JPH1032119A - 磁気抵抗効果膜 - Google Patents
磁気抵抗効果膜Info
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンバルブ構造を有する磁気抵抗効果膜に
おいて、従来より高いＭＲ比を示す磁気抵抗効果膜を得
る。 【解決手段】 反強磁性層２，３、強磁性層４，５、非
磁性導電層６及び強磁性層７，８をこの順序で備える磁
気抵抗効果膜において、反強磁性層としてＮｉＯ層２と
ＮｉＣｏＯ層３の積層膜であり、ＮｉＣｏＯ層が強磁性
層側に設けられている積層膜を用いることを特徴として
いる。
おいて、従来より高いＭＲ比を示す磁気抵抗効果膜を得
る。 【解決手段】 反強磁性層２，３、強磁性層４，５、非
磁性導電層６及び強磁性層７，８をこの順序で備える磁
気抵抗効果膜において、反強磁性層としてＮｉＯ層２と
ＮｉＣｏＯ層３の積層膜であり、ＮｉＣｏＯ層が強磁性
層側に設けられている積層膜を用いることを特徴として
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果膜に
関するものであり、特にスピンバルブ構造を有する磁気
抵抗効果膜に関するものである。
関するものであり、特にスピンバルブ構造を有する磁気
抵抗効果膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）は、磁場
印加による磁気抵抗効果膜の電気抵抗の変化を検出する
ことにより、磁界強度及びその変化を測定するための素
子である。このような磁気抵抗効果素子を組み込んだ再
生ヘッド（ＭＲヘッド）は、従来の誘導型ヘッドに比べ
磁気感度が高いので、ハード・ディスク装置の再生ヘッ
ドとして検討されている。このようなＭＲヘッドの感度
を高めることにより、ハード・ディスク装置の面記録密
度を向上させることが可能になる。従って、感度に対応
するＭＲ比の高い磁気抵抗効果膜の開発が近年盛んに進
められている。
印加による磁気抵抗効果膜の電気抵抗の変化を検出する
ことにより、磁界強度及びその変化を測定するための素
子である。このような磁気抵抗効果素子を組み込んだ再
生ヘッド（ＭＲヘッド）は、従来の誘導型ヘッドに比べ
磁気感度が高いので、ハード・ディスク装置の再生ヘッ
ドとして検討されている。このようなＭＲヘッドの感度
を高めることにより、ハード・ディスク装置の面記録密
度を向上させることが可能になる。従って、感度に対応
するＭＲ比の高い磁気抵抗効果膜の開発が近年盛んに進
められている。
【０００３】大きなＭＲ比を示す素子として、巨大磁気
抵抗素子（ＧＭＲ素子）が知られており、このようなＧ
ＭＲ素子の１つの構造として、反強磁性層／強磁性層／
非磁性導電層／強磁性層からなる積層構造を有するスピ
ンバルブ膜が知られている。このようなスピンバルブ膜
において、ＮｉＯ／ＣｏＯの積層膜を反強磁性層として
用いた、ＮｉＯ／ＣｏＯ／Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃ
ｏ／Ｎｉ−Ｆｅの積層膜がＭＲ比約１１％を示すことが
報告されている（日経エレクトロニクス１９９６年２月
１２日号（No. ６５５）第１６頁）。このスピンバルブ
膜は、従来反強磁性層として一般的に用いられていたＦ
ｅ−Ｍｎに代えて、ＮｉＯとＣｏＯの積層膜を用いてい
るため、耐腐食性が向上し、また反強磁性層が酸化物層
であるので、より多くの電流を強磁性層／非磁性導電層
／強磁性層に流すことができ、感度を高めることができ
るとされている。
抵抗素子（ＧＭＲ素子）が知られており、このようなＧ
ＭＲ素子の１つの構造として、反強磁性層／強磁性層／
非磁性導電層／強磁性層からなる積層構造を有するスピ
ンバルブ膜が知られている。このようなスピンバルブ膜
において、ＮｉＯ／ＣｏＯの積層膜を反強磁性層として
用いた、ＮｉＯ／ＣｏＯ／Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃ
ｏ／Ｎｉ−Ｆｅの積層膜がＭＲ比約１１％を示すことが
報告されている（日経エレクトロニクス１９９６年２月
１２日号（No. ６５５）第１６頁）。このスピンバルブ
膜は、従来反強磁性層として一般的に用いられていたＦ
ｅ−Ｍｎに代えて、ＮｉＯとＣｏＯの積層膜を用いてい
るため、耐腐食性が向上し、また反強磁性層が酸化物層
であるので、より多くの電流を強磁性層／非磁性導電層
／強磁性層に流すことができ、感度を高めることができ
るとされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気記
録の分野においては、さらに高密度化が望まれており、
このような観点から、より高いＭＲ比を示すＭＲ素子の
開発が望まれている。
録の分野においては、さらに高密度化が望まれており、
このような観点から、より高いＭＲ比を示すＭＲ素子の
開発が望まれている。
【０００５】本発明の目的は、より高いＭＲ比を示す磁
気抵抗効果膜を提供することにある。
気抵抗効果膜を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に従う第１の局面
の磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導
電層及び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜で
あり、反強磁性層がＮｉＯ層とＮｉＣｏＯ層の積層膜で
あり、ＮｉＣｏＯ層が前記強磁性層側に設けられている
ことを特徴としている。
の磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導
電層及び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜で
あり、反強磁性層がＮｉＯ層とＮｉＣｏＯ層の積層膜で
あり、ＮｉＣｏＯ層が前記強磁性層側に設けられている
ことを特徴としている。
【０００７】ＮｉＯ層の膜厚としては、一般に２０〜６
０ｎｍ程度であり、ＮｉＣｏＯ層の膜厚としては、０．
５〜２ｎｍ程度である。本発明に従う第２の局面の磁気
抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層及
び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜であり、
反強磁性層がＮｉＣｏＯ層であることを特徴としてい
る。
０ｎｍ程度であり、ＮｉＣｏＯ層の膜厚としては、０．
５〜２ｎｍ程度である。本発明に従う第２の局面の磁気
抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層及
び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜であり、
反強磁性層がＮｉＣｏＯ層であることを特徴としてい
る。
【０００８】ＮｉＣｏＯ層の膜厚としては、一般に２０
〜６０ｎｍ程度である。本発明において用いられる強磁
性層は、キュリー温度が素子使用温度を超えた温度であ
る強磁性体から形成された層であれば特に限定されるも
のではない。具体的には、ＮｉＦｅ層とＣｏ層の積層膜
や、ＮｉＦｅ層、Ｃｏ層、これらの合金等からなる強磁
性層などが挙げられる。強磁性層の膜厚は、一般に、１
〜１０ｎｍ程度である。
〜６０ｎｍ程度である。本発明において用いられる強磁
性層は、キュリー温度が素子使用温度を超えた温度であ
る強磁性体から形成された層であれば特に限定されるも
のではない。具体的には、ＮｉＦｅ層とＣｏ層の積層膜
や、ＮｉＦｅ層、Ｃｏ層、これらの合金等からなる強磁
性層などが挙げられる。強磁性層の膜厚は、一般に、１
〜１０ｎｍ程度である。
【０００９】本発明において用いられる非磁性導電層と
しては、少なくとも室温において非磁性であり、導電性
に優れたものであれば特に限定されるものではなく、例
えばＣｕ層、Ａｇ層などが用いられる。非磁性導電層の
厚みとしては、一般的には、１〜５ｎｍ程度である。
しては、少なくとも室温において非磁性であり、導電性
に優れたものであれば特に限定されるものではなく、例
えばＣｕ層、Ａｇ層などが用いられる。非磁性導電層の
厚みとしては、一般的には、１〜５ｎｍ程度である。
【００１０】本発明の磁気抵抗効果膜は、一般に基板上
に形成されるが、基板の材質は非磁性であれば特に限定
されるものではなく、例えば、Ｓｉ、ＴｉＣ、Ａｌ2 Ｏ
3 、ガラスなどの基板が用いられる。
に形成されるが、基板の材質は非磁性であれば特に限定
されるものではなく、例えば、Ｓｉ、ＴｉＣ、Ａｌ2 Ｏ
3 、ガラスなどの基板が用いられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施例１ 図１に示すような、本発明の第１の局面に従う磁気抵抗
効果膜を作製した。図１を参照して、ガラス基板１の上
に、ＮｉＯ層２、及びＮｉＣｏＯ層３が積層されてい
る。これらのＮｉＯ層２及びＮｉＣｏＯ層３により、反
強磁性層が構成されている。このような反強磁性層の上
に、ＮｉＦｅ層４、及びＣｏ層５が積層されている。こ
れらのＮｉＦｅ層４及びＣｏ層５により強磁性層が構成
されている。このような強磁性層の上に、非磁性導電層
としてのＣｕ層６が積層されている。Ｃｕ層６の上に、
強磁性層であるＣｏ層７及びＮｉＦｅ層８が積層されて
いる。
効果膜を作製した。図１を参照して、ガラス基板１の上
に、ＮｉＯ層２、及びＮｉＣｏＯ層３が積層されてい
る。これらのＮｉＯ層２及びＮｉＣｏＯ層３により、反
強磁性層が構成されている。このような反強磁性層の上
に、ＮｉＦｅ層４、及びＣｏ層５が積層されている。こ
れらのＮｉＦｅ層４及びＣｏ層５により強磁性層が構成
されている。このような強磁性層の上に、非磁性導電層
としてのＣｕ層６が積層されている。Ｃｕ層６の上に、
強磁性層であるＣｏ層７及びＮｉＦｅ層８が積層されて
いる。
【００１２】図２及び図３は、図１に示す実施例１の磁
気抵抗効果膜を製造する工程を示す断面図である。図２
（ａ）に示すように、ガラス基板１上にイオンビームス
パッタリング法により、Ｎｉ50Ｏ50の組成のＮｉＯ層２
（膜厚５０ｎｍ）を形成する。次に、図２（ｂ）に示す
ように、ＮｉＯ層２の上に、イオンビームスパッタリン
グ法により、（Ｎｉ0.5 Ｃｏ0.5 ）50Ｏ50の組成からな
るＮｉＣｏＯ層３（膜厚１ｎｍ）を積層する。次に、図
２（ｃ）に示すように、ＮｉＣｏＯ層３の上に、Ｎｉ80
Ｆｅ20の組成からなるＮｉＦｅ層４（膜厚６ｎｍ）をイ
オンビームスパッタリング法により積層する。
気抵抗効果膜を製造する工程を示す断面図である。図２
（ａ）に示すように、ガラス基板１上にイオンビームス
パッタリング法により、Ｎｉ50Ｏ50の組成のＮｉＯ層２
（膜厚５０ｎｍ）を形成する。次に、図２（ｂ）に示す
ように、ＮｉＯ層２の上に、イオンビームスパッタリン
グ法により、（Ｎｉ0.5 Ｃｏ0.5 ）50Ｏ50の組成からな
るＮｉＣｏＯ層３（膜厚１ｎｍ）を積層する。次に、図
２（ｃ）に示すように、ＮｉＣｏＯ層３の上に、Ｎｉ80
Ｆｅ20の組成からなるＮｉＦｅ層４（膜厚６ｎｍ）をイ
オンビームスパッタリング法により積層する。
【００１３】次に、図３（ｄ）〜（ｆ）に示すように、
Ｃｏ層５（膜厚０．３ｎｍ）、Ｃｕ層６（膜厚２．５ｎ
ｍ）、及びＣｏ層７（膜厚０．３ｎｍ）をイオンビーム
スパッタリング法により順次積層する。
Ｃｏ層５（膜厚０．３ｎｍ）、Ｃｕ層６（膜厚２．５ｎ
ｍ）、及びＣｏ層７（膜厚０．３ｎｍ）をイオンビーム
スパッタリング法により順次積層する。
【００１４】最後に、図１に示すように、Ｃｏ層７の上
に、Ｎｉ80Ｆｅ20の組成のＮｉＦｅ層８（膜厚６ｎｍ）
をイオンビームスパッタリング法により積層する。図４
は、以上のようにして得られた図１に示す本発明に従う
磁気抵抗効果膜の外部磁界の変化に対するＭＲ比の変化
を示す図である。は、上記実施例１の磁気抵抗効果膜
のＭＲ比の変化を示している。は、比較の磁気抵抗効
果膜のＭＲ比の変化を示しており、反強磁性層としてＮ
ｉＯ層（膜厚５０ｎｍ）／ＣｏＯ層（膜厚１ｎｍ）の積
層膜を用い、その他の強磁性層、非磁性導電層及び強磁
性層の構造は実施例１と同じである磁気抵抗効果膜（比
較例１）のＭＲ比の変化を示している。または、同じ
く比較の磁気抵抗効果膜のＭＲ比の変化を示しており、
反強磁性層としてＮｉＯ層（膜厚５０ｎｍ）のみを用
い、その他の強磁性層、非磁性導電層及び強磁性層の構
造は実施例１と同じである磁気抵抗効果膜（比較例２）
のＭＲ比の変化を示している。
に、Ｎｉ80Ｆｅ20の組成のＮｉＦｅ層８（膜厚６ｎｍ）
をイオンビームスパッタリング法により積層する。図４
は、以上のようにして得られた図１に示す本発明に従う
磁気抵抗効果膜の外部磁界の変化に対するＭＲ比の変化
を示す図である。は、上記実施例１の磁気抵抗効果膜
のＭＲ比の変化を示している。は、比較の磁気抵抗効
果膜のＭＲ比の変化を示しており、反強磁性層としてＮ
ｉＯ層（膜厚５０ｎｍ）／ＣｏＯ層（膜厚１ｎｍ）の積
層膜を用い、その他の強磁性層、非磁性導電層及び強磁
性層の構造は実施例１と同じである磁気抵抗効果膜（比
較例１）のＭＲ比の変化を示している。または、同じ
く比較の磁気抵抗効果膜のＭＲ比の変化を示しており、
反強磁性層としてＮｉＯ層（膜厚５０ｎｍ）のみを用
い、その他の強磁性層、非磁性導電層及び強磁性層の構
造は実施例１と同じである磁気抵抗効果膜（比較例２）
のＭＲ比の変化を示している。
【００１５】図４から明らかなように、本発明に従う実
施例１の磁気抵抗効果膜は最大のＭＲ比として１８％の
値を示しており、従来よりも高いＭＲ比を示すことがわ
かる。
施例１の磁気抵抗効果膜は最大のＭＲ比として１８％の
値を示しており、従来よりも高いＭＲ比を示すことがわ
かる。
【００１６】実施例２ 本発明の第２の局面に従う磁気抵抗効果膜として、図５
に示すような構造を有する磁気抵抗効果膜を作製した。
図５に示すように、ガラス基板１上にＮｉＣｏＯ層３を
積層し、この上に順次ＮｉＦｅ層４、Ｃｏ層５、Ｃｕ層
６、Ｃｏ層７、及びＮｉＦｅ層８をイオンビームスパッ
タリング法により形成し積層した。なお、各層の組成及
び膜厚は、図１に示す実施例１と同様である。
に示すような構造を有する磁気抵抗効果膜を作製した。
図５に示すように、ガラス基板１上にＮｉＣｏＯ層３を
積層し、この上に順次ＮｉＦｅ層４、Ｃｏ層５、Ｃｕ層
６、Ｃｏ層７、及びＮｉＦｅ層８をイオンビームスパッ
タリング法により形成し積層した。なお、各層の組成及
び膜厚は、図１に示す実施例１と同様である。
【００１７】図６は、図５に示す実施例２の磁気抵抗効
果膜の外部磁界の変化に対するＭＲ比の変化を示す図で
ある。は、実施例２のＭＲ比の変化を示しており、
及びは、それぞれ図４に示す及びと同様である。
図６に示すように、本発明に従う実施例２の磁気抵抗効
果膜も、最大ＭＲ比として１６％の値を示しており、従
来よりも高いＭＲ比を示すことがわかる。
果膜の外部磁界の変化に対するＭＲ比の変化を示す図で
ある。は、実施例２のＭＲ比の変化を示しており、
及びは、それぞれ図４に示す及びと同様である。
図６に示すように、本発明に従う実施例２の磁気抵抗効
果膜も、最大ＭＲ比として１６％の値を示しており、従
来よりも高いＭＲ比を示すことがわかる。
【００１８】本発明に従う磁気抵抗効果膜が、従来より
高いＭＲ比を示す詳細な理由については明らかでない
が、従来の磁気抵抗効果膜で反強磁性層に用いられてい
るＣｏＯは、そのネール点が２８９Ｋ（約１６℃）であ
り、これより高い室温で十分な反強磁性を示しにくいの
に対し、本発明において反強磁性層に用いているＮｉＣ
ｏＯのネール点は３７８Ｋ（約１０５℃）であるため、
室温においても十分な反強磁性を示し、ネール点が５０
７Ｋ（約２３４℃）であるＮｉＯと同様に十分なピン止
め効果を発揮し、その結果として高いＭＲ比を示すもの
と考えられる。
高いＭＲ比を示す詳細な理由については明らかでない
が、従来の磁気抵抗効果膜で反強磁性層に用いられてい
るＣｏＯは、そのネール点が２８９Ｋ（約１６℃）であ
り、これより高い室温で十分な反強磁性を示しにくいの
に対し、本発明において反強磁性層に用いているＮｉＣ
ｏＯのネール点は３７８Ｋ（約１０５℃）であるため、
室温においても十分な反強磁性を示し、ネール点が５０
７Ｋ（約２３４℃）であるＮｉＯと同様に十分なピン止
め効果を発揮し、その結果として高いＭＲ比を示すもの
と考えられる。
【００１９】また、本発明の第１の局面では、ＮｉＯの
上に直接ＮｉＦｅなどの強磁性層を積層する場合に比
べ、ＮｉＣｏＯ層を介在させることにより、格子整合性
がよくなり、積層膜の結晶性が改善され、高いＭＲ比が
得られるものと考えられる。
上に直接ＮｉＦｅなどの強磁性層を積層する場合に比
べ、ＮｉＣｏＯ層を介在させることにより、格子整合性
がよくなり、積層膜の結晶性が改善され、高いＭＲ比が
得られるものと考えられる。
【００２０】本発明の磁気抵抗効果膜は、上記実施例１
及び２の組成及び膜厚等に限定されるものではない。ま
た本発明における反強磁性層は、強磁性層に対しピン止
め効果を発揮し得る反強磁性を示す組成及び膜厚等であ
れば、上記実施例１及び２の組成及び膜厚等に限定され
るものではない。
及び２の組成及び膜厚等に限定されるものではない。ま
た本発明における反強磁性層は、強磁性層に対しピン止
め効果を発揮し得る反強磁性を示す組成及び膜厚等であ
れば、上記実施例１及び２の組成及び膜厚等に限定され
るものではない。
【００２１】
【発明の効果】本発明に従う磁気抵抗効果膜は、従来よ
り高いＭＲ比を示すものであり、例えばＭＲヘッドに用
いることにより、ヘッドの再生出力を高めることがで
き、従来よりも高い記録密度を実現することができる。
り高いＭＲ比を示すものであり、例えばＭＲヘッドに用
いることにより、ヘッドの再生出力を高めることがで
き、従来よりも高い記録密度を実現することができる。
【図１】本発明の第１の局面に従う実施例の磁気抵抗効
果膜を示す断面図。
果膜を示す断面図。
【図２】図１に示す実施例を製造する工程を示す断面
図。
図。
【図３】図１に示す実施例を製造する工程を示す断面
図。
図。
【図４】図１に示す実施例の磁気抵抗効果膜の外部磁界
に対するＭＲ比の変化を示す図。
に対するＭＲ比の変化を示す図。
【図５】本発明の第２の局面に従う実施例の磁気抵抗効
果膜を示す断面図。
果膜を示す断面図。
【図６】図５に示す実施例の磁気抵抗効果膜の外部磁界
に対するＭＲ比の変化を示す図。
に対するＭＲ比の変化を示す図。
１…ガラス基板 ２…ＮｉＯ層 ３…ＮｉＣｏＯ層 ４，８…ＮｉＦｅ層 ５，７…Ｃｏ層 ６…Ｃｕ層
Claims (4)
- 【請求項１】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層及
び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜におい
て、 前記反強磁性層がＮｉＯ層とＮｉＣｏＯ層の積層膜であ
り、ＮｉＣｏＯ層が前記強磁性層側に設けられているこ
とを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層及
び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜におい
て、 前記反強磁性層がＮｉＣｏＯ層であることを特徴とする
磁気抵抗効果膜。 - 【請求項３】 前記強磁性層がＮｉＦｅ層とＣｏ層の積
層膜である請求項１または２に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項４】 前記非磁性導電層がＣｕ層である請求項
１〜３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187589A JPH1032119A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気抵抗効果膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187589A JPH1032119A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気抵抗効果膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032119A true JPH1032119A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16208761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187589A Pending JPH1032119A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気抵抗効果膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6178073B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element with a fixing layer formed from a superlattice of at least two different materials and production method of the same |
| US6295187B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-09-25 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with stable antiparallel pinned layer structure exchange coupled to a nickel oxide pinning layer |
| US6836392B2 (en) * | 2001-04-24 | 2004-12-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Stability-enhancing underlayer for exchange-coupled magnetic structures, magnetoresistive sensors, and magnetic disk drive systems |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8187589A patent/JPH1032119A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6178073B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element with a fixing layer formed from a superlattice of at least two different materials and production method of the same |
| US6295187B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-09-25 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with stable antiparallel pinned layer structure exchange coupled to a nickel oxide pinning layer |
| US6751844B2 (en) | 1999-06-29 | 2004-06-22 | International Business Machines Corporation | Method of making a spin valve sensor with stable antiparallel pinned layer structure exchange coupled to a nickel oxide pinning layer |
| US6836392B2 (en) * | 2001-04-24 | 2004-12-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Stability-enhancing underlayer for exchange-coupled magnetic structures, magnetoresistive sensors, and magnetic disk drive systems |
| US6992866B2 (en) | 2001-04-24 | 2006-01-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Exchange-coupled magnetoresistive sensor with a coercive ferrite layer and an oxide underlayer having a spinal lattice structure |
| US7116532B2 (en) | 2001-04-24 | 2006-10-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Stability-enhancing underlayer for exchange-coupled magnetic structures, magnetoresistive sensors, and magnetic disk drive systems |
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