JPH10335391A - 基板加熱方法 - Google Patents
基板加熱方法Info
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- JPH10335391A JPH10335391A JP13957597A JP13957597A JPH10335391A JP H10335391 A JPH10335391 A JP H10335391A JP 13957597 A JP13957597 A JP 13957597A JP 13957597 A JP13957597 A JP 13957597A JP H10335391 A JPH10335391 A JP H10335391A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上への半導体ＩＣのフリップチップ実装
において、高品質の接合を行うことを目的とする。 【解決手段】 基板２３内のＩＣチップ実装部分を実装
時のみ加熱ツール２１により局所的に加熱することによ
り、不要部分への加熱が防止でき、その結果接合部分の
熱による劣化を防止し、高品質なＩＣチップ実装が可能
となる。
において、高品質の接合を行うことを目的とする。 【解決手段】 基板２３内のＩＣチップ実装部分を実装
時のみ加熱ツール２１により局所的に加熱することによ
り、不要部分への加熱が防止でき、その結果接合部分の
熱による劣化を防止し、高品質なＩＣチップ実装が可能
となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣのフリ
ップチップ実装に関するものである。
ップチップ実装に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気製品の小型軽量化のため、電子回路
基板上への電子部品の実装は高密度化、ファイン化が進
められている。電子部品の主力である半導体部品におい
ては、従来はパッケージ形態が主流であったが、近年に
なって裸の半導体ＩＣチップを直接基板に接合する、い
わゆるフリップチップ実装技術の進展により、電子回路
基板の一層の小型軽量化が実現できるようになった。
基板上への電子部品の実装は高密度化、ファイン化が進
められている。電子部品の主力である半導体部品におい
ては、従来はパッケージ形態が主流であったが、近年に
なって裸の半導体ＩＣチップを直接基板に接合する、い
わゆるフリップチップ実装技術の進展により、電子回路
基板の一層の小型軽量化が実現できるようになった。
【０００３】フリップチップ実装を行う際に用いる実装
設備内には、基板を保持、固定するステージ部分があ
り、このステージ上に置かれた基板上にＩＣが供給、実
装される。一枚の基板上に一個のＩＣが実装されるケー
スは稀であり、多くの場合一枚の基板には複数個のＩＣ
が実装される。一般に、基板は複数個取りとなってお
り、一枚の基板が格子状に区切られており、各々の格子
の中にＩＣが同じ個数づつ実装され、すべての格子に所
定の個数のＩＣが実装されたあとで分割され、ＩＣが搭
載された各格子があらためて１つの電子回路基板もしく
は電子部品となる。
設備内には、基板を保持、固定するステージ部分があ
り、このステージ上に置かれた基板上にＩＣが供給、実
装される。一枚の基板上に一個のＩＣが実装されるケー
スは稀であり、多くの場合一枚の基板には複数個のＩＣ
が実装される。一般に、基板は複数個取りとなってお
り、一枚の基板が格子状に区切られており、各々の格子
の中にＩＣが同じ個数づつ実装され、すべての格子に所
定の個数のＩＣが実装されたあとで分割され、ＩＣが搭
載された各格子があらためて１つの電子回路基板もしく
は電子部品となる。
【０００４】ＩＣを基板にフリップチップ実装すると
き、基板とＩＣの接合部分に接合のためのエネルギーを
加える必要があり、多くの場合加熱手段が用いられる。
実装の流れとしては、室温でＩＣを装着し後工程でリフ
ローなどにより一括加熱する方法が一般的ではあるが、
洗浄レスや工程の簡素化などの理由から装着と同時に接
合部分を加熱することが必要な場合がある。たとえば、
スズ（Ｓｎ）を接合材料として洗浄レスで実装する場合
は、装着と同時に熱を加えなければならない。この場
合、実際には、基板、ＩＣのどちらかもしくは双方を加
熱することにより、接合部分に熱を与える。基板を加熱
する場合は、基板をセットするステージをヒーターによ
り加熱し、ＩＣを加熱する場合は、ＩＣを基板上に搬送
・装着する吸着ツール等をヒーターにより加熱する。ス
テージは多くの場合その構造上、あるいは生産性向上の
ため、ステージ全体を常時加熱する。一方、ＩＣ加熱に
パルスヒート法を用いると、接合時のみかつ基板上の接
合箇所のみを加熱することが可能である。
き、基板とＩＣの接合部分に接合のためのエネルギーを
加える必要があり、多くの場合加熱手段が用いられる。
実装の流れとしては、室温でＩＣを装着し後工程でリフ
ローなどにより一括加熱する方法が一般的ではあるが、
洗浄レスや工程の簡素化などの理由から装着と同時に接
合部分を加熱することが必要な場合がある。たとえば、
スズ（Ｓｎ）を接合材料として洗浄レスで実装する場合
は、装着と同時に熱を加えなければならない。この場
合、実際には、基板、ＩＣのどちらかもしくは双方を加
熱することにより、接合部分に熱を与える。基板を加熱
する場合は、基板をセットするステージをヒーターによ
り加熱し、ＩＣを加熱する場合は、ＩＣを基板上に搬送
・装着する吸着ツール等をヒーターにより加熱する。ス
テージは多くの場合その構造上、あるいは生産性向上の
ため、ステージ全体を常時加熱する。一方、ＩＣ加熱に
パルスヒート法を用いると、接合時のみかつ基板上の接
合箇所のみを加熱することが可能である。
【０００５】図３に従来のフリップチップ実装の概要が
示されている。図３において、４０はステージ、４１は
基板、４２、４３、４４、４５、４６は接合材料、４
７、４８、４９はＩＣチップ、５０は吸着ツールであ
る。図３の例では、基板上にあらかじめ接合材料として
メッキにより供給されたスズバンプ４２、４３、４４、
４５、４６が設けられており、この上にＩＣチップを実
装する。実装の順序は、接合箇所４２、４３、４４、４
５、４６の順番である。ＩＣチップが実装される前に、
まず１００℃〜１５０℃程度に加熱されたステージ４０
上に基板４１がセットされる。ここで、ステージ４０は
その全体が常時加熱されており、基板４１のセット前か
ら実装が完了し、基板が取り外されるまで温度は常に一
定である。ステージ４０にセットされた基板４１上に吸
着ツール５０により搬送されたＩＣチップが装着され
る。図３は、ＩＣチップ４７、４８はすでに実装済み
で、ＩＣチップ４９が実装されているときの様子を示し
ている。ＩＣチップ上の電極には接合のためのバンプが
形成されており、吸着ツール５０の内部にヒーターを組
み込み、加熱することによりＩＣ側からも接合部分を加
熱し接合効率を向上させ、なおかつ吸着ツール５０に超
音波をかけることにより接合する。図３では、たとえば
接合材料４２、４３は接合を完了しているが、接合材料
４４、４５、４６へのＩＣ実装が完了するまで、ステー
ジ４０による加熱が持続されることになり、熱による劣
化が進行する。また一方、例えば接合材料４６では、接
合材料４２、４３、４４、４５への実装が完了し４６へ
実装が始まるまでの間、ステージ４０による加熱が続け
られるため酸化が進行し、スズメッキ表面が酸化し接合
品質が劣化する。以上のように、従来はステージ４０全
体を常時加熱する基板加熱方法が用いられており、実装
時以外すなわち実装されるまでと実装後の時間帯におい
ても、不要な熱が接合部分に加えられることになり、実
装品質に悪影響をおよぼす結果となる。
示されている。図３において、４０はステージ、４１は
基板、４２、４３、４４、４５、４６は接合材料、４
７、４８、４９はＩＣチップ、５０は吸着ツールであ
る。図３の例では、基板上にあらかじめ接合材料として
メッキにより供給されたスズバンプ４２、４３、４４、
４５、４６が設けられており、この上にＩＣチップを実
装する。実装の順序は、接合箇所４２、４３、４４、４
５、４６の順番である。ＩＣチップが実装される前に、
まず１００℃〜１５０℃程度に加熱されたステージ４０
上に基板４１がセットされる。ここで、ステージ４０は
その全体が常時加熱されており、基板４１のセット前か
ら実装が完了し、基板が取り外されるまで温度は常に一
定である。ステージ４０にセットされた基板４１上に吸
着ツール５０により搬送されたＩＣチップが装着され
る。図３は、ＩＣチップ４７、４８はすでに実装済み
で、ＩＣチップ４９が実装されているときの様子を示し
ている。ＩＣチップ上の電極には接合のためのバンプが
形成されており、吸着ツール５０の内部にヒーターを組
み込み、加熱することによりＩＣ側からも接合部分を加
熱し接合効率を向上させ、なおかつ吸着ツール５０に超
音波をかけることにより接合する。図３では、たとえば
接合材料４２、４３は接合を完了しているが、接合材料
４４、４５、４６へのＩＣ実装が完了するまで、ステー
ジ４０による加熱が持続されることになり、熱による劣
化が進行する。また一方、例えば接合材料４６では、接
合材料４２、４３、４４、４５への実装が完了し４６へ
実装が始まるまでの間、ステージ４０による加熱が続け
られるため酸化が進行し、スズメッキ表面が酸化し接合
品質が劣化する。以上のように、従来はステージ４０全
体を常時加熱する基板加熱方法が用いられており、実装
時以外すなわち実装されるまでと実装後の時間帯におい
ても、不要な熱が接合部分に加えられることになり、実
装品質に悪影響をおよぼす結果となる。
【０００６】
【本発明が解決しようとする課題】前述した通り、従来
の基板加熱方法では、一枚の基板上へ複数個実装する場
合、ＩＣ実装がすべて完了するまで常時加熱される。し
たがって、一つの接合箇所に、実装時のみならずそれ以
外の時間帯すなわち実装されるまでと実装後も、基板が
ステージに取りつけられてから取り外されるまでの間、
常時熱が加わり続けることになる。接合材料が酸化され
やすい物質、たとえばスズ（Ｓｎ）やはんだ（Ｓｎ・Ｐ
ｂの合金）である場合や、接合材料と接合母材（ＩＣ、
基板の電極）間で拡散などの反応が生じやすい組合せの
場合は、実装する時以外に必要以上の加熱を行うことは
好ましくない。その一例として、基板上の電極がスズめ
っきバンプである場合、実装までの待ち時間の間にスズ
表面が酸化されて接合品質に悪影響を与え、また接合後
の加熱により接合部分に熱ストレスが加わり、信頼性低
下の原因となる。
の基板加熱方法では、一枚の基板上へ複数個実装する場
合、ＩＣ実装がすべて完了するまで常時加熱される。し
たがって、一つの接合箇所に、実装時のみならずそれ以
外の時間帯すなわち実装されるまでと実装後も、基板が
ステージに取りつけられてから取り外されるまでの間、
常時熱が加わり続けることになる。接合材料が酸化され
やすい物質、たとえばスズ（Ｓｎ）やはんだ（Ｓｎ・Ｐ
ｂの合金）である場合や、接合材料と接合母材（ＩＣ、
基板の電極）間で拡散などの反応が生じやすい組合せの
場合は、実装する時以外に必要以上の加熱を行うことは
好ましくない。その一例として、基板上の電極がスズめ
っきバンプである場合、実装までの待ち時間の間にスズ
表面が酸化されて接合品質に悪影響を与え、また接合後
の加熱により接合部分に熱ストレスが加わり、信頼性低
下の原因となる。
【０００７】ＩＣのフリップチップ実装においては、Ｉ
Ｃと基板の接合の高品質化・高信頼性化が要求されてい
る。本発明は、基板とＩＣのフリップチップ接合におい
て、上記要求を実現できるような基板加熱方法を提供す
る。
Ｃと基板の接合の高品質化・高信頼性化が要求されてい
る。本発明は、基板とＩＣのフリップチップ接合におい
て、上記要求を実現できるような基板加熱方法を提供す
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、ＩＣ実装箇所のみ、かつ実装時のみ基板を加
熱するものである。これにより接合材料の酸化や接合後
の熱ストレスが低減でき、接合の高品質化・高信頼性化
が可能となる。
本発明は、ＩＣ実装箇所のみ、かつ実装時のみ基板を加
熱するものである。これにより接合材料の酸化や接合後
の熱ストレスが低減でき、接合の高品質化・高信頼性化
が可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、半導体ＩＣフリップチップ実装において、ＩＣを基
板に実装する際に、ＩＣが実装される箇所のみを加熱
し、順次ＩＣを基板に実装することを特徴とする基板加
熱方法であり、実装済みのＩＣチップや未実装の接合部
分は加熱されないので、これらの部分における劣化は進
行せず、接合の高品質化および高信頼性化を果たす作用
を有する。
は、半導体ＩＣフリップチップ実装において、ＩＣを基
板に実装する際に、ＩＣが実装される箇所のみを加熱
し、順次ＩＣを基板に実装することを特徴とする基板加
熱方法であり、実装済みのＩＣチップや未実装の接合部
分は加熱されないので、これらの部分における劣化は進
行せず、接合の高品質化および高信頼性化を果たす作用
を有する。
【００１０】請求項２に記載の発明は、ＩＣが複数個実
装される基板を保持するステージ内に、個別に加熱ヒー
ターが組み込まれた複数個の加熱ツールを有し、ＩＣ実
装時に実装部分の加熱ヒーターのみを通電して、局所的
に加熱し、順次ＩＣを基板に実装することを特徴とする
請求項１記載の基板加熱方法であり、基板を局時および
局所的に加熱を行う作用を有する。
装される基板を保持するステージ内に、個別に加熱ヒー
ターが組み込まれた複数個の加熱ツールを有し、ＩＣ実
装時に実装部分の加熱ヒーターのみを通電して、局所的
に加熱し、順次ＩＣを基板に実装することを特徴とする
請求項１記載の基板加熱方法であり、基板を局時および
局所的に加熱を行う作用を有する。
【００１１】請求項３に記載の発明は、ＩＣが複数個実
装される基板を保持するステージ内に、基板の直下で上
下および前後左右に移動可能な加熱ツールを有し、前記
加熱ツールが基板の実装部分に移動して基板に接触する
ことにより、ＩＣの実装時に実装部分のみを局所的に加
熱し、順次ＩＣを基板に実装することを特徴とする請求
項１記載の基板加熱方法であり、請求項２記載の発明と
同様、基板の局時および局所的加熱を行う作用を有す
る。
装される基板を保持するステージ内に、基板の直下で上
下および前後左右に移動可能な加熱ツールを有し、前記
加熱ツールが基板の実装部分に移動して基板に接触する
ことにより、ＩＣの実装時に実装部分のみを局所的に加
熱し、順次ＩＣを基板に実装することを特徴とする請求
項１記載の基板加熱方法であり、請求項２記載の発明と
同様、基板の局時および局所的加熱を行う作用を有す
る。
【００１２】以下、本発明の実施の形態について、図１
および図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１に、本発明の実施の形態における
ＩＣ実装の概要が示されている。図１において、１、
２、３、４、５はステージ機能を兼ねた固定加熱ツール
である。６は基板、７、８、９、１０、１１は接合材料
で、従来例と同様スズメッキバンプである。１２、１
３、１４はＩＣチップ、１５はＩＣ搬送・装着用の吸着
ツールである。ここで加熱ツール１〜５にはそれぞれ個
別にヒーターが組み込まれており、各々単独で通電加熱
することが可能である。実装の流れとしては、まず、室
温状態の加熱ツール１〜５上に基板６がセットされる。
基板がセットされたときは、まだ加熱ツール１〜５のす
べてが通電加熱されていない。次に、ＩＣチップが吸着
ツール１５により基板上に装着される。たとえば、ＩＣ
チップ１２が装着されるときは、加熱ツール１のみが通
電加熱され接合材料７を加熱し、ＩＣチップ１２の実装
が完了すると、加熱ツール１の通電は停止し、加熱を中
止する。次に、ＩＣチップ１３を装着するときは、加熱
ツール２のみが加熱されＩＣチップ１３の実装が終わる
と加熱を停止する。図１は、ＩＣチップ１４が実装され
ている状態を示しており、このときは加熱ツール３のみ
が通電されている。以上のような方法で実装部分の加熱
ツールのみが通電され、これを繰り返すことによりＩＣ
実装が行われる。したがって図１の状態では、実装済み
のＩＣチップ１２、１３の接合材料７、８および未実装
の接合材料１０、１１は加熱されないので劣化が進行せ
ず、その結果として高品質のＩＣ実装が実現できる。 （実施の形態２）図２には実施の形態２におけるＩＣ実
装の概要が示されている。図２において、２１は上下左
右前後に移動可能な加熱ツール、２２は基板保持用の金
具、２３は基板である。２４、２５、２６、２７、２８
は接合材料としてのスズメッキバンプ、２９、３０、３
１はＩＣチップ、３２はＩＣチップ搬送・装着用の吸着
ツールである。実装の流れとしては、まず、基板２３が
金具２２により所定の位置に固定される。次に、ＩＣチ
ップが吸着ツール３２により搬送され、基板上に装着、
実装される。このとき加熱ツール２１は実装位置に移動
し基板の実装部分のみを加熱する。たとえばＩＣチップ
２９を実装するときは、加熱ツールはいったん基板から
離れて接合材料２４の直下に移動し、ＩＣチップ２９の
装着と同時に上昇し、基板２３に接触し接合材料２４の
みを加熱する。実装が終わると加熱ツール２１は基板か
ら離れた位置で待機する。次に、ＩＣチップ３０を実装
するときも、同様の動作で装着と同時に接合材料２５の
直下の基板表面を接触加熱し、実装が終わると基板から
離れ待機する。図２はＩＣチップ３１が実装されている
状態を示しており、このあと接合材料２７、２８上への
ＩＣチップの実装も同様にして行われる。以上のような
基板加熱方法でＩＣチップを実装すれば、実施の形態１
と同様、実装時に実装分のＩＣチップの接合材料のみを
加熱するので、それ以外の部分の熱による劣化が防止で
き、結果として高品質なＩＣ実装が実現できる。
および図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１に、本発明の実施の形態における
ＩＣ実装の概要が示されている。図１において、１、
２、３、４、５はステージ機能を兼ねた固定加熱ツール
である。６は基板、７、８、９、１０、１１は接合材料
で、従来例と同様スズメッキバンプである。１２、１
３、１４はＩＣチップ、１５はＩＣ搬送・装着用の吸着
ツールである。ここで加熱ツール１〜５にはそれぞれ個
別にヒーターが組み込まれており、各々単独で通電加熱
することが可能である。実装の流れとしては、まず、室
温状態の加熱ツール１〜５上に基板６がセットされる。
基板がセットされたときは、まだ加熱ツール１〜５のす
べてが通電加熱されていない。次に、ＩＣチップが吸着
ツール１５により基板上に装着される。たとえば、ＩＣ
チップ１２が装着されるときは、加熱ツール１のみが通
電加熱され接合材料７を加熱し、ＩＣチップ１２の実装
が完了すると、加熱ツール１の通電は停止し、加熱を中
止する。次に、ＩＣチップ１３を装着するときは、加熱
ツール２のみが加熱されＩＣチップ１３の実装が終わる
と加熱を停止する。図１は、ＩＣチップ１４が実装され
ている状態を示しており、このときは加熱ツール３のみ
が通電されている。以上のような方法で実装部分の加熱
ツールのみが通電され、これを繰り返すことによりＩＣ
実装が行われる。したがって図１の状態では、実装済み
のＩＣチップ１２、１３の接合材料７、８および未実装
の接合材料１０、１１は加熱されないので劣化が進行せ
ず、その結果として高品質のＩＣ実装が実現できる。 （実施の形態２）図２には実施の形態２におけるＩＣ実
装の概要が示されている。図２において、２１は上下左
右前後に移動可能な加熱ツール、２２は基板保持用の金
具、２３は基板である。２４、２５、２６、２７、２８
は接合材料としてのスズメッキバンプ、２９、３０、３
１はＩＣチップ、３２はＩＣチップ搬送・装着用の吸着
ツールである。実装の流れとしては、まず、基板２３が
金具２２により所定の位置に固定される。次に、ＩＣチ
ップが吸着ツール３２により搬送され、基板上に装着、
実装される。このとき加熱ツール２１は実装位置に移動
し基板の実装部分のみを加熱する。たとえばＩＣチップ
２９を実装するときは、加熱ツールはいったん基板から
離れて接合材料２４の直下に移動し、ＩＣチップ２９の
装着と同時に上昇し、基板２３に接触し接合材料２４の
みを加熱する。実装が終わると加熱ツール２１は基板か
ら離れた位置で待機する。次に、ＩＣチップ３０を実装
するときも、同様の動作で装着と同時に接合材料２５の
直下の基板表面を接触加熱し、実装が終わると基板から
離れ待機する。図２はＩＣチップ３１が実装されている
状態を示しており、このあと接合材料２７、２８上への
ＩＣチップの実装も同様にして行われる。以上のような
基板加熱方法でＩＣチップを実装すれば、実施の形態１
と同様、実装時に実装分のＩＣチップの接合材料のみを
加熱するので、それ以外の部分の熱による劣化が防止で
き、結果として高品質なＩＣ実装が実現できる。
【００１３】なお、上記の実施の態様においては、加熱
ツールはＩＣチップが実装される箇所のみを加熱してい
るが、これに限定されず実装箇所の周辺まで加熱するこ
ともできる。
ツールはＩＣチップが実装される箇所のみを加熱してい
るが、これに限定されず実装箇所の周辺まで加熱するこ
ともできる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、実装時に
実装部分のみを局所的に加熱することにより、実装済み
のＩＣや未実装の接合部分は加熱されず、これらの部分
における熱による劣化の進行は防止され、高品質なフリ
ップチップ実装を実現することができる。
実装部分のみを局所的に加熱することにより、実装済み
のＩＣや未実装の接合部分は加熱されず、これらの部分
における熱による劣化の進行は防止され、高品質なフリ
ップチップ実装を実現することができる。
【図１】本発明による基板加熱方法およびＩＣチップ実
装の概要図である。
装の概要図である。
【図２】本発明による他の基板加熱方法およびＩＣチッ
プ実装の概要図である。
プ実装の概要図である。
【図３】従来の基板加熱方法およびＩＣチップ実装の概
要図である。
要図である。
１、２、３、４、５、２１ 基板加熱ツール ６、２３、４１ 基板 ７、８、９、１０、１１、２４、２５、２６ 接合材料 ２７、２８、４２、４３、４４、４５、４６ 接合材料 １２、１３、１４、２９、３０、３１、４７、４８、４
９ ＩＣチップ １５、３２、５０ 吸着ツール ２２ 基板固定金具 ４０ ステージ
９ ＩＣチップ １５、３２、５０ 吸着ツール ２２ 基板固定金具 ４０ ステージ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ＩＣフリップチップ実装におい
て、ＩＣを基板に実装する際に、ＩＣが実装される箇所
のみを加熱し、順次ＩＣを基板に実装することを特徴と
する基板加熱方法 - 【請求項２】 ＩＣが複数個実装される基板を保持する
ステージ内に、個別に加熱ヒーターが組み込まれた複数
個の加熱ツールを有し、ＩＣ実装時に実装部分の加熱ヒ
ーターのみを通電して局所的に加熱し、順次ＩＣを基板
に実装することを特徴とする請求項１記載の基板加熱方
法 - 【請求項３】 ＩＣが複数個実装される基板を保持する
ステージ内に、基板の直下で上下および前後左右に移動
可能な加熱ツールを有し、前記加熱ツールが基板の実装
部分に移動して基板に接触することにより、ＩＣの実装
時に実装部分のみを局所的に加熱し、順次ＩＣを基板に
実装することを特徴とする請求項１記載の基板加熱方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13957597A JP3442615B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 基板加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13957597A JP3442615B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 基板加熱方法 |
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