JPH1110540A - Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 - Google Patents
Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法Info
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- JPH1110540A JPH1110540A JP18307397A JP18307397A JPH1110540A JP H1110540 A JPH1110540 A JP H1110540A JP 18307397 A JP18307397 A JP 18307397A JP 18307397 A JP18307397 A JP 18307397A JP H1110540 A JPH1110540 A JP H1110540A
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- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 213
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 38
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 21
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 6
- -1 silica Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 43
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用されたスラリを元の特性に戻して再使用
することができるようにして、研磨作業コストの低減化
を図ったＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステム及びそ
の方法を提供する。 【解決手段】 ＣＭＰ装置１で使用され貯留槽１２１に
貯留されたスラリＳをフィルタ４で瀘過することで、粒
径の大きな異物を除去する。そして、スラリＳ中に生じ
たイオンをイオン除去器５ａで除去した後、ＰＨ調整器
５ｂでスラリＳのＰＨを初期のＰＨ値に復元する。そし
て、濃度調整タンク６において、スラリＳの砥粒濃度を
初期値に復元した後、フィルタ７において、スラリＳ中
に残存する粒径の小さな異物を除去して、スラリ供給装
置３００にフィードバックする。
することができるようにして、研磨作業コストの低減化
を図ったＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステム及びそ
の方法を提供する。 【解決手段】 ＣＭＰ装置１で使用され貯留槽１２１に
貯留されたスラリＳをフィルタ４で瀘過することで、粒
径の大きな異物を除去する。そして、スラリＳ中に生じ
たイオンをイオン除去器５ａで除去した後、ＰＨ調整器
５ｂでスラリＳのＰＨを初期のＰＨ値に復元する。そし
て、濃度調整タンク６において、スラリＳの砥粒濃度を
初期値に復元した後、フィルタ７において、スラリＳ中
に残存する粒径の小さな異物を除去して、スラリ供給装
置３００にフィードバックする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＭＰ（Chemic
al Mechanical Polishing)装置の被研磨物であるウエハ
を研磨する際に使用されたスラリをリサイクルするため
のＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
に関するものである。
al Mechanical Polishing)装置の被研磨物であるウエハ
を研磨する際に使用されたスラリをリサイクルするため
のＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、ＣＭＰ装置の構成を示す概略図
である。図４に示すように、ＣＭＰ装置は、研磨パッド
１０１が表面に貼り付けられた定盤１００と、ウエハＷ
を保持するキャリア２００とを具備している。これによ
り、ウエハＷをキャリア２００によって研磨パッド１０
１上に押圧した状態で、定盤１００とキャリア２００と
を回転させると共に、スラリ供給装置３００からのスラ
リＳを研磨パッド１０１上に供給し続けることで、ウエ
ハＷの研磨精度と研磨レートとの向上を図っている。
である。図４に示すように、ＣＭＰ装置は、研磨パッド
１０１が表面に貼り付けられた定盤１００と、ウエハＷ
を保持するキャリア２００とを具備している。これによ
り、ウエハＷをキャリア２００によって研磨パッド１０
１上に押圧した状態で、定盤１００とキャリア２００と
を回転させると共に、スラリ供給装置３００からのスラ
リＳを研磨パッド１０１上に供給し続けることで、ウエ
ハＷの研磨精度と研磨レートとの向上を図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ウエハ
Ｗの研磨に寄与するスラリＳには、例えば、ウエハＷの
層間絶縁膜研磨用の煙霧状シリカによるスラリや金属膜
研磨用のアルミナによるスラリがある。前者は、所定濃
度のシリカを純水中に均一に分散し且つそのＰＨを１１
程度に保持したアルカリ性のスラリであり、後者は、金
属酸化用の酸化剤を純水に溶かし、そのＰＨを２〜４程
度に保持した酸性のスラリである。このようなスラリ
は、ウエハＷの層間絶縁膜を研磨するか又は金属膜を研
磨するかによって選択されるが、いずれによせ、シリカ
等の砥粒の濃度やＰＨが所定値を維持することで、所期
の研磨レートを達成し得るものである。しかし、ＣＭＰ
装置の研磨に寄与したスラリＳでは、研磨中に生じた珪
酸イオンが溶け込み、ＰＨが変化している。また、研磨
後において砥粒の濃度も変化しており、再度使用するこ
とができない。特に、研磨後のスラリＳ中には、研磨パ
ッド１０１の研磨クズやドレッシングクズなど大小の異
物が混入しており、そのまま使用するとウエハＷにスク
ラッチを発生させ、ウエハＷが使い物にならなくなる。
そこで、従来は、図４に示すように、定盤１００の周り
に廃液受１１０を配置し、定盤１００の遠心力で排出し
たスラリＳをこの廃液受１１０で受けて、廃液槽１２０
に溜めた後、全て破棄していた。しかしながら、ウエハ
Ｗの研磨に寄与するスラリＳは、供給される全スラリＳ
のたった５％程度に過ぎない。したがって、研磨に寄与
したスラリＳが混ざらなかったなら再使用することがで
きたであろう残りの９５％の多量のスラリＳが破棄され
ており、スラリＳの非常に無駄な浪費が行われていた。
Ｗの研磨に寄与するスラリＳには、例えば、ウエハＷの
層間絶縁膜研磨用の煙霧状シリカによるスラリや金属膜
研磨用のアルミナによるスラリがある。前者は、所定濃
度のシリカを純水中に均一に分散し且つそのＰＨを１１
程度に保持したアルカリ性のスラリであり、後者は、金
属酸化用の酸化剤を純水に溶かし、そのＰＨを２〜４程
度に保持した酸性のスラリである。このようなスラリ
は、ウエハＷの層間絶縁膜を研磨するか又は金属膜を研
磨するかによって選択されるが、いずれによせ、シリカ
等の砥粒の濃度やＰＨが所定値を維持することで、所期
の研磨レートを達成し得るものである。しかし、ＣＭＰ
装置の研磨に寄与したスラリＳでは、研磨中に生じた珪
酸イオンが溶け込み、ＰＨが変化している。また、研磨
後において砥粒の濃度も変化しており、再度使用するこ
とができない。特に、研磨後のスラリＳ中には、研磨パ
ッド１０１の研磨クズやドレッシングクズなど大小の異
物が混入しており、そのまま使用するとウエハＷにスク
ラッチを発生させ、ウエハＷが使い物にならなくなる。
そこで、従来は、図４に示すように、定盤１００の周り
に廃液受１１０を配置し、定盤１００の遠心力で排出し
たスラリＳをこの廃液受１１０で受けて、廃液槽１２０
に溜めた後、全て破棄していた。しかしながら、ウエハ
Ｗの研磨に寄与するスラリＳは、供給される全スラリＳ
のたった５％程度に過ぎない。したがって、研磨に寄与
したスラリＳが混ざらなかったなら再使用することがで
きたであろう残りの９５％の多量のスラリＳが破棄され
ており、スラリＳの非常に無駄な浪費が行われていた。
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、使用されたスラリを元の特性に戻して
再使用することができるようにして、研磨作業コストの
低減化を図ったＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステム
及びその方法を提供することを目的とするものである。
なされたもので、使用されたスラリを元の特性に戻して
再使用することができるようにして、研磨作業コストの
低減化を図ったＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステム
及びその方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明に係るＣＭＰ装置のスラリリサイクルシス
テムは、ＣＭＰ装置で使用されたスラリを流通させる流
路手段中に、スラリ中に混入している粒径１０ミクロン
未満の異物を濾過する第１の濾過手段を設け、流路中で
あって第１の濾過手段の前段に、第１の濾過手段から離
して配され且つスラリ中に混入した粒径１０ミクロン以
上の異物を濾過する第２の濾過手段，スラリの砥粒の濃
度をほぼ使用前の値になるように調整する濃度調整手
段，及びスラリのＰＨをほぼ使用前のＰＨ値にするよう
に調整するＰＨ調整手段のうち少なくとも一の手段を配
設した構成とした。また、上記ＣＭＰ装置のスラリリサ
イクルシステムにおいて、ＰＨ調整手段は、スラリのＰ
Ｈが使用前のＰＨ値よりも低い場合にアルカリ性剤をス
ラリに加え、また高い場合に酸性剤をスラリに加えて、
ＰＨ値を調整するＰＨ調整器を具備する構成とした。ま
た、上記ＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステムにおい
て、ＰＨ調整手段は、ＰＨ調整器の前段に、使用中にス
ラリに生じたイオンを除去するイオン除去器を具備する
構成とした。また、上記ＣＭＰ装置のスラリリサイクル
システムにおいて、スラリは、シリカ，アルミナ，ジル
コニア，セリア，及びチタニアなどの金属酸化物の煙霧
状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分散さ
せたスラリ、または、シリカ，アルミナ，ジルコニア，
及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金
属塩溶液から作られるコロイダルシリカ，コロイダルア
ルミナ，コロイダルジルコニア，コロイダルセリア，及
びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、または、ア
ルミナ，ジルコニア，セリア，及び酸化マンガンなどの
金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散させたス
ラリのいずれかである構成とした。
に、この発明に係るＣＭＰ装置のスラリリサイクルシス
テムは、ＣＭＰ装置で使用されたスラリを流通させる流
路手段中に、スラリ中に混入している粒径１０ミクロン
未満の異物を濾過する第１の濾過手段を設け、流路中で
あって第１の濾過手段の前段に、第１の濾過手段から離
して配され且つスラリ中に混入した粒径１０ミクロン以
上の異物を濾過する第２の濾過手段，スラリの砥粒の濃
度をほぼ使用前の値になるように調整する濃度調整手
段，及びスラリのＰＨをほぼ使用前のＰＨ値にするよう
に調整するＰＨ調整手段のうち少なくとも一の手段を配
設した構成とした。また、上記ＣＭＰ装置のスラリリサ
イクルシステムにおいて、ＰＨ調整手段は、スラリのＰ
Ｈが使用前のＰＨ値よりも低い場合にアルカリ性剤をス
ラリに加え、また高い場合に酸性剤をスラリに加えて、
ＰＨ値を調整するＰＨ調整器を具備する構成とした。ま
た、上記ＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステムにおい
て、ＰＨ調整手段は、ＰＨ調整器の前段に、使用中にス
ラリに生じたイオンを除去するイオン除去器を具備する
構成とした。また、上記ＣＭＰ装置のスラリリサイクル
システムにおいて、スラリは、シリカ，アルミナ，ジル
コニア，セリア，及びチタニアなどの金属酸化物の煙霧
状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分散さ
せたスラリ、または、シリカ，アルミナ，ジルコニア，
及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金
属塩溶液から作られるコロイダルシリカ，コロイダルア
ルミナ，コロイダルジルコニア，コロイダルセリア，及
びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、または、ア
ルミナ，ジルコニア，セリア，及び酸化マンガンなどの
金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散させたス
ラリのいずれかである構成とした。
【０００６】この発明に係るＣＭＰ装置のスラリリサイ
クル方法は、ＣＭＰ装置で使用されたスラリ中に混入し
ている粒径１０ミクロン未満の異物を濾過する第１の濾
過工程を設け、第１の濾過工程の前工程として、スラリ
中に混入した粒径１０ミクロン以上の異物を濾過する第
２の濾過工程，スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値に
なるように調整する濃度調整工程，及びスラリのＰＨを
ほぼ使用前のＰＨ値にするように調整するＰＨ調整工程
のうち少なくとも一の工程を設けた構成としてある。ま
た、上記ＣＭＰ装置のスラリリサイクル方法において、
ＰＨ調整工程は、スラリのＰＨが使用前のＰＨ値よりも
低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い場合
に酸性剤をスラリに加えて、ＰＨ値を調整するものであ
る構成とした。また、ＣＭＰ装置のスラリリサイクル方
法において、ＰＨ調整工程は、使用中にスラリに生じた
イオンを除去した後、スラリのＰＨが使用前のＰＨ値よ
りも低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い
場合に酸性剤をスラリに加えて、ＰＨ値を調整するもの
である構成とした。さらに、上記ＣＭＰ装置のスラリリ
サイクル方法において、スラリは、シリカ，アルミナ，
ジルコニア，セリア，及びチタニアなどの金属酸化物の
煙霧状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分
散させたスラリ、または、シリカ，アルミナ，ジルコニ
ア，及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有
機金属塩溶液から作られるコロイダルシリカ，コロイダ
ルアルミナ，コロイダルジルコニア，コロイダルセリ
ア，及びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、また
は、アルミナ，ジルコニア，セリア，及び酸化マンガン
などの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散さ
せたスラリのいずれかである構成とした。
クル方法は、ＣＭＰ装置で使用されたスラリ中に混入し
ている粒径１０ミクロン未満の異物を濾過する第１の濾
過工程を設け、第１の濾過工程の前工程として、スラリ
中に混入した粒径１０ミクロン以上の異物を濾過する第
２の濾過工程，スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値に
なるように調整する濃度調整工程，及びスラリのＰＨを
ほぼ使用前のＰＨ値にするように調整するＰＨ調整工程
のうち少なくとも一の工程を設けた構成としてある。ま
た、上記ＣＭＰ装置のスラリリサイクル方法において、
ＰＨ調整工程は、スラリのＰＨが使用前のＰＨ値よりも
低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い場合
に酸性剤をスラリに加えて、ＰＨ値を調整するものであ
る構成とした。また、ＣＭＰ装置のスラリリサイクル方
法において、ＰＨ調整工程は、使用中にスラリに生じた
イオンを除去した後、スラリのＰＨが使用前のＰＨ値よ
りも低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い
場合に酸性剤をスラリに加えて、ＰＨ値を調整するもの
である構成とした。さらに、上記ＣＭＰ装置のスラリリ
サイクル方法において、スラリは、シリカ，アルミナ，
ジルコニア，セリア，及びチタニアなどの金属酸化物の
煙霧状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分
散させたスラリ、または、シリカ，アルミナ，ジルコニ
ア，及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有
機金属塩溶液から作られるコロイダルシリカ，コロイダ
ルアルミナ，コロイダルジルコニア，コロイダルセリ
ア，及びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、また
は、アルミナ，ジルコニア，セリア，及び酸化マンガン
などの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散さ
せたスラリのいずれかである構成とした。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係るＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステムを一台の
ＣＭＰ装置に適用した例を示す概略図である。なお、図
４に示した要素と同一要素については同一符号を付して
説明する。図１において、符号１はＣＭＰ装置であり、
符号２がリサイクルシステムである。
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係るＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステムを一台の
ＣＭＰ装置に適用した例を示す概略図である。なお、図
４に示した要素と同一要素については同一符号を付して
説明する。図１において、符号１はＣＭＰ装置であり、
符号２がリサイクルシステムである。
【０００８】ＣＭＰ装置１は、図４に示したＣＭＰ装置
であるが、廃液受１１０と連通したパイプ１１１の出口
に三方コックバルブ１１２が取り付けられ、このバルブ
１１２を調整することで、使用済みスラリＳを貯留槽１
２１に溜めたり、定盤１００洗浄後のほとんど水からな
るスラリＳを廃液槽１２０に破棄することができるよう
になっている。ここでは、理解を容易にするため、ＣＭ
Ｐ装置１で使用されるスラリＳをフュームドシリカ系ス
ラリとする。すなわち、苛性カリ（ＫＯＨ）又はアンモ
ニア（ＮＨ3)を溶かしてＰＨを１１程度にしたアルカリ
性溶液中に、煙霧状ＳｉＯ2砥粒（シリカ）を所定濃度
でコロイダル状にしたスラリＳ（又は、水にＳｉＯ2砥
粒をコロイダル状にし、後から苛性カリ又はアンモニア
を加えてＰＨを１１程度にしたスラリＳ）を、スラリ供
給装置３００のノズル３０１から研磨パッド１０１が貼
り付けられた定盤１００上に供給しながら、ウエハＷを
保持したキャリア２００と定盤１００とを回転させて、
ウエハＷを研磨する。そして、廃液受１１０に排出され
かつパイプ１１１を通るスラリＳをバルブ１１２を介し
て貯留槽１２１に溜めるようにした。なお、水中にこれ
ら金属酸化物粉末を分散してスラリ化する際に、事前に
又は後から酸やアルカリを加えてＰＨ調整することもで
きる。
であるが、廃液受１１０と連通したパイプ１１１の出口
に三方コックバルブ１１２が取り付けられ、このバルブ
１１２を調整することで、使用済みスラリＳを貯留槽１
２１に溜めたり、定盤１００洗浄後のほとんど水からな
るスラリＳを廃液槽１２０に破棄することができるよう
になっている。ここでは、理解を容易にするため、ＣＭ
Ｐ装置１で使用されるスラリＳをフュームドシリカ系ス
ラリとする。すなわち、苛性カリ（ＫＯＨ）又はアンモ
ニア（ＮＨ3)を溶かしてＰＨを１１程度にしたアルカリ
性溶液中に、煙霧状ＳｉＯ2砥粒（シリカ）を所定濃度
でコロイダル状にしたスラリＳ（又は、水にＳｉＯ2砥
粒をコロイダル状にし、後から苛性カリ又はアンモニア
を加えてＰＨを１１程度にしたスラリＳ）を、スラリ供
給装置３００のノズル３０１から研磨パッド１０１が貼
り付けられた定盤１００上に供給しながら、ウエハＷを
保持したキャリア２００と定盤１００とを回転させて、
ウエハＷを研磨する。そして、廃液受１１０に排出され
かつパイプ１１１を通るスラリＳをバルブ１１２を介し
て貯留槽１２１に溜めるようにした。なお、水中にこれ
ら金属酸化物粉末を分散してスラリ化する際に、事前に
又は後から酸やアルカリを加えてＰＨ調整することもで
きる。
【０００９】リサイクルシステム２は、このように貯留
槽１２１に溜められたスラリＳをＣＭＰ装置１で再使用
することができるようにする技術であり、図示省略の流
路手段と流路手段中に順次配された第２の濾過手段とし
てのフィルタ４とＰＨ調整手段としてのイオン除去器５
ａ及びＰＨ調整器５ｂと濃度調整手段としての濃度調整
タンク６と第１の濾過手段としてのフィルタ７とで構成
されている。
槽１２１に溜められたスラリＳをＣＭＰ装置１で再使用
することができるようにする技術であり、図示省略の流
路手段と流路手段中に順次配された第２の濾過手段とし
てのフィルタ４とＰＨ調整手段としてのイオン除去器５
ａ及びＰＨ調整器５ｂと濃度調整手段としての濃度調整
タンク６と第１の濾過手段としてのフィルタ７とで構成
されている。
【００１０】流路手段は、ポンプ３によって汲み出され
た貯留槽１２１内のスラリＳを図示しない別のポンプ等
を用いてフィルタ４，イオン除去器５ａ及びＰＨ調整器
５ｂ，濃度調整タンク６，フィルタ７に順次導くための
ものである。
た貯留槽１２１内のスラリＳを図示しない別のポンプ等
を用いてフィルタ４，イオン除去器５ａ及びＰＨ調整器
５ｂ，濃度調整タンク６，フィルタ７に順次導くための
ものである。
【００１１】フィルタ４は、スラリＳ中に混入した粒径
１０ミクロン以上の異物を濾過する手段分であり、具体
的には、１０ミクロン〜２００ミクロンの網目のメッシ
ュ４１を有したカートリッジ型のフィルタである。すな
わち、貯留槽１２１からのスラリＳをフィルタ４のメッ
シュ４１を通過させることで、ＣＭＰ装置１による研磨
時に混入した研磨パッド１０１のコンタミや研磨クズや
ドレッシングクズなどの異物及び凝集したスラリのう
ち、粒径の大きいものをメッシュ４１に付着させて除去
するように有している。
１０ミクロン以上の異物を濾過する手段分であり、具体
的には、１０ミクロン〜２００ミクロンの網目のメッシ
ュ４１を有したカートリッジ型のフィルタである。すな
わち、貯留槽１２１からのスラリＳをフィルタ４のメッ
シュ４１を通過させることで、ＣＭＰ装置１による研磨
時に混入した研磨パッド１０１のコンタミや研磨クズや
ドレッシングクズなどの異物及び凝集したスラリのう
ち、粒径の大きいものをメッシュ４１に付着させて除去
するように有している。
【００１２】イオン除去器５ａ及びＰＨ調整器５ｂは、
フィルタ４で粗く濾過したスラリＳのＰＨを使用前のＰ
Ｈ値即ち初期のＰＨ値に復元する機器である。イオン除
去器５ａは、フィルタ４からのスラリＳ内に存在する余
分なイオンを除去するカートリッジ型のイオン交換樹脂
やイオン交換膜などであり、フィルタ４の排水側に取り
付けられている。すなわち、ＣＭＰ装置１で研磨される
ウエハＷがシリコンウエハ等の場合には、研磨中に珪酸
イオン等がウエハＷからスラリＳ内に溶けて、スラリＳ
のＰＨを「１１」から「９．５」や「１２」などに変化
させることがある。また、余分なイオンがスラリＳ内に
溶け込んでいると、スラリＳが凝集状態になり易い。こ
のため、イオン除去器５ａで余分なイオンをスラリＳか
ら除去して、ＰＨを「１１」程度に近付けるようにする
と共にスラリＳのコロイド状態を保持するようにする。
ＰＨ調整器５ｂは、イオン除去器５ａにおけるイオン除
去が過多であったり、不十分であった場合に、スラリＳ
のＰＨをほぼ完全に初期のＰＨ値に戻す機器であり、タ
ンク５２と攪拌器５３と供給パイプ５４とＰＨメータ５
５とを有している。すなわち、イオン除去器５ａの排水
側に連結された流路手段としての図示省略の配管を通じ
て、イオン除去器５ａからのスラリＳがタンク５２内に
貯留されるようになっている。そして、攪拌器５３で攪
拌しながら酸性剤又はアルカリ性剤を供給パイプ５４か
らスラリＳ内に供給するようになっている。具体的に
は、ＰＨメータ５５によってタンク５２内のスラリＳの
ＰＨを計測し、その計測値が初期のＰＨ値よりも低い場
合、即ち酸性側に寄っている場合には、水酸化カリウ
ム，アンモニア，アミン系物質，四級アンモニウム水酸
化物等のアルカリ性剤を供給パイプ５４からスラリＳに
加える。逆に、上記計測値が初期のＰＨ値よりも高い場
合、即ちアルカリ性側に寄っている場合には、塩酸，硝
酸，過酸化水素水等の酸性剤をスラリＳに加える。そし
て、ＰＨメータ５５の計測値がほぼ「１１」に至ったと
ころで、酸性剤等の供給を止め、タンク５２内のスラリ
Ｓを図示省略のポンプなどで濃度調整タンク６側に送る
ようになっている。
フィルタ４で粗く濾過したスラリＳのＰＨを使用前のＰ
Ｈ値即ち初期のＰＨ値に復元する機器である。イオン除
去器５ａは、フィルタ４からのスラリＳ内に存在する余
分なイオンを除去するカートリッジ型のイオン交換樹脂
やイオン交換膜などであり、フィルタ４の排水側に取り
付けられている。すなわち、ＣＭＰ装置１で研磨される
ウエハＷがシリコンウエハ等の場合には、研磨中に珪酸
イオン等がウエハＷからスラリＳ内に溶けて、スラリＳ
のＰＨを「１１」から「９．５」や「１２」などに変化
させることがある。また、余分なイオンがスラリＳ内に
溶け込んでいると、スラリＳが凝集状態になり易い。こ
のため、イオン除去器５ａで余分なイオンをスラリＳか
ら除去して、ＰＨを「１１」程度に近付けるようにする
と共にスラリＳのコロイド状態を保持するようにする。
ＰＨ調整器５ｂは、イオン除去器５ａにおけるイオン除
去が過多であったり、不十分であった場合に、スラリＳ
のＰＨをほぼ完全に初期のＰＨ値に戻す機器であり、タ
ンク５２と攪拌器５３と供給パイプ５４とＰＨメータ５
５とを有している。すなわち、イオン除去器５ａの排水
側に連結された流路手段としての図示省略の配管を通じ
て、イオン除去器５ａからのスラリＳがタンク５２内に
貯留されるようになっている。そして、攪拌器５３で攪
拌しながら酸性剤又はアルカリ性剤を供給パイプ５４か
らスラリＳ内に供給するようになっている。具体的に
は、ＰＨメータ５５によってタンク５２内のスラリＳの
ＰＨを計測し、その計測値が初期のＰＨ値よりも低い場
合、即ち酸性側に寄っている場合には、水酸化カリウ
ム，アンモニア，アミン系物質，四級アンモニウム水酸
化物等のアルカリ性剤を供給パイプ５４からスラリＳに
加える。逆に、上記計測値が初期のＰＨ値よりも高い場
合、即ちアルカリ性側に寄っている場合には、塩酸，硝
酸，過酸化水素水等の酸性剤をスラリＳに加える。そし
て、ＰＨメータ５５の計測値がほぼ「１１」に至ったと
ころで、酸性剤等の供給を止め、タンク５２内のスラリ
Ｓを図示省略のポンプなどで濃度調整タンク６側に送る
ようになっている。
【００１３】濃度調整タンク６は、スラリＳの砥粒であ
るシリカの濃度を初期の濃度値に復元する手段分であ
り、タンク本体６０と供給パイプ６１と濃度メータ６２
とを有している。すなわち、スラリＳのシリカ濃度は、
ＣＭＰ装置１における研磨作業中のドレッシングや水洗
浄等によって減少するので、このシリカ濃度を濃度調整
タンク６で復元するようにしている。具体的には、ＰＨ
調整器５ｂから送られてきたスラリＳをタンク本体６０
に貯留し、シリカを高濃度でコロイド状にしたスラリ
Ｓ′を供給パイプ６１からタンク本体６０内のスラリＳ
に加えて、スラリＳの濃度を高めていく。これと並行し
て、スラリＳの濃度の変化を濃度メータ６２で計測し、
その計測値が初期のスラリＳのシリカ濃度値に達したと
ころで、スラリＳ′の供給を止め、タンク本体６０内の
スラリＳを図示省略のポンプでフィルタ７側に送るよう
になっている。
るシリカの濃度を初期の濃度値に復元する手段分であ
り、タンク本体６０と供給パイプ６１と濃度メータ６２
とを有している。すなわち、スラリＳのシリカ濃度は、
ＣＭＰ装置１における研磨作業中のドレッシングや水洗
浄等によって減少するので、このシリカ濃度を濃度調整
タンク６で復元するようにしている。具体的には、ＰＨ
調整器５ｂから送られてきたスラリＳをタンク本体６０
に貯留し、シリカを高濃度でコロイド状にしたスラリ
Ｓ′を供給パイプ６１からタンク本体６０内のスラリＳ
に加えて、スラリＳの濃度を高めていく。これと並行し
て、スラリＳの濃度の変化を濃度メータ６２で計測し、
その計測値が初期のスラリＳのシリカ濃度値に達したと
ころで、スラリＳ′の供給を止め、タンク本体６０内の
スラリＳを図示省略のポンプでフィルタ７側に送るよう
になっている。
【００１４】フィルタ７は、濃度調整タンク６から送ら
れてきたスラリＳに混入している粒径１０ミクロン未満
の小さな異物や多少大きめに凝集したスラリを濾過する
ものであり、具体的には、０．５ミクロン〜１０ミクロ
ンの網目のメッシュ７１を有したカートリッジ型のフィ
ルタである。すなわち、フィルタ４の通過時にスラリＳ
内に混入した大部分の異物は除去されているが、１０ミ
クロン未満という小さな異物が残っていることがある。
このようなスラリＳを再使用すると、ウエハＷに無数の
小さなスクラッチが発生する。そこで、このフィルタ７
を用いて異物除去のほぼ完全化を図り、再使用時におけ
るウエハＷのスクラッチ発生を完全に防止するのであ
る。なお、フィルタ７の構造を単なるメッシュ構造とせ
ず、深層濾過部と表層濾過部との二重構造にすることも
できる。すなわち、０．５〜１０ミクロンの孔を持った
不織布，スポンジ，布，多孔質体，砂などの濾材を層状
態にして深層濾過部を形成し、この深層濾過部の後段
に、０．５〜１０ミクロンの目を持つ金網，樹脂網，膜
（メンブラン），布，紙（濾紙）などの濾材で表層濾過
部を形成する。かかる構造により、深層濾過部におい
て、当初粗く濾過し、時間経過と共に細かく濾過するこ
とができる。そして、表層濾過部において、深層濾過部
を通過した異物などのうち、０．５〜１０ミクロン以下
の異物などを完全に阻止することができる。上記のよう
なフィルタ７の排水側には、図示省略の流路としてパイ
プが連結されており、その排水口はスラリ供給装置３０
０に連結されている。
れてきたスラリＳに混入している粒径１０ミクロン未満
の小さな異物や多少大きめに凝集したスラリを濾過する
ものであり、具体的には、０．５ミクロン〜１０ミクロ
ンの網目のメッシュ７１を有したカートリッジ型のフィ
ルタである。すなわち、フィルタ４の通過時にスラリＳ
内に混入した大部分の異物は除去されているが、１０ミ
クロン未満という小さな異物が残っていることがある。
このようなスラリＳを再使用すると、ウエハＷに無数の
小さなスクラッチが発生する。そこで、このフィルタ７
を用いて異物除去のほぼ完全化を図り、再使用時におけ
るウエハＷのスクラッチ発生を完全に防止するのであ
る。なお、フィルタ７の構造を単なるメッシュ構造とせ
ず、深層濾過部と表層濾過部との二重構造にすることも
できる。すなわち、０．５〜１０ミクロンの孔を持った
不織布，スポンジ，布，多孔質体，砂などの濾材を層状
態にして深層濾過部を形成し、この深層濾過部の後段
に、０．５〜１０ミクロンの目を持つ金網，樹脂網，膜
（メンブラン），布，紙（濾紙）などの濾材で表層濾過
部を形成する。かかる構造により、深層濾過部におい
て、当初粗く濾過し、時間経過と共に細かく濾過するこ
とができる。そして、表層濾過部において、深層濾過部
を通過した異物などのうち、０．５〜１０ミクロン以下
の異物などを完全に阻止することができる。上記のよう
なフィルタ７の排水側には、図示省略の流路としてパイ
プが連結されており、その排水口はスラリ供給装置３０
０に連結されている。
【００１５】次に、この実施形態のリサイクルシステム
が示す動作について説明する。なお、この動作は請求項
５ないし請求項８の発明に係るリサイクル方法の各工程
を具体的に達成するものでもある。ＣＭＰ装置１におい
て、シリコンウエハを研磨する際には、このウエハＷが
回転するキャリア２００によって回転する定盤１００の
研磨パッド１０１上に押圧され、フュームドシリカ系ス
ラリＳがスラリ供給装置３００から定盤１００上に供給
され続ける。これにより、ウエハＷの層間絶縁膜がウエ
ハＷと研磨パッド１０１との間に介在するスラリＳによ
って平坦化及び均一化される。このとき、定盤１００上
のスラリＳは定盤１００の遠心力によって廃液受１１０
内に排出され、パイプ１１１及びバルブ１１２を介して
貯留槽１２１に蓄えられる。
が示す動作について説明する。なお、この動作は請求項
５ないし請求項８の発明に係るリサイクル方法の各工程
を具体的に達成するものでもある。ＣＭＰ装置１におい
て、シリコンウエハを研磨する際には、このウエハＷが
回転するキャリア２００によって回転する定盤１００の
研磨パッド１０１上に押圧され、フュームドシリカ系ス
ラリＳがスラリ供給装置３００から定盤１００上に供給
され続ける。これにより、ウエハＷの層間絶縁膜がウエ
ハＷと研磨パッド１０１との間に介在するスラリＳによ
って平坦化及び均一化される。このとき、定盤１００上
のスラリＳは定盤１００の遠心力によって廃液受１１０
内に排出され、パイプ１１１及びバルブ１１２を介して
貯留槽１２１に蓄えられる。
【００１６】貯留槽１２１に蓄えられたスラリＳは、ポ
ンプ３によって流路手段に供給され、まず、フィルタ４
によって、スラリＳ内に混入している粒径１０ミクロン
以上の大きな研磨クズなどの異物が除去される（第２の
濾過工程）。しかる後、スラリＳはイオン除去器５ａに
通され、スラリＳ内に溶け込んでいる珪酸イオンなどの
イオンがイオン除去器５ａによって除去されて、ＰＨ調
整器５ｂのタンク５２に蓄えられる。このとき、イオン
がイオン除去器５ａにおいてほぼ完全に除去され、ＰＨ
メータ５５が示すＰＨ値がほぼ「１１」である場合に
は、タンク５２内のスラリＳはそのまま濃度調整タンク
６のタンク本体６０に送られる。これに対して、イオン
除去器５ａにおけるイオン除去が過多また不十分であ
り、ＰＨメータ５５が示すＰＨ値が「１１」から大きく
ずれている場合には、アンモニアなどのアルカリ性剤又
は塩酸等の酸性剤を供給パイプ５４からタンク５２内の
スラリＳに加え、ＰＨメータ５５が示すＰＨ値がほぼ
「１１」になった時点で、酸性剤等の供給を止め、タン
ク５２内のスラリＳをタンク本体６０に送る（ＰＨ調整
工程）。スラリＳが濃度調整タンク６のタンク本体６０
内に蓄えられると、濃度メータ６２によってシリカ濃度
が測定され、表示されるので、その濃度値が初期の濃度
よりも小さくなっている場合には、濃度メータ６２がほ
ぼ初期値を示すまで、高濃度のスラリＳ′を供給パイプ
６１からタンク本体６０内に加え、初期値を示した時点
で、供給パイプ６１からのスラリＳ′の供給を止めて、
タンク本体６０内のスラリＳをフィルタ７に送出する
（濃度調整工程）。これにより、スラリの粘度に変化に
よる研磨レートのばらつきを防止して、安定な研磨作業
を可能にしている。そして、スラリＳ中に混入している
粒径１０ミクロン未満の小さな異物がフィルタ７によっ
て除去され、スラリ供給装置３００に送り込まれる（第
１の濾過工程）。以上のようにして、混入した異物が除
去され、ＰＨとシリカ濃度とがほぼ初期値に復元された
スラリＳがスラリ供給装置３００にフィードバックさ
れ、定盤１００上に再度供給されることとなる。この
際、スラリＳ内の異物はほぼ完全に除去されるので、こ
のスラリＳを使用しても、ウエハＷにスクラッチが生じ
ることはない。また、スラリＳのＰＨや濃度がほぼ初期
値に戻されるので、ウエハＷの研磨レートも使用前とほ
ぼ変化せず、安定した研磨が可能である。なお、ＣＭＰ
装置１の研磨終了後は、定盤１００やキャリア２００に
水をかけて洗浄し、これらに付着したスラリＳを廃液受
１１０に排出し、パイプ１１１とバルブ１１２を介して
廃液槽１２０に貯留した後破棄する。
ンプ３によって流路手段に供給され、まず、フィルタ４
によって、スラリＳ内に混入している粒径１０ミクロン
以上の大きな研磨クズなどの異物が除去される（第２の
濾過工程）。しかる後、スラリＳはイオン除去器５ａに
通され、スラリＳ内に溶け込んでいる珪酸イオンなどの
イオンがイオン除去器５ａによって除去されて、ＰＨ調
整器５ｂのタンク５２に蓄えられる。このとき、イオン
がイオン除去器５ａにおいてほぼ完全に除去され、ＰＨ
メータ５５が示すＰＨ値がほぼ「１１」である場合に
は、タンク５２内のスラリＳはそのまま濃度調整タンク
６のタンク本体６０に送られる。これに対して、イオン
除去器５ａにおけるイオン除去が過多また不十分であ
り、ＰＨメータ５５が示すＰＨ値が「１１」から大きく
ずれている場合には、アンモニアなどのアルカリ性剤又
は塩酸等の酸性剤を供給パイプ５４からタンク５２内の
スラリＳに加え、ＰＨメータ５５が示すＰＨ値がほぼ
「１１」になった時点で、酸性剤等の供給を止め、タン
ク５２内のスラリＳをタンク本体６０に送る（ＰＨ調整
工程）。スラリＳが濃度調整タンク６のタンク本体６０
内に蓄えられると、濃度メータ６２によってシリカ濃度
が測定され、表示されるので、その濃度値が初期の濃度
よりも小さくなっている場合には、濃度メータ６２がほ
ぼ初期値を示すまで、高濃度のスラリＳ′を供給パイプ
６１からタンク本体６０内に加え、初期値を示した時点
で、供給パイプ６１からのスラリＳ′の供給を止めて、
タンク本体６０内のスラリＳをフィルタ７に送出する
（濃度調整工程）。これにより、スラリの粘度に変化に
よる研磨レートのばらつきを防止して、安定な研磨作業
を可能にしている。そして、スラリＳ中に混入している
粒径１０ミクロン未満の小さな異物がフィルタ７によっ
て除去され、スラリ供給装置３００に送り込まれる（第
１の濾過工程）。以上のようにして、混入した異物が除
去され、ＰＨとシリカ濃度とがほぼ初期値に復元された
スラリＳがスラリ供給装置３００にフィードバックさ
れ、定盤１００上に再度供給されることとなる。この
際、スラリＳ内の異物はほぼ完全に除去されるので、こ
のスラリＳを使用しても、ウエハＷにスクラッチが生じ
ることはない。また、スラリＳのＰＨや濃度がほぼ初期
値に戻されるので、ウエハＷの研磨レートも使用前とほ
ぼ変化せず、安定した研磨が可能である。なお、ＣＭＰ
装置１の研磨終了後は、定盤１００やキャリア２００に
水をかけて洗浄し、これらに付着したスラリＳを廃液受
１１０に排出し、パイプ１１１とバルブ１１２を介して
廃液槽１２０に貯留した後破棄する。
【００１７】このように、この実施形態のリサイクルシ
ステムによれば、使用したスラリＳを破棄することなく
再使用することができるので、スラリＳの無駄な浪費を
省くことができ、この結果、研磨作業コストの低減化を
図ることができる。
ステムによれば、使用したスラリＳを破棄することなく
再使用することができるので、スラリＳの無駄な浪費を
省くことができ、この結果、研磨作業コストの低減化を
図ることができる。
【００１８】（第２の実施形態）図２は、この発明の第
２の実施形態に係るＣＭＰ装置のスラリリサイクルシス
テムを一台のＣＭＰ装置に組み込んだ例を示す概略図で
ある。なお、図１に示した要素と同一要素については同
一符号を付して説明する。このＣＭＰ装置１′には、バ
ルブ１１２からのスラリＳをスラリ供給装置３００にフ
ィードバックさせる配管がなされ、その配管の間にフィ
ルタ４，７を順次取り付けた構成となっている。これに
より、廃液受１１０に排出されたスラリＳがバルブ１１
２を介してフィルタ４，７に流れ、混入した大，小の異
物がこれらのフィルタ４，７によって除去された後、ス
ラリ供給装置３００に供給され、スラリＳが自動的に再
使用される。したがって、このリサイクルシステムでは
ＰＨ調整や濃度調整が行われないので、上記第１の実施
形態のリサイクルシステムに比べて再使用回数は少なく
なるが、システムの簡易化によってコストの低減化を図
ることができる。また、スラリＳのリサイクルが自動的
に行われるので作業の省力化を図ることができる。その
他の構成，作用効果は上記第１の実施形態と同様である
ので、その記載は省略する。
２の実施形態に係るＣＭＰ装置のスラリリサイクルシス
テムを一台のＣＭＰ装置に組み込んだ例を示す概略図で
ある。なお、図１に示した要素と同一要素については同
一符号を付して説明する。このＣＭＰ装置１′には、バ
ルブ１１２からのスラリＳをスラリ供給装置３００にフ
ィードバックさせる配管がなされ、その配管の間にフィ
ルタ４，７を順次取り付けた構成となっている。これに
より、廃液受１１０に排出されたスラリＳがバルブ１１
２を介してフィルタ４，７に流れ、混入した大，小の異
物がこれらのフィルタ４，７によって除去された後、ス
ラリ供給装置３００に供給され、スラリＳが自動的に再
使用される。したがって、このリサイクルシステムでは
ＰＨ調整や濃度調整が行われないので、上記第１の実施
形態のリサイクルシステムに比べて再使用回数は少なく
なるが、システムの簡易化によってコストの低減化を図
ることができる。また、スラリＳのリサイクルが自動的
に行われるので作業の省力化を図ることができる。その
他の構成，作用効果は上記第１の実施形態と同様である
ので、その記載は省略する。
【００１９】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。上記第１の実施形態では、一
台のＣＭＰ装置１について適用した例を示したが、この
リサイクルシステムは、スラリＳのほぼ完全な復元を図
ることができる代わりに、システム自体がかなり大規模
になる。したがって、実際に使用する際には、図３に示
すように、１つのシステム２で多数のＣＭＰ装置１−１
〜１−ｎにスラリＳをフィードバックするようにするこ
とが好ましい。また、多数のＣＭＰ装置１−１〜１−ｎ
で生じた使用済みのスラリＳを１つのタンクに収納し、
このタンク内のスラリＳを別の場所に設置されたリサイ
クルシステムで復元した後、再度各ＣＭＰ装置１−１，
〜，１−ｎに分配して、再使用するようにしても良い。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。上記第１の実施形態では、一
台のＣＭＰ装置１について適用した例を示したが、この
リサイクルシステムは、スラリＳのほぼ完全な復元を図
ることができる代わりに、システム自体がかなり大規模
になる。したがって、実際に使用する際には、図３に示
すように、１つのシステム２で多数のＣＭＰ装置１−１
〜１−ｎにスラリＳをフィードバックするようにするこ
とが好ましい。また、多数のＣＭＰ装置１−１〜１−ｎ
で生じた使用済みのスラリＳを１つのタンクに収納し、
このタンク内のスラリＳを別の場所に設置されたリサイ
クルシステムで復元した後、再度各ＣＭＰ装置１−１，
〜，１−ｎに分配して、再使用するようにしても良い。
【００２０】また、上記第１の実施形態ではリサイクル
するスラリＳとしてウエハＷの層間絶縁膜研磨用の煙霧
状シリカ系スラリを用いたが、煙霧状金属酸化物スラリ
やコロイダル状スラリや焼成粉末の微粒子を水または有
機溶媒に分散した金属酸化物からなるスラリにも同様に
してリサイクルすることができる。例えば、煙霧状アル
ミナスラリ，ジルコニアのゾル化スラリ，無機金属水溶
液から作るコロイダルシリカスラリ，コロイダルジルコ
ニアスラリなどである。
するスラリＳとしてウエハＷの層間絶縁膜研磨用の煙霧
状シリカ系スラリを用いたが、煙霧状金属酸化物スラリ
やコロイダル状スラリや焼成粉末の微粒子を水または有
機溶媒に分散した金属酸化物からなるスラリにも同様に
してリサイクルすることができる。例えば、煙霧状アル
ミナスラリ，ジルコニアのゾル化スラリ，無機金属水溶
液から作るコロイダルシリカスラリ，コロイダルジルコ
ニアスラリなどである。
【００２１】また、上記第１の実施形態では、流路手段
にフィルタ４，イオン除去器５ａ及びＰＨ調整器５ｂ，
濃度調整タンク６，フィルタ７の順で各手段を設置した
が、これらの順序はこれに限定されるものではない。た
だし、スラリＳ中の異物除去を行う順序としては、まず
フィルタ４によって大きな異物を除去した後、残存する
小さな異物をフィルタ７で除去するようにして、フィル
タ７に対する負荷を可能な限り小さくすることが好まし
い。また、この発明はフィルタ４〜フィルタ７の全てを
必要とするものではない。したがって、濃度調整タンク
６とフィルタ７のみを備えたもの、ＰＨ調整器５ｂとフ
ィルタ７のみを備えたもの、ＰＨ調整器５ｂと濃度調整
タンク６とフィルタ７とのみを備えたものも含まれる。
ここで、フィルタ４とフィルタ７とに付加するもの優先
順位は、濃度調整タンク６，ＰＨ調整器５ｂであると考
える。
にフィルタ４，イオン除去器５ａ及びＰＨ調整器５ｂ，
濃度調整タンク６，フィルタ７の順で各手段を設置した
が、これらの順序はこれに限定されるものではない。た
だし、スラリＳ中の異物除去を行う順序としては、まず
フィルタ４によって大きな異物を除去した後、残存する
小さな異物をフィルタ７で除去するようにして、フィル
タ７に対する負荷を可能な限り小さくすることが好まし
い。また、この発明はフィルタ４〜フィルタ７の全てを
必要とするものではない。したがって、濃度調整タンク
６とフィルタ７のみを備えたもの、ＰＨ調整器５ｂとフ
ィルタ７のみを備えたもの、ＰＨ調整器５ｂと濃度調整
タンク６とフィルタ７とのみを備えたものも含まれる。
ここで、フィルタ４とフィルタ７とに付加するもの優先
順位は、濃度調整タンク６，ＰＨ調整器５ｂであると考
える。
【００２２】また、第１及び第２の濾過手段としてフィ
ルタ４，７を用いたが、これに限らず、粒径１０ミクロ
ン以上及び１０ミクロン未満の異物を各々除去可能な全
ての周知技術を適用することができる。また、ＰＨ調整
手段として、イオン除去器５ａやＰＨ調整器５ｂを用い
たが、スラリＳのＰＨを調整可能な全ての周知技術を適
用することができる。さらに、濃度調整手段としてタン
ク本体６０や供給パイプ６１を有した機器を用いたが、
スラリＳの砥粒濃度を調整可能な全ての周知技術を適用
することができることは勿論である。例えば、ＰＨ調整
器５ｂからのスラリＳを半透膜を備えたセラミックフィ
ルタや樹脂フィルタに通し、これらでスラリＳを濃縮す
るようにしても良い。
ルタ４，７を用いたが、これに限らず、粒径１０ミクロ
ン以上及び１０ミクロン未満の異物を各々除去可能な全
ての周知技術を適用することができる。また、ＰＨ調整
手段として、イオン除去器５ａやＰＨ調整器５ｂを用い
たが、スラリＳのＰＨを調整可能な全ての周知技術を適
用することができる。さらに、濃度調整手段としてタン
ク本体６０や供給パイプ６１を有した機器を用いたが、
スラリＳの砥粒濃度を調整可能な全ての周知技術を適用
することができることは勿論である。例えば、ＰＨ調整
器５ｂからのスラリＳを半透膜を備えたセラミックフィ
ルタや樹脂フィルタに通し、これらでスラリＳを濃縮す
るようにしても良い。
【００２３】また、上記第２の実施形態では、２つのフ
ィルタ４，７のみを設けたが、これらのフィルタの間
に、セラミックフィルタなどで構成された濃度調整手段
やイオン除去器５ａなどを設けた構造とすることもでき
る。
ィルタ４，７のみを設けたが、これらのフィルタの間
に、セラミックフィルタなどで構成された濃度調整手段
やイオン除去器５ａなどを設けた構造とすることもでき
る。
【００２４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よれば、第２の濾過手段を設けることで、研磨クズなど
の異物を濾過して、スラリの再使用時におけるスクラッ
チ発生を防止することができるので、同一スラリを複数
回再使用することができ、この結果、研磨作業コストの
低減化を図ることができるという効果がある。また、濃
度調整手段を設けることで、スラリの砥粒濃度をほぼ使
用前の濃度に戻すことができるので、スクラッチ発生を
防止することができるだけでなく、スラリの研磨特性を
ほぼ使用前の特性に戻すことができる。この結果、同一
スラリの再使用回数を高めることができ、研磨作業コス
トのさらなる低減化を図ることができる。さらに、ＰＨ
調整手段を設ければ、異物の除去及び濃度の復元だけで
なく、ＰＨもほぼ使用前のＰＨ値に復元することができ
るので、このスラリを再使用することで、新しいスラリ
とほぼ同様の研磨レートを達成することができる。
よれば、第２の濾過手段を設けることで、研磨クズなど
の異物を濾過して、スラリの再使用時におけるスクラッ
チ発生を防止することができるので、同一スラリを複数
回再使用することができ、この結果、研磨作業コストの
低減化を図ることができるという効果がある。また、濃
度調整手段を設けることで、スラリの砥粒濃度をほぼ使
用前の濃度に戻すことができるので、スクラッチ発生を
防止することができるだけでなく、スラリの研磨特性を
ほぼ使用前の特性に戻すことができる。この結果、同一
スラリの再使用回数を高めることができ、研磨作業コス
トのさらなる低減化を図ることができる。さらに、ＰＨ
調整手段を設ければ、異物の除去及び濃度の復元だけで
なく、ＰＨもほぼ使用前のＰＨ値に復元することができ
るので、このスラリを再使用することで、新しいスラリ
とほぼ同様の研磨レートを達成することができる。
【図１】この発明の第１の実施形態に係るＣＭＰ装置の
スラリリサイクルシステムを一台のＣＭＰ装置に適用し
た例を示す概略図である。
スラリリサイクルシステムを一台のＣＭＰ装置に適用し
た例を示す概略図である。
【図２】この発明の第２の実施形態に係るＣＭＰ装置の
スラリリサイクルシステムを一台のＣＭＰ装置に組み込
んだ例を示す概略図である。
スラリリサイクルシステムを一台のＣＭＰ装置に組み込
んだ例を示す概略図である。
【図３】変形例を示す概略図である。
【図４】ＣＭＰ装置の構成を示す概略図である。
１…ＣＭＰ装置、 ４，７…フィルタ、 ５ａ…イオン
除去器、 ５ｂ…ＰＨ調整器、 ６…濃度調整タンク、
Ｓ…スラリ。
除去器、 ５ｂ…ＰＨ調整器、 ６…濃度調整タンク、
Ｓ…スラリ。
Claims (8)
- 【請求項１】 ＣＭＰ装置で使用されたスラリを流通さ
せる流路手段中に、上記スラリ中に混入している粒径１
０ミクロン未満の異物を濾過する第１の濾過手段を設
け、 上記流路中であって上記第１の濾過手段の前段に、上記
第１の濾過手段から離して配され且つ上記スラリ中に混
入した粒径１０ミクロン以上の異物を濾過する第２の濾
過手段，上記スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値にな
るように調整する濃度調整手段，及び上記スラリのＰＨ
をほぼ使用前のＰＨ値にするように調整するＰＨ調整手
段のうち少なくとも一の手段を配設した、 ことを特徴とするＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステ
ム。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＣＭＰ装置のスラリリ
サイクルシステムにおいて、 上記ＰＨ調整手段は、上記スラリのＰＨが使用前のＰＨ
値よりも低い場合にアルカリ性剤を上記スラリに加え、
また高い場合に酸性剤を上記スラリに加えて、ＰＨ値を
調整するＰＨ調整器を具備する、 ことを特徴とするＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステ
ム。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＣＭＰ装置のスラリリ
サイクルシステムにおいて、 上記ＰＨ調整手段は、上記ＰＨ調整器の前段に、使用中
にスラリに生じたイオンを除去するイオン除去器を具備
する、 ことを特徴とするＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステ
ム。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載のＣＭＰ装置のスラリリサイクルシステムにおいて、 上記スラリは、 シリカ，アルミナ，ジルコニア，セリア，及びチタニア
などの金属酸化物の煙霧状微粒子粉末を水または有機溶
媒にコロイド状に分散させたスラリ、 または、シリカ，アルミナ，ジルコニア，及びセリアな
どを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金属塩溶液から
作られるコロイダルシリカ，コロイダルアルミナ，コロ
イダルジルコニア，コロイダルセリア，及びコロイダル
チタニアなどからなるスラリ、 または、アルミナ，ジルコニア，セリア，及び酸化マン
ガンなどの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分
散させたスラリ、 のいずれかであることを特徴とするＣＭＰ装置のスラリ
リサイクルシステム。 - 【請求項５】 ＣＭＰ装置で使用されたスラリ中に混入
している粒径１０ミクロン未満の異物を濾過する第１の
濾過工程を設け、 上記第１の濾過工程の前工程として、上記スラリ中に混
入した粒径１０ミクロン以上の異物を濾過する第２の濾
過工程，上記スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値にな
るように調整する濃度調整工程，及び上記スラリのＰＨ
をほぼ使用前のＰＨ値にするように調整するＰＨ調整工
程のうち少なくとも一の工程を設けた、 ことを特徴とするＣＭＰ装置のスラリリサイクル方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載のＣＭＰ装置のスラリリ
サイクル方法において、 上記ＰＨ調整工程は、上記スラリのＰＨが使用前のＰＨ
値よりも低い場合にアルカリ性剤を上記スラリに加え、
また高い場合に酸性剤を上記スラリに加えて、ＰＨ値を
調整するものである、 ことを特徴とするＣＭＰ装置のスラリリサイクル方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載のＣＭＰ装置のスラリリ
サイクル方法において、 上記ＰＨ調整工程は、使用中にスラリに生じたイオンを
除去した後、上記スラリのＰＨが使用前のＰＨ値よりも
低い場合にアルカリ性剤を上記スラリに加え、また高い
場合に酸性剤を上記スラリに加えて、ＰＨ値を調整する
ものである、 ことを特徴とするＣＭＰ装置のスラリリサイクル方法。 - 【請求項８】 請求項５ないし請求項７のいずれかに記
載のＣＭＰ装置のスラリリサイクル方法において、 上記スラリは、 シリカ，アルミナ，ジルコニア，セリア，及びチタニア
などの金属酸化物の煙霧状微粒子粉末を水または有機溶
媒にコロイド状に分散させたスラリ、 または、シリカ，アルミナ，ジルコニア，及びセリアな
どを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金属塩溶液から
作られるコロイダルシリカ，コロイダルアルミナ，コロ
イダルジルコニア，コロイダルセリア，及びコロイダル
チタニアなどからなるスラリ、 または、アルミナ，ジルコニア，セリア，及び酸化マン
ガンなどの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分
散させたスラリ、 のいずれかであることを特徴とするＣＭＰ装置のスラリ
リサイクル方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18307397A JPH1110540A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
| TW087107691A TW400268B (en) | 1997-06-23 | 1998-05-19 | Slurry recycling system and method for CMP apparatus |
| KR1019980023325A KR19990007187A (ko) | 1997-06-23 | 1998-06-22 | 화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법 |
| US09/103,653 US6106728A (en) | 1997-06-23 | 1998-06-23 | Slurry recycling system and method for CMP apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18307397A JPH1110540A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110540A true JPH1110540A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=16129286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18307397A Pending JPH1110540A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6106728A (ja) |
| JP (1) | JPH1110540A (ja) |
| KR (1) | KR19990007187A (ja) |
| TW (1) | TW400268B (ja) |
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