JPH10339954A - リードフレーム露光装置 - Google Patents
リードフレーム露光装置Info
- Publication number
- JPH10339954A JPH10339954A JP9151313A JP15131397A JPH10339954A JP H10339954 A JPH10339954 A JP H10339954A JP 9151313 A JP9151313 A JP 9151313A JP 15131397 A JP15131397 A JP 15131397A JP H10339954 A JPH10339954 A JP H10339954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching material
- exposure
- edge sensors
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 搬送方向とは直角方向に、露光精度を確保し
つつ、エッチング材料と露光マスクの位置決めを行うリ
ードフレーム露光装置。 【解決手段】 エッチング材料１と同一の水平面の搬送
方向片側で、搬送方向に対し露光する位置の後方と前方
の２箇所に固定され、エッチング材料側面までの搬送方
向直角距離を計測するエッジセンサ９ａ、９ｃと、搬送
距離だけ搬送方向に固定されたエッジセンサ９ｂ、９ｄ
とによる計測量Ｌａ、Ｌｃ、Ｌｂ、Ｌｄから、Ｙ方向の
位置ずれ量（蛇行量）Ｙ１と、回転量θ１を、それぞれ
（１）式と（２）式で演算して求め、補償機構１０、１
１で露光マスク３を移動、回転する。 Ｙ１＝（Ｌａ−Ｌｃ）／２＋（Ｌｂ−Ｌｄ）／２
（１） θ１＝ｔａｎ-1｛（Ｌａ−Ｌｂ−Ｌｃ＋Ｌｄ）／Ｐ｝
（２）
つつ、エッチング材料と露光マスクの位置決めを行うリ
ードフレーム露光装置。 【解決手段】 エッチング材料１と同一の水平面の搬送
方向片側で、搬送方向に対し露光する位置の後方と前方
の２箇所に固定され、エッチング材料側面までの搬送方
向直角距離を計測するエッジセンサ９ａ、９ｃと、搬送
距離だけ搬送方向に固定されたエッジセンサ９ｂ、９ｄ
とによる計測量Ｌａ、Ｌｃ、Ｌｂ、Ｌｄから、Ｙ方向の
位置ずれ量（蛇行量）Ｙ１と、回転量θ１を、それぞれ
（１）式と（２）式で演算して求め、補償機構１０、１
１で露光マスク３を移動、回転する。 Ｙ１＝（Ｌａ−Ｌｃ）／２＋（Ｌｂ−Ｌｄ）／２
（１） θ１＝ｔａｎ-1｛（Ｌａ−Ｌｂ−Ｌｃ＋Ｌｄ）／Ｐ｝
（２）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム露
光装置に関し、特に、エッチング材料と露光マスクの位
置決めをするリードフレーム露光装置に関する。
光装置に関し、特に、エッチング材料と露光マスクの位
置決めをするリードフレーム露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体リードフレームの形状の多
ピン化に伴い、リードがより細くかつ狭ピッチになって
きているために、リードフレームの製造方法としては写
真技術を応用したエッチングが用いられることが多い。
ピン化に伴い、リードがより細くかつ狭ピッチになって
きているために、リードフレームの製造方法としては写
真技術を応用したエッチングが用いられることが多い。
【０００３】エッチングパターンをエッチング材料に露
光する工程では、生産性を向上させるために、隣接する
エッチングパターン同士を隙間無く一定の間隔で、エッ
チング材料にフープ状に連ねて露光することが必要であ
る。また、エッチング後のメッキ工程やリード加工工程
などで要求される精度のために、隣接するエッチングパ
ターン同士の、Ｙ方向（エッチング材料搬送方向と水平
面で直交する方向）の位置ずれ量の許容差が±１２μｍ
以内と、極めて高い精度が必要である。
光する工程では、生産性を向上させるために、隣接する
エッチングパターン同士を隙間無く一定の間隔で、エッ
チング材料にフープ状に連ねて露光することが必要であ
る。また、エッチング後のメッキ工程やリード加工工程
などで要求される精度のために、隣接するエッチングパ
ターン同士の、Ｙ方向（エッチング材料搬送方向と水平
面で直交する方向）の位置ずれ量の許容差が±１２μｍ
以内と、極めて高い精度が必要である。
【０００４】図４は、従来のリードフレーム露光装置の
一実施例を示す構成断面図である。
一実施例を示す構成断面図である。
【０００５】コイル状に巻き付けられたエッチング材料
１を供給するアンコイラー２と、露光マスク３と露光光
源４からなる露光機構と、エッチング材料１を位置決め
するため、高精度に加工され、エアシリンダで動作する
パイロットピン５ａ、５ｂと、エッチング材料１を搬送
する材料搬送機構６と、露光したエッチング材料１を巻
き取るコイラー７とは一体に構成される。それぞれの部
分は相互に関連づけられ、一定の動作タイミングで制御
され、露光と搬送を交互に繰り返し行う。
１を供給するアンコイラー２と、露光マスク３と露光光
源４からなる露光機構と、エッチング材料１を位置決め
するため、高精度に加工され、エアシリンダで動作する
パイロットピン５ａ、５ｂと、エッチング材料１を搬送
する材料搬送機構６と、露光したエッチング材料１を巻
き取るコイラー７とは一体に構成される。それぞれの部
分は相互に関連づけられ、一定の動作タイミングで制御
され、露光と搬送を交互に繰り返し行う。
【０００６】すなわち、アンコイラー２に巻き付けられ
たエッチング材料１は、材料搬送機構６により、所定の
搬送距離だけ搬送され、あらかじめエッチング材料１に
設けられ、高精度に加工され、搬送距離の間隔をおいて
開けられたガイド孔に、パイロットピン５ａ、５ｂを同
時に挿入することにより、エッチング材料１と露光機構
とが位置決めされる。次に、露光マスク３のリードフレ
ームに合った形状で、紫外線が透過し、エッチング材料
１にリードフレームのエッチングパターンが露光され、
焼き付けられる。さらに、前記パイロットピン５ａ、５
ｂをガイド孔から引き抜き、エッチング材料１の露光の
済んだ部分を材料搬送機構６により搬送し、ついにはコ
イラー７で巻き取る。
たエッチング材料１は、材料搬送機構６により、所定の
搬送距離だけ搬送され、あらかじめエッチング材料１に
設けられ、高精度に加工され、搬送距離の間隔をおいて
開けられたガイド孔に、パイロットピン５ａ、５ｂを同
時に挿入することにより、エッチング材料１と露光機構
とが位置決めされる。次に、露光マスク３のリードフレ
ームに合った形状で、紫外線が透過し、エッチング材料
１にリードフレームのエッチングパターンが露光され、
焼き付けられる。さらに、前記パイロットピン５ａ、５
ｂをガイド孔から引き抜き、エッチング材料１の露光の
済んだ部分を材料搬送機構６により搬送し、ついにはコ
イラー７で巻き取る。
【０００７】上記の工程を繰り返すことにより、エッチ
ング材料１には一定の間隔でフープ状に連なるエッチン
グパターンが露光される。
ング材料１には一定の間隔でフープ状に連なるエッチン
グパターンが露光される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リードフレーム露光装置においては、エッチング材料１
に設けられたガイド孔にパイロットピン５ａ、５ｂを同
時に挿入して位置決めを行うことから、エッチング材料
１のガイド孔とパイロットピン５ａ、５ｂが擦れ合い、
両者の間で摩耗粉が発生する。その摩耗粉がエッチング
材料１の表面に付着したまま露光し、その後にエッチン
グを行うと、摩耗粉が付着した箇所もエッチングされ、
ピンホールの発生という不良が生じる問題があった。
リードフレーム露光装置においては、エッチング材料１
に設けられたガイド孔にパイロットピン５ａ、５ｂを同
時に挿入して位置決めを行うことから、エッチング材料
１のガイド孔とパイロットピン５ａ、５ｂが擦れ合い、
両者の間で摩耗粉が発生する。その摩耗粉がエッチング
材料１の表面に付着したまま露光し、その後にエッチン
グを行うと、摩耗粉が付着した箇所もエッチングされ、
ピンホールの発生という不良が生じる問題があった。
【０００９】また、搬送方向に対し直角方向にリードが
伸びるように、露光マスクをレイアウトするのが通常で
あるため、エッチング後のメッキ工程やリード加工工程
などで要求される精度に対して、隣接するエッチングパ
ターン同士の、エッチング材料搬送方向に対し直角方向
であるＹ方向の位置ずれ量が過分となる問題もあった。
伸びるように、露光マスクをレイアウトするのが通常で
あるため、エッチング後のメッキ工程やリード加工工程
などで要求される精度に対して、隣接するエッチングパ
ターン同士の、エッチング材料搬送方向に対し直角方向
であるＹ方向の位置ずれ量が過分となる問題もあった。
【００１０】したがって、本発明の目的は、リードフレ
ーム露光装置において、パイロットピンによる位置決め
を行わず、搬送方向とは直角方向に、極めて高い露光精
度を確保しつつ、かつ発塵がなく、さらに、あらかじめ
高精度に加工したガイド孔を設ける手数の必要がなく、
エッチング材料と露光マスクの位置決めを行うリードフ
レーム露光装置を提供することである。
ーム露光装置において、パイロットピンによる位置決め
を行わず、搬送方向とは直角方向に、極めて高い露光精
度を確保しつつ、かつ発塵がなく、さらに、あらかじめ
高精度に加工したガイド孔を設ける手数の必要がなく、
エッチング材料と露光マスクの位置決めを行うリードフ
レーム露光装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】リードフレーム露光装置
において、エッチング材料に、リードフレームのエッチ
ングパターンを露光する露光機構と、エッチング材料を
一時的に固定、解放するクランプ機構と、エッチング材
料を一定長の搬送距離づつ間欠搬送する材料搬送機構
と、前記エッチングパターンの搬送前後の移動量から、
前記搬送距離を補償して得る搬送方向に対する直角方向
の位置ずれ量、および搬送後の回転量だけ、前記クラン
プ機構に固定されたエッチング材料に対し、前記露光機
構によるエッチングパターンを移動、回転させる補償機
構とを有する。
において、エッチング材料に、リードフレームのエッチ
ングパターンを露光する露光機構と、エッチング材料を
一時的に固定、解放するクランプ機構と、エッチング材
料を一定長の搬送距離づつ間欠搬送する材料搬送機構
と、前記エッチングパターンの搬送前後の移動量から、
前記搬送距離を補償して得る搬送方向に対する直角方向
の位置ずれ量、および搬送後の回転量だけ、前記クラン
プ機構に固定されたエッチング材料に対し、前記露光機
構によるエッチングパターンを移動、回転させる補償機
構とを有する。
【００１２】また、前記補償機構が、前記露光機構のう
ち露光マスクを移動、回転させる。
ち露光マスクを移動、回転させる。
【００１３】さらに、前記補償機構において、エッチン
グ材料と同一の水平面の搬送方向片側で、搬送方向に対
し露光する位置の後方と前方の２箇所に固定され、エッ
チング材料側面までの搬送方向直角距離を計測する第
１、第２のエッジセンサと、該第１、第２のエッジセン
サからそれぞれ搬送距離だけ搬送方向後方に固定され、
エッチング材料側面までの搬送方向直角距離を計測する
第３、第４のエッジセンサと、該第１から第４のエッジ
センサの計測量を入力し、演算して、前記補償機構によ
る移動、回転の制御を行う回路手段とを有し、該回路手
段が、第１、第３のエッジセンサの計測量の差分と、第
２、第４のエッジセンサの計測量の差分との平均値であ
るエッチングパターンの搬送前後の位置ずれ量、および
第１、第３のエッジセンサの計測量の差分と、第２、第
４のエッジセンサの計測量の差分との差の値を搬送距離
で除した値の逆正接値である回転量を演算し、該位置ず
れ量と該回転量だけ前記補償機構の移動、回転の制御を
行う。
グ材料と同一の水平面の搬送方向片側で、搬送方向に対
し露光する位置の後方と前方の２箇所に固定され、エッ
チング材料側面までの搬送方向直角距離を計測する第
１、第２のエッジセンサと、該第１、第２のエッジセン
サからそれぞれ搬送距離だけ搬送方向後方に固定され、
エッチング材料側面までの搬送方向直角距離を計測する
第３、第４のエッジセンサと、該第１から第４のエッジ
センサの計測量を入力し、演算して、前記補償機構によ
る移動、回転の制御を行う回路手段とを有し、該回路手
段が、第１、第３のエッジセンサの計測量の差分と、第
２、第４のエッジセンサの計測量の差分との平均値であ
るエッチングパターンの搬送前後の位置ずれ量、および
第１、第３のエッジセンサの計測量の差分と、第２、第
４のエッジセンサの計測量の差分との差の値を搬送距離
で除した値の逆正接値である回転量を演算し、該位置ず
れ量と該回転量だけ前記補償機構の移動、回転の制御を
行う。
【００１４】すなわち、エッチングパターンをエッチン
グ材料に露光し、該エッチング材料を前記搬送距離だけ
搬送し、前記位置ずれ量と前記回転量とを補償する位置
に、前記補償機構が前記露光機構によるエッチングパタ
ーンを移動、回転させて、次のエッチングパターンの露
光を行う。
グ材料に露光し、該エッチング材料を前記搬送距離だけ
搬送し、前記位置ずれ量と前記回転量とを補償する位置
に、前記補償機構が前記露光機構によるエッチングパタ
ーンを移動、回転させて、次のエッチングパターンの露
光を行う。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を、図を用いて説
明すると以下の通りである。
明すると以下の通りである。
【００１６】図１は、本発明の一実施例を示す構成断面
図である。図２は、搬送されたエッチング材料とエッチ
ングパターンの関係の一実施例を示す平面図である。図
３は、図２で露光した後にエッチング材料を所定距離搬
送した状態を示す平面図である。搬送に伴う位置ずれ量
や回転量は分かり易く、誇張して表現している。
図である。図２は、搬送されたエッチング材料とエッチ
ングパターンの関係の一実施例を示す平面図である。図
３は、図２で露光した後にエッチング材料を所定距離搬
送した状態を示す平面図である。搬送に伴う位置ずれ量
や回転量は分かり易く、誇張して表現している。
【００１７】図１に示すリードフレーム露光装置におい
て、アンコイラー２に巻かれたエッチング材料１の先端
をコイラー７に固定する。次に、クランプ機構８ａ、８
ｂでエッチング材料１を挟んで固定し、露光光源４によ
り紫外線を露光マスク３を通して、エッチングパターン
を露光する。露光終了後、クランプ機構８ａ、８ｂを解
放し、材料搬送機構６で所定搬送距離だけ搬送し、次の
エッチングパターンの露光をする。
て、アンコイラー２に巻かれたエッチング材料１の先端
をコイラー７に固定する。次に、クランプ機構８ａ、８
ｂでエッチング材料１を挟んで固定し、露光光源４によ
り紫外線を露光マスク３を通して、エッチングパターン
を露光する。露光終了後、クランプ機構８ａ、８ｂを解
放し、材料搬送機構６で所定搬送距離だけ搬送し、次の
エッチングパターンの露光をする。
【００１８】図２のようにエッチングパターン１４ａに
続いて、エッチングパターン１４ｂを露光した後、エッ
チング材料１を搬送した状態を図３に示す。
続いて、エッチングパターン１４ｂを露光した後、エッ
チング材料１を搬送した状態を図３に示す。
【００１９】上記の間欠搬送に伴い、エッチング材料１
の端面１３は通常、振幅が１００μｍ〜１０００μｍ程
度のうねりを持ち、隣接するエッチングパターン１４
ｂ、１４ｃ同士に段差や重なりが生じ、必要なＹ方向の
露光精度が達成できない。このうねりにより、エッチン
グパターン１４ｂは搬送方向と直角方向に位置ずれ量Ｙ
１だけ蛇行し、回転量θ１だけ回転する。
の端面１３は通常、振幅が１００μｍ〜１０００μｍ程
度のうねりを持ち、隣接するエッチングパターン１４
ｂ、１４ｃ同士に段差や重なりが生じ、必要なＹ方向の
露光精度が達成できない。このうねりにより、エッチン
グパターン１４ｂは搬送方向と直角方向に位置ずれ量Ｙ
１だけ蛇行し、回転量θ１だけ回転する。
【００２０】端面１３の搬送方向に対し直角方向の位置
を計測する４つのエッジセンサ９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ
を、エッジセンサ９ａとエッジセンサ９ｂの間隔と、エ
ッジセンサ９ｃとエッジセンサ９ｄの間隔をエッチング
材料１の間欠搬送距離Ｐと等しくなるように設置する。
を計測する４つのエッジセンサ９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ
を、エッジセンサ９ａとエッジセンサ９ｂの間隔と、エ
ッジセンサ９ｃとエッジセンサ９ｄの間隔をエッチング
材料１の間欠搬送距離Ｐと等しくなるように設置する。
【００２１】エッチング材料１をクランプ機構８ａ、８
ｂで一時的に固定している間に、端面１３の２つの点１
５ａ、１５ｂをエッジセンサ９ａ、９ｃで計測し、露光
し、一定の搬送距離Ｐだけ搬送し、再びクランプ機構８
ａ、８ｂで一時的に固定した時に、該点１５ａ、１５ｂ
をエッジセンサ９ｂ、９ｄで計測し、エッチング材料１
の搬送方向側面の位置の計測量Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ
を得る。
ｂで一時的に固定している間に、端面１３の２つの点１
５ａ、１５ｂをエッジセンサ９ａ、９ｃで計測し、露光
し、一定の搬送距離Ｐだけ搬送し、再びクランプ機構８
ａ、８ｂで一時的に固定した時に、該点１５ａ、１５ｂ
をエッジセンサ９ｂ、９ｄで計測し、エッチング材料１
の搬送方向側面の位置の計測量Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ
を得る。
【００２２】Ｙ方向の位置ずれ量（蛇行量）Ｙ１と、回
転量θ１は、それぞれ（１）式（数１）と（２）式（数
２）で演算して求める。
転量θ１は、それぞれ（１）式（数１）と（２）式（数
２）で演算して求める。
【００２３】
【数１】 Ｙ１＝（Ｌａ−Ｌｃ）／２＋（Ｌｂ−Ｌｄ）／２ （１）
【００２４】
【数２】 θ１＝ｔａｎ-1｛（Ｌａ−Ｌｂ−Ｌｃ＋Ｌｄ）／Ｐ｝ （２）
【００２５】搬送前後で、エッチング材料１の同じ部分
を計測するので、該位置ずれ量Ｙ１は端面形状の影響を
含まず蛇行距離になる。露光位置を制御する移動機構１
０を制御し、位置ずれ量Ｙ１を補償する位置で、回転機
構１１を制御し、回転量θ１を補償する向きに、露光機
構によるエッチングパターンを移動、回転する。
を計測するので、該位置ずれ量Ｙ１は端面形状の影響を
含まず蛇行距離になる。露光位置を制御する移動機構１
０を制御し、位置ずれ量Ｙ１を補償する位置で、回転機
構１１を制御し、回転量θ１を補償する向きに、露光機
構によるエッチングパターンを移動、回転する。
【００２６】移動、回転した後に、露光光源４より露光
マスク３を通して、エッチング材料１に紫外線を照射
し、エッチングパターン１４ｃ’を焼き付ける。新しく
露光するエッチングパターン１４ｃ’は、エッチングパ
ターン１４ｂと搬送方向に直角方向の段差をなくすこと
ができる。
マスク３を通して、エッチング材料１に紫外線を照射
し、エッチングパターン１４ｃ’を焼き付ける。新しく
露光するエッチングパターン１４ｃ’は、エッチングパ
ターン１４ｂと搬送方向に直角方向の段差をなくすこと
ができる。
【００２７】エッチング材料の端面の位置を計測するエ
ッジセンサは、接触型や非接触型のいずれでもよく、必
要とする露光精度により選定する。
ッジセンサは、接触型や非接触型のいずれでもよく、必
要とする露光精度により選定する。
【００２８】Ｙ方向移動機構には、たとえば電動機の回
転を直線方向の動きに変える機構など、既知のいずれの
方法でもよい。
転を直線方向の動きに変える機構など、既知のいずれの
方法でもよい。
【００２９】回転機構には、たとえば露光マスクの固定
枠を円形形状とし、該固定枠を滑動可能に保持し、歯車
により電動機の回転を伝達して回転させる構造など、既
知のいずれの方法でもよい。
枠を円形形状とし、該固定枠を滑動可能に保持し、歯車
により電動機の回転を伝達して回転させる構造など、既
知のいずれの方法でもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば極めて高精度なＹ方向の露光精度を確保しつつ、
かつ発塵がなく、エッチング材料と露光マスクとを位置
決めすることが可能となる。
よれば極めて高精度なＹ方向の露光精度を確保しつつ、
かつ発塵がなく、エッチング材料と露光マスクとを位置
決めすることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す構成断面図である。
【図２】搬送されたエッチング材料とエッチングパター
ンの関係の一実施例を示す平面図である。
ンの関係の一実施例を示す平面図である。
【図３】図２で露光した後にエッチング材料を所定量搬
送した状態を示す平面図である。
送した状態を示す平面図である。
【図４】従来の露光装置の一実施例を示す構成断面図で
ある。
ある。
１ エッチング材料 ２ アンコイラー ３ 露光マスク ４ 露光光源 ５ パイロットピン ６ 材料搬送機構 ７ コイラー ８ 材料クランプ ９ エッジセンサー １０ 移動機構 １１ 回転機構 １３ エッチング材料端面 １４ エッチングパターン １５ エッジセンサの計測点
Claims (4)
- 【請求項１】 エッチング材料に、リードフレームのエ
ッチングパターンを露光する露光機構と、エッチング材
料を一時的に固定、解放するクランプ機構と、エッチン
グ材料を一定長の搬送距離づつ間欠搬送する材料搬送機
構と、前記エッチングパターンの搬送前後の移動量か
ら、前記搬送距離を補償して得る搬送方向に対する直角
方向の位置ずれ量、および搬送後の回転量だけ、前記ク
ランプ機構に固定されたエッチング材料に対し、前記露
光機構によるエッチングパターンを移動、回転させる補
償機構とを有するリードフレーム露光装置。 - 【請求項２】 前記補償機構が、前記露光機構のうち露
光マスクを移動、回転させる請求項１に記載のリードフ
レーム露光装置。 - 【請求項３】 前記補償機構において、エッチング材料
と同一の水平面の搬送方向片側で、搬送方向に対し露光
する位置の後方と前方の２箇所に固定され、エッチング
材料側面までの搬送方向直角距離を計測する第１、第２
のエッジセンサと、該第１、第２のエッジセンサからそ
れぞれ搬送距離だけ搬送方向後方に固定され、エッチン
グ材料側面までの搬送方向直角距離を計測する第３、第
４のエッジセンサと、該第１から第４のエッジセンサの
計測量を入力し、演算して、前記補償機構による移動、
回転の制御を行う回路手段とをさらに有し、該回路手段
が、第１、第３のエッジセンサの計測量の差分と、第
２、第４のエッジセンサの計測量の差分との平均値であ
るエッチングパターンの搬送前後の位置ずれ量、および
第１、第３のエッジセンサの計測量の差分と、第２、第
４のエッジセンサの計測量の差分との差の値を搬送距離
で除した値の逆正接値である回転量を演算し、該位置ず
れ量と該回転量だけ前記補償機構の移動、回転の制御を
行うことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記
載のリードフレーム露光装置。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載のリー
ドフレーム露光装置を用いて、エッチングパターンをエ
ッチング材料に露光し、該エッチング材料を前記搬送距
離だけ搬送し、前記位置ずれ量と前記回転量とを補償す
る位置に、前記補償機構が前記露光機構によるエッチン
グパターンを移動、回転させて、次のエッチングパター
ンの露光を行うことを特徴とするリードフレーム露光装
置の運転方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151313A JPH10339954A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | リードフレーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151313A JPH10339954A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | リードフレーム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339954A true JPH10339954A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15515924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9151313A Pending JPH10339954A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | リードフレーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10339954A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216861A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Toray Eng Co Ltd | 帯状ワークの露光方法および露光装置 |
| JP2010118438A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 帯状基板材料の加工方法 |
| JP2012103500A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | V Technology Co Ltd | フィルム露光方法 |
| KR101510156B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2015-04-08 | (주)프리테크 | 리드프레임 제조용 노광장치 |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP9151313A patent/JPH10339954A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216861A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Toray Eng Co Ltd | 帯状ワークの露光方法および露光装置 |
| KR101539987B1 (ko) * | 2008-03-10 | 2015-07-28 | 도레 엔지니아린구 가부시키가이샤 | 띠 모양 워크의 노광방법 및 노광장치 |
| JP2010118438A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 帯状基板材料の加工方法 |
| JP2012103500A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | V Technology Co Ltd | フィルム露光方法 |
| KR101510156B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2015-04-08 | (주)프리테크 | 리드프레임 제조용 노광장치 |
| WO2016076610A1 (ko) * | 2014-11-10 | 2016-05-19 | (주)프리테크 | 리드프레임 제조용 노광장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5117672B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPS62145730A (ja) | 投影型露光装置 | |
| JP2870461B2 (ja) | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 | |
| JPH11340120A (ja) | 裏面アライメント機能を備えた露光装置 | |
| JP4289961B2 (ja) | 位置決め装置 | |
| JP2799575B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH10339954A (ja) | リードフレーム露光装置 | |
| JPH10321515A (ja) | 半導体露光装置 | |
| EP0419240B1 (en) | Exposure apparatus | |
| JP2005148531A (ja) | 基板伸縮に対応したプリント配線基板用露光装置 | |
| JP2001060008A (ja) | 露光方法およびこれを用いた電子部品の製造方法 | |
| KR101387312B1 (ko) | 프록시미티 노광장치, 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법, 및 표시용 패널기판의 제조방법 | |
| JP2000250232A (ja) | パターン形成装置 | |
| JP2005017204A (ja) | 位置決め装置 | |
| JP2001281887A (ja) | 長尺素材上へのフォトマスクパターンの連続転写方法及び装置 | |
| KR100298193B1 (ko) | 웨이퍼의수평정렬을위한레티클 | |
| JP4686847B2 (ja) | 長尺薄板材料の連続開孔方法 | |
| JPS60192945A (ja) | マスク・プリント方法 | |
| JP4487700B2 (ja) | 近接露光装置 | |
| JPH10308434A (ja) | 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 | |
| JPH0837148A (ja) | 逐次移動式投影型露光装置によるパターニング方法 | |
| JPS63311798A (ja) | 位置合せマ−ク | |
| JP3441966B2 (ja) | 走査型露光装置および方法、デバイス製造方法 | |
| JP2008089993A (ja) | 露光装置のギャップ量測定方法 | |
| JPH03218091A (ja) | マスクの自動位置決め方法及び装置 |