JPH1076213A - 塗布方法及び塗布装置 - Google Patents

塗布方法及び塗布装置

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JPH1076213A
JPH1076213A JP25231796A JP25231796A JPH1076213A JP H1076213 A JPH1076213 A JP H1076213A JP 25231796 A JP25231796 A JP 25231796A JP 25231796 A JP25231796 A JP 25231796A JP H1076213 A JPH1076213 A JP H1076213A
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JP
Japan
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coating
discharge
predetermined
coating liquid
resist
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JP25231796A
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English (en)
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Masami Akumoto
正巳 飽本
Kazutoshi Yoshioka
和敏 吉岡
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Priority to SG1997003055A priority patent/SG53052A1/en
Priority to KR1019970045568A priority patent/KR100489594B1/ko
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布液にパーティクル等の不純物が混入して
歩留まりが低下することがないように、事前に吐出され
る塗布液の適否をチェックする。 【解決手段】 ウエハWを保持するスピンチャック22
を収容した処理容器22の外部にレジスト液受容装置5
1を設け、パーティクルカウンタ52をそのプローブ5
1aに接続する。レジスト液吐出ノズルN1からレジス
ト液をウエハWに吐出させる前の段階で、レジスト液受
容装置51に吐出させ、パーティクルカウンタ52で該
レジスト液中のパーティクルを測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に所定
の塗布膜を形成する塗布方法、及び塗布装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるいわ
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
(以下、「ウエハ」という)などの被処理基板の表面
に、レジスト液を塗布してレジスト膜を形成する処理が
行われており、かかる処理を実施する場合、ウエハをス
ピンチャックと呼ばれる回転載置台の上に保持させ、例
えばその中心上方の位置にて、適宜の吐出部材、例えば
ノズルなどからレジスト液を吐出させ、該レジスト液を
遠心力によって拡散させてウエハ表面全体に均一に塗布
するようにしている。
【0003】かかるレジスト液を塗布した後、このウエ
ハを所定の温度にまで加熱して、レジスト液を硬化さ
せ、次いで露光装置で所定のパターンをレジスト膜に露
光させる処理が行われる。したがってこのレジスト膜中
に、パーティクルなどの不純物が混入していると、所定
のパターン露光やその後の現像処理、さらにはエッチン
グ処理に付した際に、所期の性能をもった製品が得られ
なくなって歩留まりが低下するおそれがある。そのため
従来では、レジスト液供給源とノズルとの間のレジスト
液供給経路に適宜フィルタを介装している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術のみをもってしては、塗布回数の増大に伴なっ
てフィルタが劣化し、吐出されたレジスト液中にパーテ
ィクルが混入して所期の塗布膜を形成できないおそれが
ある。そのためかかる事態を未然に防止する手段が必要
となってくる。
【0005】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したようなレジスト液などの塗布液をノズル
等の吐出部材から吐出させて被処理基板に所定の塗布膜
を形成するにあたり、吐出された塗布液にパーティクル
等の不純物が混入して歩留まりが低下することがないよ
うに、吐出される塗布液の適否を事前にチェックするこ
とができる塗布方法、並びに該塗布方法を好適に実施で
きる塗布装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項1によれば、容器内の回転載置台に保持され
た被処理基板に対して、所定の吐出位置において吐出部
材から塗布液を吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜
を形成する方法であって、前記所定の吐出位置で吐出す
る前に、この吐出位置とは異なった位置にある模擬吐出
(いわゆる、ダミーディスペンス)位置で塗布液を吐出
する工程と、前記模擬吐出位置で吐出された塗布液中の
不純物を測定する工程とを有することを特徴とする、塗
布方法が提供される。
【0007】吐出位置は、通常、被処理基板の中心上方
に設定されるので、模擬吐出位置は例えば当該中心上方
から外れた位置に設定すればよいが、不意の塗布液の吐
出等によって飛散した液が被処理基板にかからないよう
に、好ましくは被処理基板の上方を除いたエリアに設定
する方がよい。また模擬吐出位置で吐出された塗布液中
の不純物を測定するには、例えば吐出された塗布液を回
収し、回収した場所でパーティクルカウンタなどの測定
装置によって、塗布液中の不純物を測定すればよい。
【0008】このように請求項1の塗布方法によれば、
所定の吐出位置で吐出する前に、模擬吐出位置でこの塗
布液を吐出し、吐出された塗布液中の不純物を測定する
ようにしたので、パーティクル等の不純物が塗布液に混
入していても事前にそのことを知ることができる。なお
そのように模擬吐出位置で吐出させての不純物測定は、
所定の塗布位置での吐出を開始する直前毎であってもよ
く、また所定の時間経過毎や所定の塗布回数毎に行って
もよい。
【0009】請求項2によれば、容器内の回転載置台に
保持された被処理基板に対して、複数の吐出部材から選
択された特定吐出部材を用い、所定の吐出位置において
該特定吐出部材から塗布液を吐出して、該被処理基板に
所定の塗布膜を形成する方法であって、前記複数の吐出
部材から特定吐出部材を選択する工程と、前記所定の吐
出位置とは異なった位置にある模擬吐出位置で、前記選
択された特定吐出部材から塗布液を吐出させる工程と、
前記模擬吐出位置で吐出された塗布液中の不純物を測定
する工程とを有し、前記測定の結果、不純物が予め定め
た基準値よりも少ない場合のみ、前記特定吐出部材を所
定の吐出位置に移動させて塗布液を吐出させることを特
徴とする、塗布方法が提供される。
【0010】この請求項2の塗布方法においては、吐出
部材が複数あって、塗布液を吐出する際には、その中か
ら特定の吐出部材を選択して吐出させるような場合に対
処できる。この請求項2の塗布方法によれば、模擬吐出
位置で吐出された塗布液中の不純物を測定した結果、予
め定めた基準値よりも少ない場合のみ、この特定吐出部
材を所定の吐出位置に移動させて塗布液を吐出させるよ
うにしたので、前記請求項1の塗布方法と同様、パーテ
ィクル等の不純物が塗布液に混入していても事前にその
ことを知ることができ、しかもその場合、基準値よりも
多くの不純物が測定されれば、選択した特定吐出部材が
所定位置に移動することはないので、不純物が基準値よ
りも多く混入している塗布液が、誤って被処理基板に吐
出されることがない。
【0011】請求項3によれば、容器内の回転載置台に
保持された被処理基板に対して、所定の吐出位置におい
て塗布液を吐出部材から吐出して、該被処理基板に所定
の塗布膜を形成する装置であって、前記所定の吐出位置
とは異なった位置に設けられ、吐出部材から塗布された
塗布液を受容する塗布液受容装置と、前記塗布液受容装
置に吐出された塗布液中の不純物を測定する不純物測定
装置とを備えたことを特徴とする、塗布装置が提供され
る。
【0012】塗布液受容装置は、請求項1の項で記載し
たように、好ましくは、被処理基板の上方にかからない
位置に設定するのがよい。形態としては、例えば先端を
大きく開口した形状のもので提案できる。そして不純物
測定装置との間に、適宜のチューブやパイプ等で構成さ
れた経路を介して接続してもよい。この不純物測定装置
としては、例えばレーザ光を利用したパーティクルカウ
ンタを用いることができる。この請求項3の塗布装置に
よれば、請求項1の塗布方法を好適に実施できる。
【0013】ノズル等の吐出部材が複数ある場合、塗布
液受容装置は必ずしもその全部に対応して設ける必要は
なく、少なくとも1つ設けて共用するようにすれば、装
置全体の簡易化、スペースの節減、コストの低廉化等を
図ることができる。
【0014】また請求項3の塗布装置において、請求項
4に記載したように、塗布液受容装置における少なくと
も受容部分から不純物測定装置に至るまでの塗布液の経
路、即ち塗布液が接触した部分を洗浄する洗浄機構を備
えた構成としてもよい。これによって前回の塗布液や異
なった塗布液が付着残存して、不純物の量などを誤って
測定することはなく、常に精度のよい測定が実施でき
る。洗浄機構の例としては、例えば塗布液がレジスト液
であった場合、その溶剤を塗布液と同様にしてノズル等
によって塗布液受容装置に吐出させるようにすればよ
い。
【0015】請求項5の塗布装置によれば、容器内の回
転載置台に保持された被処理基板に対して、所定の吐出
位置において塗布液を吐出部材から吐出して、該被処理
基板に所定の塗布膜を形成する装置であって、塗布液中
の不純物を測定する不純物測定装置を有し、塗布液供給
源から吐出部材の吐出口までの供給系に、該吐出口側又
は前記不純物測定装置側へと経路を切り替え自在な切替
装置を設けたことを特徴とする、塗布装置が提供され
る。
【0016】この請求項5の塗布装置は、前記請求項
3、4の塗布装置と異なり、いわばインライン方式で塗
布液中の不純物を測定するようにしたものである。した
がって、模擬吐出させる必要はなく、また塗布液受容装
置がなくとも事前に塗布液中の不純物を測定することが
可能である。切替装置としては、例えば三方弁のような
切替弁を用いることができる。また吐出部材が複数あっ
てそれに対応して、塗布液供給源も複数ある場合には、
不純物測定装置側の経路を並列接続して1つにまとめれ
ば、経路が節減できると共に、1つの不純物測定装置で
全ての塗布液の測定が行える。
【0017】またこの請求項5の塗布装置においても、
請求項6に記載したように、切替装置から不純物測定装
置に至るまでの塗布液の経路、即ち塗布液が接触した部
分を洗浄する洗浄機構を備えれば、前回の塗布液や異な
った塗布液が経路内に残存して、誤測定することを防止
できる。洗浄機構としては、例えば塗布液がレジスト液
であった場合、その溶剤を不純物測定装置側の経路に流
すように構成すればよい。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると、図1はウエハに対して洗浄処理、
レジストの定着性を高めるアドヒージョン処理、レジス
ト液の塗布処理、これらの処理後に実施される適宜の加
熱処理、及び該加熱処理後にウエハを所定温度にまで冷
ます冷却処理、及び露光後の現像処理や加熱処理などの
処理を個別に行う各種処理装置を1つのシステムとして
まとめた塗布現像処理システム1の概観を示しており、
第1の実施形態にかかる塗布装置は、レジスト塗布装置
としてこの塗布現像処理システム1にユニットとして組
み込まれている。
【0019】この塗布現像処理システム1は、複数のウ
エハを収納する収納体であるカセットCを整列して複数
載置する載置部2と、この載置部2に載置されたカセッ
トC内のウエハWを取り出して、メイン搬送アーム3へ
と搬送する搬送機構4とを備えており、搬送機構4は、
カセットCの整列方向に沿って設けられている搬送路5
上を移動自在になっている。そしてウエハWに対して所
定の処理を行う各種の処理装置は、2つのメイン搬送ア
ーム3、6の各搬送路7、8を挟んだ両側に配置されて
いる。
【0020】さらにカセットCから取り出されたウエハ
Wの表面を洗浄するため、ウエハWを回転させながらブ
ラシ洗浄するブラシ洗浄装置9、ウエハWに対して高圧
ジェット洗浄する水洗洗浄装置10、ウエハWの表面を
疎水化処理してレジストの定着性を向上させるアドヒー
ジョン処理装置11、ウエハWを所定温度に冷却する冷
却処理装置12、回転するウエハWの表面にレジスト液
を塗布するレジスト液塗布装置13、13レジスト液塗
布後のウエハWを加熱したり、露光後のウエハWを加熱
する加熱処理装置14、露光後のウエハWを回転させな
がらその表面に現像液を供給して現像処理する現像処理
装置15、15が配置されている。そしてこれら各処理
装置はある程度集約化されており、適当な処理装置群に
まとめることで設置スペースの縮小、並びに処理効率の
向上が図られている。またこれら各種処理装置に対する
ウエハWの搬入出は、前記した2つのメイン搬送アーム
3、6によって行われている。またこれら各処理装置等
は、ケーシング16内に配置されている。そして本実施
形態にかかる塗布装置は、前記レジスト液塗布装置13
に適用されている。
【0021】レジスト液塗布装置13は、そのケーシン
グ13a内に、図2、図3に示した構成を有している。
即ち、ウエハWを収容する処理容器21の中に、ウエハ
Wを真空によって水平状態に吸着保持するスピンチャッ
ク22を備えており、このスピンチャック22は、処理
容器21の下方に装備されているパルスモータなどの駆
動機構23によって回転自在である。またその回転速度
も任意に制御できるようになっている。処理容器21内
の雰囲気は、処理容器21の底部中心から、外部に設置
されている真空ポンプなどの排気手段(図示せず)によ
って排気される。またレジスト液や溶剤は、スピンチャ
ック22の外方から、処理容器21の底部に設けられた
排液管24を通じて、処理容器21の下方に設置されて
いるドレインタンク25へと排出される。
【0022】第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装
置13においては、ウエハWに吐出されるレジスト液
は、4つの吐出部材を構成するレジスト液吐出ノズルN
1〜N4から吐出されるようになっており、各レジスト液
吐出ノズルN1〜N4は、図2、図3に示したように、各
々溶剤を吐出させる溶剤ノズルS1〜S4と各々組になっ
て、ノズルホルダ31、32、33、34に保持されて
いる。これらノズルホルダ31〜34は、ケーシング1
3a内において、前記処理容器21の外側で離れた位置
にて、適宜の保持機構13bによって保持されている。
なおこの保持機構13bには、各ノズルのノズル口を乾
燥固化させないように、各ノズルのノズル口を適宜の挿
入口(図示せず)に挿入して、ノズル口を溶剤雰囲気に
置くように配慮されている。
【0023】各ノズルホルダ31〜34は、基本的に同
一構成であり、例えば図2に示したノズルホルダ31に
基づき、その構成を詳述すれば、レジスト液吐出ノズル
N1へは、外部に設置されているレジスト液タンクなど
のレジスト液供給源R1から、レジスト液供給チューブ
41を通じて、所定のレジスト液が供給されるようにな
っており、該レジスト液供給チューブ41には、途中に
フィルタ42が介装され、パーティクルなどの不純物が
除去される。またレジスト液の供給自体は、ベローズポ
ンプなどの供給機構43によって行われ、一定量のレジ
スト液が吐出されるようになっている。なお各ノズルホ
ルダ31〜34には、後述のスキャンアーム37aが保
持するための保持ピンなどの保持部材31a、32a、
33a、34aが設けられている。
【0024】他のノズルホルダ32、33、34も、こ
のノズルホルダ31と同様な構成を有しており、各々独
立したレジスト液供給源(図示せず)からのレジスト液
を、各々対応するレジスト液吐出ノズルN2〜N4から吐
出させることが可能である。したがって、本実施形態に
おいては、4種類の異なったレジスト液を塗布すること
ができる。
【0025】またノズルホルダ31には、温度調節流体
を循環させるためのチューブによって構成された往路3
5a、復路35bが設けられており、往路35aを通じ
て外部から供給される温度調節流体を往路35aから復
路35bに流通させることにより、レジスト液供給チュ
ーブ41内を流れるレジスト液を一定温度に保ち、吐出
されるレジスト液が常に所定温度になるように配慮され
ている。
【0026】一方溶剤ノズルS1には、溶剤タンクなど
の溶剤供給源Tからの溶剤が、ポンプなどの供給機構4
4によって、溶剤チューブ45を通じて行われるように
なっており、さらにノズルホルダ31には、この溶剤チ
ューブ45内を流れる溶剤を所定温度に維持するため、
温度調節流体を流通させるためのチューブからなる往路
36a、復路36bが設けられている。
【0027】以上のようにレジスト液吐出ノズルN1と
溶剤ノズルS1とを組にして保持しているノズルホルダ
31は、スキャン機構37のスキャンアーム37aによ
って保持機構13bから取り出され、ウエハW上の所定
位置まで移動される。このスキャンアーム37aは、三
次元移動、即ちX方向、Y方向、Z方向への移動が可能
なように構成されている。また本実施形態においては、
各ノズルホルダ31〜34には、各々レジスト液吐出ノ
ズルNと溶剤ノズルSとが組にして保持されていたが、
これに代えて各ノズルホルダ31〜34には、レジスト
液吐出ノズルNだけを保持させ、溶剤ノズルを共用タイ
プとして1本化し、スキャンアーム37aの所定位置に
設けるようにしてもよい。
【0028】そして保持機構13bと、処理容器21と
の間の模擬吐出位置には、塗布液受容装置となるレジス
ト液受容装置51が設けられている。このレジスト液受
容装置51は、上端が開口したパイプ状の形態を有して
おり、その下端部には、レジスト液を測定するためにサ
ンプルを得るためのプローブ51aが設けられており、
このプローブ51aは、不純物測定装置としてのパーテ
ィクルカウンタ52が接続されている。このパーティク
ルカウンタ52は、例えばレーザ光を用いるなどして、
レジスト液中のパーティクルの数を測定する構成を有し
ている。なおプローブ51aに貯留されたレジスト液等
は、配管53を通じてドレインタンク25からの排液と
一緒に排出されるようになっている。
【0029】第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装
置13の主要部は、以上のような構成を有しており、処
理容器21内のスピンチャック22にウエハWが載置さ
れると、真空によって吸着保持される。次いで例えばス
ピンチャック22が回転を開始すると共に、所定のレジ
スト液を供給するためのレジスト液吐出ノズルNxを選
択し、当該レジスト液吐出ノズルNxを有しているノズ
ルホルダをスキャンアーム37aが取りにいく。例えば
レジスト液吐出ノズルN1が選択されると、スキャンア
ーム37aは、ノズルホルダ31を取りにいく。そして
通常は、ウエハW上の所定の吐出位置に移動し、最初に
溶剤ノズルS1から溶剤を吐出させ、これを拡散した
後、次に所定のレジスト液がレジスト液吐出ノズルN1
から吐出されるのである。
【0030】しかしながら、第1の実施形態にかかるレ
ジスト液塗布装置13においては、例えば次のようなプ
ロセスを行うことが可能である。例えばウエハWをスピ
ンチャック22上に載置させる前の段階にて、まず選択
されたレジスト液吐出ノズルNx、例えばレジスト液吐
出ノズルN1を有しているノズルホルダ31をスキャン
アーム37aが取りにいき、次いでレジスト液受容装置
51の上方で停止させる。その後このレジスト液吐出ノ
ズルN1から所定のレジスト液をレジスト液受容装置5
1に吐出させる。そして、パーティクルカウンタ52で
当該吐出されたレジスト液中のパーティクルを測定す
る。なお当該模擬吐出が終了し、測定に支障がなくなっ
た時点で、次回の測定に悪影響がないように、今度は溶
剤ノズルS1から溶剤をレジスト液受容装置51に吐出
させ、レジスト液が付着している部分を洗浄する。
【0031】前記測定の結果、パーティクルの量が予め
定めた基準値よりも少ない場合には、前記した通常の動
作にそのまま入る。即ちウエハWを載置させて、所定の
吐出処理を行う。もし測定の結果、パーティクルの量が
予め定めた基準値よりも多い場合には、そのことを警告
信号などの報知機構によって外部に知らせ、ノズルホル
ダ31を保持機構13bに戻し、以後動作を続行しな
い。例えば何らかの対策、手当がなされるまで、通常の
動作を実行しない。
【0032】この場合、あるいは、同一のレジスト液を
供給できるレジスト液吐出ノズルが他のノズルホルダ3
2〜34が保有しているとき、例えばノズルホルダ32
が保有しているレジスト液吐出ノズルN2から同一のレ
ジスト液を吐出できるときには、前記警告信号を発する
と共に、ノズルホルダ31を保持機構13bに戻した
後、スキャンアーム37aが、レジスト液吐出ノズルN
2を保有しているノズルホルダ32をとりにいき、再び
レジスト液受容装置51に吐出させ、同様な測定を実施
する。これによって以後の塗布処理を実行するか、どう
かが選択される。その間、作業員は、測定結果のパーテ
ィクル量が基準値よりも多かった、前記レジスト液吐出
ノズルN1の供給系の保守等を行えばよい。したがっ
て、装置自体を停止させることなく、レジスト液塗布処
理を続行できる。なお以上のようなプロセスは、全て制
御機構(図示せず)によって自動的になされる。
【0033】前記したレジスト液をいわば模擬的に吐出
させて、そのレジスト液中のパーティクルを測定するま
でに時間がかかるような場合には、例えば所定の塗布回
数を経過した後、所定量のレジスト液を塗布した後、あ
るいは、所定の日数、時間が経過した後、定期的に実行
すればよい。
【0034】以上のプロセスからもわかるように、第1
の実施形態にかかるレジスト液塗布装置13によれば、
塗布しようとするレジスト液中のパーティクルなどの不
純物を事前に調べることができ、レジスト液不良による
不測の事態を未然に防止することができる。
【0035】しかも模擬吐出させるためのレジスト液受
容装置51は、ウエハWとは離れた位置で処理容器21
の外部に配置されているので、模擬吐出によってスピン
チャック22等が汚染されることはない。かかる点に鑑
みれば、レジスト液受容装置51は、処理容器21の少
なくとも上面より下方に位置に設定すればなお好まし
い。またさらに、保持機構13b自体に、レジスト液受
容装置51のような機構を付設しておけば、さらにスペ
ースを縮小でき、処理容器21やスピンチャック22に
与える影響をより一層抑えることかできる。
【0036】そのように保持機構13b自体に、レジス
ト液受容装置51のような機構を付設した場合、スキャ
ンアーム37aによる取り出し→模擬吐出位置への移動
といった動作は不要であるから、例えば特定のノズルホ
ルダが使用されている間に、使用されていない他のノズ
ルホルダに保有されているレジスト液吐出ノズルのレジ
スト液を吐出させて、測定するようにしてもよい。例え
ば何枚かのウエハの塗布処理が終了した後に使用が予定
されているレジスト液吐出ノズルからのレジスト液の模
擬吐出とその測定を実施しておけば、不純物の測定を行
いつつ間断なくレジスト塗布処理が行える。もちろん前
記実施形態にかかるレジスト液塗布装置13のように、
保持機構13bから離れた位置にレジスト液受容装置5
1が設置してあった場合でも、スキャンアーム37aの
動作に時間的余裕があれば、使用していないレジスト液
吐出ノズルを保有しているノズルホルダをレジスト液受
容装置51の位置に移動させて、適宜測定を行ってもよ
い。
【0037】またレジスト液受容装置51の清浄状態を
保って次回の測定に影響がないことをさらに向上させる
ため、レジスト液受容装置51の開口部を開閉自在とし
たり、さらに、レジスト液受容装置51自体に溶剤等を
内部に吐出させるための自己洗浄機構をレジスト液受容
装置51に付設してもよい。なおプローブ51aの排液
のドレインタンク25への排出を良好にするため、配管
53に適宜ポンプを介装してもよい。
【0038】前記第1の実施形態にかかるレジスト液塗
布装置13は、装置内にレジスト液受容装置51を設け
ると共に、模擬吐出させてレジスト液中の不純物を測定
する構成を採っていたが、図4〜図6に示した第2の実
施形態にかかるレジスト液塗布装置61のように、いわ
ばインライン方式でレジスト液中の不純物を測定するよ
うにしてもよい。なお図4〜図6中、第1の実施形態に
かかるレジスト液塗布装置13と同一の符号で示される
部材は、同一の部材を示している。
【0039】この第2の実施形態にかかるレジスト液塗
布装置61は、各ノズルホルダ31〜34におけるレジ
スト液吐出ノズルN1〜N4へのレジスト液供給系が異な
っている点、並びにレジスト液受容装置51がない点
が、前記第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装置1
3と異なっている。したがって、これら以外の構成で、
第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装置13におい
て言及した点は、全てこの第2の実施形態にかかるレジ
スト液塗布装置61においても充当する。
【0040】この第2の実施形態にかかるレジスト液塗
布装置61の各ノズルホルダ31〜34におけるレジス
ト液吐出ノズルN1〜N4へのレジスト液供給系は、図
4、図6に示したような系統となっている。即ち、例え
ばノズルホルダ31に保有されているレジスト液吐出ノ
ズルN1には、レジスト液供給源R1からのレジスト液
が、供給機構43によってレジスト液供給チューブ62
を通じフィルタ42を介して供給されるようになってい
るが、レジスト液供給チューブ62におけるフィルタ4
2とレジスト液吐出ノズルN1との間に、供給経路を切
り替えるための切替装置として、例えば三方弁V1を介
装してある。そしてこの三方弁V1から分岐した分岐チ
ューブ62aにプローブ63を接続し、このプローブ6
4にパーティクルカウンタ52を接続したものである。
なおプローブ64の液体は、ドレインタンク25あるい
は、ドレインタンク25からの排液と一緒に排出される
ようになっている。この場合、プローブ63からの排液
を円滑に行うため、別途専用の排液ポンプを設けてもよ
い。
【0041】他のレジスト液吐出ノズルN2〜N4につい
ても、図6に示したように、同様にして各々対応するレ
ジスト液供給チューブ64、65、66に、夫々三方弁
V2、V3、V4を介装させて、分岐チューブ64a、6
5a、66aを接続し、さらに各分岐チューブ64a、
65a、66aを前記プローブ63に接続してある。し
たがってこれら分岐チューブ62a、64a、65a、
66aは、プローブ63に対しては、並列に接続されて
いる。
【0042】そして前記並列接続されている各分岐チュ
ーブ62a、64a、65a、66aに、洗浄チューブ
67の一端部が接続され、この洗浄チューブ67の他端
は、ポンプ68を介して、洗浄液、例えばレジスト液の
溶剤を供給するタンクなどの供給源T0に接続されてい
る。したがってこのポンプ68を作動させると、供給源
T0からの溶剤が、洗浄チューブ67を経て、各分岐チ
ューブ62a、64a、65a、66a及びプローブ6
3を洗浄できるようになっている。
【0043】なお溶剤の供給系統を単純化するため、前
出各ノズルホルダ31〜34の溶剤ノズルS1〜S4に供
給する溶剤供給源Tと供給源T0とを同一のものとして
共用タイプとしてもよい。
【0044】第2の実施形態にかかるレジスト液塗布装
置61の以上のような構成を有している。したがって、
三方弁V1〜V4を切り替えるだけで、レジスト液吐出ノ
ズルN1〜N4から吐出させるレジスト液を、対応する分
岐チューブ62a、64a、65a、66aを通じて得
ることができ、レジスト液吐出ノズルN1〜N4から実際
に吐出させることなく、パーティクルカウンタ52で不
純物の測定を実施できる。したがって、塗布しようとす
るレジスト液中のパーティクルなどの不純物を事前に調
べることができ、レジスト液不良による不測の事態を未
然に防止することができる。
【0045】測定手順としては、例えばレジスト液吐出
ノズルN1〜N4から所定のレジスト液吐出ノズルNxが
選択された時点で、当該レジスト液吐出ノズルNxの供
給系の三方弁Vxを分岐チューブ側、即ちパーティクル
カウンタ52側へと切り替えて、レジスト液を供給す
る。その結果、不純物が所定の基準をクリアしていれ
ば、通常の塗布処理動作を実施する。基準をクリアして
いなければ、前記第1の実施形態にかかるレジスト塗布
装置13の場合と、同様な手順を踏襲すればよい。なお
この場合も、一連のプロセスは全て制御機構(図示せ
ず)によって自動的になされる。
【0046】このように第2の実施形態にかかるレジス
ト液塗布装置61によれば、レジスト液吐出ノズルN1
〜N4から実際にレジスト液を吐出させる必要はないの
で、処理容器21内を汚染することは全くない。しかも
レジスト液受容装置51のような装置を、レジスト液塗
布装置61内に設ける必要もない。
【0047】そして前記測定に支障がなくなった時点
で、三方弁Vxを再びレジスト液吐出ノズルNx側へと切
り替え、その後洗浄チューブ67から供給される溶剤
で、分岐チューブ内を洗浄すれば、次回の測定に影響は
ない。また密閉系のインライン系統を使用して測定でき
るから、分岐チューブ62a、64a、65a、66a
系統の乾燥固化に腐心する必要もない。
【0048】測定タイミングについては、前記第1の実
施形態にかかるレジスト液塗布装置13の場合と同様で
あり、適宜所定の塗布回数を経過した後、所定の量のレ
ジスト液を供給した後、あるいは、所定の日数、時間が
経過した後、定期的に実行することが可能である。もち
ろんスキャンアーム37aの動作にかかわらず、測定が
行えるので、ある特定のレジスト液吐出ノズルNyを使
って塗布処理中に、他の、使用していないレジスト液吐
出ノズルNzへ供給するレジスト液の測定を並行して行
うことも可能である。
【0049】なお前記した各実施の形態は、レジスト液
塗布装置として具体化されていたが、本発明は、これに
限らず他の塗布装置に対しても適用可能である。また被
処理基板自体もウエハに限らず、例えばLCD用ガラス
基板であってもよい。
【0050】
【発明の効果】請求項1、2の塗布方法によれば、パー
ティクル等の不純物が塗布液に混入していても事前にそ
のことを知ることができ、歩留まりの向上を図ることが
できる。特に請求項2の塗布方法は、吐出部材が複数あ
る場合に対応でき、基準値よりも多くの不純物が測定さ
れれば、選択した特定吐出部材が所定位置に移動するこ
とはないので、かかる塗布液が誤って被処理基板に吐出
されることもない。
【0051】請求項3、4の塗布装置によれば、請求項
1の塗布方法を好適に実施することができ、パーティク
ル等の不純物が塗布液に混入していても事前にそのこと
を知ることが可能で、歩留まりの向上を図ることができ
る。特に請求項4の塗布装置によれば、常に精度よく不
純物の測定が行える。
【0052】請求項5、6の塗布装置によれば、パーテ
ィクル等の不純物が塗布液に混入していても、模擬吐出
させることなく、事前にそのことを知ることができ、歩
留まりの向上を図ることができる。しかも塗布液受容装
置は不要である。さらに特に請求項6の塗布装置では、
切替装置から不純物測定装置に至るまでの塗布液の流通
経路を洗浄することができるので、常に精度の良好な不
純物の測定が実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかるレジスト液
塗布装置を組み込んだ塗布現像処理システムの概観を示
す斜視図である。
【図2】第1の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の構成の概略を示す説明図である。
【図3】第1の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の平面からみた説明図である。
【図4】第2の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の構成の概略を示す説明図である。
【図5】第2の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の平面からみた説明図である。
【図6】第2の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
におるレジスト液吐出ノズルの供給系統を示す説明図で
ある。
【符号の説明】
13 レジスト液塗布装置 13a ケーシング 13b 保持機構 21 処理容器 22 スピンチャック 23 駆動機構 31、32、33、34 ノズルホルダ 37 スキャン機構 37a スキャンアーム 41 レジスト液供給チューブ 42 フィルタ 43 供給機構 45 溶剤供給チューブ 51 レジスト液受容装置 52 パーティクルカウンタ 62、64、65、66 レジスト液供給チューブ 67 洗浄チューブ N1〜N4 レジスト液吐出ノズル R1〜R4 レジスト液供給源 S1〜S4 溶剤ノズル T 溶剤供給源 T0 供給源 V1〜V4 三方弁 W ウエハ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 容器内の回転載置台に保持された被処理
    基板に対して、所定の吐出位置において吐出部材から塗
    布液を吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形成す
    る方法であって、前記所定の吐出位置で吐出する前に、
    この吐出位置とは異なった位置にある模擬吐出位置で塗
    布液を吐出する工程と、前記模擬吐出位置で吐出された
    塗布液中の不純物を測定する工程とを有することを特徴
    とする、塗布方法。
  2. 【請求項2】 容器内の回転載置台に保持された被処理
    基板に対して、複数の吐出部材から選択された特定吐出
    部材を用い、所定の吐出位置において該特定吐出部材か
    ら塗布液を吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形
    成する方法であって、前記複数の吐出部材から特定吐出
    部材を選択する工程と、前記所定の吐出位置とは異なっ
    た位置にある模擬吐出位置で、前記選択された特定吐出
    部材から塗布液を吐出させる工程と、前記模擬吐出位置
    で吐出された塗布液中の不純物を測定する工程とを有
    し、前記測定の結果、不純物が予め定めた基準値よりも
    少ない場合のみ、前記特定吐出部材を所定の吐出位置に
    移動させて塗布液を吐出させることを特徴とする、塗布
    方法。
  3. 【請求項3】 容器内の回転載置台に保持された被処理
    基板に対して、所定の吐出位置において塗布液を吐出部
    材から吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形成す
    る装置であって、前記所定の吐出位置とは異なった位置
    に設けられ、吐出部材から塗布された塗布液を受容する
    塗布液受容装置と、前記塗布液受容装置に吐出された塗
    布液中の不純物を測定する不純物測定装置とを備えたこ
    とを特徴とする、塗布装置。
  4. 【請求項4】 塗布液受容装置における少なくとも受容
    部分から不純物測定装置に至るまでの塗布液の経路を洗
    浄する洗浄機構を備えたことを特徴とする、請求項3に
    記載の塗布装置。
  5. 【請求項5】 容器内の回転載置台に保持された被処理
    基板に対して、所定の吐出位置において塗布液を吐出部
    材から吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形成す
    る装置であって、塗布液中の不純物を測定する不純物測
    定装置を有し、塗布液供給源から吐出部材の吐出口まで
    の供給系に、該吐出口側又は前記不純物測定装置側へと
    経路を切り替え自在な切替装置を設けたことを特徴とす
    る、塗布装置。
  6. 【請求項6】 前記切替装置から不純物測定装置に至る
    までの塗布液の経路を洗浄する洗浄機構を備えたことを
    特徴とする、請求項5に記載の塗布装置。
JP25231796A 1996-09-03 1996-09-03 塗布方法及び塗布装置 Pending JPH1076213A (ja)

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US08/915,737 US5938847A (en) 1996-09-03 1997-08-21 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
TW086112237A TW388067B (en) 1996-09-03 1997-08-26 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
SG1999000947A SG75156A1 (en) 1996-09-03 1997-08-27 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
SG1997003055A SG53052A1 (en) 1996-09-03 1997-08-27 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
KR1019970045568A KR100489594B1 (ko) 1996-09-03 1997-09-02 기판상에막을코팅하기위한방법과코팅장치
US09/299,573 US6268013B1 (en) 1996-09-03 1999-04-27 Coating a resist film, with pretesting for particle contamination

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014036198A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp 塗布装置および塗布方法
JP2018182267A (ja) * 2017-04-21 2018-11-15 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
JP2023137422A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 セメス カンパニー,リミテッド 液供給ユニット及び液供給方法

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