JPH104069A

JPH104069A - 半導体微細構造の作製方法

Info

Publication number: JPH104069A
Application number: JP15671596A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kakazu; 誠嘉数; Toshiki Makimoto; 俊樹牧本; Naoki Kobayashi; 小林　　直樹
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1996-06-18
Filing date: 1996-06-18
Publication date: 1998-01-06
Anticipated expiration: 2016-06-18
Also published as: JP3402425B2

Abstract

(57)【要約】【課題】量子効果を発揮する微細な構造が、大きさの
揃った状態で精度良く作製できるようにすることを目的
とする。【解決手段】ＧａＡｓ基板１上のＧａＮ膜４ａ表面
に、距離１ｎｍ近くまで探針１１を近づける。そして、
スイッチ１３を切り換えることで、探針１１とＧａＡｓ
基板１間の電流を増加させ、ＧａＮ膜４ａの部分的なエ
ッチングを分子１個単位でする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、１枚の基板上に
ナノメートルの半導体微細構造を、寸法，形状，及び，
基板上の位置を正確に制御して立体的に作製する半導体
微細構造の作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体微細構造の寸法を数十ナノメート
ルより小さくすると、量子力学によれば、その構造内の
電子，正孔のエネルギー分布幅を極めて狭くできる。こ
のような構造は、量子ドット（量子箱）と呼ばれる。寸
法の均一な複数の量子箱を半導体レーザーに応用すれ
ば、閾電流の極めて低い半導体レーザを実現できる。こ
の半導体微細構造である量子箱の作製方法の一例とし
て、選択成長と呼ばれる方法を以下に示す。

【０００３】まず、図７（ａ）に示すように、真空中で
ＧａＡｓ基板７１を６００℃程度で加熱することで、そ
の表面に形成されている自然酸化膜７２をエッチングす
る。真空中で加熱することで、ＧａＡｓの酸化物は分解
して気化していく。ただし、このとき、基板表面に気体
となったＡｓを導入しておく。これは、加熱することで
分解する段階で、Ａｓを補償するためにおこなう。Ｇａ
に比較してＶ族元素であるＡｓは気化しやすいため、Ａ
ｓ過剰の雰囲気としておく必要があるためである。

【０００４】しかし、このエッチングでは、ＧａＡｓ基
板７１表面に気化したＡｓを導入しておいても、ＧａＡ
ｓ基板７１表面のＡｓの欠陥が補償しきれず、その表面
は平坦にできない。このため、そのエッチングに引き続
いて、図７（ｂ）に示すように、加熱されたＧａＡｓ基
板７１表面にトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）と気化し
たＡｓを導入し、その表面にＧａＡｓバッファ層７３を
成長させて表面を平坦化する。このとき、ＧａＡｓバッ
ファ層７３にはＳｉもしくはＺｎを不純物として導入
し、導電性をもたせておく。

【０００５】ついで、図７（ｃ）に示すように、ジメチ
ルヒドラジンとともにトリメチルガリウムをＧａＡｓ基
板７１表面に導入し、ガリウム窒素（ＧａＮ）からなる
薄膜７４を堆積させる。ジメチルヒドラジンは窒素原料
となるが、このかわりに、アンモニアをクラッキングす
ることで窒素原子を供給するようにしてもよい。

【０００６】次に、図７（ｄ）に示すように、電子ビー
ムを照射することで、選択的に薄膜７４を蒸発させてＧ
ａＡｓバッファ層７３表面を露出させる。次に、図７
（ｅ）に示すように、トリメチルガリウムと気化したＡ
ｓを加熱したＧａＡｓ基板７１上に導入して、ＧａＡｓ
バッファ層７３が露出した部分に、選択的にＧａＡｓか
らなる微細構造７５を成長させる。そして、図７（ｆ）
に示すように、ＧａＮからなる薄膜７４を除去し、Ｇａ
Ａｓバッファ層７３上に微細構造７５が形成されたＧａ
Ａｓ基板７１を得る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の製造方法では、微細構造のパターン化の際に、電子ビ
ーム露光が用いられてきた。しかし、電子ビームの焦点
の広がりは、最小に絞っても５０ｎｍほどとなる。そし
て、そのエッジはシャープではなく、中心部分を最大エ
ネルギーとし、周辺に向かってエネルギーが徐々に減衰
するように分布しているこのため、従来では、電子ビー
ムの照射量を調整することで、１０ナノメーター程度の
大きさの微細構造を形成するようにしてきた。しかし、
そのようにして形成した微細構造は、再現性が低く、複
数の微細構造を作製する際に、同じ大きさにそろえるこ
とが非常に困難であった。従って、従来では有用な量子
箱構造を形成することができなかった。

【０００８】また、従来の電子ビーム照射の間は、表面
をその場で観察することができない。このため、露光の
状況や基板上の露光の位置をモニタして制御することは
できなかった。そのため、複数の微細構造を同一基板上
に作製する場合、構造間の相対位置がわからないため、
立体的に作製することはもちろん、高密度に作製するこ
とが非常に困難であった。

【０００９】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、量子効果を発揮する微細
な構造が、大きさの揃った状態で精度良く作製できるよ
うにすることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明の半導体微細構
造の作製方法は、第１に半導体基板表面の酸化膜を除去
して清浄化し、第２に半導体基板を加熱してこの表面に
ラジカル化した窒素を供給して窒素を含む選択膜を形成
し、第３に原子レベルに鋭利にされた先端を有する探針
の先端を選択膜表面に常に一定の距離だけ接近させて半
導体基板と探針との間にトンネル電流を流すことで選択
膜を選択的にエッチングする。そして、第４に、半導体
基板を加熱してこの上にＩＩＩ族原子を含む有機金属ガ
スとＶ族原子を含む有機金属ガスを供給してエッチング
した領域のみにＩＩＩ族原子とＶ族原子とからなる微細
半導体構造を成長し、第５に選択膜を除去するようにし
た。

【００１１】以上のことにより、探針と半導体基板との
トンネル電流により選択膜をエッチングするので、エッ
チングしているときの加工表面の状態を観察することが
できる。前述したように、半導体微細構造の寸法を数十
ナノメートルより小さくすると、量子力学によればその
構造内の電子，正孔のエネルギー分布幅を極めて狭くで
きる。このような、寸法の均一な複数の量子箱構造を半
導体レーザーに応用すれば、閾電流の極めて低い半導体
レーザを実現できる。

【００１２】この発明においては、探針で表面を走査
し、トンネル電流を検知することにより表面の形状を観
察すると同時に、選択成長の選択膜の微細加工を行い、
その領域に微細構造を成長するようにした。このため、
この発明では、パターン形成時にその形成形状の観察が
可能なため、寸法や位置および組成の制御が可能とな
り、立体的に格段に均一な量子箱構造を作製することが
できる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。図１は、この発明の実施の形態にお
ける微細構造の作製方法を示す断面図である。この実施
の形態では、ＧａＡｓとＩｎＡｓ半導体微細構造を同一
のＧａＡｓ基板１上に作製する場合について示す。

【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、大気中に
放置されたＧａＡｓ基板１表面には、酸化膜２が存在し
ている。この酸化膜２を除去するため、ＧａＡｓ基板１
を真空中で５００℃に加熱することで、酸化膜２を加熱
分解して除去する。このとき、図１（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓ基板１表面にＶ族元素を含む有機金属であ
るターシャリーブチルアルシン（ＴＢＡｓ）を供給す
る。これにより、清浄なＧａＡｓ基板１表面が露出す
る。

【００１５】従来では、この酸化膜２のエッチングにお
いては、気化したＡｓを基板表面に導入するようにして
いた。そして、このことにより、ＧａＡｓ基板から蒸気
圧の高いＶ族元素が欠損するのを防ぐようにしていた。
しかし、気化したＡｓの使用では、ＧａＡｓ基板のＡｓ
の欠損が補償しきれずに、表面にＧａのドロップレット
が生じることがある。このため、従来では、基板の平坦
性が失われることがあった。しかし、この実施の形態で
は、酸化膜２をエッチングしている基板１上にＴＢＡｓ
導入するようにしたので、表面が非常に平坦になる。

【００１６】これは、ＴＢＡｓが熱で分解されること
で、Ａｓ原子と共に生成した水素原子が、ガリウムも効
果的にエッチング除去するためである。ＴＢＡｓが供給
されてるＧａＡｓ基板１表面は、熱により分解して主に
Ａｓがエッチングされると共に、水素原子によりガリウ
ムもエッチングされていく。そして、Ａｓ原子の供給に
よりＡｓの補償も成されているので、総合的にみて、ガ
リウムもＡｓも均一にエッチングされた状態となってい
る。

【００１７】従来では、気化したＡｓを導入することで
ＧａＡｓ基板１表面におけるＡｓを補償していた。しか
しこの方法では、完全にはＡｓの欠損が補えず、エッチ
ング後に平坦な面を回復するために、ＧａＡｓバッファ
層を成長させなければならなかった。また、従来では、
電子ビーム照射で加工をおこなうようにしていたため、
このＧａＡｓバッファ層に導電性をもたせる必要があ
り、ＳｉやＺｎを不純物として添加しなければならず、
プロセスを複雑にしていた。導電性をもたせないと、電
子ビームを照射したときにチャージアップしてしまうた
めである。

【００１８】しかし、この実施の形態に示したように、
ＴＢＡｓを導入することで、ＧａＡｓ基板１表面におけ
るＡｓを補償し、かつガリウムもエッチングされる状態
とすれば、ＧａＡｓバッファ層の形成は必要ない。ま
た、ＧａＡｓでなくＩｎＰを基板に用いる場合は、ター
シャリーブチルホスフィン（ＴＢＰ）が有効である。す
なわち、酸化膜除去のエッチングにおいて、Ｖ族原子を
含む有機金属を基板表面に導入するようにすればよい。
特に、Ｖ族原子と水素とが直接結合した構造の有機金属
が効果的である。ただし、たとえば、トリメチルヒ素を
用いるようにしても、若干効果は劣るが有効である。

【００１９】次に、図１（ｃ）に示すように、加熱した
タングステンフィラメントに窒素ガスを通してこれを窒
素原子にして２５０℃に加熱したＧａＡｓ基板１表面に
供給し、非晶質のＧａＮからなるＧａＮ膜４ａ（選択
膜）を堆積する。このＧａＮは堆積温度（基板温度）に
よって、図３（ａ）に示すように、その表面の凹凸状態
が変化する。基板温度が４００℃を越えると、堆積する
ＧａＮは多結晶状態となり、図３（ａ）に示すように、
その表面凹凸は大きいものとなる。しかし、基板温度が
４００℃以下では、堆積するＧａＮがアモルファス状態
となるため、その表面の凹凸はかなり減少する。したが
って、ＧａＮは４００℃以下で成長するのが望ましい。

【００２０】一方、ＧａＮの堆積時の温度条件と、その
温度で堆積したＧａＮ上にＧａＡｓを堆積したときのＧ
ａＡｓ膜の膜厚を比較すると、図３（ｂ）に示すよう
に、４００℃以下で堆積したＧａＮ上には、ＧａＡｓが
ほとんど堆積しない。これに対して、ＧａＡｓ上にＧａ
Ｎ膜を薄く形成した場合、ＧａＮ膜が多結晶状態では形
成したＧａＮ膜に下のＧａＡｓ表面が一部露出してしま
う。このため、ＧａＡｓ上に４００℃を越えて形成した
ＧａＮ膜上には、ＧａＡｓが成長することになる。Ｇａ
Ｎ膜はＧａＡｓの選択成長のために用いるので、この観
点からも、ＧａＮは基板温度が４００℃以下の状態で成
長させる必要がある。

【００２１】次いで、図１（ｄ）に示すように、探針１
１を用いてＧａＮ膜４ａを部分的に除去する。図１
（ｄ）において、探針１１は、走査型トンネル顕微鏡を
構成する部分である。探針１１はピエゾ１２ａとピエゾ
１２ｂとにより、ｘｙ方向およびｚ方向に位置制御され
る。ピエゾ１２ａ，１２ｂは、印加される電圧Ｖ_x，Ｖ_y
およびＶ_zの値に比例して変位する。ピエゾ１２ａは、
探針１１を走査するために用いる。以上の構成により、
探針１１とＧａＡｓ基板１との間に一定の電圧Ｖ_t を印
加した状態で、回路を流れる電流値（トンネル電流）が
一定になるようにピエゾ１２ｂに印加する電圧Ｖ_z を制
御する。

【００２２】この状態で、探針１１を表面より２〜３ｎ
ｍ離した状態で走査すれば、走査している表面の凹凸に
対応して、ピエゾ１２ｂは探針１１と表面との距離を一
定にしようとしてその変位量を変化させる。そして、こ
の変位量を計測することで、走査している表面の凹凸状
態を観察することが可能となる。これが、走査型トンネ
ル顕微鏡による表面形状の観察原理である。なお、図１
（ｄ）では、スイッチ１３が観察状態の接続を示してい
る。ここで、ＧａＡｓ基板１上のＧａＮ膜４ａ表面に、
距離１ｎｍ近くまで探針１１を近づける。そして、スイ
ッチ１３を切り換えることで、探針１１とＧａＡｓ基板
１間の電流を増加させる。すると、そのエネルギーでＧ
ａＮ膜４ａの部分的なエッチングを分子１個単位でする
ことができる。

【００２３】この結果、図１（ｄ）に示すように、Ｇａ
Ｎ膜４ａを選択的にパターン加工することができる。ま
た、このとき、数ｎｍオーダで、この加工をおこなうこ
とが可能となる。この加工の際には、スイッチ１３を切
り換えることで、瞬時に加工状態と観察状態とを切り換
えられるので、エッチング加工の状態をその場で観察す
ることが可能となる。また、表面を観察しながら加工を
したい場所へ探針１１を移動できるので、極めて高精度
に微細構造を形成することが可能となる。

【００２４】以下、この加工方法について、図４の断面
図を用いてより詳細に説明する。図４（ａ）において、
ＧａＡｓ基板１の表面状態を観察しているときの探針１
１先端の軌跡を点線で示している。また、トンネル電流
の値を増加させた状態で走査をおこなった、加工時の場
合の探針１１先端の軌跡を実線で示している。走査型ト
ンネル顕微鏡で観察対象の表面を走査するときは、トン
ネル電流が一定となるように探針１１を上下させてい
る。すなわち、トンネル電流が減少したら探針１１を下
げ、トンネル電流が増加したら探針１１を上げる。結果
として、探針１１先端と観察対象の表面との距離を一定
に保つように制御している。そして、その制御により探
針１１を動かした状態が、観察対象の表面状態を示して
いることになる。したがって、この探針１１を動かした
状態により、ＧａＡｓ基板１の表面状態を観測すること
ができる。

【００２５】しかし、トンネル電流が一定に保たれるよ
うに制御していても、図４（ａ）の点線で示すように、
探針１１先端は時間的に遅れてＧａＡｓ基板１の表面状
態を再現して動作する。ここで、表面を加工するために
探針１１先端を表面に近づけると、図４（ａ）の実線で
示すように、表面に衝突したり、表面より離れすぎたり
して、一定の条件で加工することができない。つまり、
表面状態を観察しているときと同じように、先端位置を
フィードバック制御した状態で探針１１先端をＧａＡｓ
基板１表面に近づけて加工を行うと、一定の条件で加工
することができない。

【００２６】これに対して、以下に示す動作を繰り返す
ことで表面の加工を行うようにすれば、表面を一様に加
工することができる（図４（ｂ））。すなわち、ま
ず、表面状態を観察しているモードより、ある位置で観
察モードを変更して探針１１を一定距離下げる。たとえ
ば、図４（ｂ）において、矢印の方向に矢印で示す距離
だけ下げる。すると、電流は増加して加工状態となる。
ついで、所定時間加工状態とした後、再び探針１１を
上げる。図４（ｂ）において、矢印の元の黒点の位置に
まで探針１１先端の位置を戻す。そして、観察状態とし
て所定の距離移動させる。たとえば、図４（ｂ）におい
て、隣の黒点の位置まで探針１１先端を移動する。以上
示したように、，を繰り返していくことで、加工時
の探針１１先端は、図４（ａ）に示した方法に比較し
て、飛躍的に均一な加工が行える。

【００２７】以上示したことにより、精度よく一様にＧ
ａＮ膜４ａを選択的に除去したあと、図１（ｅ）に示す
ように、ＧａＡｓ基板１の表面が露出したところに、選
択的にＧａＡｓからなる微細構造５ａを形成する。これ
は、真空中でＧａＡｓ基板１を６００℃に過熱した状態
で、基板表面にＴＭＧａとＴＢＡｓを供給することでお
こなう（有機金属分子線エピタキシー法）。この分子線
エピタキシー法では、ＧａＮ膜４ａ上にはＧａＡｓが成
長しない選択成長となる。

【００２８】次いで、加熱したＧａＡｓ基板１上に水素
原子を導入して、図１（ｆ）に示すように、ＧａＮ膜４
ａをエッチング除去する。次に、図２（ｇ）に示すよう
に、ＧａＡｓ基板１上に微細構造５ａを覆うようにＧａ
Ｎ膜４ｂを形成する。そして、前述したようにして、探
針１１により選択的にＧａＮ膜４ｂを除去し、図２
（ｈ）に示すように、ＧａＡｓ基板１および微細構造５
ａ上を部分的に露出させる。なお、図２（ｈ）に示すス
イッチ１３の状態が、加工状態の接続を示している。

【００２９】次に、図２（ｉ）に示すように、この露出
した領域に、たとえば、有機金属分子線エピタキシー法
法により、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）とＴＢＡ
ｓを供給することで、ＩｎＰからなる微細構造５ｂを形
成する。そして、加熱したＧａＡｓ基板１上に水素原子
を導入して、図２（ｊ）に示すように、ＧａＮ膜４ｂを
エッチング除去する。この結果、同一のＧａＡｓ基板１
上に、微細構造５ａと微細構造５ｂとが形成された状態
が実現される。

【００３０】図５は、以上示したことにより形成した微
細構造を有する半導体装置の断面図である。図５（ａ）
は量子箱半導体レーザを示し、ｎ⁺ 形のＧａＡｓ基板５
１上に、ＡｌＧａＡｓ層５２を形成し、この上にｐ⁺ 形
のＧａＡｓからなるクラッド層５４形成している。そし
て、ＡｌＧａＡｓ層５２内には微細な量子箱構造とした
ＧａＡｓ量子箱５３が形成され、これらで活性層を構成
している。このような量子箱半導体レーザは、活性層に
おけるＧａＡｓ量子箱５３が均一に作成されていない
と、図６（ａ）に示すように、発光波長の幅が広く発光
強度も高くできない。

【００３１】これに比較して、上記実施の形態により均
一にＧａＡｓ量子箱５３が形成された量子箱半導体レー
ザでは、図６（ｂ）に示すように、半値幅が１０００分
の１となり、その発光強度は１０００倍となる。そし
て、閾電流も１０分の１に減少した。従来の技術では、
量子箱が形成できるが、その大きさをそろえることがで
きず、３〜１０ｎｍの範囲でばらついてしまう。しか
し、上記実施の形態によれば、例えば、５ｎｍの大きさ
の量子箱を均一に精度良く複数形成することができる。
この結果、これを活性層に用いた量子箱半導体レーザで
は、波長の揃った高い発光強度のレーザ光を低い閾電流
で発振させることができる。

【００３２】また、図５（ｂ）はヘテロ接合バイポーラ
トランジスタを示している。これは、ｎ⁺ 形のＧａＡｓ
基板６１上にｎ形ＧａＡｓからなるコレクター６２と、
ｐ形ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓからなるベース６３と、その
上にｎ形ＡｌＧａＡｓからなるエミッター６５とを形成
してある。なお、ＧａＡｓ基板６１上にはコレクター電
極６１ａも形成されており、また、ベース６３上にはベ
ース電極６３ａが形成されており、エミッター６５上に
はエミッター電極６５ａが形成されている。

【００３３】そして、このヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタは、ベース６３にＧａＡｓからなる量子箱６４が
形成されている。このように均一な大きさの量子箱構造
によるヘテロ接合バイポーラトランジスタでは、ベース
準位が量子化されることによって、カットオフ周波数が
これまで２２０ＧＨｚであったものが、４５０ＧＨｚま
で高くすることが可能となった。

【００３４】また、図５（ｃ）は、図５（ａ）に示した
量子箱半導体レーザの他の例を示す断面図である。図５
（ｃ）に示すように、ＧａＡｓからなる量子箱５３ａ
と、ＩｎＡｓからなる量子箱５ｂとからなる微細構造
が、ＡｌＧａＡｓ層５２に形成されている。このよう
に、異なる材料からなる量子箱を形成した量子箱半導体
レーザでは、低閾電流で、２つの発光波長のレーザー発
振が可能となる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明では、原
子レベルに鋭利にされた先端を有する探針の先端を、選
択膜表面に常に一定の距離だけ接近させ、半導体基板と
探針との間にトンネル電流を流すことで選択膜を選択的
にエッチングするようにした。このため、この発明で
は、パターン形成時にその形成形状の観察が可能なた
め、寸法や位置および組成の制御が可能となり、立体的
に格段に均一な量子箱構造を作製することができる。こ
の結果、閾電流の極めて低い半導体レーザや、動作周波
数のより高いトランジスタを実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態における微細構造の作
製方法を示す断面図である。

【図２】図１に続く、この発明の実施の形態における
微細構造の作製方法を示す断面図である。

【図３】成長温度によるＧａＮの表面の凹凸状態の変
化を示す特性図である。

【図４】この発明の実施の形態における加工方法を示
す説明図である。

【図５】この発明の実施の形態により形成した微細構
造を有する半導体装置の断面図である。

【図６】量子箱半導体レーザの発光特性を示す特性図
である。

【図７】従来の微細構造の作製方法を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１…ＧａＡｓ基板、２…酸化膜、４ａ，４ｂ…ＧａＮ薄
膜、５ａ，５ｂ…微細構造、１１…探針、１２ａ，１２
ｂ…ピエゾ、１３…スイッチ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 29/66 Ｈ０１Ｓ 3/18 21/331 Ｈ０１Ｌ 29/205 29/73 29/72 Ｈ０１Ｓ 3/18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板表面の酸化膜を除去して清浄
化する第１の工程と、前記半導体基板を加熱して、この表面にラジカル化した
窒素を供給し、窒素を含む選択膜を形成する第２の工程
と、原子レベルに鋭利にされた先端を有する探針の先端を、
前記選択膜表面に常に一定の距離だけ接近させ、前記半
導体基板と前記探針との間にトンネル電流を流すこと
で、前記選択膜を選択的にエッチングする第３の工程
と、前記半導体基板を加熱し、この上にＩＩＩ族原子を含む
有機金属ガスとＶ族原子を含む有機金属ガスを供給し、
前記エッチングした領域のみに前記ＩＩＩ族原子とＶ族
原子とからなる微細半導体構造を成長する第４の工程
と、前記選択膜を除去する第５の工程とを含むことを特徴と
する半導体微細構造の作製方法。
【請求項２】請求項１記載の半導体微細構造の作製方
法において、前記第１の工程では、前記半導体基板表面にＶ族原子を
含む有機金属ガスを供給することで清浄化をおこなうこ
とを特徴とする半導体微細構造の作製方法。
【請求項３】請求項１または２記載の半導体微細構造
の作製方法において、前記第２の工程では、窒素ガスを加熱することでラジカ
ル化した窒素を供給することを特徴とする半導体微細構
造の作製方法。
【請求項４】請求項１〜３いずれか１項記載の半導体
微細構造の作製方法において、前記第５の工程では、原子状の水素を前記半導体基板上
に供給することで前記選択膜を除去することを特徴とす
る半導体微細構造の作製方法。