JPH1041267A - 基板の洗浄・乾燥装置 - Google Patents
基板の洗浄・乾燥装置Info
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- JPH1041267A JPH1041267A JP20758096A JP20758096A JPH1041267A JP H1041267 A JPH1041267 A JP H1041267A JP 20758096 A JP20758096 A JP 20758096A JP 20758096 A JP20758096 A JP 20758096A JP H1041267 A JPH1041267 A JP H1041267A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板へのパーティクルの付着を防止でき、ま
た、設備の大型化や複雑化を招くこと無く十分に乾燥す
ることができる洗浄・乾燥装置を提供する。 【解決手段】 純水にIPAを5重量%程度混合した洗
浄液を洗浄槽10内に貯留し、カセットC内に収容され
た半導体ウェハBを上下搬送機20の保持アーム24の
チャック部材25で挟持して保持アーム24を下降さ
せ、洗浄槽10内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェハB
を洗浄する。次いで、上下搬送機20によりカセットC
を1〜2mm/秒程度の低速度で上昇させて半導体ウェ
ハBを洗浄槽10内の洗浄液から引き上げ、また、この
引き上げ時に保持アーム24のノズル28から加熱され
た窒素ガスを半導体ウェハBに吹き付ける。
た、設備の大型化や複雑化を招くこと無く十分に乾燥す
ることができる洗浄・乾燥装置を提供する。 【解決手段】 純水にIPAを5重量%程度混合した洗
浄液を洗浄槽10内に貯留し、カセットC内に収容され
た半導体ウェハBを上下搬送機20の保持アーム24の
チャック部材25で挟持して保持アーム24を下降さ
せ、洗浄槽10内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェハB
を洗浄する。次いで、上下搬送機20によりカセットC
を1〜2mm/秒程度の低速度で上昇させて半導体ウェ
ハBを洗浄槽10内の洗浄液から引き上げ、また、この
引き上げ時に保持アーム24のノズル28から加熱され
た窒素ガスを半導体ウェハBに吹き付ける。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】この発明は、半導体ウェハや
液晶ガラス等の基板の洗浄・乾燥装置、詳しくは、洗浄
液としてイソプロピルアルコール(IPA)等のプロピ
ルアルコールが混合された純水を用いる洗浄・乾燥装置
に関する。
液晶ガラス等の基板の洗浄・乾燥装置、詳しくは、洗浄
液としてイソプロピルアルコール(IPA)等のプロピ
ルアルコールが混合された純水を用いる洗浄・乾燥装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の基板の洗浄・乾燥装置としては、
基板を洗浄槽内の純水に浸漬させて洗浄し、この後に、
基板を1〜2mm/秒程度の速度で引き上げ、この引き
上げ時において洗浄槽内の純水の水面の表面張力を利用
して基板の表面の純水を取るものが知られる。
基板を洗浄槽内の純水に浸漬させて洗浄し、この後に、
基板を1〜2mm/秒程度の速度で引き上げ、この引き
上げ時において洗浄槽内の純水の水面の表面張力を利用
して基板の表面の純水を取るものが知られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の基板の洗浄・乾燥装置にあっては、基板を引き
上げる際にパーティクル等が基板に付着しやすいという
問題、また、基板を十分に乾燥できないという問題があ
った。後者の問題は、基板を高速で回転させて遠心力に
より脱水する回転乾燥装置や、蒸発しやすい溶媒蒸気中
に基板を置いて蒸気と付着水とを置換する蒸気乾燥装置
を用いることで解決できるとも考えられるが、設備の大
型化や複雑化を招くという新たな問題を生じる。この発
明は、上記問題に鑑みなされたもので、基板へのパーテ
ィクルの付着を防止でき、また、設備の大型化や複雑化
を招くこと無く十分に乾燥することができる洗浄・乾燥
装置を提供することを目的とする。
た従来の基板の洗浄・乾燥装置にあっては、基板を引き
上げる際にパーティクル等が基板に付着しやすいという
問題、また、基板を十分に乾燥できないという問題があ
った。後者の問題は、基板を高速で回転させて遠心力に
より脱水する回転乾燥装置や、蒸発しやすい溶媒蒸気中
に基板を置いて蒸気と付着水とを置換する蒸気乾燥装置
を用いることで解決できるとも考えられるが、設備の大
型化や複雑化を招くという新たな問題を生じる。この発
明は、上記問題に鑑みなされたもので、基板へのパーテ
ィクルの付着を防止でき、また、設備の大型化や複雑化
を招くこと無く十分に乾燥することができる洗浄・乾燥
装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の基板の洗浄・乾燥装置は、プロピ
ルアルコールと純水が混合された洗浄液を貯留し、該洗
浄液中にカセットに保持された基板を浸漬させて洗浄す
る洗浄槽と、前記カセットを把持可能なチャックが設け
られた昇降メンバを昇降可能に備え、該昇降メンバを昇
降駆動して前記基板が保持されたカセットを前記洗浄槽
内に出し入れする上下搬送機と、該上下搬送機の昇降メ
ンバに設けられたノズルと、該ノズルに接続され、該ノ
ズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給
配管と、を備える。
め、請求項1に記載の基板の洗浄・乾燥装置は、プロピ
ルアルコールと純水が混合された洗浄液を貯留し、該洗
浄液中にカセットに保持された基板を浸漬させて洗浄す
る洗浄槽と、前記カセットを把持可能なチャックが設け
られた昇降メンバを昇降可能に備え、該昇降メンバを昇
降駆動して前記基板が保持されたカセットを前記洗浄槽
内に出し入れする上下搬送機と、該上下搬送機の昇降メ
ンバに設けられたノズルと、該ノズルに接続され、該ノ
ズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給
配管と、を備える。
【0005】また、請求項2に記載の基板の洗浄・乾燥
装置は、上部が開口し、内部にプロピルアルコールと純
水が混合された洗浄液を貯留するとともに、内底部に多
孔板を備え、該多孔板上にカセットに保持された基板を
載置して洗浄液中に浸漬させる洗浄槽と、該洗浄槽にそ
の上部開口を開閉可能に設けられた蓋と、該蓋の内面側
に設けられたノズルと、前記洗浄槽に接続され、該洗浄
槽内の洗浄液を排出する洗浄液排出配管と、該洗浄液排
出配管により前記洗浄槽内の洗浄液が排出された後に、
前記ノズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガ
ス供給配管と、前記洗浄槽に接続し、該洗浄槽内の乾燥
ガスを排出する乾燥ガス排出配管と、を備える。
装置は、上部が開口し、内部にプロピルアルコールと純
水が混合された洗浄液を貯留するとともに、内底部に多
孔板を備え、該多孔板上にカセットに保持された基板を
載置して洗浄液中に浸漬させる洗浄槽と、該洗浄槽にそ
の上部開口を開閉可能に設けられた蓋と、該蓋の内面側
に設けられたノズルと、前記洗浄槽に接続され、該洗浄
槽内の洗浄液を排出する洗浄液排出配管と、該洗浄液排
出配管により前記洗浄槽内の洗浄液が排出された後に、
前記ノズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガ
ス供給配管と、前記洗浄槽に接続し、該洗浄槽内の乾燥
ガスを排出する乾燥ガス排出配管と、を備える。
【0006】そして、上記請求項2に記載の基板の洗浄
・乾燥装置は、前記洗浄液のプロピルアルコール含有率
が5重量%以下である態様(請求項3)に、また、前記
乾燥ガスとして加熱された窒素ガスを用いる態様(請求
項4)に、さらに、前記洗浄液を加温するヒータを設け
る態様(請求項5)に構成することができる。
・乾燥装置は、前記洗浄液のプロピルアルコール含有率
が5重量%以下である態様(請求項3)に、また、前記
乾燥ガスとして加熱された窒素ガスを用いる態様(請求
項4)に、さらに、前記洗浄液を加温するヒータを設け
る態様(請求項5)に構成することができる。
【0007】
【作用】この発明にかかる基板の洗浄・乾燥装置は、洗
浄液としてプロピルアルコールが配合された純水を用い
るため、洗浄液の表面張力が低下し、基板表面上の液膜
が薄くなり乾燥がしやすくなり、基板を効率的に乾燥で
きる。また、基板へのパーティクルの付着も洗浄液の表
面張力が低下することにより、洗浄液が基板とパーティ
クルの間に入り込み取れやすくなるため、抑制すること
ができる。これは、界面活性剤と同様のメカニズムであ
る。
浄液としてプロピルアルコールが配合された純水を用い
るため、洗浄液の表面張力が低下し、基板表面上の液膜
が薄くなり乾燥がしやすくなり、基板を効率的に乾燥で
きる。また、基板へのパーティクルの付着も洗浄液の表
面張力が低下することにより、洗浄液が基板とパーティ
クルの間に入り込み取れやすくなるため、抑制すること
ができる。これは、界面活性剤と同様のメカニズムであ
る。
【0008】そして、請求項1に記載の洗浄・乾燥装置
は、洗浄槽の洗浄液中から低速度で基板を引き上げ、こ
の引き上げ時において窒素ガス等の乾燥ガスを基板に吹
き付けるため、洗浄液の表面張力により基板に付着した
洗浄液が取り去られ、また、乾燥ガスにより乾燥がより
促進され、基板を確実かつ速やかに乾燥することができ
る。また、請求項2に記載の洗浄・乾燥装置は、洗浄槽
内の洗浄液に基板を浸漬させて洗浄し、この後に、洗浄
槽から洗浄液を排出し、次いで、蓋のノズルから乾燥ガ
スを噴出させて基板に吹き付けるため、請求項1に記載
の洗浄・乾燥装置と同様に基板を確実かつ速やかに乾燥
することができる。
は、洗浄槽の洗浄液中から低速度で基板を引き上げ、こ
の引き上げ時において窒素ガス等の乾燥ガスを基板に吹
き付けるため、洗浄液の表面張力により基板に付着した
洗浄液が取り去られ、また、乾燥ガスにより乾燥がより
促進され、基板を確実かつ速やかに乾燥することができ
る。また、請求項2に記載の洗浄・乾燥装置は、洗浄槽
内の洗浄液に基板を浸漬させて洗浄し、この後に、洗浄
槽から洗浄液を排出し、次いで、蓋のノズルから乾燥ガ
スを噴出させて基板に吹き付けるため、請求項1に記載
の洗浄・乾燥装置と同様に基板を確実かつ速やかに乾燥
することができる。
【0009】
【実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図面を参
照して説明する。図1は請求項1に記載の発明の一の実
施の形態にかかる基板の洗浄・乾燥装置を示す模式図で
ある。
照して説明する。図1は請求項1に記載の発明の一の実
施の形態にかかる基板の洗浄・乾燥装置を示す模式図で
ある。
【0010】図1において、Bは半導体ウェハ(基
板)、10は洗浄槽、20は上下搬送機を示す。半導体
ウェハBは、複数枚が洗浄・乾燥用カセットC内に収容
され、このカセットC内に収容された状態で洗浄、乾燥
される。カセットCは、複数のメンバを組み付けて略籠
状に構成され、半導体ウェハBを所定の間隔を隔て整列
して収容する。
板)、10は洗浄槽、20は上下搬送機を示す。半導体
ウェハBは、複数枚が洗浄・乾燥用カセットC内に収容
され、このカセットC内に収容された状態で洗浄、乾燥
される。カセットCは、複数のメンバを組み付けて略籠
状に構成され、半導体ウェハBを所定の間隔を隔て整列
して収容する。
【0011】洗浄槽10は、上部が開口し、開口の外周
にオーバフロー受部11を有する。この洗浄槽10に
は、洗浄液が貯留され、洗浄液供給配管12が上部開口
から内底部に延設され、オバフロー受部11に洗浄液戻
り配管13が接続される。洗浄液は、純水にIPAを4
0重量%以下の比率、望ましくは、5重量%以下の比率
で配合したものが用いられる。
にオーバフロー受部11を有する。この洗浄槽10に
は、洗浄液が貯留され、洗浄液供給配管12が上部開口
から内底部に延設され、オバフロー受部11に洗浄液戻
り配管13が接続される。洗浄液は、純水にIPAを4
0重量%以下の比率、望ましくは、5重量%以下の比率
で配合したものが用いられる。
【0012】洗浄液戻り配管13はポンプ14に接続さ
れ、ポンプ14の吐出ポートがヒータ15およびフィル
タ16を経て洗浄液供給配管12に接続される。ポンプ
14は、洗浄液戻り配管13から吸引した洗浄液をヒー
タ15等を経由させて洗浄液供給配管12に吐出し、洗
浄液を循環させる。ヒータ15は循環する洗浄液を加温
し、周知のように、フィルタ16は循環する洗浄液中の
パーティクル等を除塵する。
れ、ポンプ14の吐出ポートがヒータ15およびフィル
タ16を経て洗浄液供給配管12に接続される。ポンプ
14は、洗浄液戻り配管13から吸引した洗浄液をヒー
タ15等を経由させて洗浄液供給配管12に吐出し、洗
浄液を循環させる。ヒータ15は循環する洗浄液を加温
し、周知のように、フィルタ16は循環する洗浄液中の
パーティクル等を除塵する。
【0013】上下搬送機20は、ねじ軸21を立設して
ベルト伝導機構22により駆動モータ23に連結すると
ともに、ねじ軸21を昇降可能に水平に支持された保持
アーム24に螺合させ、この保持アーム24に一対のチ
ャック部材25,25を上述したカセットCを挟持可能
に取り付けて構成される。この上下搬送機20は、駆動
モータ23によりねじ軸21が回転駆動され、このねじ
軸21の回転で保持アーム24が昇降して半導体ウェハ
Bが収容されたカセットCを洗浄槽10に出し入れす
る。特に、この上下搬送機20は、カセットCを洗浄槽
10内から引き上げる際に、1〜2mm/秒程度の速度
で保持アーム24を上昇させる。
ベルト伝導機構22により駆動モータ23に連結すると
ともに、ねじ軸21を昇降可能に水平に支持された保持
アーム24に螺合させ、この保持アーム24に一対のチ
ャック部材25,25を上述したカセットCを挟持可能
に取り付けて構成される。この上下搬送機20は、駆動
モータ23によりねじ軸21が回転駆動され、このねじ
軸21の回転で保持アーム24が昇降して半導体ウェハ
Bが収容されたカセットCを洗浄槽10に出し入れす
る。特に、この上下搬送機20は、カセットCを洗浄槽
10内から引き上げる際に、1〜2mm/秒程度の速度
で保持アーム24を上昇させる。
【0014】また、保持アーム24は、内部に室24a
を有し、室24aの下面側(洗浄槽10側)の壁面にチ
ャック部材25,25間で複数のノズル28(ただし、
図中への符号は省略する)が形成される。室24aには
一側にホース26が接続し、このホース26がヒータ2
7を経て図外の窒素ガス供給源に接続される。この窒素
ガス供給源は窒素ガスをヒータ27を経由してホース2
6により室24aに供給してノズル28から半導体ウェ
ハBに向けて噴出させ、ヒータ27は窒素ガスを加熱す
る。
を有し、室24aの下面側(洗浄槽10側)の壁面にチ
ャック部材25,25間で複数のノズル28(ただし、
図中への符号は省略する)が形成される。室24aには
一側にホース26が接続し、このホース26がヒータ2
7を経て図外の窒素ガス供給源に接続される。この窒素
ガス供給源は窒素ガスをヒータ27を経由してホース2
6により室24aに供給してノズル28から半導体ウェ
ハBに向けて噴出させ、ヒータ27は窒素ガスを加熱す
る。
【0015】この実施の形態にあっては、カセットC内
に収容された半導体ウェハBを上下搬送機20により下
降させ、洗浄槽10内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェ
ハBを洗浄する。次いで、上下搬送機20によりカセッ
トCを低速度(1〜2mm/秒)で上昇させて半導体ウ
ェハBを洗浄槽10内の洗浄液から引き上げ、また、こ
の引き上げ時に保持アーム24のノズル28から加熱さ
れた窒素ガスを半導体ウェハBに吹き付ける。このた
め、半導体ウェハBの効率的に乾燥でき、また、半導体
ウェハBにパーティクルが付着することを抑制できる。
に収容された半導体ウェハBを上下搬送機20により下
降させ、洗浄槽10内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェ
ハBを洗浄する。次いで、上下搬送機20によりカセッ
トCを低速度(1〜2mm/秒)で上昇させて半導体ウ
ェハBを洗浄槽10内の洗浄液から引き上げ、また、こ
の引き上げ時に保持アーム24のノズル28から加熱さ
れた窒素ガスを半導体ウェハBに吹き付ける。このた
め、半導体ウェハBの効率的に乾燥でき、また、半導体
ウェハBにパーティクルが付着することを抑制できる。
【0016】すなわち、半導体ウェハBは低速度で洗浄
液中から引き上げられ、また、洗浄液はIPAを含有し
表面張力が小さいため、半導体ウェハB表面の洗浄液を
有効に取り除くことができ、さらに、加熱された窒素ガ
スを半導体ウェハBに吹き付けるため洗浄液が蒸発して
乾燥が促進される。そして、半導体ウェハBには酸素を
含まない窒素ガスを吹き付けるため、洗浄液中のIPA
の爆発のおそれもなく、高い安全性が達成される。
液中から引き上げられ、また、洗浄液はIPAを含有し
表面張力が小さいため、半導体ウェハB表面の洗浄液を
有効に取り除くことができ、さらに、加熱された窒素ガ
スを半導体ウェハBに吹き付けるため洗浄液が蒸発して
乾燥が促進される。そして、半導体ウェハBには酸素を
含まない窒素ガスを吹き付けるため、洗浄液中のIPA
の爆発のおそれもなく、高い安全性が達成される。
【0017】図2は請求項2に記載の発明にかかる洗浄
・乾燥装置の一の実施の形態を示す模式図である。な
お、上述した実施の形態と同一の部分には同一の番号を
付して説明を一部省略する。
・乾燥装置の一の実施の形態を示す模式図である。な
お、上述した実施の形態と同一の部分には同一の番号を
付して説明を一部省略する。
【0018】同図に示すように、洗浄槽10には上部に
開口を開閉可能な蓋30がヒンジ等によって取り付けら
れる。蓋30は、内部に室30aが画成され、内面に室
30aに連通した複数のノズル31(図中での符号は省
略する)が形成される。室30aは、上述した実施の形
態と同様に、ホース26によりヒータ27を経由して図
外の窒素ガス供給源に連絡される。
開口を開閉可能な蓋30がヒンジ等によって取り付けら
れる。蓋30は、内部に室30aが画成され、内面に室
30aに連通した複数のノズル31(図中での符号は省
略する)が形成される。室30aは、上述した実施の形
態と同様に、ホース26によりヒータ27を経由して図
外の窒素ガス供給源に連絡される。
【0019】また、洗浄槽10には、内底部にパンチン
グ板(多孔板)35が設けられて液切り室36が区画さ
れ、上部に乾燥ガス排出配管32が前述した洗浄液供給
配管12とともに接続する。乾燥ガス排出配管32は、
図外の排気ダクトあるいは窒素ガス回収装置等に連絡さ
れる。
グ板(多孔板)35が設けられて液切り室36が区画さ
れ、上部に乾燥ガス排出配管32が前述した洗浄液供給
配管12とともに接続する。乾燥ガス排出配管32は、
図外の排気ダクトあるいは窒素ガス回収装置等に連絡さ
れる。
【0020】そして、洗浄槽10には、底部に液切り室
36に連通する洗浄液排出配管37が接続する。パンチ
ング板35は、多数の小孔(符号を省略する)が形成さ
れ、洗浄液の通過可能に液切り室36を区画する。洗浄
液排出配管37は、切換バルブ38を介してポンプ14
と洗浄液戻り配管13に連絡され、切換バルブ38によ
りポンプ14あるいは連絡管39の一方に連絡する。洗
浄液戻り配管13は前述したようにオーバフロー受部1
1に連絡する。
36に連通する洗浄液排出配管37が接続する。パンチ
ング板35は、多数の小孔(符号を省略する)が形成さ
れ、洗浄液の通過可能に液切り室36を区画する。洗浄
液排出配管37は、切換バルブ38を介してポンプ14
と洗浄液戻り配管13に連絡され、切換バルブ38によ
りポンプ14あるいは連絡管39の一方に連絡する。洗
浄液戻り配管13は前述したようにオーバフロー受部1
1に連絡する。
【0021】この実施の形態にあっては、カセットCに
保持された半導体ウェハBを上下搬送機20により下降
させて洗浄槽10内に収容し、上下搬送機20のチャッ
ク部材25等を上昇させた後に洗浄槽10の上部開口を
蓋30により閉止する。そして、洗浄槽10内に純水に
IPAが5重量%程度の割合で混合された洗浄液を充填
し、この洗浄液をポンプ14により循環して半導体ウェ
ハBを洗浄する。
保持された半導体ウェハBを上下搬送機20により下降
させて洗浄槽10内に収容し、上下搬送機20のチャッ
ク部材25等を上昇させた後に洗浄槽10の上部開口を
蓋30により閉止する。そして、洗浄槽10内に純水に
IPAが5重量%程度の割合で混合された洗浄液を充填
し、この洗浄液をポンプ14により循環して半導体ウェ
ハBを洗浄する。
【0022】次いで、洗浄液排出配管37を図外の排出
管に切換接続して洗浄槽10内の洗浄液を液面が1〜2
mm/秒程度の速度で降下するように排出し、また、こ
の洗浄液の排出と同時あるいは排出後に蓋30のノズル
31から加熱された窒素ガスを半導体ウェハBに向けて
噴射する。このため、前述した実施の形態と同様に、I
PAのマランゴニ効果、洗浄液の表面張力の効果、さら
に、加熱された窒素ガスの効果で半導体ウェハBの乾燥
を効率的かつ速やかに行える。
管に切換接続して洗浄槽10内の洗浄液を液面が1〜2
mm/秒程度の速度で降下するように排出し、また、こ
の洗浄液の排出と同時あるいは排出後に蓋30のノズル
31から加熱された窒素ガスを半導体ウェハBに向けて
噴射する。このため、前述した実施の形態と同様に、I
PAのマランゴニ効果、洗浄液の表面張力の効果、さら
に、加熱された窒素ガスの効果で半導体ウェハBの乾燥
を効率的かつ速やかに行える。
【0023】なお、上述した各実施の形態では、プロピ
ルアルコールとしてIPAを例示するが、他のプロピル
アルコールを用いることも可能であり、また、本発明を
液晶表示装置のガラス基板等の洗浄と乾燥にも適用でき
ることは述べるまでもない。
ルアルコールとしてIPAを例示するが、他のプロピル
アルコールを用いることも可能であり、また、本発明を
液晶表示装置のガラス基板等の洗浄と乾燥にも適用でき
ることは述べるまでもない。
【0024】
【実施例】次に、図1の洗浄・乾燥装置を用い、8イン
チシリコンウェハを洗浄した。洗浄液としては、汚れ状
態を作成するため水道水等の市水を1%混合し、表1に
示すような比率でIPAを混合した5種の洗浄水を用い
て洗浄を行った。また、8インチシリコンウェハの引き
上げ速度としては1mm/秒を採用した。
チシリコンウェハを洗浄した。洗浄液としては、汚れ状
態を作成するため水道水等の市水を1%混合し、表1に
示すような比率でIPAを混合した5種の洗浄水を用い
て洗浄を行った。また、8インチシリコンウェハの引き
上げ速度としては1mm/秒を採用した。
【0025】
【表1】
【0026】上記表1から明らかなように、乾燥後のシ
リコンウェハに付着するパーティクルはIPAを洗浄液
に配合することで著しく少なくでき、本発明にかかる洗
浄・乾燥装置がパーティクルの付着の抑制に有効である
ことが実証された。
リコンウェハに付着するパーティクルはIPAを洗浄液
に配合することで著しく少なくでき、本発明にかかる洗
浄・乾燥装置がパーティクルの付着の抑制に有効である
ことが実証された。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、純水にプロピルアルコールを混合した洗浄液中に基
板を浸漬させて洗浄し、洗浄槽内の洗浄液から引き上げ
た後(途中)において乾燥ガスを基板に吹き付けるため
(請求項1)、また、純水にプロピルアルコールを混合
した洗浄液中に基板を浸漬させ、洗浄槽内から洗浄液を
引き抜いた後に洗浄槽の開口を閉止した蓋のノズルから
乾燥ガスを吹き付けるため(請求項2)、プロピルアル
コールを含有する洗浄液の表面張力による効果、さら
に、吹き付ける乾燥ガスの効果の相乗作用により基板を
効率的に乾燥することができる。
ば、純水にプロピルアルコールを混合した洗浄液中に基
板を浸漬させて洗浄し、洗浄槽内の洗浄液から引き上げ
た後(途中)において乾燥ガスを基板に吹き付けるため
(請求項1)、また、純水にプロピルアルコールを混合
した洗浄液中に基板を浸漬させ、洗浄槽内から洗浄液を
引き抜いた後に洗浄槽の開口を閉止した蓋のノズルから
乾燥ガスを吹き付けるため(請求項2)、プロピルアル
コールを含有する洗浄液の表面張力による効果、さら
に、吹き付ける乾燥ガスの効果の相乗作用により基板を
効率的に乾燥することができる。
【図1】請求項1に記載の発明の基板の洗浄・乾燥装置
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
【図2】請求項2に記載の発明の基板の洗浄・乾燥装置
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
10 洗浄槽 11 オーバフロー受部 12 洗浄液供給配管 13 洗浄液戻り配管 14 ポンプ 15 ヒータ 20 上下搬送機 24 保持アーム 24a 室 25 チャック部材 26 ホース 27 ヒータ 28 ノズル 30 蓋 31 ノズル 35 パンチング板(多孔板) 36 液切り室 37 洗浄液排出配管 38 切換バルブ B 半導体ウェハ(基板) C カセット
Claims (5)
- 【請求項1】 プロピルアルコールと純水が混合された
洗浄液を貯留し、該洗浄液中にカセットに保持された基
板を浸漬させて洗浄する洗浄槽と、 前記カセットを把持可能なチャックが設けられた昇降メ
ンバを昇降可能に備え、該昇降メンバを昇降駆動して前
記基板が保持されたカセットを前記洗浄槽内に出し入れ
する上下搬送機と、 該上下搬送機の昇降メンバに設けられたノズルと、 該ノズルに接続され、該ノズルに酸素を含まない乾燥ガ
スを供給する乾燥ガス供給配管と、を備えることを特徴
とする基板の洗浄・乾燥装置。 - 【請求項2】 上部が開口し、内部にプロピルアルコー
ルと純水が混合された洗浄液を貯留するとともに、内底
部に多孔板を備え、該多孔板上にカセットに保持された
基板を載置して洗浄液中に浸漬させる洗浄槽と、 該洗浄槽にその上部開口を開閉可能に設けられた蓋と、 該蓋の内面側に設けられたノズルと、 前記洗浄槽に接続され、該洗浄槽内の洗浄液を排出する
洗浄液排出配管と、 該洗浄液排出配管により前記洗浄槽内の洗浄液が排出さ
れた後に、前記ノズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給
する乾燥ガス供給配管と、 前記洗浄槽に接続し、該洗浄槽内の乾燥ガスを排出する
乾燥ガス排出配管と、を備えることを特徴とする基板の
洗浄・乾燥装置。 - 【請求項3】 前記洗浄液のプロピルアルコール含有率
が5重量%以下である請求項1または請求項2に記載の
基板の洗浄・乾燥装置。 - 【請求項4】 前記乾燥ガスが加熱された窒素ガスであ
る請求項1、請求項2または請求項3に記載の基板の洗
浄・乾燥装置。 - 【請求項5】 前記洗浄液を加温するヒータを設けた請
求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板の洗浄
・乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20758096A JPH1041267A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20758096A JPH1041267A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1041267A true JPH1041267A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16542117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20758096A Pending JPH1041267A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1041267A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-07-19 JP JP20758096A patent/JPH1041267A/ja active Pending
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