JPH1050926A - ハイブリッドモジュール - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容積の大きな放熱フィンや、高価な窒化アル
ミニウム系セラミック基板を使用せず、回路部品１４で
発生した熱を回路基板１９へほぼ直接伝達して放熱する
ことにより、安価で小形なハイブリッドモジュールを得
る。 【解決手段】 ハイブリッドモジュールは、回路基板１
１と、回路基板１１上に実装された発熱性を有する回路
部品１４と、前記回路基板１１が実装された親回路基板
１９とを有し、発熱性を有する回路部品１４を回路基板
１１の親回路基板１９と対向する側に搭載し、親回路基
板１９上に形成された膜状の熱伝導性部材２１に回路部
品１４の外装体の表面を固着する。これによって、熱伝
導性部材２１を介して回路部品１４で発生した熱が親回
路基板１９に熱伝達される。
ミニウム系セラミック基板を使用せず、回路部品１４で
発生した熱を回路基板１９へほぼ直接伝達して放熱する
ことにより、安価で小形なハイブリッドモジュールを得
る。 【解決手段】 ハイブリッドモジュールは、回路基板１
１と、回路基板１１上に実装された発熱性を有する回路
部品１４と、前記回路基板１１が実装された親回路基板
１９とを有し、発熱性を有する回路部品１４を回路基板
１１の親回路基板１９と対向する側に搭載し、親回路基
板１９上に形成された膜状の熱伝導性部材２１に回路部
品１４の外装体の表面を固着する。これによって、熱伝
導性部材２１を介して回路部品１４で発生した熱が親回
路基板１９に熱伝達される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンが形
成された回路基板に、積層コンデンサーや積層インダク
ター等のチップ部品や、半導体部品を搭載し、回路を構
成したハイブリッドモジュールであって、回路基板上に
電界効果形トランジスタやパワー半導体等の発熱性を有
する回路部品を搭載したハイブリッドモジュールに関す
る。
成された回路基板に、積層コンデンサーや積層インダク
ター等のチップ部品や、半導体部品を搭載し、回路を構
成したハイブリッドモジュールであって、回路基板上に
電界効果形トランジスタやパワー半導体等の発熱性を有
する回路部品を搭載したハイブリッドモジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】回路基板上に電界効果形トランジスタや
パワー半導体等の発熱性を有する回路部品を搭載した従
来のハイブリッドモジュールでは、回路部品から放熱を
図るため、特殊な放熱手段を設けたものがある。例え
ば、特開平５−１３６２７号公報に示されたハイブリッ
ドモジュールでは、回路基板に放熱フィンを設け、回路
基板上に搭載された発熱性を有する回路部品を、板バネ
状の熱伝達部材を介して前記放熱フィンと接続したもの
である。このハイブリッドモジュールでは、回路部品で
発生した熱が、放熱フィンを介して大気中に放出され
る。
パワー半導体等の発熱性を有する回路部品を搭載した従
来のハイブリッドモジュールでは、回路部品から放熱を
図るため、特殊な放熱手段を設けたものがある。例え
ば、特開平５−１３６２７号公報に示されたハイブリッ
ドモジュールでは、回路基板に放熱フィンを設け、回路
基板上に搭載された発熱性を有する回路部品を、板バネ
状の熱伝達部材を介して前記放熱フィンと接続したもの
である。このハイブリッドモジュールでは、回路部品で
発生した熱が、放熱フィンを介して大気中に放出され
る。
【０００３】また、回路基板上に発熱性を有する回路部
品を搭載したハイブリッドモジュールの他の従来例とし
て、図７に示すようなものもある。このハイブリッドモ
ジュールでは、回路基板１として窒化アルミニウム系の
セラミックが使用され、この回路基板１上のランド電極
６、６上にチップ状回路部品７、７が実装されると共
に、ランド電極４上に半田パンプ５を介して発熱性を有
する半導体素子等の回路部品３が搭載されている。そし
て、回路基板１は親回路基板９上に搭載されると共に、
回路基板１の端子電極８、８が、親回路基板９上に形成
されたランド電極１０、１０に半田で接続されている。
さらに、回路基板１と親回路基板９との対向した面は、
親回路基板９の上に形成された熱伝導性の良好な導体膜
２を介して接合されている。
品を搭載したハイブリッドモジュールの他の従来例とし
て、図７に示すようなものもある。このハイブリッドモ
ジュールでは、回路基板１として窒化アルミニウム系の
セラミックが使用され、この回路基板１上のランド電極
６、６上にチップ状回路部品７、７が実装されると共
に、ランド電極４上に半田パンプ５を介して発熱性を有
する半導体素子等の回路部品３が搭載されている。そし
て、回路基板１は親回路基板９上に搭載されると共に、
回路基板１の端子電極８、８が、親回路基板９上に形成
されたランド電極１０、１０に半田で接続されている。
さらに、回路基板１と親回路基板９との対向した面は、
親回路基板９の上に形成された熱伝導性の良好な導体膜
２を介して接合されている。
【０００４】窒化アルミニウム系セラミックは、熱伝導
性が良い絶縁材料として注目されている。前記のハイブ
リッドモジュールでは、回路基板１上に搭載された回路
部品３から発生する熱が、窒化アルミニウム系セラミッ
クからなる熱伝導性良好な回路基板１と導体膜２を介し
て親回路基板９へと伝達され、放熱される。
性が良い絶縁材料として注目されている。前記のハイブ
リッドモジュールでは、回路基板１上に搭載された回路
部品３から発生する熱が、窒化アルミニウム系セラミッ
クからなる熱伝導性良好な回路基板１と導体膜２を介し
て親回路基板９へと伝達され、放熱される。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】前者のハイブリッ
ドモジュールは、放熱フィンを介して回路部品で発生し
た熱を大気中に放出するものであり、放熱効率を高める
ためには、必然的に放熱フィンの表面積が出来るだけ広
いことが必要となる。このため、ハイブリッドモジュー
ルにおいて放熱フィンの占める容積が大きくなり、小形
化がしにくいという課題がある。
ドモジュールは、放熱フィンを介して回路部品で発生し
た熱を大気中に放出するものであり、放熱効率を高める
ためには、必然的に放熱フィンの表面積が出来るだけ広
いことが必要となる。このため、ハイブリッドモジュー
ルにおいて放熱フィンの占める容積が大きくなり、小形
化がしにくいという課題がある。
【０００６】他方、前者のハイブリッドモジュールで
は、電子部品４で発生した熱が回路基板１を介して親回
路基板９へと放熱されるため、放熱フィンは不要であ
り、回路基板１が放熱手段を兼ねるため、容積の増大は
ない。しかし、窒化アルミニウム系セラミックは、熱伝
導性がよいものの、現在ではアルミナ等の一般的な基板
材料に比べてきわめて高価であるため、材料のコスト高
を招くという課題ある。
は、電子部品４で発生した熱が回路基板１を介して親回
路基板９へと放熱されるため、放熱フィンは不要であ
り、回路基板１が放熱手段を兼ねるため、容積の増大は
ない。しかし、窒化アルミニウム系セラミックは、熱伝
導性がよいものの、現在ではアルミナ等の一般的な基板
材料に比べてきわめて高価であるため、材料のコスト高
を招くという課題ある。
【０００７】本発明は、このような従来のハイブリッド
モジュールにおける課題に鑑み、回路部品１４で発生し
た熱を放熱フィンを介して大気中に放熱するのではな
く、回路部品１４で発生した熱を親回路基板１９に伝達
して放熱する方式のハイブリッドモジュールにおいて、
高価な窒化アルミニウム系セラミック基板を使用するこ
となく、回路部品１４から回路基板１９への放熱を可能
とするものである。
モジュールにおける課題に鑑み、回路部品１４で発生し
た熱を放熱フィンを介して大気中に放熱するのではな
く、回路部品１４で発生した熱を親回路基板１９に伝達
して放熱する方式のハイブリッドモジュールにおいて、
高価な窒化アルミニウム系セラミック基板を使用するこ
となく、回路部品１４から回路基板１９への放熱を可能
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、このような
目的を達成するため、発熱性を有する回路部品１４を、
回路基板１１の親回路基板１９と対向する面側に実装
し、回路部品１４で発生する熱を親回路基板１９に直接
または膜状の熱伝導性部材２１を介して伝達するように
した。これにより、小さい容積のハイブリッドモジュー
ルが得られると共に、熱伝導性が良好な窒化アルミニウ
ム系セラミックの基板を使用することなく、一般的なア
ルミナ系等のセラミックからなる回路基板が使用出来る
ようにした。
目的を達成するため、発熱性を有する回路部品１４を、
回路基板１１の親回路基板１９と対向する面側に実装
し、回路部品１４で発生する熱を親回路基板１９に直接
または膜状の熱伝導性部材２１を介して伝達するように
した。これにより、小さい容積のハイブリッドモジュー
ルが得られると共に、熱伝導性が良好な窒化アルミニウ
ム系セラミックの基板を使用することなく、一般的なア
ルミナ系等のセラミックからなる回路基板が使用出来る
ようにした。
【０００９】すなわち、本発明によるハイブリッドモジ
ュールは、回路基板１１と、回路基板１１上に実装され
た発熱性を有する回路部品１４と、前記回路基板１１が
実装された親回路基板１９とを有し、発熱性を有する回
路部品１４を回路基板１１の親回路基板１９と対向する
側に搭載すると共に、回路部品１４から親回路基板１９
に熱伝達されることを特徴とする。
ュールは、回路基板１１と、回路基板１１上に実装され
た発熱性を有する回路部品１４と、前記回路基板１１が
実装された親回路基板１９とを有し、発熱性を有する回
路部品１４を回路基板１１の親回路基板１９と対向する
側に搭載すると共に、回路部品１４から親回路基板１９
に熱伝達されることを特徴とする。
【００１０】例えば、回路部品１４が回路基板１１の親
回路基板１９と対向する主面に設けた凹部１２内に実装
されている。そして、親回路基板１９上に膜状の熱伝導
性部材２１が形成され、この熱伝導部材２１に回路部品
１４の外装体の表面が固着されている。これによって、
熱伝導性部材２１を介して回路部品１４で発生した熱が
親回路基板１９に熱伝達される。
回路基板１９と対向する主面に設けた凹部１２内に実装
されている。そして、親回路基板１９上に膜状の熱伝導
性部材２１が形成され、この熱伝導部材２１に回路部品
１４の外装体の表面が固着されている。これによって、
熱伝導性部材２１を介して回路部品１４で発生した熱が
親回路基板１９に熱伝達される。
【００１１】このようなハイブリッドモジュールでは、
回路部品１４で発生した熱が、直接或は膜状の熱伝導部
材２１を介して親回路基板１９に伝達され、放熱される
ので、回路基板１１は特に熱伝導が良好な窒化アルミニ
ウムである必要はなく、一般的なアルミナ系のものであ
ってもよい。また、回路部品１４で発生した熱を大気中
に放熱する方式ではなく、親回路基板１９に伝達して放
熱する方式のハイブリッドモジュールであるため、放熱
フィン等も不要である。
回路部品１４で発生した熱が、直接或は膜状の熱伝導部
材２１を介して親回路基板１９に伝達され、放熱される
ので、回路基板１１は特に熱伝導が良好な窒化アルミニ
ウムである必要はなく、一般的なアルミナ系のものであ
ってもよい。また、回路部品１４で発生した熱を大気中
に放熱する方式ではなく、親回路基板１９に伝達して放
熱する方式のハイブリッドモジュールであるため、放熱
フィン等も不要である。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。図
１に示すように、アルミナ、ガラス・エポキシ樹脂等の
絶縁材からなる基板に回路パターン（図示せず）を形成
した回路基板１１を用意し、この主面に凹部１２を形成
する。この凹部１２は、例えばレーザー加工により形成
され、その中に実装される回路部品１４の形状に合わせ
て、その縦横厚み寸法よりやや大きく形成される。さら
に、この凹部１２の底面には、前記回路部品１４の端子
電極を接続するランド電極１３が形成される。図示して
いないが、回路基板１１は、例えば多層構造になってお
り、その内部に回路パターンが形成され、前記ランド電
極１３は、この回路パターンに接続されている。
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。図
１に示すように、アルミナ、ガラス・エポキシ樹脂等の
絶縁材からなる基板に回路パターン（図示せず）を形成
した回路基板１１を用意し、この主面に凹部１２を形成
する。この凹部１２は、例えばレーザー加工により形成
され、その中に実装される回路部品１４の形状に合わせ
て、その縦横厚み寸法よりやや大きく形成される。さら
に、この凹部１２の底面には、前記回路部品１４の端子
電極を接続するランド電極１３が形成される。図示して
いないが、回路基板１１は、例えば多層構造になってお
り、その内部に回路パターンが形成され、前記ランド電
極１３は、この回路パターンに接続されている。
【００１３】さらに、この回路基板１１の凹部１２の中
に発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４を収納す
ると共に、回路部品１４の端子電極を前記ランド電極１
３に接続する。例えば、回路部品１４として発熱性を有
する半導体素子を凹部１２に収納し、回路部品１４の半
田パンプ１５をランド電極１３に半田付けする。この状
態で、回路部品１４の表面は、回路基板１１の主面とほ
ぼ同じ面となる。その後、凹部１２内に封止用の樹脂２
２を封入し、凹部１２の開口部から外側に向いた回路基
板１４の一表面を除いて樹脂封止する。
に発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４を収納す
ると共に、回路部品１４の端子電極を前記ランド電極１
３に接続する。例えば、回路部品１４として発熱性を有
する半導体素子を凹部１２に収納し、回路部品１４の半
田パンプ１５をランド電極１３に半田付けする。この状
態で、回路部品１４の表面は、回路基板１１の主面とほ
ぼ同じ面となる。その後、凹部１２内に封止用の樹脂２
２を封入し、凹部１２の開口部から外側に向いた回路基
板１４の一表面を除いて樹脂封止する。
【００１４】次に、この回路基板１１の回路部品１４が
搭載された凹部１２側を下側に向け、上側になった主面
にチップ部品等の回路部品１７、１７を搭載し、それら
の端子電極をランド電極１６、１６に半田付けする。さ
らに、この回路基板１１を親回路基板１９上に搭載し、
回路基板１１の側面に設けた端子電極１８、１８を親回
路基板１９上のランド電極２０、２０に半田付けする。
この親回路基板１９の前記回路部品１４と対応する位置
には、前記ランド電極２０、２０と共に、熱伝導性部材
２１として導体膜が予め形成されており、前記回路基板
１１の端子電極１８、１８がランド電極２０、２０に半
田付けされるのと同時に、この熱伝導性部材２１に前記
回路部品１４の表面が半田付けされる。
搭載された凹部１２側を下側に向け、上側になった主面
にチップ部品等の回路部品１７、１７を搭載し、それら
の端子電極をランド電極１６、１６に半田付けする。さ
らに、この回路基板１１を親回路基板１９上に搭載し、
回路基板１１の側面に設けた端子電極１８、１８を親回
路基板１９上のランド電極２０、２０に半田付けする。
この親回路基板１９の前記回路部品１４と対応する位置
には、前記ランド電極２０、２０と共に、熱伝導性部材
２１として導体膜が予め形成されており、前記回路基板
１１の端子電極１８、１８がランド電極２０、２０に半
田付けされるのと同時に、この熱伝導性部材２１に前記
回路部品１４の表面が半田付けされる。
【００１５】これにより、図１に示すようなハイブリッ
ドモジュールが完成する。このハイブリッドモジュール
では、発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４から
生じる熱が熱伝導性部材２１を介して親回路基板１９に
伝達され、放熱される。図１の例では、回路部品１４の
表面に熱伝導性部材２１が直接半田付けされているが、
図２の例では、回路部品１４の表面に熱伝導性の良好な
銅等の金属板２３が予め半田付けされ、この金属板２３
が熱伝導性部材２１に半田付けされている。これによ
り、回路部品１４の高さと凹部１２の深さの違いが調整
されると共に、回路部品１４から親回路基板１９に円滑
に熱が伝達される。
ドモジュールが完成する。このハイブリッドモジュール
では、発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４から
生じる熱が熱伝導性部材２１を介して親回路基板１９に
伝達され、放熱される。図１の例では、回路部品１４の
表面に熱伝導性部材２１が直接半田付けされているが、
図２の例では、回路部品１４の表面に熱伝導性の良好な
銅等の金属板２３が予め半田付けされ、この金属板２３
が熱伝導性部材２１に半田付けされている。これによ
り、回路部品１４の高さと凹部１２の深さの違いが調整
されると共に、回路部品１４から親回路基板１９に円滑
に熱が伝達される。
【００１６】図３の例は、回路基板１１に凹部１２を設
けず、その下面に発熱性を有する回路部品１４を搭載し
たものである。この回路部品１４に対応して、親回路基
板１９上に導体膜からなる熱伝導性部材２１が形成され
ている。回路基板１１の側面にリード端子２４、２４が
取り付けられ、このリード端子２４、２４が親回路基板
１９上のランド電極２０、２０に半田付けされたとき、
回路部品１４の下表面が前記熱伝導性部材２１の表面に
ほぼ当接する。そして、リード端子２４、２４が前記ラ
ンド電極２０、２０に半田付けされると同時に、回路部
品１４の表面が熱伝導性部材２１に半田付けされる。
けず、その下面に発熱性を有する回路部品１４を搭載し
たものである。この回路部品１４に対応して、親回路基
板１９上に導体膜からなる熱伝導性部材２１が形成され
ている。回路基板１１の側面にリード端子２４、２４が
取り付けられ、このリード端子２４、２４が親回路基板
１９上のランド電極２０、２０に半田付けされたとき、
回路部品１４の下表面が前記熱伝導性部材２１の表面に
ほぼ当接する。そして、リード端子２４、２４が前記ラ
ンド電極２０、２０に半田付けされると同時に、回路部
品１４の表面が熱伝導性部材２１に半田付けされる。
【００１７】図４の例は、図３の例において、回路基板
１１に搭載した回路部品１４を熱伝導性良好な金属箱状
の放熱部材２４で囲むと共に、回路部品１４の下表面を
この放熱部材２４の上内面に半田付けし、さらにこの放
熱部材２４の下表面を前記熱伝導性部材２１に半田付け
している。この例では、回路部品１４で発生した熱が放
熱部材２４に伝達され、一部の熱がこの放熱部材２４か
ら大気中に放熱されると共に、他の一部の熱が熱伝導部
材２４を介して親回路基板１９に伝達される。このた
め、より高い放熱効果が得られる。
１１に搭載した回路部品１４を熱伝導性良好な金属箱状
の放熱部材２４で囲むと共に、回路部品１４の下表面を
この放熱部材２４の上内面に半田付けし、さらにこの放
熱部材２４の下表面を前記熱伝導性部材２１に半田付け
している。この例では、回路部品１４で発生した熱が放
熱部材２４に伝達され、一部の熱がこの放熱部材２４か
ら大気中に放熱されると共に、他の一部の熱が熱伝導部
材２４を介して親回路基板１９に伝達される。このた
め、より高い放熱効果が得られる。
【００１８】図５の例は、前述の図２の例において、厚
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、凹部１２の各々回路の回路部品１４、
１４を実装する部分の深さを変えることで、何れの回路
部品１４、１４もその下表面が回路基板１１の下主面と
ほぼ面一となるように実装している。これら回路基板１
４、１４の下表面が親回路基板１９上の熱伝導性部材２
１の表面に半田付けされることは、前記図２の例と同じ
である。
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、凹部１２の各々回路の回路部品１４、
１４を実装する部分の深さを変えることで、何れの回路
部品１４、１４もその下表面が回路基板１１の下主面と
ほぼ面一となるように実装している。これら回路基板１
４、１４の下表面が親回路基板１９上の熱伝導性部材２
１の表面に半田付けされることは、前記図２の例と同じ
である。
【００１９】図６の例は、前述の図４の例において、厚
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、放熱部材２４の各々回路の回路部品１
４、１４を実装する部分の肉厚を変え、その上内面の高
さを変えることで、何れの回路部品１４、１４もその下
表面が放熱部材２４の上内面にほぼ当接した状態で半田
付けされている。放熱部材２４の下表面が親回路基板１
９上の熱伝導性部材２１の表面に半田付けされること
は、前記図４の例と同じである。
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、放熱部材２４の各々回路の回路部品１
４、１４を実装する部分の肉厚を変え、その上内面の高
さを変えることで、何れの回路部品１４、１４もその下
表面が放熱部材２４の上内面にほぼ当接した状態で半田
付けされている。放熱部材２４の下表面が親回路基板１
９上の熱伝導性部材２１の表面に半田付けされること
は、前記図４の例と同じである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によるハイブ
リッドモジュールは、回路部品１４で発生した熱を放熱
フィンを介して大気中に放熱するものではないので、放
熱フィンが不要となり、容積を小さくすることができ
る。しかも、高価な窒化アルミニウム系セラミック基板
を使用することなく、回路部品１４で発生した熱を親回
路基板１９に直接伝達して放熱するため、安価なアルミ
ナ系やガラス・エポキシ樹脂系等の基板を使用すること
ができ、原価の低減も可能となる。
リッドモジュールは、回路部品１４で発生した熱を放熱
フィンを介して大気中に放熱するものではないので、放
熱フィンが不要となり、容積を小さくすることができ
る。しかも、高価な窒化アルミニウム系セラミック基板
を使用することなく、回路部品１４で発生した熱を親回
路基板１９に直接伝達して放熱するため、安価なアルミ
ナ系やガラス・エポキシ樹脂系等の基板を使用すること
ができ、原価の低減も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるハイブリッドモジュールの例を示
す縦断側面図である。
す縦断側面図である。
【図２】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図３】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図４】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図５】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図６】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図７】ハイブリッドモジュールの従来例を示す縦断側
面図である。
面図である。
１１ 回路基板 １４ 回路部品 １７ 回路部品 １９ 親回路基板 ２１ 熱伝導部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年６月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 ハイブリッドモジュール
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンが形
成された回路基板に、積層コンデンサーや積層インダク
ター等のチップ部品や、半導体部品を搭載し、回路を構
成したハイブリッドモジュールであって、回路基板上に
電界効果形トランジスタやパワー半導体等の発熱性を有
する回路部品を搭載したハイブリッドモジュールに関す
る。
成された回路基板に、積層コンデンサーや積層インダク
ター等のチップ部品や、半導体部品を搭載し、回路を構
成したハイブリッドモジュールであって、回路基板上に
電界効果形トランジスタやパワー半導体等の発熱性を有
する回路部品を搭載したハイブリッドモジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】回路基板上に電界効果形トランジスタや
パワー半導体等の発熱性を有する回路部品を搭載した従
来のハイブリッドモジュールでは、回路部品から放熱を
図るため、特殊な放熱手段を設けたものがある。例え
ば、特開平５−１３６２７号公報に示されたハイブリッ
ドモジュールでは、回路基板に放熱フィンを設け、回路
基板上に搭載された発熱性を有する回路部品を、板バネ
状の熱伝導部材を介して前記放熱フィンと接続したもの
である。このハイブリッドモジュールでは、回路部品で
発生した熱が、放熱フィンを介して大気中に放出され
る。
パワー半導体等の発熱性を有する回路部品を搭載した従
来のハイブリッドモジュールでは、回路部品から放熱を
図るため、特殊な放熱手段を設けたものがある。例え
ば、特開平５−１３６２７号公報に示されたハイブリッ
ドモジュールでは、回路基板に放熱フィンを設け、回路
基板上に搭載された発熱性を有する回路部品を、板バネ
状の熱伝導部材を介して前記放熱フィンと接続したもの
である。このハイブリッドモジュールでは、回路部品で
発生した熱が、放熱フィンを介して大気中に放出され
る。
【０００３】また、回路基板上に発熱性を有する回路部
品を搭載したハイブリッドモジュールの他の従来例とし
て、図７に示すようなものもある。このハイブリッドモ
ジュールでは、回路基板１として窒化アルミニウム系の
セラミックが使用され、この回路基板１上のランド電極
６、６上にチップ状回路部品７、７が実装されると共
に、ランド電極４上に半田バンプ５を介して発熱性を有
する半導体素子等の回路部品３が搭載されている。そし
て、回路基板１は親回路基板９上に搭載されると共に、
回路基板１の端子電極８、８が、親回路基板９上に形成
されたランド電極１０、１０に半田で接続されている。
さらに、回路基板１と親回路基板９との対向した面は、
親回路基板９の上に形成された熱伝導性の良好な導体膜
２を介して接合されている。
品を搭載したハイブリッドモジュールの他の従来例とし
て、図７に示すようなものもある。このハイブリッドモ
ジュールでは、回路基板１として窒化アルミニウム系の
セラミックが使用され、この回路基板１上のランド電極
６、６上にチップ状回路部品７、７が実装されると共
に、ランド電極４上に半田バンプ５を介して発熱性を有
する半導体素子等の回路部品３が搭載されている。そし
て、回路基板１は親回路基板９上に搭載されると共に、
回路基板１の端子電極８、８が、親回路基板９上に形成
されたランド電極１０、１０に半田で接続されている。
さらに、回路基板１と親回路基板９との対向した面は、
親回路基板９の上に形成された熱伝導性の良好な導体膜
２を介して接合されている。
【０００４】窒化アルミニウム系セラミックは、熱伝導
性が良い絶縁材料として注目されている。前記のハイブ
リッドモジュールでは、回路基板１上に搭載された回路
部品３から発生する熱が、窒化アルミニウム系セラミッ
クからなる熱伝導性良好な回路基板１と導体膜２を介し
て親回路基板９へと伝導され、放熱される。
性が良い絶縁材料として注目されている。前記のハイブ
リッドモジュールでは、回路基板１上に搭載された回路
部品３から発生する熱が、窒化アルミニウム系セラミッ
クからなる熱伝導性良好な回路基板１と導体膜２を介し
て親回路基板９へと伝導され、放熱される。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】前者のハイブリッ
ドモジュールは、放熱フィンを介して回路部品で発生し
た熱を大気中に放出するものであり、放熱効率を高める
ためには、必然的に放熱フィンの表面積が出来るだけ広
いことが必要となる。このため、ハイブリッドモジュー
ルにおいて放熱フィンの占める容積が大きくなり、小形
化がしにくいという課題がある。
ドモジュールは、放熱フィンを介して回路部品で発生し
た熱を大気中に放出するものであり、放熱効率を高める
ためには、必然的に放熱フィンの表面積が出来るだけ広
いことが必要となる。このため、ハイブリッドモジュー
ルにおいて放熱フィンの占める容積が大きくなり、小形
化がしにくいという課題がある。
【０００６】他方、前者のハイブリッドモジュールで
は、電子部品４で発生した熱が回路基板１を介して親回
路基板９へと放熱されるため、放熱フィンは不要であ
り、回路基板１が放熱手段を兼ねるため、容積の増大は
ない。しかし、窒化アルミニウム系セラミックは、熱伝
導性がよいものの、現在ではアルミナ等の一般的な基板
材料に比べてきわめて高価であるため、材料のコスト高
を招くという課題ある。
は、電子部品４で発生した熱が回路基板１を介して親回
路基板９へと放熱されるため、放熱フィンは不要であ
り、回路基板１が放熱手段を兼ねるため、容積の増大は
ない。しかし、窒化アルミニウム系セラミックは、熱伝
導性がよいものの、現在ではアルミナ等の一般的な基板
材料に比べてきわめて高価であるため、材料のコスト高
を招くという課題ある。
【０００７】本発明は、このような従来のハイブリッド
モジュールにおける課題に鑑み、回路部品１４で発生し
た熱を放熱フィンを介して大気中に放熱するのではな
く、回路部品１４で発生した熱を親回路基板１９に伝導
して放熱する方式のハイブリッドモジュールにおいて、
高価な窒化アルミニウム系セラミック基板を使用するこ
となく、回路部品１４から回路基板１９への放熱を可能
とするものである。
モジュールにおける課題に鑑み、回路部品１４で発生し
た熱を放熱フィンを介して大気中に放熱するのではな
く、回路部品１４で発生した熱を親回路基板１９に伝導
して放熱する方式のハイブリッドモジュールにおいて、
高価な窒化アルミニウム系セラミック基板を使用するこ
となく、回路部品１４から回路基板１９への放熱を可能
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、このような
目的を達成するため、発熱性を有する回路部品１４を、
回路基板１１の親回路基板１９と対向する面側に実装
し、回路部品１４で発生する熱を親回路基板１９に直接
または膜状の熱伝導性部材２１を介して伝導するように
した。これにより、小さい容積のハイブリッドモジュー
ルが得られると共に、熱伝導性が良好な窒化アルミニウ
ム系セラミックの基板を使用することなく、一般的なア
ルミナ系等のセラミックからなる回路基板が使用出来る
ようにした。
目的を達成するため、発熱性を有する回路部品１４を、
回路基板１１の親回路基板１９と対向する面側に実装
し、回路部品１４で発生する熱を親回路基板１９に直接
または膜状の熱伝導性部材２１を介して伝導するように
した。これにより、小さい容積のハイブリッドモジュー
ルが得られると共に、熱伝導性が良好な窒化アルミニウ
ム系セラミックの基板を使用することなく、一般的なア
ルミナ系等のセラミックからなる回路基板が使用出来る
ようにした。
【０００９】すなわち、本発明によるハイブリッドモジ
ュールは、回路基板１１と、回路基板１１上に実装され
た発熱性を有する回路部品１４と、前記回路基板１１が
実装された親回路基板１９とを有し、発熱性を有する回
路部品１４を回路基板１１の親回路基板１９と対向する
側に搭載すると共に、回路部品１４から親回路基板１９
に熱伝導されることを特徴とする。
ュールは、回路基板１１と、回路基板１１上に実装され
た発熱性を有する回路部品１４と、前記回路基板１１が
実装された親回路基板１９とを有し、発熱性を有する回
路部品１４を回路基板１１の親回路基板１９と対向する
側に搭載すると共に、回路部品１４から親回路基板１９
に熱伝導されることを特徴とする。
【００１０】例えば、回路部品１４が回路基板１１の親
回路基板１９と対向する主面に設けた凹部１２内に実装
されている。そして、親回路基板１９上に膜状の熱伝導
性部材２１が形成され、この熱伝導部材２１に回路部品
１４の外装体の表面が固着されている。これによって、
熱伝導性部材２１を介して回路部品１４で発生した熱が
親回路基板１９に熱伝導される。
回路基板１９と対向する主面に設けた凹部１２内に実装
されている。そして、親回路基板１９上に膜状の熱伝導
性部材２１が形成され、この熱伝導部材２１に回路部品
１４の外装体の表面が固着されている。これによって、
熱伝導性部材２１を介して回路部品１４で発生した熱が
親回路基板１９に熱伝導される。
【００１１】このようなハイブリッドモジュールでは、
回路部品１４で発生した熱が、直接或は膜状の熱伝導部
材２１を介して親回路基板１９に伝導され、放熱される
ので、回路基板１１は特に熱伝導が良好な窒化アルミニ
ウムである必要はなく、一般的なアルミナ系のものであ
ってもよい。また、回路部品１４で発生した熱を大気中
に放熱する方式ではなく、親回路基板１９に伝導して放
熱する方式のハイブリッドモジュールであるため、放熱
フィン等も不要である。
回路部品１４で発生した熱が、直接或は膜状の熱伝導部
材２１を介して親回路基板１９に伝導され、放熱される
ので、回路基板１１は特に熱伝導が良好な窒化アルミニ
ウムである必要はなく、一般的なアルミナ系のものであ
ってもよい。また、回路部品１４で発生した熱を大気中
に放熱する方式ではなく、親回路基板１９に伝導して放
熱する方式のハイブリッドモジュールであるため、放熱
フィン等も不要である。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。図
１に示すように、アルミナ、ガラス・エポキシ樹脂等の
絶縁材からなる基板に回路パターン（図示せず）を形成
した回路基板１１を用意し、この主面に凹部１２を形成
する。この凹部１２は、例えばレーザー加工により形成
され、その中に実装される回路部品１４の形状に合わせ
て、その縦横厚み寸法よりやや大きく形成される。さら
に、この凹部１２の底面には、前記回路部品１４の端子
電極を接続するランド電極１３が形成される。図示して
いないが、回路基板１１は、例えば多層構造になってお
り、その内部に回路パターンが形成され、前記ランド電
極１３は、この回路パターンに接続されている。
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。図
１に示すように、アルミナ、ガラス・エポキシ樹脂等の
絶縁材からなる基板に回路パターン（図示せず）を形成
した回路基板１１を用意し、この主面に凹部１２を形成
する。この凹部１２は、例えばレーザー加工により形成
され、その中に実装される回路部品１４の形状に合わせ
て、その縦横厚み寸法よりやや大きく形成される。さら
に、この凹部１２の底面には、前記回路部品１４の端子
電極を接続するランド電極１３が形成される。図示して
いないが、回路基板１１は、例えば多層構造になってお
り、その内部に回路パターンが形成され、前記ランド電
極１３は、この回路パターンに接続されている。
【００１３】さらに、この回路基板１１の凹部１２の中
に発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４を収納す
ると共に、回路部品１４の端子電極を前記ランド電極１
３に接続する。例えば、回路部品１４として発熱性を有
する半導体素子を凹部１２に収納し、回路部品１４の半
田バンプ１５をランド電極１３に半田付けする。この状
態で、回路部品１４の表面は、回路基板１１の主面とほ
ぼ同じ面となる。その後、凹部１２内に封止用の樹脂２
２を封入し、凹部１２の開口部から外側に向いた回路基
板１４の一表面を除いて樹脂封止する。
に発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４を収納す
ると共に、回路部品１４の端子電極を前記ランド電極１
３に接続する。例えば、回路部品１４として発熱性を有
する半導体素子を凹部１２に収納し、回路部品１４の半
田バンプ１５をランド電極１３に半田付けする。この状
態で、回路部品１４の表面は、回路基板１１の主面とほ
ぼ同じ面となる。その後、凹部１２内に封止用の樹脂２
２を封入し、凹部１２の開口部から外側に向いた回路基
板１４の一表面を除いて樹脂封止する。
【００１４】次に、この回路基板１１の回路部品１４が
搭載された凹部１２側を下側に向け、上側になった主面
にチップ部品等の回路部品１７、１７を搭載し、それら
の端子電極をランド電極１６、１６に半田付けする。さ
らに、この回路基板１１を親回路基板１９上に搭載し、
回路基板１１の側面に設けた端子電極１８、１８を親回
路基板１９上のランド電極２０、２０に半田付けする。
この親回路基板１９の前記回路部品１４と対応する位置
には、前記ランド電極２０、２０と共に、熱伝導性部材
２１として導体膜が予め形成されており、前記回路基板
１１の端子電極１８、１８がランド電極２０、２０に半
田付けされるのと同時に、この熱伝導性部材２１に前記
回路部品１４の表面が半田付けされる。
搭載された凹部１２側を下側に向け、上側になった主面
にチップ部品等の回路部品１７、１７を搭載し、それら
の端子電極をランド電極１６、１６に半田付けする。さ
らに、この回路基板１１を親回路基板１９上に搭載し、
回路基板１１の側面に設けた端子電極１８、１８を親回
路基板１９上のランド電極２０、２０に半田付けする。
この親回路基板１９の前記回路部品１４と対応する位置
には、前記ランド電極２０、２０と共に、熱伝導性部材
２１として導体膜が予め形成されており、前記回路基板
１１の端子電極１８、１８がランド電極２０、２０に半
田付けされるのと同時に、この熱伝導性部材２１に前記
回路部品１４の表面が半田付けされる。
【００１５】これにより、図１に示すようなハイブリッ
ドモジュールが完成する。このハイブリッドモジュール
では、発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４から
生じる熱が熱伝導性部材２１を介して親回路基板１９に
伝導され、放熱される。図１の例では、回路部品１４の
表面に熱伝導性部材２１が直接半田付けされているが、
図２の例では、回路部品１４の表面に熱伝導性の良好な
銅等の金属板２３が予め半田付けされ、この金属板２３
が熱伝導性部材２１に半田付けされている。これによ
り、回路部品１４の高さと凹部１２の深さの違いが調整
されると共に、回路部品１４から親回路基板１９に円滑
に熱が伝導される。
ドモジュールが完成する。このハイブリッドモジュール
では、発熱性を有する半導体素子等の回路部品１４から
生じる熱が熱伝導性部材２１を介して親回路基板１９に
伝導され、放熱される。図１の例では、回路部品１４の
表面に熱伝導性部材２１が直接半田付けされているが、
図２の例では、回路部品１４の表面に熱伝導性の良好な
銅等の金属板２３が予め半田付けされ、この金属板２３
が熱伝導性部材２１に半田付けされている。これによ
り、回路部品１４の高さと凹部１２の深さの違いが調整
されると共に、回路部品１４から親回路基板１９に円滑
に熱が伝導される。
【００１６】図３の例は、回路基板１１に凹部１２を設
けず、その下面に発熱性を有する回路部品１４を搭載し
たものである。この回路部品１４に対応して、親回路基
板１９上に導体膜からなる熱伝導性部材２１が形成され
ている。回路基板１１の側面にリード端子２４、２４が
取り付けられ、このリード端子２４、２４が親回路基板
１９上のランド電極２０、２０に半田付けされたとき、
回路部品１４の下表面が前記熱伝導性部材２１の表面に
ほぼ当接する。そして、リード端子２４、２４が前記ラ
ンド電極２０、２０に半田付けされると同時に、回路部
品１４の表面が熱伝導性部材２１に半田付けされる。
けず、その下面に発熱性を有する回路部品１４を搭載し
たものである。この回路部品１４に対応して、親回路基
板１９上に導体膜からなる熱伝導性部材２１が形成され
ている。回路基板１１の側面にリード端子２４、２４が
取り付けられ、このリード端子２４、２４が親回路基板
１９上のランド電極２０、２０に半田付けされたとき、
回路部品１４の下表面が前記熱伝導性部材２１の表面に
ほぼ当接する。そして、リード端子２４、２４が前記ラ
ンド電極２０、２０に半田付けされると同時に、回路部
品１４の表面が熱伝導性部材２１に半田付けされる。
【００１７】図４の例は、図３の例において、回路基板
１１に搭載した回路部品１４を熱伝導性良好な金属箱状
の放熱部材２６で囲むと共に、回路部品１４の下表面を
この放熱部材２６の上内面に半田付けし、さらにこの放
熱部材２６の下表面を前記熱伝導性部材２１に半田付け
している。この例では、回路部品１４で発生した熱が放
熱部材２６に伝導され、一部の熱がこの放熱部材２６か
ら大気中に放熱されると共に、他の一部の熱が放熱部材
２６を介して親回路基板１９に伝導される。このため、
より高い放熱効果が得られる。
１１に搭載した回路部品１４を熱伝導性良好な金属箱状
の放熱部材２６で囲むと共に、回路部品１４の下表面を
この放熱部材２６の上内面に半田付けし、さらにこの放
熱部材２６の下表面を前記熱伝導性部材２１に半田付け
している。この例では、回路部品１４で発生した熱が放
熱部材２６に伝導され、一部の熱がこの放熱部材２６か
ら大気中に放熱されると共に、他の一部の熱が放熱部材
２６を介して親回路基板１９に伝導される。このため、
より高い放熱効果が得られる。
【００１８】図５の例は、前述の図２の例において、厚
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、凹部１２の各々回路の回路部品１４、
１４を実装する部分の深さを変えることで、何れの回路
部品１４、１４もその下表面が回路基板１１の下主面と
ほぼ面一となるように実装している。これら回路基板１
４、１４の下表面が親回路基板１９上の熱伝導性部材２
１の表面に半田付けされることは、前記図２の例と同じ
である。
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、凹部１２の各々回路の回路部品１４、
１４を実装する部分の深さを変えることで、何れの回路
部品１４、１４もその下表面が回路基板１１の下主面と
ほぼ面一となるように実装している。これら回路基板１
４、１４の下表面が親回路基板１９上の熱伝導性部材２
１の表面に半田付けされることは、前記図２の例と同じ
である。
【００１９】図６の例は、前述の図４の例において、厚
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、放熱部材２６の各々回路の回路部品１
４、１４を実装する部分の肉厚を変え、その上内面の高
さを変えることで、何れの回路部品１４、１４もその下
表面が放熱部材２６の上内面にほぼ当接した状態で半田
付けされている。放熱部材２６の下表面が親回路基板１
９上の熱伝導性部材２１の表面に半田付けされること
は、前記図４の例と同じである。
みの異なる２つの回路部品１４、１４を実装した例であ
る。この例では、放熱部材２６の各々回路の回路部品１
４、１４を実装する部分の肉厚を変え、その上内面の高
さを変えることで、何れの回路部品１４、１４もその下
表面が放熱部材２６の上内面にほぼ当接した状態で半田
付けされている。放熱部材２６の下表面が親回路基板１
９上の熱伝導性部材２１の表面に半田付けされること
は、前記図４の例と同じである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によるハイブ
リッドモジュールは、回路部品１４で発生した熱を放熱
フィンを介して大気中に放熱するものではないので、放
熱フィンが不要となり、容積を小さくすることができ
る。しかも、高価な窒化アルミニウム系セラミック基板
を使用することなく、回路部品１４で発生した熱を親回
路基板１９に直接伝導して放熱するため、安価なアルミ
ナ系やガラス・エポキシ樹脂系等の基板を使用すること
ができ、原価の低減も可能となる。
リッドモジュールは、回路部品１４で発生した熱を放熱
フィンを介して大気中に放熱するものではないので、放
熱フィンが不要となり、容積を小さくすることができ
る。しかも、高価な窒化アルミニウム系セラミック基板
を使用することなく、回路部品１４で発生した熱を親回
路基板１９に直接伝導して放熱するため、安価なアルミ
ナ系やガラス・エポキシ樹脂系等の基板を使用すること
ができ、原価の低減も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるハイブリッドモジュールの例を示
す縦断側面図である。
す縦断側面図である。
【図２】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図３】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図４】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図５】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図６】本発明によるハイブリッドモジュールの他の例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図７】ハイブリッドモジュールの従来例を示す縦断側
面図である。
面図である。
【符号の説明】 １１ 回路基板 １４ 回路部品 １７ 回路部品 １９ 親回路基板 ２１ 熱伝導部材
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (4)
- 【請求項１】 回路基板（１１）と、回路基板（１１）
上に実装された発熱性を有する回路部品（１４）と、前
記回路基板（１１）が実装された親回路基板（１９）と
を有するハイブリッドモジュールにおいて、発熱性を有
する回路部品（１４）を回路基板（１１）の親回路基板
（１９）と対向する側に搭載すると共に、この回路部品
（１４）から親回路基板（１９）に熱伝達されることを
特徴とするハイブリッドモジュール。 - 【請求項２】 回路部品（１４）が膜状の熱伝導性部材
（２１）を介して親回路基板（１９）に接合されている
ことを特徴とする請求項１に記載のハイブリッドモジュ
ール。 - 【請求項３】 熱伝導部材（２１）が親回路基板（１
９）上に形成された導体膜からなり、この熱伝導部材
（２１）に回路部品（１４）の外装体の表面が固着され
ていることを特徴とする請求項２に記載のハイブリッド
モジュール。 - 【請求項４】 回路部品（１４）が回路基板（１１）の
親回路基板（１９）と対向する主面に設けた凹部（１
２）内に実装されていることを特徴とする請求項１〜３
の何れかに記載のハイブリッドモジュール。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8219272A JPH1050926A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | ハイブリッドモジュール |
| DE69739136T DE69739136D1 (de) | 1996-07-31 | 1997-07-16 | Hybrid-Modul |
| EP97112139A EP0822595B1 (en) | 1996-07-31 | 1997-07-16 | Hybrid module |
| US09/282,055 US6125039A (en) | 1996-07-31 | 1999-03-29 | Hybrid module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8219272A JPH1050926A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | ハイブリッドモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050926A true JPH1050926A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16732932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8219272A Pending JPH1050926A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | ハイブリッドモジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0822595B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1050926A (ja) |
| DE (1) | DE69739136D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141433A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
| KR100618759B1 (ko) * | 1998-10-26 | 2006-08-31 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 하이브리드 모듈 |
| US9293446B2 (en) | 2012-07-26 | 2016-03-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Low profile semiconductor module with metal film support |
| WO2022172673A1 (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563122B1 (ko) * | 1998-01-30 | 2006-03-21 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 하이브리드 모듈 및 그 제조방법 및 그 설치방법 |
| WO2000004595A2 (en) * | 1998-07-20 | 2000-01-27 | Intel Corporation | Land-side mounting of components to an integrated circuit package |
| TW484344B (en) * | 1998-10-26 | 2002-04-21 | Taiyo Yuden Kk | Hybrid module |
| WO2003007374A1 (fr) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Hitachi, Ltd. | Module hybride |
| CN108811320A (zh) * | 2017-05-05 | 2018-11-13 | 乾坤科技股份有限公司 | 电子模块与电路板 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4031733A1 (de) * | 1990-10-06 | 1992-04-09 | Bosch Gmbh Robert | Mehrlagenhybride mit leistungsbauelementen |
| JPH04359587A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 混成集積回路モジュール及び製造方法 |
| DE4222474A1 (de) * | 1992-07-09 | 1994-01-13 | Bosch Gmbh Robert | Montageeinheit für Mehrlagenhybrid mit Leistungsbauelementen |
| US5307240A (en) * | 1992-12-02 | 1994-04-26 | Intel Corporation | Chiplid, multichip semiconductor package design concept |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP8219272A patent/JPH1050926A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-16 DE DE69739136T patent/DE69739136D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-16 EP EP97112139A patent/EP0822595B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100618759B1 (ko) * | 1998-10-26 | 2006-08-31 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 하이브리드 모듈 |
| JP2002141433A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
| JP4544724B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 半導体装置 |
| US9293446B2 (en) | 2012-07-26 | 2016-03-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Low profile semiconductor module with metal film support |
| WO2022172673A1 (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69739136D1 (de) | 2009-01-15 |
| EP0822595A3 (en) | 1999-03-03 |
| EP0822595B1 (en) | 2008-12-03 |
| EP0822595A2 (en) | 1998-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000815 |