JPH1093070A - 固体撮像装置及びその駆動方法 - Google Patents

固体撮像装置及びその駆動方法

Info

Publication number
JPH1093070A
JPH1093070A JP8247867A JP24786796A JPH1093070A JP H1093070 A JPH1093070 A JP H1093070A JP 8247867 A JP8247867 A JP 8247867A JP 24786796 A JP24786796 A JP 24786796A JP H1093070 A JPH1093070 A JP H1093070A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge
unit
reset
imaging device
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8247867A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3383523B2 (ja
Inventor
Hisanori Ihara
久典 井原
Ryohei Miyagawa
良平 宮川
Nagataka Tanaka
長孝 田中
Tetsuya Yamaguchi
鉄也 山口
Yoshinori Iida
義典 飯田
Hidetoshi Nozaki
秀俊 野崎
Keiji Mabuchi
圭司 馬渕
Hiroshi Yamashita
浩史 山下
Hidefumi Oba
英史 大場
Michio Sasaki
道夫 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP24786796A priority Critical patent/JP3383523B2/ja
Publication of JPH1093070A publication Critical patent/JPH1093070A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3383523B2 publication Critical patent/JP3383523B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 素子の微細化が可能な固体撮像装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明は、複数の単位セルを行列方向に
配置した固体撮像装置において、一部の単位セルの少な
くとも１つの転送ゲート８ａをオンにするための信号を
伝送し、且つ前記一部の単位セルに対して列方向に隣接
する前記単位セルのリセットゲート６ｂをオンにするた
めの信号を伝送する配線３ａを具備したことを特徴とす
る固体撮像装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置及び
その駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光電変換により発生した信号電荷で信号
電荷蓄積部の電位を変調し、その電位により画素内部の
増幅トランジスタを変調することで画素内部に増幅機能
を持たせた固体撮像装置は、増幅型固体撮像装置と呼ば
れ、画素数の増加やイメージサイズの縮小による画素サ
イズの縮小に適した固体撮像装置として期待されてい
る。
【０００３】増幅型固体撮像装置における画素の基本構
成は、光電変換を行うためのフォトダイオードと、この
フォトダイオードから電荷を読み出すための読み出しト
ランジスタ、及びこの読み出しトランジスタのゲートに
接続された読み出し線、信号電荷を排出するためのリセ
ットトランジスタ、及びこのリセットトランジスタのゲ
ートに接続されたリセット線、信号増幅のための増幅ト
ランジスタ、ライン選択のためのトランジスタ或いは容
量、そして、フォトダイオードと増幅トランジスタのゲ
ートとを接続する配線（アドレス線）である。
【０００４】さらに、増幅トランジスタで増幅された信
号を読み出すための配線（信号線）と信号電荷を排出す
るための配線（ドレイン線）が、それぞれ配線されてい
る。通常、読み出し線、リセット線、ライン選択のため
の配線（アドレス線）、信号線、ドレイン線はそれぞれ
独立に配線されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
増幅型固体撮像装置では、信号線、ドレイン線、読み出
しトランジスタのゲートに配線された読み出し線、信号
電荷を排出するためのリセットトランジスタのゲートに
配線されたリセット線及びライン選択のためのアドレス
線など少なくとも５本の配線が必要であり、これらは独
立に配線していた。
【０００６】このため、素子の微細化を行なったとき
に、配線同士の間隔が短くなり、ショートの原因になっ
てしまうという問題があった。また、これらの配線は、
絶縁膜などを介して行なわなくてはならないため、素子
内で段差が生じて配線の断線を招いてしまうという問題
があった。
【０００７】さらに、多くの配線を行なうために構成が
複雑化し、素子の微細化をおこなうに際して障害になる
という問題があった。また、素子の微細化を行なうため
に適した単位セルの配線構成を有する固体撮像装置が知
られている。
【０００８】図１０は、このような固体撮像装置の単位
セルの構成を示す図であり、図１１は、このような単位
セルのレイアウトを示す図である。同図においては、３
つの単位セルのみを示しているが、単位セルは２次元状
に配列されているものとする。また、同図に示すよう
に、単位セル１２１は、光を電荷に変換するフォトダイ
オード１１５ａ、信号電荷を読み出すラインを選択する
アドレストランジスタ１１７ａ、フォトダイオードの検
出信号を増幅して信号線１に出力する増幅トランジスタ
１１４ａ、検出部に蓄積された電荷をリセットするリセ
ットトランジスタ１１６ａを備えている。
【０００９】ここでは、単位セル１２１について説明す
るが、他の単位セルについても同様の構成が採用されて
いるものとする。単位セル１１２に対して列方向に隣接
する単位セルのアドレストランジスタ１１７ｂのゲート
とリセットトランジスタ１１６ａのゲートとは、アドレ
ス／リセット線１１３ａに接続されている。アドレス／
リセット線１１３ａは、垂直シフトレジスタからの読み
だし行を選択するための信号及び検出部に蓄積された電
荷をリセットするための信号を伝送する。
【００１０】また、リセットトランジスタ１１６ａのド
レインは、検出部に接続されており、ソースは、検出部
に蓄積された電荷を排出するためのドレイン線１１２に
接続されている。増幅トランジスタ１１４ａのゲートは
検出部に接続され、ドレインはドレイン線１１２に接続
され、ソースは信号線１１１に接続されている。
【００１１】図１０に示したような構成の単位セルを有
する固体撮像装置においては、上述の問題点である素子
の微細化を実現するという問題を解決することができ
る。しかしながら、このような構成の単位セルを有する
固体撮像装置においては、アドレス／リセット線によっ
て、列方向下部に隣接する単位セルのアドレストランジ
スタのオンと、列方向上部の単位セルのリセットトラン
ジスタをオンとをそれぞれ独立して行なう。
【００１２】この場合には、ドレイン線１１２には、リ
セットトランジスタがオンされることによって流れるリ
セット電流及びアドレストランジスタがオンされること
によって流れるドレイン電流が流れる。
【００１３】従って、ドレイン線１１２の電位は、リセ
ットトランジスタのドレインの電位及び増幅トランジス
タのソース電位とを調整しなければならず、ドレイン線
１１２に過大な負担がかかってしまうという問題があっ
た。
【００１４】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、素子の微細化を容易に実現することができる固
体撮像装置及びその駆動方法を提供することを目的とす
る。また、本発明は、素子の微細化を実現可能にし、か
つドレイン線に負担をかけることのない固体撮像装置及
びその駆動方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】従って、まず、上記目的
を達成するために第１の発明は、複数の単位セルを行列
方向に配置した固体撮像装置において、前記単位セル
は、光を電荷に変換する少なくとも１つの光電変換手段
と、前記少なくとも１つの光電変換手段から出力された
電荷を保持する電荷保持手段と、前記少なくとも１つの
光電変換手段と前記電荷保持手段との間にそれぞれ接続
され、前記光電変換手段から出力された電荷を前記電荷
保持手段にオンの場合に転送する転送ゲートと、前記電
荷保持手段に保持された電荷をオンの場合にリセットす
るリセットゲートとを備え、一部の単位セルの少なくと
も１つの転送ゲートをオンにするための信号を伝送し、
且つ前記一部の単位セルに対して列方向に隣接する前記
単位セルのリセットゲートをオンにするための信号を伝
送する配線を具備したことを特徴とする。
【００１６】また、第２の発明は、第１の発明におい
て、前記列方向に隣接する単位セルのリセットゲートの
閾値は前記一部の単位セルの転送ゲートの閾値よりも小
さな値であることを特徴とする。
【００１７】さらに、第３の発明は、光を電荷に変換す
る少なくとも１つの光電変換手段と、前記少なくとも１
つの光電変換手段から出力された電荷を保持する電荷保
持手段と、前記少なくとも１つの光電変換手段と前記電
荷保持手段との間にそれぞれ接続され、前記光電変換手
段から出力された電荷を前記電荷保持手段にオンの場合
に転送する転送ゲートと、前記電荷保持手段に保持され
た電荷をオンの場合にリセットするリセットゲートと、
前記電荷保持手段に保持された電荷に対応する電圧を出
力する電圧出力手段とを備えた単位セルを複数行列方向
に配置し、一部の単位セルの少なくとも１つの転送ゲー
トをオンにするための信号を伝送し、且つ前記一部の単
位セルに対して列方向に隣接する前記単位セルのリセッ
トゲートをオンにするための信号を伝送する配線を具備
した固体撮像装置の駆動方法において、前記配線に電圧
を印加して列方向に隣接する前記単位セルのリセットゲ
ートをオンにして前記列方向に隣接する単位セルの前記
電荷保持手段に保持された電荷をリセットするととも
に、前記一部の単位セルの少なくとも１つの転送ゲート
をオンにして前記一部の単位セルの前記光電変換手段か
ら出力された電荷を前記電荷保持手段に転送し、前記電
圧出力手段により前記一部の単位セルの電荷保持手段に
保持された電荷に対応する電圧を出力することを特徴と
する。
【００１８】さらに、第４の発明は、複数の単位セルを
備えた固体撮像装置において、前記単位セルは、光を電
荷に変換する光電変換手段から出力された電荷を保持す
る電荷保持手段と、前記電荷保持手段に保持された電荷
をオンの場合にリセットするリセット手段と、前記電荷
保持手段に保持された電荷に対応する電圧をオンの場合
に出力するアドレス手段とを備え、一部の単位セルの前
記リセット手段をオンにするための信号を伝送し、且つ
前記一部の単位セルの前記アドレス手段をオンにするた
めの信号を伝送する配線をさらに具備したことを特徴と
する。
【００１９】さらに、第５の発明は、光を電荷に変換す
る光電変換手段から出力された電荷を保持する電荷保持
手段と、前記電荷保持手段に保持された電荷をオンの場
合にリセットするリセット手段と、前記電荷保持手段に
保持された電荷に対応する電圧をオンの場合に出力する
アドレス手段とを備えた単位セルを複数有し、一部の単
位セルの前記リセット手段をオンにするための信号を伝
送し、且つ前記一部の単位セルの前記アドレス手段をオ
ンにするための信号を伝送する配線をさらに具備した固
体撮像装置の駆動方法において、前記配線に電圧を印加
して前記一部の単位セルの前記リセット手段をオンにし
て前記一部の単位セルの前記電荷保持手段に保持された
電荷をリセットし、前記配線に電圧を印加して前記一部
の単位セルのアドレス手段をオンにして前記電荷保持手
段に保持された電荷に対応する電圧を出力することを特
徴とする。
【００２０】次に、各発明の作用について説明する。ま
ず、第１の発明は、一部の単位セルの少なくとも１つの
転送ゲートをオンにするための信号を伝送し、且つ前記
一部の単位セルに対して列方向に隣接する前記単位セル
のリセットゲートをオンにするための信号を伝送する配
線を具備しているので、転送ゲートをオンにするための
信号を伝送する配線とリセットゲートをオンにするため
の信号を伝送する配線とを別々に設ける場合に比して、
単位セルの微細化を容易に実現することができる。
【００２１】第２の発明は、第１の発明の固体撮像装置
において、列方向に隣接する単位セルのリセットゲート
の閾値を前記一部の単位セルの転送ゲートの閾値よりも
小さな値にしているので、リセットゲートを単独で制御
することができる。
【００２２】第３の発明は、一部の単位セルの少なくと
も１つの転送ゲートをオンにするための信号を伝送し、
且つ前記一部の単位セルに対して列方向に隣接する前記
単位セルのリセットゲートをオンにするための信号を伝
送する配線に電圧を印加して列方向に隣接する前記単位
セルのリセットゲートをオンにして前記列方向に隣接す
る単位セルの電荷保持手段に保持された電荷をリセット
するとともに、前記一部の単位セルの少なくとも１つの
転送ゲートをオンにして前記一部の単位セルの光電変換
手段から出力された電荷を電荷保持手段に転送し、電圧
出力手段により前記一部の単位セルの電荷保持手段に保
持された電荷に対応する電圧を出力するので、転送ゲー
トとリセットゲートとを接続する共有の配線を具備した
固体撮像装置を駆動することができる。
【００２３】第４の発明は、一部の単位セルのリセット
手段をオンにするための信号を伝送し、且つ前記一部の
単位セルのアドレス手段をオンにするための信号を伝送
する配線を具備することにより、画像欠陥の少ない固体
撮像装置を提供することができる。
【００２４】第５の発明は、一部の単位セルのリセット
手段をオンにするための信号を伝送し、且つ前記一部の
単位セルのアドレス手段をオンにするための信号を伝送
する配線に電圧を印加して前記一部の単位セルのリセッ
ト手段をオンにして前記一部の単位セルの電荷保持手段
に保持された電荷をリセットする。
【００２５】次に、配線に電圧を印加して前記一部の単
位セルのアドレス手段をオンにして電荷保持手段に保持
された電荷に対応する電圧を出力するので、１単位セル
内でアドレス手段とリセット手段とを共有する配線を具
備した固体撮像装置を駆動することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る増幅型固体撮像装置の単位セルの構成を示す図
である。なお、図１おいては、３単位セルの構成を示し
ており、１画素１単位セル構成の増幅型固体撮像装置で
ある。
【００２７】同図においては、３つの単位セルのみを示
しているが、本実施の形態の増幅型固体撮像装置の単位
セルは２次元状に配列されているものとする。同図に示
すように、単位セル１２は、光を電荷に変換するフォト
ダイオード５ａ、フォトダイオード５ａに蓄積された電
荷を検出部１３ａに読み出すための読み出しトランジス
タ８ａ、信号電荷を読み出すラインを選択するアドレス
容量９ａ、フォトダイオードの検出信号を増幅して信号
線１に出力する増幅トランジスタ４ａ、検出部１３ａに
蓄積された電荷をリセットするリセットトランジスタ６
ａを備えている。
【００２８】ここでは、単位セル１２について説明した
が、他の単位セルについても同様の構成が採用されてい
るものとする。読みだしトランジスタ８ａのゲート及び
列方向に隣接する単位セルのリセットトランジスタ６ｂ
のゲートとは共通の読み出し／リセット線３ａに接続さ
れている。読み出し／リセット線３ａは、垂直シフトレ
ジスタからの読みだしトランジスタ８ａ及び列方向に隣
接する単位セルのリセットトランジスタ６ｂをオンにす
るための信号を伝送する。
【００２９】また、アドレス容量９ａの一端は、アドレ
ス線７ａに接続されている。アドレス線７ａは、垂直シ
フトレジスタからの読みだし行を選択するための信号を
伝送する。
【００３０】リセットトランジスタ６ａのゲートは、列
方向上部に隣接する単位セルの読みだしトランジスタと
共通の配線に接続されている。この配線は、垂直シフト
レジスタからの検出部１３ａに蓄積された電荷をリセッ
トするための信号を伝送するものである。
【００３１】また、リセットトランジスタ６ａのドレイ
ンは、検出部１３ａに接続されており、ソースは、検出
部１３ａに蓄積された電荷を排出するためのドレイン線
２に接続されている。
【００３２】増幅トランジスタ４ａのゲートは検出部１
３ａに接続され、ドレインはドレイン線２に接続され、
ソースは信号線１に接続されている。この信号線１に
は、信号線１に出力された信号のノイズを除去するため
のノイズキャンセラが設けられている。
【００３３】そして、ノイズキャンセラから出力された
ノイズが除去された信号は、水平シフトレジスタから供
給される選択パルスによって駆動される水平選択トラン
ジスタを介して順次水平信号線に出力される。
【００３４】次に、このような構成の増幅型固体撮像装
置の形成方法について、図２の平面構造図を参照して説
明する。この増幅型固体撮像装置は、ｐ型シリコン半導
体基板の表面層にｐ+ （素子分離領域）１０、ｎ+ 層
（フォトダイオード）５ａ〜５ｃを形成し、このフォト
ダイオード部５で信号電荷を発生させる。
【００３５】そして、読みだしトランジスタ８ａ〜８
ｃ、リセットトランジスタ６ａ〜６ｃを形成する領域に
ｎ層を形成する。この後、表面を酸化膜で覆い、さら
に、電極配線材料（たとえば、ポリシリコン）を堆積す
る。
【００３６】そして、読み出しトランジスタ８ａ〜８
ｃ、読み出し／リセット線３ａ〜３ｃ、リセットトラン
ジスタ６ａ〜６ｃのゲート及びリセット線を形成するた
めに、電極配線材料を所望の形状に加工して読みだし線
とリセットトランジスタの配線を形成する。このとき、
読みだし線とリセット線とは兼用するため、一度にパタ
ーニングして読み出し／リセット線３ａ〜３ｃを形成す
ることができる。
【００３７】この後、上記のように増幅型固体撮像装置
の素子部分を形成した後、信号電流を読み出すための配
線（信号線１）と信号電荷を排出するための配線（ドレ
イン線２）を配線する。
【００３８】図２においては、信号線１、ドレイン線２
と電気的導通を得るためのコンタクト部のみを図示して
いる。信号線１、ドレイン線２は、上下方向に配線し、
コンタクト部で電気的導通を得る。
【００３９】また、図２においては、配線材料として、
ポリシリコンを用いているが、その他、例えば、不純物
を混入したアモルファスシリコン、ＡＩ（アルミニウ
ム）、タングステン（Ｗ）、モリブリテン（Ｍｏ）、チ
タン（Ｔｉ）などの金属、あるいは前記金属を少なくと
も１種類以上含む金属合金、シリザイド化合物を初めと
する化合物をも用いることもできる。
【００４０】次に、図３のタイミングチャートを参照し
て、本実施の形態の増幅型固体撮像装置の動作について
説明する。まず、水平帰線期間Ｈ−ＢＬＫ１内におい
て、読み出し／リセット線３ａに転送パルス２１を付加
して、フォトダイオード５ａの信号電荷を検出部１３ａ
に読みだし、アドレス容量９ａに蓄積する。
【００４１】このとき、同時に列方向下部に隣接する単
位セルのリセットトランジスタ６ｂがオンになり、検出
部１３ｂに蓄積された電荷のリセットが行なわれ、検出
部１３ｂに蓄積された電荷がドレイン線２に排出され
る。
【００４２】次に、アドレス線７ａを介して、アドレス
パルス２２をアドレス容量９ａに印加する。アドレス容
量９ａに、アドレスパルス２２が印加されることによ
り、増幅トランジスタ４ａのチャネルの電位が他のライ
ンに比較して上昇し、負荷トランジスタと増幅トランジ
スタ４ａによりソースフォロア回路が構成される。
【００４３】従って、フォトダイオード５ａの信号電荷
がインピーダンス変換された信号電圧にほぼ等しい電圧
が信号線１に出力される。この信号線１に出力された信
号は、ノイズ除去回路を介して、水平シフトレジスタに
よって選択されることによって水平信号線に出力され
る。
【００４４】このようにして第１行目のフォトダイオー
ドの出力電圧をサンプリングした後、次の水平帰線期間
内に、同様に第２のラインの読み出し／リセット線３ｂ
に転送パルス２３を印加して第２のラインのフォトダイ
オード５ｂの信号電荷を検出部１３ｂに読みだし、アド
レス容量９ｂに蓄積する。
【００４５】このとき、同時に列方向下部に隣接する単
位セルのリセットトランジスタ６ｃがオンになり、検出
部１３ｃに蓄積された電荷のリセットが行なわれ、検出
部１３ｃに蓄積された電荷がドレイン線２に排出され
る。
【００４６】次に、アドレス線７ｂを介して、アドレス
パルス２４をアドレス容量９ｂに印加する。アドレス容
量９ｂに、アドレスパルス２４が印加されることによ
り、増幅トランジスタ４ｂのチャネルの電位が他のライ
ンに比較して上昇し、負荷トランジスタと増幅トランジ
スタ４ｂによりソースフォロア回路が構成される。
【００４７】従って、フォトダイオード５ｂの信号電荷
がインピーダンス変換された信号電圧にほぼ等しい電圧
が信号線１に出力される。この信号線１に出力された信
号は、ノイズ除去回路を介して、水平シフトレジスタに
よって選択されることによって水平信号線に出力され
る。
【００４８】以上述べたような動作を各ラインについて
順次繰り返すことにより、２次元配列された全てのフォ
トダイオードの信号を読み出すことができる。従って、
本実施の形態の固体撮像装置によれば、読みだしトラン
ジスタのゲートと列方向下部に隣接する単位セルのリセ
ットトランジスタのゲートとを共通の配線で接続するこ
とにより、単位セルの微細化を図ることができる。
【００４９】また、このような構成にすることにより、
素子の微細化をおこなう際に、配線同士の間隔が狭くな
ることによるショートや単位セル内での段差に起因する
絶縁が生ずることもない。
【００５０】さらに、本実施の形態の固体撮像装置によ
れば、読み出し／リセット線にパルスを印加することに
よりドレイン線２に流れる電流は、リセットトランジス
タを介して排出される電荷のみであるので、ドレイン線
２は、リセットトランジスタのドレイン電圧との調整の
みを行なえばよく、その結果、ドレイン線２に負担をか
けることがない。 ＜第２の実施の形態＞次に、本発明の第２の実施の形態
にかかる増幅型固体撮像装置について説明する。
【００５１】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る
増幅型固体撮像装置の単位セルの構成を示す図である。
なお、図４おいては、３単位セルの構成を示しており、
２画素１単位セル構成の増幅型固体撮像装置である。ま
た、図１と同一部分には、同一符号を付して説明する。
【００５２】同図においては、３つの単位セルのみを示
しているが、本実施の形態の増幅型固体撮像装置の単位
セルは２次元状に配列されているものとする。同図に示
すように、単位セル１４は、光を電荷に変換するフォト
ダイオード５ａ−１，５ａ−２、フォトダイオード５ａ
−１，５ａ−２に蓄積された電荷を検出部１３ａにそれ
ぞれ読み出すための読み出しトランジスタ８ａ−１，８
ａ−２、信号電荷を読み出すラインを選択するアドレス
容量９ａ、フォトダイオードの検出信号を増幅して信号
線１に出力する増幅トランジスタ４ａ、検出部１３ａに
蓄積された電荷をリセットするリセットトランジスタ６
ａを備えている。
【００５３】ここでは、単位セル１４について説明した
が、他の単位セルについても同様の構成が採用されてい
るものとする。読みだしトランジスタ８ａ−１のゲート
は、読みだし線１１ａに接続されている。読みだし線１
１ａは、読みだしトランジスタ８ａ−１をオンにするた
めの信号を伝送するものである。
【００５４】読みだしトランジスタ８ａ−２のゲート及
び列方向に隣接する単位セルのリセットトランジスタ６
ｂのゲートとは共通の読み出し／リセット線３ａに接続
されている。読み出し／リセット線３ａは、垂直シフト
レジスタからの信号を伝送する。読み出し／リセット線
３ａは、垂直シフトレジスタからの信号を伝送する。
【００５５】また、アドレス容量９ａの一端は、アドレ
ス線７ａに接続されている。アドレス線７ａは、垂直シ
フトレジスタからの読みだし行を選択するための信号を
伝送する。
【００５６】リセットトランジスタ６ａのゲートは、列
方向上部に隣接する単位セルの読みだしトランジスタと
共通の配線に接続されている。この配線は、垂直シフト
レジスタからの検出部１３ａに蓄積された電荷をリセッ
トするための信号を伝送するものである。
【００５７】また、リセットトランジスタ６ａのドレイ
ンは、検出部１３ａに接続されており、ソースは、検出
部１３ａに蓄積された電荷を排出するためのドレイン線
２に接続されている。
【００５８】増幅トランジスタ４ａのゲートは検出部１
３ａに接続され、ドレインはドレイン線２に接続され、
ソースは信号線１に接続されている。この信号線１に
は、信号線１に出力された信号のノイズを除去するため
のノイズキャンセラが設けられている。
【００５９】そして、ノイズキャンセラから出力された
ノイズが除去された信号は、水平シフトレジスタから供
給される選択パルスによって駆動される水平選択トラン
ジスタを介して順次水平信号線に出力される。
【００６０】次に、図５のタイミングチャートを参照し
て、本実施の形態の増幅型固体撮像装置の動作について
説明する。まず、水平帰線期間Ｈ−ＢＬＫ１内におい
て、読み出し／リセット線３ａに転送パルス３１が印加
されると、検出部１３ｂに蓄積された電荷のリセットが
行なわれ、検出部１３ｂに蓄積された電荷がドレイン線
２に排出される。
【００６１】次に、読みだし線１１ｂを介して読みだし
パルス３２を読みだしトランジスタ８ｂ−１に印加す
る。読みだしトランジスタ８ｂ−１に読みだしパルスが
印加されることにより、フォトダイオード５ｂ−１に蓄
積された電荷が検出部１３ｂに読み出される。
【００６２】次に、アドレス線７ｂを介してアドレス容
量９ｂにアドレスパルス３３が印加される。アドレス容
量９ｂに、アドレスパルス３２が印加されることによ
り、増幅トランジスタ４ａのチャネルの電位が他のライ
ンに比較して上昇し、負荷トランジスタと増幅トランジ
スタ４ｂによりソースフォロア回路が構成される。
【００６３】従って、フォトダイオード５ｂ−１の信号
電荷がインピーダンス変換された信号電圧にほぼ等しい
電圧が信号線１に出力される。この信号線１に出力され
た信号は、ノイズ除去回路を介して、水平シフトレジス
タによって選択されることによって水平信号線に出力さ
れる。
【００６４】次に、読み出し／リセット線３ａに転送パ
ルス３４が印加され、検出部１３ｂに蓄積された電荷の
リセットが行なわれ、検出部１３ｂに蓄積された電荷が
ドレイン線２に排出される。
【００６５】次に、読みだし／リセット線３ｂを介して
読みだしパルス３５を読みだしトランジスタ８ｂ−２に
印加する。読みだしトランジスタ８ｂ−２に読みだしパ
ルスが印加されることにより、フォトダイオード５ｂ−
２に蓄積された電荷が検出部１３ｂに読み出される。
【００６６】次に、アドレス線７ｂを介してアドレス容
量９ｂにアドレスパルス３６が印加される。アドレス容
量９ｂに、アドレスパルス３６が印加されることによ
り、増幅トランジスタ４ａのチャネルの電位が他のライ
ンに比較して上昇し、負荷トランジスタと増幅トランジ
スタ４ｂによりソースフォロア回路が構成される。
【００６７】従って、フォトダイオード５ｂ−２の信号
電荷がインピーダンス変換された信号電圧にほぼ等しい
電圧が信号線１に出力される。この信号線１に出力され
た信号は、ノイズ除去回路を介して、水平シフトレジス
タによって選択されることによって水平信号線に出力さ
れる。
【００６８】以上述べたような動作を各ラインについて
順次繰り返すことにより、２次元配列された全てのフォ
トダイオードの信号を読み出すことができる。なお、上
述の実施の形態の説明においては、読みだしとリセット
を同時に行なう場合について説明したが、リセットトラ
ンジスタの閾値を読みだしトランジスタの閾値よりも小
さい値にしておくことで、あるタイミングで、ある電圧
を読みだし／リセット線に印加することで、リセットの
みを行なうことができる。
【００６９】また、このような場合に、読みだしとリセ
ットとの両方を同時に行ないたいときには、読みだし／
リセット線に読みだしトランジスタの閾値よりも高い電
圧を印加することで、読みだしとリセットとを同時に行
なうことができる。このような駆動は、読みだし／リセ
ット線に印加するパルスに３値のパルスを使用すること
により実現することができる。
【００７０】従って、本実施の形態の固体撮像装置によ
れば、読みだしトランジスタのゲートと列方向下部に隣
接する単位セルの一方のリセットトランジスタのゲート
とを共通の配線で接続することにより、単位セルの微細
化を図ることができる。
【００７１】また、このような構成にすることにより、
素子の微細化をおこなう際に、配線同士の間隔が狭くな
ることによるショートや単位セル内での段差に起因する
絶縁が生ずることもない。
【００７２】さらに、本実施の形態の固体撮像装置によ
れば、読み出し／リセット線にパルスを印加することに
よりドレイン線２に流れる電流は、リセットトランジス
タを介して排出される電荷のみであるので、ドレイン線
２は、リセットトランジスタのドレイン電圧との調整の
みを行なえばよく、その結果、ドレイン線２に負担をか
けることがない。 ＜第３の実施の形態＞図６は、本発明の第３の実施の形
態に係る増幅型固体撮像装置の単位セルの構成を示す図
であり、図７は、同実施の形態における増幅型固体撮像
装置の単位セルのレイアウトを示す図である。
【００７３】なお、図６おいては、２単位セルの構成を
示しており、１画素１単位セル構成の増幅型固体撮像装
置である。また、図１と同一部分には、同一符号を付し
て説明する。
【００７４】同図においては、３つの単位セルのみを示
しているが、本実施の形態の増幅型固体撮像装置の単位
セルは２次元状に配列されているものとする。同図に示
すように、この単位セルは、光を電荷に変換するフォト
ダイオード５ａ、信号電荷を読み出すラインを選択する
アドレストランジスタ４１ａ、フォトダイオード５ａの
検出信号を増幅して信号線１に出力する増幅トランジス
タ４ａ、検出部に蓄積された電荷をリセットするリセッ
トトランジスタ６ａを備えている。
【００７５】アドレストランジスタ４１ａのゲート及び
リセットトランジスタ６ａのゲートは、アドレス／リセ
ット線４２ａに接続されている。アドレス／リセット線
４２ａは、アドレストランジスタ４１ａ及びリセットト
ランジスタ６ａをオンにするための信号を伝送するもの
である。
【００７６】すなわち、本実施の形態の固体撮像装置に
おいては、１つの単位セルにおいて、アドレストランジ
スタとリセットトランジスタの配線を共有している。ま
た、上記アドレストランジスタ及びリセットトランジス
タは、ＭＯＳ型のトランジスタであり、これらトランジ
スタの閾値は異なる値にしている。この閾値の制御につ
いては、それぞれのＭＯＳトランジスタのチャネルにお
けるドーピング量を変え、或いは絶縁膜の膜厚を厚くす
るなどの方法によって制御する。
【００７７】このように、アドレストランジスタ及びリ
セットトランジスタの閾値を変えることによって、アド
レストランジスタとリセットトランジスタとを独立して
制御することができる。
【００７８】すなわち、アドレス／リセット線４２ａに
リセットパルスを印加することにより、リセットトラン
ジスタ４１ａをオンにし、検出部に蓄積された電荷をド
レイン線２に排出する。
【００７９】次に、アドレス／リセット線４２ａにアド
レスパルスを印加することにより、アドレストランジス
タ６ａをオンにする。これにより、検出部に蓄積された
電荷に対応する電荷が増幅トランジスタ４ａから信号線
１に出力される。
【００８０】以上述べたような動作を各ラインについて
順次繰り返すことにより、２次元配列された全てのフォ
トダイオードの信号を読み出すことができる。なお、こ
こでは、１つの単位セルについて説明したが、他の単位
セルについても同様の構成が採用されているものとす
る。
【００８１】したがって、本実施の形態の固体撮像装置
によれば、１単位セル内のアドレストランジスタのゲー
トとリセットトランジスタのゲートとを共通の配線で接
続することにより、単位セルの微細化を図ることができ
る。
【００８２】また、このような構成にすることにより、
素子の微細化をおこなう際に、配線同士の間隔が狭くな
ることによるショートや単位セル内での段差に起因する
絶縁が生ずることもない。
【００８３】さらに、本実施の形態の固体撮像装置によ
れば、２つの単位セル間のアドレス手段とリセット手段
との間の配線を共有する場合に比べて、以下のような利
点がある。
【００８４】すなわち、まず、上述の第１の実施の形態
及び第２の実施の形態における固体撮像装置において
は、断線などによって共通配線の機能に問題が発生する
と、２画素に及ぶ画素欠陥が発生してしまうが、本実施
の形態の固体撮像装置によれば、このような問題が発生
しても、画像欠陥が生ずるのは１画素のみなので画素欠
陥を最小限に抑えることができる。
【００８５】また、リセットトランジスタとアドレスト
ランジスタとの配線を２画素で共有にすると、アドレス
をした後にリセットを行なう通常の信号のタイミングで
は、下をアドレスして上をリセットするので、信号処理
方向を一方向にしかできず、且つ上下２画素以上の信号
を加算して読みだしたい場合に、同時に上下の画素を読
みだすことができず、用途に応じて粗く画素を抽出した
り、高速転送のために２画素を合成して処理するといっ
た等のデバイスの用途範囲が欠落し、その結果、使用者
の用途を狭めてしまうという問題がある。
【００８６】しかしながら、本実施の形態の固体撮像装
置によれば、１単位セル内で配線を共有していることか
ら、同時に上下の画素を読みだすことができるので、上
下２画素以上の信号を加算して読みだすこができ、ま
た、高速転送のために２画素を合成して処理するといっ
た等の処理を実現することができる。
【００８７】したがって、本実施の形態の固体撮像装置
によれば、デバイスの用途範囲を広げることができ、そ
の結果、使用者の固体撮像装置の用途を広げることがで
きる。
【００８８】なお、本実施の形態の固体撮像装置の説明
においては、アドレス機能をＭＯＳトランジスタにもた
せた例について説明したが、図８に示すように、アドレ
ス機能を容量にもたせてもよい。なお、図８において
も、図６と同一部分には、同一符号を付している。
【００８９】この場合においても、１画素内のリセット
ＭＯＳトランジスタのゲート電極とアドレスＭＯＳトラ
ンジスタのゲート電極とを共通のアドレス／リセット線
で接続している。
【００９０】このような構成を採用しても、アドレスト
ランジスタにアドレス機能をもたせた場合と同様の効果
を得ることができる。さらに、転送ＭＯＳトランジスタ
５１を単位セルにとりこんだ場合の増幅型の固体撮像装
置の単位セルの構成を図９に示す。この場合において
も、リセットＭＯＳトランジスタのゲート電極とアドレ
スＭＯＳトランジスタのゲート電極とを共通のアドレス
／リセット線で接続することにより、アドレストランジ
スタにアドレス機能をもたせた場合と同様の効果を得る
ことができる。
【００９１】
【発明の効果】以上詳記したように、本発明によれば、
素子の微細化を実現可能にした固体撮像装置及びその駆
動方法を提供することができる。また、本発明によれ
ば、素子の微細化を実現可能にし、かつドレイン線に負
担をかけることのない固体撮像装置及びその駆動方法を
提供することができる。さらに、本発明によれば、再生
画面の画像欠陥の少ない固体撮像装置及びその駆動方法
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る増幅型固体撮
像装置の単位セルの構成を示す図である。
【図２】同第１の実施の形態における増幅型固体撮像装
置の平面構造図を示す図である。
【図３】同第１の実施の形態における増幅型固体撮像装
置の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る増幅型固体撮
像装置の単位セルの構成を示す図である。
【図５】同第２の実施の形態における増幅型固体撮像装
置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る増幅型固体撮
像装置の単位セルの構成を示す図である。
【図７】同第３の実施の形態における増幅型固体撮像装
置の単位セルのレイアウトを示す図である。
【図８】同第３の実施の形態における増幅型固体撮像装
置のキャパシタにアドレス機能をもたせた場合の単位セ
ルの構成を示す図である。
【図９】同第３の実施の形態における増幅型固体撮像装
置の転送ゲートを有する場合の単位セルの構成を示す図
である。
【図１０】従来の固体撮像装置の単位セルの構成を示す
図である。
【図１１】従来の固体撮像装置の単位セルのレイアウト
を示す図である。
【符号の説明】
１…信号線、 ２…ドレイン線、 ３ａ〜３ｃ…読み出し／リセット線、 ４ａ〜４ｃ…増幅トランジスタ、 ５ａ〜５ｃ…フォトダイオード、 ５ａ−１，５ａ−２…フォトダイオード、 ５ｂ−１，５ｂ−２…フォトダイオード、 ５ｃ−１，５ｃ−２…フォトダイオード、 ６ａ〜６ｃ…リセットトランジスタ、 ７ａ〜７ｃ…アドレス線、 ８ａ〜８ｃ…読み出しトランジスタ、 ８ａ−１，８ａ−２…読み出しトランジスタ、 ８ｂ−１，８ｂ−２…読み出しトランジスタ、 ８ｃ−１，８ｃ−２…読み出しトランジスタ、 ９ａ〜９ｃ…アドレス容量、 １０…素子分離領域、 １１ａ〜１１ｃ…読み出し線、 １２…単位セル、 １３ａ〜１３ｃ…検出部、 １４…単位セル、 ２１…転送パルス、 ２２…アドレスパルス、 ２３…転送パルス、 ２４…アドレスパルス、 ３１…転送パルス、 ３２…読みだしパルス、 ３３…アドレスパルス、 ３４…転送パルス、 ３５…読みだしパルス、 ３６…アドレスパルス、 ４１ａ…アドレストランジスタ、 １１１…信号線、 １１２…ドレイン線、 １１３ａ〜１１３ｃ…アドレス／リセット線、 １１４ａ〜１１４ｃ…増幅トランジスタ、 １１５ａ〜１１５ｃ…フォトダイオード、 １１６ａ〜１１６ｃ…リセットトランジスタ、 １１７ａ〜１１７ｃ…アドレストランジスタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 鉄也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 飯田 義典 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 野崎 秀俊 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 馬渕 圭司 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 山下 浩史 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 大場 英史 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 佐々木 道夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の単位セルを行列方向に配置した固
    体撮像装置において、 前記単位セルは、 光を電荷に変換する少なくとも１つの光電変換手段と、 前記少なくとも１つの光電変換手段から出力された電荷
    を保持する電荷保持手段と、 前記少なくとも１つの光電変換手段と前記電荷保持手段
    との間にそれぞれ接続され、前記光電変換手段から出力
    された電荷を前記電荷保持手段にオンの場合に転送する
    転送ゲートと、 前記電荷保持手段に保持された電荷をオンの場合にリセ
    ットするリセットゲートとを備え、 一部の単位セルの少なくとも１つの転送ゲートをオンに
    するための信号を伝送し、且つ前記一部の単位セルに対
    して列方向に隣接する前記単位セルのリセットゲートを
    オンにするための信号を伝送する配線を具備したことを
    特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項２】 前記列方向に隣接する単位セルのリセッ
    トゲートの閾値は前記一部の単位セルの転送ゲートの閾
    値よりも小さな値であることを特徴とする請求項１記載
    の固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 光を電荷に変換する少なくとも１つの光
    電変換手段と、 前記少なくとも１つの光電変換手段から出力された電荷
    を保持する電荷保持手段と、 前記少なくとも１つの光電変換手段と前記電荷保持手段
    との間にそれぞれ接続され、前記光電変換手段から出力
    された電荷を前記電荷保持手段にオンの場合に転送する
    転送ゲートと、 前記電荷保持手段に保持された電荷をオンの場合にリセ
    ットするリセットゲートと、 前記電荷保持手段に保持された電荷に対応する電圧を出
    力する電圧出力手段とを備えた単位セルを複数行列方向
    に配置し、 一部の単位セルの少なくとも１つの転送ゲートをオンに
    するための信号を伝送し、且つ前記一部の単位セルに対
    して列方向に隣接する前記単位セルのリセットゲートを
    オンにするための信号を伝送する配線を具備した固体撮
    像装置の駆動方法において、 前記配線に電圧を印加して列方向に隣接する前記単位セ
    ルのリセットゲートをオンにして前記列方向に隣接する
    単位セルの前記電荷保持手段に保持された電荷をリセッ
    トするとともに、前記一部の単位セルの少なくとも１つ
    の転送ゲートをオンにして前記一部の単位セルの前記光
    電変換手段から出力された電荷を前記電荷保持手段に転
    送し、 前記電圧出力手段により前記一部の単位セルの電荷保持
    手段に保持された電荷に対応する電圧を出力することを
    特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  4. 【請求項４】 複数の単位セルを備えた固体撮像装置に
    おいて、 前記単位セルは、 光を電荷に変換する光電変換手段から出力された電荷を
    保持する電荷保持手段と、 前記電荷保持手段に保持された電荷をオンの場合にリセ
    ットするリセット手段と、 前記電荷保持手段に保持された電荷に対応する電圧をオ
    ンの場合に出力するアドレス手段とを備え、 一部の単位セルの前記リセット手段をオンにするための
    信号を伝送し、且つ前記一部の単位セルの前記アドレス
    手段をオンにするための信号を伝送する配線をさらに具
    備したことを特徴とする固体撮像装置。
  5. 【請求項５】 光を電荷に変換する光電変換手段から出
    力された電荷を保持する電荷保持手段と、 前記電荷保持手段に保持された電荷をオンの場合にリセ
    ットするリセット手段と、 前記電荷保持手段に保持された電荷に対応する電圧をオ
    ンの場合に出力するアドレス手段とを備えた単位セルを
    複数有し、 一部の単位セルの前記リセット手段をオンにするための
    信号を伝送し、且つ前記一部の単位セルの前記アドレス
    手段をオンにするための信号を伝送する配線をさらに具
    備した固体撮像装置の駆動方法において、 前記配線に電圧を印加して前記一部の単位セルの前記リ
    セット手段をオンにして前記一部の単位セルの前記電荷
    保持手段に保持された電荷をリセットし、 前記配線に電圧を印加して前記一部の単位セルのアドレ
    ス手段をオンにして前記電荷保持手段に保持された電荷
    に対応する電圧を出力することを特徴とする固体撮像装
    置の駆動方法。
JP24786796A 1996-09-19 1996-09-19 固体撮像装置及びその駆動方法 Expired - Fee Related JP3383523B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24786796A JP3383523B2 (ja) 1996-09-19 1996-09-19 固体撮像装置及びその駆動方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24786796A JP3383523B2 (ja) 1996-09-19 1996-09-19 固体撮像装置及びその駆動方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1093070A true JPH1093070A (ja) 1998-04-10
JP3383523B2 JP3383523B2 (ja) 2003-03-04

Family

ID=17169819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24786796A Expired - Fee Related JP3383523B2 (ja) 1996-09-19 1996-09-19 固体撮像装置及びその駆動方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3383523B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1017231A2 (en) * 1998-12-30 2000-07-05 Eastman Kodak Company Photodiode active pixel sensor with shared reset signal and row select
US7180544B2 (en) 2001-03-05 2007-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state image sensor
US7187410B2 (en) 2001-03-05 2007-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state image sensor
WO2007145347A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha Combined image sensor and display device
KR100805412B1 (ko) * 1998-12-31 2008-02-20 이스트맨 코닥 캄파니 화상 센서
KR100877691B1 (ko) 2005-12-08 2009-01-09 한국전자통신연구원 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법
JP2010148138A (ja) * 2002-02-21 2010-07-01 Candela Microsystems Inc インターリーブされたイメージ出力を持つイメージ・センサ
WO2012005010A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 パナソニック株式会社 固体撮像装置
US9123613B2 (en) 2006-06-12 2015-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Image sensor and display

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1017231A2 (en) * 1998-12-30 2000-07-05 Eastman Kodak Company Photodiode active pixel sensor with shared reset signal and row select
EP1017231A3 (en) * 1998-12-30 2004-02-04 Eastman Kodak Company Photodiode active pixel sensor with shared reset signal and row select
KR100750778B1 (ko) * 1998-12-30 2007-08-20 이스트맨 코닥 캄파니 능동 화소 센서 및 그 제조 방법
KR100805412B1 (ko) * 1998-12-31 2008-02-20 이스트맨 코닥 캄파니 화상 센서
US7180544B2 (en) 2001-03-05 2007-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state image sensor
US7187410B2 (en) 2001-03-05 2007-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state image sensor
CN100347859C (zh) * 2001-03-05 2007-11-07 松下电器产业株式会社 固体摄象装置
JP2014096815A (ja) * 2002-02-21 2014-05-22 Candela Microsystems Inc 画像を転送する方法、イメージ・センサシステム、およびイメージ・センサ
JP2010148138A (ja) * 2002-02-21 2010-07-01 Candela Microsystems Inc インターリーブされたイメージ出力を持つイメージ・センサ
US7671315B2 (en) 2005-12-08 2010-03-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Image sensor and method of driving transfer transistor of image sensor
KR100877691B1 (ko) 2005-12-08 2009-01-09 한국전자통신연구원 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법
US8139055B2 (en) 2006-06-12 2012-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Combined image sensor and display device
WO2007145347A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha Combined image sensor and display device
US9123613B2 (en) 2006-06-12 2015-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Image sensor and display
WO2012005010A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 パナソニック株式会社 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3383523B2 (ja) 2003-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10566379B2 (en) Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate
US7375748B2 (en) Differential readout from pixels in CMOS sensor
US7728892B2 (en) Image sensor with a capacitive storage node linked to transfer gate
JP4267095B2 (ja) 共有された増幅器読出しを有する能動画素画像センサ
TW453112B (en) Photogate active pixel sensor with high fill factor and correlated double sampling
JP5369779B2 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
US7465602B2 (en) Anti-blooming storage pixel
JP3658278B2 (ja) 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム
JP5486639B2 (ja) イメージセンサに関する方法
WO2007105478A1 (ja) 集積センサを搭載した積層型半導体装置
JPH0946596A (ja) 固体撮像装置と画像撮像装置
JPH1093066A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
TWI330888B (en) Drive method for solid-state image pickup device
JP3337976B2 (ja) 撮像装置
US20050157194A1 (en) Imager device with dual storage nodes
JP3310176B2 (ja) Ｍｏｓ型固体撮像装置
JP3383523B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP4115152B2 (ja) 撮像装置
JP3284816B2 (ja) 固体撮像装置
US11282891B2 (en) Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate
JP2001177084A (ja) 固体撮像素子
JP3579251B2 (ja) 固体撮像装置
JPH02208974A (ja) 固体撮像装置
JP7198675B2 (ja) 固体撮像素子、その駆動回路および撮像装置
JP2011166577A (ja) 固体撮像デバイス、そのノイズ除去方法および画像入力装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees