JPH10335705A - Nitride gallium based compound semiconductor element and its manufacturing method - Google Patents
Nitride gallium based compound semiconductor element and its manufacturing methodInfo
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- JPH10335705A JPH10335705A JP13822897A JP13822897A JPH10335705A JP H10335705 A JPH10335705 A JP H10335705A JP 13822897 A JP13822897 A JP 13822897A JP 13822897 A JP13822897 A JP 13822897A JP H10335705 A JPH10335705 A JP H10335705A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レー
ザーダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半
導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦
１、Ｘ＋Ｙ≦１）が積層されてなる窒化ガリウム系化合
物半導体素子及びその製造方法に係り、特に、ｐ−ｎ接
合を有するｐ型不純物を含有する窒化ガリウム系化合物
半導体層に形成された特定の構造の電極を有する窒化ガ
リウム系化合物半導体素子及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gallium nitride compound semiconductor (In X Al Y Ga 1 -XYN , 0 ≦ X ≦ 1, 0 ≦ Y ≦
1, X + Y ≦ 1) and a method of manufacturing the same, particularly a specific gallium nitride-based compound semiconductor layer having a p-n junction and containing a p-type impurity. The present invention relates to a gallium nitride-based compound semiconductor device having an electrode having a structure and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体素子に形成
される電極は、１種又は複数種類の金属を積層あるいは
それら数種の金属の合金等から構成されている。例え
ば、ｐ型不純物を含有する窒化ガリウム系化合物半導体
層（以下ｐ型層という場合がある）と良好なオーミック
接触が得られる電極材料として、例えばニッケル（Ｎ
ｉ）と金（Ａｕ）とからなる電極が知られている。これ
らの材料からなる電極は、金属を薄膜でｐ型層に蒸着
し、アニーリング処理して電極材料と窒化ガリウム系化
合物半導体とをなじませ、オーミック接触の良好な電極
として形成されている。また、電極の耐久性を高める、
あるいは実質的な電極の表面積を広げて電極側をワイヤ
ーボンディングできるようにする等の目的のために、薄
膜の電極上にボンディング用の電極（パッド電極）が設
けられる。2. Description of the Related Art An electrode formed on a gallium nitride-based compound semiconductor device is formed by laminating one or more kinds of metals or an alloy of several kinds of metals. For example, as an electrode material capable of obtaining a good ohmic contact with a gallium nitride-based compound semiconductor layer containing a p-type impurity (hereinafter sometimes referred to as a p-type layer), for example, nickel (N
An electrode made of i) and gold (Au) is known. Electrodes made of these materials are formed as thin electrodes having good ohmic contact by depositing a metal on a p-type layer in a thin film and annealing the electrode material and the gallium nitride-based compound semiconductor. Also, increase the durability of the electrode,
Alternatively, a bonding electrode (pad electrode) is provided on the thin-film electrode for the purpose of, for example, enlarging the substantial surface area of the electrode so that the electrode side can be wire-bonded.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極の
膜厚が薄いと電気抵抗が大きくなり電極部に熱が発生し
電極が剥がれやすくなる傾向や、また電極が薄膜である
とワイヤーボンディング時に用いられる金線よりできる
ボールとの接着性が不十分で電極が剥がれやすくなる傾
向が見られる。更に電極が薄膜であると、レーザの場合
フェイスダウンしたときの接触が十分満足いくものでは
ない。電極が薄膜であるが故に問題が生じるからといっ
て単に電極を厚くしたのではオーミック接触が得られ難
くくなる。一方、薄膜の電極の耐久性を向上させるため
及びボンディング時に良好な接触を得るために、パッド
電極を電極上に形成した場合、パッド電極の形成後アニ
ーリング処理するとパッド電極下部が発光または受光し
ないといった問題が生じる。逆にパッド電極の形成前に
アニーリング処理すると電極表面が荒れ、電極が薄膜で
あるので剥がれ易さが増加する傾向がある。また、レー
ザはＬＥＤに比べ高電力が負荷されるため発熱量が桁違
いに大きく劣化し易いので、電極の剥がれを防止するな
どの点から、レーザにおいてはパッド電極を厚く設ける
ことが望まれる。However, if the thickness of the electrode is small, the electrical resistance increases and heat is generated in the electrode portion, so that the electrode tends to peel off, and if the electrode is thin, it is used in wire bonding. There is a tendency that the adhesion to a ball made of a gold wire is insufficient and the electrode is easily peeled off. Furthermore, if the electrode is a thin film, the contact when face down is not sufficiently satisfactory in the case of laser. Just because the electrode is a thin film causes a problem, but merely increasing the thickness of the electrode makes it difficult to obtain ohmic contact. On the other hand, in order to improve the durability of the thin-film electrode and obtain good contact at the time of bonding, when the pad electrode is formed on the electrode, if the annealing process is performed after the formation of the pad electrode, the lower portion of the pad electrode does not emit or receive light. Problems arise. Conversely, if the annealing treatment is performed before the formation of the pad electrode, the surface of the electrode is roughened, and the electrode tends to be more easily peeled because the electrode is thin. Further, since the laser is loaded with higher power than the LED, the calorific value easily deteriorates by orders of magnitude. Therefore, it is desired to provide the laser with a thick pad electrode from the viewpoint of preventing peeling of the electrode.
【０００４】そこで、本発明の目的は、電極を厚く形成
してもオーミック接触が良好で、更に、パッド電極形成
後あるいは膜厚の厚いパッド電極を形成後、アニーリン
グ処理してもオーミック接触が良く且つ均一に発光及び
受光できる窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製
造方法を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide good ohmic contact even when the electrode is formed thick, and to provide good ohmic contact even after annealing after forming a pad electrode or after forming a thick pad electrode. Another object of the present invention is to provide a gallium nitride-based compound semiconductor device capable of emitting and receiving light uniformly and a method of manufacturing the same.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記
（１）〜（３）の構成によって達成することができる。 （１） ｐ型不純物を含有する窒化ガリウム系化合物半
導体層を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒
化ガリウム系化合物半導体素子において、該電極が、少
なくともニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、酸素並びにニ
ッケルより第一イオン化ポテンシャルが大きい及び／又
は電気陰性度が大きい第４の元素を含有してなることを
特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。 （２） 前記第４の元素が、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、
パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）及びロジウム（Ｒ
ｈ）のいずれか一種以上の金属であることを特徴とする
請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。 （３） 前記電極上に、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒ
ｕ）、タングステン（Ｗ）及びモリブデン（Ｍｏ）の少
なくとも１種をバリアメタルとして設けることを特徴と
する前記（１）又は（２）に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体素子。 （４） 前記電極において、電極の最上層にパッド電極
として金（Ａｕ）を設けることを特徴とする前記
（１）、（２）及び（３）のいずれか１項に記載の窒化
ガリウム系化合物半導体素子。 （５） ｐ型不純物を含有する窒化ガリウム系化合物半
導体層を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒
化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法において、前
記電極が、ニッケルよりなる第一の薄膜を形成し、次に
金よりなる第二の薄膜を形成し、続いてニッケルより第
一イオン化ポテンシャルが大きい及び／又は電気陰性度
が大きい第４の元素よりなる第三の薄膜を形成し、これ
ら第一の薄膜〜第三の薄膜を形成する際、少なくとも１
つの薄膜が酸素を含有して形成されており、前記第一の
薄膜〜第三の薄膜を形成した後、３００℃以上でアニー
リングして形成されることを特徴とする窒化ガリウム系
化合物半導体素子の製造方法。That is, the present invention can be achieved by the following constitutions (1) to (3). (1) In a gallium nitride-based compound semiconductor device having a gallium nitride-based compound semiconductor layer containing a p-type impurity and having an electrode formed on the semiconductor layer, the electrode is made of at least nickel (Ni), gold (Au). ), A gallium nitride based compound semiconductor device comprising a fourth element having a higher first ionization potential and / or a higher electronegativity than oxygen and nickel. (2) The fourth element is copper (Cu), silver (Ag),
Palladium (Pd), platinum (Pt) and rhodium (R
2. The gallium nitride-based compound semiconductor device according to claim 1, wherein the gallium nitride-based compound semiconductor device is any one or more metals of h). (3) Platinum (Pt), ruthenium (R)
u), at least one of tungsten (W) and molybdenum (Mo) is provided as a barrier metal. The gallium nitride-based compound semiconductor device according to the above (1) or (2), (4) The gallium nitride-based compound according to any one of (1), (2) and (3), wherein gold (Au) is provided as a pad electrode on the uppermost layer of the electrode. Semiconductor element. (5) In a method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor device having a gallium nitride-based compound semiconductor layer containing a p-type impurity and having an electrode formed on the semiconductor layer, the first electrode is made of nickel. Forming a thin film, then forming a second thin film of gold, followed by forming a third thin film of a fourth element having a higher first ionization potential and / or a higher electronegativity than nickel; When forming these first to third thin films, at least one
Gallium nitride-based compound semiconductor device, characterized in that two thin films are formed containing oxygen, and the first to third thin films are formed and then annealed at 300 ° C. or more. Production method.
【０００６】更に本発明はその他の好ましい態様をあげ
ることができる。 （６） 前記製造方法において、第三の薄膜を構成する
第４の元素が、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム
（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）及びロジウム（Ｒ
ｈ）のいずれか一種以上の金属であることを特徴とする
前記（５）に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法。 （７） 前記製造方法において、第三の薄膜が第４の元
素と酸素よりなることを特徴とする前記（５）又は
（６）に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造
方法。 （８） 前記製造方法において、第三の薄膜上に更に白
金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）
及びモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種をバリアメタ
ルとして設けることを特徴とする前記（５）、（６）及
び（７）のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体素子の製造方法。 （９） 前記製造方法において、電極の最上層にパッド
電極として金（Ａｕ）を設けることを特徴とする前記
（５）、（６）、（７）及び（８）のいずれか１項に記
載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。Further, the present invention can include other preferable embodiments. (6) In the above manufacturing method, the fourth element constituting the third thin film is copper (Cu), silver (Ag), palladium (Pd), platinum (Pt), gold (Au), and rhodium (R).
h) The method for manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor device according to the above (5), wherein the metal is at least one metal. (7) The method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor device according to (5) or (6), wherein in the manufacturing method, the third thin film includes a fourth element and oxygen. (8) In the manufacturing method, platinum (Pt), ruthenium (Ru), and tungsten (W) are further formed on the third thin film.
And the method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor device according to any one of (5), (6) and (7), wherein at least one of molybdenum (Mo) and molybdenum (Mo) is provided as a barrier metal. (9) The method according to any one of (5), (6), (7) and (8), wherein gold (Au) is provided as a pad electrode on the uppermost layer of the electrode in the manufacturing method. Of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor device according to the above.
【０００７】つまり、本発明は、ｐ型層に形成される電
極（以下ｐ電極という場合がある）として、従来の電極
材料であるＮｉとＡｕに加えて更に、ニッケルより第一
イオン化ポテンシャルが大きい及び／又は電気陰性度が
大きい第４の元素（以下、第４の元素、又はイオン化ポ
テンシャル等の大きい金属と言う場合がある）と酸素と
を組み合わせてｐ電極の材料とすることにより上記従来
の種々の問題点を一挙に解決することができる。従来技
術では、ｐ電極を厚く設けるとオーミック接触が得られ
なかったり、またパッド電極を設けた後にアニーリング
処理を行うとパッド電極下部が発光や受光しないといっ
た問題があった。このことは、アニーリング処理の際、
ｐ型層中のアクセプタードーパントを不活性化している
と考えられている水素が何かしら関係し、オーミック接
触や発光等を阻害しているのではないか、つまり、窒化
物半導体層からアニーリング処理によって発生する水素
がＮｉと何らかの反応や相互作用をし、その結果オーミ
ック接触が得られないのではないかと考えた。That is, according to the present invention, in addition to the conventional electrode materials Ni and Au, the first ionization potential is larger than that of nickel as an electrode formed on the p-type layer (hereinafter sometimes referred to as a p-electrode). And / or combining a fourth element having a large electronegativity (hereinafter, also referred to as a fourth element or a metal having a large ionization potential) with oxygen to form a material for the p-electrode. Various problems can be solved at once. In the prior art, there was a problem that an ohmic contact could not be obtained if the p-electrode was provided thickly, and light emission or light reception did not occur at the lower part of the pad electrode if an annealing process was performed after the pad electrode was provided. This means that during the annealing process,
Hydrogen, which is considered to inactivate the acceptor dopant in the p-type layer, has something to do with it, and may hinder ohmic contact, light emission, etc., that is, by annealing from the nitride semiconductor layer. It was thought that the generated hydrogen might have some reaction or interaction with Ni, resulting in no ohmic contact.
【０００８】そこで、本発明者等は、種々検討の結果、
従来電極がレーザ等の駆動に伴い酸化し電極が劣化する
ことから酸化の要因となる酸素を避ける傾向にあった
が、本発明においてはあえて酸素を電極の材料として用
い、更にＮｉよりイオン化ポテンシャル等の大きい金属
を電極材料として用いる構成とすることにより、電極を
厚く又は電極上にパッド電極等を設けたとしても、電極
とパッド電極等の総膜厚に依存することなく、良好なオ
ーミック接触及びパッド電極下部の良好な発光と受光を
得ることのできる著しく顕著な効果を得ることができ
る。この詳細は不明であるが、アニーリング処理により
電極が合金化する際、電極中の酸素がＮｉと何らかの相
互作用あるいは反応をし、アニーリング処理により電極
に与える何らかの悪影響を防止しているものと思われ
る。更にＮｉと酸素との何らかの相互作用は、電極中に
イオン化ポテンシャル等の大きい金属が存在することに
より、容易に起こる傾向を示す。その結果、電極の膜厚
を厚くしてもオーミック接触が良く、さらにパッド電極
形成後にアニーリング処理してもパッド電極下部が良好
に発光及び受光すると考えられる。Accordingly, the present inventors have conducted various studies, and as a result,
Conventionally, the electrode was oxidized with the driving of a laser or the like, and the electrode was deteriorated. Therefore, there was a tendency to avoid oxygen, which is a cause of oxidation. By using a metal having a large size as an electrode material, even if the electrode is thick or a pad electrode or the like is provided on the electrode, good ohmic contact and good ohmic contact can be achieved without depending on the total thickness of the electrode and the pad electrode. A remarkably remarkable effect of obtaining good light emission and light reception under the pad electrode can be obtained. Although the details are unknown, it is considered that when the electrode is alloyed by the annealing treatment, oxygen in the electrode interacts or reacts with Ni in some way, thereby preventing any adverse effect on the electrode by the annealing treatment. . Further, any interaction between Ni and oxygen tends to occur easily due to the presence of a metal having a high ionization potential in the electrode. As a result, it is considered that the ohmic contact is good even if the thickness of the electrode is increased, and that the lower portion of the pad electrode emits and receives light well even after the annealing process after the formation of the pad electrode.
【０００９】また、電極を厚く形成できることからワイ
ヤーボンディング時の接着性が向上して剥がれ難くな
る。またフェイスダウンしたときの接触性を向上させる
ためにパッド電極を厚く設けなくてもよい。また、パッ
ド電極を厚く設け、パッド電極形成後にアニーリング処
理してもパッド電極下部が良好に発光及び受光する。そ
の結果、パッド電極を形成する前にアニーリング処理し
なくてもよいので、電極の表面をアニーリング処理によ
り荒すことがなく電極の剥がれを防止できる。Further, since the electrode can be formed thick, the adhesiveness at the time of wire bonding is improved, and the electrode is hardly peeled off. Further, the pad electrode does not have to be provided thickly in order to improve the contact property when face down. Further, even if the pad electrode is provided with a large thickness and an annealing process is performed after the pad electrode is formed, the lower portion of the pad electrode emits and receives light satisfactorily. As a result, since it is not necessary to perform the annealing before forming the pad electrode, the electrode can be prevented from peeling without being roughened by the annealing.
【００１０】また、本発明において、第一の薄膜〜第三
の薄膜の少なくとも１つの薄膜が酸素を含有して形成さ
れているとは、各薄膜を形成する際、薄膜を構成する金
属と共に酸素を用い、金属と酸素から薄膜が形成されて
いることを示す。薄膜が金属と酸素とによって形成され
ると、薄膜は少なくとも金属の単体及び金属の酸化物か
らなる。薄膜が金属の酸化物を有していると、前記Ｎｉ
と酸素との何らかの相互作用が容易に起こる傾向を示
し、さらに金属の酸化物が第三の薄膜のイオン化ポテン
シャル等の大きい金属の酸化物であるとより好ましい。In the present invention, the phrase that at least one of the first to third thin films is formed to contain oxygen means that, when forming each thin film, oxygen is contained together with the metal constituting the thin film. Is used to indicate that a thin film is formed from metal and oxygen. When the thin film is formed of a metal and oxygen, the thin film is composed of at least a simple substance of a metal and an oxide of a metal. When the thin film has a metal oxide, the Ni
It is more preferable that some interaction between oxygen and oxygen occurs easily, and that the metal oxide be a metal oxide having a large ionization potential of the third thin film.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明において、ｐ電極はｐ型不
純物を含有する窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形
成される。本発明における電極が形成される窒化ガリウ
ム系化合物半導体はどのような層構成のものであっても
構わない。窒化ガリウム系化合物半導体は有機金属気相
成長法（ＭＯＣＶＤ、ＭＯＶＰＥ）、ハイドライド気相
成長法（ＨＤＣＶＤ）等の気相成長法を用いて成長され
る。例えば図１のような窒化ガリウム系化合物半導体を
あげることができる。図１はサファイアやスピネルのよ
うな絶縁性基板１上に、ｎ型不純物を含有する窒化ガリ
ウム系化合物半導体層（ｎ型層）２、活性層（図示して
いない）及びｐ型不純物を含有する窒化ガリウム系化合
物半導体層（ｐ型層）３を積層してなる基本構造を有し
ており、ｎ電極４はｐ型層と活性層とがエッチングされ
露出したｎ型層に設けられ、ｐ電極５はエッチングされ
ない窒化物半導体の最上層であるｐ型層にそれぞれ設け
られる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a p-electrode is formed on the surface of a gallium nitride-based compound semiconductor layer containing a p-type impurity. The gallium nitride-based compound semiconductor on which the electrode is formed in the present invention may have any layer configuration. The gallium nitride-based compound semiconductor is grown by using a vapor phase growth method such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD, MOVPE) or hydride vapor phase epitaxy (HDCVD). For example, a gallium nitride-based compound semiconductor as shown in FIG. 1 can be used. FIG. 1 shows a gallium nitride-based compound semiconductor layer (n-type layer) 2 containing an n-type impurity, an active layer (not shown), and a p-type impurity on an insulating substrate 1 such as sapphire or spinel. It has a basic structure in which a gallium nitride-based compound semiconductor layer (p-type layer) 3 is laminated, and an n-electrode 4 is provided on an n-type layer where the p-type layer and the active layer are etched and exposed. Numerals 5 are respectively provided on the p-type layer which is the uppermost layer of the nitride semiconductor which is not etched.
【００１２】本発明において、ｐ電極５は少なくともＮ
ｉ、Ａｕ、酸素並びにニッケルより第一イオン化ポテン
シャルが大きい及び／又は電気陰性度（ポーリングの電
気陰性度）が大きい第４の元素を含有する。また、Ｐ電
極５は、本発明の効果を阻害しない範囲であればその他
の金属及び非金属を含有することができる。本発明にお
いて、第４の元素としては、ニッケルよりもイオン化ポ
テンシャルが大きいか又は電気陰性度が大きいあるいは
その両者が大きい金属であればよい。その具体例として
は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白
金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、
金（Ａｕ）があげられ、好ましくはＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｒｈである。In the present invention, the p electrode 5 is at least N
It contains a fourth element having a higher first ionization potential and / or a higher electronegativity (Pauling's electronegativity) than i, Au, oxygen and nickel. Further, the P electrode 5 can contain other metals and nonmetals as long as the effects of the present invention are not impaired. In the present invention, the fourth element may be a metal having a higher ionization potential or a higher electronegativity than nickel or a metal having both of them. Specific examples thereof include copper (Cu), silver (Ag), palladium (Pd), platinum (Pt), iridium (Ir), rhodium (Rh),
Gold (Au), preferably Cu, Ag, Pd,
Pt and Rh.
【００１３】本発明において、電極の形成方法は、電極
の材料を蒸着、スッパタ等の装置を用いてｐ型層表面に
金属薄膜として積層される。電極材料であるＮｉ、Ａｕ
及び第４の元素は、金属の単体あるいは金属の酸化物と
して電極の形成に用いられる。更に、電極に含有される
酸素は、いずれの方法で供給されてもよく、酸素の単体
又は電極材料となる金属の酸化物として電極の形成に用
いられる。具体的には、ｐ型層表面に、ニッケルよりな
る第一の薄膜を形成し、次に金よりなる第二の薄膜を形
成し、続いてニッケルより第一イオン化ポテンシャルが
大きい及び／又は電気陰性度が大きい第４の元素よりな
る第三の薄膜を形成し、これら第一の薄膜〜第三の薄膜
を形成する際、少なくとも１つの薄膜が酸素を含有して
形成されており、前記第一の薄膜〜第三の薄膜を形成し
た後、３００℃以上でアニーリングして電極を形成す
る。第一の薄膜から第三の薄膜を構成する金属薄膜の形
成順序は、上記の如くニッケル、金、第４の元素よりな
る各薄膜の順で形成されるのが最も好ましいが、第一の
薄膜〜第三の薄膜はアニーリング処理で熱により渾然一
体となった合金状態となるので、薄膜の積層順を前記以
外の順序としてもよい。また酸素は、上記のように第一
の薄膜〜第三の薄膜のいずれの薄膜に含有されてもよい
が、少なくとも１つの薄膜に含有され、好ましくは第三
の薄膜に含有される。In the present invention, in the method of forming an electrode, a material of the electrode is deposited as a metal thin film on the surface of the p-type layer by using an apparatus such as vapor deposition or sputtering. Ni, Au as electrode materials
The fourth element is used for forming an electrode as a simple metal or a metal oxide. Further, oxygen contained in the electrode may be supplied by any method, and is used for forming an electrode as a simple substance of oxygen or a metal oxide serving as an electrode material. Specifically, a first thin film made of nickel is formed on the surface of the p-type layer, a second thin film made of gold is formed next, and then the first ionization potential is larger than nickel and / or electronegative. Forming a third thin film made of a fourth element having a large degree, and forming the first to third thin films, at least one thin film is formed containing oxygen; After forming the thin film to the third thin film, annealing is performed at 300 ° C. or more to form electrodes. The metal thin film forming the first thin film to the third thin film is most preferably formed in the order of nickel, gold, and the fourth thin film as described above. Since the third to third thin films are in an alloy state in which they are completely integrated by heat during the annealing process, the order of laminating the thin films may be any other order. As described above, oxygen may be contained in any one of the first to third thin films, but is contained in at least one thin film, preferably in the third thin film.
【００１４】電極中の酸素は、上記の如く、いずれの方
法において供給されてもよいが、酸素の単体又は電極を
構成する金属の酸化物が用いられ、好ましくは単体また
は第４の元素であるニッケルよりイオン化ポテンシャル
等が大きい金属の酸化物である。ニッケルよりイオン化
ポテンシャル等が大きい金属の酸化物として好ましく
は、上記第三の薄膜を構成する第４の元素である金属の
酸化物をあげることができる。各金属の酸化物は、金属
が取り得ることのできる酸化数の酸化物を用いることが
できる。The oxygen in the electrode may be supplied by any method as described above, but a simple substance of oxygen or an oxide of a metal constituting the electrode is used, and preferably a simple substance or a fourth element. An oxide of a metal having a higher ionization potential than nickel. As a metal oxide having an ionization potential or the like higher than that of nickel, a metal oxide which is the fourth element constituting the third thin film is preferably used. As the oxide of each metal, an oxide having an oxidation number that can be obtained by the metal can be used.
【００１５】本発明において、薄膜が金属と酸素よりな
るとき、薄膜は下記式により示される。In the present invention, when the thin film comprises a metal and oxygen, the thin film is represented by the following formula.
【００１６】（式Ｉ） ＭＯX (Formula I) MO X
【００１７】上記式Ｉにおいて、Ｍは、電極材料として
用いられる上記金属を示し、Ｘは、０＜Ｘ≦ａの値を示
す。ａは、ａ＝Ｍの最大価数／２、の値を示す。例え
ば、Ｃｕを電極材料に用いる場合、ＣｕＯXのＸの値
は、Ｃｕの最大価数が＋２であるのでａ＝１、よって０
＜Ｘ≦１の値を示す。またＰｔを電極材料に用いる場
合、ＰｔＯXのＸの値は、Ｐｔの最大価数が＋４である
のでａ＝２、よって０＜Ｘ≦２の値を示す。In the above formula I, M represents the metal used as an electrode material, and X represents a value of 0 <X ≦ a. a shows the value of a = M, the maximum valence / 2. For example, when Cu is used for the electrode material, the value of X of CuO X is a = 1 because the maximum valence of Cu is +2,
<X ≦ 1. When Pt is used for the electrode material, the value of X in PtO X indicates a = 2 because the maximum valence of Pt is +4, and thus 0 <X ≦ 2.
【００１８】上記のニッケルよりなる第一の薄膜の厚さ
は２０〜２００Å、好ましくは５０〜１００Åである。
また金よりなる第二の薄膜の厚さは５０〜１０００Å、
好ましくは１００〜５００Åである。また第４の元素よ
りなる第三の薄膜の厚さは１００〜１０００Å、好まし
くは１５０〜５００Åである。それぞれの薄膜の厚さ
が、上記範囲であるとオーミック接触の再現性の点で好
ましい。薄膜が、酸素と共に形成された場合は金属の単
体や金属の酸化物等から薄膜が形成されており、その場
合の薄膜の厚さも上記と同様の範囲を示す。また第一の
薄膜〜第三の薄膜からなるＰ電極の総膜厚は２００Å〜
２０００Å、好ましくは３００Å〜１５００Åである。
この範囲であるとオーミック接触の再現性の点で好まし
い。The first thin film made of nickel has a thickness of 20 to 200 °, preferably 50 to 100 °.
The thickness of the second thin film made of gold is 50 to 1000 mm,
Preferably it is 100-500 °. The thickness of the third thin film made of the fourth element is 100 to 1000 °, preferably 150 to 500 °. When the thickness of each thin film is in the above range, it is preferable in view of reproducibility of ohmic contact. When the thin film is formed together with oxygen, the thin film is formed from a simple substance of a metal, a metal oxide, or the like, and the thickness of the thin film in this case also shows the same range as described above. The total thickness of the P-electrode composed of the first to third thin films is 200 to
2000 °, preferably 300 ° to 1500 °.
This range is preferable from the viewpoint of reproducibility of ohmic contact.
【００１９】第一の薄膜〜第三の薄膜を形成後に行われ
るアニーリング処理の温度は、３００℃以上、好ましく
は４００℃以上、更に好ましくは４５０℃以上である。
またアニーリング処理の温度の上限は特に限定しないが
好ましくは７００℃以下である。この範囲であるとオー
ミック特性の再現性、及びＧａＮ系化合物の分解防止の
点で好ましい。また本発明において、第一の薄膜〜第三
の薄膜を積層した上にバリアメタル及び／又はパッド電
極を設ける場合は、すべてを蒸着やスパッタ等により積
層した後にアニーリング処理をして電極をなじませるこ
とが好ましい。The temperature of the annealing treatment performed after the formation of the first to third thin films is 300 ° C. or more, preferably 400 ° C. or more, and more preferably 450 ° C. or more.
The upper limit of the annealing temperature is not particularly limited, but is preferably 700 ° C. or lower. This range is preferable in terms of reproducibility of ohmic characteristics and prevention of decomposition of the GaN-based compound. In the present invention, when a barrier metal and / or a pad electrode is provided on the first thin film to the third thin film laminated on each other, an annealing process is performed after all of the first to third thin films are laminated by vapor deposition, sputtering or the like, so that the electrodes are adapted. Is preferred.
【００２０】第一の薄膜〜第三の薄膜は、アニーリング
処理により合金化されｐ型層と好ましいオーミック接触
が得られる。合金化されると電極材料は薄膜同士の界面
の区別がつかなくなり渾然一体となった状態となる。ま
たアニーリング処理の条件などにより電極材料がほんの
わずかではあるが窒化物半導体層中に混入する場合が考
えられる。電極が界面の区別がつかなくなった渾然一体
の状態となったり、電極材料が窒化物半導体層の中に混
入する等の現象は、異なった物質同士の界面が補正され
電子などの流れが良くなり良好なオーミック接触が得ら
れるのではないかと考えられる。アニーリング処理で合
金化された電極は、各金属の物性等の違いによると思わ
れるが、アニーリング処理の際に金が窒化物半導体層に
接近した側に移動する傾向があり、窒化物半導体層上に
金、その上にニッケル、続いてニッケルよりイオン化ポ
テンシャル等の大きい金属が比較的多く分布する傾向が
ある。The first to third thin films are alloyed by annealing to obtain a favorable ohmic contact with the p-type layer. When alloyed, the electrode material is in a state in which the interface between the thin films cannot be distinguished and becomes completely integrated. Further, it is conceivable that the electrode material is mixed into the nitride semiconductor layer, though slightly, depending on the conditions of the annealing treatment. Phenomena such as the electrodes being in a completely integrated state where the interface cannot be distinguished, or the electrode material being mixed into the nitride semiconductor layer, the interface between different materials is corrected and the flow of electrons etc. becomes better. It is considered that a good ohmic contact may be obtained. The electrodes alloyed by the annealing process are considered to be due to the difference in the properties of each metal, but during the annealing process, the gold tends to move to the side closer to the nitride semiconductor layer, and the There is a tendency that gold, nickel, and subsequently a metal having an ionization potential higher than that of nickel are distributed relatively more.
【００２１】また、本発明は、前記電極上に、Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｗ及びＭｏの少なくとも１種を図１に示したように
バリアメタル６として設けることが好ましい。バリアメ
タルとしてより好ましくは、Ｐｔである。電極上にこれ
らの金属をバリアメタルとして設けることによりＡｕ等
のパット電極を設けた場合パッド電極の性能保持の点で
好ましい。本発明におけるバリアメタルとは、Ａｕ等の
パッド電極への他元素の拡散防止を行うのもであり、図
１のように電極５とパッド電極７の間に設けられる。バ
リアメタルの膜厚は２００〜２０００Å、好ましくは５
００〜１０００Åである。上記範囲であるとバリア効果
保持が良好となり、更に時間及び材料の削減の点で好ま
しい。Further, according to the present invention, Pt, R
Preferably, at least one of u, W and Mo is provided as the barrier metal 6 as shown in FIG. More preferably, the barrier metal is Pt. When a pad electrode such as Au is provided by providing these metals as a barrier metal on the electrode, it is preferable from the viewpoint of maintaining the performance of the pad electrode. The barrier metal in the present invention prevents diffusion of other elements to a pad electrode such as Au, and is provided between the electrode 5 and the pad electrode 7 as shown in FIG. The barrier metal has a thickness of 200 to 2000 Å, preferably 5
00 to 1000 °. When the content is within the above range, the barrier effect can be maintained well, which is preferable in terms of time and material reduction.
【００２２】また本発明は、第一の薄膜〜第三の薄膜を
形成した後、続いてバリアメタルを形成し、更にその上
部、つまり電極の最上層にパッド電極７としてＡｕを設
けることが好ましい。電極の最上層にＡｕを設けること
により、ボールボンディング時にワイヤーからできるボ
ールとの接着強度が強くなり、電流が流れやすくなる。
更にＡｕを最上層に設けると電極が酸化され難くなり電
極の耐久性が向上する。Ａｕの膜厚は、１０００〜３０
０００Å、好ましくは２０００〜１００００Å、より好
ましくは５０００〜１００００Åである。上記範囲であ
るとボンディング特性の保持且つ時間及び材料の削減の
点で好ましい。Ａｕのパッド電極の膜厚の上限は実質的
には限定されないがコストの関係で上記範囲が好まし
い。In the present invention, it is preferable that after forming the first to third thin films, a barrier metal is subsequently formed, and further, Au is provided as a pad electrode 7 thereon, that is, on the uppermost layer of the electrode. . By providing Au on the uppermost layer of the electrode, the bonding strength with a ball formed from a wire during ball bonding is increased, and the current can easily flow.
Further, when Au is provided on the uppermost layer, the electrode is hardly oxidized, and the durability of the electrode is improved. The thickness of Au is 1000 to 30
000 °, preferably 2000-10000 °, more preferably 5000-10000 °. The above range is preferable in terms of maintaining the bonding characteristics and reducing the time and materials. Although the upper limit of the thickness of the Au pad electrode is not substantially limited, the above range is preferable in view of cost.
【００２３】また本発明において、パッド電極は、接着
強度を強くするとともに実質的なｐ電極の表面積を広げ
て、ｐ電極側をワイヤーボンディングできるようにする
作用があるので、用いることが好ましい。In the present invention, the pad electrode is preferably used because it has the effect of increasing the bonding strength and increasing the substantial surface area of the p-electrode so that the p-electrode side can be wire-bonded.
【００２４】本発明において、ｎ電極は、いずれの構成
を有するものでもよく、特に限定されない。ｎ電極とし
ては例えばチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）電極
などを用いることができる。In the present invention, the n-electrode may have any configuration and is not particularly limited. As the n-electrode, for example, a titanium (Ti) / aluminum (Al) electrode or the like can be used.
【００２５】[0025]
【実施例】以下に本発明の実施例を述べるが、本発明は
これに限定されない。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
【００２６】［実施例１］ＭＯＣＶＤを用いて、２イン
チφのサファイア基板１の上に、ＧａＮバッファ層、Ｓ
ｉドープｎ型ＧａＮ層及びＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮク
ラッド層等のｎ型ＧａＮ層２、ＺｎドープＩｎＧａＮ活
性層、Ｍｇドープｐ型ＧａＡｌＮクラッド層及びＭｇド
ープｐ型ＧａＮコンタクト層等のｐ型ＧａＮ層３とが順
に積層されたダブルへテロ構造のウェーハを用意する。[Example 1] A GaN buffer layer and a GaN buffer layer were formed on a 2 inch φ sapphire substrate 1 by MOCVD.
n-type GaN layers 2, such as i-doped n-type GaN layers and Si-doped n-type GaAlN cladding layers, Zn-doped InGaN active layers, p-type GaN layers 3, such as Mg-doped p-type GaAlN cladding layers and Mg-doped p-type GaN contact layers. Are prepared in order to prepare a double heterostructure wafer.
【００２７】次に、１チップが図１に示すようなｐ層形
状が残る様に、ウェーハのｐ型ＧａＮ層３の表面に所定
の形状のマスクを形成し、ドライエッチングにより、ｐ
型ＧａＮ層３側から深さ方向に一部エッチングを行い、
ｎ電極を形成すべきｎ型ＧａＮ層２の一部を露出させ
る。Next, a mask having a predetermined shape is formed on the surface of the p-type GaN layer 3 of the wafer so that one chip remains as shown in FIG.
Is partially etched in the depth direction from the type GaN layer 3 side,
A part of the n-type GaN layer 2 where an n-electrode is to be formed is exposed.
【００２８】次にｎ型ＧａＮ層２の表面に、ｎ型電極４
としてＴｉを０．０１μｍ、Ａｌを０．５μｍの膜厚
で、所定の形状で蒸着する。Next, on the surface of the n-type GaN layer 2, an n-type electrode 4
Is deposited in a predetermined shape with a thickness of 0.01 μm of Ti and 0.5 μm of Al.
【００２９】更に、ｐ電極として、ｐ型ＧａＮ層３の表
面のほぼ全面に渡って、第一の薄膜としてＮｉを８０Å
の膜厚で蒸着する。次に第二の薄膜として、Ａｕを３０
０Åの膜厚で第一の薄膜の上に蒸着して積層する。次に
第三の薄膜として、 ＣｕＯX（０＜Ｘ≦１）を５００
Åの膜厚で第二の薄膜の上に蒸着して積層する。Further, as a p-electrode, Ni is applied as a first thin film over substantially the entire surface of the p-type GaN layer 3 at 80 °.
Is deposited with a film thickness of Next, as a second thin film, 30
Vapor deposition and lamination are performed on the first thin film at a thickness of 0 °. Next, as a third thin film, CuO x (0 <X ≦ 1) is
The film is deposited and laminated on the second thin film with a thickness of 積 層.
【００３０】次にバリアメタルとしてＰｔを１０００Å
の膜厚で第三の薄膜の上に蒸着して積層する。更にバリ
アメタルの上にパッド電極としてＡｕを１００００Åの
膜厚で蒸着して積層する。Next, Pt is used as a barrier metal at 1000Å.
Is deposited and laminated on the third thin film with a thickness of. Further, Au is deposited on the barrier metal as a pad electrode by vapor deposition to a thickness of 10,000 °.
【００３１】蒸着後、前記ウェーハをアニーリング装置
に入れ、窒素雰囲気中５００℃で１０分間アニーリング
処理を行い、その後、保護膜を形成した後、研磨によ
り、基板を８０μｍまで研磨し４００μｍ×４００μｍ
のチップサイズに分割し図１のようなＬＥＤ素子を得
た。この素子の発光具合を基板側から観察したところ、
ｐ型電極全面で発光が観察された。このときの順方向電
圧は２０ｍＡで３．５Ｖであった。After the vapor deposition, the wafer is put into an annealing apparatus and subjected to an annealing treatment in a nitrogen atmosphere at 500 ° C. for 10 minutes. Thereafter, after forming a protective film, the substrate is polished to 80 μm and polished to 400 μm × 400 μm.
Then, an LED device as shown in FIG. 1 was obtained. When observing the light emitting condition of this element from the substrate side,
Light emission was observed on the entire surface of the p-type electrode. The forward voltage at this time was 3.5 V at 20 mA.
【００３２】［実施例２］実施例１において、ｐ電極を
形成する第三の薄膜をＰｔＯX（０＜Ｘ≦２）に変えた
他は同様にしてＬＥＤ素子を得た。この素子の発光具合
を基板側から観察したところ、ｐ電極全面で発光が観察
された。このときの順方向電圧は２０ｍＡで３．５Ｖで
あった。Example 2 An LED element was obtained in the same manner as in Example 1 except that the third thin film forming the p-electrode was changed to PtO x (0 <X ≦ 2). When the state of light emission of this element was observed from the substrate side, light emission was observed over the entire surface of the p-electrode. The forward voltage at this time was 3.5 V at 20 mA.
【００３３】［実施例３］実施例１において、ｐ電極を
形成する第三の薄膜をＰｄＯX（０＜Ｘ≦２）に変えた
他は同様にしてＬＥＤ素子を得た。この素子の発光具合
を基板側から観察したところ、ｐ電極全面で発光が観察
された。このときの順方向電圧は２０ｍＡで３．５Ｖで
あった。Example 3 An LED device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the third thin film forming the p-electrode was changed to PdO x (0 <X ≦ 2). When the state of light emission of this element was observed from the substrate side, light emission was observed over the entire surface of the p-electrode. The forward voltage at this time was 3.5 V at 20 mA.
【００３４】［実施例４］実施例１において、ｐ電極を
形成する第三の薄膜をＲｈＯX（０＜Ｘ≦１．５）に変
えた他は同様にしてＬＥＤ素子を得た。この素子の発光
具合を基板側から観察したところ、ｐ電極全面で発光が
観察された。このときの順方向電圧は２０ｍＡで３．５
Ｖであった。Example 4 An LED device was obtained in the same manner as in Example 1, except that the third thin film forming the p-electrode was changed to RhO x (0 <X ≦ 1.5). When the state of light emission of this element was observed from the substrate side, light emission was observed over the entire surface of the p-electrode. The forward voltage at this time is 3.5 at 20 mA.
V.
【００３５】［実施例５］実施例１において、ｐ電極を
形成する第三の薄膜をＡｇＯX（０＜Ｘ≦０．５）に変
えた他は同様にしてＬＥＤ素子を得た。この素子の発光
具合を基板側から観察したところ、ｐ電極全面で発光が
観察された。このときの順方向電圧は２０ｍＡで３．５
Ｖであった。Example 5 An LED device was obtained in the same manner as in Example 1, except that the third thin film forming the p-electrode was changed to AgO x (0 <X ≦ 0.5). When the state of light emission of this element was observed from the substrate side, light emission was observed over the entire surface of the p-electrode. The forward voltage at this time is 3.5 at 20 mA.
V.
【００３６】［実施例６］実施例１において、ｐ電極を
形成する第三の薄膜をＡｕＯX（０＜Ｘ≦１．５）に変
えた他は同様にしてＬＥＤ素子を得た。この素子の発光
具合を基板側から観察したところ、ｐ電極全面で発光が
観察された。このときの順方向電圧は２０ｍＡで３．５
Ｖであった。Example 6 An LED device was obtained in the same manner as in Example 1, except that the third thin film forming the p-electrode was changed to AuO x (0 <X ≦ 1.5). When the state of light emission of this element was observed from the substrate side, light emission was observed over the entire surface of the p-electrode. The forward voltage at this time is 3.5 at 20 mA.
V.
【００３７】［実施例７］実施例１において、バリアメ
タルをタングステン（Ｗ）に変えた他は同様にしてＬＥ
Ｄ素子を得た。この素子の発光具合を基板側から観察し
たところ、実施例１と同様の結果が得られ、オーミック
接触も良好であった。[Embodiment 7] In the same manner as in Embodiment 1, except that the barrier metal was changed to tungsten (W), LE
D element was obtained. Observation of the light emitting condition of this element from the substrate side showed that the same results as in Example 1 were obtained, and the ohmic contact was also good.
【００３８】［実施例８］実施例１において、バリアメ
タルを積層せずに行った他は同様にしてＬＥＤ素子を得
た。この素子の発光具合を基板側から観察したところ、
実施例１と同様の結果が得られ、オーミック接触も良好
であった。Example 8 An LED element was obtained in the same manner as in Example 1, except that the barrier metal was not laminated. When observing the light emitting condition of this element from the substrate side,
The same results as in Example 1 were obtained, and the ohmic contact was also good.
【００３９】［比較例１］実施例１において、ｐ型Ｇａ
Ｎ層３にｐ型電極としてＮｉを８０Å、Ａｕを３００Å
の膜厚で蒸着して積層し、ｐ電極上にパッド電極として
Ａｕを１００００Å蒸着し、アニーリングを行い、図２
の様に形成する他は同様にしてＬＥＤ素子を得た。この
素子の発光具合を基板側から観察したところ、ｐ側のパ
ッド電極の下部の発光が見られなかった。このときの順
方向電圧は２０ｍＡで４．５Ｖであった。Comparative Example 1 In Example 1, p-type Ga
80 ° Ni and 300 ° Au as p-type electrodes on the N layer 3
Then, Au was vapor-deposited on the p-electrode as a pad electrode at 10,000 ° C., and annealing was performed.
An LED element was obtained in the same manner except that the LED element was formed as described above. Observation of the light emission condition of this device from the substrate side showed no light emission below the p-side pad electrode. The forward voltage at this time was 4.5 V at 20 mA.
【００４０】以上の様に、比較例ではパッド電極下部が
発光しないのに対し、実施例１〜６では均一に発光し、
更にオーミック接触が良好である。また本実施例ではＬ
ＥＤを作製し評価を行ったが、ＬＤにおいても同様に良
好な結果が得られた。As described above, in the comparative example, the lower part of the pad electrode did not emit light, whereas in the examples 1 to 6, the light emitted uniformly.
Further, ohmic contact is good. In this embodiment, L
An ED was manufactured and evaluated, and good results were similarly obtained for the LD.
【００４１】[0041]
【発明の効果】本発明は、上記のような構成とすること
により、電極を厚く、及びパッド電極を厚く設けても、
オーミック接触が良好で、電極の耐久性が良く、均一に
且つ良好に発光及び受光できる。According to the present invention, by adopting the above structure, even if the electrode and the pad electrode are provided thick,
Good ohmic contact, good electrode durability, uniform and good light emission and light reception.
【図１】本発明の一実施例の発光素子の構造を示す模式
断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing the structure of a light emitting device according to one embodiment of the present invention.
【図２】従来の発光素子の構造を示す模式断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a structure of a conventional light emitting device.
１・・・・サファイア基板 ２・・・・ｎ型ＧａＮ層 ３・・・・ｐ型ＧａＮ層 ４・・・・ｎ型電極 ５・・・・ｐ型電極 1 sapphire substrate 2 n-type GaN layer 3 p-type GaN layer 4 n-type electrode 5 p-type electrode
Claims (5)
合物半導体層を有し、その半導体層に電極が形成されて
なる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、該電極
が、少なくともニッケル、金、酸素並びにニッケルより
第一イオン化ポテンシャルが大きい及び／又は電気陰性
度が大きい第４の元素を含有してなることを特徴とする
窒化ガリウム系化合物半導体素子。1. A gallium nitride-based compound semiconductor device having a gallium nitride-based compound semiconductor layer containing a p-type impurity and having an electrode formed on the semiconductor layer, the electrode comprising at least nickel, gold, oxygen, A gallium nitride-based compound semiconductor device comprising a fourth element having a higher first ionization potential and / or a higher electronegativity than nickel.
ム、白金及びロジウムのいずれか一種以上の金属である
ことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体素子。2. The gallium nitride based compound semiconductor device according to claim 1, wherein the fourth element is at least one metal selected from the group consisting of copper, silver, palladium, platinum and rhodium.
ム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）及びモリブデン（Ｍ
ｏ）の少なくとも１種をバリアメタルとして設けること
を特徴とする請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系化
合物半導体素子。3. An electrode comprising platinum (Pt), ruthenium (Ru), tungsten (W) and molybdenum (M)
3. The gallium nitride-based compound semiconductor device according to claim 1, wherein at least one of o) is provided as a barrier metal.
ド電極として金（Ａｕ）を設けることを特徴とする請求
項１、２及び３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系
化合物半導体素子。4. The gallium nitride-based compound semiconductor device according to claim 1, wherein gold (Au) is provided as a pad electrode on the uppermost layer of the electrode.
合物半導体層を有し、その半導体層に電極が形成されて
なる窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法におい
て、前記電極が、ニッケルよりなる第一の薄膜を形成
し、次に金よりなる第二の薄膜を形成し、続いてニッケ
ルより第一イオン化ポテンシャルが大きい及び／又は電
気陰性度が大きい第４の元素よりなる第三の薄膜を形成
し、これら第一の薄膜〜第三の薄膜が形成される際、少
なくとも１つの薄膜が酸素を含有して形成されており、
前記第一の薄膜〜第三の薄膜を形成した後、３００℃以
上でアニーリングして形成されることを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。5. A method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor device having a gallium nitride-based compound semiconductor layer containing a p-type impurity and having an electrode formed on the semiconductor layer, wherein the electrode is made of nickel. Forming one thin film, then forming a second thin film of gold, and subsequently forming a third thin film of a fourth element having a higher first ionization potential and / or a higher electronegativity than nickel. When the first to third thin films are formed, at least one thin film is formed containing oxygen,
A method for manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor device, wherein the first thin film to the third thin film are formed and then annealed at 300 ° C. or more.
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|---|---|
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210868A (en) * | 1999-12-22 | 2001-08-03 | Lumileds Lighting Us Llc | Multilayer/high reflectivity ohmic contact point for semiconductor device |
| WO2002101894A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-19 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element |
| JP2004006991A (en) * | 2002-08-27 | 2004-01-08 | Nichia Chem Ind Ltd | Nitride semiconductor element |
| JP2004214434A (en) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Sharp Corp | Oxide semiconductor light emitting element and its manufacturing method |
| WO2007004378A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser element and nitride semiconductor laser device |
| JP2007518260A (en) * | 2004-01-15 | 2007-07-05 | ソウル オプト−デバイス シーオー エル ティー ディー | Gallium nitride III-V compound semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR100736600B1 (en) * | 2000-07-04 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | Fabricating Method for Nitride Semiconductor Laser Diode |
| CN104064649A (en) * | 2013-03-20 | 2014-09-24 | 江苏扬景光电有限公司 | Light-emitting diode electrode structure and manufacturing method thereof |
| CN104064651A (en) * | 2013-03-20 | 2014-09-24 | 江苏扬景光电有限公司 | Light-emitting diode electrode structure and manufacturing process thereof |
| CN104064650A (en) * | 2013-03-20 | 2014-09-24 | 江苏扬景光电有限公司 | Light-emitting diode electrode structure and manufacturing process thereof |
| JPWO2016170670A1 (en) * | 2015-04-24 | 2017-10-19 | 株式会社島津製作所 | Optical analyzer |
| CN109650590A (en) * | 2019-01-02 | 2019-04-19 | 广东益诺欧环保股份有限公司 | A kind of method and system handling high toxicity high-COD waste water |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP13822897A patent/JP3255224B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210868A (en) * | 1999-12-22 | 2001-08-03 | Lumileds Lighting Us Llc | Multilayer/high reflectivity ohmic contact point for semiconductor device |
| KR100736600B1 (en) * | 2000-07-04 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | Fabricating Method for Nitride Semiconductor Laser Diode |
| WO2002101894A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-19 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element |
| US7796663B2 (en) | 2001-05-31 | 2010-09-14 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| US7103082B2 (en) | 2001-05-31 | 2006-09-05 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element |
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| JP2007518260A (en) * | 2004-01-15 | 2007-07-05 | ソウル オプト−デバイス シーオー エル ティー ディー | Gallium nitride III-V compound semiconductor device and method for manufacturing the same |
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