JPH1070058A - Ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造装置 - Google Patents
Ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造装置Info
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- JPH1070058A JPH1070058A JP8223614A JP22361496A JPH1070058A JP H1070058 A JPH1070058 A JP H1070058A JP 8223614 A JP8223614 A JP 8223614A JP 22361496 A JP22361496 A JP 22361496A JP H1070058 A JPH1070058 A JP H1070058A
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- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光量の損失がなく、露光時間が短縮され、ス
ループットを高めることができるＸ線縮小投影露光装置
及びこれを用いた半導体デバイス製造装置を提供する。 【解決手段】 スキャン露光によるＸ線縮小投影露光に
おいて、複数の微小な円筒面が平行に配列した反射面を
もつ斜入射反射インテグレータ５によって円弧状の領域
をケーラー照明する。円弧状の領域のみにＸ線が照射さ
れるので、光量の損失がなく露光時間が短縮する。
ループットを高めることができるＸ線縮小投影露光装置
及びこれを用いた半導体デバイス製造装置を提供する。 【解決手段】 スキャン露光によるＸ線縮小投影露光に
おいて、複数の微小な円筒面が平行に配列した反射面を
もつ斜入射反射インテグレータ５によって円弧状の領域
をケーラー照明する。円弧状の領域のみにＸ線が照射さ
れるので、光量の損失がなく露光時間が短縮する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線縮小投影露光装
置及びこれを用いた半導体デバイス製造装置に関する。
置及びこれを用いた半導体デバイス製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンをもつ半導体回路素子など
を製造する方法として、Ｘ線縮小投影露光方法がある。
この方法では、回路パターンが形成されたマスクをＸ線
で照明し、マスク上のパターンの像をウエハ面に縮小投
影し、その表面のレジストを露光し、パターンを転写す
る。
を製造する方法として、Ｘ線縮小投影露光方法がある。
この方法では、回路パターンが形成されたマスクをＸ線
で照明し、マスク上のパターンの像をウエハ面に縮小投
影し、その表面のレジストを露光し、パターンを転写す
る。
【０００３】従来のＸ線縮小投影露光のための装置とし
ては図１０にて示す構成のものが採用されていた。即ち
図１０は従来のＸ線縮小投影露光装置の摸式的構成図、
図１１は従来の反射型インテグレータの摸式的斜視図、
図１２は従来のマスク面上の照明領域を示す図である。
図中、符号１００１で示されるものはＸ線の発光点、１
００２はＸ線、１００３はフィルタ、１００４は第１の
回転放物面ミラー、１００５は反射型インテグレータ、
１００６は第２の回転放物面ミラー、１００７はマス
ク、１００８は投影光学系、１００９はウエハ、１０１
０はマスクステージ、１０１１はウエハステージ、１０
１２は円弧状アパーチャ、１０１３はレーザー光源、１
０１４はレーザー集光光学系、１０１５はマスク面上の
照明領域、１０１６は露光が行われる円弧状領域、１０
１７は真空容器である。
ては図１０にて示す構成のものが採用されていた。即ち
図１０は従来のＸ線縮小投影露光装置の摸式的構成図、
図１１は従来の反射型インテグレータの摸式的斜視図、
図１２は従来のマスク面上の照明領域を示す図である。
図中、符号１００１で示されるものはＸ線の発光点、１
００２はＸ線、１００３はフィルタ、１００４は第１の
回転放物面ミラー、１００５は反射型インテグレータ、
１００６は第２の回転放物面ミラー、１００７はマス
ク、１００８は投影光学系、１００９はウエハ、１０１
０はマスクステージ、１０１１はウエハステージ、１０
１２は円弧状アパーチャ、１０１３はレーザー光源、１
０１４はレーザー集光光学系、１０１５はマスク面上の
照明領域、１０１６は露光が行われる円弧状領域、１０
１７は真空容器である。
【０００４】従来のＸ線縮小投影露光装置は、Ｘ線光
源、照明光学系、マスク１００７、投影光学系１００
８、ウエハ１００９、マスク又はウエハを搭載したステ
ージ１０１０、１０１１、マスクやウエハの位置を精密
にあわせるアライメント機構、Ｘ線の減衰を防ぐために
光学系全体を真空に保つための真空容器１０１７と排気
装置、などからなる。
源、照明光学系、マスク１００７、投影光学系１００
８、ウエハ１００９、マスク又はウエハを搭載したステ
ージ１０１０、１０１１、マスクやウエハの位置を精密
にあわせるアライメント機構、Ｘ線の減衰を防ぐために
光学系全体を真空に保つための真空容器１０１７と排気
装置、などからなる。
【０００５】Ｘ線光源としてはレーザープラズマやアン
ジュレータなどが用いられる。照明光学系では光源から
のＸ線を第１の回転放物面ミラー１００４で集光し、反
射型インテグレータ１００５に照射し、２次光源を形成
し、さらにこの２次光源からのＸ線を第２の回転放物面
ミラー１００６で集光しマスク１００７を照明する。
ジュレータなどが用いられる。照明光学系では光源から
のＸ線を第１の回転放物面ミラー１００４で集光し、反
射型インテグレータ１００５に照射し、２次光源を形成
し、さらにこの２次光源からのＸ線を第２の回転放物面
ミラー１００６で集光しマスク１００７を照明する。
【０００６】マスク１００７は多層膜反射鏡の上にＸ線
吸収体などからなる非反射部を設けた転写パターンが形
成されたものである。マスク１００７で反射されたＸ線
は投影光学系１００８によってウエハ１００９面上に結
像する。投影光学系１００８では軸外の細い円弧状の領
域が良好な結像性能をもつように設計されている。露光
はこの細い円弧状領域のみが利用されて行われるように
ウエハ１００９直前に円弧状の開口をもったアパーチャ
１０１２が設けられている。矩型形状をしたマスク全面
のパターンを転写するため、マスク１００７とウエハ１
００９が同時にスキャンして露光が行われる。
吸収体などからなる非反射部を設けた転写パターンが形
成されたものである。マスク１００７で反射されたＸ線
は投影光学系１００８によってウエハ１００９面上に結
像する。投影光学系１００８では軸外の細い円弧状の領
域が良好な結像性能をもつように設計されている。露光
はこの細い円弧状領域のみが利用されて行われるように
ウエハ１００９直前に円弧状の開口をもったアパーチャ
１０１２が設けられている。矩型形状をしたマスク全面
のパターンを転写するため、マスク１００７とウエハ１
００９が同時にスキャンして露光が行われる。
【０００７】投影光学系１００８は複数の多層膜反射鏡
によって構成され、マスク１００７上のパターンをウエ
ハ１００９表面に縮小投影する。投影光学系１００８は
通常、テレセントリック系が用いられている。
によって構成され、マスク１００７上のパターンをウエ
ハ１００９表面に縮小投影する。投影光学系１００８は
通常、テレセントリック系が用いられている。
【０００８】照明光学系は、レーザープラズマＸ線光
源、第１の回転放物面ミラー１００４、反射型インテグ
レータ１００５、第２の回転放物面ミラー１００６で構
成される。反射型インテグレータ１００５には、図１１
のような微小な凸または凹球面を２次元に多数配列した
フライアイミラーが用いられる。レーザープラズマＸ線
光源１０１３の発光点１００１から放射されたＸ線１０
０２は第１の回転放物面ミラー１００４で反射して平行
なビームとなる。このビームが反射型インテグレータ１
００５で反射して、多数の２次光源を形成する。この２
次光源からのＸ線は第２の回転放物面ミラー１００６で
反射してマスク１００７を照明する。２次光源から第２
の回転放物面ミラー１００６、第２の回転放物面ミラー
１００６からマスク１００７までの距離は第２の回転放
物面ミラー１００６の焦点距離に等しく設定されてい
る。すなわち、２次光源の位置に第２の回転放物面ミラ
ー１００６の焦点が位置しているので２次光源の１つか
ら出たＸ線はマスク１００７を平行光で照射する。投影
光学系１００８はテレセントリック系が用いられている
ので２次光源の像が投影光学系１００８の入射瞳面に投
影されることになり、ケーラー照明の条件が満たされて
いる。マスク１００７上のある１点を照明するＸ線は全
ての２次光源から出たＸ線の重なったものである。
源、第１の回転放物面ミラー１００４、反射型インテグ
レータ１００５、第２の回転放物面ミラー１００６で構
成される。反射型インテグレータ１００５には、図１１
のような微小な凸または凹球面を２次元に多数配列した
フライアイミラーが用いられる。レーザープラズマＸ線
光源１０１３の発光点１００１から放射されたＸ線１０
０２は第１の回転放物面ミラー１００４で反射して平行
なビームとなる。このビームが反射型インテグレータ１
００５で反射して、多数の２次光源を形成する。この２
次光源からのＸ線は第２の回転放物面ミラー１００６で
反射してマスク１００７を照明する。２次光源から第２
の回転放物面ミラー１００６、第２の回転放物面ミラー
１００６からマスク１００７までの距離は第２の回転放
物面ミラー１００６の焦点距離に等しく設定されてい
る。すなわち、２次光源の位置に第２の回転放物面ミラ
ー１００６の焦点が位置しているので２次光源の１つか
ら出たＸ線はマスク１００７を平行光で照射する。投影
光学系１００８はテレセントリック系が用いられている
ので２次光源の像が投影光学系１００８の入射瞳面に投
影されることになり、ケーラー照明の条件が満たされて
いる。マスク１００７上のある１点を照明するＸ線は全
ての２次光源から出たＸ線の重なったものである。
【０００９】２次光源群の空間広がりの大きさをｄ、各
２次光源から出るＸ線の角度広がりをθ、第２の回転放
物面ミラー１００６の焦点距離をｆとすれば、マスク１
００７面上の照明領域１０１５の大きさはｆ×θ、マス
ク上の１点を照明するＸ線の角度広がりはｄ／ｆとな
る。
２次光源から出るＸ線の角度広がりをθ、第２の回転放
物面ミラー１００６の焦点距離をｆとすれば、マスク１
００７面上の照明領域１０１５の大きさはｆ×θ、マス
ク上の１点を照明するＸ線の角度広がりはｄ／ｆとな
る。
【００１０】照明光学系の特性を表わすパラメータとし
てコヒーレンスファクタσがある。投影光学系１００８
のマスク側開ロ数をＮＡｐ１、照明光学系のマスク側開
口数をＮＡｉとしたとき、コヒーレンスフアクタは σ＝ＮＡｉ／ＮＡｐ１ と定義される。最適なσの値は、必要な解像度とコント
ラストによって決定される。一般に、σが小さすぎる
と、ウエハ１００９上に投影された微細なパターンの像
のエッジ部に干渉パターンが現われ、σが大きすぎる
と、投影された像のコントラストが低下する。
てコヒーレンスファクタσがある。投影光学系１００８
のマスク側開ロ数をＮＡｐ１、照明光学系のマスク側開
口数をＮＡｉとしたとき、コヒーレンスフアクタは σ＝ＮＡｉ／ＮＡｐ１ と定義される。最適なσの値は、必要な解像度とコント
ラストによって決定される。一般に、σが小さすぎる
と、ウエハ１００９上に投影された微細なパターンの像
のエッジ部に干渉パターンが現われ、σが大きすぎる
と、投影された像のコントラストが低下する。
【００１１】σが０の場合にはコヒーレント照明と呼ば
れ、光学系の伝達関数ＯＴＦは投影光学系のウエハ１０
０９側開口数をＮＡｐ２、Ｘ線の波長をλとしてＮＡｐ
２／λで与えられる空間周波数までは一定値を示すが、
それを越える高周波数については０となってしまい、解
像出来ない。
れ、光学系の伝達関数ＯＴＦは投影光学系のウエハ１０
０９側開口数をＮＡｐ２、Ｘ線の波長をλとしてＮＡｐ
２／λで与えられる空間周波数までは一定値を示すが、
それを越える高周波数については０となってしまい、解
像出来ない。
【００１２】一方、σが１の場合にはインコヒーレント
照明と呼ばれ、ＯＴＦは空間周波数が大きくなるに従っ
て小さくなるが、２×ＮＡｐ２／λで与えられる空間周
波数までは０とならない。従ってより微細なバターンま
で解像することが出来る。Ｘ線露光においては、転写す
るパターンの形状や大ぎさ、適用するレジストプロセス
の特性などに応じて最適なσの値が選択され、通常σ＝
０．１〜１．０の値となるように設定される。
照明と呼ばれ、ＯＴＦは空間周波数が大きくなるに従っ
て小さくなるが、２×ＮＡｐ２／λで与えられる空間周
波数までは０とならない。従ってより微細なバターンま
で解像することが出来る。Ｘ線露光においては、転写す
るパターンの形状や大ぎさ、適用するレジストプロセス
の特性などに応じて最適なσの値が選択され、通常σ＝
０．１〜１．０の値となるように設定される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｘ線縮小投影露光装置には次の様な欠点があった。即
ち、図１２に示すように、マスク面上の照明領域１０１
５の形状は実際に露光が行われる円弧状領域１０１６を
含むほぼ矩型形状や惰円形の領域であり、露光領域以外
の部分に多くのＸ線が照射される。このＸ線は露光に寄
与せず、無駄になる。このようにＸ線光量の損失が非常
に大きく、そのため、露光時間が長くかかり、スループ
ットを高めることができないという欠点があった。
Ｘ線縮小投影露光装置には次の様な欠点があった。即
ち、図１２に示すように、マスク面上の照明領域１０１
５の形状は実際に露光が行われる円弧状領域１０１６を
含むほぼ矩型形状や惰円形の領域であり、露光領域以外
の部分に多くのＸ線が照射される。このＸ線は露光に寄
与せず、無駄になる。このようにＸ線光量の損失が非常
に大きく、そのため、露光時間が長くかかり、スループ
ットを高めることができないという欠点があった。
【００１４】上記従来技術の問題点に鑑み、本発明の目
的は、光量の損失がなく、露光時間が短縮され、スルー
プットを高めることができるＸ線縮小投影露光装置及び
これを用いた半導体デバイス製造装置を提供することに
ある。
的は、光量の損失がなく、露光時間が短縮され、スルー
プットを高めることができるＸ線縮小投影露光装置及び
これを用いた半導体デバイス製造装置を提供することに
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線縮小露光方
法は、Ｘ線ビームを放射する光源と、回路パターンが形
成されたマスクと、光源からのＸ線ビームをマスク面上
に照明する照明光学系と、マスクからの反射ビームをウ
エハ面上に収束させて回路パターンの像を縮小投影する
投影光学系とからなるＸ線縮小投影露光装置において、
照明光学系は、Ｘ線ビームを平行Ｘ線ビームにする第１
の凹面ミラーと、平行Ｘ線ビームを反射する複数円筒面
をもつ反射型インテグレータと、反射された平行Ｘ線ビ
ームを更に反射してマスク面上に照明する第２の凹面ミ
ラーとを備えている。
法は、Ｘ線ビームを放射する光源と、回路パターンが形
成されたマスクと、光源からのＸ線ビームをマスク面上
に照明する照明光学系と、マスクからの反射ビームをウ
エハ面上に収束させて回路パターンの像を縮小投影する
投影光学系とからなるＸ線縮小投影露光装置において、
照明光学系は、Ｘ線ビームを平行Ｘ線ビームにする第１
の凹面ミラーと、平行Ｘ線ビームを反射する複数円筒面
をもつ反射型インテグレータと、反射された平行Ｘ線ビ
ームを更に反射してマスク面上に照明する第２の凹面ミ
ラーとを備えている。
【００１６】また、反射型インテグレータの円筒面の軸
と入射する平行Ｘ線ビームの光軸とが同一平面上にあっ
てもよい。また、マスク面上の照明領域が円弧状の形状
をしていてもよい。また、反射型インテグレータの反射
面には多層膜または単層膜が形成されていてもよい。ま
た、マスク面上の照明は、ほぼケーラー照明の条件を満
たしていてもよい。また、光源はレーザープラズマＸ線
光源またはアンジュレータＸ線光源であってもよい。
と入射する平行Ｘ線ビームの光軸とが同一平面上にあっ
てもよい。また、マスク面上の照明領域が円弧状の形状
をしていてもよい。また、反射型インテグレータの反射
面には多層膜または単層膜が形成されていてもよい。ま
た、マスク面上の照明は、ほぼケーラー照明の条件を満
たしていてもよい。また、光源はレーザープラズマＸ線
光源またはアンジュレータＸ線光源であってもよい。
【００１７】本発明の半導体デバイス製造装置は、上述
のＸ線縮小投影露光装置から成る。
のＸ線縮小投影露光装置から成る。
【００１８】即ち、多数の円筒面を平行に多数並べた広
い面積の反射鏡からなる反射型インテグレータを用いる
ことによって、マスク上の円弧状領域のみが照明され
る。マスクの照明領域の形状は実際に露光が行われる円
弧領域に限定され、露光領域以外の部分にＸ線が無駄に
照射されることがない。従って光量の損失がなく、露光
時間が短縮され、スループットを高めることができる。
い面積の反射鏡からなる反射型インテグレータを用いる
ことによって、マスク上の円弧状領域のみが照明され
る。マスクの照明領域の形状は実際に露光が行われる円
弧領域に限定され、露光領域以外の部分にＸ線が無駄に
照射されることがない。従って光量の損失がなく、露光
時間が短縮され、スループットを高めることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】マスク面上の露光領域以外の広い
領域が照明されるために光量の損失が非常に大きく、露
光時間が長くかかり、スループットを高めることができ
ない、という従来の技術の欠点は複数の円筒面をもった
反射型インテグレータを用いることによって以下のよう
にして解決される。
領域が照明されるために光量の損失が非常に大きく、露
光時間が長くかかり、スループットを高めることができ
ない、という従来の技術の欠点は複数の円筒面をもった
反射型インテグレータを用いることによって以下のよう
にして解決される。
【００２０】図１は複数の凸円筒面をもった反射型凸円
筒面インテグレータに平行光が入射した場合の摸式的斜
視図、図２は反射型凸円筒面インテグレータの摸式的断
面図、図３は反射型凸円筒面インテグレータの円筒面で
のＸ線反射の説明図、図４は反射型凸円筒面インテグレ
ータの円筒面で反射したＸ線の角度分布図である。
筒面インテグレータに平行光が入射した場合の摸式的斜
視図、図２は反射型凸円筒面インテグレータの摸式的断
面図、図３は反射型凸円筒面インテグレータの円筒面で
のＸ線反射の説明図、図４は反射型凸円筒面インテグレ
ータの円筒面で反射したＸ線の角度分布図である。
【００２１】図中、符号５は反射型凸円筒面インテグレ
ータである。
ータである。
【００２２】すなわち、Ｘ線光源から放射されるほぼ平
行なＸ線ビームを複数の円筒面をもった反射型インテグ
レータに入射し、このインテグレータによって２次光源
を形成するとともに、この２次光源から放射されるＸ線
の角度分布を円錐面状とし、２次光源位置を焦点とする
反射鏡でこのＸ線を反射してマスクを照明する。
行なＸ線ビームを複数の円筒面をもった反射型インテグ
レータに入射し、このインテグレータによって２次光源
を形成するとともに、この２次光源から放射されるＸ線
の角度分布を円錐面状とし、２次光源位置を焦点とする
反射鏡でこのＸ線を反射してマスクを照明する。
【００２３】複数の円筒面をもった反射型インテグレー
タの作用を説明するため先ず、一つの円筒面反射鏡に平
行光が入射した場合の反射光の振る舞いについて図３を
基に述べる。一つの円筒面にその中心軸に垂直な面に対
してθの角度で平行光を入射する場合を考える。平行な
入射光の光線べクトルを Ｒ１＝（０、−ｃｏｓθ、ｓｉｎθ） 円筒面形状の反射面の法線べクトルを ｎ＝（−ｓｉｎα、ｃｏｓα、０） とすると、反射光の光線べクトルは Ｒ２＝（ｃｏｓθ×ｓｉｎ２α、ｃｏｓθ×ｃｏｓ２
α、ｓｉｎθ） となる。このとき反射光の光線ベクトルを位相空間にプ
ロットすれば、図４に示すようにｘｙ平面上で半径ｃｏ
ｓθの円となる。即ち、反射光は円錐面状の発散光にな
る。この円錐面の頂点の位置に２次光源が存在すること
になる。円筒面が凹面であれば反射面の外部に、凸面で
あれば反射面の内部に、２次光源が存在することにな
る。また、図２に示すように反射面が円筒面の−部に限
られていて、その中心角が２φであるときには、図４に
示すように反射光の光線べクトルはｘｙ平面上で中心角
４φの円弧となる。
タの作用を説明するため先ず、一つの円筒面反射鏡に平
行光が入射した場合の反射光の振る舞いについて図３を
基に述べる。一つの円筒面にその中心軸に垂直な面に対
してθの角度で平行光を入射する場合を考える。平行な
入射光の光線べクトルを Ｒ１＝（０、−ｃｏｓθ、ｓｉｎθ） 円筒面形状の反射面の法線べクトルを ｎ＝（−ｓｉｎα、ｃｏｓα、０） とすると、反射光の光線べクトルは Ｒ２＝（ｃｏｓθ×ｓｉｎ２α、ｃｏｓθ×ｃｏｓ２
α、ｓｉｎθ） となる。このとき反射光の光線ベクトルを位相空間にプ
ロットすれば、図４に示すようにｘｙ平面上で半径ｃｏ
ｓθの円となる。即ち、反射光は円錐面状の発散光にな
る。この円錐面の頂点の位置に２次光源が存在すること
になる。円筒面が凹面であれば反射面の外部に、凸面で
あれば反射面の内部に、２次光源が存在することにな
る。また、図２に示すように反射面が円筒面の−部に限
られていて、その中心角が２φであるときには、図４に
示すように反射光の光線べクトルはｘｙ平面上で中心角
４φの円弧となる。
【００２４】次に、円筒面の一部からなる反射鏡に平行
光が入射し、この２次光源の位置に焦点をもつ焦点距離
ｆの反射鏡と、さらにこの反射鏡からｆだけ離れた位置
にマスクを配置した場合を考える。２次光源から出た光
は円錐面状の発散光になり焦点距離ｆの反射鏡で反射し
たのち、平行光となる。このときの反射光は半径ｆ×ｃ
ｏｓθで中心角４φの円弧状断面のシートビームにな
る。従ってマスク上の半径ｆ×ｃｏｓθで中心角４φの
円弧状領域のみが照明されることになる。
光が入射し、この２次光源の位置に焦点をもつ焦点距離
ｆの反射鏡と、さらにこの反射鏡からｆだけ離れた位置
にマスクを配置した場合を考える。２次光源から出た光
は円錐面状の発散光になり焦点距離ｆの反射鏡で反射し
たのち、平行光となる。このときの反射光は半径ｆ×ｃ
ｏｓθで中心角４φの円弧状断面のシートビームにな
る。従ってマスク上の半径ｆ×ｃｏｓθで中心角４φの
円弧状領域のみが照明されることになる。
【００２５】これまでは１つの円筒面反射鏡について説
明してきたが、次に、図１に示すように円筒面インテグ
レータ即ち、多数の円筒面を平行に多数並べた広い面積
の反射鏡に太さＤの平行光が入射した場合を考える。先
の例と同様に反射鏡とマスクを配置したとすれば、円筒
面を平行に多数並ベた反射鏡で反射された光の角度分布
は先の例と変わらないので、マスク上では半径ｆ×ｃｏ
ｓθで中心角４φの円弧状領域が照明される。また、マ
スク上の一点に入射する光は円筒面を平行に多数並べた
反射鏡の照射領域全域から到達するので、その角度広が
りはＤ／ｆとなる。即ち、照明系の開口数はＤ／（２
ｆ）となる。投影光学系のマスク側開口数をＮＡｐ１と
したとき、コヒーレンスフアクタは σ＝Ｄ／（２ｆＮＡｐ１） となる。したがって平行光の太さによって最適なコヒー
レンスファクタσに設定することができる。
明してきたが、次に、図１に示すように円筒面インテグ
レータ即ち、多数の円筒面を平行に多数並べた広い面積
の反射鏡に太さＤの平行光が入射した場合を考える。先
の例と同様に反射鏡とマスクを配置したとすれば、円筒
面を平行に多数並ベた反射鏡で反射された光の角度分布
は先の例と変わらないので、マスク上では半径ｆ×ｃｏ
ｓθで中心角４φの円弧状領域が照明される。また、マ
スク上の一点に入射する光は円筒面を平行に多数並べた
反射鏡の照射領域全域から到達するので、その角度広が
りはＤ／ｆとなる。即ち、照明系の開口数はＤ／（２
ｆ）となる。投影光学系のマスク側開口数をＮＡｐ１と
したとき、コヒーレンスフアクタは σ＝Ｄ／（２ｆＮＡｐ１） となる。したがって平行光の太さによって最適なコヒー
レンスファクタσに設定することができる。
【００２６】次に、上述の複数の円筒面をもった反射型
インテグレータを用いた本発明の実施の形態について図
面を参照して説明する。
インテグレータを用いた本発明の実施の形態について図
面を参照して説明する。
【００２７】（発明の第１の実施の形態）図５は本発明
の第１の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の摸式的構
成図、図６は本発明の第１の実施の形態の反射型凸円筒
面インテグレータの摸式的斜視図、図７は本発明の第１
の実施の形態のマスク面上の照明領域を示す図である。
の第１の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の摸式的構
成図、図６は本発明の第１の実施の形態の反射型凸円筒
面インテグレータの摸式的斜視図、図７は本発明の第１
の実施の形態のマスク面上の照明領域を示す図である。
【００２８】図中、符号１で示されるものはＸ線の発光
点、２はＸ線、３はフィルタ、４は第１の回転放物面ミ
ラー、５は反射型凸円筒面インテグレータ、６は第２の
回転放物面ミラー、７はマスク、８は投影光学系、９は
ウエハ、１０はマスクステージ、１１はウエハステー
ジ、１２は円弧状アパーチャ、１３はレーザープラズマ
Ｘ線光源、１４はレーザー集光光学系、１５はマスク面
上の照明領域、１６は露光が行われる円弧状領域、１７
は真空容器である。
点、２はＸ線、３はフィルタ、４は第１の回転放物面ミ
ラー、５は反射型凸円筒面インテグレータ、６は第２の
回転放物面ミラー、７はマスク、８は投影光学系、９は
ウエハ、１０はマスクステージ、１１はウエハステー
ジ、１２は円弧状アパーチャ、１３はレーザープラズマ
Ｘ線光源、１４はレーザー集光光学系、１５はマスク面
上の照明領域、１６は露光が行われる円弧状領域、１７
は真空容器である。
【００２９】本発明の第１の実施の形態のＸ線縮小投影
露光装置は、レーザープラズマＸ線光源１３、照明光学
系、マスク７、投影光学系８、ウエハ９、マスク又はウ
エハを搭載したステージ１０、１１、マスクやウエハの
位置を精密にあわせるアライメント機構、Ｘ線の減衰を
防ぐために光学系全体を真空に保つための真空容器１７
と排気装置、などからなる。
露光装置は、レーザープラズマＸ線光源１３、照明光学
系、マスク７、投影光学系８、ウエハ９、マスク又はウ
エハを搭載したステージ１０、１１、マスクやウエハの
位置を精密にあわせるアライメント機構、Ｘ線の減衰を
防ぐために光学系全体を真空に保つための真空容器１７
と排気装置、などからなる。
【００３０】照明光学系は、第１の回転放物面ミラー
４、反射型凸円筒面インテグレータ５、第２の回転放物
面ミラー６で構成される。マスク７は多層膜反射鏡の上
にＸ線吸収体からなる非反射部による転写パターンが形
成されたものである。マスク７で反射されたＸ線は投影
光学系８によってウエハ９面上に結像する。投影光学系
８では軸外の細い円弧状の領域が良好な結像性能をもつ
ように設計されている。例えば、縮小倍率１／５、マス
ク７面で軸外２００ｍｍ、ウエハ９面状で軸外４０ｍ
ｍ、幅１ｍｍの領域で高い結像性能が確保されている。
露光はこの細い円弧状領域のみが利用されて行われるよ
うにウエハ９直前に円弧状の開口をもったアパーチャ１
２が設けられている。矩形状をしたマスク７全面のパタ
ーンを転写するため、マスク７とウエハ９が同時にスキ
ャンして露光が行われる。投影光学系８は２枚の多層膜
反射鏡によって構成され、マスク７上のパターンをウエ
ハ９表面に縮小投影する。投影光学系８はテレセントリ
ック系が用いられている。
４、反射型凸円筒面インテグレータ５、第２の回転放物
面ミラー６で構成される。マスク７は多層膜反射鏡の上
にＸ線吸収体からなる非反射部による転写パターンが形
成されたものである。マスク７で反射されたＸ線は投影
光学系８によってウエハ９面上に結像する。投影光学系
８では軸外の細い円弧状の領域が良好な結像性能をもつ
ように設計されている。例えば、縮小倍率１／５、マス
ク７面で軸外２００ｍｍ、ウエハ９面状で軸外４０ｍ
ｍ、幅１ｍｍの領域で高い結像性能が確保されている。
露光はこの細い円弧状領域のみが利用されて行われるよ
うにウエハ９直前に円弧状の開口をもったアパーチャ１
２が設けられている。矩形状をしたマスク７全面のパタ
ーンを転写するため、マスク７とウエハ９が同時にスキ
ャンして露光が行われる。投影光学系８は２枚の多層膜
反射鏡によって構成され、マスク７上のパターンをウエ
ハ９表面に縮小投影する。投影光学系８はテレセントリ
ック系が用いられている。
【００３１】レーザープラズマＸ線光源１３の発光点１
から放射されたＸ線２はターゲットの飛散物防止のフィ
ルタ３を透過し、第１の回転放物面ミラー４で反射して
平行なビームとなる。このビームが反射型凸円筒面イン
テグレータ５で反射して、多数の２次光源を形成する。
この２次光源からのＸ線は第２の回転放物面ミラー６で
反射してマスク７を照明する。２次光源から第２の回転
放物面ミラー６、及び第２の回転放物面ミラー６からマ
スク７までの距離はいずれも第２の回転放物面ミラー６
の焦点距離に等しく設定されていて、ケーラー照明の条
件が満たされている。
から放射されたＸ線２はターゲットの飛散物防止のフィ
ルタ３を透過し、第１の回転放物面ミラー４で反射して
平行なビームとなる。このビームが反射型凸円筒面イン
テグレータ５で反射して、多数の２次光源を形成する。
この２次光源からのＸ線は第２の回転放物面ミラー６で
反射してマスク７を照明する。２次光源から第２の回転
放物面ミラー６、及び第２の回転放物面ミラー６からマ
スク７までの距離はいずれも第２の回転放物面ミラー６
の焦点距離に等しく設定されていて、ケーラー照明の条
件が満たされている。
【００３２】反射型凸円筒面インテグレータ５は、図６
に示すように微小な凸円筒面を１次元に多数配列した形
状の反射面をもつ全反射ミラーである。反射型凸円筒面
インテグレータ５の断面の円弧の半径は０．５ｍｍ、中
心角は３０°である。これに平行光を入射した場合には
反射面から０．２５ｍｍ内部に入った平面上に平行に並
んだ線分状の２次光源すなわちレーザープラズマＸ線光
源１３の虚像が形成される。
に示すように微小な凸円筒面を１次元に多数配列した形
状の反射面をもつ全反射ミラーである。反射型凸円筒面
インテグレータ５の断面の円弧の半径は０．５ｍｍ、中
心角は３０°である。これに平行光を入射した場合には
反射面から０．２５ｍｍ内部に入った平面上に平行に並
んだ線分状の２次光源すなわちレーザープラズマＸ線光
源１３の虚像が形成される。
【００３３】本実施の形態では平行Ｘ線ビームの太さＤ
は２０ｍｍ、反射型凸円筒面インテグレータ５ヘの平行
Ｘ線ビームの入射角θは８５゜である。反射型凸円筒面
インテグレータ５に平行光を入射した場合には反射面か
ら０．２５ｍｍ離れた平面上に平行に並んだ線分状の２
次光源が形成される２次光源の位置に焦点をもつ焦点距
離ｆ＝２３００ｍｍの第２の回転放物面ミラー６とさら
にこの第２の回転放物面ミラー６から２３００ｍｍだけ
離れた位置にマスク７を配置してある。２次光源上の１
点から出た光は円錐面状角度分布をもつ発散光になり、
焦点距離ｆ＝２３００ｍｍの第２の回転放物面ミラー６
で反射したのち、平行光となる。そして図７に示すよう
にマスク７上の半径２３００ｍｍ×ｃｏｓ８５゜＝２０
０ｍｍで中心角３０゜×２＝６０゜の円弧状領域１６が
照明される。このとき、照明光学系の開口数は２０／
（２×２３００）＝０．００４３となる。投影光学系の
開ロ数がマスク側０．０１、ウエハ側０．０５とすれ
ば、コヒーレンスファクタσは０．４３となる。マスク
７面ではマスク７上の半径２００ｍｍで中心角６０゜の
円弧状領域１６が照明され、この領域のパターンが投影
光学系８によってウエハ９上のレジスト面に縮小投影さ
れる。縮小倍率を１／５とすれば、ウエハ９上の半径４
０ｍｍで中心角６０゜の円弧状領域が―度に露光され、
マスク７とウエハ９を同時にスキャンすることで、例え
ば４０ｍｍ角の正方形領域が高い精度で露光される。
は２０ｍｍ、反射型凸円筒面インテグレータ５ヘの平行
Ｘ線ビームの入射角θは８５゜である。反射型凸円筒面
インテグレータ５に平行光を入射した場合には反射面か
ら０．２５ｍｍ離れた平面上に平行に並んだ線分状の２
次光源が形成される２次光源の位置に焦点をもつ焦点距
離ｆ＝２３００ｍｍの第２の回転放物面ミラー６とさら
にこの第２の回転放物面ミラー６から２３００ｍｍだけ
離れた位置にマスク７を配置してある。２次光源上の１
点から出た光は円錐面状角度分布をもつ発散光になり、
焦点距離ｆ＝２３００ｍｍの第２の回転放物面ミラー６
で反射したのち、平行光となる。そして図７に示すよう
にマスク７上の半径２３００ｍｍ×ｃｏｓ８５゜＝２０
０ｍｍで中心角３０゜×２＝６０゜の円弧状領域１６が
照明される。このとき、照明光学系の開口数は２０／
（２×２３００）＝０．００４３となる。投影光学系の
開ロ数がマスク側０．０１、ウエハ側０．０５とすれ
ば、コヒーレンスファクタσは０．４３となる。マスク
７面ではマスク７上の半径２００ｍｍで中心角６０゜の
円弧状領域１６が照明され、この領域のパターンが投影
光学系８によってウエハ９上のレジスト面に縮小投影さ
れる。縮小倍率を１／５とすれば、ウエハ９上の半径４
０ｍｍで中心角６０゜の円弧状領域が―度に露光され、
マスク７とウエハ９を同時にスキャンすることで、例え
ば４０ｍｍ角の正方形領域が高い精度で露光される。
【００３４】このように、本実施の形態では微小な凸円
筒面を１次元に多数配列した形状の反射面をもつ反射型
凸円筒面インテグレータ５を用いることによって、マス
ク７を照明する領域を円弧状にし、同時に照明光学系の
コヒーレンスファクタを最適値に設定することができ
る。またマスク７面上の照明領域１５の形状は実際に露
光が行われる円弧状領域１６に限定され、露光領域以外
の部分にＸ線が無駄に照射されることがない。従って光
量の損失がなく、露光時間が短縮され、スループットを
高めることができる。
筒面を１次元に多数配列した形状の反射面をもつ反射型
凸円筒面インテグレータ５を用いることによって、マス
ク７を照明する領域を円弧状にし、同時に照明光学系の
コヒーレンスファクタを最適値に設定することができ
る。またマスク７面上の照明領域１５の形状は実際に露
光が行われる円弧状領域１６に限定され、露光領域以外
の部分にＸ線が無駄に照射されることがない。従って光
量の損失がなく、露光時間が短縮され、スループットを
高めることができる。
【００３５】（発明の第２の実施の形態）図８は本発明
の第２の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の摸式的構
成図、図９は本発明の第２の実施の形態の反射型凹円筒
面インテグレータの摸式的斜視図である。
の第２の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の摸式的構
成図、図９は本発明の第２の実施の形態の反射型凹円筒
面インテグレータの摸式的斜視図である。
【００３６】図中、符号８０１で示されるものはアンジ
ュレータＸ線光源、８０２はＸ線、８０３は凸面ミラ
ー、８０４は第１の凹面ミラー、８０５は反射型凹円筒
面インテグレータ、８０６は第２の凹面ミラー、８０７
はマスク、８０８は投影光学系、８０９はウエハ、８１
０はマスクステージ、８１１はウエハステージ、８１２
は円弧状アパーチャ、８１７は真空容器である。
ュレータＸ線光源、８０２はＸ線、８０３は凸面ミラ
ー、８０４は第１の凹面ミラー、８０５は反射型凹円筒
面インテグレータ、８０６は第２の凹面ミラー、８０７
はマスク、８０８は投影光学系、８０９はウエハ、８１
０はマスクステージ、８１１はウエハステージ、８１２
は円弧状アパーチャ、８１７は真空容器である。
【００３７】本発明の第２の実施の形態のＸ線縮小投影
露光装置は、アンジュレータＸ線光源８０１、照明光学
系、マスク８０７、投影光学系８０８、ウエハ８０９、
マスク又はウエハを搭載したステージ８１０、８１１、
マスクやウエハの位置を精密にあわせるアライメント機
構、Ｘ線の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つた
めの真空容器８１７と排気装置、などからなる。
露光装置は、アンジュレータＸ線光源８０１、照明光学
系、マスク８０７、投影光学系８０８、ウエハ８０９、
マスク又はウエハを搭載したステージ８１０、８１１、
マスクやウエハの位置を精密にあわせるアライメント機
構、Ｘ線の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つた
めの真空容器８１７と排気装置、などからなる。
【００３８】本実施の形態の照明光学系は、アンジュレ
ータＸ線光源８０１、凸面ミラー８０３、第１の凹面ミ
ラー８０４、反射型凹円筒面インテグレータ８０５、第
２の凹面ミラー８０６で構成される。
ータＸ線光源８０１、凸面ミラー８０３、第１の凹面ミ
ラー８０４、反射型凹円筒面インテグレータ８０５、第
２の凹面ミラー８０６で構成される。
【００３９】マスク８０７は多層膜反射鏡の上にＸ線吸
収体などからなる非反射部を設けた転写パターンが形成
されたものである。マスク８０７で反射されたＸ線は投
影光学系８０８によってウエハ８０９面上に結像する。
投影光学系８０８では軸外の細い円弧状の領域が良好な
結像性能をもつように設計されている。露光はこの細い
円弧状領域のみが利用されて行われるようにマスク８０
７直前に円弧状の開口をもったアパーチャ８１２が設け
られている。矩型形状をしたマスク８０７全面のパター
ンを転写するため、マスク８０７とウエハ８０９が同時
にスキャンして露光が行われる。投影光学系８０８は３
枚の多層膜反射鏡によって構成され、マスク８０７上の
パターンをウエハ８０９表面に縮小投影する。
収体などからなる非反射部を設けた転写パターンが形成
されたものである。マスク８０７で反射されたＸ線は投
影光学系８０８によってウエハ８０９面上に結像する。
投影光学系８０８では軸外の細い円弧状の領域が良好な
結像性能をもつように設計されている。露光はこの細い
円弧状領域のみが利用されて行われるようにマスク８０
７直前に円弧状の開口をもったアパーチャ８１２が設け
られている。矩型形状をしたマスク８０７全面のパター
ンを転写するため、マスク８０７とウエハ８０９が同時
にスキャンして露光が行われる。投影光学系８０８は３
枚の多層膜反射鏡によって構成され、マスク８０７上の
パターンをウエハ８０９表面に縮小投影する。
【００４０】アンジュレータＸ線光源８０１の発光点か
ら放射されたＸ線８０２はほぼ平行な細いビームであ
る。これが凸面ミラー８０３と第１の凹面ミラー８０４
とで反射され、太い平行なビームとなる。このビームが
表面にＸ線反射率を高めるための多層膜を設けた凹円筒
面を平行に配列した反射型凹円筒面インテグレータ８０
５で反射して、多数の２次光源を形成する。２次光源上
の１点から出た光は円錐面状の発散光になり第２の凹面
ミラー８０６で反射したのち、平行光となる。このと
き、マスク８０７上の円弧状領域が照明される。
ら放射されたＸ線８０２はほぼ平行な細いビームであ
る。これが凸面ミラー８０３と第１の凹面ミラー８０４
とで反射され、太い平行なビームとなる。このビームが
表面にＸ線反射率を高めるための多層膜を設けた凹円筒
面を平行に配列した反射型凹円筒面インテグレータ８０
５で反射して、多数の２次光源を形成する。２次光源上
の１点から出た光は円錐面状の発散光になり第２の凹面
ミラー８０６で反射したのち、平行光となる。このと
き、マスク８０７上の円弧状領域が照明される。
【００４１】このように、本実施の形態では微小な凹円
筒面を１次元に多数配列した形状の反射面をもつ反射型
凹円筒面インテグレータ８０５を用いることによってマ
スク８０７を照明する領域を円弧状にし、同時に照明光
学系のコヒーレンスファクタを最適値に設定することが
できる。またマスク８０７面上の照明領域の形状は実際
に露光が行われる円弧状領域に限定され、露光領域以外
の部分にＸ線が無駄に照射されることがない。従って光
量の損失がなく、露光時間が短縮され、スループットを
高めることができる。
筒面を１次元に多数配列した形状の反射面をもつ反射型
凹円筒面インテグレータ８０５を用いることによってマ
スク８０７を照明する領域を円弧状にし、同時に照明光
学系のコヒーレンスファクタを最適値に設定することが
できる。またマスク８０７面上の照明領域の形状は実際
に露光が行われる円弧状領域に限定され、露光領域以外
の部分にＸ線が無駄に照射されることがない。従って光
量の損失がなく、露光時間が短縮され、スループットを
高めることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＸ線縮小投
影露光装置は、多数の円筒面を平行に多数並べた広い面
積の反射鏡からなる反射型インテグレータを用いること
によって、マスク上の円弧状領域のみが照明される。ま
た照明系のコヒーレンスファクタσが最適値となるよう
に照明系の開ロ数を設定することができる。
影露光装置は、多数の円筒面を平行に多数並べた広い面
積の反射鏡からなる反射型インテグレータを用いること
によって、マスク上の円弧状領域のみが照明される。ま
た照明系のコヒーレンスファクタσが最適値となるよう
に照明系の開ロ数を設定することができる。
【００４３】即ち、マスクの照明領域の形状は実際に露
光が行われる円弧領域に限定され、露光領域以外の部分
にＸ線が無駄に照射されることがない。従って光量の損
失がなく、露光時間が短縮され、スループットを高める
ことができるという効果がある。
光が行われる円弧領域に限定され、露光領域以外の部分
にＸ線が無駄に照射されることがない。従って光量の損
失がなく、露光時間が短縮され、スループットを高める
ことができるという効果がある。
【００４４】また、反射型インテグレータの反射面に多
層膜を形成することにより、Ｘ線反射率を高めることが
できる。
層膜を形成することにより、Ｘ線反射率を高めることが
できる。
【図１】反射型凸円筒面インテグレータに平行光が入射
した場合の摸式的斜視図である。
した場合の摸式的斜視図である。
【図２】反射型凸円筒面インテグレータの摸式的断面図
である。
である。
【図３】反射型凸円筒面インテグレータの円筒面でのＸ
線反射の説明図である。
線反射の説明図である。
【図４】反射型凸円筒面インテグレータの円筒面で反射
したＸ線の角度分布図である。
したＸ線の角度分布図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態のＸ線縮小投影露光
装置の摸式的構成図である。
装置の摸式的構成図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の反射型凸円筒面イ
ンテグレータの摸式的斜視図である。
ンテグレータの摸式的斜視図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態のマスク面上の照明
領域を示す図である。
領域を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態のＸ線縮小投影露光
装置の摸式的構成図である。
装置の摸式的構成図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の反射型凹円筒面イ
ンテグレータの摸式的斜視図である。
ンテグレータの摸式的斜視図である。
【図１０】従来のＸ線縮小投影露光装置の摸式的構成図
である。
である。
【図１１】従来の反射型インテグレータの摸式的斜視図
である。
である。
【図１２】従来のマスク面上の照明領域を示す図であ
る。
る。
１、１００１ Ｘ線の発光点 ２、８０２、１００２ Ｘ線 ３、１００３ フィルタ ４、１００４ 第１の回転放物面ミラー ５ 反射型凸円筒面インテグレータ ６、１００６ 第２の回転放物面ミラー ７、８０７、１００７ マスク ８、８０８、１００８ 投影光学系 ９、８０９、１００９ ウエハ １０、８１０、１０１０ マスクステージ １１、８１１、１０１１ ウエハステージ １２、８１２、１０１２ 円弧状アパーチャ １３、１０１３ レーザー光源 １４、１０１４ レーザー集光光学系 １５、１０１５ マスク面上の照明領域 １６、１０１６ 露光が行われる円弧状領域 １７、８１７、１０１７ 真空容器 ８０１ アンジュレータＸ線光源 ８０３ 凸面ミラー ８０４ 第１の凹面ミラー ８０５ 反射型凹円筒面インテグレータ ８０６ 第２の凹面ミラー １００５ 反射型インテグレータ
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｘ線ビームを放射する光源と、 回路パターンが形成されたマスクと、 前記光源からの前記Ｘ線ビームを前記マスク面上に照明
する照明光学系と、 前記マスクからの反射ビームをウエハ面上に収束させて
前記回路パターンの像を縮小投影する投影光学系とから
なるＸ線縮小投影露光装置において、 前記照明光学系は、 前記Ｘ線ビームを平行Ｘ線ビームにする第１の凹面ミラ
ーと、 前記平行Ｘ線ビームを反射する複数円筒面をもつ反射型
インテグレータと、 反射された前記平行Ｘ線ビームを更に反射して前記マス
ク面上に照明する第２の凹面ミラーとを備えていること
を特徴とするＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＸ線縮小投影露光装置
において、 前記反射型インテグレータの前記円筒面の軸と入射する
前記平行Ｘ線ビームの光軸とが同一平面上にあることを
特徴とするＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のＸ線縮小
投影露光装置において、 前記マスク面上の照明領域が円弧状の形状をしているこ
とを特徴とするＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３の何れか１項に記
載のＸ線縮小投影露光装置において、 前記反射型インテグレータの反射面には多層膜が形成さ
れていることを特徴とするＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項３の何れか１項に記
載のＸ線縮小投影露光装置において、 前記反射型インテグレータの反射面には単層膜が形成さ
れていることを特徴とするＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５の何れか１項に記
載のＸ線縮小投影露光装置において、 前記マスク面上の照明は、ほぼケーラー照明の条件を満
たしていることを特徴とするＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６の何れか１項に記
載のＸ線縮小投影露光装置において、 光源はレーザープラズマＸ線光源であることを特徴とす
るＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項８】 請求項１から請求項６の何れか１項に記
載のＸ線縮小投影露光装置において、 光源はアンジュレータＸ線光源であることを特徴とする
Ｘ線縮小投影露光装置。 - 【請求項９】 請求項１から請求項８の何れか１項に記
載のＸ線縮小投影露光装置から成ることを特徴とする半
導体デバイス製造装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22361496A JP3706691B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法 |
| US08/917,373 US6504896B2 (en) | 1996-08-26 | 1997-08-26 | X-ray illumination optical system and x-ray reduction exposure apparatus |
| US10/119,707 US6834098B2 (en) | 1996-08-26 | 2002-04-11 | X-ray illumination optical system and X-ray reduction exposure apparatus |
| US10/930,746 US7133489B2 (en) | 1996-08-26 | 2004-09-01 | X-ray illumination optical system and X-ray reduction exposure apparatus |
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|---|---|---|---|
| JP22361496A JP3706691B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2004230992A Division JP3715984B2 (ja) | 2004-08-06 | 2004-08-06 | Ｘ線縮小投影露光方法、ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070058A true JPH1070058A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3706691B2 JP3706691B2 (ja) | 2005-10-12 |
Family
ID=16800967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22361496A Expired - Fee Related JP3706691B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6504896B2 (ja) |
| JP (1) | JP3706691B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001060550A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-06 | Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh | レーザビームのスペックル低減方法及びその装置、及びリソグラフィ装置 |
| US6833905B2 (en) | 2001-08-13 | 2004-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination apparatus, projection exposure apparatus, and device fabricating method |
| US6885432B2 (en) | 2002-04-15 | 2005-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
| KR100536631B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2005-12-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외선 방사선용 조명시스템 및 리소그래피투영장치에의 그 적용 |
| WO2006033336A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Nikon Corporation | 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| US7064806B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-06-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and exposure apparatus |
| US7083290B2 (en) | 2002-07-29 | 2006-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Adjustment method and apparatus of optical system, and exposure apparatus |
| JP2006253487A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Nikon Corp | 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2010062281A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Canon Inc | 照明光学系及び露光装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3706691B2 (ja) * | 1996-08-26 | 2005-10-12 | キヤノン株式会社 | Ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法 |
| DE10100265A1 (de) * | 2001-01-08 | 2002-07-11 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit Rasterelementen unterschiedlicher Größe |
| JP2000100685A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
| EP1280008B2 (en) * | 2001-07-27 | 2011-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system, projection exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP3782736B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2006-06-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びその制御方法 |
| JP3564104B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2004-09-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法 |
| JP4006251B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | ミラー装置、ミラーの調整方法、露光装置、露光方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| WO2004068564A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-08-12 | Nikon Corporation | 照明光学系、照明装置、投影露光装置、及び露光方法 |
| JP2005141158A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Canon Inc | 照明光学系及び露光装置 |
| US8525075B2 (en) * | 2004-05-06 | 2013-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus |
| US7331714B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-02-19 | Uchicago Argonne, Llc | Optomechanical structure for a multifunctional hard x-ray nanoprobe instrument |
| JP4986754B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-07-25 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及びそれを有する露光装置 |
| JP5241270B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、これを用いた露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP2448958A4 (en) * | 2009-06-01 | 2013-11-06 | Kenneth James Friel | PEPTIDES OF HUMAN MILK |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3210143B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスク構造体とその作製方法、及び、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法と、該ｘ線マスク構造体を用いて作成するデバイス製造方法 |
| JP3254771B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | Ｘ線縮小投影露光装置および方法 |
| JP3371510B2 (ja) * | 1994-02-23 | 2003-01-27 | 株式会社ニコン | 照明装置及び露光装置 |
| US5677939A (en) * | 1994-02-23 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Illuminating apparatus |
| JP3521506B2 (ja) * | 1994-11-24 | 2004-04-19 | 株式会社ニコン | 照明装置及び露光装置 |
| JP3706691B2 (ja) * | 1996-08-26 | 2005-10-12 | キヤノン株式会社 | Ｘ線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法 |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP22361496A patent/JP3706691B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-26 US US08/917,373 patent/US6504896B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-11 US US10/119,707 patent/US6834098B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-01 US US10/930,746 patent/US7133489B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6885432B2 (en) | 2002-04-15 | 2005-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
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| US7110084B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and exposure apparatus |
| KR100687655B1 (ko) | 2003-09-17 | 2007-02-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 조명광학계 및 노광장치 |
| WO2006033336A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Nikon Corporation | 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| CN100452295C (zh) * | 2004-09-22 | 2009-01-14 | 尼康股份有限公司 | 照明装置、曝光装置及微元件的制造方法 |
| US7800734B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-09-21 | Nikon Corporation | Lighting apparatus, exposure apparatus and microdevice manufacturing method |
| JP2006253487A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Nikon Corp | 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2010062281A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Canon Inc | 照明光学系及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3706691B2 (ja) | 2005-10-12 |
| US6834098B2 (en) | 2004-12-21 |
| US7133489B2 (en) | 2006-11-07 |
| US6504896B2 (en) | 2003-01-07 |
| US20020003855A1 (en) | 2002-01-10 |
| US20050031072A1 (en) | 2005-02-10 |
| US20020110217A1 (en) | 2002-08-15 |
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| JPH0794397A (ja) | 照明装置及びそれを有する露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040609 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050413 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050613 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050713 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050801 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080805 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090805 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090805 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120805 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120805 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130805 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |