JPH1086048A - 半導体ウェーハの研磨装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨装置Info
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- JPH1086048A JPH1086048A JP8247579A JP24757996A JPH1086048A JP H1086048 A JPH1086048 A JP H1086048A JP 8247579 A JP8247579 A JP 8247579A JP 24757996 A JP24757996 A JP 24757996A JP H1086048 A JPH1086048 A JP H1086048A
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、半導体ウェーハを研磨する研磨装
置に関し、研磨作業のバリエーションに富んだ研磨装置
を提供することにある。 【解決手段】 半導体ウェーハの面を研磨する研磨装置
1において、ウェーハを保持するチャックテーブル12
が90゜間隔で4個配設されたインデックステーブル1
0と、前記チャックテーブルにウェーハを搬出入するウ
ェーハ搬出入領域Bと、前記チャックテーブルに保持さ
れたウェーハを研磨する研磨領域Aとを少なくとも含
み、前記ウェーハ搬出入領域Bには、2個のチャックテ
ーブルが位置付けられた際夫々のチャックテーブルにウ
ェーハの搬出入を遂行する搬出入手段14が2個配設さ
れており、前記研磨領域Aには、2個のチャックテーブ
ルが位置付けられた際夫々のチャックテーブルに保持さ
れているウェーハを研磨する研磨手段8が2個配設され
ていて、90゜インデックスと180゜インデックスと
を可能としたことである。
置に関し、研磨作業のバリエーションに富んだ研磨装置
を提供することにある。 【解決手段】 半導体ウェーハの面を研磨する研磨装置
1において、ウェーハを保持するチャックテーブル12
が90゜間隔で4個配設されたインデックステーブル1
0と、前記チャックテーブルにウェーハを搬出入するウ
ェーハ搬出入領域Bと、前記チャックテーブルに保持さ
れたウェーハを研磨する研磨領域Aとを少なくとも含
み、前記ウェーハ搬出入領域Bには、2個のチャックテ
ーブルが位置付けられた際夫々のチャックテーブルにウ
ェーハの搬出入を遂行する搬出入手段14が2個配設さ
れており、前記研磨領域Aには、2個のチャックテーブ
ルが位置付けられた際夫々のチャックテーブルに保持さ
れているウェーハを研磨する研磨手段8が2個配設され
ていて、90゜インデックスと180゜インデックスと
を可能としたことである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
研磨する研磨装置に関する。
研磨する研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハの研磨装置は、I
C等の回路が表面に形成された半導体ウェーハにおけ
る、前記回路の放熱効果等を高めるべく、その裏面側を
研磨して薄くするために用いられる。
C等の回路が表面に形成された半導体ウェーハにおけ
る、前記回路の放熱効果等を高めるべく、その裏面側を
研磨して薄くするために用いられる。
【0003】前記研磨装置は、例えば、作業テーブル上
に起立して設けられた支持部材と、該支持部材に上下動
自在に設けられた駆動部の下部に突出した回転軸に取り
付けられたホイールベースと、該ホイールベースに取り
付けられた研磨用の砥石(研磨部材)とからなるスピン
ドルユニットを備える。
に起立して設けられた支持部材と、該支持部材に上下動
自在に設けられた駆動部の下部に突出した回転軸に取り
付けられたホイールベースと、該ホイールベースに取り
付けられた研磨用の砥石(研磨部材)とからなるスピン
ドルユニットを備える。
【0004】前記スピンドルユニットは、その砥石が粗
研磨用の砥石である第1のスピンドルユニットと、該砥
石が仕上げ用の砥石である第2のスピンドルユニットと
で構成されている。そして、前記第1と第2のスピンド
ルユニットに各々対応する第1のチャックテーブルと第
2のチャックテーブルとが固定基台に自転可能に配設さ
れている。
研磨用の砥石である第1のスピンドルユニットと、該砥
石が仕上げ用の砥石である第2のスピンドルユニットと
で構成されている。そして、前記第1と第2のスピンド
ルユニットに各々対応する第1のチャックテーブルと第
2のチャックテーブルとが固定基台に自転可能に配設さ
れている。
【0005】更に、前記第1のチャックテーブル上の板
状物(半導体ウェーハ)を第2のチャックテーブル上に
搬送する第1の搬送手段が配設されている。前記固定基
台には、複数の板状物を収容するカセットが載置される
カセット載置領域と、カセット内の板状物を搬出入する
搬出入手段と、この搬出入手段によって搬出された板状
物を一時的に載置する板状物載置領域と、この板状物載
置領域に載置されている板状物を第1のチャックテーブ
ルまで搬送する第2の搬送手段と、第2のチャックテー
ブルにある板状物を板状物洗浄手段まで搬送する第3の
搬送手段とが配設され、前記第1の搬送手段と第2の搬
送手段及び第3の搬送手段は回転軸を中心に旋回するア
ームと、該アームの先端に吸引パッドが配設されるとと
もに、前記回転軸を共通とする一体構造である研磨装置
が知られている(特開平7−130692号)。
状物(半導体ウェーハ)を第2のチャックテーブル上に
搬送する第1の搬送手段が配設されている。前記固定基
台には、複数の板状物を収容するカセットが載置される
カセット載置領域と、カセット内の板状物を搬出入する
搬出入手段と、この搬出入手段によって搬出された板状
物を一時的に載置する板状物載置領域と、この板状物載
置領域に載置されている板状物を第1のチャックテーブ
ルまで搬送する第2の搬送手段と、第2のチャックテー
ブルにある板状物を板状物洗浄手段まで搬送する第3の
搬送手段とが配設され、前記第1の搬送手段と第2の搬
送手段及び第3の搬送手段は回転軸を中心に旋回するア
ームと、該アームの先端に吸引パッドが配設されるとと
もに、前記回転軸を共通とする一体構造である研磨装置
が知られている(特開平7−130692号)。
【0006】前記研磨装置によって、カセットから板状
物を搬出入手段で板状物載置領域に載置し、前記アーム
を回転軸を中心にして回転させることで、この板状物載
置領域の板状物を第2の搬送手段で第1のチャックテー
ブルまで搬送し、同時に、第1の搬送手段で第1のチャ
ックテーブル上の板状物を第2のチャックテーブル上に
搬送し、この第1のチャックテーブルと第2のチャック
テーブルに各々対応する第1のスピンドルユニットと第
2のスピンドルユニットで、板状物を粗研削と仕上げ研
磨とを同時に行う。
物を搬出入手段で板状物載置領域に載置し、前記アーム
を回転軸を中心にして回転させることで、この板状物載
置領域の板状物を第2の搬送手段で第1のチャックテー
ブルまで搬送し、同時に、第1の搬送手段で第1のチャ
ックテーブル上の板状物を第2のチャックテーブル上に
搬送し、この第1のチャックテーブルと第2のチャック
テーブルに各々対応する第1のスピンドルユニットと第
2のスピンドルユニットで、板状物を粗研削と仕上げ研
磨とを同時に行う。
【0007】そして、前記第2のチャックテーブルで仕
上げ研磨された板状物は、第3の搬送手段で板状物洗浄
手段まで搬送し、洗浄後の板状物を前記搬出入手段によ
ってカセット載置領域に載置されているカセットまたは
第2のカセットの所要位置に搬入するものである。
上げ研磨された板状物は、第3の搬送手段で板状物洗浄
手段まで搬送し、洗浄後の板状物を前記搬出入手段によ
ってカセット載置領域に載置されているカセットまたは
第2のカセットの所要位置に搬入するものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の研磨
装置では、板状物を粗研削する第1のチャックテーブル
と、粗研削した板状物を仕上げ研磨する第2のチャック
テーブルとを配設した構成であるため、板状物を第1の
チャックテーブルから第2のチャックテーブルへと搬送
する手順しか行えず、例えば、仕上げ研磨等を両方のチ
ャックテーブルで遂行して生産能率を向上させることが
出来ない等の不都合があり、板状物の生産量やストック
状況に応じて生産ラインの配置・構成を変更する自由度
が少ないと言う問題がある。
装置では、板状物を粗研削する第1のチャックテーブル
と、粗研削した板状物を仕上げ研磨する第2のチャック
テーブルとを配設した構成であるため、板状物を第1の
チャックテーブルから第2のチャックテーブルへと搬送
する手順しか行えず、例えば、仕上げ研磨等を両方のチ
ャックテーブルで遂行して生産能率を向上させることが
出来ない等の不都合があり、板状物の生産量やストック
状況に応じて生産ラインの配置・構成を変更する自由度
が少ないと言う問題がある。
【0009】このように、従来の研磨装置は、半導体ウ
ェーハを研磨する作業工数の低減と生産能率若しくは生
産ラインの構成において解決すべき課題を有していた。
ェーハを研磨する作業工数の低減と生産能率若しくは生
産ラインの構成において解決すべき課題を有していた。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウェ
ーハの研磨装置の上記課題を解決するための要旨は、半
導体ウェーハの面を研削する研磨装置において、ウェー
ハを保持するチャックテーブルが90゜間隔で4個配設
されたインデックステーブルと、前記チャックテーブル
にウェーハを搬出入するウェーハ搬出入領域と、前記チ
ャックテーブルに保持されたウェーハを研磨する研磨領
域とを少なくとも含み、前記ウェーハ搬出入領域には、
2個のチャックテーブルが位置付けられた際、夫々のチ
ャックテーブルにウェーハの搬出入を同時に遂行できる
ように搬出入手段が2個配設されており、前記研磨領域
には、2個のチャックテーブルが位置付けられた際、夫
々のチャックテーブルに保持されているウェーハを同時
研磨できるように研磨手段が2個配設されていて、前記
インデックステーブルによる90゜インデックスと18
0゜インデックスとを可能としたことである。
ーハの研磨装置の上記課題を解決するための要旨は、半
導体ウェーハの面を研削する研磨装置において、ウェー
ハを保持するチャックテーブルが90゜間隔で4個配設
されたインデックステーブルと、前記チャックテーブル
にウェーハを搬出入するウェーハ搬出入領域と、前記チ
ャックテーブルに保持されたウェーハを研磨する研磨領
域とを少なくとも含み、前記ウェーハ搬出入領域には、
2個のチャックテーブルが位置付けられた際、夫々のチ
ャックテーブルにウェーハの搬出入を同時に遂行できる
ように搬出入手段が2個配設されており、前記研磨領域
には、2個のチャックテーブルが位置付けられた際、夫
々のチャックテーブルに保持されているウェーハを同時
研磨できるように研磨手段が2個配設されていて、前記
インデックステーブルによる90゜インデックスと18
0゜インデックスとを可能としたことである。
【0011】また、90゜インデックスの場合は、1枚
のウェーハに対して粗研磨と仕上げ研磨が遂行され、1
80゜インデックスの場合は2枚のウェーハに対して同
種の研磨が同時に遂行されることである。
のウェーハに対して粗研磨と仕上げ研磨が遂行され、1
80゜インデックスの場合は2枚のウェーハに対して同
種の研磨が同時に遂行されることである。
【0012】本発明に係る半導体ウェーハの研磨装置に
よれば、インデックステーブル上に備えられた4個のチ
ャックテーブルが、インデックステーブルの回転によっ
て研磨領域とウェーハ搬出入領域とに交互にセットさ
れ、研磨領域では一対の研削手段で2個の半導体ウェー
ハが同時に研磨され、生産能率が向上するものである。
よれば、インデックステーブル上に備えられた4個のチ
ャックテーブルが、インデックステーブルの回転によっ
て研磨領域とウェーハ搬出入領域とに交互にセットさ
れ、研磨領域では一対の研削手段で2個の半導体ウェー
ハが同時に研磨され、生産能率が向上するものである。
【0013】更に、インデックステーブルの回転手段
が、90゜インデックスと180度回転の2種類に選択
されて回転されるので、一対の研削手段で、通常の粗研
磨及び仕上研磨の2軸研磨方法と、例えば仕上げ研磨の
みの1軸平行同時研磨方法とを任意に選択することが可
能となる。
が、90゜インデックスと180度回転の2種類に選択
されて回転されるので、一対の研削手段で、通常の粗研
磨及び仕上研磨の2軸研磨方法と、例えば仕上げ研磨の
みの1軸平行同時研磨方法とを任意に選択することが可
能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る半導体ウェー
ハの研磨装置の実施形態について図面を参照して詳細に
説明する。前記研磨装置1は、図1に示すように、水平
状態に置かれる作業テーブル2と、該作業テーブル2上
に起立して設けられた支持部材3と、該支持部材3に上
下方向に並列して摺動自在に設けられたスライド板4,
4を介して取り付けられた一対の駆動部5,5と、該駆
動部5の下部に突出した回転軸6に取り付けられたホイ
ールベース7と、該ホイールベース7に取り付けられた
研磨用の砥石8と、前記スライド板4,4を各々摺動さ
せる移動用駆動部9,9と、が装備されている。
ハの研磨装置の実施形態について図面を参照して詳細に
説明する。前記研磨装置1は、図1に示すように、水平
状態に置かれる作業テーブル2と、該作業テーブル2上
に起立して設けられた支持部材3と、該支持部材3に上
下方向に並列して摺動自在に設けられたスライド板4,
4を介して取り付けられた一対の駆動部5,5と、該駆
動部5の下部に突出した回転軸6に取り付けられたホイ
ールベース7と、該ホイールベース7に取り付けられた
研磨用の砥石8と、前記スライド板4,4を各々摺動さ
せる移動用駆動部9,9と、が装備されている。
【0015】また、前記作業テーブル2上には、円盤状
で回転自在なインデックステーブル10が配設され、該
インデックステーブル10は作業テーブル2の内部にあ
るインデックステーブル回転手段で、その周方向(例え
ば、反時計方向)に90゜インデックまたは180゜イ
ンデックスに選択されて回転される。
で回転自在なインデックステーブル10が配設され、該
インデックステーブル10は作業テーブル2の内部にあ
るインデックステーブル回転手段で、その周方向(例え
ば、反時計方向)に90゜インデックまたは180゜イ
ンデックスに選択されて回転される。
【0016】更に、前記インデックステーブル10のテ
ーブル上には、半導体ウェーハ11を吸着・支持するチ
ャックテーブル12が、周方向に90゜の均等配置で4
箇所に配設され、各々のチャックテーブル12が回転自
在となっている。
ーブル上には、半導体ウェーハ11を吸着・支持するチ
ャックテーブル12が、周方向に90゜の均等配置で4
箇所に配設され、各々のチャックテーブル12が回転自
在となっている。
【0017】前記チャックテーブル12の4箇所のうち
2箇所のチャックテーブル12,12が、インデックス
テーブル10で回転されて前記駆動部5,5と各々対峙
する位置にセットされた際に、該チャックテーブル1
2,12を歯車若しくはベルト等を介して回転させるチ
ャックテーブル回転手段たる駆動部が作業テーブル2の
内部に設けられている。
2箇所のチャックテーブル12,12が、インデックス
テーブル10で回転されて前記駆動部5,5と各々対峙
する位置にセットされた際に、該チャックテーブル1
2,12を歯車若しくはベルト等を介して回転させるチ
ャックテーブル回転手段たる駆動部が作業テーブル2の
内部に設けられている。
【0018】ここで、インデックステーブル10におい
て、前記駆動部5,5に対峙するチャックテーブル1
2,12を含むテーブルの略半分を研磨領域Aと言い、
残りのテーブルの半分をウェーハ搬出入領域Bと言う。
て、前記駆動部5,5に対峙するチャックテーブル1
2,12を含むテーブルの略半分を研磨領域Aと言い、
残りのテーブルの半分をウェーハ搬出入領域Bと言う。
【0019】更に、前記作業テーブル2上には、前記イ
ンデックステーブル10のウェーハ搬出入領域Bにおけ
るチャックテーブル12,12に各々対応して、一対の
センター合わせテーブル13,13が設けられている。
ンデックステーブル10のウェーハ搬出入領域Bにおけ
るチャックテーブル12,12に各々対応して、一対の
センター合わせテーブル13,13が設けられている。
【0020】前記センター合わせテーブル13,13に
は、円盤状のテーブルの周方向にピン13aが、例え
ば、4箇所に配設され、その各ピン13aは、センター
合わせテーブル13の半径方向に移動可能である。
は、円盤状のテーブルの周方向にピン13aが、例え
ば、4箇所に配設され、その各ピン13aは、センター
合わせテーブル13の半径方向に移動可能である。
【0021】よって、最初に各ピン13aが半径方向の
外側に位置してセットされた状態において、テーブル上
に半導体ウェーハ11が載せられた後に、各ピン13a
を半径方向の内側に向かって同時に所定量移動せしめる
ことで、前記半導体ウェーハ11がその外周端面に四方
からピン13aの側壁面で押し込まれてテーブルの中央
に移動せしめられ、当該半導体ウェーハ11の位置決め
が成されるものである。
外側に位置してセットされた状態において、テーブル上
に半導体ウェーハ11が載せられた後に、各ピン13a
を半径方向の内側に向かって同時に所定量移動せしめる
ことで、前記半導体ウェーハ11がその外周端面に四方
からピン13aの側壁面で押し込まれてテーブルの中央
に移動せしめられ、当該半導体ウェーハ11の位置決め
が成されるものである。
【0022】また、前記センター合わせテーブル13,
13とインデックステーブル10のウェーハ搬出入領域
Bにあるチャックテーブル12,12との間に、一対の
搬出入手段である搬出入アーム14,14が設けられて
いる。
13とインデックステーブル10のウェーハ搬出入領域
Bにあるチャックテーブル12,12との間に、一対の
搬出入手段である搬出入アーム14,14が設けられて
いる。
【0023】前記搬出入アーム14は、前記センター合
わせテーブル13とウェーハ搬出入領域Bにあるチャッ
クテーブル12との間を旋回動し、且つ、半導体ウェー
ハ11を吸着・保持及び脱着するものである。
わせテーブル13とウェーハ搬出入領域Bにあるチャッ
クテーブル12との間を旋回動し、且つ、半導体ウェー
ハ11を吸着・保持及び脱着するものである。
【0024】また、前記センター合わせテーブル13と
ウェーハ搬出入領域Bにあるチャックテーブル12との
間に、研磨後の半導体ウェーハ11を後述のカセット1
6に収納するまでの間に待避させる仮受け台15が作業
テーブル2上に設けられている。
ウェーハ搬出入領域Bにあるチャックテーブル12との
間に、研磨後の半導体ウェーハ11を後述のカセット1
6に収納するまでの間に待避させる仮受け台15が作業
テーブル2上に設けられている。
【0025】前記センター合わせテーブル13,13及
び仮受け台15,15には、研磨前の半導体ウェーハ1
1に付着するおそれのある異物を取り除いたり、研磨後
の半導体ウェーハ11を洗浄したりする、洗浄機能を付
加するようにすることができるものである。特に仮受け
台15,15を設けない場合には、センター合わせテー
ブル13,13に洗浄機能を付加する事になる。
び仮受け台15,15には、研磨前の半導体ウェーハ1
1に付着するおそれのある異物を取り除いたり、研磨後
の半導体ウェーハ11を洗浄したりする、洗浄機能を付
加するようにすることができるものである。特に仮受け
台15,15を設けない場合には、センター合わせテー
ブル13,13に洗浄機能を付加する事になる。
【0026】前記センター合わせテーブル13,13の
後方位置の作業テーブル2上に、半導体ウェーハ11を
収納・貯蔵するカセット16が合計4個載置されてい
る。
後方位置の作業テーブル2上に、半導体ウェーハ11を
収納・貯蔵するカセット16が合計4個載置されてい
る。
【0027】前記カセット16は、その側壁の一端側が
前面開口しており、内部の側壁の両側に、水平に刻設さ
れた凹溝16aが複数並列して設けられ、該両側の凹溝
16a間に半導体ウェーハ11が水平に嵌挿されて収納
されるものである。
前面開口しており、内部の側壁の両側に、水平に刻設さ
れた凹溝16aが複数並列して設けられ、該両側の凹溝
16a間に半導体ウェーハ11が水平に嵌挿されて収納
されるものである。
【0028】更に、前記各カセット16の開口部から略
等距離にして、該カセット16に収納された半導体ウェ
ーハ11を取り出したり、逆に半導体ウェーハ11をカ
セット16に収納したりするロボットアーム17が作業
テーブル2に設けられている。
等距離にして、該カセット16に収納された半導体ウェ
ーハ11を取り出したり、逆に半導体ウェーハ11をカ
セット16に収納したりするロボットアーム17が作業
テーブル2に設けられている。
【0029】前記ロボットアーム17は、作業テーブル
2に立設され上下方向に伸縮自在なアーム軸に対して横
に延設された第1腕部17aと、該第1腕部17aの先
端部に回動自在に支持される第2腕部17bと、該第2
腕部17bの先端部に回動自在に支持されるハンド部1
7cとから構成されている。前記第1腕部17aと第2
腕部17bとを適宜に回転させることで、ハンド部17
cを水平方向に伸縮させることができるものである。
2に立設され上下方向に伸縮自在なアーム軸に対して横
に延設された第1腕部17aと、該第1腕部17aの先
端部に回動自在に支持される第2腕部17bと、該第2
腕部17bの先端部に回動自在に支持されるハンド部1
7cとから構成されている。前記第1腕部17aと第2
腕部17bとを適宜に回転させることで、ハンド部17
cを水平方向に伸縮させることができるものである。
【0030】前記ロボットアーム17のハンド部17c
には、先端部にかけて二股状に分かれ、その上に半導体
ウェーハ11を載置し反転する保持部17dが設けられ
ている。
には、先端部にかけて二股状に分かれ、その上に半導体
ウェーハ11を載置し反転する保持部17dが設けられ
ている。
【0031】以上のようにして構成される研磨装置1を
使用して、半導体ウェーハ11の研磨方法について説明
する。まず、一つの方法として、インデックステーブル
10を90゜毎に回転させる通常の2軸研削方法につい
て説明すると、図2(イ)に示すように、ロボットアー
ム17が任意のカセット16から半導体ウェーハ11を
取り出し、保持部17dの反転により半導体ウェーハを
反転させ、この半導体ウェーハ11をセンター合わせテ
ーブル13Aに載置する。尚、カセット16内にはIC
等の回路が形成された半導体ウェーハが回路面を上にし
て(その面には保護テープが一般に貼られている)収納
されているので、回路面が形成されていない裏面を研磨
するのはウェーハを反転させる必要がある。
使用して、半導体ウェーハ11の研磨方法について説明
する。まず、一つの方法として、インデックステーブル
10を90゜毎に回転させる通常の2軸研削方法につい
て説明すると、図2(イ)に示すように、ロボットアー
ム17が任意のカセット16から半導体ウェーハ11を
取り出し、保持部17dの反転により半導体ウェーハを
反転させ、この半導体ウェーハ11をセンター合わせテ
ーブル13Aに載置する。尚、カセット16内にはIC
等の回路が形成された半導体ウェーハが回路面を上にし
て(その面には保護テープが一般に貼られている)収納
されているので、回路面が形成されていない裏面を研磨
するのはウェーハを反転させる必要がある。
【0032】前記センター合わせテーブル13Aに載置
された半導体ウェーハ11に対してピン13aを半径方
向の内側に所定量移動させて、当該半導体ウェーハ11
のセンターを出す。また、洗浄装置により半導体ウェー
ハ11に付着するおそれのある異物を洗浄することもあ
る。
された半導体ウェーハ11に対してピン13aを半径方
向の内側に所定量移動させて、当該半導体ウェーハ11
のセンターを出す。また、洗浄装置により半導体ウェー
ハ11に付着するおそれのある異物を洗浄することもあ
る。
【0033】そして、搬出入アーム14Aにより前記セ
ンター合わせテーブル13A上の半導体ウェーハ11を
吸着して保持し、反時計方向に回転させて、該半導体ウ
ェーハ11をインデックステーブル10のウェーハ搬出
入領域Bにあるチャックテーブル12Aに載置する。
ンター合わせテーブル13A上の半導体ウェーハ11を
吸着して保持し、反時計方向に回転させて、該半導体ウ
ェーハ11をインデックステーブル10のウェーハ搬出
入領域Bにあるチャックテーブル12Aに載置する。
【0034】ここで、チャックテーブル12Aで前記半
導体ウェーハ11を吸着して保持させた後に、インデッ
クステーブル10をインデックステーブル回転手段で反
時計方向に90゜インデックスさせる。すると、前記チ
ャックテーブル12Aは、ウェーハ搬出入領域Bから抜
け出して研磨領域Aにおけるチャックテーブル12Bと
なって砥石8と対峙する。
導体ウェーハ11を吸着して保持させた後に、インデッ
クステーブル10をインデックステーブル回転手段で反
時計方向に90゜インデックスさせる。すると、前記チ
ャックテーブル12Aは、ウェーハ搬出入領域Bから抜
け出して研磨領域Aにおけるチャックテーブル12Bと
なって砥石8と対峙する。
【0035】そして、研磨作業を開始すると、チャック
テーブル12Bが、例えば、電動モータの回転軸がテー
ブル下側から上昇しチャックテーブル12Bの中心軸に
嵌合してこれを回転させるような構成でなる、チャック
テーブル回転手段で回転される。一方、前記チャックテ
ーブル12Bに対峙する砥石8が駆動部5で回転される
と共に、移動用駆動部9の作動によってスライドするス
ライド板4を介して前記砥石8が前記チャックテーブル
12B上に吸着・保持されている半導体ウェーハ11に
当接するまで降下される。
テーブル12Bが、例えば、電動モータの回転軸がテー
ブル下側から上昇しチャックテーブル12Bの中心軸に
嵌合してこれを回転させるような構成でなる、チャック
テーブル回転手段で回転される。一方、前記チャックテ
ーブル12Bに対峙する砥石8が駆動部5で回転される
と共に、移動用駆動部9の作動によってスライドするス
ライド板4を介して前記砥石8が前記チャックテーブル
12B上に吸着・保持されている半導体ウェーハ11に
当接するまで降下される。
【0036】チャックテーブル12Bに吸着・保持され
ている半導体ウェーハ11が前記砥石8で一定時間粗研
磨された後に、前記移動用駆動部9が逆回転され、スラ
イド板4を介して駆動部5及び砥石8が半導体ウェーハ
11から離隔される。
ている半導体ウェーハ11が前記砥石8で一定時間粗研
磨された後に、前記移動用駆動部9が逆回転され、スラ
イド板4を介して駆動部5及び砥石8が半導体ウェーハ
11から離隔される。
【0037】次に、インデックステーブル10が、イン
デックステーブル回転手段で反時計方向に90゜インデ
ックスされ、前記チャックテーブル12Bはチャックテ
ーブル12Cとなる。そして、チャックテーブル12C
上の半導体ウェーハ11が、仕上げ用の砥石8で研磨さ
れて仕上げられる。
デックステーブル回転手段で反時計方向に90゜インデ
ックスされ、前記チャックテーブル12Bはチャックテ
ーブル12Cとなる。そして、チャックテーブル12C
上の半導体ウェーハ11が、仕上げ用の砥石8で研磨さ
れて仕上げられる。
【0038】前記仕上げ用の砥石8が半導体ウェーハ1
1から離隔された後に、インデックステーブル10が反
時計方向に90゜インデックスされる。すると、前記チ
ャックテーブル12Cは研磨領域Aから抜け出してウェ
ーハ搬出入領域Bのチャックテーブル12Dとなる。
1から離隔された後に、インデックステーブル10が反
時計方向に90゜インデックスされる。すると、前記チ
ャックテーブル12Cは研磨領域Aから抜け出してウェ
ーハ搬出入領域Bのチャックテーブル12Dとなる。
【0039】そして、前記チャックテーブル12Dにお
いて半導体ウェーハ11に対する吸着作用が解除され、
搬出入アーム14Bがその先端部で前記チャックテーブ
ル12D上の半導体ウェーハ11を吸着・保持して反時
計方向に回転し、センター合わせテーブル13B上にお
いて、ロボットアーム17のハンド部17cに前記半導
体ウェーハ11を受け渡すか、若しくは、仮受け台15
に半導体ウェーハ11を載置する。この仮受け台15に
おいて、研磨後の半導体ウェーハ11を洗浄装置で洗浄
する。
いて半導体ウェーハ11に対する吸着作用が解除され、
搬出入アーム14Bがその先端部で前記チャックテーブ
ル12D上の半導体ウェーハ11を吸着・保持して反時
計方向に回転し、センター合わせテーブル13B上にお
いて、ロボットアーム17のハンド部17cに前記半導
体ウェーハ11を受け渡すか、若しくは、仮受け台15
に半導体ウェーハ11を載置する。この仮受け台15に
おいて、研磨後の半導体ウェーハ11を洗浄装置で洗浄
する。
【0040】前記研磨後の半導体ウェーハ11を受け取
ったロボットアーム17が、カセット16に、両凹溝1
6a間に架け渡すようにして水平に収納するものであ
る。研磨後の半導体ウェーハ11で満たされたカセット
16は、次のダイシング工程に移送されていくものであ
る。
ったロボットアーム17が、カセット16に、両凹溝1
6a間に架け渡すようにして水平に収納するものであ
る。研磨後の半導体ウェーハ11で満たされたカセット
16は、次のダイシング工程に移送されていくものであ
る。
【0041】このように、カセット16から半導体ウェ
ーハ11が取り出され、インデックステーブル10を9
0゜毎に回転させて、粗研磨と仕上げ研磨をして、研磨
後の半導体ウェーハ11が、連続してカセット16に収
納されるものである。
ーハ11が取り出され、インデックステーブル10を9
0゜毎に回転させて、粗研磨と仕上げ研磨をして、研磨
後の半導体ウェーハ11が、連続してカセット16に収
納されるものである。
【0042】次に、図2(ロ)に示すように、1軸平行
動作研削方法は、例えば、ロボットアーム17でカセッ
ト16Aから研磨前の半導体ウェーハ11を取り出して
センター合わせテーブル13Aに載置し、次に、前記ロ
ボットアーム17でカセット16Bから研磨前の半導体
ウェーハ11を取り出してセンター合わせテーブル13
Bに載置する。
動作研削方法は、例えば、ロボットアーム17でカセッ
ト16Aから研磨前の半導体ウェーハ11を取り出して
センター合わせテーブル13Aに載置し、次に、前記ロ
ボットアーム17でカセット16Bから研磨前の半導体
ウェーハ11を取り出してセンター合わせテーブル13
Bに載置する。
【0043】前記センター合わせテーブル13A,13
Bの半導体ウェーハ11を夫々センター出しを行った後
に、搬出入アーム14A,14Bの先端部で当該半導体
ウェーハ11を吸着・保持し、該搬出入アーム14A,
14Bを所要方向に回転させ、インデックステーブル1
0のウェーハ搬出入領域Bのチャックテーブル12A,
12Dに前記半導体ウェーハ11を各々載置させる。そ
の後、前記各半導体ウェーハ11をチャックテーブル1
2A,12Dに吸着・保持させる。
Bの半導体ウェーハ11を夫々センター出しを行った後
に、搬出入アーム14A,14Bの先端部で当該半導体
ウェーハ11を吸着・保持し、該搬出入アーム14A,
14Bを所要方向に回転させ、インデックステーブル1
0のウェーハ搬出入領域Bのチャックテーブル12A,
12Dに前記半導体ウェーハ11を各々載置させる。そ
の後、前記各半導体ウェーハ11をチャックテーブル1
2A,12Dに吸着・保持させる。
【0044】そして、インデックステーブル10をイン
デックステーブル回転手段で、時計方向または反時計方
向に180゜回転させる。これにより、前記チャックテ
ーブル12Aがチャックテーブル12Cとなり、チャッ
クテーブル12Dがチャックテーブル12Bとなって、
インデックステーブル10の研磨領域Aにセットされ
る。
デックステーブル回転手段で、時計方向または反時計方
向に180゜回転させる。これにより、前記チャックテ
ーブル12Aがチャックテーブル12Cとなり、チャッ
クテーブル12Dがチャックテーブル12Bとなって、
インデックステーブル10の研磨領域Aにセットされ
る。
【0045】前記チャックテーブル12B,12Cに対
峙する駆動部5,5及び砥石8,8を回転させるととも
に、移動用駆動部9,9を作動させて砥石8,8をチャ
ックテーブル12B,12C上の半導体ウェーハ11に
当接するまで降下させる。また、前記チャックテーブル
12B,12Cをチャックテーブル回転手段で各々回転
させる。
峙する駆動部5,5及び砥石8,8を回転させるととも
に、移動用駆動部9,9を作動させて砥石8,8をチャ
ックテーブル12B,12C上の半導体ウェーハ11に
当接するまで降下させる。また、前記チャックテーブル
12B,12Cをチャックテーブル回転手段で各々回転
させる。
【0046】前記チャックテーブル12B,12Cに吸
着・保持されている各半導体ウェーハ11を砥石8で研
磨している間に、次の半導体ウェーハ11をセンター合
わせテーブル13A,13Bから搬出入アーム14A,
14Bで取り出して、インデックステーブル10のウェ
ーハ搬出入領域のチャックテーブル12A,12Dに、
搬入する。
着・保持されている各半導体ウェーハ11を砥石8で研
磨している間に、次の半導体ウェーハ11をセンター合
わせテーブル13A,13Bから搬出入アーム14A,
14Bで取り出して、インデックステーブル10のウェ
ーハ搬出入領域のチャックテーブル12A,12Dに、
搬入する。
【0047】前記各半導体ウェーハ11の研磨作業が終
了した後、インデックステーブル回転手段でインデック
ステーブル10を180゜回転させる。ウェーハ搬出入
領域Bのチャックテーブル12A,12Dが研磨領域A
のチャックテーブル12B,12Cとなり、これに吸着
・保持されている半導体ウェーハ11の研磨作業を開始
する。
了した後、インデックステーブル回転手段でインデック
ステーブル10を180゜回転させる。ウェーハ搬出入
領域Bのチャックテーブル12A,12Dが研磨領域A
のチャックテーブル12B,12Cとなり、これに吸着
・保持されている半導体ウェーハ11の研磨作業を開始
する。
【0048】一方、研磨領域Aのチャックテーブル12
B,12Cがウェーハ搬出入領域Bにおけるチャックテ
ーブル12A,12Dとなって、これに吸着・保持され
ている半導体ウェーハ11の保持を解除し搬出入アーム
14でこれらから取り出し、一旦、仮受け台15上に各
々載置され洗浄される。そして、前記研磨後の半導体ウ
ェーハ11のカセット16への収納作業よりも優先させ
て、空になった前記チャックテーブル12A,12D
に、センター合わせテーブル13A,13Bから半導体
ウェーハ11を搬出入アーム14A,14Bで取り出し
て、研磨前の半導体ウェーハ11を搬入し、当該各チャ
ックテーブル12A,12Dに吸着・保持させる。
B,12Cがウェーハ搬出入領域Bにおけるチャックテ
ーブル12A,12Dとなって、これに吸着・保持され
ている半導体ウェーハ11の保持を解除し搬出入アーム
14でこれらから取り出し、一旦、仮受け台15上に各
々載置され洗浄される。そして、前記研磨後の半導体ウ
ェーハ11のカセット16への収納作業よりも優先させ
て、空になった前記チャックテーブル12A,12D
に、センター合わせテーブル13A,13Bから半導体
ウェーハ11を搬出入アーム14A,14Bで取り出し
て、研磨前の半導体ウェーハ11を搬入し、当該各チャ
ックテーブル12A,12Dに吸着・保持させる。
【0049】そして、研磨前の半導体ウェーハ11をイ
ンデックステーブル10に搬入することを優先させた後
に、前記仮受け台15上の半導体ウェーハ11を夫々搬
出入アーム14で取り出し、ロボットアーム17に受け
取らせる。該ロボットアーム17が、搬出入アーム14
Aから受け取った半導体ウェーハ11をカセット16A
に、若しくは、搬出入アーム14Bから受け取った半導
体ウェーハ11をカセット16Bに、収納する。このよ
うに、インデックステーブル10に半導体ウェーハ11
を搬入することを優先させることで、作業能率も向上す
る。
ンデックステーブル10に搬入することを優先させた後
に、前記仮受け台15上の半導体ウェーハ11を夫々搬
出入アーム14で取り出し、ロボットアーム17に受け
取らせる。該ロボットアーム17が、搬出入アーム14
Aから受け取った半導体ウェーハ11をカセット16A
に、若しくは、搬出入アーム14Bから受け取った半導
体ウェーハ11をカセット16Bに、収納する。このよ
うに、インデックステーブル10に半導体ウェーハ11
を搬入することを優先させることで、作業能率も向上す
る。
【0050】前記カセット16A,16Bに収納された
研磨後の半導体ウェーハ11が満杯になれば、カセット
ごと次のダイシング工程に移送され、カセット16C,
16Dから研磨前の半導体ウェーハ11がロボットアー
ム17で取り出されるようになる。
研磨後の半導体ウェーハ11が満杯になれば、カセット
ごと次のダイシング工程に移送され、カセット16C,
16Dから研磨前の半導体ウェーハ11がロボットアー
ム17で取り出されるようになる。
【0051】なお、半導体ウェーハの表面にIC等の回
路が形成されていない、いわゆるウェーハメーキングの
段階では、ロボットアーム17の保持部17dを回転さ
せることで、半導体ウェーハ11を反転させて半導体ウ
ェーハの両面研削をすることができる。
路が形成されていない、いわゆるウェーハメーキングの
段階では、ロボットアーム17の保持部17dを回転さ
せることで、半導体ウェーハ11を反転させて半導体ウ
ェーハの両面研削をすることができる。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハの研磨装置は、半導体ウェーハの面を研削す
る研磨装置において、ウェーハを保持するチャックテー
ブルが90゜間隔で4個配設されたインデックステーブ
ルと、前記チャックテーブルにウェーハを搬出入するウ
ェーハ搬出入領域と、前記チャックテーブルに保持され
たウェーハを研磨する研磨領域とを少なくとも含み、前
記ウェーハ搬出入領域には、2個のチャックテーブルが
位置付けられた際、夫々のチャックテーブルにウェーハ
の搬出入を同時に遂行できるように搬出入手段が2個配
設されており、前記研磨領域には、2個のチャックテー
ブルが位置付けられた際、夫々のチャックテーブルに保
持されているウェーハを同時に研磨できるように研磨手
段が2個配設されていて、前記インデックステーブルに
よる90゜インデックスと180゜インデックスとを可
能としたので、半導体ウェーハの生産量やストック量に
応じて、粗研磨又は仕上げ研磨の同種の研磨を2倍の生
産効率で行って生産能率を向上させることができると言
う優れた効果を奏する。
体ウェーハの研磨装置は、半導体ウェーハの面を研削す
る研磨装置において、ウェーハを保持するチャックテー
ブルが90゜間隔で4個配設されたインデックステーブ
ルと、前記チャックテーブルにウェーハを搬出入するウ
ェーハ搬出入領域と、前記チャックテーブルに保持され
たウェーハを研磨する研磨領域とを少なくとも含み、前
記ウェーハ搬出入領域には、2個のチャックテーブルが
位置付けられた際、夫々のチャックテーブルにウェーハ
の搬出入を同時に遂行できるように搬出入手段が2個配
設されており、前記研磨領域には、2個のチャックテー
ブルが位置付けられた際、夫々のチャックテーブルに保
持されているウェーハを同時に研磨できるように研磨手
段が2個配設されていて、前記インデックステーブルに
よる90゜インデックスと180゜インデックスとを可
能としたので、半導体ウェーハの生産量やストック量に
応じて、粗研磨又は仕上げ研磨の同種の研磨を2倍の生
産効率で行って生産能率を向上させることができると言
う優れた効果を奏する。
【0053】また、前記90゜インデックスの場合は、
1枚のウェーハに対して粗研磨と仕上げ研磨が遂行さ
れ、180゜インデックスの場合は2枚のウェーハに対
して同種の研磨が同時に遂行されるので、通常の2軸研
削と1軸平行動作研削とを選択することが出来て、生産
ラインの組合せ自由度が増大すると言う優れた効果を奏
する。
1枚のウェーハに対して粗研磨と仕上げ研磨が遂行さ
れ、180゜インデックスの場合は2枚のウェーハに対
して同種の研磨が同時に遂行されるので、通常の2軸研
削と1軸平行動作研削とを選択することが出来て、生産
ラインの組合せ自由度が増大すると言う優れた効果を奏
する。
【図1】本発明に係る研磨装置の斜視図である。
【図2】同本発明に係る研磨装置により、通常の2軸研
削の実施形態を示す概念図(イ)と、1軸平行動作研削
の実施形態を示す概念図(ロ)である。
削の実施形態を示す概念図(イ)と、1軸平行動作研削
の実施形態を示す概念図(ロ)である。
【符号の説明】 1 研磨装置、2 作業テーブル、3 支持部材、4
スライド板、5 駆動部、6 回転軸、7 ホイールベ
ース、8 砥石、9 移動用駆動部、10 インデック
ステーブル、11 半導体ウェーハ、12 チャックテ
ーブル、13 センター合わせテーブル、13a ピ
ン、14 搬出入アーム、15 仮受け台、16 カセ
ット、16a 凹溝、17 ロボットアーム、17a
第1腕部、17b 第2腕部、17c ハンド部、17
d 保持部。
スライド板、5 駆動部、6 回転軸、7 ホイールベ
ース、8 砥石、9 移動用駆動部、10 インデック
ステーブル、11 半導体ウェーハ、12 チャックテ
ーブル、13 センター合わせテーブル、13a ピ
ン、14 搬出入アーム、15 仮受け台、16 カセ
ット、16a 凹溝、17 ロボットアーム、17a
第1腕部、17b 第2腕部、17c ハンド部、17
d 保持部。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体ウェーハの面を研磨する研磨装置
において、 ウェーハを保持するチャックテーブルが90゜間隔で4
個配設されたインデックステーブルと、 前記チャックテーブルにウェーハを搬出入するウェーハ
搬出入領域と、 前記チャックテーブルに保持されたウェーハを研磨する
研磨領域とを少なくとも含み、 前記ウェーハ搬出入領域には、2個のチャックテーブル
が位置付けられた際、夫々のチャックテーブルにウェー
ハの搬出入を同時に遂行できるように搬出入手段が2個
配設されており、 前記研磨領域には、2個のチャックテーブルが位置付け
られた際、夫々のチャックテーブルに保持されているウ
ェーハを同時に研磨できるように研磨手段が2個配設さ
れていて、 前記インデックステーブルによる90゜インデックスと
180゜インデックスとを可能としたこと、 を特徴とする半導体ウェーハの研磨装置。 - 【請求項2】 90゜インデックスの場合は、1枚のウ
ェーハに対して粗研磨と仕上げ研磨が遂行され、180
゜インデックスの場合は2枚のウェーハに対して同種の
研磨が同時に遂行されること、 を特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの研磨装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8247579A JPH1086048A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8247579A JPH1086048A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1086048A true JPH1086048A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=17165607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8247579A Pending JPH1086048A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1086048A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2324750A (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-04 | Nec Corp | Automatic wafer polishing apparatus |
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JP2018039070A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及び研削装置 |
CN115106917A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-27 | 浙江谐达机械科技有限公司 | 一种双尖宝石加工设备 |
Citations (3)
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JPS5845851A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-17 | Hitachi Seiko Ltd | ウエハの研削,搬送および洗滌方法ならびにその装置 |
JPH0588864U (ja) * | 1992-05-14 | 1993-12-03 | 富士電気化学株式会社 | 内径加工装置 |
JPH06143112A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-24 | Koyo Mach Ind Co Ltd | 平面研削盤の研削方法 |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP8247579A patent/JPH1086048A/ja active Pending
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US6379230B1 (en) | 1997-04-28 | 2002-04-30 | Nec Corporation | Automatic polishing apparatus capable of polishing a substrate with a high planarization |
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JP2011061237A (ja) * | 1999-06-18 | 2011-03-24 | Applied Materials Inc | ケミカルメカニカルポリッシャ用のウェーハ搬送ステーション |
JP2011040637A (ja) * | 2009-08-13 | 2011-02-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 検出方法、ウェーハ搬入方法および検出装置 |
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CN115106917B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-06-23 | 浙江谐达机械科技有限公司 | 一种双尖宝石加工设备 |
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