JPH1090878A - 近接効果補正方法及び同方法に用いるパターン転写用マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各ウェーハ毎の近接効果補正露光工程を省略
でき、最小線幅が０．２μm 以下の高密度パターンをも
高スループットで形成できる近接効果の補正方法を提供
する。 【解決手段】 レジスト塗布済のマスク基板を準備し
（９１）、この基板のレジスト上にＥＢ描画によりマス
クパターンを描く（９２）。次に、別途作成しておいた
近接効果補正用マスク（作成方法後述）を用いて（９
４）、パターン転写用マスクの補正露光を行う（９
３）。この際に、マスク上に形成されるパターンが、後
のウェーハへのＥＢ転写時の近接効果の分も上乗せして
補正された（過剰補正された）ものとなるように、補正
マスクのパターン及び露光量を決定する。その後、現像
（９５）、エッチング（９６）を経て、近接効果補正織
り込み済のパターン転写用マスクが完成する（９７）。
そして、このパターン転写用マスクを用いてウェーハ上
へのＥＢ転写を行う（９８）。この際には、一回の転写
露光で、近接効果補正をも含んだ露光を行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ上
へのＥＢ転写露光における近接効果の補正方法及び同方
法に用いるパターン転写用マスクに関する。特には、各
ウェーハ毎の近接効果補正露光工程を省略でき、最小線
幅が０．２μm 以下の高密度パターンをも高スループッ
トで形成できる近接効果の補正方法及び同方法に用いる
パターン転写用マスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】電子線（ＥＢ）露光装置を用いて、電子
線レジストが塗布されたマスク基板又は半導体ウェーハ
等の感光基板に電子線描画又は電子線露光を行うと、い
わゆる近接効果により、パターンの線幅等が設計値から
外れる場合がある。近接効果の主な要因は、感光基板に
入射した電子線の後方散乱である。従って、近接効果を
補正するためには、その後方散乱電子による感光基板の
露光量を感光基板の全面で実質的に等しくすればよく、
従来は例えばゴースト法により補正が行われていた。

【０００３】ゴースト法においては、感光基板に描画又
は転写されたパターンの反転パターンの像を、ボケの大
きい電子ビームで同一の感光基板上に露光することによ
り、後方散乱による露光量が均一化される。また、従来
は、電子線描画装置がそれぞれ近接効果補正機能を有
し、その装置自体で近接効果の補正が行われていた。

【０００４】しかしながら、従来のように電子線描画装
置自体で近接効果の補正を行う場合には、本来のパター
ンの描画が終わってから、さらにマシンタイムを使って
反転パターンの補正描画を行う必要があり、スループッ
トが補正描画分だけ低下する不都合がある。さらに、本
来のパターンが複雑なパターンである場合には、正確な
反転パターンを描画又は露光することが困難である場合
もある。

【０００５】このような問題点を解決すべく、本発明者
は特開平５−１７５１１０号において、「ＥＢ露光の後
方散乱電子の拡がり半径より小さいピッチで多数の開口
が形成されたマスクを用いてウェーハに補正露光を行
う」ことを要旨とする近接効果補正を提案した。

【０００６】図５は、特開平５−１７５１１０号の近接
効果補正を用いたリソグラフィーの工程概要を示すフロ
ーチャートである。まず、レジスト塗布済のマスク基板
を準備し（１０１）、この基板のレジスト上にＥＢ描画
によりマスクパターンを描く（１０２）。このマスクパ
ターンの描かれたマスク基板を現像（１０３）、エッチ
ング（１０４）して、パターン転写用マスクが完成（１
０５）する。このパターン転写用マスクのパターンは、
基本的には正規（設計）のパターンと等しいか、ある率
で拡大又は縮小されたパターンである。なお、上記１０
２のＥＢ描画時には、該ＥＢ描画時の近接効果を補正す
るためのゴースト法等による近接効果補正は行ってあ
る。本明細書において“正規のパターン”とは、最終的
に得たい設計通りの（縮小拡大された相似形含む）パタ
ーン、すなわち歪んでいないパターンを意味する。

【０００７】次に、このパターン転写用マスクを用いて
ウェーハへのＥＢ転写を行う（１０６）。この段階で仮
に現像を行ったとすると、ウェーハ上に得られるパター
ンは、今回ＥＢ転写時における近接効果の結果歪んだパ
ターンになる。そして現像を行わないで、別途作成して
おいた多数の開口を有する補正用マスク（１０８）を用
いて、各ウェーハ毎に補正露光を行う（１０７）。この
結果、ウェーハ上のパターンは、近接効果補正を受けて
正規のパターンとなる。つまり、ウェーハ一枚毎に近接
効果補正露光を行うこととしていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述の特開平５−１７
５１１０号の技術においては、ウェーハ一枚毎に近接効
果補正露光を行う必要があったので、そのためウェーハ
の露光工程が２段階となっていた。ＥＢ露光は、通常の
光露光と比べてスループットが低いことが重大な克服す
べき問題点であるが、このような２段階露光を行ってい
たのでは、スループットがさらに低下し、他の露光技術
に対する競合力を弱めることとなっていた。

【０００９】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、半導体ウェーハ上へのＥＢ転写露光
における近接効果の補正方法であって、各ウェーハ毎の
近接効果補正露光工程を省略でき、最小線幅が０．２μ
m 以下の高密度パターンをも高スループットで形成でき
る近接効果の補正方法、及び、同方法に用いるパターン
転写用マスクを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の近接効果補正方法は、近接効果補正を過剰
に行うことにより製作した、予め近接効果補正を織り込
み済のパターン転写用マスクを用いてＥＢ（電子ビー
ム）転写露光を行うことを特徴とする。

【００１１】本発明の１態様の近接効果補正方法は、
それ自身がＥＢ露光工程を経て作成されたパターン転写
用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光を行う際の近接
効果を補正する方法であって； 該パターン転写用マス
ク基板上に正規のマスクパターンを形成するための露光
に加え、ウェーハ上にＥＢ露光を行う際に発現する近接
効果の分も含めて過剰に該パターン転写用マスク基板を
補正露光することにより近接効果補正織り込み済のパタ
ーン転写用マスクを作成し、 該パターン転写用マスク
を用いてウェーハ上にＥＢ転写露光を行うことを特徴と
する。すなわち、ウェーハへのパターン転写用のマスク
そのものに、ウェーハへの転写露光時の近接効果を補正
する処置を施しておいて、ウェーハへの露光は１回だけ
でありながら、パターン露光と補正露光を同時に行える
ようにするのである。

【００１２】本発明の他の１態様の近接効果補正方法
は、 それ自身がＥＢ露光工程を経て作成されたパター
ン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光を行う際
の近接効果を補正する方法であって； 該パターン転写
用マスク基板上に正規のマスクパターンを形成するため
の露光を行う前又は後に、別途作成した近接効果補正用
マスクを用いて該パターン転写用マスク基板を補正露光
することにより近接効果補正織り込み済のパターン転写
用マスクを作成し、 該パターン転写用マスクを用いて
ウェーハ上にＥＢ転写露光を行うことを特徴とする。こ
こでは、パターン転写用マスクに近接効果補正を織り込
む方法として、近接効果補正用マスクを用いてパターン
転写用マスクを追加露光している。このことは、パター
ン転写用マスクの段階では、“近接効果補正”を過剰に
行ったとも表現できる。近接効果補正用マスクを使用し
ない補正方法としては、ぼけたビームで反転パターンを
ＥＢ描画で行う方法もあるが、装置価格とスループット
の観点から、近接効果補正用マスクを使用した方が好ま
しい。

【００１３】本発明の他の１態様の近接効果補正方法
は、 それ自身がＥＢ露光工程を経て作成されたパター
ン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光を行う際
の近接効果を補正する方法であって； マスクパターン
をレジスト塗布済マスク基板上にＥＢ描画し、 該マス
クパターンのＥＢ描画を行う前又は後に、別途作成した
近接効果補正用マスクを用いて該マスクパターンの描か
れる（た）マスク基板を補正露光し、 このようにして
得た近接効果補正織り込み済のパターン転写用マスクを
用いてウェーハ上にＥＢ転写露光を行うことを特徴とす
る。

【００１４】本発明の他の１態様の近接効果補正方法
は、 それ自身がＥＢ露光工程を経て作成されたパター
ン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光を行う際
の近接効果を補正する方法であって； 該パターン転写
用マスクの領域を、転写装置の縮小率倍に縮小した場合
における後方散乱電子の拡がり幅よりも十分小さい寸法
の区域に区分けし、 各区域で、該区域内の非パターン
領域の面積を算出し、各区域での該面積から、パターン
が最も高密度かつ微細な区域における非パターン領域の
面積を引いた差の面積を算出し、 該差の面積に比例し
た量の追加露光を各区域に与えて予め該パターン転写用
マスクに近接効果補正を織り込み、 該パターン転写用
マスクを用いてウェーハ上にＥＢ転写露光を行うことを
特徴とする。この態様によれば、補正露光のスループッ
トが高く、かつマスクの作成が容易との利点がある。

【００１５】本発明の他の１態様の近接効果補正方法
は、 既に下地パターンが形成されているウェーハ上に
重ねて今回パターンを形成する場合において、それ自身
がＥＢ露光工程を経て作成されたパターン転写用マスク
を用いてウェーハ上にＥＢ露光を行う際に近接効果を補
正する方法であって； 該パターン転写用マスクの領域
を、転写装置の縮小率倍に縮小した場合における後方散
乱電子の拡がり幅よりも十分小さい寸法の区域に区分け
し、 各区域で下地パターンと今回パターンとの論理和
の反転領域の面積Ｓｓｐを算出し、 また同様に、下地
パターンの反転領域の面積Ｓｓ を算出し、 最も高密
度でかつ後方散乱電子量の大きな区域、すなわちメモリ
セル部で且つ下地パターンの面積が最も大きい区域を選
び出して、そのＳｓｐをＳｓｐｍ とし、そのＳｓ をＳ
ｓｍとし、 各区域について、 （Ｓｓｐ−Ｓｓｐｍ ）・β＋（Ｓｓ −Ｓｓｍ）・γ＝
修正非パターン領域面積 を計算し、ここでβは０＜β≦２．０の範囲で実測によ
って定め、γは０≦γ≦１の範囲で実測によって定め、
上記修正非パターン領域面積に比例した量の追加露光
を各区域に与えて予め該パターン転写用マスクに近接効
果補正を織り込み、 該パターン転写用マスクを用いて
ウェーハ上にＥＢ転写露光を行うことを特徴とする。こ
こでメモリセル部とは、ＤＲＡＭ等におけるメモリセル
部のことであり、通常最もパターン密度が高く、かつ過
剰補正の弊害が深刻な部位である。上述の処理により、
後方散乱の著しい下地パターンを有するウェーハ上への
転写においても、適切な近接効果補正を施すことができ
る。

【００１６】また、本発明のパターン転写用マスクは、
ＥＢ転写露光用のマスクであって、 近接効果補正を
過剰に行うことにより製作した予め近接効果補正を織り
込んだパターンが形成されていることを特徴とする。そ
の近接効果補正を織り込んだ態様は、上述の近接効果補
正の各態様がありうる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の基本となる原理を図１を
用いて説明する。図１（ａ）が、ウェーハ上に形成すべ
き仮想パターン（正規のパターン）の平面図である。図
１（ｂ）は近接効果補正を行わなかった場合のレジスト
に与えられるエネルギーを、図１（ａ）のｘ軸に沿って
見た模式的なグラフである。レジスト中での電子の順方
向スキャッタのため、図１（ｂ）に示されているよう
に、各パターンのドーズ分布は矩形ではなく、ガウス型
となる。さらに後方散乱によってバックグラウンドが高
密度部では大きく、低密度部では小さい分布が形成され
る。

【００１８】図１（ｃ）は補正露光を行った場合のレジ
ストに与えられるエネルギーを示すグラフで、実線は正
常に補正を行った場合であり、点線は過補正（追加露
光）を行った場合に相当する。実線の場合は、レジスト
のしきい値における各パターン線の幅が等しいので、等
しい幅のパターン（正規のパターン）が形成される。

【００１９】図１（ｃ）の点線は、実線の１．５倍のド
ーズで補正露光を行った場合のレジストに与えられるエ
ネルギーを示す。通常露光と補正露光の合計したエネル
ギーは点線の如くになり、しきい値で決まる現像条件で
は、図１（ｄ）に示したような周辺ではパターン幅が広
いパターン（過剰補正されたパターン）が形成される。
（ｄ）に示したパターンのパターン転写用マスク（適正
な条件で作成したもの）を用いて電子線でウェーハ上へ
転写を行えば、（ａ）に示した等しい線幅のパターン
（正規のパターン）がウェーハ上に形成される。すなわ
ち、パターン転写用マスクを露光技術により作成する際
に、予め、後の転写時の近接効果の分の補正も織り込ん
でおく（上乗せして過剰に補正しておく）のである。

【００２０】

【実施例】図２は、本発明の１実施例に係る近接効果補
正方法を組み込んだウェーハ露光工程のフローチャート
である。まず、レジスト塗布済のマスク基板を準備し
（９１）、この基板のレジスト上にＥＢ描画によりマス
クパターンを描く（９２）。この際に、ゴースト法等に
よりＥＢ描画時における近接効果は補正してもよいが、
次の補正露光（９３）時において、ＥＢ転写露光時にお
ける近接効果も含めて（一括して）近接効果補正を行っ
た方がよい。

【００２１】次に、別途作成しておいた近接効果補正用
マスク（作成方法後述）を用いて（９４）、パターン転
写用マスクの補正露光を行う（９３）。この際に、マス
ク上に形成されるパターンが、後のウェーハへのＥＢ転
写時の近接効果の分も上乗せして補正された（過剰補正
された）ものとなるように、補正マスクのパターン及び
露光量を決定する。その後、現像（９５）、エッチング
（９６）を経て、近接効果補正織り込み済のパターン転
写用マスクが完成する（９７）。そして、このパターン
転写用マスクを用いてウェーハ上へのＥＢ転写を行う
（９８）。この際には、一回の転写露光で、ＥＢ転写時
の近接効果補正をも含んだ露光を行うことができる。

【００２２】図３は、本発明の１実施例に係る近接効果
補正用マスクの作成方法を説明するための図である。図
３（Ａ）は、１／４の縮小率を持つ転写装置で転写を行
う場合のもので、マスクパターンも１／４縮小した一部
を示したものである。転写を行う場合の電子線の加速電
圧を１００kVと仮定して後方散乱電子の拡がりを３０μ
m Ｒとして、３μm ×３μm の領域に分割した（点線の
区切り）。ここで右側に大きい長方形のパターン１３が
あり、左側に高密度の線状のパターン１１がある。各領
域で非パターン領域の面積を計算する。１、４で示した
区域では非パターン領域の面積は０であり、２、３で示
した区域の微細パターン領域では非パターン領域の面積
は最小になり、５、６、７で示した区域では、同面積は
最大になっている。

【００２３】各区域での上記面積から２、３の区域での
面積を引算した値（任意単位）の分布を図３（Ｂ）に示
した。１、４の区域では負の値になるが、負になる区域
では０とした。この値に比例した値で、パターンの全く
無い区域と高密度区域でのバックグラウンドレベルが等
しくなるような強さで補正露光を行うと、適正な近接効
果補正が行える。本発明では、適正露光強さの１．２〜
１．８倍（倍率は実測によって決める）の強さで補正露
光を行った。その結果は、図１（ｄ）に示したように、
高密度パターンの周辺部ではパターン（線幅）が太り、
中央部では正しい寸法に形成された。

【００２４】このようにして作成したパターン転写用マ
スクを用い、電子線縮小転写装置を用いてウェーハへ転
写露光すると、ウェーハ上で近接効果が適正に補正され
たパターンを得ることができる。上記の実測による適正
露光強さの決め方は次のとおりである。まず、特開平５
−１７５１１０号の方法で、図３（Ｂ）に示した値に比
例した面積を持つ穴を各区域に設けた補正用マスクを作
り、露光時間を５段階変えた値で補正露光を行い、５種
類のパターン転写用マスクを得た。この５種類のマスク
を用いてＥＢ転写を行い、得られた５種類のパターンの
近接効果の補正の程度から、パターン転写用マスク作成
時の補正露光の最適強度を求めた。

【００２５】下地にＭｏやＷ等の後方散乱係数の大きい
重金属のパターンが既に形成されていて、その上に新た
に今回パターンを形成する場合の近接効果補正方法につ
いて述べる。この場合、まずＭｏやＷが無いと考えた場
合の近接効果補正（上乗せ）露光を上に述べた方法で行
い、さらに、次に述べる方法で追加補正露光を行ってパ
ターン転写用マスクを作成した。

【００２６】図４は、本発明の１実施例に係る重金属下
地パターンを有するウェーハ上へのＥＢ転写における近
接効果補正の説明図である。ＭｏやＷの重金属の下地パ
ターン１５、１７（上下に延びる帯状）と、今回形成す
るパターンである横線１１、長方形１３（図３と同じ）
の重なったパターンを作る。前回と同様にして、マスク
領域を３μm ×３μm 程度の区域に分割し、各区域で、
下地パターンと今回のパターンの共通のパターンの非パ
ターン領域（下地パターンと今回パターンの論理和の反
転パターン）の面積Ｓｓｐ（右上り斜線部）と、下地パ
ターンの非パターン領域の面積Ｓｓ （右下り斜線部）
をそれぞれ算出する。微細で高密度な区域２、３でのこ
れらの値Ｓｓｐｍ とＳｓｍも算出する。図４（Ｂ）
は、各区域における（Ｓｓｐ−Ｓｓｐｍ ）＋（Ｓｓ −
Ｓｓｍ）の値の分布を示す。これに基づき、各区域で
（Ｓｓｐ−Ｓｓｐｍ ）β＋（Ｓｓ −Ｓｓｍ）γに比例
した露光量で補正露光を行った。

【００２７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、各ウェーハ毎の近接効果補正露光工程を省略でき、
最小線幅が０．２μm 以下の高密度パターンをも高スル
ープットで形成できる近接効果の補正方法、及び、同方
法に用いるパターン転写用マスクを提供できる。パター
ン転写用マスクに近接効果補正を織り込む方法として近
接効果補正用マスクを用いてパターン転写用マスクを追
加露光する場合には、該マスクの作成そのものも高能率
に行うことができる。下地パターンをも考慮して近接効
果補正を行う場合には、より正確なパターンをウェーハ
上に実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の近接効果補正方法の原理を説明する図
である。（ａ）はウェーハ上に形成したパターン、
（ｂ）は非補正の場合のレジストに吸収されるエネルギ
ーのレベルを模式的に示すグラフ、（ｃ）は実線は適正
補正を行った場合のレジストに吸収されるエネルギー、
点線は過剰補正を行った場合レジストに吸収されるエネ
ルギーのレベルを模式的に示すグラフ、（ｄ）は過剰補
正を行った場合の転写用マスクのパターンである。

【図２】本発明の１実施例に係る近接効果補正方法を組
み込んだウェーハ露光工程のフローチャートである。

【図３】本発明の１実施例に係る近接効果補正用マスク
の作成方法を説明するための図である。

【図４】本発明の１実施例に係る重金属下地パターンを
有するウェーハ上へのＥＢ転写における近接効果補正の
説明図である。

【図５】特開平５−１７５１１０号に開示された近接効
果補正方法を組み込んだウェーハ露光工程のフローチャ
ートである。

【符号の説明】

１１ 線状パターン １３ 長方形パター
ン １５、１７ 帯状下地パターン

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 近接効果補正を過剰に行うことにより製
   作した、予め近接効果補正を織り込み済のパターン転写
   用マスクを用いてＥＢ（電子ビーム）転写露光を行うこ
   とを特徴とする近接効果補正方法。
2. 【請求項２】 それ自身がＥＢ露光工程を経て作成され
   たパターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光
   を行う際の近接効果を補正する方法であって；該パター
   ン転写用マスク基板上に正規のマスクパターンを形成す
   るための露光に加え、ウェーハ上にＥＢ露光を行う際に
   発現する近接効果の分も含めて過剰に該パターン転写用
   マスク基板を補正露光することにより近接効果補正織り
   込み済のパターン転写用マスクを作成し、 該パターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ転写
   露光を行うことを特徴とする近接効果補正方法。
3. 【請求項３】 それ自身がＥＢ露光工程を経て作成され
   たパターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光
   を行う際の近接効果を補正する方法であって；該パター
   ン転写用マスク基板上に正規のマスクパターンを形成す
   るための露光を行う前又は後に、別途作成した近接効果
   補正用マスクを用いて該パターン転写用マスク基板を補
   正露光することにより近接効果補正織り込み済のパター
   ン転写用マスクを作成し、 該パターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ転写
   露光を行うことを特徴とする近接効果補正方法。
4. 【請求項４】 それ自身がＥＢ露光工程を経て作成され
   たパターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光
   を行う際の近接効果を補正する方法であって；マスクパ
   ターンをレジスト塗布済マスク基板上にＥＢ描画し、 該マスクパターンのＥＢ描画を行う前又は後に、別途作
   成した近接効果補正用マスクを用いて該マスクパターン
   の描かれる（た）マスク基板を補正露光し、 このようにして得た近接効果補正織り込み済のパターン
   転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ転写露光を行う
   ことを特徴とする近接効果補正方法。
5. 【請求項５】 それ自身がＥＢ露光工程を経て作成され
   たパターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光
   を行う際の近接効果を補正する方法であって；該パター
   ン転写用マスクの領域を、転写装置の縮小率倍に縮小し
   た場合における後方散乱電子の拡がり幅よりも十分小さ
   い寸法の区域に区分けし、 各区域で、該区域内の非パターン領域の面積を算出し、 各区域での該面積から、パターンが最も高密度かつ微細
   な区域における非パターン領域の面積を引いた差の面積
   を算出し、 該差の面積に比例した量の追加露光を各区域に与えて予
   め該パターン転写用マスクに近接効果補正を織り込み、 該パターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ転写
   露光を行うことを特徴とする近接効果補正方法。
6. 【請求項６】 既に下地パターンが形成されているウェ
   ーハ上に重ねて今回パターンを形成する場合において、
   それ自身がＥＢ露光工程を経て作成されたパターン転写
   用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ露光を行う際に近接
   効果を補正する方法であって；該パターン転写用マスク
   の領域を、転写装置の縮小率倍に縮小した場合における
   後方散乱電子の拡がり幅よりも十分小さい寸法の区域に
   区分けし、 各区域で下地パターンと今回パターンとの論理和の反転
   領域の面積Ｓｓｐを算出し、 また同様に、下地パターンの反転領域の面積Ｓｓ を算
   出し、 最も高密度でかつ後方散乱電子量の大きな区域、すなわ
   ちメモリセル部で且つ下地パターンの面積が最も大きい
   区域を選び出して、そのＳｓｐをＳｓｐｍ とし、その
   Ｓｓ をＳｓｍとし、 各区域について、 （Ｓｓｐ−Ｓｓｐｍ ）・β＋（Ｓｓ −Ｓｓｍ）・γ＝
   修正非パターン領域面積 を計算し、ここでβは０＜β≦２．０の範囲で実測によ
   って定め、γは０≦γ≦１の範囲で実測によって定め、 上記修正非パターン領域面積に比例した量の追加露光を
   各区域に与えて予め該パターン転写用マスクに近接効果
   補正を織り込み、 該パターン転写用マスクを用いてウェーハ上にＥＢ転写
   露光を行うことを特徴とする近接効果補正方法。
7. 【請求項７】 上記請求項５又は６の近接効果補正方法
   において、 マスク領域を縮小率倍しないで追加補正露光を行うこと
   を特徴とする請求項５又は６記載の近接効果補正方法。
8. 【請求項８】 ＥＢ転写露光用のマスクであって、 近接効果補正を過剰に行うことにより製作した、予め近
   接効果補正を織り込んだパターンが形成されていること
   を特徴とするパターン転写用マスク。
9. 【請求項９】 ＥＢ露光工程を経て作成されたパターン
   転写用マスクであって；該パターン転写用マスク基板上
   に正規のマスクパターンを形成するための露光に加え、
   ウェーハ上にＥＢ露光を行う際に発現する近接効果の分
   も含めて過剰に該パターン転写用マスク基板を補正露光
   することにより近接効果補正が織り込まれていることを
   特徴とするパターン転写用マスク。
10. 【請求項１０】 ＥＢ露光工程を経て作成されたパター
    ン転写用マスクであって；該パターン転写用マスク基板
    上に正規のマスクパターンを形成するための露光を行う
    前又は後に、別途作成した近接効果補正用マスクを用い
    て該パターン転写用マスクを補正露光することにより近
    接効果補正が織り込まれていることを特徴とするパター
    ン転写用マスク。
11. 【請求項１１】 ＥＢ露光工程を経て作成されたパター
    ン転写用マスクであって；マスクパターンをレジスト塗
    布済マスク基板上にＥＢ描画し、 該マスクパターンのＥＢ描画を行う前又は後に、別途作
    成した近接効果補正用マスクを用いて該マスクパターン
    の描かれる（た）マスク基板を補正露光することにより
    近接効果補正が織り込まれていることを特徴とするパタ
    ーン転写用マスク。
12. 【請求項１２】 ＥＢ露光工程を経て作成されたパター
    ン転写用マスクであって；該パターン転写用マスクの領
    域を、転写装置の縮小率倍に縮小した場合における後方
    散乱電子の拡がり幅よりも十分小さい寸法の区域に区分
    けし、 各区域で、該区域内の非パターン領域の面積を算出し、 各区域での該面積から、パターンが最も高密度な区域に
    おける非パターン領域の面積を引いた差の面積を算出
    し、 該差の面積に比例した量の追加露光を各区域に与えるこ
    とにより予め該パターン転写用マスクに近接効果補正が
    織り込まれていることを特徴とするパターン転写用マス
    ク。
13. 【請求項１３】 既に下地パターンが形成されているウ
    ェーハ上に重ねて今回パターンを形成する場合に使用す
    る、ＥＢ露光工程を経て作成されたパターン転写用マス
    クであって；該パターン転写用マスクの領域を、転写装
    置の縮小率倍に縮小した場合における後方散乱電子の拡
    がり幅よりも十分小さい寸法の区域に区分けし、 各区域で下地パターンと今回パターンとの論理和の反転
    領域の面積Ｓｓｐを算出し、 また同様に、下地パターンの反転領域の面積Ｓｓ を算
    出し、 最も高密度な区域、すなわち上記２つの形態の領域Ｓｓ
    ｐとＳｓ が最も小さい区域を選び出して、そのＳｓｐ
    をＳｓｐｍ とし、そのＳｓ をＳｓｍとし、 各区域について、 （Ｓｓｐ−Ｓｓｐｍ ）・β＋（Ｓｓ −Ｓｓｍ）・γ＝
    修正非パターン領域面積 を計算し、ここでβは０＜β≦２．０の範囲で実測によ
    って定め、γは０≦γ≦１の範囲で実測によって定め、 上記修正非パターン領域面積に比例した量の追加露光を
    各区域に与えることにより予め該パターン転写用マスク
    に近接効果補正が織り込まれていることを特徴とするパ
    ターン転写用マスク。
14. 【請求項１４】 上記請求項１２又は１３のパターン転
    写用マスクにおいて、 マスク領域を縮小率倍しないで追加補正露光されている
    ことを特徴とする請求項１２又は１３記載のパターン転
    写用マスク。