプ
リント法により被覆成膜でき、そして、裏面電極のカ
ーボン膜を形成する際に成膜原料の損失がないので、裏
面電極原料の無駄を少なくすることができ、それらの結
果、ＣＩＳ系化合物半導体太陽電池おける裏面電極の成
膜コストを低く抑えることができる。As described above, the configuration of the present invention has the following advantages. Since a carbon film is used as the back electrode, the conventional Mo
The unit cost of the material can be reduced as compared with the case of using a film, and the carbon film of the back surface electrode can be formed by screen printing without using a conventional film forming device requiring a high vacuum. Since the film can be formed and there is no loss of the film forming material when forming the carbon film of the back electrode, waste of the back electrode material can be reduced. As a result, the back electrode of the CIS type compound semiconductor solar cell can be reduced. The film formation cost can be kept low.
【００２４】[0024]
【発明の効果】成膜コストを低く抑えた裏面電極を有す
るＣＩＳ系化合物半導体太陽電池を提供することができ
る。According to the present invention, it is possible to provide a CIS-based compound semiconductor solar cell having a back electrode with a low film formation cost.
【図１】本発明の一実施の形態を示すＣＩＳ系化合物半
導体太陽電池の断面説明図である。FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view of a CIS-based compound semiconductor solar cell according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来のＣＩＳ系化合物半導体太陽電池の断面説
明図である。FIG. 2 is an explanatory sectional view of a conventional CIS-based compound semiconductor solar cell.
１，１１ ガラス板よりなる基板 ２ カーボン膜 ２ａ 端子 １３ Ｍｏ膜 １３ａ 端子 ４、１４ ＣＩＳ系化合物半導体薄膜 ５，１５ ＣｄＳ薄膜 ６，１６ ＺｎＯ薄膜 ６ａ，１６ａ 端子 １０ 本発明のＣＩＳ系化合物半導体太陽電池 ２０ 従来のＣＩＳ系化合物半導体太陽電池 Reference Signs List 1,11 Glass substrate 2 Carbon film 2a Terminal 13Mo film 13a terminal 4,14 CIS compound semiconductor thin film 5,15 CdS thin film 6,16 ZnO thin film 6a, 16a terminal 10 CIS compound semiconductor solar cell of the present invention 20 Conventional CIS-based compound semiconductor solar cells
フロントページの続き (72)発明者 神谷 武志 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 鈴木 和枝 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 石原 裕己 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 中村 真砂美 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 佐藤 賢次 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 中川 伸一 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内Continued on the front page (72) Inventor Takeshi Kamiya 1500 Yasushi Sogyo Co., Ltd. in Yasushi Sogyo Co., Ltd., Shizuoka Pref. 1500 Yazaki Sogyo Co., Ltd. in the city (72) Inventor Masami Nakamura 1500 Yazaki Sogyo Co., Ltd. in the Susono city of Shizuoka prefecture Shin-ichi 1500 Yasushi Sogyo Co., Ltd.
Claims (4)
を特徴とするＣＩＳ系化合物半導体太陽電池。1. A CIS-based compound semiconductor solar cell having a carbon film as a back electrode.
ンブラックあるいはカーボンブラック及びグラファイト
の分散体の被覆膜の硬化により形成された膜であること
を特徴とする請求項１記載のＣＩＳ系化合物半導体太陽
電池。2. The CIS compound according to claim 1, wherein the carbon film is a film formed by curing a coating film of carbon black containing a binder or a dispersion of carbon black and graphite. Semiconductor solar cells.
いることを特徴とする請求項１又は２記載のＣＩＳ系化
合物半導体太陽電池。3. The CIS-based compound semiconductor solar cell according to claim 1, wherein the carbon film is formed on a glass substrate.
ｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、
ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及びＣｕ（Ｉｎ1 -xＧａx）
（ＳyＳｅ1-y）2 （これらの式中、ｘ及びｙはそれぞ
れ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示される値である。）か
ら選ばれる少なくとも１種のカルコパイライト化合物に
より構成されるＣＩＳ系化合物半導体薄膜を有すること
を特徴とする請求項１、２又は３記載のＣＩＳ系化合物
半導体太陽電池。4. The method according to claim 1, wherein the CIS compound semiconductor solar cell is CuI.
nSe 2 , CuInS 2 , Cu (In 1-x Ga x ) Se 2 ,
CuIn (S x Se 1-x ) 2 and Cu (In 1 -x Ga x )
(S y Se 1-y ) 2 (where x and y are the values represented by 0 ≦ x ≦ 1 and 0 ≦ y ≦ 1, respectively) by at least one chalcopyrite compound. The CIS-based compound semiconductor solar cell according to claim 1, further comprising a CIS-based compound semiconductor thin film configured.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280289A JPH11121779A (en) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | Cis compd. semiconductor solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280289A JPH11121779A (en) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | Cis compd. semiconductor solar cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121779A true JPH11121779A (en) | 1999-04-30 |
Family
ID=17622922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9280289A Withdrawn JPH11121779A (en) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | Cis compd. semiconductor solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121779A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444899B2 (en) * | 1999-12-22 | 2002-09-03 | Tdk Corporation | Solar cell and method of fabricating the same |
| US6521823B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-02-18 | Tdk Corporation | Solar cell and method of fabricating the same |
| KR100809440B1 (en) | 2007-03-09 | 2008-03-05 | 한국전자통신연구원 | Thin film transistor having n-type and p-type cis thin films and the method of manufacturing the same |
| DE102009022342A1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Thin-film solar cell layered structure for thin-film solar cell of copper indium selenide or copper-indium-gallium-selenium type, has rear contact layer, front contact layer and photovoltaic active absorptive layer |
| US8455753B2 (en) | 2005-01-14 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP9280289A patent/JPH11121779A/en not_active Withdrawn
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| US7851791B2 (en) | 2007-03-09 | 2010-12-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Thin film transistor having N-type and P-type CIS thin films and method of manufacturing the same |
| US8084295B2 (en) | 2007-03-09 | 2011-12-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Thin film transistor having n-type and p-type CIS thin films and method of manufacturing the same |
| DE102009022342A1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Thin-film solar cell layered structure for thin-film solar cell of copper indium selenide or copper-indium-gallium-selenium type, has rear contact layer, front contact layer and photovoltaic active absorptive layer |
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