JPH10336874A - 半導体遮断器の過電流保護装置 - Google Patents

半導体遮断器の過電流保護装置

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JPH10336874A
JPH10336874A JP14696497A JP14696497A JPH10336874A JP H10336874 A JPH10336874 A JP H10336874A JP 14696497 A JP14696497 A JP 14696497A JP 14696497 A JP14696497 A JP 14696497A JP H10336874 A JPH10336874 A JP H10336874A
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JP
Japan
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overcurrent
circuit
level
detection
circuit breaker
Prior art date
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Pending
Application number
JP14696497A
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English (en)
Inventor
Kunio Matsushita
邦雄 松下
Masaaki Ono
正明 小野
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Meidensha Corp
Shikoku Research Institute Inc
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Shikoku Research Institute Inc
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 di/dt検出による過電流保護の不要動作
をなくす。 【解決手段】 過電流を半導体遮断器の耐量で決まる第
1の過電流レベル検出する第1の過電流検出回路1と、
過電流を第1の過電流レベルから予想される最大di/
dt時の装置遅れにより発生する遮断電流の増加分を差
し引いた第2の過電流レベルで検出する第2の過電流検
出回路2と、電流のdi/dtを検出し、そのdi/d
tレベルを所定の設定値と比較するdi/dt検出・レ
ベル判定回路3とを有し、第2の過電流検出回路2が過
電流を検出した場合、di/dt検出・レベル判定回路
3がdi/dtレベルが設定値以上と判定した時点で半
導体遮断器を遮断し、di/dtレベルが設定値以上の
判定のみで遮断した場合の不要動作をなくする。第1の
過電流検出回路1が過電流を検出した場合は無条件で遮
断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源系統に使用さ
れる半導体遮断器、特に電源系統と自家発電機を連系す
る半導体遮断器の過電流保護装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電力系統と連系運転する自家発電システ
ムは、図2に示すように、電力系統側の瞬時電圧低下に
よる発電機あるいは負荷機器のダウンを防止するため、
連系遮断器52Bと直列に半導体遮断器SSを接続し、
瞬時電圧低下検出回路11により系統の瞬時電圧低下を
検出し遮断回路13を介して半導体遮断器SSをオフ制
御し、連系を瞬時に遮断するように構成されている。
【0003】このように電力系統に使用される半導体遮
断器SSは過電流耐量が小さいため、過電流を検出して
半導体遮断器SSをオフ制御する過電流保護回路12を
備えている。この過電流保護回路としては次のような装
置がある。
【0004】(1)一般の過電流保護と同様に検出電流
がある設定値に達した時点で半導体遮断器をオフする過
電流検出方式。設定値は半導体遮断器の耐量により決め
る。 (2)電流の変化(di/dt)を検出し、di/dt
値が設定値より大きい時半導体遮断器をオフするdi/
dt検出方式。
【0005】上記(1)の過電流検出方式では、検出電
流が設定値に達してから半導体遮断器をオフするため、
短絡時のようにdi/dt値が大きい場合は、その動作
遅れにより設定値よりも大きな電流を遮断することにな
る。di/dtを△I,動作遅れをtdとすると、図3
に示すように△I×tdだけ設定値ISよりも大きな電
流を切ることになり不都合がある。そのため、現在は上
記(2)のdi/dt検出方式が用いられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来(2)のdi
/dt検出方式では、保護しなければならない短絡事故
時だけでなく、力率補償用のコンデンサの投入時のよう
に、電流値が半導体遮断器の耐量以内であってもdi/
dt値が大きい場合には半導体遮断器がオフされてしま
う。
【0007】本発明は、従来のこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、その目的とするところは、di
/dt検出方式の過電流保護で生ずる不要動作を防止で
きる半導体遮断器の過電流保護装置を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体遮断器の
過電流保護装置は、装置通過電流の過電流を半導体遮断
器の耐量で決まる第1の過電流レベルで検出する第1の
過電流検出回路と、装置通過電流の過電流を前記第1の
過電流レベルから予想される最大di/dt時に装置の
動作遅れにより発生する遮断電流の増加分を差し引いた
第2の過電流レベルで検出する第2の過電流検出回路
と、装置通過電流のdi/dtを検出しそのdi/dt
レベルが所定の設定値以上かどうかを判定するdi/d
t検出・レベル判定回路とを有し、第2の過電流検出回
路が過電流を検出した場合、di/dt検出・判定回路
がdi/dtレベルが設定値以上と判定した時点で遮断
し、第1の過電流検出回路が過電流を検出した場合、無
条件に即時に遮断することを特徴とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】図1に実施の形態にかかる半導体
遮断器の過電流保護回路を示す。図1において、1及び
2はそれぞれ電流を設定値IS1及びIS2と比較し、電流
が大きくなったとき出力する第1及び第2の過電流検出
回路で、設定値IS1は従来過電流検出方式と同様に半導
体遮断器SSの耐量により決定され、設定値IS2はIS1
よりやや低く設定される。その設定値IS2は、予想され
る事故時の最大di/dtの場合に半導体遮断器SSの
動作遅れにより発生する遮断電流の増加分を半導体遮断
器SSの耐量から決められる設定値IS1から差し引いた
ものとする。
【0010】3はdi/dt検出・レベル判定回路で、
di/dt検出回路31とその検出したdi/dt値を
設定値IS3と比較し、di/dt値が大きくなったとき
出力するレベル判定回路32からなり、その設定値IS3
は従来のdi/dt検出方式の設定値と同じくしてあ
る。
【0011】5は第2の過電流検出回路2が過電流検出
出力していることを条件にdi/dt検出・レベル判定
回路3の出力を通す論理積回路、6は第1の過電流検出
回路1の出力又は論理積回路5の信号を半導体遮断器S
Sの遮断回路13に出力させる論理和回路である。
【0012】上記過電流保護回路の動作について説明す
る。常時、過電流検出回路1,2及びdi/dt検出・
レベル判定回路3で半導体遮断器SSの過電流及びdi
/dtを監視する。
【0013】半導体遮断器SSに事故電流が流れると、
まず低い方の過電流検出レベル(IS2)に達する。この
ときdi/dt検出回路31で検出されるdi/dtの
レベルをレベル判定回路32で判定し、そのレベルが設
定値IS3以上の場合は、この時点で保護が必要と判定し
論理積回路5,6を介して遮断回路13へ出力して半導
体遮断器SSを遮断し保護する。
【0014】事故電流が低い方の過電流検出レベル(I
S2)に達して過電流検出回路2が出力してもdi/dt
が小さい場合、di/dt検出・レベル判定回路3は出
力しないので、論理積回路5から出力されない。また、
この場合、動作遅れによる遮断電流(図3)の増加が少
なく、遮断電流が高い方の過電流検出レベル(IS1)に
達しないため、過電流検出回路1が出力することもない
ので、半導体遮断器SSが不要遮断されない。
【0015】また、力率補償用のコンデンサが投入され
た場合、di/dt検出・レベル判定回路3が出力して
も、その場合の電流は低い方の過電流レベル(IS2)に
達しないため、論理積回路5から出力されず、半導体遮
断器SSが不要遮断されることはない。
【0016】事故電流が高い方の過電流検出レベル(I
S1)に達すると、過電流検出回路1が短絡事故と判断し
て動作し、論理和回路6を介して無条件で遮断回路13
に出力し、半導体遮断器SSを遮断し、保護する。
【0017】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。
【0018】(1)短絡事故のようにdi/dtが高い
場合でも装置の動作遅れによる遮断電流の増加を防ぐこ
とができる。
【0019】(2)コンデンサ投入時のようにdi/d
tが高いが電流値が低い場合の不要動作を防ぐことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態にかかる半導体遮断器の保護回路構
成を示すブロック図。
【図2】半導体遮断器の接続例を示すブロック図。
【図3】装置動作遅れによる電流増加を説明する線図。
【符号の説明】
1,2…過電流検出回路 3…di/dt検出・レベル判定回路 11…瞬時電圧低下検出回路 12…過電流保護回路 13…遮断回路 SS…半導体遮断器 52B…連系遮断器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 装置通過電流の過電流を半導体遮断器の
    耐量で決まる第1の過電流レベルで検出する第1の過電
    流検出回路と、 装置通過電流の過電流を前記第1の過電流レベルから予
    想される最大di/dt時に装置の動作遅れにより発生
    する遮断電流の増加分を差し引いた第2の過電流レベル
    で検出する第2の過電流検出回路と、 装置通過電流のdi/dtを検出しそのdi/dtレベ
    ルが所定の設定値以上かどうかを判定するdi/dt検
    出・レベル判定回路とを有し、 第2の過電流検出回路が過電流を検出した場合、di/
    dt検出・判定回路がdi/dtレベルが設定値以上と
    判定した時点で遮断し、第1の過電流検出回路が過電流
    を検出した場合、無条件に即時に遮断することを特徴と
    する半導体遮断器の過電流保護装置。
JP14696497A 1997-06-05 1997-06-05 半導体遮断器の過電流保護装置 Pending JPH10336874A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010063231A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 이형도 과전압 보호 회로
CN103078520A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 乐星产电(无锡)有限公司 变频器装置以及该变频器装置的过电流保护方法
JP2016021859A (ja) * 2014-07-15 2016-02-04 エルエス産電株式会社Lsis Co., Ltd. 高速事故電流検出回路
FR3089707A1 (fr) * 2018-12-11 2020-06-12 Safran Electrical & Power Système électronique de coupure de courant doté d’une solution de coupure rapide.

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