JPH1041267A - 基板の洗浄・乾燥装置 - Google Patents
基板の洗浄・乾燥装置Info
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- JPH1041267A JPH1041267A JP20758096A JP20758096A JPH1041267A JP H1041267 A JPH1041267 A JP H1041267A JP 20758096 A JP20758096 A JP 20758096A JP 20758096 A JP20758096 A JP 20758096A JP H1041267 A JPH1041267 A JP H1041267A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板へのパーティクルの付着を防止でき、ま
た、設備の大型化や複雑化を招くこと無く十分に乾燥す
ることができる洗浄・乾燥装置を提供する。 【解決手段】 純水にＩＰＡを５重量％程度混合した洗
浄液を洗浄槽１０内に貯留し、カセットＣ内に収容され
た半導体ウェハＢを上下搬送機２０の保持アーム２４の
チャック部材２５で挟持して保持アーム２４を下降さ
せ、洗浄槽１０内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェハＢ
を洗浄する。次いで、上下搬送機２０によりカセットＣ
を１〜２ｍｍ／秒程度の低速度で上昇させて半導体ウェ
ハＢを洗浄槽１０内の洗浄液から引き上げ、また、この
引き上げ時に保持アーム２４のノズル２８から加熱され
た窒素ガスを半導体ウェハＢに吹き付ける。
た、設備の大型化や複雑化を招くこと無く十分に乾燥す
ることができる洗浄・乾燥装置を提供する。 【解決手段】 純水にＩＰＡを５重量％程度混合した洗
浄液を洗浄槽１０内に貯留し、カセットＣ内に収容され
た半導体ウェハＢを上下搬送機２０の保持アーム２４の
チャック部材２５で挟持して保持アーム２４を下降さ
せ、洗浄槽１０内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェハＢ
を洗浄する。次いで、上下搬送機２０によりカセットＣ
を１〜２ｍｍ／秒程度の低速度で上昇させて半導体ウェ
ハＢを洗浄槽１０内の洗浄液から引き上げ、また、この
引き上げ時に保持アーム２４のノズル２８から加熱され
た窒素ガスを半導体ウェハＢに吹き付ける。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】この発明は、半導体ウェハや
液晶ガラス等の基板の洗浄・乾燥装置、詳しくは、洗浄
液としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のプロピ
ルアルコールが混合された純水を用いる洗浄・乾燥装置
に関する。
液晶ガラス等の基板の洗浄・乾燥装置、詳しくは、洗浄
液としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のプロピ
ルアルコールが混合された純水を用いる洗浄・乾燥装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の基板の洗浄・乾燥装置としては、
基板を洗浄槽内の純水に浸漬させて洗浄し、この後に、
基板を１〜２ｍｍ／秒程度の速度で引き上げ、この引き
上げ時において洗浄槽内の純水の水面の表面張力を利用
して基板の表面の純水を取るものが知られる。
基板を洗浄槽内の純水に浸漬させて洗浄し、この後に、
基板を１〜２ｍｍ／秒程度の速度で引き上げ、この引き
上げ時において洗浄槽内の純水の水面の表面張力を利用
して基板の表面の純水を取るものが知られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の基板の洗浄・乾燥装置にあっては、基板を引き
上げる際にパーティクル等が基板に付着しやすいという
問題、また、基板を十分に乾燥できないという問題があ
った。後者の問題は、基板を高速で回転させて遠心力に
より脱水する回転乾燥装置や、蒸発しやすい溶媒蒸気中
に基板を置いて蒸気と付着水とを置換する蒸気乾燥装置
を用いることで解決できるとも考えられるが、設備の大
型化や複雑化を招くという新たな問題を生じる。この発
明は、上記問題に鑑みなされたもので、基板へのパーテ
ィクルの付着を防止でき、また、設備の大型化や複雑化
を招くこと無く十分に乾燥することができる洗浄・乾燥
装置を提供することを目的とする。
た従来の基板の洗浄・乾燥装置にあっては、基板を引き
上げる際にパーティクル等が基板に付着しやすいという
問題、また、基板を十分に乾燥できないという問題があ
った。後者の問題は、基板を高速で回転させて遠心力に
より脱水する回転乾燥装置や、蒸発しやすい溶媒蒸気中
に基板を置いて蒸気と付着水とを置換する蒸気乾燥装置
を用いることで解決できるとも考えられるが、設備の大
型化や複雑化を招くという新たな問題を生じる。この発
明は、上記問題に鑑みなされたもので、基板へのパーテ
ィクルの付着を防止でき、また、設備の大型化や複雑化
を招くこと無く十分に乾燥することができる洗浄・乾燥
装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の基板の洗浄・乾燥装置は、プロピ
ルアルコールと純水が混合された洗浄液を貯留し、該洗
浄液中にカセットに保持された基板を浸漬させて洗浄す
る洗浄槽と、前記カセットを把持可能なチャックが設け
られた昇降メンバを昇降可能に備え、該昇降メンバを昇
降駆動して前記基板が保持されたカセットを前記洗浄槽
内に出し入れする上下搬送機と、該上下搬送機の昇降メ
ンバに設けられたノズルと、該ノズルに接続され、該ノ
ズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給
配管と、を備える。
め、請求項１に記載の基板の洗浄・乾燥装置は、プロピ
ルアルコールと純水が混合された洗浄液を貯留し、該洗
浄液中にカセットに保持された基板を浸漬させて洗浄す
る洗浄槽と、前記カセットを把持可能なチャックが設け
られた昇降メンバを昇降可能に備え、該昇降メンバを昇
降駆動して前記基板が保持されたカセットを前記洗浄槽
内に出し入れする上下搬送機と、該上下搬送機の昇降メ
ンバに設けられたノズルと、該ノズルに接続され、該ノ
ズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給
配管と、を備える。
【０００５】また、請求項２に記載の基板の洗浄・乾燥
装置は、上部が開口し、内部にプロピルアルコールと純
水が混合された洗浄液を貯留するとともに、内底部に多
孔板を備え、該多孔板上にカセットに保持された基板を
載置して洗浄液中に浸漬させる洗浄槽と、該洗浄槽にそ
の上部開口を開閉可能に設けられた蓋と、該蓋の内面側
に設けられたノズルと、前記洗浄槽に接続され、該洗浄
槽内の洗浄液を排出する洗浄液排出配管と、該洗浄液排
出配管により前記洗浄槽内の洗浄液が排出された後に、
前記ノズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガ
ス供給配管と、前記洗浄槽に接続し、該洗浄槽内の乾燥
ガスを排出する乾燥ガス排出配管と、を備える。
装置は、上部が開口し、内部にプロピルアルコールと純
水が混合された洗浄液を貯留するとともに、内底部に多
孔板を備え、該多孔板上にカセットに保持された基板を
載置して洗浄液中に浸漬させる洗浄槽と、該洗浄槽にそ
の上部開口を開閉可能に設けられた蓋と、該蓋の内面側
に設けられたノズルと、前記洗浄槽に接続され、該洗浄
槽内の洗浄液を排出する洗浄液排出配管と、該洗浄液排
出配管により前記洗浄槽内の洗浄液が排出された後に、
前記ノズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給する乾燥ガ
ス供給配管と、前記洗浄槽に接続し、該洗浄槽内の乾燥
ガスを排出する乾燥ガス排出配管と、を備える。
【０００６】そして、上記請求項２に記載の基板の洗浄
・乾燥装置は、前記洗浄液のプロピルアルコール含有率
が５重量％以下である態様（請求項３）に、また、前記
乾燥ガスとして加熱された窒素ガスを用いる態様（請求
項４）に、さらに、前記洗浄液を加温するヒータを設け
る態様（請求項５）に構成することができる。
・乾燥装置は、前記洗浄液のプロピルアルコール含有率
が５重量％以下である態様（請求項３）に、また、前記
乾燥ガスとして加熱された窒素ガスを用いる態様（請求
項４）に、さらに、前記洗浄液を加温するヒータを設け
る態様（請求項５）に構成することができる。
【０００７】
【作用】この発明にかかる基板の洗浄・乾燥装置は、洗
浄液としてプロピルアルコールが配合された純水を用い
るため、洗浄液の表面張力が低下し、基板表面上の液膜
が薄くなり乾燥がしやすくなり、基板を効率的に乾燥で
きる。また、基板へのパーティクルの付着も洗浄液の表
面張力が低下することにより、洗浄液が基板とパーティ
クルの間に入り込み取れやすくなるため、抑制すること
ができる。これは、界面活性剤と同様のメカニズムであ
る。
浄液としてプロピルアルコールが配合された純水を用い
るため、洗浄液の表面張力が低下し、基板表面上の液膜
が薄くなり乾燥がしやすくなり、基板を効率的に乾燥で
きる。また、基板へのパーティクルの付着も洗浄液の表
面張力が低下することにより、洗浄液が基板とパーティ
クルの間に入り込み取れやすくなるため、抑制すること
ができる。これは、界面活性剤と同様のメカニズムであ
る。
【０００８】そして、請求項１に記載の洗浄・乾燥装置
は、洗浄槽の洗浄液中から低速度で基板を引き上げ、こ
の引き上げ時において窒素ガス等の乾燥ガスを基板に吹
き付けるため、洗浄液の表面張力により基板に付着した
洗浄液が取り去られ、また、乾燥ガスにより乾燥がより
促進され、基板を確実かつ速やかに乾燥することができ
る。また、請求項２に記載の洗浄・乾燥装置は、洗浄槽
内の洗浄液に基板を浸漬させて洗浄し、この後に、洗浄
槽から洗浄液を排出し、次いで、蓋のノズルから乾燥ガ
スを噴出させて基板に吹き付けるため、請求項１に記載
の洗浄・乾燥装置と同様に基板を確実かつ速やかに乾燥
することができる。
は、洗浄槽の洗浄液中から低速度で基板を引き上げ、こ
の引き上げ時において窒素ガス等の乾燥ガスを基板に吹
き付けるため、洗浄液の表面張力により基板に付着した
洗浄液が取り去られ、また、乾燥ガスにより乾燥がより
促進され、基板を確実かつ速やかに乾燥することができ
る。また、請求項２に記載の洗浄・乾燥装置は、洗浄槽
内の洗浄液に基板を浸漬させて洗浄し、この後に、洗浄
槽から洗浄液を排出し、次いで、蓋のノズルから乾燥ガ
スを噴出させて基板に吹き付けるため、請求項１に記載
の洗浄・乾燥装置と同様に基板を確実かつ速やかに乾燥
することができる。
【０００９】
【実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図面を参
照して説明する。図１は請求項１に記載の発明の一の実
施の形態にかかる基板の洗浄・乾燥装置を示す模式図で
ある。
照して説明する。図１は請求項１に記載の発明の一の実
施の形態にかかる基板の洗浄・乾燥装置を示す模式図で
ある。
【００１０】図１において、Ｂは半導体ウェハ（基
板）、１０は洗浄槽、２０は上下搬送機を示す。半導体
ウェハＢは、複数枚が洗浄・乾燥用カセットＣ内に収容
され、このカセットＣ内に収容された状態で洗浄、乾燥
される。カセットＣは、複数のメンバを組み付けて略籠
状に構成され、半導体ウェハＢを所定の間隔を隔て整列
して収容する。
板）、１０は洗浄槽、２０は上下搬送機を示す。半導体
ウェハＢは、複数枚が洗浄・乾燥用カセットＣ内に収容
され、このカセットＣ内に収容された状態で洗浄、乾燥
される。カセットＣは、複数のメンバを組み付けて略籠
状に構成され、半導体ウェハＢを所定の間隔を隔て整列
して収容する。
【００１１】洗浄槽１０は、上部が開口し、開口の外周
にオーバフロー受部１１を有する。この洗浄槽１０に
は、洗浄液が貯留され、洗浄液供給配管１２が上部開口
から内底部に延設され、オバフロー受部１１に洗浄液戻
り配管１３が接続される。洗浄液は、純水にＩＰＡを４
０重量％以下の比率、望ましくは、５重量％以下の比率
で配合したものが用いられる。
にオーバフロー受部１１を有する。この洗浄槽１０に
は、洗浄液が貯留され、洗浄液供給配管１２が上部開口
から内底部に延設され、オバフロー受部１１に洗浄液戻
り配管１３が接続される。洗浄液は、純水にＩＰＡを４
０重量％以下の比率、望ましくは、５重量％以下の比率
で配合したものが用いられる。
【００１２】洗浄液戻り配管１３はポンプ１４に接続さ
れ、ポンプ１４の吐出ポートがヒータ１５およびフィル
タ１６を経て洗浄液供給配管１２に接続される。ポンプ
１４は、洗浄液戻り配管１３から吸引した洗浄液をヒー
タ１５等を経由させて洗浄液供給配管１２に吐出し、洗
浄液を循環させる。ヒータ１５は循環する洗浄液を加温
し、周知のように、フィルタ１６は循環する洗浄液中の
パーティクル等を除塵する。
れ、ポンプ１４の吐出ポートがヒータ１５およびフィル
タ１６を経て洗浄液供給配管１２に接続される。ポンプ
１４は、洗浄液戻り配管１３から吸引した洗浄液をヒー
タ１５等を経由させて洗浄液供給配管１２に吐出し、洗
浄液を循環させる。ヒータ１５は循環する洗浄液を加温
し、周知のように、フィルタ１６は循環する洗浄液中の
パーティクル等を除塵する。
【００１３】上下搬送機２０は、ねじ軸２１を立設して
ベルト伝導機構２２により駆動モータ２３に連結すると
ともに、ねじ軸２１を昇降可能に水平に支持された保持
アーム２４に螺合させ、この保持アーム２４に一対のチ
ャック部材２５，２５を上述したカセットＣを挟持可能
に取り付けて構成される。この上下搬送機２０は、駆動
モータ２３によりねじ軸２１が回転駆動され、このねじ
軸２１の回転で保持アーム２４が昇降して半導体ウェハ
Ｂが収容されたカセットＣを洗浄槽１０に出し入れす
る。特に、この上下搬送機２０は、カセットＣを洗浄槽
１０内から引き上げる際に、１〜２ｍｍ／秒程度の速度
で保持アーム２４を上昇させる。
ベルト伝導機構２２により駆動モータ２３に連結すると
ともに、ねじ軸２１を昇降可能に水平に支持された保持
アーム２４に螺合させ、この保持アーム２４に一対のチ
ャック部材２５，２５を上述したカセットＣを挟持可能
に取り付けて構成される。この上下搬送機２０は、駆動
モータ２３によりねじ軸２１が回転駆動され、このねじ
軸２１の回転で保持アーム２４が昇降して半導体ウェハ
Ｂが収容されたカセットＣを洗浄槽１０に出し入れす
る。特に、この上下搬送機２０は、カセットＣを洗浄槽
１０内から引き上げる際に、１〜２ｍｍ／秒程度の速度
で保持アーム２４を上昇させる。
【００１４】また、保持アーム２４は、内部に室２４ａ
を有し、室２４ａの下面側（洗浄槽１０側）の壁面にチ
ャック部材２５，２５間で複数のノズル２８（ただし、
図中への符号は省略する）が形成される。室２４ａには
一側にホース２６が接続し、このホース２６がヒータ２
７を経て図外の窒素ガス供給源に接続される。この窒素
ガス供給源は窒素ガスをヒータ２７を経由してホース２
６により室２４ａに供給してノズル２８から半導体ウェ
ハＢに向けて噴出させ、ヒータ２７は窒素ガスを加熱す
る。
を有し、室２４ａの下面側（洗浄槽１０側）の壁面にチ
ャック部材２５，２５間で複数のノズル２８（ただし、
図中への符号は省略する）が形成される。室２４ａには
一側にホース２６が接続し、このホース２６がヒータ２
７を経て図外の窒素ガス供給源に接続される。この窒素
ガス供給源は窒素ガスをヒータ２７を経由してホース２
６により室２４ａに供給してノズル２８から半導体ウェ
ハＢに向けて噴出させ、ヒータ２７は窒素ガスを加熱す
る。
【００１５】この実施の形態にあっては、カセットＣ内
に収容された半導体ウェハＢを上下搬送機２０により下
降させ、洗浄槽１０内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェ
ハＢを洗浄する。次いで、上下搬送機２０によりカセッ
トＣを低速度（１〜２ｍｍ／秒）で上昇させて半導体ウ
ェハＢを洗浄槽１０内の洗浄液から引き上げ、また、こ
の引き上げ時に保持アーム２４のノズル２８から加熱さ
れた窒素ガスを半導体ウェハＢに吹き付ける。このた
め、半導体ウェハＢの効率的に乾燥でき、また、半導体
ウェハＢにパーティクルが付着することを抑制できる。
に収容された半導体ウェハＢを上下搬送機２０により下
降させ、洗浄槽１０内の洗浄液に浸漬させて半導体ウェ
ハＢを洗浄する。次いで、上下搬送機２０によりカセッ
トＣを低速度（１〜２ｍｍ／秒）で上昇させて半導体ウ
ェハＢを洗浄槽１０内の洗浄液から引き上げ、また、こ
の引き上げ時に保持アーム２４のノズル２８から加熱さ
れた窒素ガスを半導体ウェハＢに吹き付ける。このた
め、半導体ウェハＢの効率的に乾燥でき、また、半導体
ウェハＢにパーティクルが付着することを抑制できる。
【００１６】すなわち、半導体ウェハＢは低速度で洗浄
液中から引き上げられ、また、洗浄液はＩＰＡを含有し
表面張力が小さいため、半導体ウェハＢ表面の洗浄液を
有効に取り除くことができ、さらに、加熱された窒素ガ
スを半導体ウェハＢに吹き付けるため洗浄液が蒸発して
乾燥が促進される。そして、半導体ウェハＢには酸素を
含まない窒素ガスを吹き付けるため、洗浄液中のＩＰＡ
の爆発のおそれもなく、高い安全性が達成される。
液中から引き上げられ、また、洗浄液はＩＰＡを含有し
表面張力が小さいため、半導体ウェハＢ表面の洗浄液を
有効に取り除くことができ、さらに、加熱された窒素ガ
スを半導体ウェハＢに吹き付けるため洗浄液が蒸発して
乾燥が促進される。そして、半導体ウェハＢには酸素を
含まない窒素ガスを吹き付けるため、洗浄液中のＩＰＡ
の爆発のおそれもなく、高い安全性が達成される。
【００１７】図２は請求項２に記載の発明にかかる洗浄
・乾燥装置の一の実施の形態を示す模式図である。な
お、上述した実施の形態と同一の部分には同一の番号を
付して説明を一部省略する。
・乾燥装置の一の実施の形態を示す模式図である。な
お、上述した実施の形態と同一の部分には同一の番号を
付して説明を一部省略する。
【００１８】同図に示すように、洗浄槽１０には上部に
開口を開閉可能な蓋３０がヒンジ等によって取り付けら
れる。蓋３０は、内部に室３０ａが画成され、内面に室
３０ａに連通した複数のノズル３１（図中での符号は省
略する）が形成される。室３０ａは、上述した実施の形
態と同様に、ホース２６によりヒータ２７を経由して図
外の窒素ガス供給源に連絡される。
開口を開閉可能な蓋３０がヒンジ等によって取り付けら
れる。蓋３０は、内部に室３０ａが画成され、内面に室
３０ａに連通した複数のノズル３１（図中での符号は省
略する）が形成される。室３０ａは、上述した実施の形
態と同様に、ホース２６によりヒータ２７を経由して図
外の窒素ガス供給源に連絡される。
【００１９】また、洗浄槽１０には、内底部にパンチン
グ板（多孔板）３５が設けられて液切り室３６が区画さ
れ、上部に乾燥ガス排出配管３２が前述した洗浄液供給
配管１２とともに接続する。乾燥ガス排出配管３２は、
図外の排気ダクトあるいは窒素ガス回収装置等に連絡さ
れる。
グ板（多孔板）３５が設けられて液切り室３６が区画さ
れ、上部に乾燥ガス排出配管３２が前述した洗浄液供給
配管１２とともに接続する。乾燥ガス排出配管３２は、
図外の排気ダクトあるいは窒素ガス回収装置等に連絡さ
れる。
【００２０】そして、洗浄槽１０には、底部に液切り室
３６に連通する洗浄液排出配管３７が接続する。パンチ
ング板３５は、多数の小孔（符号を省略する）が形成さ
れ、洗浄液の通過可能に液切り室３６を区画する。洗浄
液排出配管３７は、切換バルブ３８を介してポンプ１４
と洗浄液戻り配管１３に連絡され、切換バルブ３８によ
りポンプ１４あるいは連絡管３９の一方に連絡する。洗
浄液戻り配管１３は前述したようにオーバフロー受部１
１に連絡する。
３６に連通する洗浄液排出配管３７が接続する。パンチ
ング板３５は、多数の小孔（符号を省略する）が形成さ
れ、洗浄液の通過可能に液切り室３６を区画する。洗浄
液排出配管３７は、切換バルブ３８を介してポンプ１４
と洗浄液戻り配管１３に連絡され、切換バルブ３８によ
りポンプ１４あるいは連絡管３９の一方に連絡する。洗
浄液戻り配管１３は前述したようにオーバフロー受部１
１に連絡する。
【００２１】この実施の形態にあっては、カセットＣに
保持された半導体ウェハＢを上下搬送機２０により下降
させて洗浄槽１０内に収容し、上下搬送機２０のチャッ
ク部材２５等を上昇させた後に洗浄槽１０の上部開口を
蓋３０により閉止する。そして、洗浄槽１０内に純水に
ＩＰＡが５重量％程度の割合で混合された洗浄液を充填
し、この洗浄液をポンプ１４により循環して半導体ウェ
ハＢを洗浄する。
保持された半導体ウェハＢを上下搬送機２０により下降
させて洗浄槽１０内に収容し、上下搬送機２０のチャッ
ク部材２５等を上昇させた後に洗浄槽１０の上部開口を
蓋３０により閉止する。そして、洗浄槽１０内に純水に
ＩＰＡが５重量％程度の割合で混合された洗浄液を充填
し、この洗浄液をポンプ１４により循環して半導体ウェ
ハＢを洗浄する。
【００２２】次いで、洗浄液排出配管３７を図外の排出
管に切換接続して洗浄槽１０内の洗浄液を液面が１〜２
ｍｍ／秒程度の速度で降下するように排出し、また、こ
の洗浄液の排出と同時あるいは排出後に蓋３０のノズル
３１から加熱された窒素ガスを半導体ウェハＢに向けて
噴射する。このため、前述した実施の形態と同様に、Ｉ
ＰＡのマランゴニ効果、洗浄液の表面張力の効果、さら
に、加熱された窒素ガスの効果で半導体ウェハＢの乾燥
を効率的かつ速やかに行える。
管に切換接続して洗浄槽１０内の洗浄液を液面が１〜２
ｍｍ／秒程度の速度で降下するように排出し、また、こ
の洗浄液の排出と同時あるいは排出後に蓋３０のノズル
３１から加熱された窒素ガスを半導体ウェハＢに向けて
噴射する。このため、前述した実施の形態と同様に、Ｉ
ＰＡのマランゴニ効果、洗浄液の表面張力の効果、さら
に、加熱された窒素ガスの効果で半導体ウェハＢの乾燥
を効率的かつ速やかに行える。
【００２３】なお、上述した各実施の形態では、プロピ
ルアルコールとしてＩＰＡを例示するが、他のプロピル
アルコールを用いることも可能であり、また、本発明を
液晶表示装置のガラス基板等の洗浄と乾燥にも適用でき
ることは述べるまでもない。
ルアルコールとしてＩＰＡを例示するが、他のプロピル
アルコールを用いることも可能であり、また、本発明を
液晶表示装置のガラス基板等の洗浄と乾燥にも適用でき
ることは述べるまでもない。
【００２４】
【実施例】次に、図１の洗浄・乾燥装置を用い、８イン
チシリコンウェハを洗浄した。洗浄液としては、汚れ状
態を作成するため水道水等の市水を１％混合し、表１に
示すような比率でＩＰＡを混合した５種の洗浄水を用い
て洗浄を行った。また、８インチシリコンウェハの引き
上げ速度としては１ｍｍ／秒を採用した。
チシリコンウェハを洗浄した。洗浄液としては、汚れ状
態を作成するため水道水等の市水を１％混合し、表１に
示すような比率でＩＰＡを混合した５種の洗浄水を用い
て洗浄を行った。また、８インチシリコンウェハの引き
上げ速度としては１ｍｍ／秒を採用した。
【００２５】
【表１】
【００２６】上記表１から明らかなように、乾燥後のシ
リコンウェハに付着するパーティクルはＩＰＡを洗浄液
に配合することで著しく少なくでき、本発明にかかる洗
浄・乾燥装置がパーティクルの付着の抑制に有効である
ことが実証された。
リコンウェハに付着するパーティクルはＩＰＡを洗浄液
に配合することで著しく少なくでき、本発明にかかる洗
浄・乾燥装置がパーティクルの付着の抑制に有効である
ことが実証された。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、純水にプロピルアルコールを混合した洗浄液中に基
板を浸漬させて洗浄し、洗浄槽内の洗浄液から引き上げ
た後（途中）において乾燥ガスを基板に吹き付けるため
（請求項１）、また、純水にプロピルアルコールを混合
した洗浄液中に基板を浸漬させ、洗浄槽内から洗浄液を
引き抜いた後に洗浄槽の開口を閉止した蓋のノズルから
乾燥ガスを吹き付けるため（請求項２）、プロピルアル
コールを含有する洗浄液の表面張力による効果、さら
に、吹き付ける乾燥ガスの効果の相乗作用により基板を
効率的に乾燥することができる。
ば、純水にプロピルアルコールを混合した洗浄液中に基
板を浸漬させて洗浄し、洗浄槽内の洗浄液から引き上げ
た後（途中）において乾燥ガスを基板に吹き付けるため
（請求項１）、また、純水にプロピルアルコールを混合
した洗浄液中に基板を浸漬させ、洗浄槽内から洗浄液を
引き抜いた後に洗浄槽の開口を閉止した蓋のノズルから
乾燥ガスを吹き付けるため（請求項２）、プロピルアル
コールを含有する洗浄液の表面張力による効果、さら
に、吹き付ける乾燥ガスの効果の相乗作用により基板を
効率的に乾燥することができる。
【図１】請求項１に記載の発明の基板の洗浄・乾燥装置
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
【図２】請求項２に記載の発明の基板の洗浄・乾燥装置
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
の一の実施の形態を示す模式構成図である。
１０ 洗浄槽 １１ オーバフロー受部 １２ 洗浄液供給配管 １３ 洗浄液戻り配管 １４ ポンプ １５ ヒータ ２０ 上下搬送機 ２４ 保持アーム ２４ａ 室 ２５ チャック部材 ２６ ホース ２７ ヒータ ２８ ノズル ３０ 蓋 ３１ ノズル ３５ パンチング板（多孔板） ３６ 液切り室 ３７ 洗浄液排出配管 ３８ 切換バルブ Ｂ 半導体ウェハ（基板） Ｃ カセット
Claims (5)
- 【請求項１】 プロピルアルコールと純水が混合された
洗浄液を貯留し、該洗浄液中にカセットに保持された基
板を浸漬させて洗浄する洗浄槽と、 前記カセットを把持可能なチャックが設けられた昇降メ
ンバを昇降可能に備え、該昇降メンバを昇降駆動して前
記基板が保持されたカセットを前記洗浄槽内に出し入れ
する上下搬送機と、 該上下搬送機の昇降メンバに設けられたノズルと、 該ノズルに接続され、該ノズルに酸素を含まない乾燥ガ
スを供給する乾燥ガス供給配管と、を備えることを特徴
とする基板の洗浄・乾燥装置。 - 【請求項２】 上部が開口し、内部にプロピルアルコー
ルと純水が混合された洗浄液を貯留するとともに、内底
部に多孔板を備え、該多孔板上にカセットに保持された
基板を載置して洗浄液中に浸漬させる洗浄槽と、 該洗浄槽にその上部開口を開閉可能に設けられた蓋と、 該蓋の内面側に設けられたノズルと、 前記洗浄槽に接続され、該洗浄槽内の洗浄液を排出する
洗浄液排出配管と、 該洗浄液排出配管により前記洗浄槽内の洗浄液が排出さ
れた後に、前記ノズルに酸素を含まない乾燥ガスを供給
する乾燥ガス供給配管と、 前記洗浄槽に接続し、該洗浄槽内の乾燥ガスを排出する
乾燥ガス排出配管と、を備えることを特徴とする基板の
洗浄・乾燥装置。 - 【請求項３】 前記洗浄液のプロピルアルコール含有率
が５重量％以下である請求項１または請求項２に記載の
基板の洗浄・乾燥装置。 - 【請求項４】 前記乾燥ガスが加熱された窒素ガスであ
る請求項１、請求項２または請求項３に記載の基板の洗
浄・乾燥装置。 - 【請求項５】 前記洗浄液を加温するヒータを設けた請
求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板の洗浄
・乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758096A JPH1041267A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758096A JPH1041267A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041267A true JPH1041267A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16542117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20758096A Pending JPH1041267A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041267A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-07-19 JP JP20758096A patent/JPH1041267A/ja active Pending
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