JPH10330160A - 誘電体磁器及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10330160A JPH10330160A JP9157671A JP15767197A JPH10330160A JP H10330160 A JPH10330160 A JP H10330160A JP 9157671 A JP9157671 A JP 9157671A JP 15767197 A JP15767197 A JP 15767197A JP H10330160 A JPH10330160 A JP H10330160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase portion
- additive component
- ferroelectric phase
- component
- main component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強誘電体相部分と常誘電体相部分とが共存す
るコアシェル構造の誘電体磁器において、Ｍｎ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗによって
耐還元性を充分に向上させることができなかった。 【解決手段】 ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 にＭｎＯを添加し
たものを仮焼してＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 を得る。この
仮焼後のＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 に、ＭｎＯ、ＭｇＯ、
Ｄｙ2 Ｏ3 、及びＬｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋ＢａＯガラス成
分を加えて仮焼した材料でグリーンシートを作り、この
グリーンシートを使用して積層コンデンサの積層体を作
る。積層体を還元性雰囲気で焼成し、しかる後、酸化処
理を行う。これにより、Ｍｎが結晶粒の強誘電体相部分
（コア）と常誘電体相部分（シェル）との両方にほぼ均
一に分布し、絶縁破壊電圧が高くなる。
るコアシェル構造の誘電体磁器において、Ｍｎ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗによって
耐還元性を充分に向上させることができなかった。 【解決手段】 ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 にＭｎＯを添加し
たものを仮焼してＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 を得る。この
仮焼後のＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 に、ＭｎＯ、ＭｇＯ、
Ｄｙ2 Ｏ3 、及びＬｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋ＢａＯガラス成
分を加えて仮焼した材料でグリーンシートを作り、この
グリーンシートを使用して積層コンデンサの積層体を作
る。積層体を還元性雰囲気で焼成し、しかる後、酸化処
理を行う。これにより、Ｍｎが結晶粒の強誘電体相部分
（コア）と常誘電体相部分（シェル）との両方にほぼ均
一に分布し、絶縁破壊電圧が高くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサ等のための誘電体磁器及びその製造方法に関する。
ンサ等のための誘電体磁器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層コンデンサなどに用いられるＢａＴ
ｉＯ3 を主成分とする誘電体磁器において、高い誘電率
と良好な温度特性を得るために、強誘電体相部分（コ
ア）を常誘電体相部分（シェル）で包囲したコアシェル
構造の結晶粒とすることが提案されている。他方、Ｎｉ
等の卑金属の内部電極を有する積層コンデンサを形成す
るために還元性雰囲気（非酸化性雰囲気）で焼成するこ
とが必要になり、誘電体磁器の耐還元性を向上させるた
めに、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｗのような＋３価になり得る遷移金属元素を
ＢａＴｉＯ3 に添加することが知られている。この遷移
金属元素はＴｉサイトに入り、アクセプタとなり、耐還
元性の向上に寄与する。
ｉＯ3 を主成分とする誘電体磁器において、高い誘電率
と良好な温度特性を得るために、強誘電体相部分（コ
ア）を常誘電体相部分（シェル）で包囲したコアシェル
構造の結晶粒とすることが提案されている。他方、Ｎｉ
等の卑金属の内部電極を有する積層コンデンサを形成す
るために還元性雰囲気（非酸化性雰囲気）で焼成するこ
とが必要になり、誘電体磁器の耐還元性を向上させるた
めに、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｗのような＋３価になり得る遷移金属元素を
ＢａＴｉＯ3 に添加することが知られている。この遷移
金属元素はＴｉサイトに入り、アクセプタとなり、耐還
元性の向上に寄与する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、耐還元性向上
用の金属元素又はこの酸化物を仮焼後の主成分ＢａＴｉ
Ｏ3 に対してコアシェル構造用のＭｇＯ、低融点ガラス
成分（例えばＬｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋ＢａＯ）と共に添加
したために、耐還元性向上用金属元素が結晶粒の中央側
の強誘電体相部分（コア）に充分に分布せず、強誘電体
相部分において耐還元性向上効果を充分に得ることがで
きず、ここが半導体化して低抵抗になり、絶縁破壊電圧
を十分に高くすることが困難であった。
用の金属元素又はこの酸化物を仮焼後の主成分ＢａＴｉ
Ｏ3 に対してコアシェル構造用のＭｇＯ、低融点ガラス
成分（例えばＬｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋ＢａＯ）と共に添加
したために、耐還元性向上用金属元素が結晶粒の中央側
の強誘電体相部分（コア）に充分に分布せず、強誘電体
相部分において耐還元性向上効果を充分に得ることがで
きず、ここが半導体化して低抵抗になり、絶縁破壊電圧
を十分に高くすることが困難であった。
【０００４】そこで、本発明の目的は絶縁破壊電圧の向
上を図ることができる誘電体磁器及びその製造方法を提
供することにある。
上を図ることができる誘電体磁器及びその製造方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、ＡＢＯ3 ｛ここでＡは
Ｂａ、Ｂａ＋Ｃａ、Ｂａ＋Ｓｒ及びＢａ＋Ｃａ＋Ｓｒか
ら選択された１種、ＢはＴｉ、Ｔｉ＋Ｚｒ、Ｔｉ＋Ｒ及
びＴｉ＋Ｚｒ＋Ｒから選択された１種（但しＲはＳｃ、
Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｌｕ
等の１種以上の希土類元素である。）、Ｏは酸素を示
す。｝を主成分とし、且つ強誘電体相部分とこの強誘電
体相部分を囲む常誘電体相部分とを有する構造の誘電体
磁器において、Ｍｎ（マンガン）、Ｖ（バナジウム）、
Ｃｒ（クロム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケ
ル）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデ
ン）、Ｔａ（タンタル）及びＷ（タングステン）から選
択された１種以上の添加成分が、結晶粒の粒界から中心
までの全域にほぼ均一に分布している誘電体磁器に係わ
るものである。なお、本発明におけるほぼ均一に分布と
は、実質的な均一分布状態は勿論のこと、請求項２に示
すように、添加成分の強誘電体相部分（コア）における
最低濃度が常誘電体相部分（シェル）における最低濃度
の１／１０以上のような分布状態も意味している。本発
明に従う製造方法の発明は、Ｂａ又はこの化合物、Ｔｉ
又はこの化合物、Ｍ｛但し、ＭはＭｎ（マンガン）、Ｖ
（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｏ（コバルト）、
Ｎｉ（ニッケル）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ
（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）及びＷ（タングステ
ン）から選択された１種以上の成分｝又はこの化合物か
らなる第１の磁器材料を仮焼してＢａ（Ｔｉ1-x Ｍx ）
Ｏ3（但しｘは１よりも小さい数値）で示すことができ
る主成分を得る第１の工程と、前記主成分に対してＭｇ
又はこの化合物、ＭｎＯ（酸化マンガン）、Ｄｙ2 Ｏ3
（酸化ジスプロシウム）、Ｌｉ2 Ｏ（酸化リチウム）、
ＳｉＯ2 （酸化ケイ素）、ＢａＯ（酸化バリウム）、Ｂ
2 Ｏ3 （酸化ホウ素）から選択された少なくとも１種を
含む添加成分を混合する第２の工程と、前記主成分と前
記添加成分との混合物を還元性雰囲気中で焼成する第３
の工程とを含んで強誘電体相部分とこの強誘電体相部分
を囲む常誘電体相部分とから成る結晶粒を有し且つ前記
添加成分が前記結晶粒の全体にほぼ均一に分布している
誘電体磁器を製造する方法に係わるものである。なお、
Ｌｉ2 Ｏ、ＳｉＯ2 、ＢａＯ、Ｂ2 Ｏ3 は低融点ガラス
として混合するものであり、Ｌｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋Ｂａ
Ｏ＋Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏ
＋ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏ＋ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏ＋
Ｂ2 Ｏ3 、ＢａＯ＋ＳｉＯ2 等の状態で混合される。ま
た、添加成分として更にＡｌ2 Ｏ3 等を加えることがで
きる。なお、請求項４に示すように、主成分と添加成分
との混合物を仮焼する工程を設けることができる。ま
た、請求項５に示すように還元性雰囲気での焼成後に酸
化性雰囲気で熱処理する工程を設けることができる。
目的を達成するための本発明は、ＡＢＯ3 ｛ここでＡは
Ｂａ、Ｂａ＋Ｃａ、Ｂａ＋Ｓｒ及びＢａ＋Ｃａ＋Ｓｒか
ら選択された１種、ＢはＴｉ、Ｔｉ＋Ｚｒ、Ｔｉ＋Ｒ及
びＴｉ＋Ｚｒ＋Ｒから選択された１種（但しＲはＳｃ、
Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｌｕ
等の１種以上の希土類元素である。）、Ｏは酸素を示
す。｝を主成分とし、且つ強誘電体相部分とこの強誘電
体相部分を囲む常誘電体相部分とを有する構造の誘電体
磁器において、Ｍｎ（マンガン）、Ｖ（バナジウム）、
Ｃｒ（クロム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケ
ル）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデ
ン）、Ｔａ（タンタル）及びＷ（タングステン）から選
択された１種以上の添加成分が、結晶粒の粒界から中心
までの全域にほぼ均一に分布している誘電体磁器に係わ
るものである。なお、本発明におけるほぼ均一に分布と
は、実質的な均一分布状態は勿論のこと、請求項２に示
すように、添加成分の強誘電体相部分（コア）における
最低濃度が常誘電体相部分（シェル）における最低濃度
の１／１０以上のような分布状態も意味している。本発
明に従う製造方法の発明は、Ｂａ又はこの化合物、Ｔｉ
又はこの化合物、Ｍ｛但し、ＭはＭｎ（マンガン）、Ｖ
（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｏ（コバルト）、
Ｎｉ（ニッケル）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ
（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）及びＷ（タングステ
ン）から選択された１種以上の成分｝又はこの化合物か
らなる第１の磁器材料を仮焼してＢａ（Ｔｉ1-x Ｍx ）
Ｏ3（但しｘは１よりも小さい数値）で示すことができ
る主成分を得る第１の工程と、前記主成分に対してＭｇ
又はこの化合物、ＭｎＯ（酸化マンガン）、Ｄｙ2 Ｏ3
（酸化ジスプロシウム）、Ｌｉ2 Ｏ（酸化リチウム）、
ＳｉＯ2 （酸化ケイ素）、ＢａＯ（酸化バリウム）、Ｂ
2 Ｏ3 （酸化ホウ素）から選択された少なくとも１種を
含む添加成分を混合する第２の工程と、前記主成分と前
記添加成分との混合物を還元性雰囲気中で焼成する第３
の工程とを含んで強誘電体相部分とこの強誘電体相部分
を囲む常誘電体相部分とから成る結晶粒を有し且つ前記
添加成分が前記結晶粒の全体にほぼ均一に分布している
誘電体磁器を製造する方法に係わるものである。なお、
Ｌｉ2 Ｏ、ＳｉＯ2 、ＢａＯ、Ｂ2 Ｏ3 は低融点ガラス
として混合するものであり、Ｌｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋Ｂａ
Ｏ＋Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ2 ＋ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏ
＋ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏ＋ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏ＋
Ｂ2 Ｏ3 、ＢａＯ＋ＳｉＯ2 等の状態で混合される。ま
た、添加成分として更にＡｌ2 Ｏ3 等を加えることがで
きる。なお、請求項４に示すように、主成分と添加成分
との混合物を仮焼する工程を設けることができる。ま
た、請求項５に示すように還元性雰囲気での焼成後に酸
化性雰囲気で熱処理する工程を設けることができる。
【０００６】
【発明の作用及び効果】各請求項の発明によれば、耐還
元性を向上させる添加成分が結晶粒の全体にほぼ均一に
分布した状態となるために、強誘電体相部分が高抵抗と
なり、絶縁破壊電圧が高くなる。
元性を向上させる添加成分が結晶粒の全体にほぼ均一に
分布した状態となるために、強誘電体相部分が高抵抗と
なり、絶縁破壊電圧が高くなる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例を説明す
る。まず、主成分を得るためにの出発原料として純度９
９．０％以上のＢａＣＯ3（炭酸バリウム）、ＴｉＯ2
（二酸化チタン）、ＭｎＯ（酸化マンガン）を準備し、
これ等の原料をＢａ1.00（Ｔｉ1.00-xＭｎx ）Ｏ3 （但
し、ｘは０．００１である。）の組成式に従う主成分を
得ることができる割合に秤量した。次に、この秤量物を
ウレタンボールを用いたボールミルで湿式混合し、水分
を蒸発、乾燥した後、大気中（酸化性雰囲気中）、１２
００℃で仮焼を行い、上記組成式に従う仮焼後の主成分
を得た。
る。まず、主成分を得るためにの出発原料として純度９
９．０％以上のＢａＣＯ3（炭酸バリウム）、ＴｉＯ2
（二酸化チタン）、ＭｎＯ（酸化マンガン）を準備し、
これ等の原料をＢａ1.00（Ｔｉ1.00-xＭｎx ）Ｏ3 （但
し、ｘは０．００１である。）の組成式に従う主成分を
得ることができる割合に秤量した。次に、この秤量物を
ウレタンボールを用いたボールミルで湿式混合し、水分
を蒸発、乾燥した後、大気中（酸化性雰囲気中）、１２
００℃で仮焼を行い、上記組成式に従う仮焼後の主成分
を得た。
【０００８】次に上記仮焼後の主成分１００モル部に対
して添加成分としてＭｎＯを０．１モル部とＭｇＯ（酸
化マグネシウム）を０．３モル部とＤｙ2 Ｏ3 （酸化ジ
スプロシウム）を１．０モル部加えた混合物を用意し、
更にこの混合物１００重量部に対してＬｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ
2 ＋ＢａＯから成る低融点ガラス成分を１重量部加えた
磁器原料混合物を得た。なお、ガラス成分の組成は、Ｌ
ｉ2 Ｏ ２０モル％、ＳｉＯ2 ６０モル％、ＢａＯ
２０モル％である。
して添加成分としてＭｎＯを０．１モル部とＭｇＯ（酸
化マグネシウム）を０．３モル部とＤｙ2 Ｏ3 （酸化ジ
スプロシウム）を１．０モル部加えた混合物を用意し、
更にこの混合物１００重量部に対してＬｉ2 Ｏ＋ＳｉＯ
2 ＋ＢａＯから成る低融点ガラス成分を１重量部加えた
磁器原料混合物を得た。なお、ガラス成分の組成は、Ｌ
ｉ2 Ｏ ２０モル％、ＳｉＯ2 ６０モル％、ＢａＯ
２０モル％である。
【０００９】次に、上記磁器原料混合物を再びウレタン
ボールを用いたボールミルで十分湿式分散して粉砕物を
作製した。次に、この粉砕物を再び大気中（酸化性雰囲
気中）、１０００℃で仮焼した。
ボールを用いたボールミルで十分湿式分散して粉砕物を
作製した。次に、この粉砕物を再び大気中（酸化性雰囲
気中）、１０００℃で仮焼した。
【００１０】次に、仮焼後の磁器原料混合物に有機系バ
インダ、可塑材を添加しボールミルで十分攪拌した後、
ドクターブレード法によりシート化してセラミックグリ
ーンシートを形成した。次に、グリーンシートの一面に
内部電極形成用導電性ペーストを印刷し、乾燥後５０層
になるように積層した後、圧着することで積層体を得
た。次に、この積層体を格子状に裁断した後、３００
℃、２時間の熱処理で有機バインダを燃焼させた。次
に、この積層体をＮ2 （９８体積％）＋Ｈ2 （２体積
％）の還元性雰囲気中で１２００℃、２時間焼成し、続
いて酸化性雰囲気中で６００℃、３０分の熱処理を施し
て積層焼結体チップを得た。
インダ、可塑材を添加しボールミルで十分攪拌した後、
ドクターブレード法によりシート化してセラミックグリ
ーンシートを形成した。次に、グリーンシートの一面に
内部電極形成用導電性ペーストを印刷し、乾燥後５０層
になるように積層した後、圧着することで積層体を得
た。次に、この積層体を格子状に裁断した後、３００
℃、２時間の熱処理で有機バインダを燃焼させた。次
に、この積層体をＮ2 （９８体積％）＋Ｈ2 （２体積
％）の還元性雰囲気中で１２００℃、２時間焼成し、続
いて酸化性雰囲気中で６００℃、３０分の熱処理を施し
て積層焼結体チップを得た。
【００１１】次に、積層焼結体チップの一対の側面に導
電性ペーストを塗布して内部電極に接続された一対の外
部電極を形成して試料No．１の積層コンデンサを完成さ
せた。なお、試料No. １の積層コンデンサは同一ロット
で５０個製作した。従って、この試料No. １及び別の試
料No. における特性評価は５０個の平均値で行われてい
る。
電性ペーストを塗布して内部電極に接続された一対の外
部電極を形成して試料No．１の積層コンデンサを完成さ
せた。なお、試料No. １の積層コンデンサは同一ロット
で５０個製作した。従って、この試料No. １及び別の試
料No. における特性評価は５０個の平均値で行われてい
る。
【００１２】試料No. １の積層コンデンサの誘電体磁器
は一般にコアシェル構造と呼ばれている誘電体磁器であ
って、図１に示すように多数の結晶粒１の集合から成
る。各結晶粒１は中央の強誘電体相部分（コア）２とこ
れを囲む常誘電体相部分（シェル）３とから成る。常誘
電体相部分３はＭｇの拡散層領域に相当する。
は一般にコアシェル構造と呼ばれている誘電体磁器であ
って、図１に示すように多数の結晶粒１の集合から成
る。各結晶粒１は中央の強誘電体相部分（コア）２とこ
れを囲む常誘電体相部分（シェル）３とから成る。常誘
電体相部分３はＭｇの拡散層領域に相当する。
【００１３】試料No. １の積層コンデンサの絶縁破壊電
圧（ＢＤＶ）を２５℃の温度条件で、１秒間に１０Ｖの
速度で印加電圧を上昇させながら測定したところ、比較
的高い４７０Ｖであった。
圧（ＢＤＶ）を２５℃の温度条件で、１秒間に１０Ｖの
速度で印加電圧を上昇させながら測定したところ、比較
的高い４７０Ｖであった。
【００１４】試料No. １の誘電体磁器の結晶粒内のＭｎ
（マンガン）の分布状態を電界放射型透過電子顕微鏡
（日立製ＨＦ−２０００）を使用して加速電圧２００ｋ
Ｖ、倍率４００００で撮影して調べた。即ち、１個の結
晶粒に着目し、この粒界から中心に向かって１０、３
０、５０、７０、９０、１１０、１３０、１５０、１７
０（ｎｍ）の位置で元素分析を行い、Ｍｎの濃度を求め
たところ、図２の分布線Ａに示す結果が得られた。な
お、測定結晶粒の径は３４０ｎｍである。また、常誘電
体相部分３の粒界からの深さは約４０ｎｍであった。図
２の分布線Ａから明らかなようにＭｎの量は１０ｎｍの
位置で約０．７mol％であり、他よりも少し高いが、そ
の他の各位置では０．１〜０．２mol ％であり、ほぼ均
一な分布になる。即ちＭｎが結晶粒の全領域に分布し、
且つ最低濃度が最高濃度の１／１０以上の値を有するよ
うにほぼ均一に分布している。また、常誘電体相部分３
の粒界からの深さは約４０ｎｍであるので、Ｍｎは常誘
電体相部分３のみではなく、強誘電体相部分２において
も比較的高い濃度でほぼ均一に分布している。即ち、強
誘電体相部分２のＭｎの最低濃度は常誘電体相部分３の
Ｍｎの最高濃度の１／１０以上の値を有しているので強
誘電体相部分２にも充分にＭｎが分布している。強誘電
体相部分２に耐還元性向上の添加成分（Ｍｎ）が充分に
分布することにより、耐還元性が向上し、強誘電体相部
分２が充分に絶縁化され、高い絶縁破壊電圧を得ること
ができる。
（マンガン）の分布状態を電界放射型透過電子顕微鏡
（日立製ＨＦ−２０００）を使用して加速電圧２００ｋ
Ｖ、倍率４００００で撮影して調べた。即ち、１個の結
晶粒に着目し、この粒界から中心に向かって１０、３
０、５０、７０、９０、１１０、１３０、１５０、１７
０（ｎｍ）の位置で元素分析を行い、Ｍｎの濃度を求め
たところ、図２の分布線Ａに示す結果が得られた。な
お、測定結晶粒の径は３４０ｎｍである。また、常誘電
体相部分３の粒界からの深さは約４０ｎｍであった。図
２の分布線Ａから明らかなようにＭｎの量は１０ｎｍの
位置で約０．７mol％であり、他よりも少し高いが、そ
の他の各位置では０．１〜０．２mol ％であり、ほぼ均
一な分布になる。即ちＭｎが結晶粒の全領域に分布し、
且つ最低濃度が最高濃度の１／１０以上の値を有するよ
うにほぼ均一に分布している。また、常誘電体相部分３
の粒界からの深さは約４０ｎｍであるので、Ｍｎは常誘
電体相部分３のみではなく、強誘電体相部分２において
も比較的高い濃度でほぼ均一に分布している。即ち、強
誘電体相部分２のＭｎの最低濃度は常誘電体相部分３の
Ｍｎの最高濃度の１／１０以上の値を有しているので強
誘電体相部分２にも充分にＭｎが分布している。強誘電
体相部分２に耐還元性向上の添加成分（Ｍｎ）が充分に
分布することにより、耐還元性が向上し、強誘電体相部
分２が充分に絶縁化され、高い絶縁破壊電圧を得ること
ができる。
【００１５】比較のために試料No. １における主成分の
原料からＭｎＯを省いたＢａＣＯ3とＴｉＯ2 を用意
し、これ等をＢａ1.00Ｔｉ1.00Ｏ3 と成るように秤量
し、試料No. １と同様に仮焼し、これに対してＭｎＯを
０．２モル部に変えた他は試料No. １と同一の添加成分
を加えて試料No. １と同一の方法で試料No. ２の積層コ
ンデンサを製作した。なお、添加成分としてＭｎＯを
０．２モル部加えているので、試料No. ２のＭｎのト−
タルの量は試料No. １と同一である。しかる後、試料N
o. ２について試料No. １と同様に絶縁破壊電圧を測定
したところ２９５Ｖであり、試料No. １よりも大幅に低
かった。また、試料No. ２の誘電体磁器についても試料
No. １と同様に結晶粒におけるＭｎの分布を調べたとこ
ろ、図２の分布線Ｂになった。この分布線Ｂから明らか
なように粒界から５０ｎｍ以上の位置即ち強誘電体相部
分のＭｎの量は０．０００１モル部以下となり、２０ｎ
ｍの位置のＭｎの量よりも大幅に低くなる。これによ
り、Ｍｎによって強誘電体相部分の耐還元性の向上を図
ることができず、強誘電体相部分が高抵抗にならず、絶
縁破壊電圧が比較的低い値になる。
原料からＭｎＯを省いたＢａＣＯ3とＴｉＯ2 を用意
し、これ等をＢａ1.00Ｔｉ1.00Ｏ3 と成るように秤量
し、試料No. １と同様に仮焼し、これに対してＭｎＯを
０．２モル部に変えた他は試料No. １と同一の添加成分
を加えて試料No. １と同一の方法で試料No. ２の積層コ
ンデンサを製作した。なお、添加成分としてＭｎＯを
０．２モル部加えているので、試料No. ２のＭｎのト−
タルの量は試料No. １と同一である。しかる後、試料N
o. ２について試料No. １と同様に絶縁破壊電圧を測定
したところ２９５Ｖであり、試料No. １よりも大幅に低
かった。また、試料No. ２の誘電体磁器についても試料
No. １と同様に結晶粒におけるＭｎの分布を調べたとこ
ろ、図２の分布線Ｂになった。この分布線Ｂから明らか
なように粒界から５０ｎｍ以上の位置即ち強誘電体相部
分のＭｎの量は０．０００１モル部以下となり、２０ｎ
ｍの位置のＭｎの量よりも大幅に低くなる。これによ
り、Ｍｎによって強誘電体相部分の耐還元性の向上を図
ることができず、強誘電体相部分が高抵抗にならず、絶
縁破壊電圧が比較的低い値になる。
【００１６】Ｍｎの代りにＶ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆ
ｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの耐還元性向上元素を添加す
る場合にもＭｎの場合と同様な作用効果が得られること
を確かめるために、Ｍｎを上記各元素に置き換えた他は
試料No. １及びNo. ２と同一の積層コンデンサを製作
し、同一の方法で絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を測定したと
ころ次の結果が得られた。
ｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの耐還元性向上元素を添加す
る場合にもＭｎの場合と同様な作用効果が得られること
を確かめるために、Ｍｎを上記各元素に置き換えた他は
試料No. １及びNo. ２と同一の積層コンデンサを製作
し、同一の方法で絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を測定したと
ころ次の結果が得られた。
【００１７】Ｖを試料No．１と同様に使用した本発明に
従う積層コンデンサのＢＤＶは４１２Ｖであり、Ｖを試
料No. ２と同様に使用した比較例の積層コンデンサのＢ
ＤＶは２７６Ｖであった。また、Ｃｒを試料No. １と同
様に使用した本発明に従う積層コンデンサのＢＤＶは３
９０Ｖであり、Ｃｒを試料No. ２と同様に使用した比較
例に従う積層コンデンサのＢＤＶは２６８Ｖであった。
また、Ｃｏを試料No. １と同様に使用した本発明に従う
積層コンデンサのＢＤＶは３７０Ｖであり、Ｃｏを試料
No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデンサの
ＢＤＶは２５４Ｖであった。また、Ｎｉを試料No. １と
同様に使用した本発明に従う積層コンデンサのＢＤＶは
３９８Ｖであり、Ｎｉを試料No. ２と同様に使用した比
較例に従う積層コンデンサのＢＤＶは２７６Ｖであっ
た。また、Ｆｅを試料No. １と同様に使用した本発明に
従う積層コンデンサのＢＤＶは２４３Ｖであり、Ｆｅを
試料No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデン
サのＢＤＶは１８６Ｖであった。また、Ｎｂを試料No.
１と同様に使用した本発明に従う積層コンデンサのＢＤ
Ｖは２８９Ｖであり、Ｎｂを試料No. ２と同様に使用し
た比較例に従う積層コンデンサのＢＤＶは２０１Ｖであ
った。また、Ｍｏを試料No. １と同様に使用した本発明
に従う積層コンデンサのＢＤＶは２７８Ｖであり、Ｍｏ
を試料No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデ
ンサのＢＤＶは１８９Ｖであった。また、Ｔａを試料N
o. １と同様に使用した本発明に従う積層コンデンサの
ＢＤＶは２５４Ｖであり、Ｔａを試料No. ２と同様に使
用した比較例に従う積層コンデンサのＢＤＶは１７８Ｖ
であった。また、Ｗを試料No. １と同様に使用した本発
明に従う積層コンデンサのＢＤＶは２６９Ｖであり、Ｗ
を試料No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデ
ンサのＢＤＶは２０１Ｖであった。
従う積層コンデンサのＢＤＶは４１２Ｖであり、Ｖを試
料No. ２と同様に使用した比較例の積層コンデンサのＢ
ＤＶは２７６Ｖであった。また、Ｃｒを試料No. １と同
様に使用した本発明に従う積層コンデンサのＢＤＶは３
９０Ｖであり、Ｃｒを試料No. ２と同様に使用した比較
例に従う積層コンデンサのＢＤＶは２６８Ｖであった。
また、Ｃｏを試料No. １と同様に使用した本発明に従う
積層コンデンサのＢＤＶは３７０Ｖであり、Ｃｏを試料
No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデンサの
ＢＤＶは２５４Ｖであった。また、Ｎｉを試料No. １と
同様に使用した本発明に従う積層コンデンサのＢＤＶは
３９８Ｖであり、Ｎｉを試料No. ２と同様に使用した比
較例に従う積層コンデンサのＢＤＶは２７６Ｖであっ
た。また、Ｆｅを試料No. １と同様に使用した本発明に
従う積層コンデンサのＢＤＶは２４３Ｖであり、Ｆｅを
試料No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデン
サのＢＤＶは１８６Ｖであった。また、Ｎｂを試料No.
１と同様に使用した本発明に従う積層コンデンサのＢＤ
Ｖは２８９Ｖであり、Ｎｂを試料No. ２と同様に使用し
た比較例に従う積層コンデンサのＢＤＶは２０１Ｖであ
った。また、Ｍｏを試料No. １と同様に使用した本発明
に従う積層コンデンサのＢＤＶは２７８Ｖであり、Ｍｏ
を試料No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデ
ンサのＢＤＶは１８９Ｖであった。また、Ｔａを試料N
o. １と同様に使用した本発明に従う積層コンデンサの
ＢＤＶは２５４Ｖであり、Ｔａを試料No. ２と同様に使
用した比較例に従う積層コンデンサのＢＤＶは１７８Ｖ
であった。また、Ｗを試料No. １と同様に使用した本発
明に従う積層コンデンサのＢＤＶは２６９Ｖであり、Ｗ
を試料No. ２と同様に使用した比較例に従う積層コンデ
ンサのＢＤＶは２０１Ｖであった。
【００１８】上述から明らかなように、Ｍｎ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの内１種
類を、結晶粒内にほぼ均一に存在させることによって強
誘電体相部分（コア）の半導体化を抑制でき、耐還元
性、再酸化性が向上し、積層コンデンサの絶縁破壊電圧
を向上させることができる。
ｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの内１種
類を、結晶粒内にほぼ均一に存在させることによって強
誘電体相部分（コア）の半導体化を抑制でき、耐還元
性、再酸化性が向上し、積層コンデンサの絶縁破壊電圧
を向上させることができる。
【００１９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 実施例では、固相合成法でＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）
Ｏ3 を合成したがこの製造方法は特に限定されず、その
他の合成方法（水熱合成法、共沈法、アルカリ加水分解
法等の合成方法）にも応用できる。水熱合成法による場
合には、例えば出発原料として水酸化バリウムＢａ（Ｏ
Ｈ）2 、チタニウム−テトラ−イソ−プロポオキシド
｛（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 Ｏ｝Ｔｉ、酢酸マンガン（ＣＨ3
ＣＯＯ）2Ｍｎの３種類を準備する。溶媒として純水を
準備してオートクレープ内で混合して温度＝１００〜２
００℃、時間＝１２〜２４ｈｒで加熱する。その後、溶
液を瀘過、乾燥することでＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 を得
る。 （２） 実施例での添加物は、酸化物で用いたが、例え
ば硝酸塩、炭酸塩、水酸化物、蟻酸塩、酢酸塩等の少な
くとも１種類を用いることができる。 （３） Ｂａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 を得るための仮焼温度
を例えば１０００〜１２５０℃のような範囲で変えるこ
とができる。また、還元性雰囲気での焼成温度を例えば
１１８０〜１２５０℃のような範囲で変えることができ
る。また、焼成後の酸化処理の温度も例えば５００〜９
００℃の範囲で変えることができる。 （４） Ｍｇの拡散の深さ即ち常誘電体相部分３の深さ
を結晶粒１の径に対して５〜３０％の範囲に収めるよう
に制御して静電容量の温度特性を良好にすることができ
る。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 実施例では、固相合成法でＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）
Ｏ3 を合成したがこの製造方法は特に限定されず、その
他の合成方法（水熱合成法、共沈法、アルカリ加水分解
法等の合成方法）にも応用できる。水熱合成法による場
合には、例えば出発原料として水酸化バリウムＢａ（Ｏ
Ｈ）2 、チタニウム−テトラ−イソ−プロポオキシド
｛（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 Ｏ｝Ｔｉ、酢酸マンガン（ＣＨ3
ＣＯＯ）2Ｍｎの３種類を準備する。溶媒として純水を
準備してオートクレープ内で混合して温度＝１００〜２
００℃、時間＝１２〜２４ｈｒで加熱する。その後、溶
液を瀘過、乾燥することでＢａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 を得
る。 （２） 実施例での添加物は、酸化物で用いたが、例え
ば硝酸塩、炭酸塩、水酸化物、蟻酸塩、酢酸塩等の少な
くとも１種類を用いることができる。 （３） Ｂａ（Ｔｉ、Ｍｎ）Ｏ3 を得るための仮焼温度
を例えば１０００〜１２５０℃のような範囲で変えるこ
とができる。また、還元性雰囲気での焼成温度を例えば
１１８０〜１２５０℃のような範囲で変えることができ
る。また、焼成後の酸化処理の温度も例えば５００〜９
００℃の範囲で変えることができる。 （４） Ｍｇの拡散の深さ即ち常誘電体相部分３の深さ
を結晶粒１の径に対して５〜３０％の範囲に収めるよう
に制御して静電容量の温度特性を良好にすることができ
る。
【図１】磁器誘電体のコアシェル構造を原理的に示す断
面図である。
面図である。
【図２】実施例と比較例における結晶粒内におけるＭｎ
の分布を示す図である。
の分布を示す図である。
１ 結晶粒 ２ 強誘電体相部分（コア） ３ 常誘電体相部分（シェル）
Claims (5)
- 【請求項１】 ＡＢＯ3 ｛ここでＡはＢａ、Ｂａ＋Ｃ
ａ、Ｂａ＋Ｓｒ及びＢａ＋Ｃａ＋Ｓｒから選択された１
種、ＢはＴｉ、Ｔｉ＋Ｚｒ、Ｔｉ＋Ｒ及びＴｉ＋Ｚｒ＋
Ｒから選択された１種（但しＲはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｌｕ等の１種以上
の希土類元素である。）、Ｏは酸素を示す。｝を主成分
とし、且つ強誘電体相部分とこの強誘電体相部分を囲む
常誘電体相部分とを有する構造の誘電体磁器において、 Ｍｎ（マンガン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロ
ム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｆｅ
（鉄）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ
（タンタル）及びＷ（タングステン）から選択された１
種以上の添加成分が、結晶粒の粒界から中心までの全域
にほぼ均一に分布していることを特徴とする誘電体磁
器。 - 【請求項２】 前記添加成分の前記強誘電体相部分にお
ける最低濃度が前記添加成分の前記常誘電体相部分にお
ける最高濃度の１／１０以上となるよう前記添加成分が
分布していることを特徴とする請求項１記載の誘電体磁
器。 - 【請求項３】 Ｂａ又はこの化合物、Ｔｉ又はこの化合
物、Ｍ｛但し、ＭはＭｎ（マンガン）、Ｖ（バナジウ
ム）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッ
ケル）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデ
ン）、Ｔａ（タンタル）及びＷ（タングステン）から選
択された１種以上の成分｝又はこの化合物からなる第１
の磁器材料を仮焼してＢａ（Ｔｉ1-x Ｍx ）Ｏ3 （但し
ｘは１よりも小さい数値）で示すことができる主成分を
得る第１の工程と、 前記主成分に対してＭｇ又はこの化合物、ＭｎＯ、Ｄｙ
2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏ、ＳｉＯ2 、ＢａＯ、Ｂ2 Ｏ3 から選
択された少なくとも１種を含む添加成分を混合する第２
の工程と、 前記主成分と前記添加成分との混合物を還元性雰囲気中
で焼成する第３の工程とを含んで強誘電体相部分とこの
強誘電体相部分を囲む常誘電体相部分とから成る結晶粒
を有し且つ前記添加成分が前記結晶粒の全体にほぼ均一
に分布している誘電体磁器を製造する方法。 - 【請求項４】 前記第２の工程と前記第３の工程との間
に前記主成分と前記添加成分の混合物を仮焼する工程を
有することを特徴とする請求項３記載の誘電体磁器の製
造方法。 - 【請求項５】 前記第３の工程の後に酸化性雰囲気中で
熱処理する工程を含むことを特徴とする請求項３又は４
記載の誘電体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15767197A JP3418091B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15767197A JP3418091B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10330160A true JPH10330160A (ja) | 1998-12-15 |
| JP3418091B2 JP3418091B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=15654846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15767197A Expired - Lifetime JP3418091B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3418091B2 (ja) |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048963A1 (fr) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique, son emploi dans un condensateur et son procede de fabrication |
| JP2002020165A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-23 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| US6479419B2 (en) | 1999-12-28 | 2002-11-12 | Tdk Corporation | Electronic device, dielectric ceramic composition, and method for producing same |
| US6489257B1 (en) | 1999-08-19 | 2002-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic material and monolithic ceramic electronic element |
| EP1128404A3 (en) * | 2000-02-28 | 2003-08-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Dielectric ceramics, multilayer ceramic electric parts and method for the manufacture thereof |
| KR100406818B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹, 유전체 세라믹의 생산 공정 및 다층세라믹 커패시터 |
| KR100443231B1 (ko) * | 2000-11-24 | 2004-08-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 캐패시터 |
| US6809052B2 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-26 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| WO2006035535A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 誘電体セラミック、誘電体セラミックの製造方法、及び積層セラミックコンデンサ |
| JP2006137647A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Japan Atomic Energy Agency | 誘電体磁器の評価方法 |
| JP2007001859A (ja) * | 1999-12-28 | 2007-01-11 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| KR100738760B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2007-07-12 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서와 그 제조 방법 |
| KR100859909B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2008-09-23 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 자기 콘덴서 |
| WO2010100827A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2011046605A (ja) * | 1999-12-28 | 2011-03-10 | Tdk Corp | 電子部品および誘電体磁器組成物 |
| JP2011079717A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2011132124A (ja) * | 2011-01-24 | 2011-07-07 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| JP2011195425A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2011201710A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| US8320103B2 (en) | 2009-07-22 | 2012-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| US8383536B2 (en) | 2009-07-22 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| JPWO2012008041A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2013-09-05 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法 |
| KR20160079630A (ko) | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| KR20160092906A (ko) | 2015-01-28 | 2016-08-05 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| KR20170064490A (ko) | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 재료 및 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2017228737A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法 |
| US9919970B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-03-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Dielectric material for multilayer ceramic capacitor, and multilayer ceramic capacitor |
| CN108558391A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-09-21 | 桂林电子科技大学 | 一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| CN112151267A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 三星电机株式会社 | 介电组合物和包括其的多层电子组件 |
| US11901132B2 (en) | 2021-05-27 | 2024-02-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device and manufacturing method of the same |
| US11967464B2 (en) | 2017-02-16 | 2024-04-23 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for selecting multilayer ceramic capacitor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102483896B1 (ko) | 2017-12-19 | 2022-12-30 | 삼성전자주식회사 | 세라믹 유전체 및 그 제조 방법, 세라믹 전자 부품 및 전자장치 |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP15767197A patent/JP3418091B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1120137C (zh) * | 1999-02-19 | 2003-09-03 | 松下电器产业株式会社 | 电介质陶瓷组合物、使用该组合物的电容器及其制造方法 |
| JP3838036B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物、これを用いたコンデンサおよびその製造方法 |
| WO2000048963A1 (fr) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique, son emploi dans un condensateur et son procede de fabrication |
| US6489257B1 (en) | 1999-08-19 | 2002-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic material and monolithic ceramic electronic element |
| DE10040414B4 (de) * | 1999-08-19 | 2008-06-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Dielelektrisches Keramikmaterial und elektrisches Bauelement |
| JP2011046605A (ja) * | 1999-12-28 | 2011-03-10 | Tdk Corp | 電子部品および誘電体磁器組成物 |
| JP4677961B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2011-04-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| US6479419B2 (en) | 1999-12-28 | 2002-11-12 | Tdk Corporation | Electronic device, dielectric ceramic composition, and method for producing same |
| JP2007001859A (ja) * | 1999-12-28 | 2007-01-11 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| KR100738760B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2007-07-12 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서와 그 제조 방법 |
| EP1128404A3 (en) * | 2000-02-28 | 2003-08-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Dielectric ceramics, multilayer ceramic electric parts and method for the manufacture thereof |
| JP2002020165A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-23 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| KR100406818B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹, 유전체 세라믹의 생산 공정 및 다층세라믹 커패시터 |
| KR100443231B1 (ko) * | 2000-11-24 | 2004-08-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 캐패시터 |
| KR100859909B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2008-09-23 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 자기 콘덴서 |
| US6809052B2 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-26 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| WO2006035535A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 誘電体セラミック、誘電体セラミックの製造方法、及び積層セラミックコンデンサ |
| JP2006137647A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Japan Atomic Energy Agency | 誘電体磁器の評価方法 |
| JP4701364B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2011-06-15 | 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 | 誘電体磁器の評価方法 |
| WO2010100827A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP5423785B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2014-02-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| US8320103B2 (en) | 2009-07-22 | 2012-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| US8383536B2 (en) | 2009-07-22 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| JP2011079717A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| US8318624B2 (en) | 2009-10-09 | 2012-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated capacitor |
| JP2011201710A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2011195425A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| US8488298B2 (en) | 2010-03-24 | 2013-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| JPWO2012008041A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2013-09-05 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法 |
| JP2011132124A (ja) * | 2011-01-24 | 2011-07-07 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| US9721727B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-08-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Multilayer ceramic capacitor |
| KR20160079630A (ko) | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2016127120A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR20160092906A (ko) | 2015-01-28 | 2016-08-05 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| US9666371B2 (en) | 2015-01-28 | 2017-05-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| KR20170064490A (ko) | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 재료 및 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2017108128A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体材料および積層セラミックコンデンサ |
| US9919970B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-03-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Dielectric material for multilayer ceramic capacitor, and multilayer ceramic capacitor |
| JP2017228737A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法 |
| KR20180001463A (ko) | 2016-06-24 | 2018-01-04 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서, 세라믹 분말, 및 그들의 제조 방법 |
| US11177073B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-11-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Manufacturing method of ceramic powder |
| US11756736B2 (en) | 2016-06-24 | 2023-09-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Manufacturing method of ceramic powder |
| US11967464B2 (en) | 2017-02-16 | 2024-04-23 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for selecting multilayer ceramic capacitor |
| CN108558391A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-09-21 | 桂林电子科技大学 | 一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| CN112151267A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 三星电机株式会社 | 介电组合物和包括其的多层电子组件 |
| US11538631B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-12-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition and multilayered electronic component comprising the same |
| US11984267B2 (en) | 2019-06-28 | 2024-05-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition and multilayered electronic component comprising the same |
| US11901132B2 (en) | 2021-05-27 | 2024-02-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device and manufacturing method of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3418091B2 (ja) | 2003-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3418091B2 (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JP3487539B2 (ja) | 誘電体磁器 | |
| CN102498081B (zh) | 介电陶瓷组成物和积层陶瓷电容器 | |
| CN100500610C (zh) | 电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器 | |
| US8040658B2 (en) | Semiconductor ceramic powder, semiconductor ceramic, and monolithic semiconductor ceramic capacitor | |
| KR102363231B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서, 세라믹 분말, 및 그들의 제조 방법 | |
| JP5322429B2 (ja) | 磁性体と誘電体との複合焼結体およびｌｃ複合電子部品 | |
| JP5078307B2 (ja) | 誘電体磁器およびその製法、ならびにコンデンサ | |
| JP2007031273A (ja) | 低温焼成用の誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP5210300B2 (ja) | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ | |
| TWI592961B (zh) | 積層陶瓷電容器 | |
| JP2002164247A (ja) | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JP4480367B2 (ja) | 誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法 | |
| US20110111947A1 (en) | Dielectric ceramic composition and electronic component | |
| JP2005277393A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 | |
| JP4522025B2 (ja) | 誘電体磁器及び積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法 | |
| JP2009073721A (ja) | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ | |
| KR20100133905A (ko) | 유전물질용 소결체 및 이의 제조 방법 | |
| JP5070841B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物、その製造方法及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP4582973B2 (ja) | 誘電体磁器及び積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法 | |
| JP5094283B2 (ja) | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2006232629A (ja) | 誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ | |
| KR20030094521A (ko) | 균일성 및 절연저항성이 증대된 유전체 조성물, 그제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서 | |
| JP4730796B2 (ja) | 誘電体セラミック原料粉末の製造方法および誘電体セラミック組成物 | |
| JPH0660721A (ja) | 誘電体磁器およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030319 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080411 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100411 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100411 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |