JPH11121660A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH11121660A JPH11121660A JP9280158A JP28015897A JPH11121660A JP H11121660 A JPH11121660 A JP H11121660A JP 9280158 A JP9280158 A JP 9280158A JP 28015897 A JP28015897 A JP 28015897A JP H11121660 A JPH11121660 A JP H11121660A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱フィンを取り付けるための空間的余裕が
ない場合でも、効率的に熱を拡散できる半導体装置およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＬＳＩチップ（半導体チップ）１の表面
の金バンプ（金属バンプ）２がパッケージ基板３の表面
に電気的に接続されており、パッケージ基板３の裏面の
ハンダバンプ４が実装基板５に電気的に接続されている
半導体装置であって、放熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏
面に熱伝導媒体７を介して接触されており、放熱体６の
一部が、実装基板５に固定されているものである。
ない場合でも、効率的に熱を拡散できる半導体装置およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＬＳＩチップ（半導体チップ）１の表面
の金バンプ（金属バンプ）２がパッケージ基板３の表面
に電気的に接続されており、パッケージ基板３の裏面の
ハンダバンプ４が実装基板５に電気的に接続されている
半導体装置であって、放熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏
面に熱伝導媒体７を介して接触されており、放熱体６の
一部が、実装基板５に固定されているものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、特に、放熱フィンを取り付けるた
めの空間的余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散でき
る半導体集積回路装置などの半導体装置およびその製造
方法に関するものである。
その製造方法に関し、特に、放熱フィンを取り付けるた
めの空間的余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散でき
る半導体集積回路装置などの半導体装置およびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ところで、本発明者は、半導体集積回路
装置の実装技術について検討した。以下は、本発明者に
よって検討された技術であり、その概要は次のとおりで
ある。
装置の実装技術について検討した。以下は、本発明者に
よって検討された技術であり、その概要は次のとおりで
ある。
【０００３】すなわち、最近のＬＳＩ（Large Scale In
tegrated Circuit）などの半導体集積回路装置におい
て、ワークステーションやパソコンなどに使用されてい
る場合、性能の向上と共に多ピン化が必要となってお
り、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）やＣＳＰ（Chip Size
Package ）のパッケージ構造のものが採用されている。
tegrated Circuit）などの半導体集積回路装置におい
て、ワークステーションやパソコンなどに使用されてい
る場合、性能の向上と共に多ピン化が必要となってお
り、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）やＣＳＰ（Chip Size
Package ）のパッケージ構造のものが採用されている。
【０００４】この場合、フリップチップ方式のＢＧＡや
ＣＳＰでは、ＬＳＩチップの裏面が実装基板と反対側に
向いていることにより、高発熱のＬＳＩチップを搭載す
る場合に、ＬＳＩチップの裏面に放熱用のフィン（放熱
フィン）を取り付けることが行われている。
ＣＳＰでは、ＬＳＩチップの裏面が実装基板と反対側に
向いていることにより、高発熱のＬＳＩチップを搭載す
る場合に、ＬＳＩチップの裏面に放熱用のフィン（放熱
フィン）を取り付けることが行われている。
【０００５】また、フィンの形状または冷却のための空
気の流速を調整することで、種々の発熱量のＬＳＩチッ
プを冷却することができている。
気の流速を調整することで、種々の発熱量のＬＳＩチッ
プを冷却することができている。
【０００６】なお、ＬＳＩパッケージとしてのＢＧＡ型
パッケージについて記載されている文献としては、例え
ば「日経エレクトロニクス１９９３年８月２日号」ｐ１
０４に記載されているものがある。
パッケージについて記載されている文献としては、例え
ば「日経エレクトロニクス１９９３年８月２日号」ｐ１
０４に記載されているものがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したパ
ッケージ構造において、携帯機器、薄形機器などのよう
に、実装基板のパッケージ搭載部上方に十分な空間が確
保できない場合や放熱用のフィンが使えない場合に、放
熱を十分に行うことができないという問題点が発生して
いる。
ッケージ構造において、携帯機器、薄形機器などのよう
に、実装基板のパッケージ搭載部上方に十分な空間が確
保できない場合や放熱用のフィンが使えない場合に、放
熱を十分に行うことができないという問題点が発生して
いる。
【０００８】また、例えば、ＬＳＩチップなどのチップ
の裏面が露出していても、チップの裏面の面積が小さ
く、周囲の空気への熱伝達による放熱が期待できない。
の裏面が露出していても、チップの裏面の面積が小さ
く、周囲の空気への熱伝達による放熱が期待できない。
【０００９】一方、フリップチップの場合、熱伝導によ
る実装基板への放熱は、チップの下部の電極としてのバ
ンプを経由してパッケージ基板、さらにパッケージ基板
の下部のパッケージ基板用電極を介して実装基板に伝わ
る経路となるため、一般に熱抵抗が大きいことにより、
チップで発生した熱を十分に拡散できないという問題点
が発生している。
る実装基板への放熱は、チップの下部の電極としてのバ
ンプを経由してパッケージ基板、さらにパッケージ基板
の下部のパッケージ基板用電極を介して実装基板に伝わ
る経路となるため、一般に熱抵抗が大きいことにより、
チップで発生した熱を十分に拡散できないという問題点
が発生している。
【００１０】その結果、前述したパッケージ構造におい
て、発熱量の大きなチップを搭載することができない。
て、発熱量の大きなチップを搭載することができない。
【００１１】本発明の目的は、放熱フィンを取り付ける
ための空間的余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散で
きる半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
ための空間的余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散で
きる半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１４】すなわち、本発明の半導体装置は、ＬＳＩ
チップなどの半導体チップの表面の金属バンプがパッケ
ージ基板の表面に電気的に接続されており、パッケージ
基板の裏面のハンダバンプが実装基板に電気的に接続さ
れている半導体装置であって、放熱体が、半導体チップ
の裏面に熱伝導媒体を介して接触されており、放熱体の
一部が、実装基板に固定されているものである。
チップなどの半導体チップの表面の金属バンプがパッケ
ージ基板の表面に電気的に接続されており、パッケージ
基板の裏面のハンダバンプが実装基板に電気的に接続さ
れている半導体装置であって、放熱体が、半導体チップ
の裏面に熱伝導媒体を介して接触されており、放熱体の
一部が、実装基板に固定されているものである。
【００１５】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体チップの表面の金属バンプをパッケージ基板の表
面に電気的に接続した後、パッケージ基板の裏面のハン
ダバンプを実装基板に電気的に接続する工程と、半導体
チップの裏面に、熱伝導媒体を設けた後、放熱体を半導
体チップの裏面に載せた状態で、放熱体を半導体チップ
の裏面に熱伝導媒体を介して接触させると共に放熱体を
実装基板に固定する工程とを有するものである。
半導体チップの表面の金属バンプをパッケージ基板の表
面に電気的に接続した後、パッケージ基板の裏面のハン
ダバンプを実装基板に電気的に接続する工程と、半導体
チップの裏面に、熱伝導媒体を設けた後、放熱体を半導
体チップの裏面に載せた状態で、放熱体を半導体チップ
の裏面に熱伝導媒体を介して接触させると共に放熱体を
実装基板に固定する工程とを有するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１７】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１である半導体装置を示す概略断面図である。
形態１である半導体装置を示す概略断面図である。
【００１８】本実施の形態の半導体装置は、ＬＳＩチッ
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されている半導体装置であって、放
熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介し
て接触されており、放熱体６の一部が、実装基板５に固
定されているものである。
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されている半導体装置であって、放
熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介し
て接触されており、放熱体６の一部が、実装基板５に固
定されているものである。
【００１９】また、本実施の形態の半導体装置は、放熱
体６の一部が実装基板５に固定されている領域におい
て、実装基板５におけるグランド用導電層５ａと放熱体
６とがスルーホール５ｂに埋め込まれている導電層５ｃ
を介して、電気的に接続されている。
体６の一部が実装基板５に固定されている領域におい
て、実装基板５におけるグランド用導電層５ａと放熱体
６とがスルーホール５ｂに埋め込まれている導電層５ｃ
を介して、電気的に接続されている。
【００２０】また、本実施の形態の半導体装置の製造方
法は、ＬＳＩチップ１の表面の金バンプ２をパッケージ
基板３の表面に電気的に接続した後、パッケージ基板３
の裏面のハンダバンプ４を実装基板５に電気的に接続す
る工程と、ＬＳＩチップ１の裏面に、熱伝導媒体７を設
けた後、放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に載せた状態
で、放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を
介して接触させると共に放熱体６を実装基板５に固定す
る（取り付ける）工程とを有するものである。
法は、ＬＳＩチップ１の表面の金バンプ２をパッケージ
基板３の表面に電気的に接続した後、パッケージ基板３
の裏面のハンダバンプ４を実装基板５に電気的に接続す
る工程と、ＬＳＩチップ１の裏面に、熱伝導媒体７を設
けた後、放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に載せた状態
で、放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を
介して接触させると共に放熱体６を実装基板５に固定す
る（取り付ける）工程とを有するものである。
【００２１】次に、本実施の形態の半導体装置およびそ
の製造方法を詳細に説明する。
の製造方法を詳細に説明する。
【００２２】すなわち、ＬＳＩチップ（半導体チップ）
１の表面には、あらかじめボンディング用の電極端子に
金バンプ（金属バンプ）２が配置されている。この場
合、ＬＳＩチップ１の表面のボンディング用の電極端子
にボンディングワイヤとしての金線を取り付けた後、熱
処理を行って、その金線をバンプ状の電極として、金バ
ンプ（金属バンプ）２を形成している。
１の表面には、あらかじめボンディング用の電極端子に
金バンプ（金属バンプ）２が配置されている。この場
合、ＬＳＩチップ１の表面のボンディング用の電極端子
にボンディングワイヤとしての金線を取り付けた後、熱
処理を行って、その金線をバンプ状の電極として、金バ
ンプ（金属バンプ）２を形成している。
【００２３】パッケージ基板３は、例えばプリント基板
の材料と同一の材料からなるベース材の内層にグランド
（接地）用導電層、電源用導電層および信号用導電層な
どからなる多層の配線構造（平面状配線層の積層構造）
の配線層を備えている。また、パッケージ基板３のチッ
プ面側には、ＬＳＩチップ１の金バンプ２に対向して、
電極端子が形成されており、パッケージ基板３の実装基
板搭載面側には、実装基板５に電気的に接続するための
電極端子としてのハンダバンプ４が設けられている。さ
らに、パッケージ基板３において、そのチップ面側の電
極端子と実装基板搭載面側の電極端子は、それぞれに対
応する電極端子同士が、ベース材に設けられているスル
ーホールに埋め込まれている導電層を介して電気的に接
続されている。
の材料と同一の材料からなるベース材の内層にグランド
（接地）用導電層、電源用導電層および信号用導電層な
どからなる多層の配線構造（平面状配線層の積層構造）
の配線層を備えている。また、パッケージ基板３のチッ
プ面側には、ＬＳＩチップ１の金バンプ２に対向して、
電極端子が形成されており、パッケージ基板３の実装基
板搭載面側には、実装基板５に電気的に接続するための
電極端子としてのハンダバンプ４が設けられている。さ
らに、パッケージ基板３において、そのチップ面側の電
極端子と実装基板搭載面側の電極端子は、それぞれに対
応する電極端子同士が、ベース材に設けられているスル
ーホールに埋め込まれている導電層を介して電気的に接
続されている。
【００２４】ＬＳＩチップ１表面の金バンプ２は、パッ
ケージ基板３表面の電極端子に導電性接着材により電気
的に接続されている。
ケージ基板３表面の電極端子に導電性接着材により電気
的に接続されている。
【００２５】また、ＬＳＩチップ１表面とパッケージ基
板３表面との間の空間には、樹脂（図示を省略）が充填
されており、ＬＳＩチップ１表面およびパッケージ基板
３表面ならびにＬＳＩチップ１表面とパッケージ基板３
表面との間の電気的な接続部である金バンプ２などが、
外力や汚染などから保護されている。
板３表面との間の空間には、樹脂（図示を省略）が充填
されており、ＬＳＩチップ１表面およびパッケージ基板
３表面ならびにＬＳＩチップ１表面とパッケージ基板３
表面との間の電気的な接続部である金バンプ２などが、
外力や汚染などから保護されている。
【００２６】パッケージ基板３裏面の電極端子には、は
んだのボール状電極であるハンダバンプ４が電気的に接
続されている。
んだのボール状電極であるハンダバンプ４が電気的に接
続されている。
【００２７】実装基板５は、例えばプリント基板の材料
と同一の材料からなるベース材の内層にグランド用導電
層、電源用導電層および信号用導電層などからなる多層
の配線構造（平面状配線層の積層構造）の配線層を備え
ている。また、実装基板５の表面には、パッケージ、抵
抗やコンデンサなどのチップ部品と電気的に接続されて
いる電極端子が設けられている。この場合、部品搭載用
の電極端子に、あらかじめはんだペーストをスクリーン
印刷法により供給しておき、パッケージ基板３やチップ
部品を所定の位置に位置合わせして搭載した後、約２４
０℃の熱処理を行い、はんだを溶融させて、実装基板５
の表面の電極端子に各部品を固着している。
と同一の材料からなるベース材の内層にグランド用導電
層、電源用導電層および信号用導電層などからなる多層
の配線構造（平面状配線層の積層構造）の配線層を備え
ている。また、実装基板５の表面には、パッケージ、抵
抗やコンデンサなどのチップ部品と電気的に接続されて
いる電極端子が設けられている。この場合、部品搭載用
の電極端子に、あらかじめはんだペーストをスクリーン
印刷法により供給しておき、パッケージ基板３やチップ
部品を所定の位置に位置合わせして搭載した後、約２４
０℃の熱処理を行い、はんだを溶融させて、実装基板５
の表面の電極端子に各部品を固着している。
【００２８】放熱体６を実装基板５に固定する場合に、
パッケージ基板３に搭載されているＬＳＩチップ１の裏
面に、例えばフィラーとしてのアルミナを添加したグリ
ス（樹脂）からなる熱伝導媒体７を塗布した後、放熱体
６を上面より被せるように載せた状態として、実装基板
５に固定している。この場合、熱伝導媒体７の材料は、
種々のものを適用できるが、フィラーとしてのアルミナ
を添加したグリスを使用することにより、熱伝導性のよ
い熱伝導媒体７とすることができる。なお、熱伝導媒体
７の他の態様として、フィラーを分散させたシート状の
熱伝導シート（樹脂）を用いることができる。また、熱
伝導媒体７は、熱伝導率の高いアルミナなどの粒子をフ
ィラーとして分散させたグリスやフィラーを分散させた
熱伝導シートからなる樹脂であることにより、ＬＳＩチ
ップ１の裏面と放熱体６との隙間を埋め込むことができ
るので、熱の伝導を効率よく伝導させることができる。
パッケージ基板３に搭載されているＬＳＩチップ１の裏
面に、例えばフィラーとしてのアルミナを添加したグリ
ス（樹脂）からなる熱伝導媒体７を塗布した後、放熱体
６を上面より被せるように載せた状態として、実装基板
５に固定している。この場合、熱伝導媒体７の材料は、
種々のものを適用できるが、フィラーとしてのアルミナ
を添加したグリスを使用することにより、熱伝導性のよ
い熱伝導媒体７とすることができる。なお、熱伝導媒体
７の他の態様として、フィラーを分散させたシート状の
熱伝導シート（樹脂）を用いることができる。また、熱
伝導媒体７は、熱伝導率の高いアルミナなどの粒子をフ
ィラーとして分散させたグリスやフィラーを分散させた
熱伝導シートからなる樹脂であることにより、ＬＳＩチ
ップ１の裏面と放熱体６との隙間を埋め込むことができ
るので、熱の伝導を効率よく伝導させることができる。
【００２９】また、放熱体６を実装基板５に固定する場
合に、放熱体６が固定される領域の実装基板５の表面に
接着体８としてのはんだを供給しており、放熱体６を実
装基板５に位置合わせした後に、ヒータにより局所的に
加熱し、はんだを溶融させて、放熱体６を実装基板５に
はんだからなる接着体８を用いて固定している。なお、
放熱体６を実装基板５に固定する場合の他の態様とし
て、はんだを使用する以外に、熱伝導のよい接着剤を使
用したり、ネジなどを用いた機械的な固定の態様を適用
することができる。
合に、放熱体６が固定される領域の実装基板５の表面に
接着体８としてのはんだを供給しており、放熱体６を実
装基板５に位置合わせした後に、ヒータにより局所的に
加熱し、はんだを溶融させて、放熱体６を実装基板５に
はんだからなる接着体８を用いて固定している。なお、
放熱体６を実装基板５に固定する場合の他の態様とし
て、はんだを使用する以外に、熱伝導のよい接着剤を使
用したり、ネジなどを用いた機械的な固定の態様を適用
することができる。
【００３０】放熱体６は、銅などの金属を材料としてお
り、厚さが０. １〜０. ５mmの板状であり、放熱体６の
チップ裏面接触部６ｂは平坦形状としており、放熱体６
の取付部６ａは屈曲形状としている。本発明者の検討の
結果、放熱体６の材料は、銅、アルミニウム、銅合金ま
たはアルミニウム合金とすると、放熱性がよくなること
が明らかになっている。したがって、放熱体６は、熱伝
導率の高い材料から形成されていることにより、熱の伝
導を効率よく伝導させることができるので、ＬＳＩチッ
プ１から発生する熱を実装基板５に効率よく伝導させる
ことができる。
り、厚さが０. １〜０. ５mmの板状であり、放熱体６の
チップ裏面接触部６ｂは平坦形状としており、放熱体６
の取付部６ａは屈曲形状としている。本発明者の検討の
結果、放熱体６の材料は、銅、アルミニウム、銅合金ま
たはアルミニウム合金とすると、放熱性がよくなること
が明らかになっている。したがって、放熱体６は、熱伝
導率の高い材料から形成されていることにより、熱の伝
導を効率よく伝導させることができるので、ＬＳＩチッ
プ１から発生する熱を実装基板５に効率よく伝導させる
ことができる。
【００３１】また、放熱体６において、放熱体６の屈曲
形状の取付部６ａは、放熱体６の平坦化されているチッ
プ裏面接触部６ｂの２辺方向に形成していたり、３辺方
向または４辺方向に形成している態様としている。さら
に、放熱体６を実装基板５に固定する場合に、放熱体６
の屈曲形状の取付部６ａの２辺または３辺あるいは４辺
を用いた態様とすることができる。
形状の取付部６ａは、放熱体６の平坦化されているチッ
プ裏面接触部６ｂの２辺方向に形成していたり、３辺方
向または４辺方向に形成している態様としている。さら
に、放熱体６を実装基板５に固定する場合に、放熱体６
の屈曲形状の取付部６ａの２辺または３辺あるいは４辺
を用いた態様とすることができる。
【００３２】前述した本実施の形態の半導体装置によれ
ば、放熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７
を介して接触されており、放熱体６の一部が、実装基板
５に固定されていることにより、ＬＳＩチップ（半導体
チップ）１で発生した熱は、熱伝導媒体７を介して放熱
体６に伝達されて、低温度状態の実装基板５に熱が移行
することにより、ＬＳＩチップ１から発生する熱をＬＳ
Ｉチップ１から優れた状態で取り除くことができる。
ば、放熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７
を介して接触されており、放熱体６の一部が、実装基板
５に固定されていることにより、ＬＳＩチップ（半導体
チップ）１で発生した熱は、熱伝導媒体７を介して放熱
体６に伝達されて、低温度状態の実装基板５に熱が移行
することにより、ＬＳＩチップ１から発生する熱をＬＳ
Ｉチップ１から優れた状態で取り除くことができる。
【００３３】また、本実施の形態の半導体装置によれ
ば、放熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７
を介して接触されており、放熱体６の一部が、実装基板
５に固定されていることにより、実装基板５は、ＬＳＩ
チップ１やパッケージ基板３よりも表面積が大きくしか
も空気への熱の伝達も極めて小さい抵抗状態をもって行
えるので、ＬＳＩチップ１から発生する熱をＬＳＩチッ
プ１から優れた状態で取り除くことができる。
ば、放熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７
を介して接触されており、放熱体６の一部が、実装基板
５に固定されていることにより、実装基板５は、ＬＳＩ
チップ１やパッケージ基板３よりも表面積が大きくしか
も空気への熱の伝達も極めて小さい抵抗状態をもって行
えるので、ＬＳＩチップ１から発生する熱をＬＳＩチッ
プ１から優れた状態で取り除くことができる。
【００３４】さらに、本実施の形態の半導体装置によれ
ば、放熱体６が実装基板５におけるグランド用導電層５
ａに電気的に接続されていることにより、実装基板５に
おけるグランド用導電層５ａは配線密度が高くしかも高
い導電層であるので、実装基板５における熱の拡散が効
率的に行われて、ＬＳＩチップ１から発生する熱をＬＳ
Ｉチップ１から優れた状態で取り除くことができる。
ば、放熱体６が実装基板５におけるグランド用導電層５
ａに電気的に接続されていることにより、実装基板５に
おけるグランド用導電層５ａは配線密度が高くしかも高
い導電層であるので、実装基板５における熱の拡散が効
率的に行われて、ＬＳＩチップ１から発生する熱をＬＳ
Ｉチップ１から優れた状態で取り除くことができる。
【００３５】したがって、本実施の形態の半導体装置に
よれば、高発熱のＬＳＩチップ（半導体チップ）１をパ
ッケージ基板３などに実装することができる。
よれば、高発熱のＬＳＩチップ（半導体チップ）１をパ
ッケージ基板３などに実装することができる。
【００３６】また、本実施の形態の半導体装置によれ
ば、放熱体６が実装基板５におけるグランド用導電層５
ａに電気的に接続されていることにより、放熱体６をＬ
ＳＩチップ１およびパッケージ基板３を完全に覆うよう
な態様としても、電磁波の遮蔽効果がえられるために、
ＥＭＩ（電磁障害）に対しても、影響の少ない実装構造
とすることができる。
ば、放熱体６が実装基板５におけるグランド用導電層５
ａに電気的に接続されていることにより、放熱体６をＬ
ＳＩチップ１およびパッケージ基板３を完全に覆うよう
な態様としても、電磁波の遮蔽効果がえられるために、
ＥＭＩ（電磁障害）に対しても、影響の少ない実装構造
とすることができる。
【００３７】本実施の形態の半導体装置は、ＬＳＩチッ
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されている半導体装置であって、放
熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介し
て接触されており、放熱体６の一部が、実装基板５に固
定されているものであることにより、フリップチップ方
式のＢＧＡやＣＳＰのパッケージ構造を備えている半導
体集積回路装置などの種々の半導体装置に適用できる。
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されている半導体装置であって、放
熱体６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介し
て接触されており、放熱体６の一部が、実装基板５に固
定されているものであることにより、フリップチップ方
式のＢＧＡやＣＳＰのパッケージ構造を備えている半導
体集積回路装置などの種々の半導体装置に適用できる。
【００３８】したがって、本実施の形態の半導体装置
は、携帯機器、薄形機器などのように、実装基板５のパ
ッケージ搭載部上方に十分な空間が確保できない場合や
放熱用のフィンが使えない場合においても、放熱を十分
に行うことができることにより、携帯機器、薄形機器な
ど高発熱のＬＳＩチップ（半導体チップ）１をパッケー
ジ基板３などに実装している機器に適用することができ
る。
は、携帯機器、薄形機器などのように、実装基板５のパ
ッケージ搭載部上方に十分な空間が確保できない場合や
放熱用のフィンが使えない場合においても、放熱を十分
に行うことができることにより、携帯機器、薄形機器な
ど高発熱のＬＳＩチップ（半導体チップ）１をパッケー
ジ基板３などに実装している機器に適用することができ
る。
【００３９】また、本実施の形態の半導体装置およびそ
の製造方法によれば、放熱フィンを取り付けるための空
間的余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散できる半導
体装置を容易な製造工程を用いて高製造歩留りをもって
製造することができる。
の製造方法によれば、放熱フィンを取り付けるための空
間的余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散できる半導
体装置を容易な製造工程を用いて高製造歩留りをもって
製造することができる。
【００４０】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２である半導体装置を示す概略断面図である。
形態２である半導体装置を示す概略断面図である。
【００４１】本実施の形態の半導体装置は、ＬＳＩチッ
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されており、ＬＳＩチップ１の上に
筐体１０が配置されている半導体装置であって、放熱体
６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介して接
触されており、放熱体６の一部が、実装基板５に固定さ
れており、放熱体６の一部（放熱体６の接触部６ｃ）が
筐体１０に接触されているものである。この場合、放熱
体６の接触部６ｃは、屈曲形状としていることにより、
印加力が小さくても、筐体１０に接触させることができ
る。
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されており、ＬＳＩチップ１の上に
筐体１０が配置されている半導体装置であって、放熱体
６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介して接
触されており、放熱体６の一部が、実装基板５に固定さ
れており、放熱体６の一部（放熱体６の接触部６ｃ）が
筐体１０に接触されているものである。この場合、放熱
体６の接触部６ｃは、屈曲形状としていることにより、
印加力が小さくても、筐体１０に接触させることができ
る。
【００４２】したがって、本実施の形態の半導体装置
は、放熱体６の一部を実装基板５に固定せず、放熱体６
の上に配置されている筐体１０に接触させており、その
領域以外の放熱体６の一部は、前述した実施の形態１の
半導体装置と同様に、実装基板５に取り付けているもの
である。
は、放熱体６の一部を実装基板５に固定せず、放熱体６
の上に配置されている筐体１０に接触させており、その
領域以外の放熱体６の一部は、前述した実施の形態１の
半導体装置と同様に、実装基板５に取り付けているもの
である。
【００４３】本実施の形態の半導体装置によれば、ＬＳ
Ｉチップ（半導体チップ）１で発生した熱は、熱伝導媒
体７を介して放熱体６に伝達されて、低温度状態の実装
基板５および筐体１０に熱が移行することにより、ＬＳ
Ｉチップ１から発生する熱をＬＳＩチップ１から優れた
状態で取り除くことができる。
Ｉチップ（半導体チップ）１で発生した熱は、熱伝導媒
体７を介して放熱体６に伝達されて、低温度状態の実装
基板５および筐体１０に熱が移行することにより、ＬＳ
Ｉチップ１から発生する熱をＬＳＩチップ１から優れた
状態で取り除くことができる。
【００４４】したがって、本実施の形態の半導体装置に
よれば、放熱フィンを取り付けるほどの空間的余裕がな
い場合でも、小面積の放熱体６を使用してＬＳＩチップ
１から発生する熱を効率的に拡散できることにより、高
発熱のＬＳＩチップ１をパッケージ基板３などに実装す
ることができる。
よれば、放熱フィンを取り付けるほどの空間的余裕がな
い場合でも、小面積の放熱体６を使用してＬＳＩチップ
１から発生する熱を効率的に拡散できることにより、高
発熱のＬＳＩチップ１をパッケージ基板３などに実装す
ることができる。
【００４５】本実施の形態の半導体装置によれば、前述
した実施の形態１と同様な効果を得ることができる。
した実施の形態１と同様な効果を得ることができる。
【００４６】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３である半導体装置を示す概略断面図である。
形態３である半導体装置を示す概略断面図である。
【００４７】本実施の形態の半導体装置は、ＬＳＩチッ
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されており、ＬＳＩチップ１の上に
筐体１０が配置されている半導体装置であって、放熱体
６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介して接
触されており、放熱体６の一部が、筐体１０に固定され
ており、放熱体６の一部が筐体１０に接触されているも
のである。
プ（半導体チップ）１の表面の金バンプ（金属バンプ）
２がパッケージ基板３の表面に電気的に接続されてお
り、パッケージ基板３の裏面のハンダバンプ４が実装基
板５に電気的に接続されており、ＬＳＩチップ１の上に
筐体１０が配置されている半導体装置であって、放熱体
６が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体７を介して接
触されており、放熱体６の一部が、筐体１０に固定され
ており、放熱体６の一部が筐体１０に接触されているも
のである。
【００４８】また、本実施の形態の半導体装置の製造方
法は、ＬＳＩチップ１の表面の金バンプ２をパッケージ
基板３の表面に電気的に接続した後、パッケージ基板３
の裏面のハンダバンプ４を実装基板５に電気的に接続す
る工程と、放熱体６の一部を筐体１０に固定すると共に
放熱体６の一部を筐体１０に接触させる工程と、ＬＳＩ
チップ１の裏面に、熱伝導媒体７を設けた後、筐体１０
に取り付けてある放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に載
せた状態で、放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導
媒体７を介して接触させる工程とを有するものである。
法は、ＬＳＩチップ１の表面の金バンプ２をパッケージ
基板３の表面に電気的に接続した後、パッケージ基板３
の裏面のハンダバンプ４を実装基板５に電気的に接続す
る工程と、放熱体６の一部を筐体１０に固定すると共に
放熱体６の一部を筐体１０に接触させる工程と、ＬＳＩ
チップ１の裏面に、熱伝導媒体７を設けた後、筐体１０
に取り付けてある放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に載
せた状態で、放熱体６をＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導
媒体７を介して接触させる工程とを有するものである。
【００４９】したがって、本実施の形態の半導体装置
は、放熱体６の取付部６ａを筐体１０に固定していると
共に放熱体６の他の端部（放熱体６の接触部６ｃ）を筐
体１０に接触させている。
は、放熱体６の取付部６ａを筐体１０に固定していると
共に放熱体６の他の端部（放熱体６の接触部６ｃ）を筐
体１０に接触させている。
【００５０】放熱体６の配置に対しては、放熱体６を筐
体１０に固定した（取り付けた）後に、パッケージ基板
３に搭載されているＬＳＩチップ１の裏面に、例えば熱
伝導性シート（樹脂）からなる熱伝導媒体７を貼り付け
た後、放熱体６を上面より被せるように載せた状態とし
て、放熱体６が固定されている筐体１０をＬＳＩチップ
１に取り付けている。この際、放熱体６の一部が熱伝導
媒体７に接するような高さに調整してある。また、放熱
体６を筐体１０に固定する際に、はんだなどの接着体８
を用いて、放熱体６を筐体１０に取り付けている。ま
た、放熱体６の接触部６ｃは、屈曲形状としていること
により、筐体１０に接触させることができる。
体１０に固定した（取り付けた）後に、パッケージ基板
３に搭載されているＬＳＩチップ１の裏面に、例えば熱
伝導性シート（樹脂）からなる熱伝導媒体７を貼り付け
た後、放熱体６を上面より被せるように載せた状態とし
て、放熱体６が固定されている筐体１０をＬＳＩチップ
１に取り付けている。この際、放熱体６の一部が熱伝導
媒体７に接するような高さに調整してある。また、放熱
体６を筐体１０に固定する際に、はんだなどの接着体８
を用いて、放熱体６を筐体１０に取り付けている。ま
た、放熱体６の接触部６ｃは、屈曲形状としていること
により、筐体１０に接触させることができる。
【００５１】したがって、ＬＳＩチップ１の裏面の高さ
がばらついていても、放熱体６の一端がスライドするこ
とができるので、放熱体６の取り付け高さが変わり、安
定した接触を保つことができる。
がばらついていても、放熱体６の一端がスライドするこ
とができるので、放熱体６の取り付け高さが変わり、安
定した接触を保つことができる。
【００５２】本実施の形態の半導体装置によれば、前述
した実施の形態１および実施の形態２と同様な効果を得
ることができる。
した実施の形態１および実施の形態２と同様な効果を得
ることができる。
【００５３】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００５４】例えば、本発明の半導体装置およびその製
造方法は、半導体チップとして、ＬＳＩチップ以外の種
々の半導体集積回路装置チップを適用でき、そのチップ
に形成されている半導体素子として、ＭＯＳＦＥＴ、Ｃ
ＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラトランジスタあるいはそ
れらを組み合わせた半導体素子とすることができ、ＭＯ
Ｓ型、ＣＭＯＳ型、ＢｉＭＯＳ型またはＢｉＣＭＯＳ型
の半導体集積回路装置およびその製造方法に適用でき
る。
造方法は、半導体チップとして、ＬＳＩチップ以外の種
々の半導体集積回路装置チップを適用でき、そのチップ
に形成されている半導体素子として、ＭＯＳＦＥＴ、Ｃ
ＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラトランジスタあるいはそ
れらを組み合わせた半導体素子とすることができ、ＭＯ
Ｓ型、ＣＭＯＳ型、ＢｉＭＯＳ型またはＢｉＣＭＯＳ型
の半導体集積回路装置およびその製造方法に適用でき
る。
【００５５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５６】（１）．本発明の半導体装置によれば、放
熱体が、ＬＳＩチップの裏面に熱伝導媒体を介して接触
されており、放熱体の一部が、実装基板に固定されてい
ることにより、ＬＳＩチップ（半導体チップ）で発生し
た熱は、熱伝導媒体を介して放熱体に伝達されて、低温
度状態の実装基板に熱が移行することにより、ＬＳＩチ
ップから発生する熱をＬＳＩチップから優れた状態で取
り除くことができる。
熱体が、ＬＳＩチップの裏面に熱伝導媒体を介して接触
されており、放熱体の一部が、実装基板に固定されてい
ることにより、ＬＳＩチップ（半導体チップ）で発生し
た熱は、熱伝導媒体を介して放熱体に伝達されて、低温
度状態の実装基板に熱が移行することにより、ＬＳＩチ
ップから発生する熱をＬＳＩチップから優れた状態で取
り除くことができる。
【００５７】また、本発明の半導体装置によれば、放熱
体が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体を介して接触
されており、放熱体の一部が、実装基板に固定されてい
ることにより、実装基板は、ＬＳＩチップやパッケージ
基板よりも表面積が大きくしかも空気への熱の伝達も極
めて小さい抵抗状態をもって行えるので、ＬＳＩチップ
から発生する熱をＬＳＩチップから優れた状態で取り除
くことができる。
体が、ＬＳＩチップ１の裏面に熱伝導媒体を介して接触
されており、放熱体の一部が、実装基板に固定されてい
ることにより、実装基板は、ＬＳＩチップやパッケージ
基板よりも表面積が大きくしかも空気への熱の伝達も極
めて小さい抵抗状態をもって行えるので、ＬＳＩチップ
から発生する熱をＬＳＩチップから優れた状態で取り除
くことができる。
【００５８】さらに、本発明の半導体装置によれば、放
熱体が実装基板におけるグランド用導電層に電気的に接
続されていることにより、実装基板におけるグランド用
導電層は配線密度が高くしかも高い導電層であるので、
実装基板における熱の拡散が効率的に行われて、ＬＳＩ
チップから発生する熱をＬＳＩチップから優れた状態で
取り除くことができる。
熱体が実装基板におけるグランド用導電層に電気的に接
続されていることにより、実装基板におけるグランド用
導電層は配線密度が高くしかも高い導電層であるので、
実装基板における熱の拡散が効率的に行われて、ＬＳＩ
チップから発生する熱をＬＳＩチップから優れた状態で
取り除くことができる。
【００５９】したがって、本発明の半導体装置によれ
ば、高発熱のＬＳＩチップ（半導体チップ）をパッケー
ジ基板などに実装することができる。
ば、高発熱のＬＳＩチップ（半導体チップ）をパッケー
ジ基板などに実装することができる。
【００６０】また、本発明の半導体装置によれば、放熱
体が実装基板におけるグランド用導電層に電気的に接続
されていることにより、放熱体をＬＳＩチップおよびパ
ッケージ基板を完全に覆うような態様としても、電磁波
の遮蔽効果がえられるために、ＥＭＩ（電磁障害）に対
しても、影響の少ない実装構造とすることができる。
体が実装基板におけるグランド用導電層に電気的に接続
されていることにより、放熱体をＬＳＩチップおよびパ
ッケージ基板を完全に覆うような態様としても、電磁波
の遮蔽効果がえられるために、ＥＭＩ（電磁障害）に対
しても、影響の少ない実装構造とすることができる。
【００６１】（２）．本発明の半導体装置は、フリップ
チップ方式のＢＧＡやＣＳＰのパッケージ構造を備えて
いる半導体集積回路装置などの種々の半導体装置に適用
できる。したがって、本発明の半導体装置は、携帯機
器、薄形機器などのように、実装基板のパッケージ搭載
部上方に十分な空間が確保できない場合や放熱用のフィ
ンが使えない場合においても、放熱を十分に行うことが
できることにより、携帯機器、薄形機器など高発熱のＬ
ＳＩチップ（半導体チップ）をパッケージ基板などに実
装している機器に適用することができる。
チップ方式のＢＧＡやＣＳＰのパッケージ構造を備えて
いる半導体集積回路装置などの種々の半導体装置に適用
できる。したがって、本発明の半導体装置は、携帯機
器、薄形機器などのように、実装基板のパッケージ搭載
部上方に十分な空間が確保できない場合や放熱用のフィ
ンが使えない場合においても、放熱を十分に行うことが
できることにより、携帯機器、薄形機器など高発熱のＬ
ＳＩチップ（半導体チップ）をパッケージ基板などに実
装している機器に適用することができる。
【００６２】（３）．本発明の半導体装置およびその製
造方法によれば、放熱フィンを取り付けるための空間的
余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散できる半導体装
置を容易な製造工程を用いて高製造歩留りをもって製造
することができる。
造方法によれば、放熱フィンを取り付けるための空間的
余裕がない場合でも、効率的に熱を拡散できる半導体装
置を容易な製造工程を用いて高製造歩留りをもって製造
することができる。
【図１】本発明の実施の形態１である半導体装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２である半導体装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３である半導体装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
１ ＬＳＩチップ（半導体チップ） ２ 金バンプ（金属バンプ） ３ パッケージ基板 ４ ハンダバンプ ５ 実装基板 ５ａ グランド用導電層 ５ｂ スルーホール ５ｃ 導電層 ６ 放熱体 ６ａ 放熱体の取付部 ６ｂ 放熱体のチップ裏面接触部 ６ｃ 放熱体の接触部 ７ 熱伝導媒体 ８ 接着体 １０ 筐体
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体チップの表面の金属バンプがパッ
ケージ基板の表面に電気的に接続されており、前記パッ
ケージ基板の裏面のハンダバンプが実装基板に電気的に
接続されている半導体装置であって、放熱体が、前記半
導体チップの裏面に熱伝導媒体を介して接触されてお
り、前記放熱体の一部が、前記実装基板に固定されてい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップの表面の金属バンプがパッ
ケージ基板の表面に電気的に接続されており、前記パッ
ケージ基板の裏面のハンダバンプが実装基板に電気的に
接続されており、前記半導体チップの上に筐体が配置さ
れている半導体装置であって、放熱体が、前記半導体チ
ップの裏面に熱伝導媒体を介して接触されており、前記
放熱体の一部が、前記実装基板に固定されており、前記
放熱体の一部が前記筐体に接触されていることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置であ
って、前記放熱体の一部が前記実装基板に固定されてい
る領域において、前記実装基板におけるグランド用導電
層と前記放熱体とが電気的に接続されていることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項４】 半導体チップの表面の金属バンプがパッ
ケージ基板の表面に電気的に接続されており、前記パッ
ケージ基板の裏面のハンダバンプが実装基板に電気的に
接続されており、前記半導体チップの上に筐体が配置さ
れている半導体装置であって、放熱体が、前記半導体チ
ップの裏面に熱伝導媒体を介して接触されており、前記
放熱体の一部が、前記筐体に固定されており、前記放熱
体の一部が前記筐体に接触されていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記放熱体の材料は、銅、アルミニ
ウム、銅合金またはアルミニウム合金であることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記実装基板または前記筐体に取り
付けられる領域あるいは前記筐体に接触される領域の前
記放熱体が屈曲形状であり、前記半導体チップの裏面に
接触される領域の前記放熱体が平坦形状であることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記熱伝導媒体の材料は、グリスま
たは熱伝導シートなどの樹脂であることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項８】 半導体チップの表面の金属バンプをパッ
ケージ基板の表面に電気的に接続した後、前記パッケー
ジ基板の裏面のハンダバンプを実装基板に電気的に接続
する工程と、 前記半導体チップの裏面に、熱伝導媒体を設けた後、放
熱体を前記半導体チップの裏面に載せた状態で、前記放
熱体を前記半導体チップの裏面に前記熱伝導媒体を介し
て接触させると共に前記放熱体を前記実装基板に固定す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項９】 半導体チップの表面の金属バンプをパッ
ケージ基板の表面に電気的に接続した後、前記パッケー
ジ基板の裏面のハンダバンプを実装基板に電気的に接続
する工程と、 放熱体の一部を筐体に固定すると共に前記放熱体の一部
を前記筐体に接触させる工程と、 前記半導体チップの裏面に、熱伝導媒体を設けた後、前
記筐体に取り付けてある前記放熱体を前記半導体チップ
の裏面に載せた状態で、前記放熱体を前記半導体チップ
の裏面に前記熱伝導媒体を介して接触させる工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280158A JPH11121660A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280158A JPH11121660A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121660A true JPH11121660A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17621131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9280158A Pending JPH11121660A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121660A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006326102A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Samii Kk | 遊技機の制御装置 |
| JP2007194651A (ja) * | 2001-07-30 | 2007-08-02 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイ装置およびフラットディスプレイ装置 |
| JP2010503189A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-01-28 | 聯發科技股▲ふん▼有限公司 | 電子装置 |
| US10008432B2 (en) | 2015-08-11 | 2018-06-26 | Socionext Inc. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP9280158A patent/JPH11121660A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007194651A (ja) * | 2001-07-30 | 2007-08-02 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイ装置およびフラットディスプレイ装置 |
| JP2006326102A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Samii Kk | 遊技機の制御装置 |
| JP2010503189A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-01-28 | 聯發科技股▲ふん▼有限公司 | 電子装置 |
| US10008432B2 (en) | 2015-08-11 | 2018-06-26 | Socionext Inc. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
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