JPH1055065A - ポリイミドプライマーをベースとするネガ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

ポリイミドプライマーをベースとするネガ型フォトレジスト組成物

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JPH1055065A
JPH1055065A JP9073067A JP7306797A JPH1055065A JP H1055065 A JPH1055065 A JP H1055065A JP 9073067 A JP9073067 A JP 9073067A JP 7306797 A JP7306797 A JP 7306797A JP H1055065 A JPH1055065 A JP H1055065A
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Siguard Guenter Hagen
ジーグルト・ギユンター・ハーゲン
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Olin Microelectronic Chemicals Inc
Original Assignee
Olin Microelectronic Chemicals Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ポリイミドプライマーをベースとするネガ型
フォトレジスト組成物の提供。 【解決手段】 このフォトレジストは、次の ａ）式(Ｉ)の反復する構造単位 （式中、Ａ1は酸素原子またはＮＨ基、Ｒ1は光重合性の
オレフィン二重結合の残基、〔Ｘ〕はテトラカルボン酸
の環式二無水物の残基、Ｙはジアミンの残基を表わす）
を含むポリイミドプライマー ｂ）オレフィン二重結合を重合させるための光開始剤 ｃ）ｃ１）一つまたはそれより多くのヒドロキシル基を
有する有機シリコン化合物、 ｃ２）式(IIａ) の化合物、 ｃ３）式(IIｂ) を有する化合物、および ｃ４）c1)、c2)およびc3)の型の成分から選択される二
つまたはそれより多くの成分からなる混合物からなる群
から選択される別な成分を少なくとも一つ含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本出願は、 ａ） 式(Ｉ)の反復する構造単位
【化６】 （式中、Ａ1は酸素原子またはＮＨ基を表わし、Ｒ1は光
重合性のオレフィン二重結合を有する同一のまたは異な
る残基を表わし、〔Ｘ〕は無水物基を除去した後に残
る、同一または異なるテトラカルボン酸の環式二無水物
の残基を表わし、そしてＹはアミノ基の除去の後に残
る、同一のまたは異なるジアミンの残基を表わす）を含
むポリイミドプライマー（すなわち前駆体）、並びに ｂ）オレフィン二重結合を重合させるための光開始剤を
含むネガ型改良されたフォトレジスト組成物に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】最初に知られたタイプ
のフォトレジストはすでに永年にわたって既知であり、
例えばＤＥ−Ａ−２,３０８,８３０、ＤＥ−Ａ−２,４
３７,３４８、ＥＰ−Ａ−０ １１９,１６２またはＥＰ
−Ａ−０ ６２４,８２６に記載されている。上記のフォ
トレジスト組成物は、ポリイミドプライマー中の光重合
性オレフィン二重結合を用いて好適な波長での照射作用
で架橋され、従ってネガ型レジストである。上記のレジ
ストは極めて高い感度を有しまた現像に際して除去され
る暗色の物質はほんの少量でしかない。さらに、このレ
ジストは、これの助けをかりてつくられるコーティング
が、露光および焼成による現像の後ポリイミドコーティ
ングへと転換され、焼成することによってコーティング
が特に耐熱性であるという利点を有する。しかしなが
ら、このようなネガ型レジストは、有機溶媒からほとん
ど完全になる現像剤で予め処理されねばならず、勿論こ
の有機溶媒は、環境と融和する処分のためにまた可燃性
を理由としてこの溶媒と関連する出費のため好ましくな
いということが不利な点である。
【０００３】他方、上記の式(Ｉ)のものを含めてポリイ
ミドプライマーをベースとする水性アルカリで現像可能
なポジ作用型フォトレジストが、ＷＯ−Ａ−９３／０９
４７０に記載されている。この組成物もまた、ノボラッ
ク樹脂をベースとする市販のポジ型レジスト中で永年使
用されているように、放射線の作用下でアルカリ中に可
溶である化合物に分解する化合物特に１,２−ジアゾキ
ノン誘導体を水性アルカリで現像可能なフォトレジスト
として含有する。水性アルカリ媒体中での現像性を改善
するために、上記したポジ型フォトレジスト組成物もま
た、現像剤中の照射されたレジスト部分の溶解度をかな
り増大する溶解度増大剤を含有するが、レジストの露光
されていない部分の溶解度は僅かしか増加せずあるいは
全く増加しない。特に好ましい溶解度増大剤はトリフェ
ニルシラノール、ジフェニルシランジオールおよび１,
４−ビス（ヒドロキシジメチルシリル）ベンゼンのよう
なオルガノシラノール、および１,３−ビス（４−ヒド
ロキシブチル）テトラメチルジシロキサンのような遊離
ヒドロキシル基を有するオルガノシロキサンである。
【０００４】本発明の一つの課題は、水性アルカリ媒体
を含有する現像剤を通常の使用条件下で使用可能とす
る、上記の式(Ｉ)のポリイミドプライマーないしは前駆
体をベースとするネガ型フォトレジスト組成物を利用可
能にすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によると、この課
題は ａ）式(Ｉ)の反復する構造単位
【化７】 （式中、Ａ1は酸素原子またはＮＨ基を表わし、Ｒ1は光
重合性のオレフィン二重結合を有する同一のまたは異な
る残基を表わし、〔Ｘ〕は無水物基を除去した後に残
る、同一または異なるテトラカルボン酸の環式二無水物
の残基を表わし、そしてＹはアミノ基の除去の後に残
る、同一のまたは異なるジアミンの残基を表わす）を含
むポリイミドプライマー（すなわち前駆体）と、 ｂ）オレフィン二重結合を重合させるための光開始剤と
を含み、さらに ｃ）ｃ１）一つまたはそれより多くのヒドロキシル基を
有する有機シリコン化合物、
【０００６】ｃ２）式(IIａ)
【化８】 （式中互いに独立なＡ2およびＡ3は酸素原子をまたは、
Ｒが水素原子またはＣ1〜Ｃ4アルキル基を示すとしたＮ
Ｒ基を表わし、そして〔Ｇ〕は置換されていないあるい
は一つまたはそれより多くのヒドロキシル置換基を有す
る脂肪族または芳香族の２価の基を表わし、Ｒ2は組成
物の水性アルカリ媒体中の溶解度を改善する一つまたは
それより多くの置換基を有するアリール残基を示し、Ｒ
3は光重合性オレフィン二重結合を少なくとも一つ有す
る残基を表わし、そして互いに独立なｙおよびｚは０ま
たは１を表わす）の化合物、
【０００７】ｃ３）式(IIｂ)
【化９】 （式中、Ｒ0は光重合性のオレフィン二重結合を有する
同一のまたは異なる残基を表わし、〔Ｍ〕は無水物基の
除去の後に残る、テトラカルボン酸の環式二無水物の残
基を表わす）を有する化合物、および ｃ４）c1)、c2)およびc3)の型の成分から選択される二
つまたはそれより多くの成分からなる混合物からなる群
から選択される少なくとも一つの他の成分を含むことを
特徴とするネガ型フォトレジスト組成物を利用可能とす
ることにより解決される。
【０００８】本発明の組成物は、放射線の作用下でアル
カリ中に可溶な成分に分解する物質を含有せず、また特
に、例えばＷＯ−Ａ−９３／０９４７０中に記載のよう
に対応する１,２−ジアゾキノン誘導体を含まない。
【０００９】
【好ましい態様に関する詳細な説明】好ましいオルガノ
シリコン化合物c1)は、それぞれが一つまたは二つのヒ
ドロキシル基を有するオルガノシラノールおよびオルガ
ノシロキサン、特に、トリフェニルシラノール、ジフェ
ニルシランジオール、１,４−ビス（ヒドロキシジメチ
ルシリル）ベンゼンおよび１,３−ビス（４−ヒドロキ
シブチル）テトラメチルジシロキサンからなる群から選
択される。
【００１０】式(IIａ)の化合物は、水性アルカリ媒体中
への組成物の溶解度を改善する置換基を一つまたはそれ
より多くそれぞれ有する、６〜１４個の環炭素のあるア
リール残基、特に適切に置換されたフェニル残基を残基
Ｒ2として含む。原則として、任意の酸残基例えばスル
ホン酸残基、ＨＯＯＣ残基またはＨＯ残基が、アリール
残基の置換基として使用できる。本発明の組成物の好ま
しい形の態様は、ＨＯ−およびＨＯＯＣ−置換基から選
択される１〜３個の置換基を有する、フェニル残基をＲ
2が表わす式(IIａ)の化合物を成分c2)として有する。式
(IIａ)の化合物として特に好ましいのは、Ｒ2が式
【化１０】 を有する基から選択される基を表わす。
【００１１】〔Ｇ〕が式(IIａ)の化合物で２価の脂肪族
基を表わすならば、置換されていないあるいは一つまた
はそれ以上のヒドロキシル置換基を有する、Ｃ1〜Ｃ10
アルキレン基、望ましくはＣ2〜Ｃ6アルキレン基、特に
直鎖のＣ2〜Ｃ6アルキレン基、例えばエチレン、トリメ
チレンまたはテトラメチレン基を使用するのが適当であ
る。本発明の目的に特に好適なのは例えば〔Ｇ〕が式
【化１１】 の基を表わす式(IIａ)の化合物である。
【００１２】式(IIａ)の化合物について〔Ｇ〕が２価の
芳香族基を表わす場合、この基は６〜２０個の環炭素原
子を含むのが好ましく、そのため基の内部で二つまたは
それ以上の芳香環が必要なら架橋体により、例えばＣ1
〜Ｃ4アルキレン基により、特に式−ＣＨ2または＞Ｃ
(ＣＨ3)2の基あるいは＞Ｃ＝Ｏまたは酸素原子により架
橋されてよい。式(IIａ)の残基Ｒ3は、特にＣ2〜Ｃ6ア
ルケニル基を含み、このためビニル基およびイソプロペ
ニル基が特に好ましい。
【００１３】式(IIａ)の化合物の好ましい例には、
【化１２】 および、Ａ2およびＡ3はともに酸素原子を表わしそして
ｙおよびｚはともに１である式(IIａ)の化合物、例えば
【化１３】 がある。
【００１４】基〔Ｍ〕は、式(IIａ)の化合物のための、
無水物基を除いた後の以下の二無水物つまりピロメリト
酸二無水物（＝ＰＭＤＡ）、３,３′,４,４′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、３,３′,４,４′−ジ
フェニルサルファイドテトラカルボン酸二無水物、３,
３′,４,４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二
無水物、３,３′,４,４′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、３,３′,４,４′−ジフェニルメタン
テトラカルボン酸二無水物、２,２′,３,３′−ジフェ
ニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２,３,３′,
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２,３,
３′,４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、オキシジフタル酸二無水物、特に３,３′,４,４′
−ジフェニルオキサイトテトラカルボン酸二無水物
（４,４′−オキシジフタル酸二無水物）、２,３,６,７
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１,４,５,７
−ナフタレンテトラカルボン酸、２,２−ビス（３,４−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２,２−ビ
ス（２,３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２,２−ビス（３,４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン二無水物、１,３−ジフェニルヘキ
サフルオロプロパン−３,３,４,４−テトラカルボン酸
二無水物、１,４,５,６−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２,２′,３,３′−ジフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、３,４,９,１０−ペリレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１,２,４,５−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１,４,５,８−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１,８,９,１０−フェナントレンテトラ
カルボン酸二無水物、１,１−ビス（２,３−ジカルボキ
シフェニル）エタン二無水物、１,１−ビス（３,４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、１,２,３,４−
ベンゼンテトラカルボン酸二無水物の一つの残基を表わ
しあるいはこれらのＣ1〜Ｃ6アルキル誘導体またはＣ1
〜Ｃ6アルコキシ誘導体を表わす。これらの化合物は既
知でありまた部分的には商業的に入手できる。上記した
ような二無水物の混合物もまた使用できる。
【００１５】式(IIｂ)の基Ｒ0は例えばビニル、アリ
ル、メタアリル基あるいは式(III)
【化１４】 （式中、Ｒ4は水素またはメチル基を表わし、そしてＲ5
は、ｎが２〜１２である−ＣnＨ2n−、−ＣＨ2ＣＨ(Ｏ
Ｈ)ＣＨ2−、または４〜３０個の炭素原子を有するポリ
オキシアルキレン基を表わす）の残基を表わす。
【００１６】適当な残基Ｒ5の例には、エチレン、プロ
ピレン、トリメチレン、テトラメチレン、１,２−ブタ
ンジイル、１,３−ブタンジイル、ペンタメチレン、ヘ
キサメチレン、オクタメチレン、ドデカメチレン、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ(ＯＨ)ＣＨ2−、それぞれｍが１〜６である
【化１５】 がある。
【００１７】Ｒ5はエチレン、プロピレン、トリメチレ
ンまたは−ＣＨ2ＣＨ(ＯＨ)ＣＨ2−であるのが好まし
く、またＲ4はメチルであるのが好ましい。特に好まし
いのはＲ4がメチルを表わし、Ｒ5がメチレンを表わす式
(III)の残基、Ｒ1である。
【００１８】式(IIｂ)の化合物の特別な例は、
【化１６】 である。
【００１９】成分c1)、そしてまた成分c2)およびc3)は
ともに、本発明の組成物中に３０wt％までの量含まれる
のが好ましく、この場合この値は常に組成物中の成分
ａ)とｃ)との全重量を基準とする。二つの成分c1)、c2)
またはc3)の少なくとも一つの含有率に関する下限は、
成分ａ)とｃ)との全重量に対して５wt％そして望ましく
は１０wt％であるのが好ましい。c1)およびc2)のタイプ
の化合物は成分ｃ)として好ましい。
【００２０】本発明のネガ型レジスト組成物の態様の特
に好ましい形は、それが、c1)のタイプの少なくとも一
つの成分とc2)のタイプの少なくとも一つの成分とを含
むc4)のタイプの特別な混合物を成分ｃ)として含有する
ことを特徴とする。この混合物は本発明の組成物中の成
分ａ)とｃ)との全重量に対して２５〜４５wt％の量で含
有されるのが好ましい。c1)のタイプの成分はジフェニ
ルシランジオールのようなシランジオールであるのが好
ましい。
【００２１】式(Ｉ)のポリイミドプライマーは既知であ
り、また特に上述したOffenlegungsschrift〔Unexamine
d〕Specifications ＤＥ−Ａ−２,３０８,８３０、ＤＥ
−Ａ−２,４３７,３４８、ＥＰ−Ａ−０ １１９,１６２
およびＥＰ−Ａ−０ ６２４,８２６中に記載されてお
り、これらはそれぞれ参照によって本記載に加入されて
いる。本発明に特に十分に好適であるのは、ＥＰ−Ａ−
０ ６２４,８２６中に開示されているポリイミドプライ
マーであり、本発明に適合する。このヨーロッパ特許は
全部が参照によって本記載に加入されている。
【００２２】本発明に好適な光反応性ポリイミドプライ
マーの場合、基〔Ｘ〕は無水物基を除いた後に残る以下
の二無水物つまりピロメリト酸二無水物（＝ＰＭＤ
Ａ）、３,３′,４,４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３,３′,４,４′−ジフェニルサルファイド
テトラカルボン酸二無水物、３,３′,４,４′−ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３,３′,４,
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３,
３′,４,４′−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無
水物、２,２′,３,３′−ジフェニルメタンテトラカル
ボン酸二無水物、２,３,３′,４′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、２,３,３′,４′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水
物、特に３,３′,４,４′−ジフェニルオキサイトテト
ラカルボン酸二無水物（４,４′−オキシジフタル酸二
無水物）、２,３,６,７−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、１,４,５,７−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２,２−ビス（３,４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、２,２−ビス（２,３−ジカルボ
キシフェニル）プロパン二無水物、２,２−ビス（３,４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無
水物、１,３−ジフェニルヘキサフルオロプロパン−３,
３,４,４−テトラカルボン酸二無水物、１,４,５,６−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２,２′,３,
３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３,４,
９,１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、１,２,
４,５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１,４,
５,８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１,８,
９,１０−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、
１,１−ビス（２,３−ジカルボキシフェニル）エタン二
無水物、１,１−ビス（３,４−ジカルボキシフェニル）
エタン二無水物、１,２,３,４−ベンゼンテトラカルボ
ン酸二無水物の一つまたは異なるいくつかの残基を例え
ば表わしあるいはこれらのＣ1〜Ｃ6アルキル誘導体また
はＣ1〜Ｃ6アルコキシ誘導体を表わす。これらの化合物
は既知でありまた部分的には商業的に入手できる。上記
したような二無水物の混合物もまた使用できる。
【００２３】基Ｙは例えば、以下のジアミンつまり１,
２−ジアミノエタン、１,２−ジアミノプロパン、１,３
−ジアミノシクロプロパン、１,４−ジアミノブタンお
よび１,６−ジアミノヘキサン；１,２−または１,３−
ジアミノペンタン、１,２−、１,３−または１,４−ジ
アミノシクロヘキサン、１,２−、１,３−または１,４
−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、ビス−（４−
アミノシクロヘキシル）メタン、ビス−（３−アミノシ
クロヘキシル）メタン、４,４′−ジアミノ−３,３′−
ジメチルシクロヘキシルメタンおよびイソホロンジアミ
ン；ｍ−およびｐ−フェニレンジアミン、ジアミノトル
エン、４,４′−および３,３′−ジアミノビフェニル、
４,４′−および３,３′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４,４′−および３,３′−ジアミノジフェニルメタ
ン、４,４′−および３,３′−ジアミノジフェニルスル
ホン、４,４′−および３,３′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド、４,４′−および３,３′−ジアミノベンゾ
フェノン、３,３′−ジメチル−４,４′−ジアミノビフ
ェニル、２,２′−ジメチル−４,４′−ジアミノビフェ
ニル、３,３′−ジメトキシ−４,４′−ジアミノビフェ
ニル、２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
２,２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２,２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフ
ェニル）プロパン、２,２−ビス（３−ヒドロキシ−４
−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４,４′
−ジアミノパラテルフェニル、４,４−ビス（４−アミ
ノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（２−
アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、１,４−ビス
−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、９,１０−ビス
（４−アミノフェニル）アントラセン、３,３′−ジメ
チル−４,４′−ジアミノジフェニルスルホン、１,３−
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３−ビス（４
−アミノフェニル）ベンゼン、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、３,３′−ジエチル
−４,４′−ジアミノジフェニルメタン、３,３′−ジメ
チル−４,４′−ジアミノジフェニルメタン、４,４′−
ジアミノオクタフルオロビフェニル、２,２−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２,
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キサフルオロプロパン、２,２−ビス（４−アミノフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、９,９−ビス（４−ア
ミノフェニル）−１０−ハイドロアントラセン、３,
３′,４,４′−テトラアミノビフェニル、３,３′,４,
４′−テトラアミノジフェニルエーテル、１,４−ジア
ミノアントラキノン、１,５−ジアミノアントラキノ
ン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（２−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、３,３−ジヒドロキシ−４,４′−ジ
アミノビフェニル、９,９′−ビス（４−アミノフェニ
ル）フルオレン、４,４′−ジメチル−３,３′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３,３′,５,５′−テトラメチ
ル−４,４′−ジアミノジフェニルメタン、２,４−およ
び２,５−ジアミノクメン、２,５−ジメチル−ｐ−フェ
ニレンジアミン、アセチルグアナミン、２,３,５,６−
テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、２,４,６−ト
リメチル−ｍ−フェニレンジアミン、ビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン、２,７−ジアミ
ノフルオレン、２,５−ジアミノピリジン、１,２−ビス
（４−アミノフェニル）エタン、ジアミノベンズアニリ
ド、ジアミノ安息香酸のエステル、１,５−ジアミノナ
フタレン、ジアミノベンゾトリフルオライド、ジアミノ
アントラキノン、１,３−ビス（４−アミノフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、１,４−ビス（４−アミノフ
ェニル）オクタフルオロブタン、１,５−ビス（４−ア
ミノフェニル）デカフルオロペンタン、１,７−ビス
（４−アミノフェニル）テトラデカフルオロヘプタン、
２,２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔４−（２
−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３,
５−ジメチルフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３,５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）ベンゼン、４,４′−ビス（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、
４,４′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチル
フェノキシ）ビフェニル、４,４′−ビス（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスル
ホン、４,４′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、２,２−ビス
〔４−（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキ
シ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、３,３′,５,
５′−テトラメチル−４,４′−ジアミノビフェニル、
３,３′−ジメトキシ−４,４′−ジアミノビフェニル、
２,２′,５,５′,６,６′−ヘキサフルオロトリジンお
よび４,４′′′−ジアミノクアテルフェニルの、アミ
ノ基を除いた後に残る同一のまたは異なる脂肪族、環式
脂肪族または芳香族のジアミンの残基を表わすことがで
きる。
【００２４】本発明の組成物のポリイミドプライマー
は、一つのタイプの〔Ｘ〕基またはＹ基をすべてベース
とする式(Ｉ)の反復構造に加えて、二つまたはそれより
多くの異なるタイプのこれらの基をベースとする式(Ｉ)
の構造単位も含んでよい。さらに、ポリイミドプライマ
ーは、互いに構造異性体である式(Ｉ)の構造単位も含ん
でよい。式(Ｉ)の単位の構造異性体の組がどのような形
をとるかは、基〔Ｘ〕としてのピロメリト酸から得られ
る式(Ｉ)の単位（Ａ1は−Ｏ−である）を例にとると、
以下に示される。
【００２５】
【化１７】 式(Ｉ)においてＡ1は酸素原子を表わすのが好ましく、
式(Ｉ)においてＲ1は例えばビニル、アリル、メタアリ
ル基を表わすか、式(III)
【化１８】 （式中、Ｒ4は水素またはメチル基を表わし、またＲ5は
ｎが２〜１２である−Ｃ nＨ2n−、−ＣＨ2ＣＨ(ＯＨ)Ｃ
Ｈ2−または４〜３０個の炭素原子を有するポリオキシ
アルキレン基を表わす）の残基を表わす。
【００２６】好適な残基Ｒ5の例には、エチレン、プロ
ピレン、トリメチレン、テトラメチレン、１,２−ブタ
ンジイル、１,３−ブタンジイル、ペンタメチレン、ヘ
キサメチレン、オクタメチレン、ドデカメチレン、−Ｃ
Ｈ2ＣＨ(ＯＨ)ＣＨ2−、それぞれｍが１〜６であるとし
て
【化１９】 がある。
【００２７】Ｒ5はメチレン、プロピレン、トリメチレ
ンまたは−ＣＨ2ＣＨ(ＯＨ)ＣＨ2−であるのが好まし
く、またＲ4はメチルであるのが好ましい。特に好まし
いのはＲ4がメチルを表わしまたＲ5がエチレンである式
(III)の残基、Ｒ1である。レジストの露光された領域の
現像の後、レジストコーティングの元の厚さの少なくと
も５０％が存在する（現像での層厚の保持率５０％）こ
とを確実にするのに十分なように、ポリマー中の式(Ｉ)
の単位の割合が高いかぎり、本発明の組成物のポリイミ
ドプライマーは、前述した式(Ｉ)の反復構造単位に加え
て別な反復構造単位を含んでよい。
【００２８】光反応性ポリイミドプライマーないしは前
駆体の平均分子量（重量平均分子量Mw）は１,０００〜
１００,０００、特に３,０００〜５０,０００、そして
極めて特別に望ましくは５,０００〜３０,０００に達す
るのが好ましい。特定の光反応性ポリイミドプライマー
の重量平均分子量Mwは例えばポリスチレンで較正された
ゲル透過クロマトグラフィーの助けをかりて測定するこ
とができる。光反応性ポリイミドプライマーないしは前
駆体は既知のＥＰ−Ａ−０ ６２４,８２６で引用されて
いる方法に従って製造されてよい。
【００２９】光開始剤成分ｂ）として、レジスト組成物
が敏感である波長領域において十分に高い感光性を有す
る、通常程度に熟達する技術者に知られたすべての光開
始剤が原則として使用されてよい。このような光開始剤
の例は、K.K. Dietlikerにより「Chemistry and Techno
logy of UV & EB Formulation for Coatings, Inks and
Paints」の第３巻「Photoinitiators for Free Radica
l and Cationic Polymerization」中に示されている。
例えば以下のものすなわち例えばベンゾイルメチルエー
テルのようなベンゾインエーテル；ジエトキシアセトフ
ェノンまたはベンジルジメチルケタール、ヘキサアリー
ルビスイミダゾールのようなケタール；例えば２−第三
−ブチルアントラキノンのようなキノン；例えばチオキ
サントン、２−イソプロピルチオキサントンまたは２−
クロロチオキサントンのような、アミン共開始剤と組合
わせて利用するのが好ましいチオキサントン；アジドお
よび、例えば２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニ
ルホスフィンオキサイドのようなアシルホスフィンオキ
サイドが好適である。好適な光開始剤の別な例は、その
記載が本記載の一部とみなされる米国特許第５,０１９,
４８２号に特に挙げられているようなオキシムエーテ
ル、ならびに、その記載が本記載の一部とやはりみなさ
れる米国特許第４,３６６,２２８号に例えば詳細に述べ
られているような、ケトクマリン誘導体および賦活剤と
してのアミンを含有する光開始剤系である。
【００３０】例えばＥＰ−Ａ ０ １１９,１６２から知
られるチタノセン、特に、式(IV)から式(VII)
【化２０】 が、ｂ）の光開始剤として利用されるのが好ましい。
【００３１】本発明の方法で利用されてよい好ましい別
な光開始剤は例えば米国特許第５,０１９,４８２号に開
示されているオキシムエステルである。いくつかの特定
的なトリケトンオキシムエステルを使用すると、高温へ
の加熱の際に混合物の暗色への着色は起きない。これら
の特に好ましいトリケトオキシムエステルは、式(VIII)
【化２１】 （式中、互いに独立である残基Ｒ17は、ｐ−トリル、ｐ
−アルコキシフェニルまたはメジチルを表わし、またＲ
18はＣ1〜Ｃ6−アルキルカルボニル、Ｃ1〜Ｃ6−アルコ
キシ−カルボニル、Ｃ6〜Ｃ14−アリールカルボニルま
たはＣ6〜Ｃ14−アリールオキシカルボニルを示す）を
有する。式(VIII)のトリケトンオキシムエステルは既知
の方法に従って、例えば対応するトリケトンをオキシム
に（例えば「Organic Synthesis」４０巻、２１〜２３
ページに従って）転化しそして引続いて酸塩化物または
クロロカルボン酸エステルにより転化することにより製
造することができる。式(VIII)の著しく特別に好ましい
化合物では、Ｒ17はｐ−トリルをまたＲ18はＣ6〜Ｃ14
−アリールカルボニルを表わす。式(VIIIａ)
【００３２】
【化２２】 の化合物は特に好ましい。
【００３３】本発明の組成物は成分(ａ)に対して１〜１
０wt％の成分(ｂ)を含むのが好適である。式(VIII)のト
リケトオキシムエステルは式(IX)
【化２３】 （式中、互いに独立な二つの残基Ｒ19は、Ｃ1〜Ｃ3アル
キル基またはＣ1〜Ｃ3−ヒドロキシアルキル基である
か、あるいはＮ原子とともにモルホリン基を形づくり、
そしてＲ20はＣ1〜Ｃ3アルキル基、Ｃ2〜Ｃ5アルキルカ
ルボニル基、またはＣ7〜Ｃ10アリールカルボニル基を
表わす）の芳香族アミンと組み合わせて使用するのが好
ましい。式(IX)の好適な芳香族アミンは、４−ジメチル
アミノアセトフェノン、４−モルホリノアセトフェノ
ン、４−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−モルホリ
ノベンゾフェノン、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、
Ｎ−ｐ−トリルジエチルアミン、およびＮ−ｐ−トリル
ジエタノールアミンである。式(IX)の芳香族アミンは成
分(ａ)に対して０.５〜５wt％の量で添加されてよい。
【００３４】上述したトリケトオキシムおよびトリケト
オキシム／アミン混合物は、水銀のｉ−線での照射によ
る露光のために特に好適である。光増感剤を追加的に使
用すると、他のスペクトル領域で、例えばｇ−線の波長
（４３６nm）において感光性を生み出すこともできる。
例えば式(Ｘ)
【化２４】 （式中、互いに独立なＲ21およびＲ22は、Ｃ1〜Ｃ6アル
キル基であり、またＲ18はＣ1〜Ｃ6アルキルカルボニ
ル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシカルボニル、Ｃ6〜Ｃ14アリー
ルカルボニル、またはＣ6〜Ｃ14アリールオキシカルボ
ニルの各基を表わす）のクマリンを添加することができ
る。
【００３５】米国特許第５,０１９,４８２号に開示され
ているクマリン、特に例として示されているクマリンを
利用するのが好ましい。特に望ましいのは式(Ｘａ)
【化２５】 のクマリンである。
【００３６】式(Ｘ)のクマリンは成分(ａ)に対して０.
１〜５wt％の量で一般に使用される。特に望ましい別な
一つのクマリンは式(XI)
【化２６】 （式中、Ｒ21およびＲ22はメチル基またはエチル基を表
わす）を有する。加えて、このクマリン誘導体は成分
ａ）に対して０.１〜５wt％の量で使用されるのが好適
である。
【００３７】本発明の組成物の感光性は、少なくとも一
つのメルカプト基を含む芳香族の複素環式化合物を添加
することにより一層増大することができる。このような
化合物の例は、２−メルカプトベンズイミダゾール、２
−メルカプトベンゾチアゾール、１−フェニル−５−メ
ルカプト−１Ｈ−テトラゾール、２−メルカプト−４−
フェニルチアゾール、２−アミノ−５−メルカプト−４
−フェニルチアゾール、２−アミノ−４−メルカプト−
１,３,４−チアゾール、２−メルカプトイミダゾール、
２−メルカプト−５−メチル−１,３,４−チアゾール、
５−メルカプト−１−メチル−１Ｈ−テトラゾール、
２,４,６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン、２−ジブ
チルアミノ−４,６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、
２,５−ジメルカプト−１,３,４−チアジアゾール、５
−メルカプト−１,３,４−チアジアゾール、１−エチル
−５−メルカプト−１,２,３,４−テトラゾール、２−
メルカプト−６−ニトロチアゾール、２−メルカプトベ
ンゾオキサゾール、４−フェニル−２−メルカプトチア
ゾール、メルカプトピリジン、２−メルカプトキノリ
ン、１−メチル−２−メルカプトイミダゾールおよび２
−メルカプト−β−ナフトチアゾールである。このよう
なメルカプト化合物は成分ａ）に対して０.５〜５wt％
の量で一般に使用される。２−メルカプトベンゾチアゾ
ールを使用するのが好ましい。
【００３８】本発明の態様の別な一つの形では、式(XI
I)
【化２７】 〔式中、Ｒ23およびＲ24は互いに独立に水素またはＣ1
〜Ｃ6アルコキシ基を表わし、またＲ25はＣ6〜Ｃ14アリ
ール基あるいは式(XIII)
【化２８】 （式中、Ｒ23およびＲ24はやはり式(XII)におけるのと
同じ意味を有する）の残基を表わす〕を有するクマリン
が、式(XIV)
【００３９】
【化２９】 （式中、Ｒ26は水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、
ｔ−ブチル、フェニル、メトキシ、エトキシ、ヒドロキ
シ、ヒドロキシメチル、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノ、アセチル、プロピオニル、アセチルオキシ、プロピ
オニルオキシ、−ＮＨＣＯＮＨ2または−ＮＨＣＯＯＣ
Ｈ3の各基を表わす）のアミノ酸と混合されて光開始剤
系として含まれる。式(XII)のクマリンは例えば米国特
許第４,２７８,７５１号から知られる。好ましくは残基
Ｒ23またはＲ24の一つがメトキシ基を表わす式(XII)の
クマリンである。特に好ましいのは３−ベンゾイル−７
−メトキシクマリンである。加えて、式(XIV)のアミノ
酸は既知であり、また例えばＪＰ−Ａ−Hei ０３−１７
０,５５１中に記載されている。Ｎ−フェニルグリシン
を使用するのが好ましい。本発明の対応する化合物は、
成分(ａ)に対して０.２〜５wt％の式(XII)のクマリン、
０.５〜１０wt％の式(XIV)のアミノ酸を一般に含む。
【００４０】式(XII)のクマリンと組み合わせて特に使
用されてよい好適な増感剤は、ＪＰ−Ａ−Hei ０３−１
７０,５５２中に記載のオキサゾロン、特に式(XV)
【化３０】 〔式中、Ｒ27は式(XVI)または(XVII)
【００４１】
【化３１】 （式中、Ｒ28は水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、
ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、フェニル、ヒ
ドロキシ、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−
ブトキシ、フェノシキ、ベンジル、２−フェニルエチ
ル、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、アセチ
ル、プロピオニル、アセチルオキシ、プロピオニルオキ
シ、アミノメチル、２−アミノエチル、メチルアミノ、
ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、−ＣＯＮＨ2、−Ｃ
ＯＮＨＣＨ3、−ＣＯＮ(ＣＨ3)2、−ＣＯＮＨＣ2Ｈ5ま
たは−ＣＯＮ(Ｃ2Ｈ5)2の各基を表わす）の基を表わ
す〕のオキサゾロンである。好ましいオキサゾロンは３
−フェニル−５−イソオキサゾロンである。
【００４２】上述した光開始剤または開始剤系をベース
とする本発明の化合物は、それが水銀のｉ−線の範囲で
透明度が高いので、このｉ−線で照射することによりレ
リーフ構造体を製造するのに特に適している。しかしな
がら、この化合物は約２００nmから約６００nmの遠隔領
域で高い感光性をやはり有するので、この化合物は、ｉ
−線の露光に対してのみ使用されるとは限らない。むし
ろ、波長の極めて異なる化学放射線を利用することがで
き、離散的な波長（例えばｇ−線）での照射のように、
広帯域露光もまた可能である。
【００４３】本発明のネガ型レジストの態様の特別な形
では、別な成分ｄ）として、芳香族または脂肪族のポリ
オールのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステ
ル、芳香族または脂肪族のポリオールのアリルエーテル
または芳香族または脂肪族のポリカルボン酸のアリルエ
ステルが含まれる。例えばエーテルならびに、特に、ア
クリル酸のまたはメタクリル酸と、芳香族のそして特に
脂肪族の、炭素原子を特に２〜３０個有するポリオール
あるいは５または６個の環炭素を有する環式脂肪族ポリ
オールとのエステルおよび部分エステルがｄ）の成分と
して考えられる。これらのポリオールはエチレンオキサ
イドまたはプロピレンオキサイドのようなエポキシドに
よって変性されてよい。さらにポリオキシアルキレング
リコールのエステルおよび部分エステルもまた好適であ
る。
【００４４】好適な成分ｄ）の例は、エチレングリコー
ルジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、トリエチレングリコール
ジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレ
ート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テト
ラエチレングリコールジメタクリレート、平均分子量が
２００〜２０００の範囲内にあるポリエチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエ
トキシレートトリ（メタ）アクリレート、平均分子量が
５００〜１５００の範囲内にあるトリメチロールプロパ
ンポリエトキシレートトリ（メタ）アクリレート、ペン
タエリトリットトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリ
トリットジ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリット
テトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリットジ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリットトリ（メ
タ）アクリレート、ジペンタエリトリットテトラ（メ
タ）アクリレート、ジペンタエリトリットヘキサ（メ
タ）アクリレート、トリペンタエリトリットオクタ（メ
タ）アクリレート、１,３−ブタンジオールジ（メタ）
アクリレート、ソルバイトトリ（メタ）アクリレート、
ソルバイトテトラ（メタ）アクリレート、ソルバイトペ
ンタ（メタ）アクリレート、ソルバイトヘキサ（メタ）
アクリレート、オリゴエステル（メタ）アクリレート、
グリセリンジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ
（メタ）アクリレート、１,４−シクロヘキサンジ（メ
タ）アクリレート、平均分子量が５００〜１５００の範
囲内にあるポリエチレングリコールのビス（メタ）アク
リレート、エチレングリコールジアリルエーテル、トリ
メチロールプロパントリアリルエーテル、ペンタエリト
リットトリアリルエーテル、コハク酸ジアリルエステル
およびアジピン酸ジアリルエステルまたは以上に挙げた
化合物の混合物である。
【００４５】本発明の組成物は、成分ａ）、ｂ）、ｃ）
およびｄ）の全重量に対して２０〜８０wt％、特に４０
〜７０wt％そして極めて特別に５０〜６５wt％の量の成
分ａ）を含有するのが好ましい。光開始剤ｂ）は、やは
り成分ａ）、ｂ）、ｃ）およびｄ）の全重量に対して
０.１〜２０wt％、特に０.５〜１０wt％の量で添加さ
れ、また成分ｃ）は同じくこの全重量に対して３０〜４
５wt％の量が添加されるのが好ましい。もし存在するな
らば成分ｄ）は、やはり成分ａ）、ｂ）、ｃ）および
ｄ）の全重量に対して３〜５０wt％、特に１０〜３５wt
％の量が添加されるのが好ましい。個々の成分の百分率
を合計すると１００％になる組み合わせだけが許される
ことはいうまでもない。
【００４６】感光性組成物は他の添加剤、例えば安定化
剤、特に熱重合の防止剤、例えばチオジフェニルアミン
およびアルキルフェノール、例えば４−第三−ブチルフ
ェノール、２,５−ジ−第三−ブチルハイドロキノンま
たは２,６−ジ−第三−ブチル−４−メチルフェノール
もまた含有してよい。好適な他の開始剤および増感剤は
例えば、芳香族ケトン例えばテトラメチルジアミノベン
ゾフェノン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトンおよび他
の芳香族ケトン、例えば米国特許第３,５５２,９７３号
に挙げられている化合物、ベンゾイン、例えばベンゾイ
ンメチルエーテルのようなベンゾインエーテル、メチル
ベンゾイン、エチルベンゾイン、ｐ−マレインイミドベ
ンゼンスルホン酸アジド、チオキサントン誘導体、例え
ばチオキサントン、２−クロロチオキサントンまたは２
−イソプロピルチオキサントンまたは例えば２,６−
（４′−アジドベンジリデン−４）−メチルシクロヘキ
サン−１−オンのようなビスアジドである。
【００４７】別な添加剤には、例えばＮ−メチルピロリ
ドン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールモノメ
チルエーテル、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、およびヘキサメチル燐酸ト
リアミドのような、単独であるいは組み合わせて使用さ
れてよい溶媒；顔料、着色剤、充填剤、接着剤、湿潤
剤、および柔軟剤〔可塑化剤〕、ならびに特定吸収のた
め混合物のスペクトル感受性に影響を及ぼすことのでき
る着色剤がある。感光性組成物の製造はこれのための慣
用の機器内で成分を混合することにより実施される。
【００４８】感光性組成物は、光重合し、引続いて現像
剤でコーティングを処理することによって構造化された
保護層または写真画像が導入されるあらゆる種類の基
材、例えばセラミック、銅またはアルミニウムのような
金属、半金属、およびシリコン、ゲルマニウム、ＧａＡ
ｓ、ＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4の層のような半導体材料の
ためのコーティング剤として特に好適である。
【００４９】すでに前述したように、本発明のネガ型フ
ォトレジストは、式(Ｉ)のポリイミドプライマーをベー
スとする慣用のネガレジストと比較すると、それが、例
えば５０〜１００wt％まで、望ましくは７５〜１００wt
％までの少なくともかなりの部分をなす水性アルカリ性
媒体を含有する現像剤で現像されることができるという
大きな利点をもつ。ここで「水性アルカリ媒体」混合物
とは、水とアルカリ性の反応性化合物とから実質的にな
るあるいは望ましくはこれらのみからなる混合物と解さ
れるべきである。「現像されることができる」とは、上
記に規定したように、１０−μｍの厚さのレジスト層が
たかだか５分間で現像剤によって完全に除去されうるこ
とを望ましくはさらに示す。好ましい水性アルカリ媒体
は、１,２−ジアゾナフトキノンおよびノボラックのよ
うなフェノールバインダーをベースとする慣用のポジ型
フォトレジストを現像するのに例えば使用されるものの
ような慣用の水性アルカリ現像剤である。このような現
像剤は熟達者にとって周知であり、またアルカリ性化合
物、例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム、こ
れらに対応する炭酸塩、重炭酸塩、硅酸塩、メタ硅酸塩
を含有するが、アンモニアまたはアミン例えばエチルア
ミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン、アルカノールアミン、例えばジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン、第４級水酸化アンモニ
ウム例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔ
ＭＡＨ）またはテトラエチルアンモニウムヒドロキシド
のような金属を含まない塩基を含有するのが好ましい。
好適な水性アルカリ現像剤溶液はアルカリに関して一般
に０.５Ｎまでであるが、使用に先立って稀釈されても
よい。例えば規定度が約０.１５〜０.４、望ましくは
０.２０〜０.３５であるアルカリ水性溶液が良い具合に
使用することができる。本発明の組成物にとって好適な
現像剤の場合、１００wt％との差の部分は一つまたはそ
れより多くの有機溶媒、例えばＮ−メチルピロリドン
（ＭＭＰ）、Ｎ−アセチルピロリドン、γ−ブチロラク
トン、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシドおよびシクロヘキサノン、トルエン、キシレ
ン、エタノール、メタノール、イソプロパノール、ｎ−
ブチルアセテートもしくはアセトンまたはこのような溶
媒の混合物からなるであろう。単独な有機溶媒としては
イソプロパノールを使用することが好ましい。
【００５０】本発明は、(Ａ) 前述したネガフォトレジ
スト組成物で基材をコートし、(Ｂ) コートした基材を
像様露光し、(Ｃ) 水性アルカリ媒体を少なくとも実質
的に含む現像剤によって、露光されていない場所を除去
する工程からなるレリーフ画像を作成する方法に関す
る。
【００５１】コートされた基材の製造は、例えば、本組
成物の溶液または懸濁液を準備することによって実施す
ることができる。溶媒およびその濃度は、組成物の種類
に主として基づき、またコーティング法に従って選定さ
れる。溶液は既知のコーティング法によって、例えば回
転塗り、浸漬塗り、ワイプコーティング、懸濁液流延
法、刷毛塗り、吹付け塗り、特に静電吹付け塗りおよび
反転ロールコーティングによって基材上に均一に施され
る。当座の可撓性基材上に感光性層を施し、次いで積層
を媒介とする層転移によって最終的な基材、例えば銅積
層印刷回路板をコートすることも可能である。
【００５２】施用する量（層の厚さ）および基材（層担
持物）の種類は所望とする応用分野に関係がある。感光
性組成物は、極めて変化の大きい層厚で施しうるのが特
に有利である。層のこの厚さの範囲は約０.５μｍから
１００μｍを越えるまでの値である。（メタ）アクリレ
ートおよび類似のオレフィン不飽和化合物の光重合は、
知られているように、特に薄い層について、空気中の酸
素によって阻害される。この作用は例えば、ポリビニル
アルコールの一時的なコーティング層を施すような既知
の慣用的方法により、あるいは不活性ガス下での予備的
露光またはプレコンディショニングによって回避するこ
とができる。
【００５３】コートした後、通常溶媒は乾燥によって除
去され、そして担持体上に感光性組成物の層ができる。
この後、材料の像様露光は放射線を用いて通常の方法で
行われる。使用すべき放射線の波長は、特に、使用する
光開始剤と必要なら通常通りやはり使用される増感剤と
の特別な組成に関係がある。好適な放射線の波長は一般
に２００〜６００nm、望ましくは３００〜４５０nmの範
囲にある。
【００５４】露光の後、感光性レジストの非露光の領域
は、かなり前に述べたように現像剤での処理により通常
の仕方で除去される。現像の後、露光されそして現像さ
れた材料の焼成は（Ｄ）に従って実施するのが好まし
い。焼成は３００°〜４００℃の温度で実施するのが好
ましく、これによってポリイミドプライマーは耐熱性ポ
リイミドに転化されまた揮発性成分が除去され、その結
果、高温度で安定なレリーフ構造体が得られる。本発明
の組成物は露光時の高い感受性を特徴とし、また熱およ
び化学物質に耐え、そして輪郭鮮明度の高いレリーフ構
造体を生む。この方法によって、もしコーティングの厚
さが１０μｍに達するならば、例えば８〜１０μｍとい
う超微少寸法の構造を解像することができる。
【００５５】本発明の方法のありうる応用分野は、電子
回路のためのフォトレジスト（エレクトロレジスト、エ
ッチングレジスト、ソルダーリングトップレジスト）と
して使用すること、オフセット印刷版またはスクリーン
印刷版のような印刷版の製造、プレフォームエッチング
での応用、そして特に電子回路、特にマイクロ電子回路
におけるポリイミド保護レジストおよび透電層の作成で
ある。以上のことから本発明は、電子回路部品を製造す
る方法にも関係しており、その場合この方法は上述した
ごとくレリーフ画像の作成のための方法である。
【００５６】
【実施例】本発明は以下の実施例によってさらに例示さ
れる。明白に別記しないかぎりすべての部および百分率
は重量基準であり、またすべての温度は摂氏表示であ
る。実施例１ ２９.２wt％のピロメリト酸二無水物（＝ＰＭＤＡ）、
オキシジフェニルアニリン（＝ＯＤＡ）およびメタクリ
ル酸−２−ヒドロキシエチルエステルからつくられるMw
が約２５,０００の光反応性ポリイミドプライマー（成
分ａ）、１.０２wt％の式(XII)のチタノセン（成分
ｂ）、１１.６８wt％のジフェニルシランジオール（成
分ｃ１）、５.８４wt％の３−（ｏ−ヒドロキシベンゾ
イルオキシ）−２−（ヒドロキシ）プロピルメタクリレ
ート（成分ｃ２）、４.３８wt％のポリエチレングリコ
ール−２００ジアクリレート（成分ｄ）、０.０６wt％
の１,４−ベンゾキノン ０.１８wt％の３,３′−カルボニルビス（７−ジエチル
アミノクマリン）、４７.６４wt％のＮ−メチルピロリ
ドン（ＮＭＰ）を混合することによって調製したネガ型
レジスト組成物を一晩揺動して透明な樹脂溶液とし、次
いで細孔巾０.８μｍのフィルターを通して加圧濾過し
た。アミノプロピルトリエトキシシラン接合剤で予備処
理したシリコンウェファにこの樹脂溶液をスピンコート
し（５００rpm、３０秒）、次いでこのコートしたウェ
ファをホットプレート上で１００℃で５分間乾燥した。
このようにして、シリコンウェファ上の厚さ１０−μｍ
の均質なポリマー層を得た。
【００５７】次にウェファを真空接触させつつKarl Sue
ss MA 150型の露光機で露光したが、この際Siemensのポ
ジ／ネガ構成のクロームマスクを使用した。露光は水銀
の超高圧ランプで実施しまた照射能力はＯＡｌパワーメ
ーターおよび４０５−nmプローブによって測定した。露
光の後、８容量部のテトラメチル水酸化アンモニウム
（ＴＭＡＨ）の０.２６２Ｎ水溶液と２容量部のイソプ
ロパノールとの混合物によって３分間かけて現像し、次
いで水洗した。ここに述べる方法の場合、良好な構造体
を作成するために２００mJ／cm2の露光エネルギーが必
要であった。輪郭鮮明度が良好な解像度の高いレリーフ
構造体が得られたので、１０−μｍ巾の線を解像するこ
とができた。
【００５８】実施例２ ３２.０７wt％のＰＭＤＡ、ＯＤＡおよびメタクリル酸
−２−ヒドロキシエチルエステルからつくられるMwが約
１３,０００の光反応性ポリイミドプライマー、１.１２
wt％の式(XII)のチタノセン（成分ｂ）、１２.８３wt％
のジフェニルシランジオール、６.４１wt％の３−（ｏ
−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−２−（ヒドロキシ）
プロピルメタクリレート、４.８１wt％のポリエチレン
グリコール−２００ジアクリレート、０.０６wt％の１,
４−ベンゾキノン ０.１９wt％の３,３′−カルボニルビス（７−ジエチル
アミノクマリン）、４２.５１wt％のＮＭＰを混合する
ことによって調製したネガ型レジスト組成物を一晩揺動
して透明な樹脂溶液とし、次いで細孔巾０.８μｍのフ
ィルターを通して加圧濾過した。ｇ〔ガンマ〕アミノプ
ロピルトリエトキシシラン接合剤で予備処理したシリコ
ンウェファにこの樹脂溶液をスピンコートし（３５００
rpm、３０秒）、次いでこのコートしたウェファをホッ
トプレート上で１００℃で５分間乾燥した。こうして、
シリコンウェファ上の厚さ１０−μｍの均質なポリマー
層を得た。
【００５９】次にウェファを真空接触させつつKarl Sue
ss MA 150型の露光機で露光したが、この際Siemensのポ
ジ／ネガ構成のクロームマスクを使用した。露光は水銀
の超高圧ランプで実施しまた照射能力はＯＡｌパワーメ
ーターおよび４０５−nmプローブによって測定した。露
光の後、実施例１で使用したものと同じ現像剤によって
３分間かけて現像し、次いで水洗した。ここに述べる方
法の場合、良好な構造体を作成するために２００mJ／cm
2の露光エネルギーが必要であった。輪郭鮮明度が良好
な解像度の高いレリーフ構造体が得られたので、１０−
μｍ巾の線を解像することができた。
【００６０】実施例３ ３２.０７wt％のＰＭＤＡ、ＯＤＡおよびメタクリル酸
−２−ヒドロキシエチルエステルからつくられるMwが約
１３,０００の光反応性ポリイミド酸エステル、１.１２
wt％の式(XII)のチタノセン、６.４１wt％の３−（ｏ−
ヒドロキシベンゾイルオキシ）−２−（ヒドロキシ）プ
ロピルメタクリレート、４.８１wt％のポリエチレング
リコール−２００ジアクリレート、０.０６wt％の１,４
−ベンゾキノン ０.１９wt％の３,３′−カルボニルビス（７−ジエチル
アミノクマリン）、４２.５１wt％のＮＭＰを混合する
ことによってつくったネガレジスト組成物を実施例２と
似たように処理した。実施例２とは異なり、露光の後、
８容量部のテトラメチル水酸化アンモニウムの０.３３
１Ｎ水溶液と２容量部のイソプロパノールとの混合物に
よって５分間かけて現像し、次いで水洗した。輪郭鮮明
度が良好な解像度の高いレリーフ構造体がやはり得られ
たので、１０−μｍ巾の線を解像することができた。
【００６１】実施例４ ３２.７８wt％のＰＭＤＡ、ＯＤＡおよびメタクリル酸
−２−ヒドロキシエチルエステルからつくられるMwが約
１３,０００の光反応性ポリイミドプライマー、１.２９
wt％の式(XII)のチタノセン（成分ｂ）、７.３６wt％の
３−（ｏ−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−２−（ヒド
ロキシ）プロピルメタクリレート（成分ｃ２）、５.５
２wt％のポリエチレングリコール−２００ジアクリレー
ト、０.０７wt％の１,４−ベンゾキノン、０.２２wt％
の３,３′−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマ
リン）、４８.７６wt％のＮＭＰを混合することによっ
てつくったネガレジスト組成物を、露光に至るまでは、
実施例２の施用と似たように処理した。露光の後、８容
量部のテトラメチル水酸化アンモニウムの０.３８５Ｎ
（３.５％）水溶液と２容量部のイソプロパノールとの
混合物によって２分間かけて現像し、次いで水洗した。
ここに述べる方法の場合、良好な構造体を作成するため
に２００mJ／cm2の露光エネルギーが必要であった。輪
郭鮮明度が良好な解像度の高いレリーフ構造体が得られ
たので、１０−μｍ巾の線を解像することができた。
【００６２】本発明はその特定の態様に関して上記に述
べてきたが、この明細書に開示した本発明の思想から逸
脱することなく多くの変更、修正および変量をなし得る
ことは明白である。従って、添付した特許請求の範囲の
精神および広い範囲の中に入るすべてのそのような変
更、修正および変量を包含するものとする。本明細書で
引用したすべての特許出願、特許およびその他の刊行物
はその全部を参照により本明細書に組み入れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ 7/027 ５０２ 7/027 ５０２ 7/028 7/028 7/075 ５０１ 7/075 ５０１ 7/40 ５０１ 7/40 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）式(Ｉ)の反復する構造単位 【化１】 （式中、Ａ1は酸素原子またはＮＨ基を表わし、Ｒ1光重
    合性のオレフィン二重結合を有する同一のまたは異なる
    残基を表わし、〔Ｘ〕は無水物基を除去した後に残る、
    同一または異なるテトラカルボン酸の環式二無水物の残
    基を表わし、そしてＹはアミノ基の除去の後に残る、同
    一のまたは異なるジアミンの残基を表わす）を含むポリ
    イミドプライマーと、 ｂ）オレフィン二重結合を重合させるための光開始剤と
    を含み、さらに ｃ）ｃ１）一つまたはそれより多くのヒドロキシル基を
    有する有機シリコン化合物、 ｃ２）式(IIａ) 【化２】 （式中互いに独立なＡ2およびＡ3は酸素原子をまたは、
    Ｒが水素原子またはＣ1〜Ｃ4アルキル基を示すとしたＮ
    Ｒ基を表わし、そして〔Ｇ〕は置換されていないあるい
    は一つまたはそれより多くのヒドロキシル置換基を有す
    る脂肪族または芳香族の２価の基を表わし、Ｒ2は組成
    物の水性アルカリ媒体中の溶解度を改善する一つまたは
    それより多くの置換基を有するアリール残基を示し、Ｒ
    3は光重合性オレフィン二重結合を少なくとも一つ有す
    る残基を表わし、そして互いに独立なｙおよびｚは０ま
    たは１を表わす）の化合物、 ｃ３）式(IIｂ) 【化３】 （式中、Ｒ0は光重合性のオレフィン二重結合を有する
    同一のまたは異なる残基を表わし、〔Ｍ〕は無水物基の
    除去の後に残る、テトラカルボン酸の環式二無水物の残
    基を表わす）を有する化合物、および ｃ４）c1)、c2)およびc3)の型の成分から選択される二
    つまたはそれより多くの成分からなる混合物からなる群
    から選択される別な成分を少なくとも一つ含むことを特
    徴とするネガ型フォトレジスト組成物。
  2. 【請求項２】 成分c1)が一つまたは二つのヒドロキシ
    ル基をそれぞれ有する有機シラノールおよび有機シロキ
    サンから選択されることをさらに特徴とする請求項１記
    載の組成物。
  3. 【請求項３】 成分c1)が、トリフェニルシラノール、
    ジフェニルシランジオール、１,４−ビス（ヒドロキシ
    ジメチルシリル）ベンゼンおよび１,３−ビス（４−ヒ
    ドロキシブチル）テトラメチルジシロキサンからなる群
    から選択されることをさらに特徴とする請求項２記載の
    組成物。
  4. 【請求項４】 成分c2)が、ＨＯおよびＨＯＯＣ置換基
    から選択される置換基を１〜３個有するフェニル残基を
    Ｒ2が表わす式(IIａ)の化合物から選択されることをさ
    らに特徴とする請求項１記載の組成物。
  5. 【請求項５】 成分c2)が、置換されていないかあるい
    は一つまたはそれより多くのヒドロキシル置換基を有す
    るＣ2〜Ｃ6アルキル基を〔Ｇ〕が表わす式(IIａ)の化合
    物から選択されることをさらに特徴とする請求項１記載
    の組成物。
  6. 【請求項６】 成分c2)が、式 【化４】 を有する基を〔Ｇ〕が表わす式(IIａ)の化合物から選択
    されることをさらに特徴とする請求項５記載の組成物。
  7. 【請求項７】 成分c2)が、ビニル基またはイソプロペ
    ニル基をＲ3が表わす式(IIａ)の化合物から選択される
    ことをさらに特徴とする請求項１記載の組成物。
  8. 【請求項８】 成分c2)が、式 【化５】 の基から選択される基をＲ2が表わす式(IIａ)の化合物
    から選択されることをさらに特徴とする請求項１記載の
    組成物。
  9. 【請求項９】 成分c2)が、酸素原子をＡ2とＡ3とがと
    もに表わし、またｙおよびｚが１を表わす式(IIａ)の化
    合物から選択されることをさらに特徴とする請求項１記
    載の組成物。
  10. 【請求項１０】 重量百分率の値が組成物中の成分ａ)
    ＋ｃ)の全重量に基づくものとし、成分c1)を０〜３０wt
    ％含有することをさらに特徴とする請求項１記載の組成
    物。
  11. 【請求項１１】 重量百分率の値が組成物中の成分ａ)
    ＋ｃ)の全重量に基づくものとし、成分c2)を０〜３０wt
    ％含有することをさらに特徴とする請求項１記載の組成
    物。
  12. 【請求項１２】 c1)の型の少なくとも一つの成分とc2)
    の型の少なくとも一つの成分とを含むc4)の型の混合物
    をｃ)の成分として含有することをさらに特徴とする請
    求項１記載の組成物。
  13. 【請求項１３】 重量百分率の値が組成物中の成分ａ)
    ＋ｃ)の全重量に基づくものとし、成分c3)を０〜３０wt
    ％含有することをさらに特徴とする請求項１記載の組成
    物。
  14. 【請求項１４】 芳香族または脂肪族のポリオールのア
    クリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、芳香族
    または脂肪族のポリオールのアリルエーテル、あるいは
    芳香族または脂肪族のポリカルボン酸のアリルエステル
    を別な成分ｄ)として含有することをさらに特徴とする
    請求項１記載の組成物。
  15. 【請求項１５】 ５０〜１００wt％までの水性アルカリ
    媒体を含み、１００wt％とする残りの部分が一つまたは
    それより多くの有機溶媒からなる現像剤によって組成物
    が現像されうることを特徴とする請求項１記載の組成
    物。
  16. 【請求項１６】 (Ａ) 請求項１記載のネガ型フォトレ
    ジスト組成物で基材をコートし、 (Ｂ) コートした基材を像様露光し、 (Ｃ) 露光されていない場所を現像剤で除去する工程か
    らなるレリーフ画像を形成する方法。
  17. 【請求項１７】 (Ｄ) 露光されそして現像された材料
    を焼成することを追加的な処理工程として包含する請求
    項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１６記載のレリーフ画像の形成
    方法を包含する電子部品の製造方法。
JP9073067A 1996-03-27 1997-03-26 ポリイミドプライマーをベースとするネガ型フォトレジスト組成物 Pending JPH1055065A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001330962A (ja) * 2000-05-18 2001-11-30 Toray Ind Inc 感光性重合体組成物
JP2002526794A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP2003529099A (ja) * 2000-03-24 2003-09-30 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
WO2013085223A1 (ko) * 2011-12-06 2013-06-13 주식회사 동진쎄미켐 레이저 열전사용 폴리이미드 감광성 조성물
JP2016008992A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1012672B1 (en) * 1997-09-11 2003-08-13 Arch Specialty Chemicals, Inc. A negatively acting photoresist composition based on polyimide precursors
KR19990037527A (ko) * 1997-10-31 1999-05-25 후지쯔 가부시끼가이샤 폴리이미드계 감광성 수지조성물용 현상액
JP5216179B2 (ja) * 2000-09-12 2013-06-19 株式会社ピーアイ技術研究所 ネガ型感光性ポリイミド組成物及びそれを用いた画像の形成方法
JP2002121207A (ja) * 2000-10-16 2002-04-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 組成物とそれを用いた感光性組成物及びカバーレイ
GB2384493A (en) * 2002-01-23 2003-07-30 Oxley Dev Co Ltd Selective electroless plating of ceramic substrates for use in capacitors
WO2004081664A2 (en) * 2003-03-11 2004-09-23 Arch Specialty Chemicals, Inc. Novel photosensitive resin compositions
US7651744B2 (en) * 2005-10-19 2010-01-26 Industrial Technology Research Institute Liquid crystal display
US7662449B2 (en) * 2005-11-22 2010-02-16 Industrial Technology Research Institute Liquid crystal display
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3552973A (en) * 1967-07-20 1971-01-05 Du Pont Light sensitive hexaarylbiimidazole/p- aminophenyl ketone compositions
DE2437348B2 (de) * 1974-08-02 1976-10-07 Ausscheidung in: 24 62 105 Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen
DE3021787A1 (de) * 1980-06-10 1981-12-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung
DE3021748A1 (de) * 1980-06-10 1981-12-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Strahlungsreaktive vorstufen hochwaermebestaendiger polymerer
US4366228A (en) * 1980-09-05 1982-12-28 Eastman Kodak Company Photopolymerizable compositions featuring novel co-initiators
US4579809A (en) * 1982-10-22 1986-04-01 Ciba-Geigy Corporation Positive image formation
US4548891A (en) * 1983-02-11 1985-10-22 Ciba Geigy Corporation Photopolymerizable compositions containing prepolymers with olefin double bonds and titanium metallocene photoinitiators
US4515887A (en) * 1983-08-29 1985-05-07 General Electric Company Photopatternable dielectric compositions, method for making and use
US4604342A (en) * 1984-03-17 1986-08-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photopolymerizable mixture and recording material produced from it
US5019482A (en) * 1987-08-12 1991-05-28 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Polymer/oxime ester/coumarin compound photosensitive composition
JPH03170551A (ja) * 1989-11-30 1991-07-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物
US5302489A (en) * 1991-10-29 1994-04-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions containing base polymer which is substantially insoluble at pH between 7 and 10, quinonediazide acid generator and silanol solubility enhancer
EP0624826B1 (de) * 1993-05-14 1997-07-16 OCG Microelectronic Materials Inc. Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen durch i-Linien-Bestrahlung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002526794A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP2003529099A (ja) * 2000-03-24 2003-09-30 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP2001330962A (ja) * 2000-05-18 2001-11-30 Toray Ind Inc 感光性重合体組成物
WO2013085223A1 (ko) * 2011-12-06 2013-06-13 주식회사 동진쎄미켐 레이저 열전사용 폴리이미드 감광성 조성물
JP2016008992A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品

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