JPH1078536A - ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 - Google Patents
ハイブリッド光集積回路及びその製造方法Info
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- JPH1078536A JPH1078536A JP23553896A JP23553896A JPH1078536A JP H1078536 A JPH1078536 A JP H1078536A JP 23553896 A JP23553896 A JP 23553896A JP 23553896 A JP23553896 A JP 23553896A JP H1078536 A JPH1078536 A JP H1078536A
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- optical axis
- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子とSi基板上に形成された光導波
路とが高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集
積回路及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 裏面に複数の光軸調整用合わせマーク2
1を持つ半導体素子20と、同じく複数の光軸調整用合
わせマーク23が形成されたSi基板22とを、画像処
理等の手段を用いてこれらの光軸調整用合わせマーク2
1、23により光軸合わせを行う場合において、基板2
2上に形成された複数の光軸合わせマークを真円とする
ことにより、半導体素子20とSi基板22上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合される。この
ため極めて精度の高いハイブリッド光集積回路が得られ
る。
路とが高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集
積回路及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 裏面に複数の光軸調整用合わせマーク2
1を持つ半導体素子20と、同じく複数の光軸調整用合
わせマーク23が形成されたSi基板22とを、画像処
理等の手段を用いてこれらの光軸調整用合わせマーク2
1、23により光軸合わせを行う場合において、基板2
2上に形成された複数の光軸合わせマークを真円とする
ことにより、半導体素子20とSi基板22上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合される。この
ため極めて精度の高いハイブリッド光集積回路が得られ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッド光集
積回路及びその製造方法に関する。
積回路及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】Si基板上に形成された石英系光導波路
に、半導体素子(光素子)を位置決め固定する方法とし
て、光素子上に設けた光軸調整用合わせマークとSi基
板上に設けた光軸調整用合わせマークを用いて光軸合わ
せを行う方法が提案されている。(1993年電子情報
通信学会秋季大会講演論文集4−266頁)。
に、半導体素子(光素子)を位置決め固定する方法とし
て、光素子上に設けた光軸調整用合わせマークとSi基
板上に設けた光軸調整用合わせマークを用いて光軸合わ
せを行う方法が提案されている。(1993年電子情報
通信学会秋季大会講演論文集4−266頁)。
【0003】これは、赤外顕微鏡で各々の光軸調整用合
わせマークを検出し、基板ステージを移動させて位置決
め固定するものである。
わせマークを検出し、基板ステージを移動させて位置決
め固定するものである。
【0004】図3は従来技術によるハイブリッド光集積
回路の拡散分解図である。
回路の拡散分解図である。
【0005】同図に示すハイブリッド光集積回路は、光
素子1の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク2と、S
i基板3上に設けた光軸調整用合わせマーク4とを赤外
顕微鏡で検出し、光素子1をSi基板3上に位置決めし
た後固定するものである。尚、同図において5はバッフ
ァ層、6はコア、7はクラッド層である。
素子1の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク2と、S
i基板3上に設けた光軸調整用合わせマーク4とを赤外
顕微鏡で検出し、光素子1をSi基板3上に位置決めし
た後固定するものである。尚、同図において5はバッフ
ァ層、6はコア、7はクラッド層である。
【0006】光軸調整用合わせ用マーク4はSi基板3
のSiベンチ上にマスクパターンを形成し、水酸化カリ
ウム(KOH)水溶液を用いてSiベンチの一部分をエ
ッチングすることによって形成していた。
のSiベンチ上にマスクパターンを形成し、水酸化カリ
ウム(KOH)水溶液を用いてSiベンチの一部分をエ
ッチングすることによって形成していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、KOH水溶
液を用いてSiベンチの一部をエッチングし、光軸調整
用合わせマーク4をSiベンチ上に形成すると、光軸調
整用合わせマーク4の形状は正方形に加工されるべきと
ころ、長方形あるいはそれに近い形状になった。本来、
KOH水溶液を用いたSiのウエットエッチングはSi
の結晶方位に対するエッチングレート差を利用したもの
であり、エッチング形状は正方形となる。従って、何ら
かの理由でSiの結晶方位がくずれ、正規のエッチング
が行われなかったと推定される。この要因としては、バ
ッファ層5の形成プロセスの高温熱処理(1250〜1
350℃)が考えられる。しかし、この高温熱処理は本
ハイブリッド光集積回路を製造するためには必須であ
る。
液を用いてSiベンチの一部をエッチングし、光軸調整
用合わせマーク4をSiベンチ上に形成すると、光軸調
整用合わせマーク4の形状は正方形に加工されるべきと
ころ、長方形あるいはそれに近い形状になった。本来、
KOH水溶液を用いたSiのウエットエッチングはSi
の結晶方位に対するエッチングレート差を利用したもの
であり、エッチング形状は正方形となる。従って、何ら
かの理由でSiの結晶方位がくずれ、正規のエッチング
が行われなかったと推定される。この要因としては、バ
ッファ層5の形成プロセスの高温熱処理(1250〜1
350℃)が考えられる。しかし、この高温熱処理は本
ハイブリッド光集積回路を製造するためには必須であ
る。
【0008】ここで、光軸調整用合わせマーク4の形状
が完全な正方形でないと次のような支障がある。前述し
たように光素子を位置決め固定する際には、赤外線顕微
鏡で光素子上に設けた光軸調整用合わせマーク2とSi
基板上に設けた光軸調整用合わせマーク4を検出しそれ
らのマーク重心位置を算出して光軸合わせをしているた
め、光軸調整用合わせマーク4の形状が歪んでいると、
その光軸調整用合わせマーク4の重心位置がずれ、光軸
合わせの精度が悪くなるといった問題が生じる。
が完全な正方形でないと次のような支障がある。前述し
たように光素子を位置決め固定する際には、赤外線顕微
鏡で光素子上に設けた光軸調整用合わせマーク2とSi
基板上に設けた光軸調整用合わせマーク4を検出しそれ
らのマーク重心位置を算出して光軸合わせをしているた
め、光軸調整用合わせマーク4の形状が歪んでいると、
その光軸調整用合わせマーク4の重心位置がずれ、光軸
合わせの精度が悪くなるといった問題が生じる。
【0009】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、半導体素子とSi基板上に形成された光導波路とが
高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集積回路
及びその製造方法を提供することにある。
し、半導体素子とSi基板上に形成された光導波路とが
高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集積回路
及びその製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、裏面に複数の光軸調整用合わせマークが形
成された半導体素子と、基板上に複数の光軸調整用合わ
せマークが形成された基板とを両光軸調整用合わせマー
ク同士が合うようにして半導体素子と光導波路とを光学
的に結合したハイブリッド光集積回路において、基板上
に形成された複数の光軸調整用合わせマークを真円とし
たものである。
に本発明は、裏面に複数の光軸調整用合わせマークが形
成された半導体素子と、基板上に複数の光軸調整用合わ
せマークが形成された基板とを両光軸調整用合わせマー
ク同士が合うようにして半導体素子と光導波路とを光学
的に結合したハイブリッド光集積回路において、基板上
に形成された複数の光軸調整用合わせマークを真円とし
たものである。
【0011】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、半導体素子の裏面に複数の光軸調整用合わせマー
クを形成し、基板上に複数の光軸調整用合わせマークを
形成し、それらの光軸調整合わせマーク同士を合わせ、
半導体素子と光導波路とを光学的に結合するハイブリッ
ド光集積回路の製造方法において、基板上の複数の光軸
調整用合わせマークを真円に形成するものである。
法は、半導体素子の裏面に複数の光軸調整用合わせマー
クを形成し、基板上に複数の光軸調整用合わせマークを
形成し、それらの光軸調整合わせマーク同士を合わせ、
半導体素子と光導波路とを光学的に結合するハイブリッ
ド光集積回路の製造方法において、基板上の複数の光軸
調整用合わせマークを真円に形成するものである。
【0012】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、光導波路のコアを基板上に形成するためのコアパ
ターニング工程と、基板上に半導体素子を位置合わせし
て搭載するための基板側の光軸調整用合わせマークを形
成するためのマークパターニング工程とを備え、半導体
素子の裏面に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
と、基板上に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
を合わせることで半導体素子と基板上に形成された光導
波路とを光学的に結合するハイブリッド光集積回路の製
造方法において、コアパターニング工程と上記マークパ
ターニング工程とを同時に行うものである。
法は、光導波路のコアを基板上に形成するためのコアパ
ターニング工程と、基板上に半導体素子を位置合わせし
て搭載するための基板側の光軸調整用合わせマークを形
成するためのマークパターニング工程とを備え、半導体
素子の裏面に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
と、基板上に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
を合わせることで半導体素子と基板上に形成された光導
波路とを光学的に結合するハイブリッド光集積回路の製
造方法において、コアパターニング工程と上記マークパ
ターニング工程とを同時に行うものである。
【0013】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程に、マークパターンとコアパターンとを同一面に描画
するフォトリソグラフィ用マスクを用いるものである。
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程に、マークパターンとコアパターンとを同一面に描画
するフォトリソグラフィ用マスクを用いるものである。
【0014】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程はフッ素系ガスを用いたドライエッチングで行うもの
である。
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程はフッ素系ガスを用いたドライエッチングで行うもの
である。
【0015】上記構成によれば、基板上に形成された複
数の光軸合わせマークを真円とすることにより、半導体
素子とSi基板上に形成された光導波路とが高い精度で
光学的に結合される。このため極めて精度の高いハイブ
リッド光集積回路が得られる。
数の光軸合わせマークを真円とすることにより、半導体
素子とSi基板上に形成された光導波路とが高い精度で
光学的に結合される。このため極めて精度の高いハイブ
リッド光集積回路が得られる。
【0016】コアパターニング工程とマークパターニン
グ工程とを同時に行うことにより、経時変化による位置
ずれが防止され、半導体素子と光導波路とが精度よく光
学的に結合される。
グ工程とを同時に行うことにより、経時変化による位置
ずれが防止され、半導体素子と光導波路とが精度よく光
学的に結合される。
【0017】マークパターンとコアパターンとが同一面
に描画されたフォトリソグラフィ用マスクを用いること
により、位置ずれが防止され、半導体素子と光導波路と
が精度よく光学的に結合される。
に描画されたフォトリソグラフィ用マスクを用いること
により、位置ずれが防止され、半導体素子と光導波路と
が精度よく光学的に結合される。
【0018】また、KOH水溶液によるSiのウエット
エッチングでは光軸調整用合わせマークの形状を真円と
することは不可能とされているが、フッ素系ガスを用い
たドライエッチングは等方性エッチングになりやすいの
で、マスクパターンの形状が正方形であってもほぼ真円
の形状に形成される。従つて、マスクパターンの形状を
多角形にすることで、ドライエッチングにより完全な真
円とすることができる。
エッチングでは光軸調整用合わせマークの形状を真円と
することは不可能とされているが、フッ素系ガスを用い
たドライエッチングは等方性エッチングになりやすいの
で、マスクパターンの形状が正方形であってもほぼ真円
の形状に形成される。従つて、マスクパターンの形状を
多角形にすることで、ドライエッチングにより完全な真
円とすることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を添
付図面に基づいて詳述する。
付図面に基づいて詳述する。
【0020】図1は本発明のハイブリッド光集積回路の
拡散分解図である。
拡散分解図である。
【0021】同図に示すハイブリッド光集積回路は、光
素子20の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク(正方
形)21と、Si基板22の表面に設けた光軸調整用合
わせマーク(真円)23とを赤外顕微鏡で検出し、光素
子20をSi基板22上に位置決めした後固定したもの
である。尚、同図においては24はバッファ層、25は
コア、26はクラッド層である。尚、図では両光軸調整
用合わせマーク21、23の数が2つずつであるが、限
定されるものではない。
素子20の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク(正方
形)21と、Si基板22の表面に設けた光軸調整用合
わせマーク(真円)23とを赤外顕微鏡で検出し、光素
子20をSi基板22上に位置決めした後固定したもの
である。尚、同図においては24はバッファ層、25は
コア、26はクラッド層である。尚、図では両光軸調整
用合わせマーク21、23の数が2つずつであるが、限
定されるものではない。
【0022】図2は図1に示したハイブリッド光集積回
路の製造方法を説明するための工程図である。
路の製造方法を説明するための工程図である。
【0023】外径3インチ、両面に酸化膜(SiO2 )
1μmが形成された厚さlmmのSi基板22上に対し
て、まず、レジストを塗布後マスクアライナーでSiベ
ンチ用のパターンを転写し、反応性イオンエッチング
(RIE)あるいはフッ酸を用いて不要な酸化膜を除去
し、その後、残されたSiO2 をマスク材としてSi基
板22のエッチングを行なう。エッチャントは濃度40
重量%、温度40℃の水酸化カリウム(KOH)の水溶
液を用い、深さ25μmのエッチングを行ないSiベン
チ27を形成する(図2(a)、(b))。
1μmが形成された厚さlmmのSi基板22上に対し
て、まず、レジストを塗布後マスクアライナーでSiベ
ンチ用のパターンを転写し、反応性イオンエッチング
(RIE)あるいはフッ酸を用いて不要な酸化膜を除去
し、その後、残されたSiO2 をマスク材としてSi基
板22のエッチングを行なう。エッチャントは濃度40
重量%、温度40℃の水酸化カリウム(KOH)の水溶
液を用い、深さ25μmのエッチングを行ないSiベン
チ27を形成する(図2(a)、(b))。
【0024】次に、Siベンチ27上にSiO2 のガラ
ス膜28を電子ビーム蒸着法や火炎堆積法で25μm堆
積させ、さらに、研磨等を行って不要なSiO2 のガラ
ス膜28を削り取りバッファ層24とする(図2
(c)、(d))。
ス膜28を電子ビーム蒸着法や火炎堆積法で25μm堆
積させ、さらに、研磨等を行って不要なSiO2 のガラ
ス膜28を削り取りバッファ層24とする(図2
(c)、(d))。
【0025】次に、バッファ層24が埋め込まれたSi
基板22上に、バッファ層24よりも屈折率の大きいコ
アガラス膜29を電子ビーム蒸着法で8μm形成する。
コアガラス膜29の表面上に、マグネトロン・スバッタ
リング法によりWSi膜30を1μm形成する(図2
(e))。
基板22上に、バッファ層24よりも屈折率の大きいコ
アガラス膜29を電子ビーム蒸着法で8μm形成する。
コアガラス膜29の表面上に、マグネトロン・スバッタ
リング法によりWSi膜30を1μm形成する(図2
(e))。
【0026】さらに、レジストを塗布した後、マスクア
ライナーでコア導波路と光軸調整用合わせマーク23を
形成するためのパターンを転写する。WSi膜30をマ
スク材としてCHF3 をエッチングガスとした反応性イ
オンエッチング(RIE)でコアガラス膜29をエッチ
ングする。WSi膜30にはコア25と光軸調整用合わ
せマーク23のパターン31とが同一面上に描画されて
いるので、コア25とパターン31とが同時に形成され
る。このため(コア25とパターン31とを別々に形成
する場合に比べて)、経時変化等により位置ずれが生じ
ることがなく位置精度が向上する(図2(f))。
ライナーでコア導波路と光軸調整用合わせマーク23を
形成するためのパターンを転写する。WSi膜30をマ
スク材としてCHF3 をエッチングガスとした反応性イ
オンエッチング(RIE)でコアガラス膜29をエッチ
ングする。WSi膜30にはコア25と光軸調整用合わ
せマーク23のパターン31とが同一面上に描画されて
いるので、コア25とパターン31とが同時に形成され
る。このため(コア25とパターン31とを別々に形成
する場合に比べて)、経時変化等により位置ずれが生じ
ることがなく位置精度が向上する(図2(f))。
【0027】次に、パターン31が形成されたSi基板
22を、コア25とパターン31とをマスク材としてN
F3 ガスをエッチングガスとした反応性イオンエッチン
グを行い、Siベンチ27の一部分をエッチングし、光
軸調整用合わせマーク23をSiベンチ27上に形成す
る。
22を、コア25とパターン31とをマスク材としてN
F3 ガスをエッチングガスとした反応性イオンエッチン
グを行い、Siベンチ27の一部分をエッチングし、光
軸調整用合わせマーク23をSiベンチ27上に形成す
る。
【0028】このとき、光軸調整用合わせマーク23の
エッチング形状は従来のKOH水溶液を用いたウエット
エッチングの場合と異なりほぼ真円である。この理由と
しては、NF3 ガスを用いたSiのドライエッチングは
若干、等方性エッチングになりやすく、この効果により
パターン31の形状が正方形であってもほぼ真円の形状
に形成されるからである。従って、マスクパターンの形
状を多角形にすることで、エッチングにより完全な真円
とすることが可能となる(図2(g))。
エッチング形状は従来のKOH水溶液を用いたウエット
エッチングの場合と異なりほぼ真円である。この理由と
しては、NF3 ガスを用いたSiのドライエッチングは
若干、等方性エッチングになりやすく、この効果により
パターン31の形状が正方形であってもほぼ真円の形状
に形成されるからである。従って、マスクパターンの形
状を多角形にすることで、エッチングにより完全な真円
とすることが可能となる(図2(g))。
【0029】次に、コア25及び光軸調整用合わせマー
ク23が形成されたSi基板22を、加熱されたターン
テーブルに置き、火炎堆積法を用いてまず、SiO2 −
B2O3 −P2 O5 系の多孔質ガラス層を300μm形
成する。その後、このSi基板22は電気炉内におい
て、石英ガラス炉心管内に位置させ、Heガス雰囲気で
1330℃の温度で1時間保持することにより透明ガラ
ス化して、クラッド層26を厚さ30μm形成した。ま
た、このクラッド層26の屈折率n0 は1.4576で
あり、バッファ層24の屈折率と等しいことを確認し
た。また本実施の形態ではコア導波路の幅及び高さは共
に8μm、コア25、バッファ層24及びクラッド層2
6間の比屈折率差は0.3%である(図2(h))。
ク23が形成されたSi基板22を、加熱されたターン
テーブルに置き、火炎堆積法を用いてまず、SiO2 −
B2O3 −P2 O5 系の多孔質ガラス層を300μm形
成する。その後、このSi基板22は電気炉内におい
て、石英ガラス炉心管内に位置させ、Heガス雰囲気で
1330℃の温度で1時間保持することにより透明ガラ
ス化して、クラッド層26を厚さ30μm形成した。ま
た、このクラッド層26の屈折率n0 は1.4576で
あり、バッファ層24の屈折率と等しいことを確認し
た。また本実施の形態ではコア導波路の幅及び高さは共
に8μm、コア25、バッファ層24及びクラッド層2
6間の比屈折率差は0.3%である(図2(h))。
【0030】次に、クラッド層26の表面上に、マグネ
トロン・スパッタリング法によりWSi膜を3μm形成
した。さらに、レジストを塗布後、マスクアライナで光
素子を搭載するためのピット部パターンを転写し、反応
性イオンエッチング(RIE)でクラッド層26のガラ
ス膜の一部をエッチングし、光素子搭載用ピット部32
及び光導波路部33を形成した(図2(i))。
トロン・スパッタリング法によりWSi膜を3μm形成
した。さらに、レジストを塗布後、マスクアライナで光
素子を搭載するためのピット部パターンを転写し、反応
性イオンエッチング(RIE)でクラッド層26のガラ
ス膜の一部をエッチングし、光素子搭載用ピット部32
及び光導波路部33を形成した(図2(i))。
【0031】次に、第1図に示したように光素子20に
形成された光軸調整用合わせマーク21と、本実施の形
態で作製したSi基板22上の光軸調整用合わせマーク
23により、赤外線顕微鏡で各々のマーク21、23を
検出し、光素子20をSi基板22上に固定させると図
1に示したようなハイブリッド光集積回路が形成され
る。
形成された光軸調整用合わせマーク21と、本実施の形
態で作製したSi基板22上の光軸調整用合わせマーク
23により、赤外線顕微鏡で各々のマーク21、23を
検出し、光素子20をSi基板22上に固定させると図
1に示したようなハイブリッド光集積回路が形成され
る。
【0032】その結果、光素子20と光導波路部33の
光軸位置ずれ量はわずか0.1μm以下であった。
光軸位置ずれ量はわずか0.1μm以下であった。
【0033】以上において本実施の形態のハイブリッド
光集積回路によれば、Si基板側光軸調整用マークと光
素子の光軸との相対位置精度が±0.5μm以下である
ため、光素子と光導波路との位置ずれ量をサブミクロン
以下とすることができ、高精度のハイブリッド光集積回
路が得られる。
光集積回路によれば、Si基板側光軸調整用マークと光
素子の光軸との相対位置精度が±0.5μm以下である
ため、光素子と光導波路との位置ずれ量をサブミクロン
以下とすることができ、高精度のハイブリッド光集積回
路が得られる。
【0034】また、本実施の形態のハイブリッド光集積
回路の製造方法によれば、Si基板側光軸調整用マーク
を形成するためのマークパターニングとコアを形成する
ためのコアパターニングとを同時に行い、かつ従来の方
法に比べSi基板上に形成するSi基板側光軸調整用マ
ークの形状を真円とすることが可能となり極めて高い精
度のハイブリッド光集積回路が得られる。
回路の製造方法によれば、Si基板側光軸調整用マーク
を形成するためのマークパターニングとコアを形成する
ためのコアパターニングとを同時に行い、かつ従来の方
法に比べSi基板上に形成するSi基板側光軸調整用マ
ークの形状を真円とすることが可能となり極めて高い精
度のハイブリッド光集積回路が得られる。
【0035】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【0036】基板上に形成された複数の光軸合わせマー
クを真円としたので、半導体素子とSi基板上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合されたハイブ
リッド光集積回路を実現することができる。
クを真円としたので、半導体素子とSi基板上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合されたハイブ
リッド光集積回路を実現することができる。
【図1】本発明のハイブリッド光集積回路の拡散分解図
である。
である。
【図2】図1に示したハイブリッド光集積回路の製造方
法を説明するための工程図である。
法を説明するための工程図である。
【図3】従来技術によるハイブリッド光集積回路の拡散
分解図である。
分解図である。
20 半導体素子(光素子) 21、23 光軸調整用合わせマーク 22 基板(Si基板) 33 光導波路(光導波路部)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳澤 雅弘 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 山田 泰文 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 岡野 広明 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 樋口 恵一 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 上塚 尚登 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 寺岡 達夫 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 金谷 達憲 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 黒岩 勉 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内
Claims (5)
- 【請求項1】 裏面に複数の光軸調整用合わせマークが
形成された半導体素子と、基板上に複数の光軸調整用合
わせマークが形成された基板とを両光軸調整用合わせマ
ーク同士が合うようにして半導体素子と光導波路とを光
学的に結合したハイブリッド光集積回路において、上記
基板上に形成された複数の光軸調整用合わせマークを真
円としたことを特徴とするハイブリッド光集積回路。 - 【請求項2】 半導体素子の裏面に複数の光軸調整用合
わせマークを形成し、基板上に複数の光軸調整用合わせ
マークを形成し、それらの光軸調整合わせマーク同士を
合わせ、半導体素子と光導波路とを光学的に結合するハ
イブリッド光集積回路の製造方法において、上記基板上
の複数の光軸調整用合わせマークを真円に形成すること
を特徴とするハイブリッド光集積回路の製造方法。 - 【請求項3】 光導波路のコアを基板上に形成するため
のコアパターニング工程と、上記基板上に半導体素子を
位置合わせして搭載するための基板側の光軸調整用合わ
せマークを形成するためのマークパターニング工程とを
備え、半導体素子の裏面に形成された複数の光軸調整用
合わせマークと、基板上に形成された上記複数の光軸調
整用合わせマークを合わせることで上記半導体素子と上
記基板上に形成された光導波路とを光学的に結合するハ
イブリッド光集積回路の製造方法において、上記コアパ
ターニング工程と上記マークパターニング工程とを同時
に行うことを特徴とするハイブリッド光集積回路の製造
方法。 - 【請求項4】 上記コアパターニング工程及び上記マー
クパターニング工程に、マークパターンとコアパターン
とを同一面に描画するフォトリソグラフィ用マスクを用
いる請求項3記載のハイブリッド光集積回路の製造方
法。 - 【請求項5】 上記コアパターニング工程及び上記マー
クパターニング工程はフッ素系ガスを用いたドライエッ
チングで行う請求項4記載のハイブリッド光集積回路の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23553896A JPH1078536A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23553896A JPH1078536A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1078536A true JPH1078536A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16987472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23553896A Pending JPH1078536A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1078536A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009086238A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nec Corp | 平面光波回路及びその製造方法並びに光導波路デバイス |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP23553896A patent/JPH1078536A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009086238A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nec Corp | 平面光波回路及びその製造方法並びに光導波路デバイス |
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