JPH1069064A - ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH1069064A JPH1069064A JP9181539A JP18153997A JPH1069064A JP H1069064 A JPH1069064 A JP H1069064A JP 9181539 A JP9181539 A JP 9181539A JP 18153997 A JP18153997 A JP 18153997A JP H1069064 A JPH1069064 A JP H1069064A
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- phase difference
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- shift mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モリブデンシリサイドなど金属シリサイド系
のハーフトーン位相シフトマスクの製作において、ＣＤ
と位相差を独立に制御でき、ＣＤと位相差が共に満足し
た値の高精度なマスクを得ることができるハーフトーン
位相シフトマスクの製造方法を提供すること。 【解決手段】 レジストパターン３３ａをマスクとする
ドライエッチングでＭｏＳｉＮ膜パターン３２ａを形成
した後、位相差とＣＤを測定し、位相差は満足できる
が、ＣＤは設計値に近づける必要があるときは、位相差
はそのままでＣＤのみ調整されるようなエッチング条件
に変更してドライエッチングを追加する。
のハーフトーン位相シフトマスクの製作において、ＣＤ
と位相差を独立に制御でき、ＣＤと位相差が共に満足し
た値の高精度なマスクを得ることができるハーフトーン
位相シフトマスクの製造方法を提供すること。 【解決手段】 レジストパターン３３ａをマスクとする
ドライエッチングでＭｏＳｉＮ膜パターン３２ａを形成
した後、位相差とＣＤを測定し、位相差は満足できる
が、ＣＤは設計値に近づける必要があるときは、位相差
はそのままでＣＤのみ調整されるようなエッチング条件
に変更してドライエッチングを追加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの微細
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフ
ォトマスク、特に露光光間に位相差を与えて解像度の向
上を図ったハーフトーン位相シフトマスクの製造方法に
関する。
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフ
ォトマスク、特に露光光間に位相差を与えて解像度の向
上を図ったハーフトーン位相シフトマスクの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩの製造において、微細パタ
ーン転写マスクたるフォトマスクの一つとして位相シフ
トマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マス
クを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転
写パターンの解像度を向上できるようにしたものであ
る。この位相シフトマスクの一つに、特に孤立したホー
ルやスペースパターンを転写するのに適したマスクとし
て特開平４−１３６８５４号公報に記載の位相シフトマ
スクが知られている。
ーン転写マスクたるフォトマスクの一つとして位相シフ
トマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マス
クを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転
写パターンの解像度を向上できるようにしたものであ
る。この位相シフトマスクの一つに、特に孤立したホー
ルやスペースパターンを転写するのに適したマスクとし
て特開平４−１３６８５４号公報に記載の位相シフトマ
スクが知られている。
【０００３】この位相シフトマスクは、透明基板上に、
実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時
に、通過する光の位相をシフトさせる半透光膜を形成
し、この半透光膜の一部を選択的に除去することによ
り、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光
部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる
半透光部とを有するマスクパターンを形成したものであ
る。この位相シフトマスクは、半透光部を通過する光の
位相をシフトさせて、該半透光部を通過した光の位相が
上記透光部を通過した光の位相に対して実質的に反転す
る関係になるようにすることにより、前記透光部と半透
光部との境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が
互いに打ち消しあうようにして、境界部のコントラスト
を良好に保持できるようにしたものであり、ハーフトー
ン位相シフトマスクと称されている。
実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時
に、通過する光の位相をシフトさせる半透光膜を形成
し、この半透光膜の一部を選択的に除去することによ
り、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光
部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる
半透光部とを有するマスクパターンを形成したものであ
る。この位相シフトマスクは、半透光部を通過する光の
位相をシフトさせて、該半透光部を通過した光の位相が
上記透光部を通過した光の位相に対して実質的に反転す
る関係になるようにすることにより、前記透光部と半透
光部との境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が
互いに打ち消しあうようにして、境界部のコントラスト
を良好に保持できるようにしたものであり、ハーフトー
ン位相シフトマスクと称されている。
【０００４】この位相シフトマスクにおいては、露光光
の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとし
たとき、一般には半透光膜の膜厚ｔの値が ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ を満たす値に設定され、また、露光光の波長における半
透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように設定され
るのが普通である。
の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとし
たとき、一般には半透光膜の膜厚ｔの値が ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ を満たす値に設定され、また、露光光の波長における半
透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように設定され
るのが普通である。
【０００５】上述の半透光膜は二層構造になっており、
主にＳＯＧ（塗布型ガラス：スピンオングラス）膜にて
位相差を調整し、薄いクロム膜で透過率を決定するとい
うものであった。ところが、上述の構造では、マスクパ
ターンの作製上、いくつかの問題点があった。それは、
ＳＯＧ膜とクロム膜では、成膜方法およびパターン加工
法が異なるため、プロセス途中で欠陥が発生しやすいこ
と、ＳＯＧは屈折率が小さいため、露光光で位相反転さ
せるための必要膜厚が通常の遮光膜に比べ厚くなり、加
工が難しいこと、さらにＳＯＧは機械的強度が弱く、ク
ロム膜との密着性も悪いため、膜剥がれが生じやすいと
いったことである。
主にＳＯＧ（塗布型ガラス：スピンオングラス）膜にて
位相差を調整し、薄いクロム膜で透過率を決定するとい
うものであった。ところが、上述の構造では、マスクパ
ターンの作製上、いくつかの問題点があった。それは、
ＳＯＧ膜とクロム膜では、成膜方法およびパターン加工
法が異なるため、プロセス途中で欠陥が発生しやすいこ
と、ＳＯＧは屈折率が小さいため、露光光で位相反転さ
せるための必要膜厚が通常の遮光膜に比べ厚くなり、加
工が難しいこと、さらにＳＯＧは機械的強度が弱く、ク
ロム膜との密着性も悪いため、膜剥がれが生じやすいと
いったことである。
【０００６】そこで、これらの問題点を解決するため
に、位相差と透過率を一つの膜で同時に制御できる単層
膜が開発されている。単層膜の組成としてはクロム系と
モリブデンシリサイド系が一般的であり、クロム系はク
ロムの酸化膜、クロムの酸化窒化膜などが知られてお
り、モリブデンシリサイド系は、酸化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＯ）、窒化されたモリブデン及
びシリコン（ＭｏＳｉＮ）、酸化窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化炭化されたモリブ
デン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＣ）、酸化炭化窒化され
たモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＣＮ）などが知
られている。ＭｏＳｉＮは、より詳しくは、金属結合の
ＭｏＳｉと、Ｍｏ又はＳｉの窒化物からなる。これらの
単層膜は、クロムまたはモリブデンシリサイドのターゲ
ットを用いた反応性スパッタリング法により成膜され
る。また、マスクパターンの形成には、クロム系ではウ
エットエッチングまたはドライエッチング、モリブデン
シリサイド系ではドライエッチングが利用される。
に、位相差と透過率を一つの膜で同時に制御できる単層
膜が開発されている。単層膜の組成としてはクロム系と
モリブデンシリサイド系が一般的であり、クロム系はク
ロムの酸化膜、クロムの酸化窒化膜などが知られてお
り、モリブデンシリサイド系は、酸化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＯ）、窒化されたモリブデン及
びシリコン（ＭｏＳｉＮ）、酸化窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化炭化されたモリブ
デン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＣ）、酸化炭化窒化され
たモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＣＮ）などが知
られている。ＭｏＳｉＮは、より詳しくは、金属結合の
ＭｏＳｉと、Ｍｏ又はＳｉの窒化物からなる。これらの
単層膜は、クロムまたはモリブデンシリサイドのターゲ
ットを用いた反応性スパッタリング法により成膜され
る。また、マスクパターンの形成には、クロム系ではウ
エットエッチングまたはドライエッチング、モリブデン
シリサイド系ではドライエッチングが利用される。
【０００７】位相シフトマスクの特性を最大限に発揮さ
せるためには、位相シフト量が１８０°であることが理
想的であるが、実用上はおよそ±３°の範囲に入ること
が望ましい。上記単層膜によるハーフトーン位相シフト
マスクは、位相差と透過率を一つの膜で同時に制御する
ため、ハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造
には膜質および膜厚の高精度な制御が要求される。ま
た、マスクの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅ
ｎｔｉｏｎ）についても、通常のマスクに比べてより高
精度化が要求される。
せるためには、位相シフト量が１８０°であることが理
想的であるが、実用上はおよそ±３°の範囲に入ること
が望ましい。上記単層膜によるハーフトーン位相シフト
マスクは、位相差と透過率を一つの膜で同時に制御する
ため、ハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造
には膜質および膜厚の高精度な制御が要求される。ま
た、マスクの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅ
ｎｔｉｏｎ）についても、通常のマスクに比べてより高
精度化が要求される。
【０００８】通常、クロム系フォトマスクブランクスに
よるマスク作製は、図７に示すような工程により行われ
る。まず、図７（ａ）に示すように、透明基板１１上に
スパッタリング法等によりクロム膜１２を形成し、その
上にレジスト１３を塗布してフォトマスクブランクスを
得る。次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト１３を
露光、現像して、レジストパターン１３ａを得る。その
後、レジストパターン１３ａをマスクとして図７（ｃ）
に示すようにクロム膜１２をエッチングすることによ
り、クロム膜パターン１２ａを形成し、最後に図７
（ｄ）に示すようにレジストパターン１３ａを剥離する
ことにより、フォトマスクが完成する。このような工程
は、モリブデンシリサイド系フォトマスクブランクスに
よる場合も同様である。
よるマスク作製は、図７に示すような工程により行われ
る。まず、図７（ａ）に示すように、透明基板１１上に
スパッタリング法等によりクロム膜１２を形成し、その
上にレジスト１３を塗布してフォトマスクブランクスを
得る。次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト１３を
露光、現像して、レジストパターン１３ａを得る。その
後、レジストパターン１３ａをマスクとして図７（ｃ）
に示すようにクロム膜１２をエッチングすることによ
り、クロム膜パターン１２ａを形成し、最後に図７
（ｄ）に示すようにレジストパターン１３ａを剥離する
ことにより、フォトマスクが完成する。このような工程
は、モリブデンシリサイド系フォトマスクブランクスに
よる場合も同様である。
【０００９】ここで、クロム系のエッチングには、例え
ば硝酸第２セリウムアンモンによるウエットエッチン
グ、またはＣｌ2 、ＣＣｌ4 等によるドライエッチング
技術が利用される。また、モリブデンシリサイド系で
は、ＣＦ4 等によるドライエッチング技術が利用され
る。これらの加工で、モリブデンシリサイド系の場合、
通常のマスクでは問題にならないことがハーフトーン位
相シフトマスクでは問題となってくる。
ば硝酸第２セリウムアンモンによるウエットエッチン
グ、またはＣｌ2 、ＣＣｌ4 等によるドライエッチング
技術が利用される。また、モリブデンシリサイド系で
は、ＣＦ4 等によるドライエッチング技術が利用され
る。これらの加工で、モリブデンシリサイド系の場合、
通常のマスクでは問題にならないことがハーフトーン位
相シフトマスクでは問題となってくる。
【００１０】それは、クロム系のエッチングでは上記の
ような薬液、ガスではいずれも基板ガラスに耐性があり
殆どエッチングされない、すなわちクロムとガラスのエ
ッチング選択比が数十〜数百あるのに対し、モリブデン
シリサイド系の場合ガラスも若干エッチングされてしま
う（選択比はおよそ数〜数十）ことである。そして、通
常のマスクでは基板ガラスが若干掘れることがあっても
実際のマスク使用上は何等影響はないが、ハーフトーン
位相シフトマスクでは、ガラス露出部と膜の間で１８０
°の位相差を持たせているため、ガラスがエッチングさ
れることで、ガラスの持つ屈折率とエッチングされた深
さから計算される位相量が変化してしまうのである。
ような薬液、ガスではいずれも基板ガラスに耐性があり
殆どエッチングされない、すなわちクロムとガラスのエ
ッチング選択比が数十〜数百あるのに対し、モリブデン
シリサイド系の場合ガラスも若干エッチングされてしま
う（選択比はおよそ数〜数十）ことである。そして、通
常のマスクでは基板ガラスが若干掘れることがあっても
実際のマスク使用上は何等影響はないが、ハーフトーン
位相シフトマスクでは、ガラス露出部と膜の間で１８０
°の位相差を持たせているため、ガラスがエッチングさ
れることで、ガラスの持つ屈折率とエッチングされた深
さから計算される位相量が変化してしまうのである。
【００１１】しかし、この問題点は、ガラスがエッチン
グされる量（すなわち位相差ズレ量）をあらかじめ計算
に入れたハーフトーン膜設計を行うことで回避できる。
特開平７−５６３１７号公報では、この事実を利用して
目標位相差からのズレを補正し、精度の良い位相シフト
マスクが得られることが示されている。
グされる量（すなわち位相差ズレ量）をあらかじめ計算
に入れたハーフトーン膜設計を行うことで回避できる。
特開平７−５６３１７号公報では、この事実を利用して
目標位相差からのズレを補正し、精度の良い位相シフト
マスクが得られることが示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところが、クロム系の
エッチングではエッチング時間を追加していくことで横
方向にもエッチングされ、パターニングされたレジスト
の設計寸法よりもオーバーに仕上がる、別の言い方をす
ればＣＤコントロールができる一方で基板ガラスはほと
んど影響されないのに対し、モリブデンシリサイド系で
は同様に設計寸法よりもオーバーに仕上がると同時に基
板ガラスもエッチングされてしまうことになる。
エッチングではエッチング時間を追加していくことで横
方向にもエッチングされ、パターニングされたレジスト
の設計寸法よりもオーバーに仕上がる、別の言い方をす
ればＣＤコントロールができる一方で基板ガラスはほと
んど影響されないのに対し、モリブデンシリサイド系で
は同様に設計寸法よりもオーバーに仕上がると同時に基
板ガラスもエッチングされてしまうことになる。
【００１３】図８および図９はその様子を示す図で、図
８がクロム系の場合、図９はモリブデンシリサイド系の
場合である。レジストパターン２１をマスクにクロム膜
パターン２２またはモリブデンシリサイド膜パターン２
３を追加エッチングした場合、図８に示すクロム系の場
合は、図８（ｂ）に示すようにクロム膜パターン２２が
サイドエッチングでオーバーに仕上がり、しかしガラス
基板２４はほとんど影響されないのに対して、モリブデ
ンシリサイド系の場合は、図９（ｂ）に示すようにモリ
ブデンシリサイド膜パターン２３がオーバーに仕上がる
と同時にガラス基板２４もエッチングされてしまう。す
なわち、ハーフトーン位相シフトマスクにおいて、クロ
ム系ではＣＤと位相差を独立に制御できるのに対し、モ
リブデンシリサイド系ではそれができず、ＣＤと位相差
が共に満足した値の高精度なマスクが得られないという
問題点があった。
８がクロム系の場合、図９はモリブデンシリサイド系の
場合である。レジストパターン２１をマスクにクロム膜
パターン２２またはモリブデンシリサイド膜パターン２
３を追加エッチングした場合、図８に示すクロム系の場
合は、図８（ｂ）に示すようにクロム膜パターン２２が
サイドエッチングでオーバーに仕上がり、しかしガラス
基板２４はほとんど影響されないのに対して、モリブデ
ンシリサイド系の場合は、図９（ｂ）に示すようにモリ
ブデンシリサイド膜パターン２３がオーバーに仕上がる
と同時にガラス基板２４もエッチングされてしまう。す
なわち、ハーフトーン位相シフトマスクにおいて、クロ
ム系ではＣＤと位相差を独立に制御できるのに対し、モ
リブデンシリサイド系ではそれができず、ＣＤと位相差
が共に満足した値の高精度なマスクが得られないという
問題点があった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明（第１の本発明）
は上述の課題を解決するために、透明基板上に所定の位
相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半
透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチング
して半透光膜パターンを形成する工程と、この工程の結
果得られた位相差または線幅が許容範囲を越えたとき
に、その越えた要件のみが調整されて許容範囲内となる
ようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追
加する工程とを具備するハーフトーン位相シフトマスク
の製造方法とする。
は上述の課題を解決するために、透明基板上に所定の位
相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半
透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチング
して半透光膜パターンを形成する工程と、この工程の結
果得られた位相差または線幅が許容範囲を越えたとき
に、その越えた要件のみが調整されて許容範囲内となる
ようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追
加する工程とを具備するハーフトーン位相シフトマスク
の製造方法とする。
【００１５】また、第２の本発明では、透明基板上に所
定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、
この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッ
チングして半透光膜パターンを形成する工程と、この工
程の結果得られた位相差および線幅が許容範囲を越えた
ときに、その両方が調整されて両方が許容範囲内となる
ようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追
加する工程とを具備するハーフトーン位相シフトマスク
の製造方法とする。
定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、
この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッ
チングして半透光膜パターンを形成する工程と、この工
程の結果得られた位相差および線幅が許容範囲を越えた
ときに、その両方が調整されて両方が許容範囲内となる
ようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追
加する工程とを具備するハーフトーン位相シフトマスク
の製造方法とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の実施の
形態を詳細に説明するが、その前に本発明の概要につい
て述べる。
よるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の実施の
形態を詳細に説明するが、その前に本発明の概要につい
て述べる。
【００１７】第１の本発明では、モリブデンシリサイド
など金属シリサイド系ハーフトーン位相シフトマスクに
おいて、ＣＤと位相差を極力独立に制御できＣＤと位相
差が共に満足した値の高精度なマスクを得る方法を提供
する。
など金属シリサイド系ハーフトーン位相シフトマスクに
おいて、ＣＤと位相差を極力独立に制御できＣＤと位相
差が共に満足した値の高精度なマスクを得る方法を提供
する。
【００１８】一般に、ドライエッチングの制御パラメー
ターとしては、主にガス種、圧力、ＲＦパワーがあり、
その組み合わせにより種々の条件設定が可能で、目的に
応じた最適条件が存在する。
ターとしては、主にガス種、圧力、ＲＦパワーがあり、
その組み合わせにより種々の条件設定が可能で、目的に
応じた最適条件が存在する。
【００１９】ラジカルが反応のメインであるものは、反
応機構としてはウエットエッチングの場合と同じように
図２で示すようにエッチングの進行は等方的である。
応機構としてはウエットエッチングの場合と同じように
図２で示すようにエッチングの進行は等方的である。
【００２０】一方、イオンがエッチング反応のメインで
ある場合は、イオンの直進性を利用しているためマスク
転写性に優れ、図３に示すように異方性エッチングにな
る。モリブデンシリサイド系半透光膜をエッチングする
場合、装置としては、平行平板電極を用いたＲＩＥ（リ
アクティブイオンエッチング）装置であり、活性イオン
とラジカルの両者がエッチングに寄与するので、上記二
つの中間の性質を持った条件にてエッチングされる。し
たがって、条件の設定によっては、ラジカル主体の反応
（等方性エッチング）にも、イオン主体の反応（異方性
エッチング）にも動かし得る。
ある場合は、イオンの直進性を利用しているためマスク
転写性に優れ、図３に示すように異方性エッチングにな
る。モリブデンシリサイド系半透光膜をエッチングする
場合、装置としては、平行平板電極を用いたＲＩＥ（リ
アクティブイオンエッチング）装置であり、活性イオン
とラジカルの両者がエッチングに寄与するので、上記二
つの中間の性質を持った条件にてエッチングされる。し
たがって、条件の設定によっては、ラジカル主体の反応
（等方性エッチング）にも、イオン主体の反応（異方性
エッチング）にも動かし得る。
【００２１】図４には、ガスとしてＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５
／５ｓｃｃｍを用い、かつＲＦパワーが１００Ｗにおい
て、圧力を変化させたときのＭｏＳｉＮ（窒化されたモ
リブデン及びシリコン）と石英基板（ＱＺ）のエッチン
グ速度変化を、また図５にはサイドエッチング量の圧力
依存性を示す。両図から明らかなように、圧力が高いと
きは、ＭｏＳｉＮのエッチング速度は速く石英は遅くな
り、等方的なエッチングとなって、エッチング時間を延
長したときのサイドエッチング量増加率が大きくなる。
逆に、圧力が低い場合は、エッチング速度の関係が逆に
なり、異方的なエッチングとなって、エッチング時間を
延長してもサイドエッチング量の増加率が小さい反面、
石英のエッチング速度が速いためエッチング量に相当し
て位相差が増加することになる。
／５ｓｃｃｍを用い、かつＲＦパワーが１００Ｗにおい
て、圧力を変化させたときのＭｏＳｉＮ（窒化されたモ
リブデン及びシリコン）と石英基板（ＱＺ）のエッチン
グ速度変化を、また図５にはサイドエッチング量の圧力
依存性を示す。両図から明らかなように、圧力が高いと
きは、ＭｏＳｉＮのエッチング速度は速く石英は遅くな
り、等方的なエッチングとなって、エッチング時間を延
長したときのサイドエッチング量増加率が大きくなる。
逆に、圧力が低い場合は、エッチング速度の関係が逆に
なり、異方的なエッチングとなって、エッチング時間を
延長してもサイドエッチング量の増加率が小さい反面、
石英のエッチング速度が速いためエッチング量に相当し
て位相差が増加することになる。
【００２２】したがって、上記のような性質を応用すれ
ば、ＣＤと位相差をほぼ独立に制御することが可能とな
る。すなわち、最初にある程度異方性の条件にて石英基
板の掘れ量も計算に入れてエッチングを行い、この工程
でＣＤが設計値よりも細ければ石英の掘れ量が少なくサ
イドエッチング量の大きい等方性の条件にてエッチング
を追加すれば位相差はそのままでＣＤのみを調整でき、
反対にＣＤは設計値通りで位相差が若干低めのときは、
逆にそのままの条件でエッチングを追加すればＣＤはほ
とんど変わらずに石英を堀り込んで位相差を調整するこ
とができる。
ば、ＣＤと位相差をほぼ独立に制御することが可能とな
る。すなわち、最初にある程度異方性の条件にて石英基
板の掘れ量も計算に入れてエッチングを行い、この工程
でＣＤが設計値よりも細ければ石英の掘れ量が少なくサ
イドエッチング量の大きい等方性の条件にてエッチング
を追加すれば位相差はそのままでＣＤのみを調整でき、
反対にＣＤは設計値通りで位相差が若干低めのときは、
逆にそのままの条件でエッチングを追加すればＣＤはほ
とんど変わらずに石英を堀り込んで位相差を調整するこ
とができる。
【００２３】上記の圧力を低く設定して異方性を強くす
るエッチング条件では、レジストのエッチングが進み選
択比が落ちる傾向になるため、他の方法として、圧力は
一定で、ガス種を変えるようにしてもよい。上記ＣＦ4
に比べ堆積性の強い例えばＣＨＦ3 等を添加ガスとして
用いれば、側壁保護効果によってサイドエッチング量す
なわちＣＤはほぼ一定とすることができる。図６にはサ
イドエッチング量のＣＨＦ3 添加量依存性を示す。
るエッチング条件では、レジストのエッチングが進み選
択比が落ちる傾向になるため、他の方法として、圧力は
一定で、ガス種を変えるようにしてもよい。上記ＣＦ4
に比べ堆積性の強い例えばＣＨＦ3 等を添加ガスとして
用いれば、側壁保護効果によってサイドエッチング量す
なわちＣＤはほぼ一定とすることができる。図６にはサ
イドエッチング量のＣＨＦ3 添加量依存性を示す。
【００２４】また、上述の技術の関連として、第２の本
発明では、ＣＤと位相差の両方が許容範囲に入らないと
きに、その両方を調整して両方が許容範囲内におさまる
ようにすることかできる。すなわち、最初のエッチング
工程の結果、ＣＤが設計値よりも細く、かつ位相差が低
めのときに、それらの両方が調整されるような条件でエ
ッチングを追加すれば、ＣＤと位相差の両方を調整して
両方とも許容範囲内とすることができる。
発明では、ＣＤと位相差の両方が許容範囲に入らないと
きに、その両方を調整して両方が許容範囲内におさまる
ようにすることかできる。すなわち、最初のエッチング
工程の結果、ＣＤが設計値よりも細く、かつ位相差が低
めのときに、それらの両方が調整されるような条件でエ
ッチングを追加すれば、ＣＤと位相差の両方を調整して
両方とも許容範囲内とすることができる。
【００２５】次に、本発明の第１の実施形態を図１を参
照して説明する。第１の実施形態では、まず図１（ａ）
に示すように、主表面を鏡面研磨した石英ガラスからな
る透明基板３１上に、半透光膜として、窒化されたモリ
ブデンおよびシリコンのＭｏＳｉＮ膜３２をスパッタリ
ング法により膜厚９５０ｎｍ成膜する。次に、その上
に、ＭｏＳｉＮ膜３２のパターン形成用としてポジ型電
子線レジスト（ＺＥＰ８１０：日本ゼオン社製）３３を
スピンコート法により５００ｎｍ塗布して乾燥させるこ
とで形成する。次に、ポジ型電子線レジスト３３に選択
的に電子線描画を行い、現像して図１（ｂ）に示すよう
にＭｏＳｉＮ膜３２のパターン形成用レジストパターン
３３ａを形成する。
照して説明する。第１の実施形態では、まず図１（ａ）
に示すように、主表面を鏡面研磨した石英ガラスからな
る透明基板３１上に、半透光膜として、窒化されたモリ
ブデンおよびシリコンのＭｏＳｉＮ膜３２をスパッタリ
ング法により膜厚９５０ｎｍ成膜する。次に、その上
に、ＭｏＳｉＮ膜３２のパターン形成用としてポジ型電
子線レジスト（ＺＥＰ８１０：日本ゼオン社製）３３を
スピンコート法により５００ｎｍ塗布して乾燥させるこ
とで形成する。次に、ポジ型電子線レジスト３３に選択
的に電子線描画を行い、現像して図１（ｂ）に示すよう
にＭｏＳｉＮ膜３２のパターン形成用レジストパターン
３３ａを形成する。
【００２６】次に、平行平板電極型のドライエッチング
装置にてレジストパターン３３ａをマスクにしてＭｏＳ
ｉＮ膜３２を以下の条件（エッチング条件１）でエッチ
ングし、図１（ｃ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜パターン
３２ａを形成する。 エッチング条件１ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：６０ｓｅｃ
装置にてレジストパターン３３ａをマスクにしてＭｏＳ
ｉＮ膜３２を以下の条件（エッチング条件１）でエッチ
ングし、図１（ｃ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜パターン
３２ａを形成する。 エッチング条件１ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：６０ｓｅｃ
【００２７】次に、レジストパターン３３ａはそのまま
で透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。この場
合、あらかじめレジスト付きの状態と、レジストを剥離
した状態でのＣＤ変換差を調べておくことで、レジスト
を剥離する前に剥離後のＣＤを推測できる。このとき、
設計値２．００μｍに対して、レジスト剥離後のＣＤが
１．９０μｍになることが推測された。また、主パター
ン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したと
ころ１８１．０°であった。
で透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。この場
合、あらかじめレジスト付きの状態と、レジストを剥離
した状態でのＣＤ変換差を調べておくことで、レジスト
を剥離する前に剥離後のＣＤを推測できる。このとき、
設計値２．００μｍに対して、レジスト剥離後のＣＤが
１．９０μｍになることが推測された。また、主パター
ン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したと
ころ１８１．０°であった。
【００２８】ここで、高精度なマスクに仕上げるために
は、位相差はそのままで、ＣＤのみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件
２）にて追加でエッチングを行う。 エッチング条件２ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．３Ｔｏｒｒ 時間 ：７ｓｅｃ
は、位相差はそのままで、ＣＤのみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件
２）にて追加でエッチングを行う。 エッチング条件２ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．３Ｔｏｒｒ 時間 ：７ｓｅｃ
【００２９】ここで、図４および図５から圧力０．３Ｔ
ｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．０１
５μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は０．５
８Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条件で
エッチングを追加することでレジスト剥離後のＣＤ値は
０．１０５μｍ進んで２．００５μｍ、位相差は０．３
°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折
率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとな
る）１８１．３０°となり、位相差はほとんど一定のま
までＣＤを設計値に近づけることができた。
ｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．０１
５μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は０．５
８Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条件で
エッチングを追加することでレジスト剥離後のＣＤ値は
０．１０５μｍ進んで２．００５μｍ、位相差は０．３
°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折
率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとな
る）１８１．３０°となり、位相差はほとんど一定のま
までＣＤを設計値に近づけることができた。
【００３０】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。第２の実施形態では、エッチング条件１によるエッ
チングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様であ
る。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型
ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値
２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤが１．９９
μｍになることが推測された。また、主パターン外の一
部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１７
５．０°であった。
る。第２の実施形態では、エッチング条件１によるエッ
チングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様であ
る。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型
ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値
２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤが１．９９
μｍになることが推測された。また、主パターン外の一
部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１７
５．０°であった。
【００３１】ここで、高精度なマスクに仕上げるために
は、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件
３）にて追加でエッチングを行う。 エッチング条件３ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．０７５Ｔｏｒｒ 時間 ：２１ｓｅｃ
は、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件
３）にて追加でエッチングを行う。 エッチング条件３ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．０７５Ｔｏｒｒ 時間 ：２１ｓｅｃ
【００３２】ここで、図４および図５から圧力０．０７
５Ｔｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．
００１５μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は
３．２Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条
件でエッチングを追加することでレジスト剥離後のＣＤ
値は０．０３μｍ進んで２．０２μｍ、位相差は５．０
°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折
率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとな
る）１８０．０°となり、ＣＤはほとんど一定のまま
で、位相差を設計値に近づけることができた。
５Ｔｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．
００１５μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は
３．２Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条
件でエッチングを追加することでレジスト剥離後のＣＤ
値は０．０３μｍ進んで２．０２μｍ、位相差は５．０
°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折
率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとな
る）１８０．０°となり、ＣＤはほとんど一定のまま
で、位相差を設計値に近づけることができた。
【００３３】次に、本発明の第３の実施形態を説明す
る。第３の実施形態では、エッチング条件１によるエッ
チングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様であ
る。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型
ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値
２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤがちょうど
２．００μｍになることが推測された。また、主パター
ン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したと
ころ１７６．０°であった。
る。第３の実施形態では、エッチング条件１によるエッ
チングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様であ
る。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型
ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値
２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤがちょうど
２．００μｍになることが推測された。また、主パター
ン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したと
ころ１７６．０°であった。
【００３４】ここで、高精度なマスクに仕上げるために
は、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の通り圧力一定で、ＣＨ
Ｆ3ガスを添加した条件（エッチング条件４）にて追加
でエッチングを行う。 エッチング条件４ ガス ：ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝８５／１０／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：５０ｓｅｃ
は、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の通り圧力一定で、ＣＨ
Ｆ3ガスを添加した条件（エッチング条件４）にて追加
でエッチングを行う。 エッチング条件４ ガス ：ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝８５／１０／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：５０ｓｅｃ
【００３５】ここで、図６から上記の条件においてサイ
ドエッチング速度は０．０００４μｍ／ｓｅｃ、また石
英ガラスのエッチング速度は１．１Å／ｓｅｃであるこ
とが分っているため、上記条件でエッチングを追加する
ことで、レジスト剥離後のＣＤ値は０．０２μｍ進んで
２．０２μｍ、位相差は４．０°進んで（ここで波長２
４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とする
と、１°あたり１３．５Åとなる）１８０．０°とな
り、ＣＤはほとんど一定のままで、位相差を設計値に近
づけることができた。
ドエッチング速度は０．０００４μｍ／ｓｅｃ、また石
英ガラスのエッチング速度は１．１Å／ｓｅｃであるこ
とが分っているため、上記条件でエッチングを追加する
ことで、レジスト剥離後のＣＤ値は０．０２μｍ進んで
２．０２μｍ、位相差は４．０°進んで（ここで波長２
４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とする
と、１°あたり１３．５Åとなる）１８０．０°とな
り、ＣＤはほとんど一定のままで、位相差を設計値に近
づけることができた。
【００３６】次に、本発明の第４の実施形態を説明す
る。第４の実施形態では、エッチング条件１によるエッ
チングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様であ
る。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型
ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値
２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤが１．９５
μｍになることが推測された。また、主パターン外の一
部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１７
３．０°であった。
る。第４の実施形態では、エッチング条件１によるエッ
チングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様であ
る。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型
ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値
２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤが１．９５
μｍになることが推測された。また、主パターン外の一
部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１７
３．０°であった。
【００３７】ここで、高精度なマスクに仕上げるために
は、ＣＤおよび位相差を両方とも設計値に近づけること
が必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件
５）にて追加でエッチングを行う。 エッチング条件５ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：７６ｓｅｃ
は、ＣＤおよび位相差を両方とも設計値に近づけること
が必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件
５）にて追加でエッチングを行う。 エッチング条件５ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：７６ｓｅｃ
【００３８】ここで、図４および図５から圧力０．１５
Ｔｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．０
０５３μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は
１．４２Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記
条件でエッチングを追加することでレジスト剥離後のＣ
Ｄ値は０．４μｍ進んで１．９９μｍ、位相差は８．０
°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折
率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとな
る）１８１．０°となり、ＣＤおよび位相差を両方とも
設計値に近づけることができた。
Ｔｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．０
０５３μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は
１．４２Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記
条件でエッチングを追加することでレジスト剥離後のＣ
Ｄ値は０．４μｍ進んで１．９９μｍ、位相差は８．０
°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折
率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとな
る）１８１．０°となり、ＣＤおよび位相差を両方とも
設計値に近づけることができた。
【００３９】なお、上記の実施形態では、半透光膜とし
て、窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）
を用いたが、酸化されたモリブデン及びシリコン（Ｍｏ
ＳｉＯ）、酸化窒化されたモリブデン及びシリコン（Ｍ
ｏＳｉＯＮ）などを用いることもできる。また、モリブ
デン（Ｍｏ）の代わりに、Ｍｏと同様の遷移金属である
タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔ
ａ）などを用いた金属シリサイドとすることもできる。
さらに、単層膜以外にも、例えば、モリブデンシリサイ
ドとＳＯＧなどの２層膜を用いることもできる。これら
他の膜を用いて上記実施形態と同様にすることができ
る。
て、窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）
を用いたが、酸化されたモリブデン及びシリコン（Ｍｏ
ＳｉＯ）、酸化窒化されたモリブデン及びシリコン（Ｍ
ｏＳｉＯＮ）などを用いることもできる。また、モリブ
デン（Ｍｏ）の代わりに、Ｍｏと同様の遷移金属である
タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔ
ａ）などを用いた金属シリサイドとすることもできる。
さらに、単層膜以外にも、例えば、モリブデンシリサイ
ドとＳＯＧなどの２層膜を用いることもできる。これら
他の膜を用いて上記実施形態と同様にすることができ
る。
【００４０】さらに、第３の実施形態では、堆積性の強
いガスとしてＣＨＦ3 を添加したが、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ
8 あるいはＣＨ2 Ｆ2 などのガスを用いることもでき
る。
いガスとしてＣＨＦ3 を添加したが、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ
8 あるいはＣＨ2 Ｆ2 などのガスを用いることもでき
る。
【００４１】また、上述の各実施形態では、透明基板と
して石英ガラスを用いているが、他にも、例えば、ソー
ダライムガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロ
シリケートガラス等の他のガラスを用いることができ
る。ただし、その場合、その材料の屈折率やエッチング
速度等に応じたプロセスが必要である。
して石英ガラスを用いているが、他にも、例えば、ソー
ダライムガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロ
シリケートガラス等の他のガラスを用いることができ
る。ただし、その場合、その材料の屈折率やエッチング
速度等に応じたプロセスが必要である。
【００４２】さらに、レジストパターンを形成する際
に、電子線描画による方法以外に、光による露光でもよ
く、その場合にはその露光条件に応じたレジストを用い
ることは勿論である。
に、電子線描画による方法以外に、光による露光でもよ
く、その場合にはその露光条件に応じたレジストを用い
ることは勿論である。
【００４３】
【発明の効果】このように本発明のハーフトーン位相シ
フトマスクの製造方法によれば、モリブデンシリサイド
など金属シリサイド系のハーフトーン位相シフトマスク
の作製において、ＣＤと位相差を独立に制御することが
でき、ＣＤと位相差が共に満足した値の高精度なマスク
を得ることができる。また、本発明によれば、ＣＤと位
相差の両方が許容範囲内にない場合も、追加のエッチン
グでＣＤと位相差の両方を許容範囲内におさめることが
でき、高精度なマスクを得ることができる。
フトマスクの製造方法によれば、モリブデンシリサイド
など金属シリサイド系のハーフトーン位相シフトマスク
の作製において、ＣＤと位相差を独立に制御することが
でき、ＣＤと位相差が共に満足した値の高精度なマスク
を得ることができる。また、本発明によれば、ＣＤと位
相差の両方が許容範囲内にない場合も、追加のエッチン
グでＣＤと位相差の両方を許容範囲内におさめることが
でき、高精度なマスクを得ることができる。
【図１】本発明によるハーフトーン位相シフトマスクの
製造方法の第１の実施形態を示す断面図。
製造方法の第１の実施形態を示す断面図。
【図２】等方性エッチングを示す断面図。
【図３】異方性エッチングを示す断面図。
【図４】エッチング速度の圧力依存性を示す特性図。
【図５】サイドエッチング量の圧力依存性を示す特性
図。
図。
【図６】サイドエッチング量のＣＨＦ3 添加依存性を示
す特性図。
す特性図。
【図７】クロム系フォトマスクブランクスによるマスク
作製を示す断面図。
作製を示す断面図。
【図８】クロム系のエッチング時における様子を示す断
面図。
面図。
【図９】モリブデンシリサイド系のエッチング時におけ
る様子を示す断面図。
る様子を示す断面図。
３１ 透明基板 ３２ ＭｏＳｉＮ膜 ３２ａ ＭｏＳｉＮ膜パターン ３３ａ レジストパターン
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に所定の位相シフト量と透過
率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジスト
パターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パタ
ーンを形成する工程と、 前記工程の結果得られた位相差または線幅が許容範囲を
越えたときに、その越えた要件のみが調整されて許容範
囲内となるようなエッチング条件に変更してドライエッ
チングを追加する工程とを具備することを特徴とするハ
ーフトーン位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 透明基板上に所定の位相シフト量と透過
率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジスト
パターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パタ
ーンを形成する工程と、 前記工程の結果得られた位相差および線幅が許容範囲を
越えたときに、その両方が調整されて両方が許容範囲内
となるようなエッチング条件に変更してドライエッチン
グを追加する工程とを具備することを特徴とするハーフ
トーン位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のハーフトーン位
相シフトマスクの製造方法において、エッチング条件の
変更は圧力により行うことを特徴とするハーフトーン位
相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または２記載のハーフトーン位
相シフトマスクの製造方法において、エッチング条件の
変更はガス種により行うことを特徴とするハーフトーン
位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか記載のハー
フトーン位相シフトマスクの製造方法において、半透光
膜は、酸化された遷移金属及びシリコン、窒化された遷
移金属及びシリコン、酸化窒化された遷移金属及びシリ
コンのいずれかの薄膜であることを特徴とするハーフト
ーン位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載のハーフトーン位相シフト
マスクの製造方法において、遷移金属はモリブデンであ
ることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18153997A JP3913319B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18153997A JP3913319B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08136094 Division | 1996-05-30 | 1996-05-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069064A true JPH1069064A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3913319B2 JP3913319B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=16102553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18153997A Expired - Fee Related JP3913319B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3913319B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001027799A (ja) * | 1999-05-12 | 2001-01-30 | Toshiba Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JP2002062632A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法 |
| JP2002296197A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 表面検査装置 |
| KR100373317B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2003-05-16 | 호야 가부시키가이샤 | 하프톤형위상시프트마스크블랭크,하프톤형위상시프트마스크및미세패턴형성방법 |
| JP2005196216A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | パターンの臨界寸法の補正方法 |
| JPWO2004090635A1 (ja) * | 2003-04-09 | 2006-07-06 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
| WO2011125337A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク |
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|---|---|---|---|---|
| KR101143625B1 (ko) | 2009-10-23 | 2012-06-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 위상반전마스크의 제조방법 |
| US11935572B2 (en) | 2020-07-03 | 2024-03-19 | Ceramic Data Solutions GmbH | Increased storage capacity for a method for long-term storage of information and storage medium therefor |
| WO2022002444A1 (en) | 2020-07-03 | 2022-01-06 | Ceramic Data Solution GmbH | Information storage method and information storage medium with increased storage density by multi-bit coding |
| EP3955248A1 (en) * | 2020-08-11 | 2022-02-16 | Christian Pflaum | Data recording on ceramic material |
| EP4085455A1 (en) | 2021-03-16 | 2022-11-09 | Ceramic Data Solutions GmbH | Data carrier, reading method and system utilizing super resolution techniques |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18153997A patent/JP3913319B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373317B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2003-05-16 | 호야 가부시키가이샤 | 하프톤형위상시프트마스크블랭크,하프톤형위상시프트마스크및미세패턴형성방법 |
| JP2001027799A (ja) * | 1999-05-12 | 2001-01-30 | Toshiba Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
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| KR20130103314A (ko) * | 2010-04-09 | 2013-09-23 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 위상 시프트 마스크 |
| JP5313401B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2013-10-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク |
| US8999609B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-07 | Hoya Corporation | Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
| US9436079B2 (en) | 2010-04-09 | 2016-09-06 | Hoya Corporation | Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3913319B2 (ja) | 2007-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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