JPH1065315A - Manufacturing method of a flexible printed circuit and a flexible printed circuit obtained in same method - Google Patents
Manufacturing method of a flexible printed circuit and a flexible printed circuit obtained in same methodInfo
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- JPH1065315A JPH1065315A JP8238457A JP23845796A JPH1065315A JP H1065315 A JPH1065315 A JP H1065315A JP 8238457 A JP8238457 A JP 8238457A JP 23845796 A JP23845796 A JP 23845796A JP H1065315 A JPH1065315 A JP H1065315A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、フレキシブルプリント
回路（ＦＰＣ）の製造方法およびフレキシブルプリント
回路に関する。更に詳しくは、微細金属配線パターンを
設けたフレキシブルプリント回路の製造方法および微細
金属配線パターンを設けたフレキシブルプリント回路に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a flexible printed circuit (FPC) and a flexible printed circuit. More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing a flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern and a flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近時、電子機器の小形・軽量化、多機能
・高機能化、実装の合理化、信頼性向上の進展とともに
フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）の必要性が増大し
ている。このＦＰＣはカメラ、時計、電卓をはじめ、ビ
デオテープレコーダー（ＶＴＲ）、ＣＤプレーヤーなど
の民生機器、プリンタ、ディスプレイ、ハードディスク
ドライブ（ＨＤＤ），フロッピーディスクドライブ（Ｆ
ＤＤ）などのオフィスオートメーション（ＯＡ）機器な
どの回路部品として使用され、その需要を増大してい
る。特に今日、表面実装部品の増加とともに回路のファ
インライン化対応などにより、部品搭載後の容積の縮小
化が図られてきているものの、より一層配線密度を上げ
ることで更に小形・軽量化、多機能・高機能化、実装の
合理化等が可能となる。2. Description of the Related Art In recent years, the need for a flexible printed circuit (FPC) has been increasing along with the progress of miniaturization and weight reduction of electronic equipment, multifunctionality and high functionality, rationalization of mounting, and improvement of reliability. This FPC includes cameras, clocks, calculators, consumer devices such as video tape recorders (VTRs), CD players, printers, displays, hard disk drives (HDDs), floppy disk drives (F
It is used as a circuit component of office automation (OA) equipment such as DD) and its demand is increasing. In particular, although the volume of components after mounting has been reduced due to the increase in the number of surface mount components and the use of finer lines in circuits, etc., further miniaturization, weight reduction, and multifunctionality have been achieved by further increasing the wiring density.・ It is possible to improve the functions and rationalize the implementation.
【０００３】またＦＰＣの製造は、当初、スクリーン印
刷によりエッチングレジストインクを銅張積層板にパタ
ーン印刷し、酸性エッチング液で銅をエッチングし製造
されたり、あるいはレジストフィルムと露光プロセスに
より製造されていた。回路密度が比較的低い基板は現在
でもその方法で製造されているが、基本的にインクのに
じみの問題があったり、解像度に限界があるため、微細
配線パターン用としてはフォトレジストが使用されてい
る。このフォトレジストは大きく分けてサブトラクティ
ブ法とアディティブ法がある。[0003] In addition, FPCs were initially produced by pattern-printing an etching resist ink on a copper-clad laminate by screen printing and etching copper with an acidic etchant, or by a resist film and exposure process. . Substrates with relatively low circuit densities are still manufactured by this method, but there is basically a problem of ink bleeding and resolution is limited, so photoresist is used for fine wiring patterns. I have. This photoresist is roughly classified into a subtractive method and an additive method.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記サ
ブトラクティブ法でＦＰＣの微細配線パターンを作る場
合、回路側面のサイドエッチング量の大きさが重要な要
素であり、銅厚が薄いほうがサイドエッチ量を低減でき
るため有利ではあるものの、せいぜい５０μｍのパター
ンが限界とされている。それ以下の狭ピッチパターンを
形成させた場合、ラインが途中で切れ、導通不良を生じ
たり、良好な耐圧が得られず、歩留りが悪く量産レベル
ではなかった。However, when the fine wiring pattern of the FPC is formed by the above-described subtractive method, the amount of side etching on the side surface of the circuit is an important factor, and the thinner the copper, the smaller the side etching amount. Although it is advantageous because it can be reduced, a pattern of at most 50 μm is limited. When a narrow pitch pattern smaller than that is formed, the line is cut off in the middle, a conduction failure occurs, a good withstand voltage cannot be obtained, the yield is poor, and it is not at a mass production level.
【０００５】一方、アディティブ法でＦＰＣの微細配線
パターンをつくる場合、エッチングの影響がなく、比較
的ファインなパターン（３０μｍ以下のライン＆スペー
ス）を形成できるため微細配線には最も敵しているプロ
セスである。しかしながら、長時間の無電解めっき（Ｐ
Ｈ１４、液温７０℃、２０時間程度）に耐えられるフォ
トレジストが必要であるという欠点がある。なお、溶剤
現像型のフォトレジストを使用し実用化されたという
（川本等、サーキットテクノロジ第６巻第２号（１９９
１））報告があるが、良好な水溶性型フォトレジストの
開発が遅れているため広まっていない。しかし最近、一
部実用化の段階に来ているとの報告もされており今後非
常に有効な方法として期待されているが、まだ量産レベ
ルではない。On the other hand, when a fine wiring pattern of FPC is formed by the additive method, a relatively fine pattern (line and space of 30 μm or less) can be formed without being affected by etching. It is. However, long electroless plating (P
(H14, liquid temperature 70 ° C., about 20 hours). It has been reported that the photoresist has been put into practical use using a solvent-developing type photoresist (Kawamoto et al., Circuit Technology Vol. 6, No. 2 (1992).
1)) There is a report, but it has not been widely used because the development of a good water-soluble photoresist has been delayed. Recently, however, it has been reported that some of them are in the stage of practical application, and they are expected to be a very effective method in the future, but are not yet at the level of mass production.
【０００６】本願発明は上記従来技術が有する各種問題
点を解決するためになされたもので、ＦＰＣに微細金属
配線パターンを効率的に形成する方法および微細金属配
線パターンを設けたＦＰＣを量産レベルで提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned various problems of the prior art, and a method for efficiently forming a fine metal wiring pattern on an FPC and an FPC provided with the fine metal wiring pattern at a mass production level. To provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】第１の観点として本発明
は、結合鎖に少なくともＣ−Ｃ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−
Ｈ結合の何れか一つを有する樹脂からなるフィルムの表
面上に、無電解めっきのできる金属触媒を紫外光透過限
界である１００Å以下の厚さにコーティングして金属触
媒層を設ける触媒付与工程と、金属触媒層を設けた前記
フィルムの表面に、波長１９３〜３０８ｎｍの紫外線の
レーザー光を照射し，フィルム表面の樹脂層および金属
触媒層を選択的にアブレーション（分解除去）するレー
ザーアブレーション工程と、選択的に除去されずに残さ
れた金属触媒層上に無電解めっきを施し、アンカー金属
めっき層を設ける無電解めっき工程と、アンカー金属め
っき層の上に電解めっきを施し良導電性金属めっき層を
設ける電解めっき工程とにより３０μｍ以下のライン＆
スペース（導体幅と隙間）の微細金属配線パターンを設
けたフレキシブルプリント回路とするフレキシブルプリ
ント回路の製造方法にある。例えば、前記無電解めっき
工程においては、アンカー金属めっき層を０．５〜１０
μｍ設けることができる。また、前記電解めっき工程に
おいては、良導電性金属めっき層を数〜十数μｍ設ける
設けることができる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a compound having at least CC, CN, CO, C-
A catalyst application step of coating a metal catalyst capable of electroless plating on a surface of a film made of a resin having any one of H bonds to a thickness of 100 ° or less, which is an ultraviolet light transmission limit, to provide a metal catalyst layer; A laser ablation step of irradiating the surface of the film provided with the metal catalyst layer with ultraviolet laser light having a wavelength of 193 to 308 nm to selectively ablate (decompose and remove) the resin layer and the metal catalyst layer on the film surface; An electroless plating process in which an electroless plating is performed on the metal catalyst layer remaining without being selectively removed and an anchor metal plating layer is provided, and a conductive metal plating layer in which an electrolytic plating is performed on the anchor metal plating layer Line of 30μm or less depending on the electrolytic plating process
A method for manufacturing a flexible printed circuit is a flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern of a space (conductor width and gap). For example, in the electroless plating step, the anchor metal plating layer is set to 0.5 to 10
μm can be provided. Further, in the electrolytic plating step, a good conductive metal plating layer can be provided in several to several tens of μm.
【０００８】第２の観点として本発明は、結合鎖に少な
くともＣ−Ｃ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一
つを有する樹脂からなるフィルムの表面上に、無電解め
っきのできる金属触媒を紫外光透過限界である１００Å
以下の厚さにコーティングして金属触媒層を設ける触媒
付与工程と、金属触媒層を設けた前記フィルムの表面
に、波長１９３〜３０８ｎｍの紫外線のレーザー光を照
射し，フィルム表面の樹脂層および金属触媒層を選択的
にアブレーション（分解除去）するレーザーアブレーシ
ョン工程と、選択的に除去されずに残された金属触媒層
上に無電解めっきを施し、アンカー金属めっき層を設け
る無電解めっき工程と、アンカー金属めっき層の表面部
に置換めっきを施し良導電性金属めっき層を設ける置換
めっき工程とにより３０μｍ以下のライン＆スペース
（導体幅と隙間）の微細金属配線パターンを設けたフレ
キシブルプリント回路とするフレキシブルプリント回路
の製造方法にある。例えば、前記無電解めっき工程にお
いては、アンカー金属めっき層を数〜十数μｍ設け、ま
た前記置換めっき工程においては、良導電性金属めっき
層を０．５〜１０μｍ設けることができる。As a second aspect, the present invention relates to an electroless film on a resin film having at least one of C—C, C—N, C—O, and C—H bonds in a bonding chain. The metal catalyst that can be plated is 100Å which is the ultraviolet light transmission limit.
A catalyst providing step of providing a metal catalyst layer by coating to the following thickness, and irradiating the surface of the film provided with the metal catalyst layer with an ultraviolet laser beam having a wavelength of 193 to 308 nm to form a resin layer and a metal layer on the film surface. A laser ablation step of selectively ablating (decomposing and removing) the catalyst layer, and an electroless plating step of performing electroless plating on the metal catalyst layer left without being selectively removed and providing an anchor metal plating layer, A flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern having a line & space (conductor width and gap) of 30 μm or less by a displacement plating process in which displacement plating is performed on the surface of the anchor metal plating layer to provide a good conductive metal plating layer. A method for manufacturing a flexible printed circuit. For example, in the electroless plating step, an anchor metal plating layer can be provided at several to several tens of μm, and in the displacement plating step, a good conductive metal plating layer can be provided at 0.5 to 10 μm.
【０００９】第３の観点として本発明は、結合鎖に少な
くともＣ−Ｃ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一
つを有する樹脂からなるフィルムの表面上に、無電解め
っきのできる金属触媒を紫外光透過限界である１００Å
以下の厚さにコーティングして金属触媒層を設ける触媒
付与工程と、金属触媒層を設けた前記フィルムの表面
に、波長１９３〜３０８ｎｍの紫外線のレーザー光（以
下、紫外線レーザー光と略記する）を照射し，フィルム
表面の樹脂層および金属触媒層を選択的にアブレーショ
ン（分解除去）するレーザーアブレーション工程と、選
択的に除去されずに残された金属触媒層上に無電解めっ
きを施し、良導電性金属めっき層を設ける無電解めっき
工程とにより３０μｍ以下のライン＆スペース（導体幅
と隙間）の微細金属配線パターンを設けたフレキシブル
プリント回路とするフレキシブルプリント回路の製造方
法にある。例えば、前記無電解めっき工程においては、
良導電性金属めっき層を０．５〜１０μｍ設けることが
できる。According to a third aspect of the present invention, an electroless film is formed on a surface of a resin film having at least one of CC, CN, CO and CH bonds in a binding chain. The metal catalyst that can be plated is 100Å which is the ultraviolet light transmission limit.
A catalyst providing step of coating the metal catalyst layer with the following thickness, and applying ultraviolet laser light (hereinafter abbreviated as ultraviolet laser light) having a wavelength of 193 to 308 nm to the surface of the film provided with the metal catalyst layer. Irradiation, laser ablation process to selectively ablate (decompose and remove) the resin layer and metal catalyst layer on the film surface, and electroless plating on the metal catalyst layer left unremoved selectively to provide good conductivity The present invention relates to a method for producing a flexible printed circuit, which is a flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern having a line and space (conductor width and gap) of 30 μm or less by an electroless plating step of providing a conductive metal plating layer. For example, in the electroless plating step,
A good conductive metal plating layer can be provided at 0.5 to 10 μm.
【００１０】第４の観点として本発明は、前記触媒付与
工程は、化学的処理手段，スパッタリング手段，または
蒸着手段の何れかであるフレキシブルプリント回路の製
造方法にある。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a flexible printed circuit, wherein the catalyst applying step is any one of a chemical treatment means, a sputtering means, and a vapor deposition means.
【００１１】第５の観点として本発明は、前記波長１９
３〜３０８ｎｍの紫外線のレーザー光は、波長１９３ｎ
ｍのＡｒＦエキシマレーザー，波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザー，波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマ
レーザー、または波長２７０ｎｍのＹＡＧ第４高調波レ
ーザーの何れかであるフレキシブルプリント回路の製造
方法にある。According to a fifth aspect of the present invention, the wavelength 19
Ultraviolet laser light of 3-308 nm has a wavelength of 193n.
m ArF excimer laser, wavelength 248 nm KrF
The present invention relates to a method for manufacturing a flexible printed circuit, which is an excimer laser, a XeCl excimer laser having a wavelength of 308 nm, or a YAG fourth harmonic laser having a wavelength of 270 nm.
【００１２】第６の観点として本発明は、前記フレキシ
ブルプリント回路の製造方法により得られたフレキシブ
ルプリント回路にある。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a flexible printed circuit obtained by the method for manufacturing a flexible printed circuit.
【００１３】本発明の結合鎖に少なくともＣ−Ｃ、Ｃ−
Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一つを有する樹脂から
なるフィルム（以下、樹脂フィルムと略記する）として
は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリオキ
シメチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂。ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ア
クリル・ベンゼン・スチレン共重合体（ＡＢＳ）樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、
ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケ
トン樹脂、ポリパラバン酸樹脂、ポリオキシジアゾール
樹脂等からなるフィルムがある。The binding chain of the present invention has at least CC, C-
Examples of the film made of a resin having any one of N, CO, and CH bonds (hereinafter, abbreviated as a resin film) include a polyimide resin, a polyester resin, a polyamide resin, a polyacetal resin, a polyamideimide resin, and a polyurethane. Resin, polyethylene resin, polyvinyl chloride resin, polystyrene resin, polypropylene resin, polyoxymethylene resin, polyvinyl acetate resin. Poly-N-vinyl carbazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic benzene styrene copolymer (ABS) resin,
Polycarbonate resin, polyphenylene oxide resin,
There are films made of polyphenylene ether resin, polyether ether ketone resin, polyparabanic acid resin, polyoxydiazole resin and the like.
【００１４】本発明の無電解めっきのできる金属触媒に
は、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム−スズ（Ｓｎ）合
金、金、銀、ニッケル、銅またはこれらの金属を主成分
とする合金が使用できる。As the metal catalyst capable of electroless plating according to the present invention, palladium (Pd), palladium-tin (Sn) alloy, gold, silver, nickel, copper or alloys containing these metals as main components can be used.
【００１５】本発明の無電解めっきには、金、銀、銅、
ニッケル、ニッケル−リン、ニッケル−ボロン、ニッケ
ル−タングステン−リン、ニッケル−銅−リン、パラジ
ウム、スズ、はんだ等が使用できる。In the electroless plating of the present invention, gold, silver, copper,
Nickel, nickel-phosphorus, nickel-boron, nickel-tungsten-phosphorus, nickel-copper-phosphorus, palladium, tin, solder and the like can be used.
【００１６】本発明の電解めっき或は置換めっきには、
金、銀、銅、ニッケルまたはこれらの金属を主成分とす
る合金が使用できる。In the electrolytic plating or displacement plating of the present invention,
Gold, silver, copper, nickel or alloys containing these metals as main components can be used.
【００１７】本発明のレーザーアブレーション工程とし
ては、レーザーサイドに必要な形状のパターンマスクを
置いて、得られるパターンレーザービームをレンズで縮
小し、金属触媒層を設けた樹脂フィルムに照射させるマ
スクイメージ法が好ましく使用できる。In the laser ablation process of the present invention, a mask image method is used in which a pattern mask having a required shape is placed on the laser side, the obtained pattern laser beam is reduced by a lens, and the resin film on which a metal catalyst layer is provided is irradiated. Can be preferably used.
【００１８】[0018]
【作用】本発明のフレキシブルプリント回路の製造方法
の作用について工程順に説明する。触媒付与工程Ｓ１
は、無電解めっきをするための前処理工程として行われ
るものであり、結合鎖に少なくともＣ−Ｃ、Ｃ−Ｎ、Ｃ
−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一つを有する樹脂フィルム、
例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の
表面へ無電解めっきのできる金属触媒層、例えばパラジ
ウム、パラジウム−スズ合金を紫外光透過限界である１
００Å以下、例えば５０Åの厚さに形成できる。この触
媒付与工程としては化学的処理手段、スパッタリング手
段、または蒸着手段を用いることができる。The operation of the method for manufacturing a flexible printed circuit according to the present invention will be described in the order of steps. Catalyst application step S1
Is performed as a pretreatment step for performing electroless plating, and at least CC, CN, C
-O, a resin film having any one of CH bonds,
For example, a metal catalyst layer capable of electroless plating on the surface of a polyimide film, a polyester film, or the like, for example, palladium or a palladium-tin alloy having an ultraviolet light transmission limit of 1
It can be formed to a thickness of not more than 00 °, for example, 50 °. As the catalyst application step, a chemical treatment unit, a sputtering unit, or a vapor deposition unit can be used.
【００１９】化学的処理手段は、コンディショナー処理
〔カチオン界面活性剤の吸着による樹脂フィルム表面の
負電荷を中和しＰｄ−Ｓｎ粒子の吸着を促進する〕−水
洗−プレディップ〔アクチベーター処理液の濃度低下お
よび汚染防止のための予備浸漬〕−アクチベーター処理
〔無電解めっきを行うための触媒を付与し、Ｐｄ−Ｓｎ
（合金核）コロイド粒子を吸着−水洗−アクセレレータ
ー処理〔Ｐｄ−Ｓｎ合金核を覆ったＳｎ（ＯＨ）4 層を
溶解除去し、活性なＰｄ−Ｓｎ合金核を形成させる〕−
水洗−乾燥である。The chemical treatment means is a conditioner treatment [neutralizes negative charges on the resin film surface by adsorption of a cationic surfactant and promotes adsorption of Pd-Sn particles] -water washing-pre-dip [activator treatment liquid Preliminary immersion for concentration reduction and contamination prevention)-Activator treatment [Pd-Sn with catalyst for performing electroless plating
(Alloy nuclei) Adsorption of colloid particles-Washing-Accelerator treatment [Dissolve and remove Sn (OH) 4 layer covering Pd-Sn alloy nuclei to form active Pd-Sn alloy nuclei]-
Wash-dry.
【００２０】また、樹脂フィルムとアンカー金属めっき
層との密着増強を目的とした場合には、化学的処理手
段，スパッタリング手段，または蒸着手段の前にデスミ
ア処理（脱脂−過マンガン酸エッチィング−中和）を行
うことにより、密着に優れた金属触媒層をコーティング
できる。In order to enhance the adhesion between the resin film and the anchor metal plating layer, desmear treatment (degreasing-permanganate etching-) is performed before the chemical treatment, sputtering, or vapor deposition. By performing the sum), a metal catalyst layer having excellent adhesion can be coated.
【００２１】レーザーアブレーション工程Ｓ２は、波長
１９３〜３０８ｎｍの紫外線レーザー光により、樹脂フ
ィルムのＣ−Ｃ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合鎖が切断
でき、フィルム表面の樹脂層が選択的に除去されると同
時に金属触媒層も選択的に除去される。このレーザーア
ブレーション工程Ｓ２において、レーザーサイドに必要
な形状のパターンマスクを置いて、得られるパターンレ
ーザービームをレンズで縮小して樹脂フィルム表面上に
照射することで、非常に加工精度が高く、３０μｍ以下
のライン＆スペースでの微細加工が可能となる。そし
て、金属触媒層を設けた樹脂フィルムにおいて、レーザ
ー光を照射させた部分のみ選択的にフィルム表面樹脂層
および金属触媒層が除去できるため、樹脂層および金属
触媒層が除去された部分は凹部となり、金属触媒層が除
去されずに残った部分は凸部となる。In the laser ablation step S2, the C—C, C—N, C—O, and C—H bond chains of the resin film can be cut by ultraviolet laser light having a wavelength of 193 to 308 nm, and the resin layer on the film surface is selected. At the same time, the metal catalyst layer is selectively removed. In this laser ablation step S2, a pattern mask of a required shape is placed on the laser side, and the obtained pattern laser beam is reduced by a lens and irradiated on the resin film surface, so that the processing accuracy is extremely high, and 30 μm or less. Line and space. Then, in the resin film provided with the metal catalyst layer, only the portion irradiated with the laser beam can be selectively removed from the film surface resin layer and the metal catalyst layer, so that the portion where the resin layer and the metal catalyst layer are removed becomes a concave portion. The portion where the metal catalyst layer remains without being removed becomes a projection.
【００２２】前記波長１９３〜３０８ｎｍの紫外線レー
ザー光として、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ
ー、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長３
０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー、或は波長２７０
ｎｍのＹＡＧ第４高調波レーザーの何れかを用いるの
で、効率よくレーザーアブレーション加工ができる。As the ultraviolet laser light having a wavelength of 193 to 308 nm, an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm, a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm, a wavelength of 3
08nm XeCl excimer laser or wavelength 270
Since any of the YAG fourth harmonic lasers of nm is used, laser ablation processing can be performed efficiently.
【００２３】無電解めっき工程Ｓ３では、再度金属触媒
層を活性化することで、アンカー金属めっき層としてニ
ッケル、銅、金、銀などを例えば０．５〜１０μｍ厚さ
に形成できる。また、該工程Ｓ３では、前記凸部のみ無
電解めっきが施せるため、極めて微細な金属配線パター
ン（３０μｍ以下のライン＆スペース）が形成できる。In the electroless plating step S3, by activating the metal catalyst layer again, nickel, copper, gold, silver or the like can be formed as an anchor metal plating layer to a thickness of, for example, 0.5 to 10 μm. In the step S3, since only the protrusions can be subjected to electroless plating, extremely fine metal wiring patterns (lines and spaces of 30 μm or less) can be formed.
【００２４】電解めっき工程Ｓ４では、銅、金、銀など
の良導電性金属めっき層を例えば数〜十数μｍ形成で
き、回路として必要な電気特性を付与できる。また、置
換めっき工程Ｓ４’を用いた場合は、前記アンカー金属
めっき層の一部を金、銀、銅などの良導電性金属めっき
層に置換することにより、回路として必要な電気特性を
付与できる。In the electrolytic plating step S4, a good conductive metal plating layer of, for example, copper, gold, silver or the like can be formed, for example, several to several tens of μm, so that electrical characteristics required for a circuit can be imparted. When the displacement plating step S4 'is used, a part of the anchor metal plating layer is replaced with a good conductive metal plating layer of gold, silver, copper, or the like, so that electrical characteristics required for a circuit can be provided. .
【００２５】また、前記電解めっき工程Ｓ４または置換
めっき工程Ｓ４’を用いずに無電解めっき工程Ｓ３迄と
し、該工程Ｓ３ではアンカー金属めっき層としてでな
く、銅、金、銀などの良導電性金属めっき層を直接設け
ることにより回路として必要な電気特性を付与できる。Further, the electroless plating step S4 or the displacement plating step S4 'is not used and the process is performed up to the electroless plating step S3. In the step S3, not the anchor metal plating layer but a good conductive material such as copper, gold or silver is used. By directly providing the metal plating layer, electrical characteristics required for a circuit can be provided.
【００２６】[0026]
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて詳
細に説明する。なお、本発明は本実施例に限定されるも
のではない。図１〜３は本発明のフレキシブルプリント
回路の製造方法の第１〜３の実施形態を示すフロー図、
図４は本発明の化学的処理法を用いた触媒付与工程を説
明するための略図、図５は本発明のレーザーアブレーシ
ョン工程（マスクイメージ法）を説明するための略図、
また図６は本発明のフレキシブルプリント回路の微細金
属配線パターンのライン＆スペースを示す顕微鏡写真で
ある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the present embodiment. FIGS. 1 to 3 are flowcharts showing first to third embodiments of the method for manufacturing a flexible printed circuit according to the present invention.
FIG. 4 is a schematic view for explaining a catalyst applying step using the chemical treatment method of the present invention, FIG. 5 is a schematic view for explaining a laser ablation step (mask image method) of the present invention,
FIG. 6 is a micrograph showing the lines and spaces of the fine metal wiring pattern of the flexible printed circuit of the present invention.
【００２７】実施例１ 実施例１について、図１、４、５および６を用いて説明
する。樹脂フィルムとして縦１００ｍｍ×横２００ｍｍ
×厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを用いる。化学的
処理法を用いた触媒付与工程Ｓ１のコンディショナー処
理として、図４（ａ）に示すように、前記ポリイミドフ
ィルムを，３０％苛性ソーダに１％カチオン系界面活性
剤（ドデジルベンゼンスルホン酸ソーダ）を含む７０℃
のアルカリクリーナー・コンディショナー液中に浸漬さ
せて洗浄し、表面の油等の汚れを除去するとともに、カ
チオン系面活性剤をポリイミド表面に吸着させた。Embodiment 1 Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. 100mm length x 200mm width as resin film
× A polyimide film having a thickness of 50 μm is used. As a conditioner treatment in the catalyst application step S1 using a chemical treatment method, as shown in FIG. 4A, the polyimide film was treated with 30% caustic soda and 1% cationic surfactant (sodium dodecylbenzenesulfonate). 70 ° C including
The substrate was immersed in an alkaline cleaner / conditioner solution of No. 1 for washing to remove dirt such as oil on the surface, and a cationic surfactant was adsorbed on the polyimide surface.
【００２８】次にアクチベーター処理として図４（ｂ）
に示すように、水洗してクリーナー・コンディショナー
液を除去した後、塩化パラジウム，塩化第１スズ，塩酸
からなる３０℃の混合溶液中に浸漬し、負電荷のＰｄ−
Ｓｎ（合金核）コロイド粒子〔図４（ｂ−１）〕を前記
フィルム上へ５０Åの厚さに吸着させた。Next, as an activator process, FIG.
After rinsing with water to remove the cleaner / conditioner solution, the sample was immersed in a mixed solution of palladium chloride, stannous chloride, and hydrochloric acid at 30 ° C. as shown in FIG.
Sn (alloy nucleus) colloid particles (FIG. 4 (b-1)) were adsorbed on the film to a thickness of 50 °.
【００２９】続いて図２（ｃ）に示すように、水洗洗浄
を行い、加水分解によりＳｎ2+〔図４（ｃ−１）〕は、
Ｓｎ（ＯＨ）4 〔図４（ｃ−２）〕となり、Ｐｄ−Ｓｎ
合金核を覆わせる。続くアクセレレーターでは、１０％
ホウフッ化水素酸（ＨＢＦ4）水溶液中に２０℃の液温
で浸漬させ〔図４（ｄ−１）〕、Ｓｎ（ＯＨ）4 層を溶
解除去させた〔図４（ｄ−１）〕後、水洗し乾燥させ、
金属触媒層としてＰｄをコーティングしたポリイミドフ
ィルムを得た。Subsequently, as shown in FIG. 2 (c), washing with water is performed, and Sn 2+ [FIG. 4 (c-1)] is obtained by hydrolysis.
Sn (OH) 4 [FIG. 4 (c-2)], and Pd-Sn
Cover the alloy core. In the following accelerator, 10%
After immersion in an aqueous solution of borofluoric acid (HBF 4 ) at a liquid temperature of 20 ° C. (FIG. 4 (d-1)), and after dissolving and removing the Sn (OH) 4 layer [FIG. 4 (d-1)] , Washed and dried,
A polyimide film coated with Pd was obtained as a metal catalyst layer.
【００３０】次にレーザーアブレーション工程Ｓ２で
は、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを用い、
図５に示すマスクイメージ法で、０．１μｍ厚さの銅蒸
着フィルムに０．０６ｍｍ×０．０６ｍｍの穴ｈを０．
０６ｍｍ間隔で５ヵ所開けてマスク２とし、２５０ｍＪ
／ｃｍ2 の紫外線レーザー光ｒを照射した。そして、マ
スク２からでる０．０６ｍｍ×０．０６ｍｍの紫外線レ
ーザー光ｒをレンズ３を介して１／３倍に光を収束さ
せ、０．０２ｍｍ×０．０２ｍｍに絞り、加工ステーシ
ョン４上に置かれた前記Ｐｄコーティングポリイミドフ
ィルム１ａ表面に照射するとともに、加工ステーション
４を横方向に走査させて０．０２ｍｍ間隔にアブレーシ
ョン加工し、０．０２ｍｍ幅の凹部を５本形成させると
同時に照射部のみＰｄを除去させた。なお、走査スピー
ド（加工速度）は８０ｍｍ／ｍｉｎとし１．０μｍ深さ
にアブレーション加工した。Next, in the laser ablation step S2, a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm is used.
In the mask image method shown in FIG. 5, a hole h of 0.06 mm × 0.06 mm was formed in a 0.1 μm thick copper vapor-deposited film.
Open 5 places at 06mm intervals to make mask 2, 250mJ
/ Cm 2 of ultraviolet laser light r. Then, the ultraviolet laser light r of 0.06 mm × 0.06 mm emitted from the mask 2 is converged to 1/3 times through the lens 3, squeezed to 0.02 mm × 0.02 mm, and placed on the processing station 4. While irradiating the surface of the Pd-coated polyimide film 1a, the processing station 4 is scanned in the lateral direction to perform ablation processing at intervals of 0.02 mm to form five recesses having a width of 0.02 mm. Was removed. The scanning speed (processing speed) was 80 mm / min, and ablation was performed to a depth of 1.0 μm.
【００３１】次に無電解めっき工程Ｓ３で、再度Ｓｎ
（ＯＨ）4 層を溶解除去し、滑性なＰｄ−Ｓｎ層を露出
させた後、８０℃の無電解ニッケル−リンめっき液を用
いて３０分間無電解めっきを行い、３μｍ厚のニッケル
からなるアンカー金属めっき層を設けた。Next, in the electroless plating step S3, Sn
After dissolving and removing the (OH) 4 layer to expose the slippery Pd—Sn layer, it is subjected to electroless plating using an electroless nickel-phosphorus plating solution at 80 ° C. for 30 minutes, and is made of 3 μm thick nickel. An anchor metal plating layer was provided.
【００３２】次に電解めっき工程Ｓ４では、２５℃の硫
酸銅めっき液を用いて５Ａ／ｄｍ2の電流条件で１０分
間銅の電気めっきを行い、１０μｍ厚の銅からなる良導
電性金属めっき層を設け、続いて水洗し、乾燥を行い、
２０μｍの銅導体幅（ライン）１１と２０μｍのポリイ
ミド絶縁隙間（スペース）１２とからなる微細金属配線
パターンを設けたフレキシブルプリント回路１を製造し
た。このフレキシブルプリント回路１のライン＆スペー
スの顕微鏡写真を図６に示す。Next, in an electrolytic plating step S4, copper is electroplated using a copper sulfate plating solution at 25 ° C. under a current condition of 5 A / dm 2 for 10 minutes, and a good conductive metal plating layer made of copper having a thickness of 10 μm is formed. , Then washed with water, dried,
A flexible printed circuit 1 provided with a fine metal wiring pattern comprising a copper conductor width (line) 11 of 20 μm and a polyimide insulating gap (space) 12 of 20 μm was manufactured. FIG. 6 shows a micrograph of the line and space of the flexible printed circuit 1.
【００３３】実施例２ 実施例２について、図２を用いて説明する。触媒付与工
程Ｓ１では、１０-2Ｔｏｒｒの真空条件下に於いて金を
２０秒間スパッタリングしてフィルム上へ５０Åの厚さ
に吸着させ、無電解めっきのできる金属触媒層を設け
た。Embodiment 2 Embodiment 2 will be described with reference to FIG. In the catalyst application step S1, gold was sputtered for 20 seconds under a vacuum condition of 10 -2 Torr to adsorb to a thickness of 50 ° on the film, and a metal catalyst layer capable of electroless plating was provided.
【００３４】次にレーザーアブレーション工程Ｓ２とし
て、実施例１と同様の条件でエキシマレーザー加工を行
い、１．０μｍ深さにアブレーション加工した。Next, as a laser ablation step S2, excimer laser processing was performed under the same conditions as in Example 1, and ablation processing was performed to a depth of 1.0 μm.
【００３５】次に無電解めっき工程Ｓ３で、再度金表面
を活性化させ、８０℃の無電解ニッケル−リンめっき液
を用いて３０分間無電解めっきを行い、６μｍ厚のニッ
ケルからなるアンカー金属めっき層を設けた。Next, in an electroless plating step S3, the gold surface is activated again, and electroless plating is performed for 30 minutes using an electroless nickel-phosphorus plating solution at 80 ° C. to form an anchor metal plating made of nickel having a thickness of 6 μm. Layers were provided.
【００３６】次に、置換めっき工程Ｓ４’では、シアン
化金カリウム、シアン化ナトリウム、炭酸ナトリウムか
らなる混合溶液に７０℃、３０分間浸漬し表面から３μ
ｍ深さ迄ニッケルを金に置換し、乾燥を行い、２０μｍ
幅の金導体（ライン）と２０μｍ隙間のポリイミド絶縁
（スペース）とからなる微細金属配線パターンを設けた
フレキシブルプリント回路を製造した。Next, in the displacement plating step S4 ', the substrate is immersed in a mixed solution of potassium gold cyanide, sodium cyanide, and sodium carbonate at 70 ° C. for 30 minutes, and 3 μm from the surface.
Replace nickel with gold to a depth of m, dry, and
A flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern comprising a gold conductor (line) having a width and a polyimide insulation (space) having a gap of 20 μm was manufactured.
【００３７】実施例３ 実施例３について、図３を用いて説明する。レーザーア
ブレーション工程Ｓ２迄は実施例１と同様に行ない、続
いて無電解めっき工程Ｓ３で、再度Ｓｎ（ＯＨ）4 層を
溶解除去し、滑性なＰｄ−Ｓｎ層を露出させた後、８０
℃の無電解銅めっき液を用いて５０分間無電解めっきを
行い、５μｍ厚の銅からなる良導電性金属めっき層を設
け、続いて水洗し、乾燥を行い、２０μｍ幅の銅導体
（ライン）と２０μｍ隙間のポリイミド絶縁（スペー
ス）とからなる微細金属配線パターンを設けたフレキシ
ブルプリント回路を製造した。Embodiment 3 Embodiment 3 will be described with reference to FIG. The laser ablation step S2 is performed in the same manner as in the first embodiment. Subsequently, in the electroless plating step S3, the Sn (OH) 4 layer is dissolved and removed again to expose the smooth Pd—Sn layer.
Electroless plating using an electroless copper plating solution at 50 ° C. for 50 minutes, a good conductive metal plating layer made of copper having a thickness of 5 μm is provided, followed by washing with water and drying, and a copper conductor (line) having a width of 20 μm. A flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern consisting of a polyimide insulating (space) with a gap of 20 μm was manufactured.
【００３８】実施例４〜１２ 実施例４〜１２について、下記表１に示すレーザー照射
条件表を用いて説明する。Examples 4 to 12 Examples 4 to 12 will be described using the laser irradiation condition table shown in Table 1 below.
【００３９】[0039]
【表１】 [Table 1]
【００４０】実施例４〜７ 表１に示すレーザー照射条件でレーザーアブレーション
加工Ｓ２を行い、その他は実施例１と同様にして、ニッ
ケルからなるアンカー金属めっき層を３μｍ厚さ、銅か
らなる良導電性金属めっき層を１０μｍ厚さに設け、２
０μｍのライン＆スペースを有する、微細金属配線パタ
ーンを設けたフレキシブルプリント回路を製造した。Examples 4 to 7 Laser ablation processing S2 was performed under the laser irradiation conditions shown in Table 1, and in the same manner as in Example 1 except that the anchor metal plating layer made of nickel had a thickness of 3 μm and a good conductive material made of copper. A conductive metal plating layer having a thickness of 10 μm;
A flexible printed circuit having a fine metal wiring pattern having a line and space of 0 μm was manufactured.
【００４１】実施例８ 表１に示すレーザー照射条件でレーザーアブレーション
加工Ｓ２を行い、また無電解めっき工程Ｓ３で、再度Ｓ
ｎ（ＯＨ）4 層を溶解除去し、滑性なＰｄ−Ｓｎ層を露
出させた後、８０℃の無電解ニッケル−リンめっき液を
用いて１００分間無電解めっきを行い、１０μｍ厚のニ
ッケルからなるアンカー金属めっき層を設け、その他は
実施例２と同様にして、表面から３μｍ深さ迄ニッケル
を金に置換し、２０μｍのライン＆スペースを有する、
微細金属配線パターンを設けたフレキシブルプリント回
路を製造した。Example 8 Laser ablation processing S2 was performed under the laser irradiation conditions shown in Table 1, and in the electroless plating step S3, S
After dissolving and removing the n (OH) 4 layer to expose the slippery Pd—Sn layer, electroless plating is performed for 100 minutes using an electroless nickel-phosphorus plating solution at 80 ° C., and nickel is removed from a 10 μm thick nickel. An anchor metal plating layer was formed, and nickel was replaced with gold to a depth of 3 μm from the surface in the same manner as in Example 2 to obtain a line and space of 20 μm.
A flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern was manufactured.
【００４２】実施例９ 表１に示すレーザー照射条件でレーザーアブレーション
加工Ｓ２を行い、その他は実施例３と同様にして、１０
μｍ厚の銅からなる良導電性金属めっき層を設け、２０
μｍのライン＆スペースを有する、微細金属配線パター
ンを設けたフレキシブルプリント回路を製造した。Example 9 A laser ablation process S2 was performed under the laser irradiation conditions shown in Table 1.
A good conductive metal plating layer made of copper having a thickness of
A flexible printed circuit having a fine metal wiring pattern having a line & space of μm was manufactured.
【００４３】実施例１０ 表１に示すレーザー照射条件でレーザーアブレーション
加工Ｓ２を行い、無電解めっき工程Ｓ３で、再度Ｓｎ
（ＯＨ）4 層を溶解除去し、滑性なＰｄ−Ｓｎ層を露出
させた後、８０℃の無電解金めっき液を用いて３０分間
無電解めっきを行い、３μｍ厚の金からなる良導電性金
属めっき層を設け、その他は実施例３と同様にして、２
０μｍのライン＆スペースを有する、微細金属配線パタ
ーンを設けたフレキシブルプリント回路を製造した。Example 10 Laser ablation processing S2 was performed under the laser irradiation conditions shown in Table 1, and in the electroless plating step S3, Sn
After dissolving and removing the (OH) 4 layer to expose the slippery Pd—Sn layer, electroless plating is performed for 30 minutes using an electroless gold plating solution at 80 ° C., and a good conductive layer made of 3 μm thick gold is formed. A conductive metal plating layer was provided, and
A flexible printed circuit having a fine metal wiring pattern having a line and space of 0 μm was manufactured.
【００４４】実施例１１ 樹脂フィルムとして縦１００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚さ
５０μｍのポリエステルフィルムを用い、表１に示すレ
ーザー照射条件でレーザーアブレーション加工Ｓ２を行
い、また無電解めっき工程Ｓ３で、再度Ｓｎ（ＯＨ）4
層を溶解除去し、滑性なＰｄ−Ｓｎ層を露出させた後、
８０℃の無電解ニッケル−リンめっき液を用いて５０分
間無電解めっきを行い、５μｍ厚のニッケルからなるア
ンカー金属めっき層を設け、その他は実施例１と同様に
して、１０μｍ厚の銅からなる良導電性金属めっき層を
設け、２０μｍのライン＆スペースを有する、微細金属
配線パターンを設けたフレキシブルプリント回路を製造
した。Example 11 Using a polyester film of 100 mm length × 200 mm width × 50 μm thickness as a resin film, laser ablation processing S 2 was performed under the laser irradiation conditions shown in Table 1, and Sn (electrolysis plating step S 3) was repeated. OH) 4
After dissolving and removing the layer to expose the slippery Pd-Sn layer,
Electroless plating is performed for 50 minutes using an electroless nickel-phosphorus plating solution at 80 ° C., and an anchor metal plating layer made of nickel having a thickness of 5 μm is provided. Others are made of copper having a thickness of 10 μm as in Example 1. A flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern having a good conductive metal plating layer and a line and space of 20 μm was manufactured.
【００４５】実施例１２ 樹脂フィルムとして実施例１１と同様のポリエステルフ
ィルムを用い、表１に示す波長、エネルギー密度、加工
速度でレーザーアブレーション加工Ｓ２を行い、その他
は実施例８と同様にして、１０μｍ厚のニッケルからな
るアンカー金属めっき層を設け、また表面から３μｍ深
さ迄ニッケルを金に置換し、２０μｍのライン＆スペー
スを有する、微細金属配線パターンを設けたフレキシブ
ルプリント回路を製造した。Example 12 The same polyester film as in Example 11 was used as the resin film, and laser ablation S2 was performed at the wavelength, energy density, and processing speed shown in Table 1, and the other conditions were 10 μm in the same manner as in Example 8. A flexible printed circuit provided with a fine metal wiring pattern having a line and space of 20 μm was manufactured by providing an anchor metal plating layer made of thick nickel and replacing nickel with gold to a depth of 3 μm from the surface.
【００４６】[0046]
【発明の効果】本発明は、結合鎖に少なくともＣ−Ｃ、
Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一つを有する樹脂
フィルム（ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム
等）の表面上に、無電解めっきの可能な金属触媒を形成
させた後、Ｃ−Ｃ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合鎖が切
断できる１９３〜３０８ｎｍの波長条件範囲内で紫外線
レーザー光を照射させることで、その照射部分のみ金属
触媒層が選択的に除去できる。そして、選択的に除去さ
れずに残された金属触媒層の上に無電解めっきによる金
属導電層（アンカー金属めっき層または良導電性金属め
っき層）が形成でき、更に電解めっき或は置換めっきに
よりアンカー金属めっき層の上に良導電性金属めっき層
を設けることが可能になり、３０μｍ以下のライン＆ス
ペースを有する微細金属配線パターンを設けたフレキシ
ブルプリント回路の製造が可能となった。そのため、今
後さらなる電子機器の小形・軽量化、多機能・高機能
化、実装の合理化、信頼性向上の進展に伴うＦＰＣ加工
分野に於いて寄与するところ極めて大である。According to the present invention, at least CC,
After forming a metal catalyst capable of electroless plating on the surface of a resin film (polyimide film, polyester film, etc.) having any one of C—N, C—O, and C—H bonds, By irradiating the ultraviolet laser light within the wavelength range of 193 to 308 nm at which the C, CN, CO and CH bond chains can be cut, the metal catalyst layer can be selectively removed only at the irradiated portion. Then, a metal conductive layer (anchor metal plating layer or good conductive metal plating layer) by electroless plating can be formed on the metal catalyst layer left without being selectively removed, and further by electrolytic plating or displacement plating. A good conductive metal plating layer can be provided on the anchor metal plating layer, and a flexible printed circuit having a fine metal wiring pattern having a line and space of 30 μm or less can be manufactured. For this reason, it is extremely important to contribute in the field of FPC processing with the progress of further miniaturization and weight reduction of electronic devices, multi-function and high functionality, rationalization of mounting, and improvement of reliability.
【図１】本発明のフレキシブルプリント回路の製造方法
の第１の実施形態を示すフロー図である。FIG. 1 is a flowchart showing a first embodiment of a method of manufacturing a flexible printed circuit according to the present invention.
【図２】本発明のフレキシブルプリント回路の製造方法
の第２の実施形態を示すフロー図である。FIG. 2 is a flowchart showing a second embodiment of the method of manufacturing a flexible printed circuit according to the present invention.
【図３】本発明のフレキシブルプリント回路の製造方法
の第３の実施形態を示すフロー図である。FIG. 3 is a flowchart showing a third embodiment of the method of manufacturing a flexible printed circuit according to the present invention.
【図４】本発明の化学的処理法を用いた触媒付与工程を
説明するための略図である。FIG. 4 is a schematic view for explaining a catalyst applying step using the chemical treatment method of the present invention.
【図５】本発明のレーザーアブレーション工程（マスク
イメージ法）を説明するための略図である。FIG. 5 is a schematic view for explaining a laser ablation step (mask image method) of the present invention.
【図６】本発明のフレキシブルプリント回路の１実施例
の微細金属配線パターンのライン＆スペースを示す顕微
鏡写真である。FIG. 6 is a micrograph showing lines and spaces of a fine metal wiring pattern of one embodiment of the flexible printed circuit of the present invention.
１ フレキシブルプリント回路 １ａ 触媒コーティング樹脂フィルム ２ マスク（銅蒸着フィルム） ３ レンズ ４ 加工ステーション ｒ 紫外線レーザー光 ｈ 穴 １１ 導体幅（ライン） １２ 隙間（スペース） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flexible printed circuit 1a Catalyst coating resin film 2 Mask (copper-deposited film) 3 Lens 4 Processing station r Ultraviolet laser beam h Hole 11 Conductor width (line) 12 Gap (space)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉村 俊一 長野県上田市大字大屋300番地 東京特殊 電線株式会社上田工場内 (72)発明者 山口 辰男 長野県上田市大字大屋300番地 東京特殊 電線株式会社上田工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shunichi Yoshimura 300 Oya Oya, Ueda City, Nagano Prefecture Tokyo Special Electric Wire Co., Ltd. Ueda factory
Claims (6)
−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一つを有する樹脂からなるフ
ィルムの表面上に、無電解めっきのできる金属触媒を紫
外光透過限界である１００Å以下の厚さにコーティング
して金属触媒層を設ける触媒付与工程と、金属触媒層を
設けた前記フィルムの表面に、波長１９３〜３０８ｎｍ
の紫外線のレーザー光を照射し，フィルム表面の樹脂層
および金属触媒層を選択的にアブレーション（分解除
去）するレーザーアブレーション工程と、選択的に除去
されずに残された金属触媒層上に無電解めっきを施し、
アンカー金属めっき層を設ける無電解めっき工程と、ア
ンカー金属めっき層の上に電解めっきを施し良導電性金
属めっき層を設ける電解めっき工程とにより３０μｍ以
下のライン＆スペース（導体幅と隙間）の微細金属配線
パターンを設けたフレキシブルプリント回路とすること
を特徴とするフレキシブルプリント回路の製造方法。1. The binding chain comprises at least CC, CN, C
A metal catalyst capable of electroless plating is coated on the surface of a film made of a resin having any one of -O and CH bonds to a thickness of 100 ° or less, which is an ultraviolet light transmission limit, to form a metal catalyst layer. Providing a catalyst and providing a metal catalyst layer with a wavelength of 193 to 308 nm on the surface of the film.
A laser ablation process for selectively ablating (decomposing and removing) the resin layer and the metal catalyst layer on the film surface by irradiating with ultraviolet laser light, and an electroless process on the metal catalyst layer left unremoved selectively Plating,
Electroless plating step of providing an anchor metal plating layer and electrolytic plating step of applying an electrolytic plating on the anchor metal plating layer and providing a good conductive metal plating layer to achieve fine lines and spaces (conductor width and gap) of 30 μm or less. A method for manufacturing a flexible printed circuit, wherein the flexible printed circuit is provided with a metal wiring pattern.
−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一つを有する樹脂からなるフ
ィルムの表面上に、無電解めっきのできる金属触媒を紫
外光透過限界である１００Å以下の厚さにコーティング
して金属触媒層を設ける触媒付与工程と、金属触媒層を
設けた前記フィルムの表面に、波長１９３〜３０８ｎｍ
の紫外線のレーザー光を照射し，フィルム表面の樹脂層
および金属触媒層を選択的にアブレーション（分解除
去）するレーザーアブレーション工程と、選択的に除去
されずに残された金属触媒層上に無電解めっきを施し、
アンカー金属めっき層を設ける無電解めっき工程と、ア
ンカー金属めっき層の表面部に置換めっきを施し良導電
性金属めっき層を設ける置換めっき工程とにより３０μ
ｍ以下のライン＆スペース（導体幅と隙間）の微細金属
配線パターンを設けたフレキシブルプリント回路とする
ことを特徴とするフレキシブルプリント回路の製造方
法。2. The binding chain comprises at least CC, CN, C
A metal catalyst capable of electroless plating is coated on the surface of a film made of a resin having any one of -O and CH bonds to a thickness of 100 ° or less, which is an ultraviolet light transmission limit, to form a metal catalyst layer. Providing a catalyst and providing a metal catalyst layer with a wavelength of 193 to 308 nm on the surface of the film.
A laser ablation process for selectively ablating (decomposing and removing) the resin layer and the metal catalyst layer on the film surface by irradiating with ultraviolet laser light, and an electroless process on the metal catalyst layer left unremoved selectively Plating,
30 μm by an electroless plating step of providing an anchor metal plating layer and a replacement plating step of subjecting the surface of the anchor metal plating layer to displacement plating and providing a good conductive metal plating layer.
A method for manufacturing a flexible printed circuit, wherein the flexible printed circuit is provided with a fine metal wiring pattern having a line & space (conductor width and gap) of m or less.
−Ｏ、Ｃ−Ｈ結合の何れか一つを有する樹脂からなるフ
ィルムの表面上に、無電解めっきのできる金属触媒を紫
外光透過限界である１００Å以下の厚さにコーティング
して金属触媒層を設ける触媒付与工程と、金属触媒層を
設けた前記フィルムの表面に、波長１９３〜３０８ｎｍ
の紫外線のレーザー光を照射し，フィルム表面の樹脂層
および金属触媒層を選択的にアブレーション（分解除
去）するレーザーアブレーション工程と、選択的に除去
されずに残された金属触媒層上に無電解めっきを施し、
良導電性金属めっき層を設ける無電解めっき工程とによ
り３０μｍ以下のライン＆スペース（導体幅と隙間）の
微細金属配線パターンを設けたフレキシブルプリント回
路とすることを特徴とするフレキシブルプリント回路の
製造方法。3. The binding chain comprises at least CC, CN, C
A metal catalyst layer capable of electroless plating is coated on the surface of a film made of a resin having any one of -O and CH bonds to a thickness of 100 ° or less, which is an ultraviolet light transmission limit, to form a metal catalyst layer. Providing a catalyst and providing a metal catalyst layer with a wavelength of 193 to 308 nm on the surface of the film.
A laser ablation process for selectively ablating (decomposing and removing) the resin layer and metal catalyst layer on the film surface by irradiating ultraviolet laser light, and an electroless treatment on the metal catalyst layer left unremoved selectively Plating,
A method of manufacturing a flexible printed circuit, wherein a flexible printed circuit having a fine metal wiring pattern having a line & space (conductor width and gap) of 30 μm or less is provided by an electroless plating step of providing a good conductive metal plating layer. .
スパッタリング手段，または蒸着手段の何れかであるこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載のフレキシブ
ルプリント回路の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the catalyst applying step comprises a chemical treatment means,
4. The method for manufacturing a flexible printed circuit according to claim 1, wherein the method is one of a sputtering unit and a vapor deposition unit.
レーザー光は、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ
ー，波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー，波長３
０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー、または波長２７
０ｎｍのＹＡＧ第４高調波レーザーの何れかであること
を特徴とする請求項１、２、３または４記載のフレキシ
ブルプリント回路の製造方法。5. An ultraviolet laser beam having a wavelength of 193 to 308 nm includes an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm, a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm, and a wavelength of 3 nm.
08 nm XeCl excimer laser, or wavelength 27
5. The method for manufacturing a flexible printed circuit according to claim 1, wherein the laser is any one of a 0 nm YAG fourth harmonic laser.
リント回路の製造方法により得られたことを特徴とする
フレキシブルプリント回路。6. A flexible printed circuit obtained by the method for manufacturing a flexible printed circuit according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238457A JPH1065315A (en) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Manufacturing method of a flexible printed circuit and a flexible printed circuit obtained in same method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238457A JPH1065315A (en) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Manufacturing method of a flexible printed circuit and a flexible printed circuit obtained in same method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065315A true JPH1065315A (en) | 1998-03-06 |
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