JPH1058174A

JPH1058174A - レーザ加工装置

Info

Publication number: JPH1058174A
Application number: JP8225060A
Authority: JP
Inventors: Hiroyasu Kamo; 裕康加茂
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-08-27
Filing date: 1996-08-27
Publication date: 1998-03-03

Abstract

(57)【要約】【課題】移動量を干渉計で測定するレーザ加工装置の
使用環境変化による該測定値への影響を排除して、加工
用レーザ光の光軸を加工位置に合わせる。【解決手段】レーザ加工装置４０は、加工レーザ１
２、アライメントレーザ１３、Ｘ−Ｙステージ２１、干
渉計２６、Ｘ−Ｙステージ２１の移動・加工用レーザ光
の照射を制御するメインコントローラ３１を備える。メ
インコントローラ３１は、Ｘ−Ｙステージ２１上の規準
器２３の基準マークＧ，Ｈ間の距離Ｋを干渉計２６の測
定用のレーザ光の波長を基準単位としたカウント値で求
める。この値と実際の距離Ｋとを比較して、当該使用環
境における測定用のレーザ光の波長λを算出する。メイ
ンコントローラ３１はこの算出した波長λを用いて、Ｘ
−Ｙステージ２１の移動量を測定して、半導体ウェーハ
１の加工位置Ｄに対してレーザ加工を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ加工装置に関
し、特に、レーザ加工装置のステージの移動量を干渉計
で測定するレーザ加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ加工装置は、レーザ光を微小面積
に集光させることができるため、半導体ウェーハ等の微
細なレーザ加工に積極的に用いられる。このようなレー
ザ加工装置においては、加工用レーザ光を照射する対物
レンズの先端部と、被加工物が搭載されるステージ（例
えば、Ｘ−Ｙステージ）の相対的な移動量が制御され
て、対物レンズから照射される加工用レーザ光の光軸が
被加工物上のレーザ加工位置に合わされるようになって
いる。

【０００３】実際のレーザ加工では、加工用レーザ光の
光軸と、加工位置との位置合わせに、高い精度が要求さ
れ、特に、近年の半導体製造技術（半導体ウェーハのレ
ーザ加工処理）等にあっては、その位置合わせの精度
は、ミクロンオーダー、サブミクロンオーダーで要求さ
れている。このため、近年のレーザ加工装置において
は、ステージの移動量を干渉計を用いて計測しながらス
テージを移動している。このように干渉計を用いること
により、ステージの移動量は、例えば干渉計で使用され
ているレーザ光（測定用レーザ光）の波長の１／３２を
基準単位とした数で測定でき、加工用レーザ光と半導体
ウェーハ上の加工位置との高精度の位置合わせを可能に
している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステー
ジの移動量を干渉計で測定する際には、干渉計の測定用
レーザ光の波長が、使用環境の温度条件、湿度条件、気
圧条件の変動によって変化することが知られている。こ
のように使用環境によって波長が変化すると、当該波長
を分割したものを基準単位とした測定値に誤差が生じ、
高精度の位置合わせができなくなる。

【０００５】このため、従来は、上記干渉計の測定値の
誤差を補正するために、干渉計が使用されるレーザ加工
装置に、温度センサ、湿度センサ、気圧センサ等を設
け、これらのセンサからの出力信号に基づいて、測定用
レーザ光の波長の補正を行って、使用環境に影響されな
い高精度の位置合わせを行うようにしていた。しかしな
がら、上記のように波長の変化による測定値の誤差を補
正する手法は、レーザ加工装置に、温度センサ、湿度セ
ンサ、気圧センサを設け、更に、これらの出力信号に基
づいて光の波長の補正に必要な値を演算する計算機等が
必要であり、レーザ加工装置のコストアップを招く。

【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、干渉計の使用環境を検知する手段を別途設けるこ
となく、これら使用環境による影響を受けずに、加工位
置と加工用レーザ光の光軸の精度の高い位置合わせが可
能なレーザ加工装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、加工用レーザ光を発生さ
せる加工レーザと、被加工物が搭載されるステージと、
前記ステージ上のマークを検出する検出手段と、前記ス
テージを前記加工レーザに対して移動させる移動手段
と、少なくとも２以上の規準マークが一定距離隔てて形
成された規準器と、前記ステージの移動量を測定用レー
ザ光の波長を分割したものを基準単位とした数にて計測
する干渉計と、前記移動手段による前記ステージの移動
量を制御すると共に、前記被加工物上のマークを基準に
所望のレーザ加工位置を認識し、斯く認識したレーザ加
工位置に前記加工用レーザ光を照射する制御手段とを備
えたレーザ加工装置において、前記制御手段が、前記検
出手段が前記規準器の少なくとも２つの規準マークの一
方を検知したときの干渉計の計測値と、他方を検知した
ときの干渉計の計測値とを比較して、当該２つの規準マ
ーク間の距離を測定用レーザ光の波長を分割したものを
基準単位とした数にて求める測定部と、前記求められた
数と前記少なくとも２つの規準マーク間の一定距離とに
基づいて、前記測定用レーザ光の波長を算出する波長算
出部とを有し、該制御手段が前記算出した波長を用いて
前記ステージの移動量の制御を行うようにしたものであ
る。

【０００８】又、請求項２に記載の発明は、前記ステー
ジをＸ−Ｙステージとし、前記回転角度検知部が、前記
算出された波長を用いて、被加工物上の少なくとも２つ
のアライメントマーク間のＸ軸方向・Ｙ軸方向の距離を
測定し、この測定値と、当該２つのアライメントマーク
の設計値に基づいて前記回転量を検知するものである。

【０００９】（作用）上記請求項１の発明によれば、使
用環境の変化により干渉計の測定用レーザ光の波長が変
化しても、該変化した光の波長が、常に正確に算出でき
るので、この算出された波長を用いてＸ−Ｙステージの
移動量を決定することにより、使用環境の変化の影響を
受けない、精度の高い位置合わせが可能になる。

【００１０】又、請求項２の発明によれば、被加工物の
設計値上のＸ軸方向・Ｙ軸方向と、Ｘ−ＹステージのＸ
軸方向・Ｙ軸方向との間の回転誤差を、上記算出した波
長を用いて求めることができるので、この回転誤差を用
いた高精度のレーザ加工位置と加工用レーザ光の光軸の
位置合わせが可能になる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、添付図面を参照して説明する。尚、この実施形態
は、請求項１及び請求項２に対応する。

【００１２】先ず、レーザ加工装置４０の全体構成につ
いて、図１を参照して説明する。レーザ加工装置４０
は、レーザ光照射部１０と、ステージ部２０と、制御部
３０とによって構成されている。このうちレーザ光照射
部１０は、対物レンズ１１、後述のメインコントローラ
３１からの制御信号に基づいて加工用レーザ光を発生さ
せる加工レーザ１２、加工レーザ１２から発生した加工
用レーザ光のビーム形状及びその強度をメインコントロ
ーラ３１からの制御信号に応じて調整する等の機能を有
する光学系１４、アライメント用レーザ光を常時発生さ
せるアライメントレーザ１３、発生したアライメント用
レーザ光をメインコントローラ３１からの制御信号に基
づいてＸ軸方向・Ｙ軸方向の２つのビームに分け各々の
ビーム形状を調整する等の機能を有する光学系１５、ア
ライメント用レーザ光の反射光を検知するための光セン
サ１９からなる。尚、図中、１６は加工用レーザ光を対
物レンズ１１に向けて照射するためのミラー、１８Ａは
アライメント用レーザ光を対物レンズ１１に向けて照射
するためのミラー、１８Ｂは反射したアライメント用レ
ーザ光を光センサ１９に導くためのハーフミラーであ
る。

【００１３】尚、上記光学系１５は、メインコントロー
ラ３１からの信号に基づいてそのシャッタ（図示省略）
が開閉されて、アライメント用レーザ光のＸ−Ｙステー
ジ２１上への照射タイミングが制御される。しかして、
その反射光は光センサ１９によって検出される。尚、こ
のアライメントレーザ１２と光センサ１９とによって、
Ｘ−Ｙステージ２１上のマーク（規準器２３の規準マー
クＧ，Ｈ、半導体ウェーハ１上のアライメントマーク
Ａ，Ｂ等）を検出するための検出手段が構成される。

【００１４】ステージ部２０は、半導体ウェーハ（被加
工物）１が搭載されるＸ−Ｙステージ２１、Ｘ−Ｙステ
ージ２１の前記対物レンズ１１に対する相対的な移動量
（Ｘ−Ｙ軸方向の移動量）を調整するアクチュエータ２
２、Ｘ−Ｙステージ２１上に設置された反射鏡２５、該
反射鏡２５に測定用レーザ光を照射してＸ−Ｙステージ
２１の移動量（図１のｄ）を、その波長を分割したもの
を基準単位とした数で計測する干渉計２６からなる。

【００１５】又、前記Ｘ−Ｙステージ２１上には、測定
用レーザ光の波長λの算出に用いられる規準器２３が設
けられている。この規準器２３の上面には、一定距離Ｋ
（図示例ではＸ軸方向に一定距離Ｋ）だけ隔てて規準マ
ークＧ，Ｈが形成されている（図３，図４）。尚、この
規準器２３は、当該レーザ加工装置４０の使用環境に応
じて（温度，湿度等）、膨張、収縮しない材質（例え
ば、ガラス）にて形成されている。

【００１６】而して、規準器２３表面に形成された規準
マークＧ，Ｈ間の一定距離Ｋを、干渉計２６の測定用レ
ーザ光の波長λを分割したものを基準単位として用いた
数でカウントすることにより、当該波長λを算出でき
る。尚、上記アクチュエータ２２、後述のステージコン
トローラ３２、メインコントローラ３１によって、Ｘ−
Ｙステージ２１の移動手段が構成されている。

【００１７】又、上記反射鏡２５及び干渉計２６は、Ｘ
軸方向・Ｙ軸方向の移動量を各々測定するために、実際
には、Ｘ軸用・Ｙ軸用に２組設けられている（図１には
１組みのみ示す）。そして、Ｘ軸用・Ｙ軸用に各々設け
られた干渉計２６は、当該Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方
向・Ｙ軸方向の移動量を、該干渉計２６と反射鏡２５と
の間の距離（図１のｄ）として測定する。

【００１８】このＸ軸方向・Ｙ軸方向の移動量の測定
は、Ｘ−Ｙステージ２１の移動に伴う干渉縞の明度の変
化をパルス信号（例えば、明度が“明”→“暗”→
“明”と変化したときに１パルスを発する）として出力
し、このパルス信号の発生回数を、メインコントローラ
３１のカウンタ（図示省略）でカウントすることによっ
て行われる。

【００１９】制御部３０は、メインコントローラ（制御
手段）３１と、該メインコントローラ３１からの制御信
号に基づいて前記アクチュエータ２２に駆動信号を出力
するステージコントローラ３２とからなる。そして、メ
インコントローラ３１は、一方で、Ｘ−Ｙステージ２１
の移動量の制御、加工レーザ１２による加工用レーザ光
の発生タイミングの制御、加工用の光学系１４によるレ
ーザ強度／ビーム形状の調整、アライメント用の光学系
１５の開閉を制御等を行なう。又、他方で、メインコン
トローラ３１は、光センサ１９からの信号に基づいてア
ライメントレーザ１３から照射されたアライメント用レ
ーザ光の回折光を検知し、この回折光を解析することに
よって、アライメント用レーザ光が、目標物（例えば、
図３，図４に示す半導体ウェーハ１上のアライメントマ
ークＡ，Ｂ）に照射されているかを判断する。

【００２０】このメインコントローラ３１は、メモリ、
カウンタ（共に図示省略）等を有している。このうちカ
ウンタは、Ｘ軸・Ｙ軸用に各々設けられた干渉計２６
（１つのみ図示）から送られてくる上記パルス信号の発
生回数をカウントするもので、このカウント値によっ
て、Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向の移動量
は、当該測定用レーザ光の波長を分割したものを単位と
した数（カウント値）として表される。

【００２１】メインコントローラ３１は、規準器２３上
の基準マークＧ，Ｈ間の距離を、このカウント値で表
し、斯く表したカウント値と、規準マークＧ，Ｈ間の実
際の距離Ｋとに基づいて、干渉計２６の測定用レーザ光
の波長λを算出する（波数算出部としての機能）。一方
で、メインコントローラ３１は、レーザ加工処理時に、
Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向の移動量を上
記カウント値で求め、このカウント値より実際の移動量
を計算する（例えば、ミクロンオーダー、サブミクロン
オーダーで表す）。

【００２２】而して、メインコントローラ３１のカウン
タが測定部として機能する。又、メインコントローラ３
１のメモリには、被加工物（半導体ウェーハ１）の設計
値データが記憶されている。而して、記憶された半導体
ウェーハ１の設計値データ（配線パターン、ダイシング
ライン上のマーク等の設計値データ）の中から特定のパ
ターンが、半導体ウェーハ１をアライメントする際のア
ライメントマーク（例えば、図３のＡ，Ｂ）として用い
られる。

【００２３】又、メインコントローラ３１は、Ｘ−Ｙス
テージ２１上のＸ軸方向・Ｙ軸方向と半導体ウェーハ１
の設計値上のＸ軸方向・Ｙ軸方向との回転誤差を検知す
る機能（回転角度検知部としての機能）、更には、当該
回転誤差を用いて設計値を補正する機能を有する。

【００２４】次に、レーザ加工装置４０によるレーザ加
工処理の概略について、図２のフローチャートに基づい
て説明する。レーザ加工処理は、Ｘ−Ｙステージ２１に
半導体ウェーハ１を搭載してそのアライメントを行なう
処理（ステップＳ１）、規準器２３上の規準マークＧ，
Ｈ間の距離Ｋを測定用レーザ光の波長λを分割したもの
を基準単位とした数（カウント値）によって計測すると
共に斯く計測した数と該規準マークＧ，Ｈ間の実際の距
離Ｋとを比較して当該使用環境における波長λを算出す
る処理（ステップＳ２〜ステップＳ６）、上記算出した
波長λを用いて実際にレーザ加工を行なう処理（ステッ
プＳ７〜ステップＳ１２）とに分けられる。

【００２５】このレーザ加工処理が開始されると、先
ず、半導体ウェーハ１のＸ−Ｙステージ２１上への位置
合わせ（アライメント）が行われる（ステップＳ１）。
このとき、半導体ウェーハ１上のアライメントマーク
Ａ，Ｂ近傍にアライメントレーザ１３からのアライメン
ト用レーザ光が照射されて、このときの回折光が光セン
サ１９によって検出され、この光センサ１９からの信号
に基づいて、メインコントローラ３１がアライメントマ
ークＡ，Ｂを検知する。そして、この検知されたアライ
メントマークＡ，Ｂと、前記メインに記憶されたアライ
メントマークＡ，Ｂの設計値とが比較されて、これらの
対応関係が得られる。

【００２６】次のステップＳ２では、規準器２３の規準
マークＧ近傍にアライメントレーザ１３からのアライメ
ント用レーザ光が照射され、このときの回折光が光セン
サ１９によって検出され、この光センサ１９からの信号
に基づいて、メインコントローラ３１が規準マークＧを
検知する。このように、規準マークＧがメインコントロ
ーラ３１によって検知されたとき次のステップＳ３で、
このときのＸ−Ｙステージ２１の移動量（カウント値）
が、メインコントローラ３１のメモリ１に収納される。

【００２７】ところで、干渉計２６はＸ−Ｙステージ２
１の移動量を、当該測定用レーザ光の波長λを分割した
ものを基準単位として検出し続け、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向
の移動量の増減（＋方向、又は−方向の移動）を表すパ
ルス信号をメインコントローラ３１に出力し続け、この
パルス信号に基づいて、メインコントローラ３１のカウ
ンタのカウント値が増減して、その移動量がカウント値
として検知される。

【００２８】而して、上記したステップＳ３で記憶され
たＸ−Ｙステージ２１の移動量（規準マークＧの座標）
は、上記カウント値を用いた座標（Ｍg，Ｎg）で表され
る（図３参照）。続くステップＳ４では、規準器２３の
規準マークＨ近傍にアライメントレーザ１３からのアラ
イメント用レーザ光が照射されて、このときの回折光が
光センサ１９によって検出され、この光センサ１９から
の信号に基づいて、メインコントローラ３１が規準マー
クＨを検知する。

【００２９】このとき、規準マークＨは対物レンズ１１
の直下位置にあると考えられるので、このときのＸ−Ｙ
ステージ２１の移動量（カウント値）がメインコントロ
ーラ３１のメモリ１に収納される（ステップＳ５）。こ
の場合にも、記憶されるＸ−Ｙステージ２１の移動量
（座標）は、上記カウント値を用いた座標（Ｍh，Ｎh）
で表される（図３参照）。

【００３０】次のステップＳ６では、上記メモリ１，２
に収納された各々の規準マークＧ，Ｈの座標（Ｍg，Ｎ
g）、（Ｍh，Ｎh）を比較することによって規準マーク
Ｇ，Ｈ間の距離Ｋを表すカウント値が求められる。尚、
図３に示す例では、説明を簡単にするために規準マーク
Ｇ，Ｈは、その座標のＹ成分が同一となっている。従っ
て、規準マークＧ，Ｈ間の実際の距離（一定距離）Ｋ
は、カウント値（Ｍg−Ｍh）で表される。

【００３１】このように得られた、２つの規準マーク
Ｇ，Ｈ間の実際の距離（一定距離）Ｋと、この距離Ｋを
表すカウント値（Ｍg−Ｍh）とを比較することによっ
て、当該干渉計２６の測定用レーザ光の波長λが算出さ
れる。従って、干渉計２６の測定用レーザ光の波長λ
が、当該レーザ加工装置４０の使用環境によって変化し
ても、その変化した波長λを、レーザ加工処理毎に容易
に、しかも正確に算出できる。

【００３２】而して、上記算出した波長λにカウント値
を乗算し、これを２倍して、当該Ｘ−Ｙステージ２１の
実際の移動量（例えば、ミクロンオーダーで表され
る。）を求めることができる。図２の説明に戻り、続く
ステップＳ７からステップＳ１２では、上記ステップＳ
６で算出された波長λを用いたレーザ加工が行われる。

【００３３】先ず、ステップＳ７では、再び半導体ウェ
ーハ１の位置合わせが行われる。続くステップＳ８で
は、メインコントローラのメモリから所望のレーザ加工
位置Ｄの設計値の座標（Ｘｄ，Ｙｄ）が読み込まれる。
次のステップＳ９では、上記ステップＳ８で読み込まれ
たレーザ加工位置Ｄの座標（Ｍｄ，Ｎｄ）と、Ｘ−Ｙス
テージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向への移動量のカウント
値にλを分割した数を乗算した値（実際の移動量）が一
致するまで、当該Ｘ−Ｙステージ２１の移動が行われ
る。このように乗算するのは、Ｘ−Ｙステージ２１がλ
を分割した単位で移動する毎に、干渉計２６からパルス
信号が出力されるからである。

【００３４】この移動により、対物レンズ１１の先端部
１１Ａが、半導体ウェーハ１のレーザ加工位置Ｄに合わ
され、加工レーザ１２からの加工用レーザ光の光軸Ｌ
が、精度よくレーザ加工位置Ｄに合わされる。次のステ
ップＳ１０では、この状態で、加工レーザ１２から加工
用レーザ光が照射されて、レーザ加工が行われる。

【００３５】次のステップＳ１１では、引き続きレーザ
加工処理を行なうか否かの判別が行われる。この判別結
果が“YES”のときには、ステップＳ８に戻って、他の
レーザ加工位置に対するレーザ加工が行われる。一方、
ステップＳ１１の判別結果が“NO”のときには、次のス
テップＳ１２で他の半導体ウェーハに対して、同様に、
レーザ加工処理を行なうか否かの判別が行われる。この
判別結果が“YES”のときには、ステップＳ７に戻っ
て、他の半導体ウェーハに対するレーザ加工が行われ
る。一方、ステップＳ１２の判別結果が“NO”のときに
は、そのままレーザ加工処理を終了する。

【００３６】図４は、ステップＳ１の半導体ウェーハ１
の位置合わせ（アライメント）によっても、依然、半導
体ウェーハ１上のＸ軸方向・Ｙ軸方向と、Ｘ−Ｙステー
ジ２１上のＸ軸方向・Ｙ軸方向との間に回転誤差Δθが
ある場合の当該回転誤差Δθの修正手順を示す説明図で
ある。一般的に、半導体ウェーハ１をＸ−Ｙステージ２
１上に搭載する際には、オリエンテーションフラット１
Ｆ（図４）がＸ−Ｙステージ２１の所定位置に合わさ
れ、この状態で、例えば、Ｙ成分が等しい２つのアライ
メントマーク（例えば、アライメントマークＡ，Ｂ）の
認識が行われる。

【００３７】この場合、アライメントマークＡ，Ｂは、
設計値上は、Ｙ軸方向の成分に関しては、差がないはず
である。従って、上記認識された２つの座標（Ｘａ，Ｙ
ａ），（Ｘｂ，Ｙｂ）のＹ成分に差ΔＹ1があれば、回
転誤差Δθが生じていると判断できる。そして、この差
ΔＹ1を検知すれば、Ｘ軸方向の距離（Ｘｂ−Ｘａ）と
の関係で、半導体ウェーハ１のＸ軸方向・Ｙ軸方向が、
Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向に対してどの
程度の回転誤差Δθが生じているかが分かる。

【００３８】通常、この回転誤差Δθは、Ｘ−Ｙステー
ジ２１に設けられた回転調整部（図示省略）によって当
該Ｘ−Ｙステージ２１を回転調整することにより、修正
される。しかし、この回転誤差Δθが、当該回転調整部
で取りきれなく残った回転誤差（残留ローティション）
があるときは、半導体ウェーハ１のＸ軸方向・Ｙ軸方向
を、Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向に一致さ
せることができない。

【００３９】そこで、図４に示すように、アライメント
マークＡとアライメントマークＢのＹ軸方向の差ΔＹ1
を検知し、このΔＹ1と２つのアライメントマークＡ，
Ｂ間のＸ成分の差（Ｘｂ−Ｘａ）とに基づいて回転誤差
Δθ（残留ローティション）を三角関数を用いて求めて
算出及び記憶し、この回転誤差Δθを、レーザ加工位置
Ｄの位置合わせ時に修正値として用いる。これによっ
て、更に精度の高い、レーザ加工位置Ｄへの加工用レー
ザ光の光軸Ｌの位置合わせが可能になる。

【００４０】この場合にも、アライメントマークＡ，Ｂ
の座標（Ｘａ，Ｙａ），（Ｘｂ，Ｙｂ）間のＹ軸方向の
距離ΔＹ1を、上記算出した波長λを用いて測定するこ
とによって、この回転誤差Δθを、更に精度よく算出す
ることができる。図５は、本実施形態の変形例に係るレ
ーザ加工装置６０のブロック図である。この変形例に係
るレーザ加工装置６０では、レーザ光照射部５０に、規
準マークＧ，Ｈ、アライメントマークＡ，Ｂを検出する
検出手段として、ＣＣＤ５５、画像ユニット５３、光源
５７を用いている。尚、図１に示すレーザ加工装置４０
と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付
し、その説明を省略する。

【００４１】このように規準マークＧ，Ｈを、ＣＣＤ５
５を用いて検知するタイプのレーザ加工装置６０におい
ても、規準マークＧ，Ｈ間の距離（一定距離）Ｋを、干
渉計２６の測定用レーザ光の波長を分割したものを基準
単位とした数（カウント値）にて表し、このカウント値
と、上記一定距離Ｋとを比較して、当該使用環境におけ
る測定用レーザ光の波長λが算出される。

【００４２】そして、斯く算出された波長λを用いて、
Ｘ−Ｙステージ２１上のレーザ加工位置Ｄと加工用レー
ザ光の光軸Ｌの位置合わせが精度よく行われる。尚、本
実施形態では、規準器２３をガラスで形成する例を示し
たが、温度、湿度、気圧の変化によっても、膨張／収縮
しない他の材質を用いても良い。

【００４３】

【発明の効果】以上説明した請求項１の発明によれば、
干渉計の使用環境を検知する手段を別途設けることな
く、これら使用環境による影響を受けずに、加工位置と
加工用レーザ光の光軸の精度の高い位置合わせが可能に
なる。

【００４４】又、請求項２の発明によれば、被加工物の
Ｘ−Ｙステージ上への位置合わせに回転誤差が生じてい
た場合でも、当該回転誤差の修正が精度よく行なわれ、
レーザ加工位置と、加工用レーザ光の光軸の位置合わせ
の精度が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態のレーザ加工装置４０の全体構成図
である。

【図２】レーザ加工装置４０によるレーザ加工処理を示
すフローチャートである。

【図３】Ｘ−Ｙステージ２１の規準器２３上に形成され
た規準マークＧ，Ｈを示す説明図である。

【図４】半導体ウェーハ１の回転誤差Δθを示す説明図
である。

【図５】変形例に係るレーザ加工装置６０の全体構成図
である。

【符号の説明】

１半導体ウェーハ１１対物レンズ１２加工レーザ１３アライメントレーザ２１Ｘ−Ｙステージ２３規準器２６干渉計３１メインコントローラ（制御手段）Ｇ，Ｈ規準マーク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加工用レーザ光を発生させる加工レーザ
と、被加工物が搭載されるステージと、前記ステージ上のマークを検出する検出手段と、前記ステージを前記加工レーザに対して移動させる移動
手段と、少なくとも２以上の規準マークが一定距離隔てて形成さ
れた規準器と、前記ステージの移動量を測定用レーザ光の波長を分割し
たものを基準単位とした数にて計測する干渉計と、前記移動手段による前記ステージの移動量を制御すると
共に、前記被加工物上のマークを基準に所望のレーザ加
工位置を認識し、斯く認識したレーザ加工位置に前記加
工用レーザ光を照射する制御手段とを備えたレーザ加工
装置において、前記制御手段は、前記検出手段が前記規準器の少なくとも２つの規準マー
クの一方を検知したときの干渉計の計測値と、他方を検
知したときの干渉計の計測値とを比較して、当該２つの
規準マーク間の距離を測定用レーザ光の波長を分割した
ものを基準単位とした数にて求める測定部と、前記求められた数と前記少なくとも２つの規準マーク間
の一定距離とに基づいて、前記測定用レーザ光の波長を
算出する波長算出部とを有し、該制御手段は前記算出した波長を用いて前記ステージの
移動量の制御を行うようにされてなることを特徴とする
レーザ加工装置。
【請求項２】前記ステージは、Ｘ−Ｙステージであ
り、前記回転角度検知部は、前記算出された波長を用いて、
被加工物上の少なくとも２つのアライメントマーク間の
Ｘ軸方向・Ｙ軸方向の距離を測定し、この測定値と、当
該２つのアライメントマークの設計値に基づいて前記回
転量を検知することを特徴とする請求項１に記載のレー
ザ加工装置。