JPH1056124A - リードフレーム及びボトムリード型半導体パッケージ - Google Patents

リードフレーム及びボトムリード型半導体パッケージ

Info

Publication number
JPH1056124A
JPH1056124A JP9156388A JP15638897A JPH1056124A JP H1056124 A JPH1056124 A JP H1056124A JP 9156388 A JP9156388 A JP 9156388A JP 15638897 A JP15638897 A JP 15638897A JP H1056124 A JPH1056124 A JP H1056124A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
semiconductor chip
chip
leads
semiconductor package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9156388A
Other languages
English (en)
Inventor
Sun Dong Kim
ドン キム スン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
LG Semicon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Semicon Co Ltd filed Critical LG Semicon Co Ltd
Publication of JPH1056124A publication Critical patent/JPH1056124A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】チップパッドが略中央部位に形成された半導体
チップであっても、容易にワイヤボンディングを行い得
るようにする。 【解決手段】リードフレームの第1リード12上面の略
中央部位に電導性両面テープ14を介して平板状の第2
リード15を接着し、半導体チップを第2リードが形成
されていない面に絶縁性の両面テープ16により接着す
る。そして、センターチップパッドと各リード12とを
導電ワイヤ21により接続し、該構造物を前記各ボトム
リードの表面が露出するように成形する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
びボトムリード型半導体パッケージに係るもので、詳し
くは、端部にチップパッドが形成されていないような半
導体チップでも、ボトムリードに搭載してワイヤーボン
ディングを行い得る技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ボトムリード型半導体パッケージ
においては、図5に示すように、所定形状の半導体チッ
プ1を搭載すべく基板(図示されず)に接続される複数
の基板接続リード2aと該基板接続リード2aに延長形
成され、半導体チップ1にワイヤボンディングされる半
導体チップ接続リード2bとを有する複数のリードフレ
ーム2と、半導体チップ1をリードフレーム2の基板接
続リード2a上に夫々付着させる接着剤3と、半導体チ
ップ1のチップパッド(図示されず)とリードフレーム
2の半導体チップ接続リード2bとに夫々電気的に接続
された複数個の金属ワイヤ4と、を備え、ワイヤボンデ
ィングされた半導体チップ1及びリードフレーム2の各
リード2a、2bの包含された構造物がモールディング
樹脂5により成形され、リードフレーム2の基板接続リ
ード2aはモールディング樹脂の下方に露出するように
構成されている。
【0003】また、リードフレーム2の各基板接続リー
ド2aは半導体チップ接続リード2bから所定段差を有
するように下向きに屈曲されてダウンセット(down set)
されている。このように構成されたパッケージは本発明
者が米国に出願して特許を受けた米国特許NO. 5,428,24
8('95.6.27) に提示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このように構
成された従来のボトムリード型半導体パッケージにおい
ては、チップパッドが半導体チップの端部に位置してい
る場合はワイヤボンディングを行い得るが、チップパッ
ドが半導体チップの中央部位に位置しているときは、チ
ップパッドとリードとが離れて位置するようになるの
で、ワイヤボンディングを行うことができないという不
都合な点があった。
【0005】本発明はこのような従来の課題に鑑みてな
されたもので、センターチップパッドが形成されたよう
な半導体チップを容易にボトムリードに搭載し、ワイヤ
ーボンディングを行い得るリードフレーム及びそれを用
いたボトムリード型半導体パッケージを提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】このため、請求項1の発
明にかかるリードフレームは、所定間隔を置いて平行に
形成された一対のガイドレールと、該ガイドレール間に
接続形成された所定幅の複数のダムバーと、半導体チッ
プを設置したときに先端が半導体チップのチップパッド
に対応するように、該ダムバーの両側に所定間隔で延長
形成された複数の第1リードと、各第1リードの一方の
面の中間部に形成された電導性接着部材と、該電導性接
着部材上に形成された複数の第2リードと、を備えて構
成されている。
【0007】かかる構成によれば、半導体チップを設置
したときに各第1リードの先端が半導体チップのチップ
パッドに対応し、ワイヤボンディングを行い得る。請求
項2の発明にかかるリードフレームでは、前記電導性接
着部材は、電導性の接着剤が塗布された電導性の両面テ
ープである。かかる構成によれば、第2リードは電導性
接着部材を介して第1リード上に形成される。
【0008】請求項3の発明にかかるリードフレーム
は、所定間隔を置いて平行に形成された一対のガイドレ
ールと、該ガイドレール間に、所定間隔を置いて接続形
成された所定幅の複数のダムバーと、一方の面の中間部
に頂面が平坦になるように突出形成された突出部を有
し、半導体チップが設置されたときに先端が半導体チッ
プのチップパッドと対応するようにダムバーの両側に所
定間隔で延長形成された複数のリードと、を備えて構成
されている。
【0009】かかる構成によれば、半導体チップを設置
したときに各第1リードの先端が半導体チップのチップ
パッドに対応し、ワイヤボンディングを行い得る。請求
項4の発明にかかる半導体パッケージは、請求項1又は
請求項2に記載のリードフレームを用いて半導体チップ
を収納する半導体パッケージであって、該半導体チップ
を、複数のリードの第2リードが形成されていない面
に、第1リードの先端が半導体チップのチップパッドと
対応するように取り付ける一方、前記半導体チップのチ
ップパッドと各第1リードとを接続する複数の導電ワイ
ヤと、前記第2リードの上面を露出させ、半導体チッ
プ、第1リード及び導電ワイヤを覆うように成形された
モールディング樹脂と、を備えて構成されている。
【0010】かかる構成によれば、半導体チップは、第
2リードが形成されていない面に第1リードの先端が半
導体チップのチップパッドと対応するように取り付けら
れ、導電ワイヤによりチップパッドと各第1リードとが
接続される。そして、半導体チップ、第1リード及び導
電ワイヤは、成形されたモールディング樹脂によって覆
われ、第2リードの上面が露出する。そして、この第2
リードの上面を介して信号が入出力される。
【0011】請求項5の発明にかかる半導体パッケージ
では、前記半導体チップを、絶縁性接着部材を介して各
第1リードに接着する構成である。かかる構成によれ
ば、半導体チップは、絶縁性接着部材を介して各リード
に接着されて第1リードに取り付けられる。請求項6の
発明にかかる半導体パッケージでは、前記絶縁性接着部
材は、絶縁性の両面テープである。
【0012】かかる構成によれば、半導体チップは、絶
縁性の両面テープを介して各第1リードに接着される。
請求項7の発明にかかる半導体パッケージは、請求項3
に記載のリードフレームを用いて半導体チップを収納す
る半導体パッケージであって、該半導体チップを、複数
のリードの突出部が形成されていない面に、リードの先
端が半導体チップのチップパッドと対応するように取り
付ける一方、前記半導体チップのチップパッドと各リー
ドとを接続する複数の導電ワイヤと、前記突出部の上面
を露出させ、半導体チップ、リード及び導電ワイヤを覆
うように成形されたモールディング樹脂と、を備えて構
成されている。
【0013】かかる構成によれば、半導体チップは、突
出部が形成されていない面に第1リードの先端が半導体
チップのチップパッドと対応するように取り付けられ、
導電ワイヤによりチップパッドと各リードとが接続され
る。そして、半導体チップ、リード及び導電ワイヤは、
成形されたモールディング樹脂によって覆われ、突出部
の頂面がボトムリードとして露出し、突出部を介して信
号が入出力される。
【0014】請求項8の発明にかかる半導体パッケージ
では、前記半導体チップを、絶縁性接着部材を介して各
リードに接着する構成である。かかる構成によれば、半
導体チップは、絶縁性接着部材を介して各リードに接着
される。請求項9の発明にかかる半導体パッケージで
は、前記絶縁性接着部材は、絶縁性の両面テープであ
る。
【0015】かかる構成によれば、半導体チップは、絶
縁性の両面テープを介して各リードに接着される。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
〜図6に基づいて説明する。まず第1の実施の形態につ
いて説明する。第1の実施の形態を示す図1、図2にお
いて、一対のガイドレール10a、10bが所定間隔を
置いて横手方向平行に形成され、半導体パッケージの製
造工程中リードフレームの移動ガイドの機能を有するよ
うになっており、該一対のガイドレール10a、10b
間には所定幅を有する複数のダムバー11が所定間隔を
置いて夫々縦方向に接続形成され、ダムバー11はモー
ルディング工程時にモールディング樹脂が流出しないよ
うにダムの機能を有している。
【0017】また、ダムバー11の両側には複数の第1
リード12が所定間隔をもって横手方向に相互対向して
平行に夫々延長形成され、各第1リード12の端部は列
状に整列して各端部間に所定幅の空間部13が形成され
ている。又、第1リード12上面の略中央部位には、夫
々、電導性接着部材である電導性両面テープ14により
平板状の第2リード15が、夫々、所定段差T1を有す
るように強固に接着されている。
【0018】このようなリードフレームを用いたボトム
リードパッケージを図2に示す。この図において、ボト
ムリードパッケージは、複数のセンターチップパッドが
形成された半導体チップ20上面の両側に先端がチップ
パッドに近接するように付着された複数の第1リード1
2と、前記半導体チップ20上のチップパッドと各第1
リード12とを夫々接続する複数の導電ワイヤ21と、
各第1リード12上面中央部位に形成された複数の電導
性両面テープ14と、電導性両面テープ14上に接着形
成された複数の第2リード15と、第2リード15上面
が露出するように構造物の全てを覆って成形されたモー
ルディング樹脂30と、を備えて構成されている。
【0019】次に、このボトムリードパッケージの製造
工程について説明する。先ず、図3(A)に示すよう
に、複数の第1リード12を形成し、第1リード12上
面中央部位に電導性両面テープ14を用いて第2リード
15を形成し、リードフレームを構成する。次いで、図
2(B)に示すように、絶縁性接着部材である絶縁性両
面テープ16を用いてセンターチップパッド(図示され
ず)が形成された半導体チップ20を各第1リード12
下面に付着する。
【0020】このとき、周知のLOC(Lead On Chip)形
の構造と同様に、半導体チップ20上面両側に付着した
第1リード12間の空間部13を通してセンターチップ
パッド(図示されず)が露出するように半導体チップ2
0を各第1リード12下面に付着する。次いで、半導体
チップ20のセンターチップパッドと各第1リード12
とを導電ワイヤ21により夫々接続する。
【0021】次いで、図2(C)に示すように、半導体
チップ20、複数の各リード12、15、及び導電ワイ
ヤ21をモールディング樹脂30により密封成形し、モ
ールディング樹脂30の外側に突出した第1リード12
を切断する。これにより、図2(D)に示すようなボト
ムリード型半導体パッケージが製造される。そして、第
2リード15の上面を介して信号が入出力される。
【0022】かかる構成によれば、センターチップパッ
ドが形成された半導体チップ20でも、第1リード12
の先端がチップパッドの近傍に位置するようになるの
で、かかる半導体チップ20を容易にボトムリードに搭
載し、ワイヤーボンディングを行うことができる。次に
第2の実施の形態について説明する。
【0023】第2の実施の形態では、リードフレーム
は、図4及び図5に示すように、一対のガイドレール1
0a,10b間に所定幅を有し所定間隔を置いて夫々縦
方向に接続成形された複数のダムバー11と、ダムバー
11の両側に所定幅を有し、所定間隔をもって横手方向
平行に相互対向して、延長形成された複数のリード1
2’と、各リード12’の端部間に形成された所定幅の
空間部13と、リード12’***部位に所定段差T2
を有して頂面が平坦になった複数の突出部15−1と、
を備え、この突出部15−1がボトムリード形パッケー
ジのボトムリードとなる。
【0024】図6(D)に示すように、かかるボトムリ
ード形パッケージは、複数のセンターチップパッドが形
成された半導体チップ20上面の両側に、先端がチップ
パッドに近接するように付着し、複数のリード12’及
びリード12’上面の中央部位に上方向き突出形成され
た突出部15−1を有するリードフレームと、半導体チ
ップ20のチップパッドと各リード12’とを夫々接続
する複数の導電ワイヤ21と、各突出部15−1の上面
が露出するように構造物の全てを覆って成形されたモー
ルディング樹脂30と、を備えて構成されている。
【0025】次に、かかるボトムリード形パッケージの
製造方法について説明する。先ず、図6(A)に示すよ
うに、上面中央部位に突出部15−1が形成された複数
のリード12’を備えたリードフレームを構成し、図6
(B)に示すように、リード12’下面に絶縁性接着剤
が付着した両面テープ16を用いて半導体チップ20を
接着する。
【0026】このとき、周知のLOC形の構造と同様
に、半導体チップ20上面の両側に付着した複数のリー
ド12’端部間の空間部13をセンターチップパッド
(図示されず)が露出するように半導体チップ20を付
着し、該半導体チップ20のセンターチップパッドと各
リード12’とを導電ワイヤ21により夫々接続する。
次いで、図6(C)に示すように、半導体チップ20、
各リード12’の突出部15−1、及び各導電ワイヤ2
1の全てを覆い、各突出部15−1表面が露出するよう
にモールディング樹脂30を用いて成形し、該モールデ
ィング樹脂30の外側に突出したリード12’を切断す
る。
【0027】これにより、図6(D)に示すように、ボ
トムリード型半導体パッケージが製造され、突出した突
出部15−1上面が基板(図示されず)に接続され、半
導体チップ20の電気信号が外部に伝達される。かかる
構成によれば、電導性両面テープ14を用いて第2リー
ド15を第1リード12に接着する工程を省くことがで
き、製造工程を簡略化することができる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
かかるリードフレームによれば、端部にチップパッドが
形成されていない半導体チップを搭載するボトムリード
型に形成することができる。請求項2の発明にかかるリ
ードフレームによれば、第2リードを第1リードに接着
することができる。
【0029】請求項3の発明にかかるリードフレームに
よれば、同様に、かかる半導体チップを搭載するボトム
リード型に形成することができる。請求項4の発明にか
かる半導体パッケージによれば、半導体チップのチップ
パッドに対応して第1リードの先端が配置されるので、
従来のボトムリード半導体パッケージの長点を生かしな
がら、半導体チップを容易にボトムリードに搭載し、ワ
イヤーボンディングを行うことができ、従来ボトムリー
ド半導体パッケージでは不可能であった導電ワイヤボン
ディングの問題点を容易に解決し得るようになるという
効果がある。
【0030】請求項5の発明にかかる半導体パッケージ
によれば、リードとの絶縁を保ちつつ、半導体チップを
支持することができる。請求項6の発明にかかる半導体
パッケージによれば、半導体チップを絶縁性の両面テー
プで確実に保持することができる。請求項7の発明にか
かる半導体パッケージによれば、リードに突出部を形成
することにより、半導体チップを容易にボトムリードに
搭載し、ワイヤーボンディングを行うことができる。
【0031】請求項8の発明にかかる半導体パッケージ
によれば、リードとの絶縁を保ちつつ、半導体チップを
支持することができる。請求項9の発明にかかる半導体
パッケージによれば、半導体チップを絶縁性の両面テー
プで確実に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るリードフレームの第1の実施の形
態を示す平面図。
【図2】図1のA−A線断面図。
【図3】第1の実施の形態の半導体パッケージの製造方
法を示す縦断面図。
【図4】本発明に係るリードフレームの第2の実施の形
態を示す平面図。
【図5】図4のB−B線断面図。
【図6】第2の実施の形態の半導体パッケージの製造方
法を示す縦断面図。
【図7】従来の半導体パッケージを示す縦断面図。
【符号の説明】
10a,10b ガイドレール 11 ダムバー 12 第1リード 12’ リード 13 空間部 14 電導性両面テープ 15 第2リード 15−1 突出部 16 絶縁性両面テープ 20 半導体チップ 21 導電ワイヤ 30 モールディング樹脂

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定間隔を置いて平行に形成された一対の
    ガイドレール(10a)、(10b)と、 該ガイドレール(10a)、(10b)間に接続形成さ
    れた所定幅の複数のダムバー(11)と、 半導体チップ(20)を設置したときに先端が半導体チ
    ップ(20)のチップパッドに対応するように、該ダム
    バー(11)の両側に所定間隔で延長形成された複数の
    第1リード(12)と、 各第1リード(12)の一方の面の中間部に形成された
    電導性接着部材(14)と、 該電導性接着部材(14)上に形成された複数の第2リ
    ード(15)と、を備えて構成されたことを特徴とする
    リードフレーム。
  2. 【請求項2】前記電導性接着部材(14)は、電導性の
    接着剤が塗布された電導性の両面テープであることを特
    徴とする請求項1記載のリードフレーム。
  3. 【請求項3】所定間隔を置いて平行に形成された一対の
    ガイドレール(10a)、(10b)と、 該ガイドレール(10a)、(10b)間に、所定間隔
    を置いて接続形成された所定幅の複数のダムバー(1
    1)と、 一方の面の中間部に頂面が平坦になるように突出形成さ
    れた突出部(15−1)を有し、半導体チップ(20)
    が設置されたときに先端が半導体チップ(20)のチッ
    プパッドと対応するようにダムバー(11)の両側に所
    定間隔で延長形成された複数のリード(12')と、を備
    えて構成されたことを特徴とするリードフレーム。
  4. 【請求項4】請求項1又は請求項2に記載のリードフレ
    ームを用いて半導体チップ(20)を収納する半導体パ
    ッケージであって、 該半導体チップ(20)を、複数のリード(12)の第
    2リード(15)が形成されていない面に、第1リード
    (12)の先端が半導体チップ(20)のチップパッド
    と対応するように取り付ける一方、 前記半導体チップ(20)のチップパッドと各第1リー
    ド(12)とを接続する複数の導電ワイヤ(21)と、 前記第2リード(15)の上面を露出させ、半導体チッ
    プ(20)、第1リード(12)及び導電ワイヤ(2
    1)を覆うように成形されたモールディング樹脂(3
    0)と、を備えて構成されたことを特徴とするボトムリ
    ード型半導体パッケージ。
  5. 【請求項5】前記半導体チップ(20)を、絶縁性接着
    部材(16)を介して各第1リード(12)に接着する
    構成であることを特徴とする請求項4記載のボトムリー
    ド半導体パッケージ。
  6. 【請求項6】前記絶縁性接着部材(16)は、絶縁性の
    両面テープであることを特徴とする請求項5記載のボト
    ムリード型半導体パッケージ。
  7. 【請求項7】請求項3に記載のリードフレームを用いて
    半導体チップ(20)を収納する半導体パッケージであ
    って、 該半導体チップ(20)を、複数のリード(12')の突
    出部(15−1)が形成されていない面に、リード(1
    2')の先端が半導体チップ(20)のチップパッドと対
    応するように取り付ける一方、 前記半導体チップ(20)のチップパッドと各リード
    (12')とを接続する複数の導電ワイヤ(21)と、 前記突出部(15−1)の上面を露出させ、半導体チッ
    プ(20)、リード(12')及び導電ワイヤ(21)を
    覆うように成形されたモールディング樹脂(30)と、
    を備えて構成されたことを特徴とするボトムリード型半
    導体パッケージ。
  8. 【請求項8】前記半導体チップ(20)を、絶縁性接着
    部材(16)を介して各リード(12')に接着する構成
    であることを特徴とする請求項7記載のボトムリード型
    半導体パッケージ。
  9. 【請求項9】前記絶縁性接着部材(16)は、絶縁性の
    両面テープであることを特徴とする請求項8記載のボト
    ムリード型半導体パッケージ。
JP9156388A 1996-06-14 1997-06-13 リードフレーム及びボトムリード型半導体パッケージ Pending JPH1056124A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR21536/1996 1996-06-14
KR1019960021536A KR0179925B1 (ko) 1996-06-14 1996-06-14 리드프레임 및 그를 이용한 버텀 리드 반도체 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1056124A true JPH1056124A (ja) 1998-02-24

Family

ID=19461939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9156388A Pending JPH1056124A (ja) 1996-06-14 1997-06-13 リードフレーム及びボトムリード型半導体パッケージ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5898212A (ja)
JP (1) JPH1056124A (ja)
KR (1) KR0179925B1 (ja)
CN (1) CN1169032A (ja)
DE (1) DE19651549B4 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3026426B2 (ja) * 1996-08-29 2000-03-27 沖電気工業株式会社 樹脂封止型半導体装置とその製造方法及びその金型構造
KR100214544B1 (ko) * 1996-12-28 1999-08-02 구본준 볼 그리드 어레이 반도체 패키지
KR19980080551A (ko) * 1997-03-25 1998-11-25 사또아끼오 수지 패키지, 반도체장치 및 수지 패키지의 제조방법
DE19745648A1 (de) * 1997-10-15 1998-11-26 Siemens Ag Trägerelement für einen Halbleiterchip zum Einbau in Chipkarten
JP3420057B2 (ja) * 1998-04-28 2003-06-23 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
JP3862411B2 (ja) 1998-05-12 2006-12-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及びその構造
KR100293815B1 (ko) * 1998-06-30 2001-07-12 박종섭 스택형 패키지
US6469399B2 (en) * 1999-02-08 2002-10-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
TW404030B (en) * 1999-04-12 2000-09-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Dual-chip semiconductor package device having malposition and the manufacture method thereof
US6420779B1 (en) 1999-09-14 2002-07-16 St Assembly Test Services Ltd. Leadframe based chip scale package and method of producing the same
US6949824B1 (en) * 2000-04-12 2005-09-27 Micron Technology, Inc. Internal package heat dissipator
US6576496B1 (en) 2000-08-21 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for encapsulating a multi-chip substrate array
JP2002093831A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
CN100454503C (zh) * 2007-03-21 2009-01-21 宁波康强电子股份有限公司 三极管引线框架的制造方法
US20130249387A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 Chia-Fen Hsin Light-emitting diodes, packages, and methods of making

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3902148A (en) * 1970-11-27 1975-08-26 Signetics Corp Semiconductor lead structure and assembly and method for fabricating same
KR940007757Y1 (ko) * 1991-11-14 1994-10-24 금성일렉트론 주식회사 반도체 패키지
KR0157857B1 (ko) * 1992-01-14 1998-12-01 문정환 반도체 패키지
KR0128251Y1 (ko) * 1992-08-21 1998-10-15 문정환 리드 노출형 반도체 조립장치
JPH077121A (ja) * 1992-09-18 1995-01-10 Texas Instr Inc <Ti> 多層リードフレームアセンブリを有する半導体デバイスおよびそのパッケージ方法
KR960005042B1 (ko) * 1992-11-07 1996-04-18 금성일렉트론주식회사 반도체 펙케지
KR0152901B1 (ko) * 1993-06-23 1998-10-01 문정환 플라스틱 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP3243116B2 (ja) * 1994-05-17 2002-01-07 株式会社日立製作所 半導体装置
JP3279841B2 (ja) * 1994-10-18 2002-04-30 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置、その製造方法およびその実施に用いる金型

Also Published As

Publication number Publication date
US5898212A (en) 1999-04-27
KR0179925B1 (ko) 1999-03-20
KR980006169A (ko) 1998-03-30
DE19651549B4 (de) 2004-03-18
CN1169032A (zh) 1997-12-31
DE19651549A1 (de) 1997-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860000410B1 (ko) 반도체장치 및 그 조립방법
JP3780122B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2599748Y2 (ja) リード露出型半導体パッケージ
JPH1056124A (ja) リードフレーム及びボトムリード型半導体パッケージ
JPS62259450A (ja) 集積回路ダイ・リ−ドフレ−ム相互接続組立体及び方法
JP2560974B2 (ja) 半導体装置
JP2881733B2 (ja) ボトムリード型半導体パッケージ
JPH08316405A (ja) Loc半導体パッケージ及び半導体装置のパッケージング方法
JPH02201948A (ja) 半導体装置パッケージ
JP2000091488A (ja) 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材
JP2532041B2 (ja) 半導体装置用リ―ドフレ―ム
JPS622628A (ja) 半導体装置
JP3060210U (ja) リードフレーム及びボトムリード型半導体パッケージ
JPS63306648A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ムとその製造方法
JPH07201928A (ja) フィルムキャリア及び半導体装置
JPS62260343A (ja) 半導体装置
JP2697743B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH06252329A (ja) 半導体装置
JPH0529528A (ja) 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム
JPS63160262A (ja) リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPH05235246A (ja) 半導体装置
KR100321149B1 (ko) 칩사이즈 패키지
JPH10303227A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JP3036597B1 (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP2581278B2 (ja) 半導体装置