JPH11111614A - Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品Info
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- JPH11111614A JPH11111614A JP20999598A JP20999598A JPH11111614A JP H11111614 A JPH11111614 A JP H11111614A JP 20999598 A JP20999598 A JP 20999598A JP 20999598 A JP20999598 A JP 20999598A JP H11111614 A JPH11111614 A JP H11111614A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜の強度を上げて大きな露光面積を確保
し、薄膜と接する吸収体パターンの接着強度を上げ、高
アスペクト比の吸収体パターンを持つ構造のＸ線マスク
を低コストで提供する。 【解決手段】 本発明の基本とするＸ線マスクは吸収体
パターンが透過材に接着、固定される構造を特徴として
いる。これは樹脂系の透過材に接着材によって吸収体パ
ターンを固定して得られ、高アスペクト比のものが容易
に形成できる。また、樹脂薄膜の透過材は機械的に強
く、これに張力をかけて支持枠に張った構造のマスクは
大きな露光面積が得られる。
し、薄膜と接する吸収体パターンの接着強度を上げ、高
アスペクト比の吸収体パターンを持つ構造のＸ線マスク
を低コストで提供する。 【解決手段】 本発明の基本とするＸ線マスクは吸収体
パターンが透過材に接着、固定される構造を特徴として
いる。これは樹脂系の透過材に接着材によって吸収体パ
ターンを固定して得られ、高アスペクト比のものが容易
に形成できる。また、樹脂薄膜の透過材は機械的に強
く、これに張力をかけて支持枠に張った構造のマスクは
大きな露光面積が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線マスクに関
し、特にマイクロ部品の製作に使われるＸ線マスクに関
する。
し、特にマイクロ部品の製作に使われるＸ線マスクに関
する。
【０００２】
【従来の技術】放射光を用いるＸ線リソグラフィはＸ線
のもつ短波長によって極小の微細パターンを高精度に転
写できる露光技術として位置づけられている。この利用
分野の主なものに、０．２μｍ以下の微小寸法を形成す
るＳｉＬＳＩのプロセス技術開発と高アスペクト比を使
って立体的なマイクロマシンを製作するＬＩＧＡ（Ｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ Ｇａｌｖａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ
Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）プロセス技術開発があり、どち
らも研究開発が活発である。ＬＩＧＡプロセスは例えば
電気学会のマイクロマシン研究会資料；ＭＭ−９７−６
（１９９７年２月）に述べられている。Ｘ線マスクはＸ
線を透過しやすい材料の薄膜基板上にＸ線を透過しにく
い吸収体のパターンによって構成されている。図２３は
従来構造のＸ線マスクである。Ｓｉウエーハ上にＳｉＮ
の薄膜基板２０２とＡｕの吸収体パターン２０３を形成
し、周辺のＳｉ２０５を残して裏面からＳｉをエッチン
グで加工した構造が従来ではよく使われている。通常、
Ｓｉウエーハは強固な支持枠２０４に接着して使われて
いる。
のもつ短波長によって極小の微細パターンを高精度に転
写できる露光技術として位置づけられている。この利用
分野の主なものに、０．２μｍ以下の微小寸法を形成す
るＳｉＬＳＩのプロセス技術開発と高アスペクト比を使
って立体的なマイクロマシンを製作するＬＩＧＡ（Ｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ Ｇａｌｖａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ
Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）プロセス技術開発があり、どち
らも研究開発が活発である。ＬＩＧＡプロセスは例えば
電気学会のマイクロマシン研究会資料；ＭＭ−９７−６
（１９９７年２月）に述べられている。Ｘ線マスクはＸ
線を透過しやすい材料の薄膜基板上にＸ線を透過しにく
い吸収体のパターンによって構成されている。図２３は
従来構造のＸ線マスクである。Ｓｉウエーハ上にＳｉＮ
の薄膜基板２０２とＡｕの吸収体パターン２０３を形成
し、周辺のＳｉ２０５を残して裏面からＳｉをエッチン
グで加工した構造が従来ではよく使われている。通常、
Ｓｉウエーハは強固な支持枠２０４に接着して使われて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線マスクはＳ
ｉＮの薄膜基板の厚さが約１μｍであることから分かる
ように薄膜の強度が弱く、大きな露光面積のマスクを実
現することは難しかった。また、この構造ではＡｕの吸
収体パターンの接着力が弱いため、高アスペクト比の吸
収体のパターンを形成することも難しかった。ここで、
アスペクト比とは、吸収体パターンの上面もしくは下面
の一辺の長さ（短辺）と側面の高さ（長辺）との比をい
うこととする。
ｉＮの薄膜基板の厚さが約１μｍであることから分かる
ように薄膜の強度が弱く、大きな露光面積のマスクを実
現することは難しかった。また、この構造ではＡｕの吸
収体パターンの接着力が弱いため、高アスペクト比の吸
収体のパターンを形成することも難しかった。ここで、
アスペクト比とは、吸収体パターンの上面もしくは下面
の一辺の長さ（短辺）と側面の高さ（長辺）との比をい
うこととする。
【０００４】本発明の第一の目的は、大きな露光面積に
わたり高アスペクト比の吸収体パターンを再現性よく製
造でき、使用にたいして耐久性あるＸ線マスクの構造を
提供することにある。また、本発明の第二の目的は、上
記構造のＸ線マスクを歩留りよく、安価に製造する製造
方法を提供することにある。また、本発明の第三の目的
は、本発明のＸ線マスクを用いて高精度なマイクロ部品
を安価に提供することにある。本発明は、主としてＬＩ
ＧＡプロセスに最適なＸ線マスク構造を提供することを
目的としている。
わたり高アスペクト比の吸収体パターンを再現性よく製
造でき、使用にたいして耐久性あるＸ線マスクの構造を
提供することにある。また、本発明の第二の目的は、上
記構造のＸ線マスクを歩留りよく、安価に製造する製造
方法を提供することにある。また、本発明の第三の目的
は、本発明のＸ線マスクを用いて高精度なマイクロ部品
を安価に提供することにある。本発明は、主としてＬＩ
ＧＡプロセスに最適なＸ線マスク構造を提供することを
目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】従来技術の課題を解決す
るための手段を以下に記す。本発明の基本とするＸ線マ
スクは図１に示すように吸収体パターン３が樹脂からな
る透過材２に固定された構造を特徴としている。吸収体
パターンはよく張った樹脂系透過材に接着固定されてい
るので高精度であり、高アスペクト比の吸収体パターン
を持つＸ線マスクが容易に実現できる。また、透過材に
はポリイミドの様な温度安定性と機械的強度に優れた樹
脂を選択できるので、約３μｍの膜厚でも大きな露光面
積のマスクが容易に作れ、照射時間の低減がはかれる。
るための手段を以下に記す。本発明の基本とするＸ線マ
スクは図１に示すように吸収体パターン３が樹脂からな
る透過材２に固定された構造を特徴としている。吸収体
パターンはよく張った樹脂系透過材に接着固定されてい
るので高精度であり、高アスペクト比の吸収体パターン
を持つＸ線マスクが容易に実現できる。また、透過材に
はポリイミドの様な温度安定性と機械的強度に優れた樹
脂を選択できるので、約３μｍの膜厚でも大きな露光面
積のマスクが容易に作れ、照射時間の低減がはかれる。
【０００６】上記第一の目的は、吸収体パターンを樹脂
からなる透過材に接着固定したＸ線マスクの構造により
達成される。また上記第二の目的は、導電性基板上に電
解鍍金用マスクパターンを形成する工程と、電解鍍金で
Ｘ線を吸収する金属パターンを形成する工程と、上記電
解鍍金用マスクパターンを除去する工程と、上記金属パ
ターンを、支持枠に張力をかけて固定した樹脂系透過材
の表面に固定する工程と、上記金属パターンを導電性基
板より取り除く工程とを有する製造方法を用いることに
より達成される。また上記第三の目的は、上記Ｘ線マス
クを用いてマイクロ部品を製造することにより達成され
る。
からなる透過材に接着固定したＸ線マスクの構造により
達成される。また上記第二の目的は、導電性基板上に電
解鍍金用マスクパターンを形成する工程と、電解鍍金で
Ｘ線を吸収する金属パターンを形成する工程と、上記電
解鍍金用マスクパターンを除去する工程と、上記金属パ
ターンを、支持枠に張力をかけて固定した樹脂系透過材
の表面に固定する工程と、上記金属パターンを導電性基
板より取り除く工程とを有する製造方法を用いることに
より達成される。また上記第三の目的は、上記Ｘ線マス
クを用いてマイクロ部品を製造することにより達成され
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１〜
８を用いて説明する。
８を用いて説明する。
【０００８】実施形態１ まず、第一の実施形態を図１により詳細に説明する。こ
れはＸ線マスク１の断面構造でＡｕの吸収体パターン３
がポリイミド樹脂からなる透過膜２上に固定された構造
である。このポリイミド樹脂層は例えば厚さ３μｍのフ
ィルムで、強固な金属からなる支持枠４に張力を加えて
平坦に接着する。フィルムは引っぱられているのでこの
Ｘ線マスク１の熱膨張係数は支持枠４の材質で決められ
る。図１（ｂ）はマスクパターンの主要部の拡大であ
る。Ａｕの吸収体パターン３の断面形状はＸ線照射後の
製造工程において離型しやすいよう、垂直より１０度前
後の傾斜（テーパ）を持たせている。傾斜角度はこれに
限定されるものではない。この例では底部の幅５μｍ、
スペース１０μｍ、厚さ１５μｍ、また、ポリイミド樹
脂２の厚さは３〜５μｍで、Ａｕの吸収体パターンは有
機剤で接着、固定してある。１５μｍのＡｕの吸収体パ
ターン３の厚さに対して透過材であるポリイミド樹脂２
の厚さは３μｍであるので約０．２〜０．８ｎｍのＸ線
波長の露光に対してマスクのコントラストは十分えられ
る値である。この構造では直径約３００ｍｍの大きな露
光面積を持つＸ線マスク１がえられることがわかった。
このＸ線マスク１を用いれば高機能のマイクロ部品を量
産によって低コストで供給できるようになる。Ｘ線マス
ク１の大面積化は従来に比べ約１０倍（長さ比）の改善
である。
れはＸ線マスク１の断面構造でＡｕの吸収体パターン３
がポリイミド樹脂からなる透過膜２上に固定された構造
である。このポリイミド樹脂層は例えば厚さ３μｍのフ
ィルムで、強固な金属からなる支持枠４に張力を加えて
平坦に接着する。フィルムは引っぱられているのでこの
Ｘ線マスク１の熱膨張係数は支持枠４の材質で決められ
る。図１（ｂ）はマスクパターンの主要部の拡大であ
る。Ａｕの吸収体パターン３の断面形状はＸ線照射後の
製造工程において離型しやすいよう、垂直より１０度前
後の傾斜（テーパ）を持たせている。傾斜角度はこれに
限定されるものではない。この例では底部の幅５μｍ、
スペース１０μｍ、厚さ１５μｍ、また、ポリイミド樹
脂２の厚さは３〜５μｍで、Ａｕの吸収体パターンは有
機剤で接着、固定してある。１５μｍのＡｕの吸収体パ
ターン３の厚さに対して透過材であるポリイミド樹脂２
の厚さは３μｍであるので約０．２〜０．８ｎｍのＸ線
波長の露光に対してマスクのコントラストは十分えられ
る値である。この構造では直径約３００ｍｍの大きな露
光面積を持つＸ線マスク１がえられることがわかった。
このＸ線マスク１を用いれば高機能のマイクロ部品を量
産によって低コストで供給できるようになる。Ｘ線マス
ク１の大面積化は従来に比べ約１０倍（長さ比）の改善
である。
【０００９】また、このＸ線マスク１で１５ｍｍの厚さ
のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）から成るＸ線
レジストへの露光現像を行った。すなわち、上方からシ
ンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍのＸ
線をＸ線マスク１に照射し、その下方に配置したＰＭＭ
Ａに露光現像させた。その現像後のＰＭＭＡのテーパは
約１°となり、マイクロ部品製作用の金型の抜きテーパ
として非常に有効なものとなった。
のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）から成るＸ線
レジストへの露光現像を行った。すなわち、上方からシ
ンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍのＸ
線をＸ線マスク１に照射し、その下方に配置したＰＭＭ
Ａに露光現像させた。その現像後のＰＭＭＡのテーパは
約１°となり、マイクロ部品製作用の金型の抜きテーパ
として非常に有効なものとなった。
【００１０】実施形態２ 次に、第二の実施形態を図２により詳細に説明する。こ
れはＸ線マスク２１の断面構造でＡｕの吸収体パターン
２３の全体がポリイミド樹脂２２によって埋め込まれて
マスクパターンを構成し、このポリイミド樹脂層が強固
な金属からなる支持枠２４に接着され、Ｘ線マスク２１
を構成している。図２（ｂ）はマスクパターンの主要部
の拡大である。Ａｕの吸収体パターン２３の寸法例は幅
５μｍ、スペース５μｍ、厚さ（ｓ）１５μｍ、また、
ポリイミド樹脂２２の上面と下面の厚さｔ１，ｔ２はど
ちらも５μｍである。１５μｍのＡｕの吸収体パターン
２３の厚さに対して透過材であるポリイミド樹脂２２の
厚さは２５μｍである。これは約０．２〜０．８ｎｍの
Ｘ線波長の露光に対して十分なマスクのコントラストが
えられる値である。本発明の構造のようにＡｕの吸収体
パターン２３がポリイミド樹脂２２の中心に埋め込まれ
て薄膜の中立面にあるため、マスクが多少変形してもこ
のパターン位置は動きにくい特徴がある。この樹脂の厚
さを厚くするとこの効果がさらに高まり、高精度の寸法
加工を必要とするマイクロ部品の製造には樹脂の全厚を
１００μｍ程度まで厚くしてもよい。また、上面と下面
の厚さをマスクの仕様に応じて同じに揃える必要もな
く、任意に変化を持たせることができる。本発明の構造
のもう一つの特徴はＡｕの吸収体パターンは樹脂によっ
て包み覆われているので汚れやキズに強く、また、表面
に吸収体の異物が付着しても洗浄が可能なので、マスク
の耐久性が著しく向上できる。この構造で直径３００ｍ
ｍ以上の大きな露光面積を持つＸ線マスクの実現が達成
でき、高機能のマイクロ部品が量産化により低コストで
供給できるようになった。
れはＸ線マスク２１の断面構造でＡｕの吸収体パターン
２３の全体がポリイミド樹脂２２によって埋め込まれて
マスクパターンを構成し、このポリイミド樹脂層が強固
な金属からなる支持枠２４に接着され、Ｘ線マスク２１
を構成している。図２（ｂ）はマスクパターンの主要部
の拡大である。Ａｕの吸収体パターン２３の寸法例は幅
５μｍ、スペース５μｍ、厚さ（ｓ）１５μｍ、また、
ポリイミド樹脂２２の上面と下面の厚さｔ１，ｔ２はど
ちらも５μｍである。１５μｍのＡｕの吸収体パターン
２３の厚さに対して透過材であるポリイミド樹脂２２の
厚さは２５μｍである。これは約０．２〜０．８ｎｍの
Ｘ線波長の露光に対して十分なマスクのコントラストが
えられる値である。本発明の構造のようにＡｕの吸収体
パターン２３がポリイミド樹脂２２の中心に埋め込まれ
て薄膜の中立面にあるため、マスクが多少変形してもこ
のパターン位置は動きにくい特徴がある。この樹脂の厚
さを厚くするとこの効果がさらに高まり、高精度の寸法
加工を必要とするマイクロ部品の製造には樹脂の全厚を
１００μｍ程度まで厚くしてもよい。また、上面と下面
の厚さをマスクの仕様に応じて同じに揃える必要もな
く、任意に変化を持たせることができる。本発明の構造
のもう一つの特徴はＡｕの吸収体パターンは樹脂によっ
て包み覆われているので汚れやキズに強く、また、表面
に吸収体の異物が付着しても洗浄が可能なので、マスク
の耐久性が著しく向上できる。この構造で直径３００ｍ
ｍ以上の大きな露光面積を持つＸ線マスクの実現が達成
でき、高機能のマイクロ部品が量産化により低コストで
供給できるようになった。
【００１１】実施形態３ 次に、第三の実施形態を図３により詳細に説明する。第
一と第二の実施形態で述べた構造と異なる点はＸ線マス
ク３１の上面にあたるＡｕの吸収体パターン３３を除く
そのほかの面にポリイミド樹脂３２が包み囲む如く設け
られていることである。実際のＸ線マスクでは露出した
Ａｕの吸収体パターン３３の表面を支持枠３４に接して
固定した、図３と逆の構成であってもよい。
一と第二の実施形態で述べた構造と異なる点はＸ線マス
ク３１の上面にあたるＡｕの吸収体パターン３３を除く
そのほかの面にポリイミド樹脂３２が包み囲む如く設け
られていることである。実際のＸ線マスクでは露出した
Ａｕの吸収体パターン３３の表面を支持枠３４に接して
固定した、図３と逆の構成であってもよい。
【００１２】実施形態４ 次に、第四の実施形態を図４により詳細に説明する。こ
れはＸ線マスク３１のパターン部に特徴があり、拡大し
たＡｕの吸収体パターン４３の断面構造例である。その
他の構造は図１〜３と同様である。このような断面構造
の形状は後述する製造方法により、電解鍍金する前のレ
ジストパターンを２回の重ね合わせ露光で形成し、これ
に電解鍍金することによって作成することができる。こ
のような断面構造を持つＸ線マスクは、Ａｕの膜厚によ
ってＸ線の透過量が異なるので、露光するとＰＭＭＡに
同形の断面構造が転写される。このような断面形状は図
１で述べたテーパ状と同様に、電解鍍金でえられるマイ
クロ部品を離型しやすくした目的の他、マイクロ部品の
縦形状を任意に設計できることが新たな特徴である。
れはＸ線マスク３１のパターン部に特徴があり、拡大し
たＡｕの吸収体パターン４３の断面構造例である。その
他の構造は図１〜３と同様である。このような断面構造
の形状は後述する製造方法により、電解鍍金する前のレ
ジストパターンを２回の重ね合わせ露光で形成し、これ
に電解鍍金することによって作成することができる。こ
のような断面構造を持つＸ線マスクは、Ａｕの膜厚によ
ってＸ線の透過量が異なるので、露光するとＰＭＭＡに
同形の断面構造が転写される。このような断面形状は図
１で述べたテーパ状と同様に、電解鍍金でえられるマイ
クロ部品を離型しやすくした目的の他、マイクロ部品の
縦形状を任意に設計できることが新たな特徴である。
【００１３】実施形態５ 次に、第五の実施形態を図５により詳細に説明する。こ
れは２枚のＸ線マスク、即ち第一のＡｕの吸収体パター
ン５３とこれを囲むポリイミド樹脂５２からなるＸ線マ
スク５１と第二のＡｕの吸収体パターン５３’とこれを
囲むポリイミド樹脂５２’からなるＸ線マスク５１’を
精密に重ね合わせて接着剤５５で固定した構造のＸ線マ
スクである。重ね合わせて接着するマスクは２枚以上で
あってもよい。実施形態４と同様に、このＸ線マスクを
用いて露光を行って、マイクロ部品の点数を減らし、製
造を容易にしたり、厚みのあるマイクロ部品の機能を高
度化した用途に使われるＸ線マスクであることが特徴で
ある。従来では試料表面のマークに合わせてＸ線マスク
を多数枚、使用する方式が使われているが、本発明のよ
うにあらかじめ２枚以上のマスクを張合せて用いると、
作業時間が短縮され著しく生産性が上がる特徴もある。
これは量産になるほど効果が大きい。
れは２枚のＸ線マスク、即ち第一のＡｕの吸収体パター
ン５３とこれを囲むポリイミド樹脂５２からなるＸ線マ
スク５１と第二のＡｕの吸収体パターン５３’とこれを
囲むポリイミド樹脂５２’からなるＸ線マスク５１’を
精密に重ね合わせて接着剤５５で固定した構造のＸ線マ
スクである。重ね合わせて接着するマスクは２枚以上で
あってもよい。実施形態４と同様に、このＸ線マスクを
用いて露光を行って、マイクロ部品の点数を減らし、製
造を容易にしたり、厚みのあるマイクロ部品の機能を高
度化した用途に使われるＸ線マスクであることが特徴で
ある。従来では試料表面のマークに合わせてＸ線マスク
を多数枚、使用する方式が使われているが、本発明のよ
うにあらかじめ２枚以上のマスクを張合せて用いると、
作業時間が短縮され著しく生産性が上がる特徴もある。
これは量産になるほど効果が大きい。
【００１４】実施形態４と実施形態５は厚みの方向にマ
イクロ部品の形状を任意に設計する目的に適したマスク
構造である。
イクロ部品の形状を任意に設計する目的に適したマスク
構造である。
【００１５】以上、実施形態１〜５で、吸収体パターン
はＡｕの例を述べたが、Ｘ線の透過しにくい、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ａｇ、ＰｂやＰｂＳｎおよびＮｉＷなど、原子番号
の大きな材料で電解鍍金ができれば良いことを付言す
る。また、透過材にポリイミド樹脂を用いた例を述べて
きたが、本発明の主旨からして、吸収体パターンの精度
が所望の条件で満たされれば、別の樹脂であってもよ
く、また、これは樹脂だけに限定されるものではない。
プラズマや光励起のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等による絶縁膜を吸収体
パターンを包み囲む材料として用い、この場合の構造は
樹脂との複合体であってもよい。透過材を支持枠に固定
する工程では透過材に適当な張力をかけてＸ線マスクの
膨張係数を調整できることが特徴である。
はＡｕの例を述べたが、Ｘ線の透過しにくい、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ａｇ、ＰｂやＰｂＳｎおよびＮｉＷなど、原子番号
の大きな材料で電解鍍金ができれば良いことを付言す
る。また、透過材にポリイミド樹脂を用いた例を述べて
きたが、本発明の主旨からして、吸収体パターンの精度
が所望の条件で満たされれば、別の樹脂であってもよ
く、また、これは樹脂だけに限定されるものではない。
プラズマや光励起のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等による絶縁膜を吸収体
パターンを包み囲む材料として用い、この場合の構造は
樹脂との複合体であってもよい。透過材を支持枠に固定
する工程では透過材に適当な張力をかけてＸ線マスクの
膨張係数を調整できることが特徴である。
【００１６】実施形態６ 次に、第六の実施形態を図６により詳細に説明する。こ
れは実施形態１のＸ線マスク１を製造する主要工程の流
れを示す。（ａ）表面洗浄したステンレススチール基板
７（以下ＳＵＳ板と略す）にホトレジストまたはＸ線レ
ジスト８を約１０μｍの厚さに塗布する。（ｂ）これに
遮光マスクを通して平行光（遠紫外線またはＸ線）で露
光を行い、現像をしてレジストにパターン（電解鍍金用
マスクパターン）９を形成する。このパターン９の断面
形状は露光条件の最適化によって垂直から任意の角度に
形成が可能である。（ｃ）続いてＳＵＳ板７を電極とし
てＡｕの電解鍍金を約１０μｍの厚さになるまでおこな
いＡｕの吸収体パターン３を形成する。（ｄ）支持枠４
に３μｍの厚さのポリイミドフィルム２を張力を加えて
接着し、この表面に約２μｍの厚さの接着剤を塗布す
る。このように準備した支持枠４表面に、（ｃ）で形成
した試料を対向させる。（ｄ）支持枠４上のポリイミド
フィルム２にＡｕの吸収体パターン３を密着させて接着
固定する。（ｅ）続いてＳＵＳ板７を取り除き、さらに
薬液によってパターン（電解鍍金用マスクパターン）９
を剥離し、Ｘ線マスク１を製造する。この方法では製造
工程中の熱処理温度が低いので、Ａｕの吸収体パターン
に配列誤差を生じさせる要因が少なく、高い寸法精度を
もったマスクを提供することができる。
れは実施形態１のＸ線マスク１を製造する主要工程の流
れを示す。（ａ）表面洗浄したステンレススチール基板
７（以下ＳＵＳ板と略す）にホトレジストまたはＸ線レ
ジスト８を約１０μｍの厚さに塗布する。（ｂ）これに
遮光マスクを通して平行光（遠紫外線またはＸ線）で露
光を行い、現像をしてレジストにパターン（電解鍍金用
マスクパターン）９を形成する。このパターン９の断面
形状は露光条件の最適化によって垂直から任意の角度に
形成が可能である。（ｃ）続いてＳＵＳ板７を電極とし
てＡｕの電解鍍金を約１０μｍの厚さになるまでおこな
いＡｕの吸収体パターン３を形成する。（ｄ）支持枠４
に３μｍの厚さのポリイミドフィルム２を張力を加えて
接着し、この表面に約２μｍの厚さの接着剤を塗布す
る。このように準備した支持枠４表面に、（ｃ）で形成
した試料を対向させる。（ｄ）支持枠４上のポリイミド
フィルム２にＡｕの吸収体パターン３を密着させて接着
固定する。（ｅ）続いてＳＵＳ板７を取り除き、さらに
薬液によってパターン（電解鍍金用マスクパターン）９
を剥離し、Ｘ線マスク１を製造する。この方法では製造
工程中の熱処理温度が低いので、Ａｕの吸収体パターン
に配列誤差を生じさせる要因が少なく、高い寸法精度を
もったマスクを提供することができる。
【００１７】この製造方法において図２と図３の様に吸
収体パターンを埋め込む構造を得るためには、今まで述
べた工程に続いてＡｕの吸収体パターンの露出している
表面にポリイミド樹脂等を塗布し、この樹脂を硬化する
工程を追加すればよい。
収体パターンを埋め込む構造を得るためには、今まで述
べた工程に続いてＡｕの吸収体パターンの露出している
表面にポリイミド樹脂等を塗布し、この樹脂を硬化する
工程を追加すればよい。
【００１８】実施形態７ 次に、第七の実施形態を図７及び図８を用いて詳細に説
明する。図７及び図８は実施形態２のＸ線マスクを製造
する主要工程の流れを示す図である。図７の（ａ）表面
洗浄したステンレススチール基板１０１（以下ＳＵＳ板
と略す）にホトレジストまたはＸ線レジスト１０２を約
１５μｍの厚さに塗布する。（ｂ）これに遮光マスクを
通して平行光（遠紫外線またはＸ線）で露光を行い、現
像をしてレジストにパターン１０３を形成する。このパ
ターンの断面形状はほぼ垂直の約３のアスペクト比とす
る。（ｃ）続いてＳＵＳ板１０１を電極としてＡｕの電
解鍍金を約１５μｍの厚さになるまでおこなう。（ｄ）
レジストにパターン１０３を剥離、洗浄しこれによって
Ａｕの吸収体パターン７３が形成される。（ｅ）続いて
ポリイミド樹脂７２を塗布し、熱処理によってこの樹脂
を硬化する。硬化後のポリイミド樹脂７２の膜厚は約２
０μｍになるよう調節する。これによってＡｕの吸収体
パターン７３はポリイミド樹脂５２によって埋め込まれ
た構造になる。図８の（ｆ）ＳＵＳ板からなる支持枠７
４をポリイミド樹脂７２の表面に接着剤を用いて張り付
ける。（ｇ）この後ＳＵＳ板１０１を支持枠７４とポリ
イミド樹脂７２とＡｕの吸収体パターン７３とからなる
Ｘ線マスクから取り外す。（ｈ）続いてＡｕの吸収体パ
ターン７３の露出している表面にポリイミド樹脂７２’
を塗布し、熱処理によってこの樹脂を硬化する。硬化後
のこのポリイミド樹脂７２’の膜厚は約５μｍになるよ
う調節する。（ｉ）Ａｕの吸収体パターン７３をポリイ
ミド樹脂７２の中心に配置したＸ線マスクが製造され
る。
明する。図７及び図８は実施形態２のＸ線マスクを製造
する主要工程の流れを示す図である。図７の（ａ）表面
洗浄したステンレススチール基板１０１（以下ＳＵＳ板
と略す）にホトレジストまたはＸ線レジスト１０２を約
１５μｍの厚さに塗布する。（ｂ）これに遮光マスクを
通して平行光（遠紫外線またはＸ線）で露光を行い、現
像をしてレジストにパターン１０３を形成する。このパ
ターンの断面形状はほぼ垂直の約３のアスペクト比とす
る。（ｃ）続いてＳＵＳ板１０１を電極としてＡｕの電
解鍍金を約１５μｍの厚さになるまでおこなう。（ｄ）
レジストにパターン１０３を剥離、洗浄しこれによって
Ａｕの吸収体パターン７３が形成される。（ｅ）続いて
ポリイミド樹脂７２を塗布し、熱処理によってこの樹脂
を硬化する。硬化後のポリイミド樹脂７２の膜厚は約２
０μｍになるよう調節する。これによってＡｕの吸収体
パターン７３はポリイミド樹脂５２によって埋め込まれ
た構造になる。図８の（ｆ）ＳＵＳ板からなる支持枠７
４をポリイミド樹脂７２の表面に接着剤を用いて張り付
ける。（ｇ）この後ＳＵＳ板１０１を支持枠７４とポリ
イミド樹脂７２とＡｕの吸収体パターン７３とからなる
Ｘ線マスクから取り外す。（ｈ）続いてＡｕの吸収体パ
ターン７３の露出している表面にポリイミド樹脂７２’
を塗布し、熱処理によってこの樹脂を硬化する。硬化後
のこのポリイミド樹脂７２’の膜厚は約５μｍになるよ
う調節する。（ｉ）Ａｕの吸収体パターン７３をポリイ
ミド樹脂７２の中心に配置したＸ線マスクが製造され
る。
【００１９】実施形態６と７で述べた製造方法は従来、
よく使っている製造装置により生産ができるのでＸ線マ
スクの製造コストは安価である特徴がある。また、従来
法では吸収体パターンが倒れたり剥がれたり接着力が弱
かったが本発明の構成上、これが強固になり、また、透
過材が破損するもともなくなったので生産歩留が著しく
上がった。
よく使っている製造装置により生産ができるのでＸ線マ
スクの製造コストは安価である特徴がある。また、従来
法では吸収体パターンが倒れたり剥がれたり接着力が弱
かったが本発明の構成上、これが強固になり、また、透
過材が破損するもともなくなったので生産歩留が著しく
上がった。
【００２０】実施形態８ 次に、第八の実施形態を図９により説明する。これは実
施形態１のＸ線マスクを用いて微細穴をもつメッシュ２
０５を製造した例である。例えばメッシュの幅１０μ
ｍ、ピッチ３０μｍ、高さ２０μｍのＮｉメッシュの作
成を説明すると以下のようになる。本発明による大面積
Ｘ線マスクの一部を（ａ）に示す。樹脂膜８２上に高さ
５μｍのＡｕ の各柱パターン８３が規則的に配列され
ているマスクを用いてシンクロトロン放射光の約０．２
〜０．８ｎｍのＸ線波長を使ってＰＭＭＡに露光、現像
した結果を（ｂ）に示す。これで金属板２０１上に厚さ
２０μｍのＰＭＭＡパターン２０２が形成された。この
後、電解鍍金によって約２０μｍの厚さにＮｉをＰＭＭ
Ａパターン２０２のすき間に形成し、上記金属板２０１
とＰＭＭＡパターンを取り去ると高精度のＮｉメッシュ
２０５が形成される（ｃ）。このマスクを使えば従来よ
りも容易にメッシュを高く（厚く）できるので、同じピ
ッチならメッシュの穴を大きくでき、これによって開孔
率が上がりフィルタ効率が著しく向上する。また、メッ
シュの強度があるので、耐圧が高くなって、このフィル
タを使って作る装置の用途が拡大した。本発明のマスク
は大面積なので一回の露光で高精度の寸法のメッシュが
大量に製造でき、高級なマイクロ部品を低コストで供給
できる特徴がある。
施形態１のＸ線マスクを用いて微細穴をもつメッシュ２
０５を製造した例である。例えばメッシュの幅１０μ
ｍ、ピッチ３０μｍ、高さ２０μｍのＮｉメッシュの作
成を説明すると以下のようになる。本発明による大面積
Ｘ線マスクの一部を（ａ）に示す。樹脂膜８２上に高さ
５μｍのＡｕ の各柱パターン８３が規則的に配列され
ているマスクを用いてシンクロトロン放射光の約０．２
〜０．８ｎｍのＸ線波長を使ってＰＭＭＡに露光、現像
した結果を（ｂ）に示す。これで金属板２０１上に厚さ
２０μｍのＰＭＭＡパターン２０２が形成された。この
後、電解鍍金によって約２０μｍの厚さにＮｉをＰＭＭ
Ａパターン２０２のすき間に形成し、上記金属板２０１
とＰＭＭＡパターンを取り去ると高精度のＮｉメッシュ
２０５が形成される（ｃ）。このマスクを使えば従来よ
りも容易にメッシュを高く（厚く）できるので、同じピ
ッチならメッシュの穴を大きくでき、これによって開孔
率が上がりフィルタ効率が著しく向上する。また、メッ
シュの強度があるので、耐圧が高くなって、このフィル
タを使って作る装置の用途が拡大した。本発明のマスク
は大面積なので一回の露光で高精度の寸法のメッシュが
大量に製造でき、高級なマイクロ部品を低コストで供給
できる特徴がある。
【００２１】実施形態９ 図１０、図１１及び図１２を用いて、第九の実施形態に
ついて説明する。この実施形態では、先ず上記の実施形
態６と同じ手法でＸ線マスク９１（図１０）を製作す
る。すなわち、概略的に述べると、遮光マスクに平行光
を照射してその下方のレジストに電解鍍金用マスクパタ
ーンを形成し、その電解鍍金用マスクパターンに電解鍍
金を施してＡｕの吸収体パターンを含む試料を形成し、
その試料を反転させて張力を加えたポリイミド樹脂膜上
に接着固定し、その後電解鍍金用マスクパターンを薬剤
で除去し剥離する。このようにして、図１０に示すよう
な、ポリイミド樹脂膜９２と、その上に接着固定された
Ａｕの吸収体パターン９３とから成るＸ線マスク９１を
形成する。吸収体パターン９３の中央には、遮光マスク
の形状に応じて直線長さ（ストローク）が約３５０μｍ
で、幅が３０μｍの蛇行した形状の空隙部９９が形成さ
れている。なお、ポリイミド樹脂膜９２の厚さは２０μ
ｍ、その上の吸収体パターン９３の厚さは２、５μｍで
ある。
ついて説明する。この実施形態では、先ず上記の実施形
態６と同じ手法でＸ線マスク９１（図１０）を製作す
る。すなわち、概略的に述べると、遮光マスクに平行光
を照射してその下方のレジストに電解鍍金用マスクパタ
ーンを形成し、その電解鍍金用マスクパターンに電解鍍
金を施してＡｕの吸収体パターンを含む試料を形成し、
その試料を反転させて張力を加えたポリイミド樹脂膜上
に接着固定し、その後電解鍍金用マスクパターンを薬剤
で除去し剥離する。このようにして、図１０に示すよう
な、ポリイミド樹脂膜９２と、その上に接着固定された
Ａｕの吸収体パターン９３とから成るＸ線マスク９１を
形成する。吸収体パターン９３の中央には、遮光マスク
の形状に応じて直線長さ（ストローク）が約３５０μｍ
で、幅が３０μｍの蛇行した形状の空隙部９９が形成さ
れている。なお、ポリイミド樹脂膜９２の厚さは２０μ
ｍ、その上の吸収体パターン９３の厚さは２、５μｍで
ある。
【００２２】次に、上記のようにして得られたＸ線マス
ク９１を用いて露光と現像を行う。すなわち、上方から
シンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍの
Ｘ線を、このＸ線マスク９１に照射し、その下方に配置
した、厚さが１３０μｍのＰＭＭＡ（Ｘ線レジスト）９
５に露光現像する。その結果、ＰＭＭＡ９５には、上記
の空隙部９９に対応して蛇行した形状の空隙部９９Ａが
形成される（図１１）。
ク９１を用いて露光と現像を行う。すなわち、上方から
シンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍの
Ｘ線を、このＸ線マスク９１に照射し、その下方に配置
した、厚さが１３０μｍのＰＭＭＡ（Ｘ線レジスト）９
５に露光現像する。その結果、ＰＭＭＡ９５には、上記
の空隙部９９に対応して蛇行した形状の空隙部９９Ａが
形成される（図１１）。
【００２３】現像後はこのＰＭＭＡ９５の空隙部９９Ａ
に、硬さ５００ＨｖのＮｉを１３０μｍの厚さで電着
し、その後ＰＭＭＡ９５を溶剤で除去し、ＳＵＳ板９６
より剥離することで、図１２に示すようなマイクロバネ
９０が得られる。このマイクロバネ９０は、上記手法に
より多数同時に製作可能となる。これらのマイクロバネ
９０…はバネ性も一定し、機械的強度、寸法も再現性が
良く、半導体素子検査用の半導体プローブに使用する接
触端子として申し分のない性能を発揮した。
に、硬さ５００ＨｖのＮｉを１３０μｍの厚さで電着
し、その後ＰＭＭＡ９５を溶剤で除去し、ＳＵＳ板９６
より剥離することで、図１２に示すようなマイクロバネ
９０が得られる。このマイクロバネ９０は、上記手法に
より多数同時に製作可能となる。これらのマイクロバネ
９０…はバネ性も一定し、機械的強度、寸法も再現性が
良く、半導体素子検査用の半導体プローブに使用する接
触端子として申し分のない性能を発揮した。
【００２４】実施形態１０ 次に、図１３〜図２２を用いて第十の実施形態について
説明する。この実施形態１０では、実施形態１と同様の
Ｘ線マスクを用いてＸ線レジストをパターン化し、高ア
スペクト比のプラスチック成形用金型を製作する。その
後、その金型を用いてプラスチック成形品を製作し、ま
たそのプラスチック成形品を利用して金属製品を製作す
る。
説明する。この実施形態１０では、実施形態１と同様の
Ｘ線マスクを用いてＸ線レジストをパターン化し、高ア
スペクト比のプラスチック成形用金型を製作する。その
後、その金型を用いてプラスチック成形品を製作し、ま
たそのプラスチック成形品を利用して金属製品を製作す
る。
【００２５】図１３には、上記の実施形態６と同様の手
法で製作したＸ線マスク１０１を示している。このＸ線
マスク１０１は、ポリイミド樹脂膜１０２と、そのポリ
イミド樹脂膜１０２上に接着固定した吸収体パターン１
０３とから成り、この吸収体パターン１０３は、テーパ
角度１０°、ピッチ２５０μｍ、厚さ１０μｍである。
法で製作したＸ線マスク１０１を示している。このＸ線
マスク１０１は、ポリイミド樹脂膜１０２と、そのポリ
イミド樹脂膜１０２上に接着固定した吸収体パターン１
０３とから成り、この吸収体パターン１０３は、テーパ
角度１０°、ピッチ２５０μｍ、厚さ１０μｍである。
【００２６】このＸ線マスク１０１を用いて、ＳＵＳ１
０６上にコートした、厚さ１ｍｍのＰＭＭＡから成るＸ
線レジスト１０５を露光、現像する。すなわち、上方か
らシンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍ
のＸ線を、このＸ線マスク１０１に照射し、その下方に
配置した、厚さが１ｍｍのＰＭＭＡ（Ｘ線レジスト）１
０５に露光現像する。その結果、ＳＵＳ１０６上には、
Ｘ線マスク１０１の吸収体パターン１０３に対応してそ
の形状に相似のパターン化されたＰＭＭＡ１０５が形成
される（図１２）。このパターン化されたＰＭＭＡ１０
５の傾斜角は１°であった。この１°は後に述べるプラ
スチックの成形の抜きテーパとして、非常に有効に働く
ことが判明した。
０６上にコートした、厚さ１ｍｍのＰＭＭＡから成るＸ
線レジスト１０５を露光、現像する。すなわち、上方か
らシンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍ
のＸ線を、このＸ線マスク１０１に照射し、その下方に
配置した、厚さが１ｍｍのＰＭＭＡ（Ｘ線レジスト）１
０５に露光現像する。その結果、ＳＵＳ１０６上には、
Ｘ線マスク１０１の吸収体パターン１０３に対応してそ
の形状に相似のパターン化されたＰＭＭＡ１０５が形成
される（図１２）。このパターン化されたＰＭＭＡ１０
５の傾斜角は１°であった。この１°は後に述べるプラ
スチックの成形の抜きテーパとして、非常に有効に働く
ことが判明した。
【００２７】次に、このパターン化されたＰＭＭＡ１０
５に電着を施し、プラスチック成形用の金型１０７を製
作し（図１５）、その金型１０７をパターン化されたＰ
ＭＭＡ１０５より剥離する。そして、この金型１０７に
プラスチックを充填してプラスチックの成形を行い、プ
ラスチック成形品を作る（図１６）。
５に電着を施し、プラスチック成形用の金型１０７を製
作し（図１５）、その金型１０７をパターン化されたＰ
ＭＭＡ１０５より剥離する。そして、この金型１０７に
プラスチックを充填してプラスチックの成形を行い、プ
ラスチック成形品を作る（図１６）。
【００２８】図１７及び図１８はこのようにして得られ
たプラスチック成形品を示し、図１７のプラスチック成
形品１１０は円筒型の穴を有するメッシュであり、図１
８のプラスチック成形品１１１は角柱型の穴を有するメ
ッシュであり、いずれの場合も、テーパを持つ金型１０
７を用いて製作したので、このテーパが抜きテーパとし
て有効に機能し、バリなしで極めてスムーズに製作する
ことができた。
たプラスチック成形品を示し、図１７のプラスチック成
形品１１０は円筒型の穴を有するメッシュであり、図１
８のプラスチック成形品１１１は角柱型の穴を有するメ
ッシュであり、いずれの場合も、テーパを持つ金型１０
７を用いて製作したので、このテーパが抜きテーパとし
て有効に機能し、バリなしで極めてスムーズに製作する
ことができた。
【００２９】図１９〜図２２はプラスチック成形体から
さらに金属製品を製作する場合を示している。先ず、上
記の金型１０７へのプラスチック成形時に、プラスチッ
クのボトムを一体化させるために、金型１０７を図１９
に示すように、３ｍｍ程度持ち上げて窪みを持たせ、そ
の窪みにプラスチックを充填し、プラスチック成形体１
１２を形成する。次に、そのプラスチック成形体１１２
の表面に、図２０に示すように、導体化処理を施して導
体化処理膜１１３を形成し、続いて、上端面の部位のみ
をワイピングして導体化処理膜１１３を除去し（図２
１）、その後、電解鍍金で導電性部位１１４に金属を析
出させ充填させる。なお、導体化処理膜１１３が触媒性
を有するＰｄのような金属の場合は、電圧を掛ける必要
はなく、無電解でＮｉやＣｕを析出させることができ
る。
さらに金属製品を製作する場合を示している。先ず、上
記の金型１０７へのプラスチック成形時に、プラスチッ
クのボトムを一体化させるために、金型１０７を図１９
に示すように、３ｍｍ程度持ち上げて窪みを持たせ、そ
の窪みにプラスチックを充填し、プラスチック成形体１
１２を形成する。次に、そのプラスチック成形体１１２
の表面に、図２０に示すように、導体化処理を施して導
体化処理膜１１３を形成し、続いて、上端面の部位のみ
をワイピングして導体化処理膜１１３を除去し（図２
１）、その後、電解鍍金で導電性部位１１４に金属を析
出させ充填させる。なお、導体化処理膜１１３が触媒性
を有するＰｄのような金属の場合は、電圧を掛ける必要
はなく、無電解でＮｉやＣｕを析出させることができ
る。
【００３０】その後、プラスチック成形体１１２から、
金属析出物を剥離することで、例えば図２２に示すよう
な、メッシュ状の金属製品１１５が得られる。この手法
によれば、Ｘ線マスク１０２の吸収体パターン１０３に
形成したテーパに起因するプラスチック成形体１１２の
テーパが有効に作用し、スムーズに金属析出物を剥離す
ることができ、剥離時の製品の変形などが無いものが得
られた。
金属析出物を剥離することで、例えば図２２に示すよう
な、メッシュ状の金属製品１１５が得られる。この手法
によれば、Ｘ線マスク１０２の吸収体パターン１０３に
形成したテーパに起因するプラスチック成形体１１２の
テーパが有効に作用し、スムーズに金属析出物を剥離す
ることができ、剥離時の製品の変形などが無いものが得
られた。
【００３１】
（１）大きな露光面積を持つＸ線マスクを、再現性よく
提供できるようになった。 （２）高アスペクト比のＸ線マスクが容易に形成できる
ようになり、安価に提供できるようになった。 （３）吸収体が透過材によって覆われた構造なのでマス
クの汚れが少なく、また、洗浄できるようになりＸ線マ
スクの寿命が長くなった。 （４）吸収体材と透過材が自由に選択できるようになっ
て高精度のＸ線マスクから量産用マスクまで任意に製作
できるようになった。 （５）本発明のＸ線マスクを用いることにより、高精度
の高級なマイクロ部品を安価に提供できるようになっ
た。 （６）張力を持たせた、樹脂膜から成る透過材に吸収体
パターンを形成するようにしたので、高アスペクト比で
テーパを持つ吸収体パターンを高精度で安定して形成す
ることができる。したがって、このような吸収体パター
ンを持つＸ線マスクから製作した金型にもテーパを形成
することができ、このテーパは成形品を剥離させるとき
の抜きテーパとして有効に機能するので、マイクロ部品
を極めて円滑に製作することができる。
提供できるようになった。 （２）高アスペクト比のＸ線マスクが容易に形成できる
ようになり、安価に提供できるようになった。 （３）吸収体が透過材によって覆われた構造なのでマス
クの汚れが少なく、また、洗浄できるようになりＸ線マ
スクの寿命が長くなった。 （４）吸収体材と透過材が自由に選択できるようになっ
て高精度のＸ線マスクから量産用マスクまで任意に製作
できるようになった。 （５）本発明のＸ線マスクを用いることにより、高精度
の高級なマイクロ部品を安価に提供できるようになっ
た。 （６）張力を持たせた、樹脂膜から成る透過材に吸収体
パターンを形成するようにしたので、高アスペクト比で
テーパを持つ吸収体パターンを高精度で安定して形成す
ることができる。したがって、このような吸収体パター
ンを持つＸ線マスクから製作した金型にもテーパを形成
することができ、このテーパは成形品を剥離させるとき
の抜きテーパとして有効に機能するので、マイクロ部品
を極めて円滑に製作することができる。
【図１】本発明の実施形態１のＸ線マスクの主要構成
図。
図。
【図２】本発明の実施形態２のＸ線マスクの主要構成
図。
図。
【図３】本発明の実施形態３のＸ線マスクの主要構成
図。
図。
【図４】本発明の実施形態４のＸ線マスクの主要構成
図。
図。
【図５】本発明の実施形態５のＸ線マスクの主要構成
図。
図。
【図６】本発明の実施形態１のＸ線マスクの主要製造工
程図。
程図。
【図７】本発明の実施形態２のＸ線マスクの主要製造工
程の前半を示す図。
程の前半を示す図。
【図８】本発明の実施形態２のＸ線マスクの主要製造工
程の後半を示す図。
程の後半を示す図。
【図９】本発明の実施形態１のＸ線マスクを用いて製造
したメッシュ構造のマイクロ部品図。
したメッシュ構造のマイクロ部品図。
【図１０】本発明の実施形態９におけるＸ線マスクを示
す図。
す図。
【図１１】本発明の実施形態９における現像後のＸ線レ
ジストを示す図。
ジストを示す図。
【図１２】本発明の実施形態９において製作したマイク
ロバネを示す図。
ロバネを示す図。
【図１３】本発明の実施形態１０におけるＸ線マスクを
示す図。
示す図。
【図１４】本発明の実施形態１０における現像後のＸ線
レジストを示す図。
レジストを示す図。
【図１５】本発明の実施形態１０における金型の製作方
法を示す図。
法を示す図。
【図１６】本発明の実施形態１０におけるプラスチック
成形品の製作方法を示す図。
成形品の製作方法を示す図。
【図１７】本発明の実施形態１０において製作したプラ
スチック成形品を示す図。
スチック成形品を示す図。
【図１８】本発明の実施形態１０において製作したプラ
スチック成形品を示す図。
スチック成形品を示す図。
【図１９】本発明の実施形態１０においてプラスチック
成形体から金属製品を製作する場合の第１段階を示す
図。
成形体から金属製品を製作する場合の第１段階を示す
図。
【図２０】本発明の実施形態１０においてプラスチック
成形体から金属製品を製作する場合の第２段階を示す
図。
成形体から金属製品を製作する場合の第２段階を示す
図。
【図２１】本発明の実施形態１０においてプラスチック
成形体から金属製品を製作する場合の第３段階を示す
図。
成形体から金属製品を製作する場合の第３段階を示す
図。
【図２２】本発明の実施形態１０においてプラスチック
成形体から製作した金属製品を示す図。
成形体から製作した金属製品を示す図。
【図２３】従来のＸ線マスクの主要構成図。
１，２１，３１，４１，５１，７１，９１，１０１
Ｘ線マスク ２，２２，３２，４２，５２，９２，１０２
ポリイミド樹脂膜 ３，２３，３３，４３，５３，７３，９３，１０３
吸収体パターン ４，２４，４４，５４，７４ 支持枠。
Ｘ線マスク ２，２２，３２，４２，５２，９２，１０２
ポリイミド樹脂膜 ３，２３，３３，４３，５３，７３，９３，１０３
吸収体パターン ４，２４，４４，５４，７４ 支持枠。
Claims (14)
- 【請求項１】 Ｘ線マスクの構成において、吸収体パタ
ーンが樹脂膜からなる透過材上に接着固定された構造で
あることを特徴としたＸ線マスク。 - 【請求項２】 Ｘ線マスクの構成において、吸収体パタ
ーン全体が透過材によって包み覆われた構造をもつこと
を特徴としたＸ線マスク。 - 【請求項３】 Ｘ線マスクの構成において、吸収体パタ
ーンの上面もしくは下面を除く他の面が透過材によって
包み覆われた構造をもつことを特徴としたＸ線マスク。 - 【請求項４】 Ｘ線マスクの構成において、吸収体パタ
ーンの断面形状の構造が２種類以上のパターンを重ね合
わせて構成したことを特徴としたＸ線マスク。 - 【請求項５】 Ｘ線マスクの構成において、２種類以上
のＸ線マスクを重ね合わせて固定した構造を持つことを
特徴としたＸ線マスク。 - 【請求項６】 上記透過材に樹脂を用いたことを特徴と
する請求項２から５のいずれかに記載のＸ線マスク。 - 【請求項７】 上記透過材に張力を持たせたことを特徴
とする請求項１から６のいずれかに記載のＸ線マスク。 - 【請求項８】 上記吸収体パターンの形状のうち、側面
にテーパを持たせたことを特徴とする請求項１から７の
いずれかに記載のＸ線マスク。 - 【請求項９】 上記吸収体パターンの形状は、上面もし
くは下面の一辺の長さ（短辺）と側面の高さ（長辺）と
の比が少なくとも１：２以上であることを特徴とする請
求項１から８のいずれかに記載のＸ線マスク。 - 【請求項１０】 Ｘ線マスクの製造において、導電性基
板上に電解鍍金用マスクパターンを形成する工程と、上
記電解鍍金用マスクパターンに電解鍍金を施して金属パ
ターンを含む試料を形成する工程と、支持枠に透過材か
らなる膜を張力を加えて接着する工程と、この表面に上
記電解鍍金で形成した金属パターンを含む試料を接着剤
で固定する工程と、上記導電性基板を取り除く工程と、
上記電解鍍金用マスクパターンを剥離する工程とを主体
とすることを特徴としたＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項１１】 Ｘ線マスクの製造において、導電性基
板上に電解鍍金用マスクパターンを形成する工程と、上
記電解鍍金用マスクパターンに電解鍍金を施して金属パ
ターンを含む試料を形成する工程と、上記電解鍍金用マ
スクパターンを除去する工程と、該マスク表面に樹脂を
塗布し、これを硬化する工程と、該マスク表面に支持枠
を固定する工程と、上記導電性基板を取り除く工程とを
主体とすることを特徴としたＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項１２】 上記請求項１から９のいずれかに記載
のＸ線マスクを用いて、露光と現像によりＸ線レジスト
にパターンを転写し、該パターンを用いて、マイクロ部
品を形成することを特徴としたＸ線マスクを用いて製作
したマイクロ部品。 - 【請求項１３】 上記請求項８に記載のＸ線マスクを用
いて、露光と現像によりＸ線レジストにパターンを転写
し、該パターンに電着してプラスチック成形用金型を製
作し、該プラスチック成形用金型を用いてプラスチック
から成るマイクロ部品を形成することを特徴としたＸ線
マスクを用いて製作したマイクロ部品。 - 【請求項１４】 上記請求項８に記載のＸ線マスクを用
いて、露光と現像によりＸ線レジストにパターンを転写
し、該パターンに電着してプラスチック成形用金型を製
作し、該プラスチック成形用金型を用いてプラスチック
成形体を製作し、そのプラスチック成形体の表面に導体
化処理膜を施し、その後導電性部位を金属析出物で充填
し、その金属析出物をプラスチック成形体から剥離する
ことで金属から成るマイクロ部品を形成することを特徴
としたＸ線マスクを用いて製作したマイクロ部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20999598A JP3638440B2 (ja) | 1997-07-24 | 1998-07-24 | Ｘ線マスクおよびこの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23168497 | 1997-07-24 | ||
| JP9-231684 | 1997-07-24 | ||
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